JPH0590151A - 半導体基板現像処理装置 - Google Patents
半導体基板現像処理装置Info
- Publication number
- JPH0590151A JPH0590151A JP24867291A JP24867291A JPH0590151A JP H0590151 A JPH0590151 A JP H0590151A JP 24867291 A JP24867291 A JP 24867291A JP 24867291 A JP24867291 A JP 24867291A JP H0590151 A JPH0590151 A JP H0590151A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- developer
- developing solution
- processing apparatus
- capillaries
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】現像液の不用意滴下，現像液に衝撃による膜厚
の減耗及びミストの発生を起すことなく迅速に現像液を
半導体基板上前面にゆき渡るようにする。 【構成】半導体基板２の直径方向に複数の毛細管５を並
べてノズル１とし、このノズルの元の毛細管５と連結す
る太い管にサックバックバルブ６と現像液供給用の空圧
バルブ７とを取付け、半導体基板５を低速回転させ、毛
細管５より半導体基板２の前面に現像液を滴下する。
の減耗及びミストの発生を起すことなく迅速に現像液を
半導体基板上前面にゆき渡るようにする。 【構成】半導体基板２の直径方向に複数の毛細管５を並
べてノズル１とし、このノズルの元の毛細管５と連結す
る太い管にサックバックバルブ６と現像液供給用の空圧
バルブ７とを取付け、半導体基板５を低速回転させ、毛
細管５より半導体基板２の前面に現像液を滴下する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造工程の写
真蝕刻工程における半導体基板現像処理装置に関する。
真蝕刻工程における半導体基板現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）及び（ｂ）は従来の半導体基
板現像処理装置の例を示す図である。従来、この種の半
導体基板現像処理装置は、図２に示すように、２つの方
式がある。
板現像処理装置の例を示す図である。従来、この種の半
導体基板現像処理装置は、図２に示すように、２つの方
式がある。
【０００３】例えば、図２（ａ）に示す方式の半導体基
板現像処理装置では、１本の管をノズル１としたもので
あり、内径が４ｍｍ〜６ｍｍ程度の太いフッ素樹脂等の
材料でできたノズル１を半導体基板２上の中心部に配置
させ、このノズル１を静止又は、中心を通る線上を移動
しながら現像液４を滴下させる方式である。
板現像処理装置では、１本の管をノズル１としたもので
あり、内径が４ｍｍ〜６ｍｍ程度の太いフッ素樹脂等の
材料でできたノズル１を半導体基板２上の中心部に配置
させ、このノズル１を静止又は、中心を通る線上を移動
しながら現像液４を滴下させる方式である。
【０００４】また、別の方式として、図２（ｂ）に示す
ように、現像液４を水平管の細い穴より高速で噴射さ
せ、この噴射された現像液を半導体基板２と垂直に設け
られた水平管の平面に衝突させることによって現像液を
線上に拡げて半導体基板上に噴出させるノズル１を用い
る方式である。
ように、現像液４を水平管の細い穴より高速で噴射さ
せ、この噴射された現像液を半導体基板２と垂直に設け
られた水平管の平面に衝突させることによって現像液を
線上に拡げて半導体基板上に噴出させるノズル１を用い
る方式である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の半導体基
板現像処理装置で、図２（ａ）に示す前者の方式では、
短時間の中に半導体基板上にゆき渡らせることができな
いため、現像処理後に形成されるホトレジストパターン
の寸法のバラツキが大きい（面内レンジ０．１μｍ程
度）という問題があった。また、ノズル内径が太いた
め、機械の振動等により容易にノズル先端部（ノズル内
側）の現像液が落下してしまうという問題もあった。
板現像処理装置で、図２（ａ）に示す前者の方式では、
短時間の中に半導体基板上にゆき渡らせることができな
いため、現像処理後に形成されるホトレジストパターン
の寸法のバラツキが大きい（面内レンジ０．１μｍ程
度）という問題があった。また、ノズル内径が太いた
め、機械の振動等により容易にノズル先端部（ノズル内
側）の現像液が落下してしまうという問題もあった。
【０００６】一方、後者である図２（ｂ）の示す方式で
は現像液の噴流を扇形に拡がった膜状になって半導体基
板上に噴射させるため、半導体基板を回転させながら噴
射させることにより、極めて短時間の中に半導体基板上
にゆき渡らせることはできるが、高速の噴流となって半
導体基板上のホトレジストをたたくこととなり現像処理
後に残存するホトレジストの膜厚が減耗してしまうとい
う問題があった。また噴流が高速ゆえに、衝突により多
量な現像液ミストが発生し、このミストの再付着等によ
る歩留を左右するパターン欠陥を発生させる原因となっ
ていた。
は現像液の噴流を扇形に拡がった膜状になって半導体基
板上に噴射させるため、半導体基板を回転させながら噴
射させることにより、極めて短時間の中に半導体基板上
にゆき渡らせることはできるが、高速の噴流となって半
導体基板上のホトレジストをたたくこととなり現像処理
後に残存するホトレジストの膜厚が減耗してしまうとい
う問題があった。また噴流が高速ゆえに、衝突により多
量な現像液ミストが発生し、このミストの再付着等によ
る歩留を左右するパターン欠陥を発生させる原因となっ
ていた。
【０００７】本発明の目的は、現像液のミストの発生
や、現像液による膜厚の減耗及び現像液を不用意に滴下
することなく、迅速に現像液をゆき渡らせられる半導体
基板現像処理装置を提供することである。
や、現像液による膜厚の減耗及び現像液を不用意に滴下
することなく、迅速に現像液をゆき渡らせられる半導体
基板現像処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板現像
処理装置は、露光を施したホトレジストを被覆した半導
体基板に現像処理を施す半導体基板現像処理装置におい
て、複数の毛細管状の管を該半導体基板の直径方向に配
列させてなる現像液滴下用のノズルと、これらの毛細管
状の管の他端をまとめて接続するサックバックバルブ
と、前記半導体基板を保持して回転させる回転チャック
とを備えている。
処理装置は、露光を施したホトレジストを被覆した半導
体基板に現像処理を施す半導体基板現像処理装置におい
て、複数の毛細管状の管を該半導体基板の直径方向に配
列させてなる現像液滴下用のノズルと、これらの毛細管
状の管の他端をまとめて接続するサックバックバルブ
と、前記半導体基板を保持して回転させる回転チャック
とを備えている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は、本発明の半導体基板現像処理装置
の一実施例を示す図である。この半導体基板現像処理装
置は、図１に示すように、ノズル１を複数本の毛細管５
を半導体基板２の直径方向に配列したものである。そし
て、このノズル１の毛細管５の他端側には太い管を介し
てサックバックバルブ６が取付けられている。
の一実施例を示す図である。この半導体基板現像処理装
置は、図１に示すように、ノズル１を複数本の毛細管５
を半導体基板２の直径方向に配列したものである。そし
て、このノズル１の毛細管５の他端側には太い管を介し
てサックバックバルブ６が取付けられている。
【００１１】また、この半導体基板現像処理装置は、半
導体基板２を比較的に低速で回転させ、この低速回転す
る半導体基板２上に現像液４を滴下させる。このことに
よりミストの発生や、膜厚の減耗は避けられる。さら
に、毛細管５の長さ及び太さ（内径）も同一とすること
により滴下流速を均一にしている。逆に、直径方向の位
置による滴下量の増減調整は、毛細管５の配列ピッチ，
密度等によって設定することも可能である。
導体基板２を比較的に低速で回転させ、この低速回転す
る半導体基板２上に現像液４を滴下させる。このことに
よりミストの発生や、膜厚の減耗は避けられる。さら
に、毛細管５の長さ及び太さ（内径）も同一とすること
により滴下流速を均一にしている。逆に、直径方向の位
置による滴下量の増減調整は、毛細管５の配列ピッチ，
密度等によって設定することも可能である。
【００１２】一方、複数本の毛細管５の根元は１本の太
い管にまとめられサックバック・バルブ６に接続され、
更に空圧バルブ７に連らなっている。このことは、現像
液４の滴下が終了すると空圧バルブ７が閉じ管路を遮断
すると同時にサックバック・バルブ６が作動し管路内を
一定量体積膨張させ、現像液ノズル１の先端より毛細管
５内の現像液を一定の長さだけ（毛細管の長さより短
い）吸い上げ、滴下シーケンスを終了する。この時毛細
管５内に残留する現像液は毛細管現象により毛細管５内
に拘束されるため、振動等により現像液が落下するよう
なことは発生しない。
い管にまとめられサックバック・バルブ６に接続され、
更に空圧バルブ７に連らなっている。このことは、現像
液４の滴下が終了すると空圧バルブ７が閉じ管路を遮断
すると同時にサックバック・バルブ６が作動し管路内を
一定量体積膨張させ、現像液ノズル１の先端より毛細管
５内の現像液を一定の長さだけ（毛細管の長さより短
い）吸い上げ、滴下シーケンスを終了する。この時毛細
管５内に残留する現像液は毛細管現象により毛細管５内
に拘束されるため、振動等により現像液が落下するよう
なことは発生しない。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明のように本発明は、太さ及び
長さが同じである複数の毛細管を半導体基板の直径方向
に並べて配置し、この毛細管を束ねる太い管を介してサ
ックバック・バルブを備え、低速で回転する半導体基板
の前面に同時に現像液を滴下することによって、ミスト
の発生や、現像液に衝撃による膜厚の減耗及び不用意な
現像液の滴下をすることなく、迅速に現像液をゆき渡ら
せられる半導体基板現像処理装置が得られるという効果
がある。
長さが同じである複数の毛細管を半導体基板の直径方向
に並べて配置し、この毛細管を束ねる太い管を介してサ
ックバック・バルブを備え、低速で回転する半導体基板
の前面に同時に現像液を滴下することによって、ミスト
の発生や、現像液に衝撃による膜厚の減耗及び不用意な
現像液の滴下をすることなく、迅速に現像液をゆき渡ら
せられる半導体基板現像処理装置が得られるという効果
がある。
【図１】本発明の半導体基板現像処理装置の一実施例を
示す図である。
示す図である。
【図２】従来の半導体基板現像処理装置の例を示す図で
ある。
ある。
１，１ａ，１ｂ ノズル ２ 半導体基板 ３ スピンチャック ４ 現像液 ５ 毛細管 ６ サックバックバルブ ７ 空圧バルブ
Claims (1)
- 【請求項１】 露光を施したホトレジストを被覆した半
導体基板に現像処理を施す半導体基板現像処理装置にお
いて、複数の毛細管状の管を該半導体基板の直径方向に
配列させてなる現像液滴下用のノズルと、これらの毛細
管状の管の他端をまとめて接続するサックバックバルブ
と、前記半導体基板を保持して回転させる回転チャック
とを備えることを特徴とする半導体基板現像処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24867291A JPH0590151A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体基板現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24867291A JPH0590151A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体基板現像処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590151A true JPH0590151A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17181621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24867291A Pending JPH0590151A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体基板現像処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590151A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999041775A1 (fr) * | 1998-02-17 | 1999-08-19 | Ishikawa Seisakusho Ltd. | Buse d'injection de developpateur de resist |
| US6241403B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Developing method and developing apparatus |
| KR100470682B1 (ko) * | 2001-09-11 | 2005-03-07 | 나노에프에이 주식회사 | 포토레지스트의 흘림 길이를 조절할 수 있는 포토레지스트공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 공급 방법 |
| JP2007227382A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 荷電粒子ビーム装置 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24867291A patent/JPH0590151A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999041775A1 (fr) * | 1998-02-17 | 1999-08-19 | Ishikawa Seisakusho Ltd. | Buse d'injection de developpateur de resist |
| US6241403B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Developing method and developing apparatus |
| KR100470682B1 (ko) * | 2001-09-11 | 2005-03-07 | 나노에프에이 주식회사 | 포토레지스트의 흘림 길이를 조절할 수 있는 포토레지스트공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트 공급 방법 |
| JP2007227382A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 荷電粒子ビーム装置 |
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