JP2018152327A - 衝突イオン化源 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】衝突イオン化イオン源は、ガスFおよび荷電粒子ビームを受け取るように配置されたイオン化領域であって、この荷電粒子ビームがガスFの少なくとも一部をイオン化するイオン化領域と、イオン化領域にガスFを供給するように配置された供給ダクトF’とを含み、供給ダクトF’は、入力開口O1から、イオン化領域に隣接して配置された出力開口O2まで低下する不均一な高さを有する。
【選択図】図2
Description
単一の段、
一連の段、
テーパリング遷移、およびこれらの組合せ
を含むグループから選択された形態を有することができる。
供給ダクトの(保持プレートに対して平行な方向の)幅:約100μm
供給ダクトの(入口開口と出口開口の間の)長さ:約3.3mm
入口開口における供給ダクトの試験高さh1:約7500nm(これによればQは約25になる)
供給ダクトの初めの部分のダクト高をこのように大きくすると(Qは約25)、ダクト内の流れコンダクタンスは3桁を超えて(ヘリウム・ガス、室温の条件で約10−10m3/秒程度の値に)増大した。
プレート厚d’:約100nm
開口径A’:約100〜500nm
ガス空間R内のガス圧:約500〜750ミリバール
ビームBのビーム電流:約50〜200nA
プレートP1、P2(および栓P3)は例えばモリブデン、白金、タングステンなどの材料を含む。電圧供給源(図示せず)を使用して、プレートP2とプレートP1の間に(例えば約1ボルトの)(DC)電圧差を印加し、それによってプレートP2よりも高い正の電位にプレートP1をバイアスし、それによって、(正電荷を有する)イオンをプレートP2に向かって導き、次いで開口A2を通過させる電場を生み出すことができる。
部分T1およびT2の(Z軸に対して平行な方向の)高さ:それぞれ20μm(h1)および200nm(h2)。この場合には、高さ比Q=h1/h2=100となる。
使用時、入口開口O1におけるガス圧を約500ミリバールにすると、出口開口O2におけるガス圧は例えば約450ミリバールになる。
A1 入力開口(域)
A2 出力開口(域)
F ガス
F’ 供給ダクト
O1 入口開口
O2 出口開口
Claims (7)
- 介在する間隙の周りで挟まれた、積み重ねられた一対のプレートと、
前記プレートのうちの第1のプレートに設けられた入力域であり、荷電粒子の入力ビームを前記間隙に入れる入力域と、
前記入力域の反対側に位置し、前記プレートのうちの第2のプレートに設けられた出力域であり、前記間隙からのイオンの束の放出を可能にする出力域と、
前記入力域と前記出力域の間のガス空間であり、その中で、前記入力ビームによってガスをイオン化して前記イオンを生成することができるガス空間と、
前記間隙の中の供給ダクトであり、前記ガスの流れを前記ガス空間に供給する供給ダクトと
を備え、前記供給ダクトが、
前記ガス空間内に開いた出口開口と、
ガス供給源に接続可能な入口開口と
を備え、前記ダクトが、前記入口開口と前記出口開口の間に少なくとも1つの遷移領域を備え、前記プレートに対して垂直に測定した前記ダクトの内部の高さが、第1の高さ値から第2の高さ値まで低下する
衝突イオン化イオン源。 - 前記遷移領域での前記高さの低下が、
単一の段、
一連の段、
テーパリング遷移、および
これらの組合せ
からなるグループから選択された形態を有する、請求項1に記載のイオン源。 - 前記第1の高さ値と前記第2の高さ値の高さ比Qが25よりも大きく、好ましくは50よりも大きく、よりいっそう好ましくは75よりも大きい、請求項1または2に記載のイオン源。
- 前記ガス空間内に複数の供給ダクトが開いている、請求項1から3のいずれか一項に記載のイオン源。
- 前記プレートが、積み重ねられており、位置合せされており、チップ・ボンディング技法を使用して接合されている、請求項1から4のいずれか一項に記載のイオン源。
- 荷電粒子ビームを生成する粒子源と、
試験体を照射位置に保持する試験体ホルダと、
前記試験体に照射するように前記ビームを導く光学カラムと
を備える荷電粒子集束装置であって、
前記粒子源が、請求項1から5のいずれか一項に記載のイオン源を備える
ことを特徴とする荷電粒子集束装置。 - 荷電粒子顕微鏡と、
リソグラフィ・イメージャとからなる
グループから選択された、請求項6に記載の荷電粒子集束装置。
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