TWI338908B - Charged particle beam device - Google Patents

Description

1338908 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於用於檢驗系統、測試系統、微影系統 等類似應用用途的帶電粒子束裝置。本發明也有關於帶電 粒子束裝置的操作方法。更明確地說，本發明係有關於一 種帶電粒子束裝置及其操作方法，並可減少該樣本及/或該 偵測器之電荷及/或污染。

【先前技術 帶電粒子束設備在眾多工 含但不限於，在製造期間檢驗 光系統、偵測裝置及測試系統 驗微米及奈米等級的樣本方面 微米及奈米等級的製程控 在帶電粒子束裝置内產生及聚 如電子束，而帶電粒子束裝置 圖案產生器。例如與光子束相 波長而可提供較佳的空間解析 當引導帶電粒子束至樣本 型、能量以及照射方向，帶電 種交互作用，特別是發生在樣 造成粒子放射，例如在交互作 說’在以下討論中並不需要區 及歐傑電子（Auger electrons)。 子皆稱為「二次電子在檢驗 業 領 域 中 擁 有 許 多 功 能 > 包 半 導 體 裝 置 微 影 製 程 的 曝 0 因 此 > 其 在 用 來 建 構 與 檢 上 有 著 高 度 需 求 0 制 、 檢 驗 或 建 構 通 常 是 利 用 焦 的 帶 電 粒 子 束 來 ft* Άα 成 ， 例 可 例 如 電 子 顯 微 鏡 或 電 子 束 比 9 帶 電 粒 子 束 因 為 具 有 短 度 〇 上 時 > 取 決 於 帶 電 粒 子 的 類 粒 子 束和 材 料 之 間 可 發 生 多 本 表 面 〇 這 些 交 互 作 用 可 能 用 位 置 放 射 出 電 子 0 —* 般 來 分 次 電 子 背 向 散 射 電 子 為 了 簡 明 9 這 —* 種 類 型 的 電 應 用 中 > — 偵 測 器 紀 錄 二 次

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電子，並且該偵測器與某些設備連接，以處理 田孩芩二次 電子接收到的資訊。 而‘在此領域現有技術階段： 至一樣本上時會有兩個主要問題： 當將？丨導帶電粒子東 首先，特別是作用於絕緣樣本時，該樣本會因為帶 粒子束而累積電荷（charged)。通常，在帶電粒 電 丁史更子的 情況下’該樣本變為帶負電；而當帶電粒子是離子時

樣本變為帶正電。但是’該樣本也有可能因為 A —』不*而變 為帶負電或因為電子束而變為帶正電β帶電性也取決於 本材料、該帶電粒子束能量以及該樣本相對 土聲成像 粒子束的傾斜角度β材料越是絕緣，就會有越多電 在樣本内。 集

第一個主要問題是污染。一般來說，該帶電粒子束慧 裂解存在於真空環境中的碳氫化合物分子，並且在樣本及 憤測器上沉積—層碳。該污染會損壞該偵測器及/或該樣 本，並造成拙劣的成像品質。明確地說，在電子束檢驗時· 該梢測器必須接受數十或數百毫微安培（ηΑ)的偵測電流， 其會在該偵測器上形成碳層並降低禎測器的使用壽命。通 常’電子束檢驗中使用的偵測器是pin型二極體，其靈敏 度大幅度地受到碳層影響。 在該領域的現有技術水準中，已知數種用來排除樣本 之電荷累積的方法。例如，專利案DE 3332248 A1教示弓| 導氣流至該樣本表面。因為氣體與該帶電粒子束交互作 用’該等氣體分子被離子化成為正電離子和電子。因為電

S 6 1338908 子的能量低，他們會被帶負電的樣本表面所排斥，而帶正 電的離子則被該樣本所吸引，並帶正電的離子會吸收該 樣本表面的電子"之後，此時成為未帶電的氣體分子會從 該樣本表面抽走。

美國專利第6,555,815 B2號描述一種將例如氮氣、二 氡化碳、六氟化硫等鈍氣或惰性氣體注射至該樣本表面上 的方法。根據WO 98/3 2153，將鈍氣注入該掃瞄式電子顯 微鏡中電子束照射該樣本處，以利用電子束將該鈍氣離子 化來中和掉累積在該樣本上的電荷。此外WO 98/32 1 53教 示，在掃瞄過程之間數個工作周期中使掃描區充滿正電 荷，從而減少累積在該樣本上的正電荷。在美國專利第 6，182,605號中描述一種用來進行樣本之粒子束感應修飾 的設備(apparatus for particle beam induced modification of a specimen)。在該文獻中’建議供應一氣體，例如二甲 基- 金-二 氟-乙 酿 丙 嗣

(Dimethyl-gold-trifluoro-acetylacetonate)，在該樣本的修 飾區域内，該氣體會在該樣本的電子束交互作用區内形成 一氣體環境。由於該粒子束和該等氣體分子之間的交互作 用，會產生出化學活性原子及自由基，其可在電子束作用 區内與該樣本反應。 為了克服上述的污染問題，美國專利第5,981，960號 敎示一種方法及設備’其係將臭氧通入該反應室内，該帶 電粒子束在該反應室中行進、塑形及偏轉。該氣體理應在 該帶電粒子束照射通過該反應室時擴散至預期位置。而可

7 1338908 利用臭氧的自淨作用來避免來自晶圓上的光阻之污染材料 所引起的累積電荷漂移。此外，美國專利第5,312,519號 及第5,46 6,942號揭示數種清潔帶電粒子束設備的方法， 該等方法係將臭氧通入該帶電粒子束設備之反應室中。但 是，問題在於，通常陰極（cathode)對於氣體非常敏感，特 別是暴露在氧氣甲《因此，必須防止臭氧與陰極接觸。針

對此問題，例如美國專利第5,981，960號藉由在該帶電粒 子束設備中提供數個反應室來克服一部分的此問題。 此領域現有技術階段的問題在於，難以提供用於諸如 電子束晶圓和光罩檢驗及度量中的高電流密度、低電壓電 子束系統。在該等應用中，該樣本會因為高電流而快速累 積電荷。#者，與高電壓粒子束系統相比，高電流密度低 電壓電子束系統由於電麼低，電荷累積作用相對較大因 此使帶電粒子改變方向。此頊患 此况象轉而造成拙劣的成像品 質。此外，該高電流低電壓控虹，怎也 电爱探針通常是由熱場發射式 (Schcmicy)或冷場發射式陰極所組成。但是這此陰極種類

對氣想非常敏感’特別是暴露在氡氣中時更是如此。 據此，本發明其一目的右 07在於克服該領域現有技術中至 少一部分的問題β更明確而言，太政⑽# 本發明其一目的在於提供 一種帶電粒子束設備及其操作方沐 ^ _ 介万去，該方法可減少電荷累 積及/或污染效應。 【發明内容】 子系統。根據本發明之 粒子束設備，以及如獨 本發明提供一種改良的帶電粒 態樣’提供如獨立項第1項之帶電 1338908 立項第24項之操作帶電粒子束裝置的方法。 本發明之進一步的優點、特徵、態樣及細節可由申請 專利範圍之獨立項、.實施方式及附圖而獲得清楚了解》

根據一態樣提供一種用來照射一樣本的帶電粒子束裝 置，其包含一用以提供帶電粒子束粒子來源、用以引導該 帶電粒子束至該樣本表面上的光學設備以及一用以減少該 樣本之電荷累積及/或污染的臭氧單元，其中該單元包含一 臭氧供應器及一樣本喷嘴單元，用以引導一臭氧氣流至該樣 本。 根據另一態樣提供一種用來照射樣本的帶電粒子束裝 置，其包含一用以提供帶電粒子束的粒子來源、一用以引導 該帶電粒子束至該樣本上的光學裝置、一用以偵測二次帶電 粒子的偵測器以及一用以減少該偵測器之電荷累積及/或污 染的氣體單元，其中該單元包含一氣體供應器及一偵測器喷 嘴單元，用以引導一氣流至該偵測器。 根據又另一態樣提供一種用來照射一樣本的方法，其

包含： 提供一帶電粒子東； 引導該帶電粒子束至該樣本上； 引導一臭氧氣流至該樣本。 根據更進一步的態樣提供一種用來照射一樣本的方 法，其中該方法包含： 提供一帶電粒子束： 引導該帶電粒子束至該樣本上； 9 〔5 ^38908 偵測來自該樣本之二次帶電粒子；以及 引導一氣流至用以偵測該二次帶電粒子的備測處 根據本發明來照射一樣本可被理解為修改樣本。 的修改應用是指建構一樣本或使光阻暴露在該帶電粒 下。微影也是本發明的一種典型應用用途.照射—樣 可理解為替一樣本成像，以進行例如檢驗該樣本。 根據代表性實施例，本發明之喷嘴單元可包含一 個嘴嘴及/或多個毛細管。該喷嘴單元可整合在一光學 内’例如整合在電極或是電荷控制罩内。根據代表性 例，該氣體供應來源可包含一氣流控制及氣體產生器 連接至諸如氧氣瓶等產生器供應器。該樣本可以裝設 樣本座上’該樣本座通常提供一傾斜機構以改變該帶 子束和該樣本之間的傾斜角度。或者，又或可額外地 光學柱（optical column)可以是可傾斜的，以改變帶電 束和樣本之間的角度。應將臭氧氣體理解為是一種提 可忽視之臭氧分子份量的氣體。臭氧氣體内典型的臭 介於0.1%至10%之間’例如’多於0.2%且少於或等於 也就是說，通常需選擇臭氧氣體内的臭氧含量比例， 根據本發明來操作該帶電粒子束時可由臭氧與該樣； 或谓測器的交互作用中獲益。但是，取決於不同的應 途，也可能使用大於10%、15%或20%之較高濃度的 3里。在代表性實施例中，本發明之帶電粒子束裝置 —或多個幫浦，用以抽出氣體及/或產生低壓。此外， 供至少一個開口（apetures)。通常，該偵測器喷嘴單元 典型 子束 本也 或多 裝置 實施 ，其 在一 電粒 ，該 粒子 供不 氧量 1%。 以使 ‘及/ 用用 臭氧 包含 可提 可設 10 1338908 置在接近該偵測器處，而該樣本喷嘴單元町設置在接近該 樣本處。 本發明亦有關於用以執行所揭示方法的設備，包含用 以執行所述的每一個方法步驟之設備零件。這些方法步銀 可利用硬想零組件、由適當軟趙進行程式化的電腦、上述 兩者的組合或任何其他太决, 丹他万式來執行。此外，本發明亦有關 於上述設備的操作方法。該掻妆士± ^ ^ 这操作方法包含用來執行該設備 的每一個功能之方法步驟。 【實施方式】 在不限制本案之保護範圓 _^ 束F署圍的則提下，以下該帶電粒子 末裝置或其零組件會例示地 因此，該電子束可特別用來二”束裝置或其零組件。 可應用在使用其他帶電粒子(：如查核或度量。本發明還 次及/出曲人也 離子）來源及/或其他二 人及/或背向散射帶電粒子的 影像。 ° w及零組件上，以取得樣本 通常，本發明係有關於擁 以及進而擁有高憤測速度之知之阿探針電流與高债測效率 本發明係有關於電子束系統。來檢驗系統。明確地說’ 在下方的圖式描述中，同 組件。一般來說，僅針對個 ^件符號表示相同的零 第1a圖*出本發明之第—*例中差異處做描述。 13發射-電子束31，其沿著：：施例。其中，電子束來源 該樣本28為止，該樣* 〜先學軸前進，直到撞擊 樣本材料和電子間的交互糸放置在該樣本座29上。由於 用’會從作用位置處發射出二 1338908

次電子32。肇因於該等帶負電的電子，該樣本，特別是高 度絕緣的樣本，會變為帶電狀態。此外，該等電子會裂解 (Sphi)毁氣化合物分子，導致碳層沉積在該樣本28上•'為 了減少電荷累積及污染，根據本發明，引導一臭氧氣流至 該樣本上。該臭氧氣體係由供應器34供給，並且利用一軟 管、管子、通道、導管、溝渠、輸送管或諸如此類者或其 組合將臭氧氣體5丨導至樣本上的電子撞擊位置附近。為了 簡明’以下將所有用來輸送該氣流的設備統稱為饋送管。 一喷嘴單元38連接於該等饋送管36的末端，其容許在電 子撞擊該樣本的位置周圍產生指向性臭氧氣體雲。通常’ 並且不限於此實施例，該喷嘴單元亦可以是一小直徑輸送 管的開口。該嘴嘴單元通常設置在接近該樣本之處。所有 或部分的電子束裝置可設置在一真空反應室11内，其提供 某程度的低壓。

排放至該電子束靠近該樣本處的臭氧氣體扮决兩種角 色。一方面，臭氧氣體會裂解成為離子而從該樣本上除去 電荷。另一方面，其與該樣本表面上不想要的碳層反應， 從而自該表面上移除碳。以此方式’可減少或避免電何累 積和污染的效應，#以產生改善的成像品質。此外，因為 利用該喷嘴單元將該氣流引導至該樣本上的電子撞擊位 置，故可避免對臭氧敏感的陰極與臭氧氣體接觸’特別疋 避免和臭氧氣體中的臭氧以及例如氧氣等其他成份接觸。 這轉而增加陰極和該帶電粒子束裝置對於暴以氧氣化合 物下敏感之其他部件的使用壽命以及操作有效 12 C 5')' 1338908 一般來說，若該樣本係一光罩時，本發明可能特別有 利。在此情況中，根據本發明之設備及方法容許減少光罩 污染。此外，本發明之設備及方法特別容許減少負電荷。

第lb圖示出本發明之第二實施例。其中，電子束來源 1 3發射一電子束3 1，其沿著該光學轴1 2前進直到撞擊該 樣本28為止，該樣本係放置在該樣本座29上。因為樣本 材料和電子間的交互作用，在作用位置會處發射出二次電 子3 2，並且二次電子可被偵測器3 0偵測到《—般來說， 並且不限於此實施例，可利用與光電倍增管連接之閃爍體 (scintillator)或類似形式的偵測器來測量二次電子。偵測 訊號係由一處理單元（未示出）進行處理，該處理單元可擁 有影像處理能力並能夠以若干方法處理偵測訊號。典型的 處理方案包含產生一電壓訊號，其反應偵測訊號相對於掃 瞄方向的振幅。可進一步處理該電壓訊號以判定已檢驗之 結構元件的至少一邊緣及/或其他剖面特徵的位置。

該等電子裂解該些存在於樣本和偵測器間之區域環境 中的碳氫化合物分子，而導致碳層沉積在該偵測器3 0上。 此碳沉積是一種偵測器污染，其造成偵測器的靈敏度和穩 定度降低。在實際應用中，這是偵測器使用壽命不長並且 必須不時更換的一個原因。為了減少該偵測器的污染，根 據本發明，引導一氣流至該偵測器上。例如，該氣體可以 是臭氧。但是，也可應用其他氣體。該氣體係由供應器34 供應，並利用一軟管、管子、通道、導管、溝渠、輸送管 或諸如此類者或其組合將氣體引導至偵測器附近。為了簡 13 5 1338908 明，以下將所有用來輸送該氣流的設備統稱為饋送管。一 噴嘴單元40與該等饋送管37的末端相連接，以容許在二 次電子3 2撞擊該偵測器3 0的位置周圍產生指向性氣體 雲。該噴嘴單元通常設置在接近該偵測器之處。所有或部 分的電子束裝置可設置在一真空反應室11内，真空反應室 Π可提供某種程度的真空。

由於氣流流至該偵測器並沿著該偵測器流動，可減少 甚至避免該偵測器的污染效應。因此，該偵測器的使用壽 命得以延長，並且不需要跟以前一樣頻繁地更換偵測器。 此外，也減少了可能是由污染所引起的該偵測器電荷累 積。這些應用中所使用的典型氣體是臭氧，因為臭氧具有 高度反應性。也可使用其他氣體。因此，使用該氣體可達 到避免碳沉積在該偵測器表面上，以及取決於所用氣體的 反應性可移除已經沉積在該偵測器表面上之碳的雙重效 果。

第2圖示出本發明之進一步實施例。其中，來自該供 應器34的氣流係透過饋送管36以及該樣本喷嘴單元38 引•導至該樣本2 8。此外，該氣流係透過該饋送管3 7以及 該偵測器喷嘴單元40引導至該偵測器3 0。將如同在第 4a-4e圖中更詳細描述般，該供應器34可由一個供應器或 例如兩個氣瓶般的兩個獨立供應器所組成。此外，提供氣 體給該樣本喷嘴單元和該偵測器喷嘴單元的饋送管36和 37可包含共同的饋送管區段。另外，可將一些用來控制該 氣流的設備設置在供應器和偵測器喷嘴單元及/或樣本喷 14 '：5 1338908 嘴單元之間（見第4b、4c、4e圖）。

第2圓所示之實施例是特別有益處的’因為所不的配 置容許減少該樣本及/或該偵測器的電荷累積及z或'了染。 與目前技術領域中的已知設備相比，本發明可大幅改善成 像品質。

第3a-c圖示出本發明之進一步實施例。該等電子係由 陰極14放射出並加速抵達該陽極16»該電子束31在沿著 該光學轴12傳播的同時，會通過許多光學裝置。 通常，並且不限於所示實施例，該電子束可以被聚焦、 集中、準直（collimated)、校直、過渡、減及/或加速、偏 轉、像差補償（stigmated)等等。為了達到這些動作’可在 電子束路徑上設置一或多個如下光學裝置所組成的群組： 磁透鏡（magnetic lenses)、靜電透鏡、磁力靜電複合透鏡 (compound magnetic-electrostatic lenses) ' Wien 過渡器、 聚光器、校直器、準直儀、偏向器、加速器、減速器等。

在第3a-3c圖中，例示性地繪示出某些光學裝置··透 鏡18(例如聚光透鏡）' 開口 2〇、校直器/偏向器22、開口 24、透鏡26、偏向器27»應強調此配置僅是其中一範例， 還可提供其他光學裝置，例如準直儀或過濾器。一般來說， 該偏向器可設置在該聚焦透鏡之前或之後。當在樣本和焦 距之間的工作距離必須最小化的應用巾，可將該偏向器設 置在該聚焦透鏡之前。~示之光學裝置係設置在該光學柱 10内。該光學柱可提供古古办丄准 ,, 何供π真空水準。例如以下將參考第7a 和7b圖做更詳細描述去—π ▲ 疋者該帶電粒子束裝置内可能有不同 15 1338908

程度的真空水準。特定的泵吸開口（pumping aperture)9將 s光學柱和該樣本反應室分開，而該樣本反應室也就是 内部放置有樣本的的反應室。一般來說，也可在該光學柱 的下半部分中（例如毗鄰或在該物鏡内）提供一減速電極 (未τ出）。在第3a_3c圖中，元件符號26代表該些物鏡。 減速電極通常會降低先前已被該陽極加速之電子的動 能。在第3a-3c圓中’元件符號16表示陽極。

在第33圖所不之實施例中，纟自供應器34的臭氧氣 體係透過饋送普·· ό而引導至該樣本28，並且由噴嘴單元 38 樣本上的電子撞擊位置。 第3b圈所不之實施例中，來自供應器34的氣體係 透過饋送管3 7導至兮祜制哭 4 守至该偵測器’並且由噴嘴單元40引導至

。偵測器表面。通常，&氣體可包含例如由一臭氧產生器 所產生的臭氧，H

並且刀子態的氧會饋入該臭氧產生器中。 在第3c圓所不之實施例中，來自供應器的氣體係 過饋送管36導至該樣本28’並且透過饋送管37而引導 至該偵測器30。氣體係由噴嘴單元38引導至該樣本上的 電子撞擊位置’並且由噴嘴單元4〇引導至該偵測器表面。 通常該氣體可包含例如由一臭氧產生所產生的臭氧並 且分子態的氧會饋入該臭氧產生器中。 第4a-4e圖示出該氣體供應器34之不同實施例。 第4a圖不出氣體供應器34的兩件式實施例（tw〇part emb〇diment)，其巾34a代表氣雜產生器，* 3朴表示產生 器供應器。例b，假定提到的氣雜是臭氧，臭氧係在可做 '·： S' 16 1338908 為臭氧產生器的該產生器3 4a内所形成。可從諸如氧氣瓶 等產生器供應器34b取得氧氣並將之馈入該產生器34a 中。或者’可將含有氧原子的空氣或其他氣態、液態或固 態材料饋入該產生器34a中，該些氧原子可被分解以用來 形成臭氧·

第4b圖示出與氣流控制器35連接的氣體供應器3“ 該氣流控制器控制通過該等饋送管36及/或37的氣流 般來說，根據本發明之氣流控制器可以下列模式進行操作： (a) 連續模式：氣流保持固定。

(b) 脈衝模式：氣流隨著時間做週期性改變。典型的脈 衝週期係介於1至10 0秒之間，例如5、1 〇或5 0秒，或甚 至70或85秒。但是，取決於應用用途的不同，也可使用 比上述更短或更長的脈衝週期》脈衝模式可包含完全没有 氣流的期間（intervals)。另一方面，脈衝模式可包含擁有 最大氣流的期間。脈衝模式也可包含氣流穩定增加或減少 的期間。此外’脈衝模式也可具有步進函數或類似之型態。 再者’脈衝可由該帶電粒子束裝置的操作者控制來加以控 制或可由另一個訊號引發。例如，可在擷取影像前先啟動 氣流的單一脈衝。 (c) 管理模式（supervised m〇de):該氣流可由該帶電粒 子束的操作者來控制。或者，或是額外，該氣流可由另一 個訊號引發。此種訊號可由一感應器發出，該感應器能感 應可影響氣流密度和速度的一或多個因素。例#，該氣流 可破更換樣本的操作動作所引發。在-實施例t，當載出 17 '：5' 1338908 ，氣d 入待檢測或欲進行建構的新樣本時， :號;=广貞測器處的氣流也可由來自該伯測器的 •:.......。在—實施例中，若偵測器訊號低於某檻值，

可：啟動或增加流至該偵測器的氣流。根據其他實施例， 該氣流係由該偵測器電流密度或由該樣本的電荷累積行為 所引發。這些實施例僅是管理模式的範例。應了解也可使 用其他數值做為該氣流控制器的引發值。明確地說，所述 實施例之I種組合皆是可能的。例 >，該氣流控制器可 由該更換樣本的操作動作和該樣本的電荷累積所引發。 該氣流控制器可控制該氣體分子在離開偵測器喷嘴單 元及/或樣本喷嘴單元時的密度及/或速度。

在第4b圖中，顯示感應器5〇係連接至氣流控制器 35°該感應器可為控制器提供在控制該氣流方面上任何所 需或有幫助的資訊。明確地說，該感應器可提供控制器如 上述段落c)中所述之引發資訊。此種感應器可應用在本文 所述的所有本發明實施例中。以下，為了簡明說明，將其 從圖式及描述中省略。 第4c圓示出第4b圖的實施例，其中該氣體供應器34 包含第4a圖t所描述的產生器343及產生器供應器34b。 如第4d圓所示者，該氣流供應器34也可包含平行的 氣流供應器34y和34z。這是可將氣流引導至該樣本以及 該偵測器兩者之實施例中數種典麼配置方式的其中一種。 在此情況中，例如，氣體供應器34z可透過該饋送管37 供應氣體至該偵測器喷嘴單元40，而氣體供應器34y可透 18 *； 5 1338908

過該饋送管36供應氣體至該樣本喷嘴單元38。每 至少一個供應器34y和3 4z可包含一產生器34a及 器供應器34b。或者，該等供應器34a及/或34b可 充有液體的瓶子，例如臭氧瓶。此外，雖然該氣體 34y提供臭氧氣體給該樣本喷嘴單元38，但在某些 中，引導至該偵測器上的氣體可能是不同氣體，例如 氧氣、氮氣等。 此外，可如第4e和7b圖所示般，將各別的氣 器35y和35z連接至每一個或至少一個氣體供應器 34z。由於獨立控制兩種氣流，因此該偵測器上的氣 樣本上的氣流可分別獨立地啟動。每一個氣流控制 不同的感應器訊號來引發。例如，負責該偵測器上 的氣流控制器可由該偵測器内的電流密度來引發， 該樣本上之氣流的氣流控制器可由該樣本的電荷累 引發。 第5a-5g圖示出本發明之進一步實施例。 在第5a圖中，臭氧氣體係透過饋送管36以及 喷嘴單元38而引導至該樣本28。朝該偏向器42移 次電子被偏向並持續移動直到抵達該偵測器為止。 在第5b圖中，來自該氣體供應器34的氣流透 管37和偵測器喷嘴單元40引導至該偵測器。 一般來說，在本文敘述的所有實施例中，該偵 完全或部分設置在該電子束管内，或者其可設置在 束管外。例如，在第3a-3c圖中，該偵測器係設置 一個或 一產生 以是填 供應器 實施例 |空氣、 流控制 34y和 流與該 器可由 之氣流 而負責 積量來 該樣本 動的二 過饋送 測器可 該電子 在該電 19 1338908

子束管外，但至少部分位在該樣本真空反應室1 1内。也可 將該偵測器完全設置在該真空反應室内。在第 5 a-5g圖 中，該偵測器3 0係部分設置在該電子束管内。若有氣流引 導至偏向器的情況下，該偏向器的位置必須能讓該等饋送 管和該喷嘴單元可以設置而不會干擾該帶電粒子束裝置的 光學裝置。此外，本文所述的所有實施例中，運用某些用 來偏轉、過濾及/或收集二次帶電粒子的設備可能是有用 的。此種設備的其中一範例係例如第5a-5g圖中的電子束 分離器42。該電子束分離器能分離朝該樣本前進的主要帶 電粒子束及離開該樣本的二次帶電粒子束。也可在本發明 其他實施例中應用電子束分離器。電子束分離器可以是靜 電、磁性、或靜電一磁性複合式偏向器，例如 Wien過渡 器。

第5c圖示出第5a圖之實施例，其中一氣流控制器設 置在該供應器3 4和該樣本喷嘴單元3 8之間。該氣流控制 器控制供應至該樣本28的臭氧。該氣流控制器可連接至如 第4 a-4e圖所述的一或多個感應器。此外，並且不限於本 實施例，該氣流控制器可包含供操作者手動調整氣流的設 備。 第5 d圖示出第5 b圖之實施例，其中一氣流控制器設 置在該供應器3 4和該偵測器喷嘴單元4 0之間。該氣流控 制器控制著供應至該偵測器3 0的氣體。該氣流控制器連接 至如第4a-4e圖所述的一或多個感應器。此外，並且不限 於本實施例，該氣流控制器可包含用來讓操作者手動調整

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氣流的設備。 如關於第4a-4e圖所示般，該氣體供應器34 氣體產生器34a及一產生器供應器3 4b。此配置 第5 e圖中。在一實施例中，欲引導至該偵測器表 體包含臭氧。在此情況下，該產生器34a係一臭| 其連接至該產生器供應器3 4b，該產生器供應器 例如一氧氣瓶或是單純來自環境的空氣。 第5 f圖示出一實施例，其中氣流係經引導至 該偵測器兩者。雖然該氣體供應器34在此顯示為 供應器，但其可如第4d圖所示般由兩個不同的供 成。 第5 g圖示出第5 f圖之實施例，其中個別的老 和35z分置於樣本喷嘴單元38和氣體供應器34 偵測器喷嘴單元40和氣體供應器34之間。該担 控制流向該偵測器3 0的氣流，而控制器3 5 y控制 本28的氣流。該氣體供應器34可包含一或兩個 器及一或兩個產生器供應器。 第6a圖示出本發明之進一步實施例。在第 該臭氧氣流係從該氣體供應器34透過該氣流控i 引導至該電荷控制罩3 9。 第6b和6c圖示出電荷控制罩39的兩種可美 第6b圖所示之電荷控制罩包含一第一電極39a和 極 39b。取決於樣本的電荷累積而定，該第一電 電極設定在不同電位。此外，該臭氧饋送管36導 2.1 可包含一 亦顯示在 面上的氣 I產生器， 34b可為 該樣本及 一共同的 應器所組 艺制器3 5 y 之間以及 E制器35z 流向該樣 氣體產生 6 a圖中， 糾器35而 fe實施例。 一第二電 極和第-~~ 入該電極 5 1338908 39中，而電極39内提供一通道36a或其類似物，表 臭氧氣體通至該樣本喷嘴單元38，並從該喷嘴單元 該氣體引導至該檨本處。此外，亦可使偏向器極片（未 與第一或第二電極呈平行設置，或將偏向器極片設f 一或第二電極旁邊（即，位在該光學轴12相同高度處 或者’包含通道36a之該第二電極3”可設置在 一電極39a上方。也就是說，該第一電極39a設置在 和第二電極39b之間。此配置顯示在第6c圖中。 第7a-7c圖示出本發明之進一步實施例。如上所 用來引導至該樣本及/或偵測器的氣想（例如臭氧）可 害或損壞帶電粒子束裝置之來源，明確地說，毒害或 熱場發射式（即「Schottky」）放射器或冷場放射器。本考 更明確而言，在本文中所述的所有實施例，能在需要 的區域内提供局部氣體濃度。藉著局部氣體供應以及 指向性的喷嘴單元設備將該氣體5丨導至該樣本及/或 器’可了解到僅有少數量的攻擊性氣體會抵達該粒子 源。 本發明有幾個能增強此效果的實施例。接下來的 t係例示性地說明這些實施例。根據第7a-7C圖所示 施例，提供一幫浦5 〇以抽出該氣體。由喷嘴單元3 8 至樣本的臭氧氣體會與該樣本進行交互作用.因此可 該樣本的電荷累積及/或污染。在經過這些交互作用後 要將該臭氧氣體從該樣本反應室移除。為此，在靠近 本處設置一抽吸開口 5 2，並且該抽吸開口 5 2透過鎮 ί容許 38將 示出） .在第 )。 該第 樣本 述， 能毒 損壞 卜明， 氣體 利用 偵測 束來 圖式 之實 引導 減少 ，需 該樣 送管 22 1338908 48速接至該幫浦50。該幫浦5〇係指每種能夠抽出氣 裝置。可使用如上述有關於氣流控制器之操作中所述 同模式來控制該繁浦。明確地說，可以管理模式來控 幫浦。此外’該幫浦可與該氣流控制器同步控制。 根據第7b圊所示之實施例，由該喷嘴單元4〇引 該偵測器3 0的氣體與污染該偵測器表面的粒子進行 作用。隨後，氣體透過抽吸開口 52以及饋送管48由 50抽出。該幫浦50代表能夠抽出氣體的每一種裝置 使用如上述有關該氣流控制器之操作令所述的相同模 控制該幫#。明確地說，可以管理模式來控制該幫浦 外’該幫浦可與該氣流控制器同步控制。 如第7c圖所不，由嗜嘴里- 田噴赁單几38引導至該樣本的 以及由該喷嘴單元40弓丨導至綠店… Ή导至該偵測器3〇的氣體兩者 經過反應之後皆由該幫浦5 〇推.a城 * '甩透過饋送管48及抽吸開 抽出》可如上有關於第7&或 A 7b圖所述般地操作該幫 此外，可能設置數個幫浦， 两例如一第一幫浦連與設置 偵測器鄰近處的抽吸開口相 相連接，而一第二幫浦則與 在該樣本鄰近處的抽吸開口相連接 一般來說，該（等）抽 “加、 吸開口通常設置成能夠抽出 或大部为被引導至該樣本及 或偵測器的氣體。因此， 7 a-7c圖示出的典型配置 41£ ^ 孩插吸開口係設置在被 至該樣本及/或镇測器之氣體的氣流方向中。 根據第8a-8b圖所示之冰 L ° , 生\ 進—步實施例，可藉由提 少一差分抽氣區段來増強 涵#帶電粒子束裝置中對諸如 體的 的相 制該 導至 交互 幫浦 〇 'SJ" 式來 0此 臭氧 ，在 σ 52 浦。 在該 設置 所有 在第 引導 供至 臭氧 23 1338908

等氣體敏感之部分（明確地說是該來源）的保護作用 粒子束裝置之來源對於氣體是特別敏感的，特別是 含有0·、02或03的時候。通常，這些柚氣區段可 該些暴露在該氣體中的位置之間，即該樣本及/或該 表面和該粒子束來源之間。該帶電粒子束的抽氣開 置在該等抽氣區段之間。通常，該等差分抽氣開口 一開口小於0.5毫米（mm)。這是特別為了保證沒有 可忽視量的氣體（例如臭氧）抵達該來源的敏感性陰 降低其亮度效能。 參見第8a圖，一產生器供應器34b饋送氣體至 產生器34a，而從氣體產生器34a供應一氣流，並 產生器3 4 a所供應的氣流可利用該氣流控制器3 5 z 控制，並透過饋送管3 7將該氣流引導至該偵測器 第 7a-7c圖所述之抽吸開口及各自的幫浦也可提 8a-8b圖的實施例中。設置幫浦44a-44d以在該真空 11 a-lid内產生不同的真空水準。該些不同真空水 應室係利用開口 46a-46c隔開。通常，該來源反應室 含有該帶電粒子束裝置之來源的反應室）内的真空 於下方反應室（例如樣本反應室lid)的真空水準。 在第8b圖中，臭氧氣體被引導至該樣本。該氣 一氣體產生器34a供應，而該氣體產生器34a則由 器供應器3 4b來饋送氣體。該氣流受到該氣流控制 控制，並透過饋送管3 6和電荷控制罩3 9引導至 28。第8a-8b圖所示之電荷控制罩39可以是例如負 。帶電 氣體中 設置在 偵測器 口係設 中至少 或僅有 極因而 一氣體 且氣體 來加以 3 0。如 供於第 反應室 準的反 1 la(即 水準高 體係由 一產生 器35y 該樣本 ;6b或 24 1338908

6c圖所示者。但是，在第8a和8b圖實施例中使用的電荷 控制罩僅是例示性範例。也可使用可引導該臭氧氣體至該 樣本的其他設借，例如前面所述之該饋送管3 6結合設置在 該樣本28鄰近處的喷嘴單元38等其他設備。設置幫浦 44a-44d以在該真空反應室lla-lld内產生不同的真空水 準。不同真空水準的反應室係利用開口 46a-46c來隔開。 通常，該來源反應室11 a(即含有該帶電粒子束裝置之來源 的反應室）内的真空水準高於下方反應室（例如樣本反應室 1 Id)的真空水準。 根據第8 c圖所示之實施例，氣體被引導至該偵測器以 及該樣本。取代個別的供應器34a、3 4b及/或氣流控制器 35y、35z，該饋送管36和該饋送管37可連接至一共同的 氣體供應器，例如一共同的臭氧產生器。

通常，該等真空反應室lla-lld可提供不同的真空水 準，例如在該來源反應室11a内提供最高真空水準，而在 在樣本反應室lid内提供最低真空水準。因此，在這些實 施例中，通常該反應室設置的位置越高，即越靠近該來源， 其真空水準也越高。 第9a-9c圖示出喷嘴單元的進一步實施例，其可做為 樣本噴嘴單元及/或偵測器喷嘴單元。一般來說，在本發明 的所有實施例t，可使用一標準的喷嘴單元。此種喷嘴單 元也可以是一小直徑輸送管的開口。在本案中，應可理解 到，容許產生指向性氣流至該等環境的每一個開口均可視 為一噴嘴單元。 25 1338908

通常，一喷嘴單元包含連接至一饋送管的連接埠及用 來引導該氣流至該等環境中的出氣開口。通常，該出氣開 口與該饋送管埠相對。此外，該饋送管埠的直徑通常大於 該出氣開口的直徑。根據喷嘴單元的實施例，直徑從該饋 送管埠朝向該出氣開口穩定縮小。

除了上述喷嘴單元之外，也可在本發明之實施例中使 用如下圖式中所描述的喷嘴單元。第9a和9b圖示出喷嘴 單元的縱向部分，而第9c圖示出根據第9a-9b圊之喷嘴單 元的剖面。如第9a圖所示，該噴嘴單元38或40可包含一 毛細管陣列。根據第9 a圊之實施例，這些毛細管係彼此平 行設置。一般來說，並且不限於本實施例，該等毛細管的 直徑通常是在數微米（μπι)範圍内。擁有第9a圖所示之毛細 管結構的喷嘴單元之氣體束開口角度可調整至小於 1 0 °。 甚至3°或甚至2.5°都是可能的。此角度在第9a圖中以虛 線來表示。此種配置方式容許增強對於氣流擴散的控制， 而對於該帶電粒子束中對氧或氧氣等攻擊性氣體敏感的部 分有更佳的保護效果。 根據第9b圖所示之實施例，該毛細管陣列係經設置而 使該等毛細管軸垂直定位成為一球形。一般來說，該等毛 細管的縱軸，即與該等毛細管内的氣體流動方向相對應的 轴，可經設置而使其在氣流方向上彼此相交。以此方式可 聚集該氣流。在第9 b圖所示的實施例中，該等毛細管實質 上對稱設置。因此，該等毛細管的縱轴會在圖式左邊的一 點相交。藉由使用可提供聚集特性之毛細管結構的喷嘴單 26 5' 1338908

元，該氣流可被引導至需要它的位置。此位置可以是偵測 器表面及/或樣本。因為該聚集特性，可達到介於0°和-15 °之間的氣體束開口角度。也就是說，相較於不具有毛細結 構的喷嘴單元所排出的氣流，本文所揭示之喷嘴單元所提 供之氣流在該等毛細管出口之後的總氣流直徑會比在該出 氣位置處的毛細管直徑要小。在第9b圖中，所指的氣流係 以虛線來繪示。可運用如上關於第7a-7c圖、第8a-8b圖 所述之幫浦配置以及抽氣區段及其組合來進一步減少氣體 原子及/或分子至該等環境的擴散作用。

第9c圖示出第8 a-8b圊所示之喷嘴單元的剖面圖。在 第8 a圖中，沿著整條該等毛細管皆可取得此剖面。但是在 第8b圖中，該剖面係在該喷嘴單元出口側該等毛細管彼此 接近處取得。該喷嘴單元的整體形狀以及該等毛細管的形 狀在第9c圖中是圓形的。但是，需了解此圓形形狀僅是示 例性範例。也可使用所有其他形狀的喷嘴單元和毛細管， 例如橢圓形、長方形或其他多角形。明確地說，該柱狀物 内或介於聚焦透鏡和樣本之間的有限空間可能需要特定的 喷嘴單元形狀。若該等毛細管朝彼此傾斜，典型的傾斜角 度是介於2 °和1 5 °之間，例如3 °或5 °。 一般來說，該樣本喷嘴單元可包含數個樣本喷嘴，其 引導一臭氧氣流至該樣本。此外，一般來說，該偵測器喷 嘴單元可包含數個偵測器喷嘴，其引導一氣流至該偵測 器。據此，該等饋送管可包含複數個饋送管分支。此外， 一般來說，使該喷嘴單元可部分或完全地整合在例如電極 '：5 27 1338908 等光學裝置内，例如一偏向器或一像差補， (stlgmatoO。在第10a和10b圖例示性地示出擁有數 本喷嘴之樣本喷嘴單元的實施例，並詳述如下。 第10a圖示出電極54a-54d之四極配置，其係對 置在介於該樣本及該聚焦透鏡（例如磁性透鏡）之間的 粒子束裝置之光學軸12周圍。一般來說，可應用例 極、六極或八極配置等進一步的多極配置。該等電極 可提供一或多種電壓之電壓來源（未示出）相連接。一 說’並且不限於本實施例，該等電極可設置在聚焦透 樣本之間。此外，通常該等電極可做為偏向器、像差 器或其組合；該等電極也可產生軸向加速或減速場。 在第10a圖中，複數個樣本噴嘴38a_38d係整合 等電極内。也就是說，臭氧氣流係透過部分整合在該 極54a-54d内的該等饋送管分支36a36d，而引導至該 本喷嘴38a-38d，該等樣本噴嘴38a_38d係朝向該樣本 第l〇b圖示出與該光學軸平行的第i〇a圖之實 的剖面圖。 因此，本發明提供一種改良的帶電粒子束裝置及 作方法，谷許減少樣本及/或偵測器之電荷累積及/ /、通常，根據本發明之帶電粒子束裝置可應用在具 荷累積和污染，特別是光罩之電荷累積和污染問題的 檢驗以及光罩度量。此外，本發明提供一種帶電粒 裝置及其操作方法，其係特別適用在需要高彳貞測電流 的電子束檢驗上。 · 赏器 個樣 稱設 帶電 如四 係與 般來 鏡及 補償 在該 等電 等樣 〇 施例 其操 或污 有電 光罩 子束 密度 28 1338908

[ 圖式 簡單說 明 ] 在 實施方 式 的 敍 :述内容以及 .參閱附圖將 本 發·明 上述態 樣 或 其 他更詳知 1的 態樣。 其中 第 la-lb 圖 示 出 本發明之 第 一及第 二實 第 2圖示 出 本 發 明之第三實 施例； 第 3 a- 3 c 圖 示 出 本發明之 進 一步實 施例 第 4a-4e 圖 示 出 氣體供應 器 之不同 實施 第 5a-5g 圖 示 出 本發明之 進 一步實 施例 第 6a圖示出本發明之進 一步實施- 例； 第 6b-6c 圖 示 出 第6a圖. 之電荷控 制罩ί 第 7a-7c 圖 示 出 本發明之 進 一步實 施例 第 8a-8c 圖 示 出 本發明之 進 一步實 施例 第 9a-9c 圖 示 出 喷嘴單元 的 數種實 施例 第 10a-1 Ob 圖 示 出偵測器 喷 嘴單元 之進 [ 主要 元件符 號 說 明 ] 9 泵吸開口 10 光學 柱 11 '11 a-11 d 真空反應室 12 光學 軸 13 電 子束來 源 14 陰極 16 陽 極 18 '26 透鏡 20 、24 、4 6a- 46 C 開口 22 校直 器/偏 26 物 鏡 27 '42 偏向 28 樣 本 29 樣本 座 30 偵 測器 3 1 電子 束 32 二 次電子 34 、34y、 3 4ζ 向器 器 供應器 L說明一部份的 施例； 例； 9 Κι不同實施例， ;以及 一步實施例。 (5 29 1338908 34a 氣體產生器 34b 產生器供應器 35、35y、35z 氣流控制器 36、37、48 饋送管 3 6 a .通道 38 、 40 、 38a-38d 39a 第一電極 44a-44d 幫浦 52 抽吸開口 36a-36d 饋送管分支 喷嘴單元39 電荷控制罩 39b 第二電極 50 感應器 54a-54d 電極

30

Claims (1)

1338908 、申請專利範圍 第仆P讲f號專利案Μ年?月修1H

月日修正替換頁 .種用於照射一樣本之帶電粒子束裝置，其至少包含： 粒子來源（13; 14、16)，用以提供一帶電粒子束（31): -光學裝置(18、20、22、24、26、27),用以引導該 帶電粒子束至該樣本上； 镇測器（30)，其用於偵測二次帶電粒子；以及 一氣體單元，適於減少該偵測器的電荷累積及（或） 污染’該單元包含： 一氣體供應器（34、35、37);以及 一偵測器噴嘴單元（40),適於引導一氣流至該偵 測器。 申h專利範圍第1項所述之帶電粒子束裝置，其中上 述之照射該樣本係修改該樣本β 3·如申請專利範圊第丨項所述之帶電粒子束裝置其中上 通之照射該樣本係將該樣本成像。 如申请專利範®第1項所述之帶電粒子束裝置，更包含 —樣本嘴嘴單元（38),用以引導一氣流至該樣本（28)。 ’如申清專利範園第1項所述之帶電粒子束裝置，更包含 —臭氡供應器（34)« 31 1338908 6.如申請專利範圍第5項所述之帶電粒子束社 ^展置，其中該 臭氧供應器包含一臭氧產生器（34a) » 7.如申請專利範圍第6項所述之帶電粒子東肚 +嚴置，其中該 臭氧產生器（34a)具有一氧氣供應器（34b)。

8·如申請專利範圍第5項所述之帶電粒子击# &裝置，其中該 臭氧供應器包含一具有液態或氣態臭氡的储槽 9·如前述申請專利範圍第1項或第3項所述之帶電粒子束 裝置’其中該光學裝置係一或多個元件，其係選自由下列 元件所構成之群組中： 至少一聚焦透鏡（26)，用以將該帶電粒子束聚焦在該

至少一偏向器（27)，用以偏轉該帶電粒子束；以及 至少一聚光透鏡（18)，用以影響該帶電粒子束。 10·如前述申請專利範圍第1項或第3項所述之帶電粒子 束裝置，更包含： —樣本座（29)，用以裝設該樣本在其上；及（或） 一傾斜機構，用以傾斜該樣本及（或）該帶電粒子束° 32 1338908 11.如前述申請專利範圍第1項或第3項所述之帶電粒子 束裝置，其中該偵測器喷嘴單元（40)包含複數個毛細管 (3840a-3840g) ° 12.如申請專利範圍第4項所述之帶電粒子束裝置，其中 該樣本噴嘴單元（38)包含複數個毛細管（3 840 a-3840g)。

13.如申請專利範圍第11項所述之帶電粒子束裝置，其中 該等毛細管係朝彼此傾斜，以產生一集中的氣流。 14.如申請專利範圍第4項所述之帶電粒子束裝置，其中 該偵測器喷嘴單元（40)及（或）該樣本喷嘴單元（38)包含 複數個喷嘴（38a-38d)。

15.如申請專利範圍第4項所述之帶電粒子束裝置，其中 該氣體供應器包含至少一氣流控制器（35; 35y、35z)。 16. 如申請專利範圍第15項所述之帶電粒子束裝置，其中 該至少一氣流控制器（35; 35y、35z)係與至少一感應器（50) 連接。 17. 如申請專利範圍第16項所述之帶電粒子束裝置，其中 該至少一感應器（50)係適用於感應選自於下列之至少一項 33 1338908 V8日修正替换頁 目：一樣本之一電荷累積的行為、一偵測器之電流密度、 更換樣本的一程序以及該偵測器（3 0)的一訊號》 18.如申請專利範圍第5項所述之帶電粒子束裝置，其中 該氣體包含至少0.1 %以及至多1 0%的臭氧。

19.如前述申請專利範圍第1項或第3項所述之帶電粒子 束裝置，更包含一真空反應室（11)。 20.如申請專利範圍第19項所述之帶電粒子束裝置，更包 含至少一幫浦（50 ; 44a-44d)，用以將氣體從該真空反應室 (1 1)抽出。 21.如申請專利範圍第20項所述之帶電粒子束裝置，其中 該至少一幫浦從該樣本表面及（或）偵測器表面的鄰近處

2 2.如申請專利範圍第1項或第3項所述之帶電粒子束裝 置，更包含至少一差分抽氣區段（1 1 a、1 1 b、1 1 c、1 1 d)。 23.如申請專利範圍第1項或第3項所述之帶電粒子束裝 置，更包含一樣本反應室（1 Id)及一開口（9)，該開口（9)係 用以將一光學柱（1 0)從該樣本反應室（1 1 d)隔離開來。 34 1338908 % V8曰綱換頁 24 · —種用於照射一樣本之方法，其至少包含： 提供一帶電粒子束； 引導該帶電粒子束至該樣本上； 偵測來自該樣本之二次帶電粒子；以及 藉由引導一氣流至進行該二次帶電粒子的偵測處來減 少該偵測器之電荷累積及（或）污染。

25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，更包含：引導一 氣流至該樣本。 26. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該方法包含 將該樣本成像》

27.如申請專利範圍第24至25項任一項所述之方法，其 中該方法包含修改該樣本。 28.如申請專利範圍第24項或第26項所述之方法，更包 含一或多個如下步驟： 引導該帶電粒子束通過至少一透鏡； 偏轉該帶電粒子束； 掃描該帶電粒子束；以及 改變該樣本和該帶電粒子束之間的一角度。 35 1338908 99：'3：Τ)·3----- 年月日修正替換頁 29.如申請專利範圍第24項或第26項所述之方法，其中 該氣流係一臭氧氣流。 3 0.如申請專利範圍第24項或第26項所述之方法，其中 該臭氧氣流内之臭氧比例係至少0.1 %且至多1 0 %。

31.如申請專利範圍第24項或第26項所述之方法，其中 該氣流係利用一偵測器喷嘴單元及（或）一樣品喷嘴單元 來引導。 32.如申請專利範圍第24項或第26項所述之方法，其中 該氣流係利用複數個毛細管來引導。

33，如申請專利範圍第24項或第26項所述之方法，其中 該氣流係利用複數個偵測器喷嘴（38a-38d)及（或）樣本喷 嘴來引導。 34. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該等毛細管 係朝向彼此地傾斜。 35. 如申請專利範圍第24項或第26項所述之方法，更包 含以下步驟： 36 1338908 曰妗疋替換llj 從該樣本及（或）該偵測器的鄰近處抽出氣體。 36.如申請專利範圍第31項所述之方法，更包含以下步驟： 在該樣本和產生該帶電粒子束的一位置之間提供不同 的真空水準。

37.如申請專利範圍第36項所述之方法，其中上述提供不 同真空水準的步驟係利用操作至少一抽氣區段來達成。 38.如申請專利範圍第24至26項任一項所述之方法，更 包含以下步驟： 控制該氣流。

TV1 39.如申請專利範圍第38項所述之方法，其中上述控制該 氣流的步驟係藉由調整一喷嘴單元的尺寸及（或）一氣體 供應器的壓力來完成。 40.如申請專利範圍第38項所述之方法，其中上述控制該 氣流的步驟係使得該氣流為連續式或脈衝式。 4 1 .如申請專利範圍第3 8項所述之方法，其中該氣流係利 用一用於控制該氣流的裝置來加以控制，其中該裝置根據 來自一感應器的至少一訊號來控制該氣流。 37 1338908

"年 42.如申請專利範圍第41項所述之方法，其中該至少一感 應器感應至少一種特徵項目，其選自於以下群組中：一樣 本之該電荷累積行為、一偵測器之電流密度、一樣本之一 更換以及一偵測器訊號之一減弱。 38