JPH08212964A - レーザイオン化質量分析装置及び分析方法 - Google Patents
レーザイオン化質量分析装置及び分析方法Info
- Publication number
- JPH08212964A JPH08212964A JP7016682A JP1668295A JPH08212964A JP H08212964 A JPH08212964 A JP H08212964A JP 7016682 A JP7016682 A JP 7016682A JP 1668295 A JP1668295 A JP 1668295A JP H08212964 A JPH08212964 A JP H08212964A
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- Japan
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- ion beam
- laser
- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はイオンビームを試料に照射して、試料
から放出される中性粒子にレーザビームを照射して発生
した光励起イオンを検出する質量分析装置に係り、特に
検出感度を高めるのに好適なレーザイオン化質量分析装
置を提供する。 【構成】イオンビーム２を引き出す一次イオン源１、Ｘ
軸走査制御装置３に接続された１組の静電偏向板４、イ
オンビームレンズ５、Ｙ軸走査制御装置６に接続された
試料台７、試料８、レーザ１０、質量分析計１２などか
ら構成されるレーザイオン化質量分析装置において、Ｘ
軸方向には静電偏向、Ｙ軸方向には試料台７の移動によ
ってイオンビーム２を走査しながら、試料８から放出さ
れた中性粒子９に対しレーザビーム１１をＸ軸方向から
照射することによって、これをイオン化して質量分析計
１２によって検出する。
から放出される中性粒子にレーザビームを照射して発生
した光励起イオンを検出する質量分析装置に係り、特に
検出感度を高めるのに好適なレーザイオン化質量分析装
置を提供する。 【構成】イオンビーム２を引き出す一次イオン源１、Ｘ
軸走査制御装置３に接続された１組の静電偏向板４、イ
オンビームレンズ５、Ｙ軸走査制御装置６に接続された
試料台７、試料８、レーザ１０、質量分析計１２などか
ら構成されるレーザイオン化質量分析装置において、Ｘ
軸方向には静電偏向、Ｙ軸方向には試料台７の移動によ
ってイオンビーム２を走査しながら、試料８から放出さ
れた中性粒子９に対しレーザビーム１１をＸ軸方向から
照射することによって、これをイオン化して質量分析計
１２によって検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオンビームを試料に照
射して、試料から放出される中性粒子にレーザビームを
照射して発生した光励起イオンを検出することによっ
て、試料を分析するレーザイオン化質量分析装置及び分
析方法に係り、特に検出感度を高めるのに好適なレーザ
イオン化質量分析装置及び分析方法に関する。
射して、試料から放出される中性粒子にレーザビームを
照射して発生した光励起イオンを検出することによっ
て、試料を分析するレーザイオン化質量分析装置及び分
析方法に係り、特に検出感度を高めるのに好適なレーザ
イオン化質量分析装置及び分析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来イオンビームを試料に照射して試料
から放出される二次イオンを検出する二次イオン質量分
析法は固体の表面分析において、最も高感度な分析法と
して広く用いられてきた、しかしながら分析対象の半導
体デバイスの高密度化や高性能化により、更に高感度な
分析法が求められている。この要求を満たすことができ
る有力な候補として、イオンビーム照射によって試料か
ら放出される中性粒子にレーザビームを照射して、発生
した光励起イオンを検出することによって試料を分析す
るレーザイオン化質量分析法が期待されている。レーザ
イオン化質量分析法が従来の二次イオン質量分析法に比
較して高感度な分析が期待できるのは次の理由による。
すなわち二次イオンの発生確立が多くとも１％程度であ
るのに対して、９９％以上は中性粒子でありこれを効率
良くイオン化できれば、大幅な感度向上が期待できるの
である。現在では、レーザビーム照射によるイオン化率
をほぼ１００％にできることがわかってる。次には如何
に多くの中性粒子をレーザビーム内に導入できるかが、
高感度化のための課題とされている。
から放出される二次イオンを検出する二次イオン質量分
析法は固体の表面分析において、最も高感度な分析法と
して広く用いられてきた、しかしながら分析対象の半導
体デバイスの高密度化や高性能化により、更に高感度な
分析法が求められている。この要求を満たすことができ
る有力な候補として、イオンビーム照射によって試料か
ら放出される中性粒子にレーザビームを照射して、発生
した光励起イオンを検出することによって試料を分析す
るレーザイオン化質量分析法が期待されている。レーザ
イオン化質量分析法が従来の二次イオン質量分析法に比
較して高感度な分析が期待できるのは次の理由による。
すなわち二次イオンの発生確立が多くとも１％程度であ
るのに対して、９９％以上は中性粒子でありこれを効率
良くイオン化できれば、大幅な感度向上が期待できるの
である。現在では、レーザビーム照射によるイオン化率
をほぼ１００％にできることがわかってる。次には如何
に多くの中性粒子をレーザビーム内に導入できるかが、
高感度化のための課題とされている。
【０００３】ところで、従来ではレーザイオン化質量分
析法で、深さ方向に分析する場合や二次元分布分析をす
る場合には、イオンビームを静電偏向器などで偏向して
試料上を二次元に走査している。このような従来のレー
ザイオン化質量分析装置の例としては、特開平６−１１
９９０５号記載のレーザイオン化質量分析装置がある。
従来の装置の原理について図２を用いて説明する。まず
一次イオン源１からイオンビーム２が引き出され、直交
するする２組の静電偏向板１５で構成されるイオンビー
ム走査機構およびイオンビームレンズ５を通して試料８
に照射される。そして試料８から放出された中性粒子９
にレーザビーム１１を照射することによってイオン化し
て検出する。ここでイオンビーム走査機構は、二次元的
な元素分布分析する場合や、深さ方向分析する場合に用
いられる。例えば、深さ方向分析をする場合には、図３
に示すようにイオンビーム２を走査してできたクレータ
１６の平坦部分のみから得られた信号を検出するするこ
とによって深さ分解能のよい分析を行なう。
析法で、深さ方向に分析する場合や二次元分布分析をす
る場合には、イオンビームを静電偏向器などで偏向して
試料上を二次元に走査している。このような従来のレー
ザイオン化質量分析装置の例としては、特開平６−１１
９９０５号記載のレーザイオン化質量分析装置がある。
従来の装置の原理について図２を用いて説明する。まず
一次イオン源１からイオンビーム２が引き出され、直交
するする２組の静電偏向板１５で構成されるイオンビー
ム走査機構およびイオンビームレンズ５を通して試料８
に照射される。そして試料８から放出された中性粒子９
にレーザビーム１１を照射することによってイオン化し
て検出する。ここでイオンビーム走査機構は、二次元的
な元素分布分析する場合や、深さ方向分析する場合に用
いられる。例えば、深さ方向分析をする場合には、図３
に示すようにイオンビーム２を走査してできたクレータ
１６の平坦部分のみから得られた信号を検出するするこ
とによって深さ分解能のよい分析を行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の装置
及び方法では、試料から放出した中性粒子をレーザビー
ムの中に効率よく導入するという点で十分には考慮され
ていなかった。このことを試料のレーザビーム照射方向
に対する垂直断面の図４を用いて説明する。まずレーザ
ビーム照射による中性粒子のイオン化効率を高くするた
めには、十分な光子密度が必要なため微細に細束化して
照射する。このレーザビーム径１７がイオンビームの走
査領域１８に比べて小さくなると、試料から放出される
中性粒子がレーザビーム内に導入される割合は、イオン
ビームがレーザビームの直下の点を照射する場合にほぼ
最大となり、この点からはずれるに従って低下してしま
う。すなわちレーザイオン化質量分析装置ではイオンビ
ームを走査して分析する場合、イオンビームがレーザビ
ーム照射方向と垂直方向で、レーザビーム直下から外に
向かうほど感度が低下するという問題が生じる。本発明
の目的は、イオンビームを走査する場合でも感度が低下
することなく、二次元元素分布分析や深さ分析が可能な
レーザイオン化質量分析装置及び分析方法を提供するこ
とにある。
及び方法では、試料から放出した中性粒子をレーザビー
ムの中に効率よく導入するという点で十分には考慮され
ていなかった。このことを試料のレーザビーム照射方向
に対する垂直断面の図４を用いて説明する。まずレーザ
ビーム照射による中性粒子のイオン化効率を高くするた
めには、十分な光子密度が必要なため微細に細束化して
照射する。このレーザビーム径１７がイオンビームの走
査領域１８に比べて小さくなると、試料から放出される
中性粒子がレーザビーム内に導入される割合は、イオン
ビームがレーザビームの直下の点を照射する場合にほぼ
最大となり、この点からはずれるに従って低下してしま
う。すなわちレーザイオン化質量分析装置ではイオンビ
ームを走査して分析する場合、イオンビームがレーザビ
ーム照射方向と垂直方向で、レーザビーム直下から外に
向かうほど感度が低下するという問題が生じる。本発明
の目的は、イオンビームを走査する場合でも感度が低下
することなく、二次元元素分布分析や深さ分析が可能な
レーザイオン化質量分析装置及び分析方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、イオンビー
ムを試料台上に設置した試料に照射し、試料から放出さ
れる中性粒子にレーザビームを照射して発生した光励起
イオンを検出することによって試料を分析するレーザイ
オン化質量分析装置及び分析方法において、レーザビー
ムの照射方向にはイオンビームを偏向走査させて、レー
ザビームの照射方向と垂直方向には試料台を移動するこ
とによって、イオンビームが試料上の二次元領域を実効
的に走査することを特徴とするレーザイオン化質量分析
装置及び分析方法とすることによって達成される。
ムを試料台上に設置した試料に照射し、試料から放出さ
れる中性粒子にレーザビームを照射して発生した光励起
イオンを検出することによって試料を分析するレーザイ
オン化質量分析装置及び分析方法において、レーザビー
ムの照射方向にはイオンビームを偏向走査させて、レー
ザビームの照射方向と垂直方向には試料台を移動するこ
とによって、イオンビームが試料上の二次元領域を実効
的に走査することを特徴とするレーザイオン化質量分析
装置及び分析方法とすることによって達成される。
【０００６】
【作用】イオンビームが試料を照射すると、試料上方に
は試料から放出された中性粒子の雲が形成される。この
雲の内の中性粒子密度分布は、一次イオンの種類やエネ
ルギなどの条件および試料などによって異なる。この中
性粒子密度分布の典型的な例としては、試料法線からの
角度に対するコサイン法則に従う分布がある。またイオ
ンビームをパルス状に試料に照射する場合は、試料から
放出される中性粒子のエネルギ分布や、イオンビームパ
ルスの開始時間や長さによって、ある時間の中性粒子の
密度分布が決定される。レーザイオン化質量分析装置に
おいては、感度を高めるためには、既に述べたようにレ
ーザビームの内に如何に多くの中性粒子を導入するかが
課題となっている。この課題を解決するためには、まず
レーザビーム内の中性粒子の密度が最大になるように、
レーザビームの試料上方の通過位置を調整する必要があ
る。さらに本発明によれば、レーザビームの照射方向に
対して、少なくともその垂直方向には試料台を移動する
ことによって、イオンビームを試料上の二次元領域を実
効的に走査させる。このためレーザビーム照射方向に対
する垂直断面内では、イオンビームの試料照射位置に対
するレーザビーム通過位置は変わることがない。すなわ
ちレーザビーム内の中性粒子密度最大の条件は保たれ
る。またレーザビームの照射方向では、イオンビームが
移動しても、上記条件はほとんど変化しない。したがっ
て本発明によれば、イオンビームを実効的に試料上を二
次元的に走査させる場合でも、常に感度最大の条件を保
つことできる。
は試料から放出された中性粒子の雲が形成される。この
雲の内の中性粒子密度分布は、一次イオンの種類やエネ
ルギなどの条件および試料などによって異なる。この中
性粒子密度分布の典型的な例としては、試料法線からの
角度に対するコサイン法則に従う分布がある。またイオ
ンビームをパルス状に試料に照射する場合は、試料から
放出される中性粒子のエネルギ分布や、イオンビームパ
ルスの開始時間や長さによって、ある時間の中性粒子の
密度分布が決定される。レーザイオン化質量分析装置に
おいては、感度を高めるためには、既に述べたようにレ
ーザビームの内に如何に多くの中性粒子を導入するかが
課題となっている。この課題を解決するためには、まず
レーザビーム内の中性粒子の密度が最大になるように、
レーザビームの試料上方の通過位置を調整する必要があ
る。さらに本発明によれば、レーザビームの照射方向に
対して、少なくともその垂直方向には試料台を移動する
ことによって、イオンビームを試料上の二次元領域を実
効的に走査させる。このためレーザビーム照射方向に対
する垂直断面内では、イオンビームの試料照射位置に対
するレーザビーム通過位置は変わることがない。すなわ
ちレーザビーム内の中性粒子密度最大の条件は保たれ
る。またレーザビームの照射方向では、イオンビームが
移動しても、上記条件はほとんど変化しない。したがっ
て本発明によれば、イオンビームを実効的に試料上を二
次元的に走査させる場合でも、常に感度最大の条件を保
つことできる。
【０００７】
【実施例】 ＜実施例１＞以下本発明の一実施例を図１を用いて説明
する。まず一次イオン源１からイオンビーム２が引き出
され、Ｘ軸走査制御装置３に接続された１組の静電偏向
板４、およびイオンビームレンズ５を通過する。そして
最後にイオンビーム２は、Ｙ軸走査制御装置６に接続さ
れた試料台７に設置された試料８に照射される。そして
試料８から放出された中性粒子９にレーザ装置１０から
放出されたレーザビーム１１をＸ軸方向から照射するこ
とによって、これをイオン化して質量分析計１２によっ
て検出する。ここでＸ軸走査制御装置３とＹ軸走査制御
装置６は走査制御回路１３によって統合的に制御され
る。この走査制御回路１３のＸ，Ｙ信号はＣＲＴ１４の
Ｘ，Ｙ走査を制御することも可能である。
する。まず一次イオン源１からイオンビーム２が引き出
され、Ｘ軸走査制御装置３に接続された１組の静電偏向
板４、およびイオンビームレンズ５を通過する。そして
最後にイオンビーム２は、Ｙ軸走査制御装置６に接続さ
れた試料台７に設置された試料８に照射される。そして
試料８から放出された中性粒子９にレーザ装置１０から
放出されたレーザビーム１１をＸ軸方向から照射するこ
とによって、これをイオン化して質量分析計１２によっ
て検出する。ここでＸ軸走査制御装置３とＹ軸走査制御
装置６は走査制御回路１３によって統合的に制御され
る。この走査制御回路１３のＸ，Ｙ信号はＣＲＴ１４の
Ｘ，Ｙ走査を制御することも可能である。
【０００８】この実施例において、まず深さ方向分析を
する場合を説明する。最初に感度が最大になるようにレ
ーザビーム１１の照射位置を調整する。この調整は、イ
オンビーム２を試料８に照射しておき、質量分析計１２
の信号が最大になるように、レーザビーム１１の照射す
る位置を決定すれば良い。例えば、シリコン中の不純物
を分析する場合では、この調整はシリコンの光励起イオ
ンをモニタしても良い。次に分析対象となる不純物が検
出できるように質量分析計１２を調整する。そして、Ｘ
軸走査制御装値３に接続された静電偏向板４には、図５
（ａ）に示すような電圧を印加して、Ｙ軸走査制御装置
６に接続された試料台７は図５（ｂ）に示すような三角
波状の繰返し信号によって、Ｙ軸方向の移動を制御す
る。その結果、イオンビーム２は試料上の二次元領域を
実効的に走査することになる。しかしこのことによって
レーザビーム１１の照射方向に対し垂直断面内において
イオンビーム２の試料照射位置に対するレーザビーム通
過位置は変わることがない。すなわち最初に調整した検
出感度最大の条件は保たれている。なおここでは図５に
示したように、静電偏向板４に印加する電圧の方を、高
速繰返しに選択した。これは試料台７の移動の繰返しよ
りも、イオンビームの静電偏向による走査繰返しの方が
高速に行えるからである。また図５（ａ），（ｂ）に示
すように、試料台７の移動繰返しを走査制御回路１３に
よって、イオンビームの偏向走査に同期させてある。こ
れによってイオンビーム２を長方形に走査することが可
能になる。また深さ方向分析をする場合には、イオンビ
ーム２を走査してできたクレータの平坦部分のみから得
られた信号を検出するように、Ｘ軸走査信号およびＹ軸
走査信号からゲート信号を得た。図６に本深さ方向分析
によって得られたシリコン中のボロンの深さ方向プロフ
ァイルを示す。また本実施例では、イオンビーム走査面
のＸ、Ｙ座標に対応して、各々の座標の光励起イオン強
度をＣＲＴ上の輝度もしくは色の識別によって表した画
像によって、試料８の元素の分布を調べることもでき
る。このように本実施例では、イオンビーム２を試料上
で走査させる場合でも高感度な深さ分析や二次元元素分
析が可能となる。
する場合を説明する。最初に感度が最大になるようにレ
ーザビーム１１の照射位置を調整する。この調整は、イ
オンビーム２を試料８に照射しておき、質量分析計１２
の信号が最大になるように、レーザビーム１１の照射す
る位置を決定すれば良い。例えば、シリコン中の不純物
を分析する場合では、この調整はシリコンの光励起イオ
ンをモニタしても良い。次に分析対象となる不純物が検
出できるように質量分析計１２を調整する。そして、Ｘ
軸走査制御装値３に接続された静電偏向板４には、図５
（ａ）に示すような電圧を印加して、Ｙ軸走査制御装置
６に接続された試料台７は図５（ｂ）に示すような三角
波状の繰返し信号によって、Ｙ軸方向の移動を制御す
る。その結果、イオンビーム２は試料上の二次元領域を
実効的に走査することになる。しかしこのことによって
レーザビーム１１の照射方向に対し垂直断面内において
イオンビーム２の試料照射位置に対するレーザビーム通
過位置は変わることがない。すなわち最初に調整した検
出感度最大の条件は保たれている。なおここでは図５に
示したように、静電偏向板４に印加する電圧の方を、高
速繰返しに選択した。これは試料台７の移動の繰返しよ
りも、イオンビームの静電偏向による走査繰返しの方が
高速に行えるからである。また図５（ａ），（ｂ）に示
すように、試料台７の移動繰返しを走査制御回路１３に
よって、イオンビームの偏向走査に同期させてある。こ
れによってイオンビーム２を長方形に走査することが可
能になる。また深さ方向分析をする場合には、イオンビ
ーム２を走査してできたクレータの平坦部分のみから得
られた信号を検出するように、Ｘ軸走査信号およびＹ軸
走査信号からゲート信号を得た。図６に本深さ方向分析
によって得られたシリコン中のボロンの深さ方向プロフ
ァイルを示す。また本実施例では、イオンビーム走査面
のＸ、Ｙ座標に対応して、各々の座標の光励起イオン強
度をＣＲＴ上の輝度もしくは色の識別によって表した画
像によって、試料８の元素の分布を調べることもでき
る。このように本実施例では、イオンビーム２を試料上
で走査させる場合でも高感度な深さ分析や二次元元素分
析が可能となる。
【０００９】＜実施例２＞本実施例では試料台７をＸ軸
およびＹ軸方向に繰り返して移動することによって、イ
オンビームを試料上の二次元領域で実効的に走査させ
る。この実施例では図５（ａ）で示したような電圧変化
が、試料台移動量に置き換わるように試料台を移動制御
する。この場合Ｘ軸移動の繰り返し周波数をＹ軸移動の
繰り返し周波数より大きくしたが、Ｙ軸移動の繰り返し
周波数はＸ軸移動の周波数に同期させる必要がある。こ
の実施例でも最初に検出感度最大の条件を調整しておけ
ば、イオンビ−ムの試料上の実効的な走査によってもそ
の条件は保たれる。したがって本実施例では、イオンビ
ームを試料上で走査させる場合でも高感度な深さ分析や
二次元元素分析が可能となる。なお本実施例では実施例
１の構造に比べ、静電偏向板が必要なくなり、装置の構
造が簡単になるが、試料台の移動がイオンビームの静電
偏向に比べて高速に行えないため、高速なイオンビーム
走査は行うことができない。
およびＹ軸方向に繰り返して移動することによって、イ
オンビームを試料上の二次元領域で実効的に走査させ
る。この実施例では図５（ａ）で示したような電圧変化
が、試料台移動量に置き換わるように試料台を移動制御
する。この場合Ｘ軸移動の繰り返し周波数をＹ軸移動の
繰り返し周波数より大きくしたが、Ｙ軸移動の繰り返し
周波数はＸ軸移動の周波数に同期させる必要がある。こ
の実施例でも最初に検出感度最大の条件を調整しておけ
ば、イオンビ−ムの試料上の実効的な走査によってもそ
の条件は保たれる。したがって本実施例では、イオンビ
ームを試料上で走査させる場合でも高感度な深さ分析や
二次元元素分析が可能となる。なお本実施例では実施例
１の構造に比べ、静電偏向板が必要なくなり、装置の構
造が簡単になるが、試料台の移動がイオンビームの静電
偏向に比べて高速に行えないため、高速なイオンビーム
走査は行うことができない。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、イオンビームを試料上
で走査させる場合でも感度が低下することなく、二次元
元素分布分析や深さ分析が可能なレーザイオン化質量分
析装置及び分析方法が提供される。
で走査させる場合でも感度が低下することなく、二次元
元素分布分析や深さ分析が可能なレーザイオン化質量分
析装置及び分析方法が提供される。
【００１１】
【図１】本発明の一実施例を示す装置構成図。
【図２】従来の装置の構成図。
【図３】イオンビーム走査によってできたクレータの断
面図。
面図。
【図４】試料のレーザビーム照射方向に対する垂直断面
図。
図。
【図５】（ａ）Ｘ軸走査制御信号を示す図。 （ｂ）Ｙ軸走査制御信号を示す図。
【図６】本発明による深さ分析の例を示す図。
１…一次イオン源１、２…イオンビーム、３…Ｘ軸走査
制御装置、４…静電偏向板、５…イオンビームレンズ、
６…Ｙ軸走査制御装置、７…試料台、８…試料、９…中
性粒子、１０…レーザ、１１…レーザビーム、１２…質
量分析計、１３…走査制御回路、１４…ＣＲＴ、１５…
２組の静電偏向器、１６…クレータ、１７…レーザビー
ム径、１８…イオンビームの走査領域。
制御装置、４…静電偏向板、５…イオンビームレンズ、
６…Ｙ軸走査制御装置、７…試料台、８…試料、９…中
性粒子、１０…レーザ、１１…レーザビーム、１２…質
量分析計、１３…走査制御回路、１４…ＣＲＴ、１５…
２組の静電偏向器、１６…クレータ、１７…レーザビー
ム径、１８…イオンビームの走査領域。
Claims (6)
- 【請求項１】イオンビームを試料台上に設置した試料に
照射し、試料から放出される中性粒子にレーザビームを
照射して発生した光励起イオンを検出することによっ
て、試料を分析するレーザイオン化質量分析装置におい
て、レーザビームの照射方向にはイオンビームを偏向走
査させて、レーザビームの照射方向と垂直方向には試料
台を移動させることによって、イオンビームが試料上の
二次元領域を実効的に走査することを特徴とするレーザ
イオン化質量分析装置。 - 【請求項２】イオンビームを試料台上に設置した試料に
照射し、試料から放出される中性粒子にレーザビームを
照射して発生した光励起イオンを検出することによっ
て、試料を分析するレーザイオン化質量分析装置におい
て、試料台を二次元的に移動させることによって、イオ
ンビームが試料上の二次元領域を実効的に走査すること
を特徴とするレーザイオン化質量分析装置。 - 【請求項３】前記試料台を、三角波状の繰返し信号によ
って、試料上の同じ二次元領域をイオンビームが繰返し
て走査するように制御して、深さ方向にクレータを形成
させて深さ分析をすることを特徴とする請求項１および
２記載のレーザイオン化質量分析装置。 - 【請求項４】前記イオンビーム走査面のＸ、Ｙ座標に対
応して、各々の座標の光励起イオン強度をＣＲＴ上の輝
度もしくは色の識別によって表した画像によって、試料
の元素の分布を調べることを特徴とする請求項１および
２記載のレーザイオン化質量分析装置。 - 【請求項５】請求項１記載のレーザビームの照射方向に
おけるイオンビームの偏向走査の周波数が、レーザビー
ムの照射方向と垂直方向における試料台の移動繰返し周
波数より大きく、試料台の移動繰返し周波数はイオンビ
ームの偏向走査周波数に同期していることを特徴とする
請求項１記載のレーザイオン化質量分析装置。 - 【請求項６】イオンビームを試料台上に設置した試料に
照射し、試料から放出される中性粒子にレーザビームを
照射して発生した光励起イオンを検出することによっ
て、試料を分析するレーザイオン化する質量分析方法に
おいて、レーザビームの照射方向にはイオンビームを偏
向走査させて、レーザビームの照射方向と垂直方向には
試料台を移動させることによって、イオンビームが試料
上の二次元領域を実効的に走査することを特徴とするレ
ーザイオン化質量分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016682A JPH08212964A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | レーザイオン化質量分析装置及び分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016682A JPH08212964A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | レーザイオン化質量分析装置及び分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08212964A true JPH08212964A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=11923097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7016682A Pending JPH08212964A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | レーザイオン化質量分析装置及び分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08212964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008009121A1 (en) * | 2006-07-19 | 2008-01-24 | Mds Analytical Technologies, A Business Unit Of Mds Inc., Doing Business Through Its Sciex Division | Dynamic pixel scanning for use with maldi-ms |
-
1995
- 1995-02-03 JP JP7016682A patent/JPH08212964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008009121A1 (en) * | 2006-07-19 | 2008-01-24 | Mds Analytical Technologies, A Business Unit Of Mds Inc., Doing Business Through Its Sciex Division | Dynamic pixel scanning for use with maldi-ms |
| US8173956B2 (en) | 2006-07-19 | 2012-05-08 | Dh Technologies Pte. Ltd. | Dynamic pixel scanning for use with MALDI-MS |
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