JPH04147611A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH04147611A JPH04147611A JP2270387A JP27038790A JPH04147611A JP H04147611 A JPH04147611 A JP H04147611A JP 2270387 A JP2270387 A JP 2270387A JP 27038790 A JP27038790 A JP 27038790A JP H04147611 A JPH04147611 A JP H04147611A
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- Japan
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- detector
- shielding plate
- electron beam
- electron
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- Pending
Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 18
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、電子ビーム描画装置に係り、特にビーム照射
によって試料面上のレジスト被膜等からの反応生成物が
、その対向面の反射電子検出器表面を汚染するのを防止
するのに好適な装置に関する。
によって試料面上のレジスト被膜等からの反応生成物が
、その対向面の反射電子検出器表面を汚染するのを防止
するのに好適な装置に関する。
電子ビーム描画装置においては第5図の様に、反射電子
検出器3は次の要領で使用される。予め描画試料6上に
設けた位置合わせ用マーク(図示なし)上を偏向板2に
より電子ビーム1を走査し、この時該マーク部から発生
してくる反射電子8を検出する。ここで得られた該マー
クの形状信号は信号処理器7によって処理され、計算機
19に該マークの位置情報として登録する役目を持って
いる。 ここで従来から、上記反射電子検出器3に関する汚染の
問題があった。第5図で、ウェーハ15上に予め塗布し
たレジスト14等からなる描画試料6には、細く絞られ
た電子ビーム1を照射しながら、所望の図形を描画して
いく。その際、ビームの照射熱によってレジスト14表
面から有機物等が蒸発し、その周囲を汚染するという問
題があった。この蒸発した有機物は、特にその最も近接
した図中の反射電子検出器3の下面側に付着してしまう
。上記の有機物等の絶縁物が該検出器3の表面に付着す
ると、電子ビーム1の真直な軌道が曲げられる。その結
果、前記マークの位置情報がずれたり、描画パターン形
状がゆがんだりして、描画精度が著しく低下してしまう
。 このような問題を解決するため、例えば従来は、第5図
中にある、接地したメツシュ状の導体9を該検出器3の
手前に設けていた(特開平l−248517号公報)。 この手法では、該導体9の存在が、検出器3の表面に付
”着した有機物により生じる電界の乱れを電子ビーム1
にまで及ぼさない利点はあった。しかしながら、該導体
9はメツシュ状であるため、その隙間を抜けてくる微小
な粒子状絶縁物の付着を避けることはできず、効果に限
界があった。この現象は、大スループットの装置はど付
着量は多くなり、深刻となる。従って高価な反射電子検
出器3を短期的に交換する必要があり、描画装置全体も
分解しなければならなかった。
検出器3は次の要領で使用される。予め描画試料6上に
設けた位置合わせ用マーク(図示なし)上を偏向板2に
より電子ビーム1を走査し、この時該マーク部から発生
してくる反射電子8を検出する。ここで得られた該マー
クの形状信号は信号処理器7によって処理され、計算機
19に該マークの位置情報として登録する役目を持って
いる。 ここで従来から、上記反射電子検出器3に関する汚染の
問題があった。第5図で、ウェーハ15上に予め塗布し
たレジスト14等からなる描画試料6には、細く絞られ
た電子ビーム1を照射しながら、所望の図形を描画して
いく。その際、ビームの照射熱によってレジスト14表
面から有機物等が蒸発し、その周囲を汚染するという問
題があった。この蒸発した有機物は、特にその最も近接
した図中の反射電子検出器3の下面側に付着してしまう
。上記の有機物等の絶縁物が該検出器3の表面に付着す
ると、電子ビーム1の真直な軌道が曲げられる。その結
果、前記マークの位置情報がずれたり、描画パターン形
状がゆがんだりして、描画精度が著しく低下してしまう
。 このような問題を解決するため、例えば従来は、第5図
中にある、接地したメツシュ状の導体9を該検出器3の
手前に設けていた(特開平l−248517号公報)。 この手法では、該導体9の存在が、検出器3の表面に付
”着した有機物により生じる電界の乱れを電子ビーム1
にまで及ぼさない利点はあった。しかしながら、該導体
9はメツシュ状であるため、その隙間を抜けてくる微小
な粒子状絶縁物の付着を避けることはできず、効果に限
界があった。この現象は、大スループットの装置はど付
着量は多くなり、深刻となる。従って高価な反射電子検
出器3を短期的に交換する必要があり、描画装置全体も
分解しなければならなかった。
上記従来例では、反射電子検出器と描画試料の間に設け
た隙間のある接地導体により、ある程度の検出器汚染に
よる電界の乱れを防止することはできる。しかし、今後
、装置の大スループット化が盛んになれば検出器表面の
汚染速度も早まることになる。この状態では、もはや上
記の検出器汚染を積極的には防止できない。その対策と
しては、装置の分解による検出器の交換があげられるが
、これでは装置の組み立てや真空立ち上げ等に多大の時
間を要し稼働率が低下してしまう。一方、前記接地導体
の隙間を狭くする手法もあるが、それは検出器全体への
捕獲電子量を減少させることになり得策ではない。 本発明の目的は、検出器が汚染される頻度を少なくして
延命化を図り、描画装置の稼働率向上を達成することに
ある。
た隙間のある接地導体により、ある程度の検出器汚染に
よる電界の乱れを防止することはできる。しかし、今後
、装置の大スループット化が盛んになれば検出器表面の
汚染速度も早まることになる。この状態では、もはや上
記の検出器汚染を積極的には防止できない。その対策と
しては、装置の分解による検出器の交換があげられるが
、これでは装置の組み立てや真空立ち上げ等に多大の時
間を要し稼働率が低下してしまう。一方、前記接地導体
の隙間を狭くする手法もあるが、それは検出器全体への
捕獲電子量を減少させることになり得策ではない。 本発明の目的は、検出器が汚染される頻度を少なくして
延命化を図り、描画装置の稼働率向上を達成することに
ある。
上記の問題を解決するには、描画試料と反射電子検出器
との間に遮蔽板を設ける。この遮蔽板は、可動式にして
おき、反射電子検出器を使用しない時は該検出器表面を
覆うように遮断しておく。また、遮蔽板に有機物が付着
した場合、それに電荷が蓄積する。この蓄積電荷の電界
は、電子ビームに対して位置変動を生じさせる。この位
置変動を防ぐため、該遮蔽板は接地して使用するか、あ
るいは、更に交換が容易な構造とする。
との間に遮蔽板を設ける。この遮蔽板は、可動式にして
おき、反射電子検出器を使用しない時は該検出器表面を
覆うように遮断しておく。また、遮蔽板に有機物が付着
した場合、それに電荷が蓄積する。この蓄積電荷の電界
は、電子ビームに対して位置変動を生じさせる。この位
置変動を防ぐため、該遮蔽板は接地して使用するか、あ
るいは、更に交換が容易な構造とする。
上記可動式遮蔽板は、反射電子検出器の表面と描画試料
の間で自在に開閉できる。これにより、該検出器の表面
まで飛散してくる有機物の付着を大幅に防止できる。こ
れにより、検出器表面の汚染量も減少できるため、前記
マークの位置情報のずれも低減する。また、該検出器の
交換頻度を少なくすることができる。
の間で自在に開閉できる。これにより、該検出器の表面
まで飛散してくる有機物の付着を大幅に防止できる。こ
れにより、検出器表面の汚染量も減少できるため、前記
マークの位置情報のずれも低減する。また、該検出器の
交換頻度を少なくすることができる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第1図は、本発明による電子ビーム描画装置の検出器近
傍の概略構成図である。図で、第5図と同じ番号のもの
は、同一物であることを意味する。 第1図に示すように遮蔽板4は1反射電子検出器3と描
画試料6との間に設け、案内レール5で自在に移動でき
るようになっている。また、これには電子ビーム通過穴
10がある、 第2図はその遮蔽板4の平面図であり、駆動回路12に
よって制御する。反射電子検出器3を使用する場合は、
該遮蔽板4を案内レール5により図の右端位置まで移動
し、反射電子8を捕獲できるようにしている。また、該
検出器3を使用しない場合は、同図の如く上記遮蔽板4
を電子ビームlの直下まで移動しておく。これにより、
描画試料6と反射電子検出器30間を遮断できるため、
描画中における該検出器表面への有機物の付着が大幅に
防止できる。 また、この遮蔽板4は、描画試料6の近傍にあるため、
BeやA1などの低い電子散乱係数の材料を使うのが好
ましい。 一方遮蔽板4は、前記第2図の移動式のほかに、本発明
の第2の実施例である第3図の様な回転円盤式でもよい
。即ち、描画時は電子ビーム1の位置に、電子ビーム通
過穴10aを移動しておく。 その位置決めは、位置センサー14によって行う。 マーク検出時は、電子ビーム1の所まで大開口11aを
回転軸13の回りに素早く回転して移動する0以上によ
って、描画時と、マーク検出時の遮蔽板15の使い分け
を行う。また、図中で複数ある他の電子ビーム通過穴1
0bと大開口11bは、それぞれの切り替え時間を短縮
するために設けたものである。 次に、第4図は本発明の第3の実施例である。 これは、ビーム通過穴10cを有する遮蔽板18が、駆
動回路17により矢印の如く円弧状の回転をして開閉す
るものである。つまり、描画時は遮蔽板18が電子ビー
ム1を通す八位置にあり、マーク検出時はB位置まで移
動するものである。 他方、遮蔽板は反射電子検出器の代わりに蒸発した有機
物を付着させることから、それ自体のチャージアップも
懸念される。そこで、同図の如く。 遮蔽板18は交換が容易なように、試料室20の外部へ
仕切り弁(図示略)等を介して出し入れ可能とする構造
がよい。 【発明の効果1 以上説明した如く、本発明の構造を持つ遮蔽板は、反射
電子検出器と描画試料の間を、その開閉により遮断でき
る。従って、該検出器表面への有機物の付着を大幅に減
少させることができる。従って、マークの位置情報や描
画精度の向上に貢献できるものである。また、検出器の
交換頻度を少なくでき、経済的利点がある。その結果、
描画装置の稼働率向上に大いに貢献ができる。
傍の概略構成図である。図で、第5図と同じ番号のもの
は、同一物であることを意味する。 第1図に示すように遮蔽板4は1反射電子検出器3と描
画試料6との間に設け、案内レール5で自在に移動でき
るようになっている。また、これには電子ビーム通過穴
10がある、 第2図はその遮蔽板4の平面図であり、駆動回路12に
よって制御する。反射電子検出器3を使用する場合は、
該遮蔽板4を案内レール5により図の右端位置まで移動
し、反射電子8を捕獲できるようにしている。また、該
検出器3を使用しない場合は、同図の如く上記遮蔽板4
を電子ビームlの直下まで移動しておく。これにより、
描画試料6と反射電子検出器30間を遮断できるため、
描画中における該検出器表面への有機物の付着が大幅に
防止できる。 また、この遮蔽板4は、描画試料6の近傍にあるため、
BeやA1などの低い電子散乱係数の材料を使うのが好
ましい。 一方遮蔽板4は、前記第2図の移動式のほかに、本発明
の第2の実施例である第3図の様な回転円盤式でもよい
。即ち、描画時は電子ビーム1の位置に、電子ビーム通
過穴10aを移動しておく。 その位置決めは、位置センサー14によって行う。 マーク検出時は、電子ビーム1の所まで大開口11aを
回転軸13の回りに素早く回転して移動する0以上によ
って、描画時と、マーク検出時の遮蔽板15の使い分け
を行う。また、図中で複数ある他の電子ビーム通過穴1
0bと大開口11bは、それぞれの切り替え時間を短縮
するために設けたものである。 次に、第4図は本発明の第3の実施例である。 これは、ビーム通過穴10cを有する遮蔽板18が、駆
動回路17により矢印の如く円弧状の回転をして開閉す
るものである。つまり、描画時は遮蔽板18が電子ビー
ム1を通す八位置にあり、マーク検出時はB位置まで移
動するものである。 他方、遮蔽板は反射電子検出器の代わりに蒸発した有機
物を付着させることから、それ自体のチャージアップも
懸念される。そこで、同図の如く。 遮蔽板18は交換が容易なように、試料室20の外部へ
仕切り弁(図示略)等を介して出し入れ可能とする構造
がよい。 【発明の効果1 以上説明した如く、本発明の構造を持つ遮蔽板は、反射
電子検出器と描画試料の間を、その開閉により遮断でき
る。従って、該検出器表面への有機物の付着を大幅に減
少させることができる。従って、マークの位置情報や描
画精度の向上に貢献できるものである。また、検出器の
交換頻度を少なくでき、経済的利点がある。その結果、
描画装置の稼働率向上に大いに貢献ができる。
第1図は本発明における電子ビーム描画装置の反射電子
検出器近傍の概略構成図、第2〜4図はいずれも本発明
の詳細な説明する図であり、また第5図は従来技術を説
明する描画装置の構成図である。
検出器近傍の概略構成図、第2〜4図はいずれも本発明
の詳細な説明する図であり、また第5図は従来技術を説
明する描画装置の構成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電子ビーム照射によって試料面から発生した反射電
子または二次電子を検出する検出器の近傍において、該
検出器と試料の間に可動式の遮蔽板を有することを特徴
とする電子ビーム描画装置。 2、上記の可動式遮蔽板は、導電体でできていることを
特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 3、上記遮蔽板は、低電子散乱係数の材質でできている
ことを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 4、上記遮蔽板には、電子ビームの通過穴および、反射
電子検出部より大きい開口部が複数設けられていること
を特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 5、上記遮蔽版は、交換が容易な構造を有することを特
徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2270387A JPH04147611A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2270387A JPH04147611A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04147611A true JPH04147611A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17485555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2270387A Pending JPH04147611A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04147611A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210457A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Canon Inc | 荷電ビーム露光装置 |
JP2007165106A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sanyu Electron Co Ltd | 画像生成方法および画像生成装置 |
JP2007227382A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2017143147A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP2270387A patent/JPH04147611A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210457A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Canon Inc | 荷電ビーム露光装置 |
JP4634161B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-02-16 | キヤノン株式会社 | 荷電ビーム露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2007165106A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sanyu Electron Co Ltd | 画像生成方法および画像生成装置 |
JP2007227382A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2017143147A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
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