TWI336677B - Semiconductor wafer carrier container - Google Patents
Semiconductor wafer carrier container Download PDFInfo
- Publication number
- TWI336677B TWI336677B TW93137880A TW93137880A TWI336677B TW I336677 B TWI336677 B TW I336677B TW 93137880 A TW93137880 A TW 93137880A TW 93137880 A TW93137880 A TW 93137880A TW I336677 B TWI336677 B TW I336677B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- container
- resin composition
- semiconductor wafer
- container body
- resin
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67366—Closed carriers characterised by materials, roughness, coatings or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67396—Closed carriers characterised by the presence of antistatic elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Description
1336677 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於由載置半導體晶圓承載器之容器本體’與 覆蓋該容器本體之覆蓋體所構成之半導體晶圓承載容器。特 別係有關於前述容器本體爲耐擦傷性優異,前述覆蓋體具有 透明性之半導體晶圓承載容器。 【先前技術】 在半導體製造程序中之矽晶圓係爲了防止污染而於無 塵室中處理。此時,爲了效率佳地處理,則使用可同時容納 多數片矽晶圓之晶圓承載器。該晶圓承載器係安裝於晶圓處 理裝置,藉由機械手臂從該處取出晶圓來供於處理。又,容 納矽晶圓於晶圓承載器中,亦原封不動地進行直接洗淨等處 理。因而,晶圓承載器大多形成將晶圓直接暴露於無塵室內 之氣體環境中而構成。因此,於無塵室內之保存中或在運輸 中,爲了防止容納於晶圓承載器中之晶圓的粒子污染,而使 用容納晶圓承載器全體於其內部之半導體晶圓承載容器。 如此一來,使用作爲晶圓承載器或容納該承載器之容器 的材質樹脂,係隨其目的而有各種式樣。例如,已知有針對 用途來使用聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、 丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚對苯二甲酸丁二 酯(PBT)、聚醚醚酮(PEEK)、聚四氟乙烯(PTFE )等 各種樹脂。此時,爲了有效率地防止微粒子之附著,以容器 具有帶電防止性爲佳。由於如於上面所列述之樹脂均爲絕緣 體,爲了賦予帶電防止性,必須配合帶電防止劑。已知有配 1336677 合導電性之碳粒子或碳纖維等作爲帶電防止劑的方法,或配 合由具有極性基之有機化合物所構成之帶電防止劑的方法。 例如,於日本專利特表2002-53 1 660號公報(專利文獻 1)中,記載有由含有特定體積電阻率之碳纖維的樹脂組成 物所構成者,作爲導電性半導體晶圓容器。於該公報之實例 中,亦記載著已於聚碳酸酯中配合碳纖維與碳粒子之晶圓承 載器的範例。然而,在使用碳纖維來賦予帶電防止性之情況 下則成形品變成失去透明性,因要求內部辨識性的用途而不 能使用。 又,於日本專利特開平9-927 14號公報(專利文獻2) 中,記載著特定形狀之半導體晶圓容納用帶電防止容器。於 該公報之實例中,記載著使用ABS系永久帶電防止樹脂、 HIPS系永久帶電防止樹脂、PP系添加碳黑之樹脂等各種帶 電防止性樹脂的半導體晶圓容納容器實例。其中所記載之容 器具有良好之帶電防止性,而且隨商標品牌在透明性方面亦 優異。例如記載於實例3之AB S系永久帶電防止樹脂係透 明性亦優異。在使用如此透明性優異之樹脂的情況下,可從 外部確認容器內部之狀況。 於日本專利特開昭62- 1 1 9256號公報(專利文獻3 )中, 記載著在橡膠質聚合物的存在下,於接枝聚合(甲基)丙烯 酸酯單體及可與其共聚合之其他乙烯系單體所構成之共聚 物體混合物的聚合體中,配合聚醚酯醯胺之熱可塑性樹脂組 成物。該樹脂組成物係被記載著永久帶電防止性、耐衝擊性 及透明性優異,而可使用於防止因靜電導致之障礙的用途、 -6- 1336677 例如1C承載容器。 ABS樹脂或歸類於該等之樹脂係在成形時的尺寸精 度' 成形品表面之平滑性、剛性、耐衝擊性等的平衡上優異, 而且爲樹脂成本較低之泛用樹脂。又,如上述,亦可賦予永 久帶電防止性與透明性。因而,已賦予帶電防止性之ABS 樹脂係可作爲用於容納半導體晶圓之容器的較佳材料之 一。然而,近年來,隨著半導體裝置之細微化的無塵室內之 微粒子管制水準更爲提升且嚴格,現狀爲於如此之半導體晶 圓承載容器中所要求之性能亦持續變高。因此,在使用帶電 防止性之ABS樹脂組成物來製造容納晶圓承載器之半導體 晶圓承載容器的情況下,已知在耐擦傷性方面有問題。 容納複數個半導體晶圓之晶圓承載器,隨著近年之晶圓 直徑的增加而其重量變大。又,使用於晶圓承載器之代表樹 脂的聚醚醚酮(PEEK)或聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等, 係硬度相當高之樹脂。在如此之情況下,載置晶圓承載器之 晶圓承載容器的內表面,則因隨著承載器進出之摩擦而容易 刮傷。又,大型化而總重量增加之承載容器本身亦以機械手 臂來處理的情形變多,於該情況下,金屬製構件摩擦容納晶 圓承載器之承載容器的底部亦多,有刮傷產生之問題。特別 地,透明且具有導電性之樹脂組成物常因配合導電性賦予劑 而硬度降低之情況多,有耐擦傷性不足的問題。 【專利文獻1】 日本專利特表2002-53 1660號公報 【專利文獻2】 1336677 日本專利特開平9-92714號公報 【專利文獻3】 日本專利特開昭62- 1 19256號公報 【發明內容】 發明所欲解決之誤題 本發明係用於解決上述課題而硏發者,其目的在於提供 帶電防止性優異、污染防止性優異、耐擦傷性優異、且內部 辨識性亦優異之半導體晶圓承載容器。 用於解決課顆之丰段 上述課題係藉由提供一種半導體晶圓承載容器來解 決,其係由載置半導體晶圓承載器的容器本體,與覆蓋該容 器本體之覆蓋體所構成的半導體晶圓承載容器,其特徵爲前 述容器本體係將由熱可塑性樹脂(al)及碳纖維(a2)所構 成之樹脂組成物(A)成形所構成,該容器本體之表面電阻 率爲102〜1012Ω /□,前述覆蓋體係將由熱可塑性樹脂(bl ) 及有機化合物之帶電防止劑(b 2 )所構成之樹脂組成物(B ) 成形所構成,該覆蓋體之表面電阻率爲103〜1〇13〇 /□,而 且該覆蓋體具有透明性。 樹脂組成物(Α)以含有60~99重量%熱可塑性樹脂 (al) ’及1~40重量%碳纖維(a2)爲佳。熱可塑性樹脂 (a 1 )爲非晶質熱可塑性樹脂,而以聚碳酸酯爲特佳。亦以 樹脂組成物(A)之洛氏硬度爲11〇〜14〇(單位:R標度 (scale))、樹脂組成物(A)之彎曲彈性率爲4000~21000MPa 爲佳。 1336677 樹脂組成物(B)以含有70~99重量%熱可塑性樹脂 (bl ),及1〜30重量%帶電防止劑(b2 )爲佳。熱可塑性 樹脂(bl)則以選自包含苯乙烯系樹脂、聚(甲基)丙烯酸 酯、聚丙烯腈、聚碳酸酯之群組之1種爲佳,帶電防止劑(b2) 則以高分子化合物爲佳。樹脂組成物(B )亦以於成爲3mm 厚之射出成形品時之霧値爲30%以下的樹脂組成物爲佳》 又,樹脂組成物(B )之洛氏硬度亦以80-14〇 (單位:R標 度)爲佳。 前述覆蓋體爲複合有樹脂組成物(A)與樹脂組成物(B) 之成形品,以樹脂組成物(A)構成與前述容器本體接觸之 部分爲較佳實施態樣。此時,以藉由嵌件(insert)成形或雙色 成形來複合樹脂組成物(A)與樹脂組成物(B)而構成爲佳。 又,在前述容器本體或前述覆蓋體之任一者中固設彈性構 件,於封閉容器時,使前述彈性構件配置於前述容器本體與 前述覆蓋體之間,且前述容器本體與前述覆蓋體不互相接觸 亦爲較佳之實施態樣。此時,以前述彈性構件高度爲1mm 以下爲佳。 前述覆蓋體之周緣部覆蓋並封閉前述容器本體之開口 部上緣外側的半導體晶圓承載容器爲較佳實施態樣。此時, 以前述容器本體從其開口部上緣至外側斜向下方具有斜 面,前述覆蓋體在其周緣部內面具有斜面’兩斜面爲互相約 略平行地相向之構成,兩斜面間之間隙爲1 m m以下,且兩 斜面之相向的寬度爲5~50mm爲較佳》 【發明之效果】 1336677 本發明之半導體晶圓承載容器係適合使用於帶電防止 性優異'污染防止性優異、耐擦傷性優異、且內部之辨識性 亦優異、要求高度潔淨度之半導體製造程序。 【實施方式】 用於實施發明之最佳樣熊 本發明之半導體晶圓承載容器係由載置半導體晶圓承 載器之容器本體,與覆蓋該容器本體之覆蓋體所構成。 上述容器本體係將由熱可塑性樹脂(al)及碳纖維(a2) 所構成之樹脂組成物(A)成形所構成者。爲了防止對於容 器本體之微粒子附著,故配合碳纖維(a2)來減少容器本體 之表面電阻率。、 又,由於配合碳纖維(a2),因樹脂組成物(A)之硬 度上升,表面之摩擦阻力降低,故容器本體之耐擦傷性提 高,可防止因摩擦導致之飛塵的產生。再者,由於配合碳纖 維(a2 ),樹脂組成物(A )的彈性率上升而在形成大尺寸 之成形品的情況下,或在容納重量物之情況下的尺寸安定性 提高。 由於使用其他代表性導電性塡充劑之碳黒,硬度上升少 且表面摩擦阻力之降低亦少而耐擦傷性的改善不足,由於含 有微粒子,隨著傷痕產生而容易飛麈。又,未含有該等塡充 劑,由於使用僅由熱可塑性樹脂(a 1 )所構成之樹脂組成物, 因硬度低而表面摩擦阻力大,耐摩擦性不足。而且,在配合 由有機化合物所構成之帶電防止劑於熱可塑性樹脂(a 1 )的 情況下,通常因其硬度更降低,故耐摩擦性問題重大。 1336677 熱可塑性樹脂(a 1 )係無特別限制,可隨目的選自聚碳 酸酯;聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚對苯二甲酸乙二酯 等之聚酯;聚醯胺;聚丙烯(pp)或環狀烯烴聚合物等之聚 烯烴;聚苯乙烯(ps)、高衝擊性聚苯乙烯(HIPS)、丙烯 腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚 物(AS樹脂)或甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物(MS樹脂) 等之苯乙烯系聚合物;聚(甲基)丙烯酸酯;聚丙烯腈 (PAN):聚醚醚酮(PEEK);聚苯硫醚(PPS);聚縮醛; 聚楓等樹脂。 於該等之中,亦以使用非晶質熱可塑性樹脂作爲熱可塑 性樹脂(a 1 )爲佳。因非晶質樹脂比結晶質樹脂成形時之收 縮率較小,可得到尺寸精度優異之成形品。在射出成形含有 碳纖維(a2 )之樹脂組成物的情況下,成形品中之碳纖維(a2 ) 容易配向。此時,於使用結晶質樹脂時由於由碳纖維(a2) 之配向而亦容易引起結晶之配向,故容易產生翹曲或收縮 等,尺寸精度降低。在尺寸精度低而容器本體與覆蓋體之間 的空隙變得過大的情況下,盒子密閉性能降低而微粒子侵入 之疑慮變大。相反地’在容器本體與覆蓋體之間的空隙變得 過窄的情況下,開關時容器本體與覆蓋體摩擦而變得容易產 生傷痕。因此,以使用成形時之尺寸精度優異的非晶質熱可 塑性樹脂爲佳。又’由於一般由非晶質樹脂所構成之成形品 比由結晶質樹脂所構成之成形品的表面較平滑’大多爲成形 品表面摩擦阻力變大的情況,有因摩擦而在表面容易造成傷 痕的傾向。於本發明之樹脂組成物(A )中’由於藉由配合 -11- 1336677 碳纖維(a2 )可減低成形品表面的摩擦阻力,使用非晶質熱 可塑性樹脂作爲熱可塑性樹脂(a 1 )而耐擦傷性亦良好。其 中’所謂非晶質樹脂,例如如ABS樹脂,即使形成包含複 種樹脂成分之合金,其主要成分仍爲包含非晶質的樹脂 者。 在熱可塑性樹脂(a 1 )爲非晶質熱可塑性樹脂之情況的 玻璃轉移溫度係以60~200。(:爲佳。在玻璃轉移溫度未滿 6〇°C的情況下,耐熱性不足,而以1 〇〇°C以上爲較佳。另外, 在玻璃轉移溫度超過20(TC之情況下,熔化成形容易變得困 難,而以160°C以下爲較佳。玻璃轉移點係藉由DSC (示差 熱量分析)測定的反曲點的位置來測定。例如,亦於本發明 實例中所使用之聚碳酸酯的玻璃轉移溫度通常爲 1 4 0 ~ 1 5 0。(:。 配合於熱可塑性樹脂(al)之碳纖維(a2)並無特別限 制,可使用聚丙烯腈(PAN )系、瀝青系、纖維素系、木質 素系等各種碳纖維。如果考慮以熔化混練之配合的難易度, 則以配合短纖維爲佳。 以樹脂組成物(A )含有60~99重量%熱可塑性樹脂 (al),及1~40重量%碳纖維(a2)者爲隹。在碳纖維(a2) 含有量未滿1重量%之情況下,帶電防止性則容易變得不 足。又,由於成形品硬度變低且摩擦阻力亦變大而耐擦傷性 容易變得不足’彈性率降低使形態保持性容易不足。碳纖維 (a2 )含有量係以2重量%以上爲較佳,以5重量%以上爲 更佳。此時,熱可塑性樹脂(al)含有量個別爲98重量! -12- 1336677 以下' 95重量%以下。另外,在碳纖維(a2 )含有量超過 40重量%之情況下,熔化成形性降低,同時容器本體之力學 物性亦容易降低。碳纖維(a2 )含有量係以3 0重量%以下 爲較佳,以20重量%以下爲更佳。此時,熱可塑性樹脂(a 1 ) 含有量個別爲70重量%以上、80重量%以上。雖然倂用碳 纖維(a2 )以外之塡充劑亦無妨,但如果考慮不喜污染之用 途,除了微量成分,實質上仍以僅由熱可塑性樹脂(al)及 碳纖維(a2 )所構成的樹脂組成物爲佳。 混合熱可塑性樹脂(al)與碳纖維(a2)之方法並無特 別限制,通常熔化混練兩者來混合。雖於熔化成形時亦可同 時混合,但通常以預先熔化混練來提供所得之樹脂組成物 (A)的顆粒於熔化成形爲佳。 又,以樹脂組成物(A )之洛氏硬度爲1 1 〇~ 1 40 (單位: R標度)爲佳。由於具有如此高之硬度而可得到耐擦傷性優 異之容器本體。其中以115以上較佳,以120以上爲更佳。 另外,在硬度過高之情況下,大多爲熔化成形性降低同時力 學強度降低之情況。故以1 35以下爲較佳,以1 30以下爲更 佳。其中,本發明中之洛氏硬度係於23°C依照ASTMD-785 來測定之値(R標度)。 亦以樹脂組成物(A)之彎曲彈性率爲4000~2 1000MPa 爲佳。由於具有如此高之彎曲彈性率,容器本體之型態保持 性變得良好。特別地,由於隨著近年來晶圓直徑的大徑化, 容納複數半導體晶圓之晶圓承載器的重量亦增加,故容納該 等之容器本體型態保持性的要求水準提高。在彎曲彈性率未 1336677 滿4000MPa的情況下,容器本體之型態保持性恐怕變得不 足,故以5000MPa以上爲較佳,以5500MPa以上爲更佳。 另外,在彎曲彈性率超過21 OOOMPa之情況下,容器本體恐 怕會變脆,故以1 5〇OOMPa以下爲較佳,以lOOOOMPa以下 爲更佳。其中,本發明中之彎曲彈性率係於23 °C依照ASTM D-7 90來測定之値。上述洛氏硬度或彎曲彈性率係藉由測定 由樹脂組成物(A )之熔化成形品所構成之試驗片而得者。 熔化成形樹脂組成物(A)來製造容器本體,重要的是 在本發明中該容器本體的表面電阻率爲102~1012Ω/匚]。在 表面電阻率未滿102Ω/□之情況下,爲了帶電防止所要求之 表面電阻率則變得具有過剩的導電性,於該情況下,碳纖維 素配合量變得過多而力學特性亦變得不足。表面電阻率係以 ΙΟ3 Ω /□以上爲佳。另外,在表面電阻率超過ι〇12ω /□的情 況下’帶電防止性變得不足,不能充分地確保微粒子之附 著。表面電阻率係以l〇uQ/□以下爲佳。其中,本發明中 之表面電阻率係於2 3 °C、5 0% R Η溼度下所測定之値。 構成本發明之半導體晶圓承載容器的覆蓋體,係將由熱 可塑性樹脂(b 1 )及由有機化合物所構成之帶電防止劑(b 2) 所構成的樹脂組成物(B )成形所構成者。爲了防止對於覆 蓋體之微粒子的附著,配合有機化合物之帶電防止劑(b2) 來減少覆蓋體之表面電阻率。藉由配合有機化合物來取代配 合導電性塡充劑’成爲具有透明性之成形品,來確保容器內 部之辨識性。 若熱可塑性樹脂(b 1 )係其本身具有透明性之樹脂則無 1336677 特別限制,隨目的可選P聚碳酸酯;聚苯乙烯(PS)、高衝 擊性聚苯乙烯(HIPS )、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS 樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)或甲基丙烯酸甲 酯-苯乙烯共聚物(MS樹脂)等之苯乙烯系聚合物;聚丙烯 (PP)或環狀烯烴聚合物等之聚烯烴;聚(甲基)丙烯酸酯; 聚丙烯腈等樹脂。 於該等之中,亦以使用非晶質熱可塑性樹脂作爲熱可塑 性樹脂(b 1 )爲佳。非晶質樹脂多爲透明性良好之情況,且 因比結晶性樹脂成形時之收縮率小,可得到尺寸精度優異之 成形品。尺寸精度低之情況的壞處係既已記載於熱可塑性樹 脂(a 1 )之說明中。對於熱可塑性樹脂(b 1 )爲非晶質熱可 塑性樹脂之情況的較佳玻璃轉移溫度,係與既已說明之熱可 塑性樹脂(a 1 )的情況相同。 作爲熱可塑性樹脂(b 1 )之較佳樹脂的具體範例方面, 舉例有苯乙烯系聚合物 '聚(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯腈、 聚碳酸酯。該等之中,以苯乙烯系樹脂爲隹,尤其以使用聚 合二烯單體而成之二烯系橡膠粒子分散在苯乙烯單體與可 共聚合之其他單體的共聚物所構成的基體樹脂中的樹脂爲 佳。若其中所使用之可共聚合之其他單體爲可與苯乙烯單體 共聚合者’並無特別限制,可舉例有以丙烯腈、甲基丙烯腈 等(甲基)丙烯腈爲代表之氰乙烯單體;以丙烯酸甲酯、丙 烧酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯等(甲基)丙 烯酸酯單體爲代表之不飽和羧酸烷基酯單體;丙烯酸、甲基 丙烧酸、馬來酸、馬來酸酐、檸康酸酐等不飽和羧酸或不飽 -15- 1336677 和二羧酸酐單體;馬來醯亞胺、甲基馬來醯亞胺、乙基馬來 醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、鄰氯-N-苯基馬來醯亞胺等之 馬來醯亞胺系單體等。於該等之中,前述可共聚合之其他單 體@以1種以上選自氰乙烯單體及不飽和羧酸烷酯單體爲 佳。藉由共聚合氰乙烯單體,則耐熱性、耐藥品性、剛性及 尺寸安定性提高,該情況之樹脂通常稱爲ABS樹脂(丙烯 腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)。又,爲了使透明性變良好,係 以共聚合不飽和羧酸烷基酯單體爲佳。於該等之中,以共聚 合氰乙烯單體與不飽和羧酸烷基酯單體兩者尤佳。 配合於熱可塑性樹脂(bl)之帶電防止劑(b2)爲由有 機化合物所構成者。由於配合如碳纖維或碳黑之導電性塡充 劑會損及覆蓋體之透明性,變得不能辨識內部,故配合由有 機化合物所構成之帶電防止劑(b2 )則爲重要。帶電防止劑 (b2)爲高分子化合物,以表面不易於滲出且不易變成污染 源爲佳。又,經過長時間亦可維持穩定之帶電防止性能。使 用於帶電防止劑之高分子化合物爲具有極性基者,舉例有聚 環氧烷、聚醚酯醯胺、聚酯酯醯胺、聚酯、聚醯胺、聚胺甲 酸酯等。其中特別以聚環氧烷、聚醚酯醯胺、聚酯酯醯胺爲 佳,以聚醚酯醯胺爲特佳。 樹脂組成物(B)以含有70~99重量%熱可塑性樹脂(bl) 及1〜30重量%帶電防止劑(b2)者爲佳。在帶電防止劑(b2) 之含有量未滿1重量%的情況下,表面電阻率降低不充分而 帶電防止性容易變得不足。帶電防止劑(b2 )之含有量係以 2重量%以上爲較佳,以5重量%以上爲更佳。此時,熱可 1336677 塑性樹脂(b 1 )之含有量個別爲98重量%以下、95重量% 以下。另外,在帶電防止劑(b2 )之含有量超過30重量% 的情況下,樹脂組成物(B )之硬度降低而耐摩擦性降低, 同時彈性率降低而使型態保持性降低。帶電防止劑(b2 )之 含有量係以25重量%以下爲較佳,以20重量%以下爲更 佳。此時,熱可塑性樹脂(bl)之含有量個別爲75重量% 以上、8 0重量%以上》 混合熱可塑性樹脂(bl)與帶電防止劑(b2)之方法並 無特別限制,通常藉由熔化混合兩者來混合。雖亦可於熔化 成形時混練,但通常以預先熔化混練來提供所得之樹脂組成 物(B)顆粒於熔化成形爲佳。 覆蓋體必須具有透明性而成爲可辨識容器內部狀況。具 體而言,以構成覆蓋體之樹脂組成物(B)爲形成3 mm厚度 之射出成形品時之霧値爲30%以下之樹脂組成物爲佳,以 2〇%以下爲較佳,以10%以下爲更佳。其中,本發明中之霧 値係於23°C、依照ASTM D-1003來測定3mm之厚度的試樣 之値。 又,樹脂組成物(B)之洛氏硬度係以8〇~ 140 (單位: R標度)爲佳。由於覆蓋體係未直接載置晶圓承載器於其上, 底面亦未接觸於金屬構件等,故已知不必要求如樹脂組成物 (A)之高硬度。然而,由樹脂組成物(A)所構成之容器 本體與由樹脂組成物(B)所構成之覆蓋體大多互相接觸, 抑制因此時之摩擦所導致之傷痕的產生亦重要。如前述,本 發明之樹脂組成物(A )係摩擦阻力低者,儘管如此,在微 -17- 丨1336677 粒子管制水準變嚴格的現在,必須嚴格抑制由容器本體與覆 蓋體之互相摩擦而來的飛塵。通常,由於含有碳纖維(a2) 之樹脂組成物(A)方面硬度高,從耐擦傷性之觀點來看以 樹脂組成物(B )之硬度爲一定値以上爲佳。樹脂組成物(B ) 之洛氏硬度係以90以上爲較佳,以95以上爲更佳》另外, 在硬度過高之情況下,帶電防止性能不足之情況亦多,故以 1 3 0以下爲較佳,以1 20以下爲更佳。 又,覆蓋體中係因未直接承受晶圓承載器之重量,故樹 脂組成物(B )之彎曲彈性率亦可較樹脂組成物(A )之彈性 率低,通常爲l〇〇〇~4000MPa左右。 將樹脂組成物(B)熔化成形來製造覆蓋體,故於本發 明中該覆蓋體之表面電阻率爲103~1013Ω/□爲重要。在表 面電阻率未滿1 Ο3 Ω /□之情況下,帶電防止劑之配合量變得 過多而使覆蓋體的硬度降低,彈性率亦降低。表面電阻率係 以105Ω /□以上爲佳,以108Ω /□以上爲較佳。另外,在表 面電阻率超過1013Ω/□之情況下,帶電防止性變得不足, 不能充分發揮微粒子附著防止性能。表面電阻率係以1012 Ω /□以下爲佳,以1〇Η Ω /□以下爲較佳。 使用以上所說明之樹脂組成物(Α)來成形容器本體, 並使用樹脂組成物(Β)來成形覆蓋體。於成形時,從尺寸 精度之觀點來看,以採用射出成形爲佳。通常,於容器本體 與覆蓋體中,普通使用相同種類之樹脂,於本發明中,其特 徵在於敢於選擇不同材料。因而,於覆蓋體與容器本體中由 於較佳成形條件亦不同,且成形收縮率等亦不同,模具之設 -18- 1336677 計亦有針對個別材料來調整的必要。 在粒子管制水準嚴格之現在,重要 體與覆蓋體間之摩擦的耐擦傷性。如前 脂組成物(B)之硬度的策略雖可提升 更優異之耐擦傷性的情況下,以使前述 組成物(A )與樹脂組成物(B )之成形 (A)構成與前述容器本體接觸之部分 雖然互相接觸,由於硬度高且摩擦阻力 等,傷痕之產生能抑制至最小限度。構 樹脂組成物(A)與使用於容器本體之 爲同樣樹脂組成物亦無妨,爲不同樹脂 情況下,樹脂組成物(B )之硬度亦可可 以洛氏硬度來說爲60〜140 (單位:R捐 於該等複合之覆蓋體中,樹脂組拭 容器本體接觸之部分。又,樹脂組成杉 部之辨識性的範圍來使用即可。從所謂 好的觀點來看,以僅於覆蓋體周緣部旣 成爲帶狀的態樣爲佳。 複合樹脂組成物(A )與樹脂組成1 別限制。從預先製造由樹脂組成物(A 由樹脂組成物(B )所構成之成形品再 例如,亦可由接著劑貼合兩者、亦可藉 接。然而,由於使用接著劑變得容易產 藉由嵌入則恐怕發生縫隙,由於熱熔接 的是提高對於容器本 述,即使藉由提高樹 耐擦傷性,但在要求 覆蓋體爲複合有樹脂 品,且由樹脂組成物 爲佳。於該情況下, 小之樹脂組成物(A ) 成覆蓋體之一部分的 樹脂組成物(A ), 組成物亦無妨。於該 =須過於提高,通常, !度)左右。 :物(A )係可構成與 3 ( B)係可於確保內 使內部之辨識性變良 ί置樹脂組成物(A ) 勿(B)之方法並無特 )所構成之成形品與 複合該兩者亦無妨。 由嵌入、或亦可熱熔 生污染物質,或由於 則恐怕產生因熱所導 -19- 1336677 致之變形。因而,以藉由嵌件成形或雙色成形來複合樹脂組 成物(A )與樹脂組成物(B )爲佳。如此一來,可得到尺寸 精度佳、乾淨之成形品。 所謂嵌件成形係先將使用樹脂組成物(A )或樹脂組成 物(B)之任一種來預先成形的成形品放入模具中,再射出 成形另一樹脂組成物的方法。又,所謂雙色成形係使用同一 模具,先使用樹脂組成物(A )或樹脂組成物(B )之任一種 來預先射出,接著,射出另一樹脂組成物的方法。 如此獲得之本發明半導體晶圓承載容器的型態並無特 別限制,由載置半導體晶圓承載器的容器本體,與覆蓋該容 器本體之覆蓋體構成即可。若可由覆蓋體覆蓋,容器本體單 純爲平板亦無妨。例如如用於稱爲 SMIF ( Standard Mechanical Interface:標準機械界面)之運送盒子系統的容 器,於平坦之板狀成形體之上載置晶圓承載器,亦可如透明 覆蓋體覆蓋其上之實施態樣。又,亦可以是在稱爲FOUP (Front Opening Unified Pod:前開 口單一化匣)或 FOSB (Front Opening Shipping Box:前開口輸送盒)之容器前面 有開口部分的實施態樣。 又,雖亦可採用以鉸鏈連接容器與覆蓋體之構成’以便 利於開關,但在該情況下,由於恐怕因在鉸鏈部之滑動所產 生傷痕而引起飛塵,因用途而有不適合的情況。因而’以不 具有鉸鏈構成,單純以覆蓋體覆蓋容器本體之開口部之構成 爲佳。 又,爲了防止微粒子侵入容器內部,以前述覆蓋體之周 -20- 1336677 緣部覆蓋並封閉容器本體之開口部上緣之外側爲佳。如此一 來,微粒子必須相反於重力來侵入。此時,亦以容器本體從 其開口部上緣至外側斜向下方具有斜面,前述覆蓋體於其周 緣部內面具有斜面,兩斜面互相約略平行地相向之構成爲 佳。此時,以兩斜面間之間隙(縫隙)爲1 mm以下,且前 述斜面之寬度爲5~50mm爲佳。因此,必須從上方進入狹窄 縫隙而可有效地防止微粒子的侵入。而且藉由斜向配置斜 面,於覆蓋體覆蓋於容器本體時可滑順地覆蓋,由於此時容 器本體與覆蓋體亦無強力碰撞,故亦可抑制飛塵。如前述, 於本發明之半導體晶圓承載容器中,由於選定可防止容器本 體與覆蓋體接觸時之飛塵的材料,可進一步有效率地防止飛 塵。 又’以容器本體之開口部上緣與前述覆蓋體之內面,上 下相向來接觸爲佳。即,以對於開口部之上緣,載置覆蓋體 之形態爲佳。此時’以相向之兩者間的間隙(縫隙)爲1 mm 以下爲佳。無接觸處與浮起處,以均一設定縫隙之方式而可 防止微粒子侵入爲佳。又,以容器本體之開口部上緣與覆蓋 體之內面相互相向之部分寬度爲3~25mm爲佳。由於具有既 定寬度而使微粒子侵入該縫隙變得困難,亦可藉由使接觸之 面積變大來防止局部之磨損。 以用於提高對於容器本體與覆蓋體間之摩擦的耐擦傷 性作爲策略’來固定彈性構件於前述容器本體或前述覆蓋體 之任一者’並於封閉容器時’使前述彈性構件配置在前述容 器本體與前述覆蓋體之間,成爲前述容器本體與前述覆蓋體 -2 1 - 1336677 不互相接觸爲佳。由於硬質材料等未直接接觸,不易引起因 摩擦所導致之傷痕的產生。然而,由於彈性構件本身亦可能 變成污染源,故隨用途而必須注意。彈性構件之種類並無特 別限制,可使用各種橡膠或柔軟性樹脂。於該情況下,樹脂 組成物(B )之硬度亦可不適於提高,通常,以洛氏硬度來 說爲60~140(單位:R標度)左右。 前述彈性構件係配置在容器本體與覆蓋體之間的全周 亦無妨,部分地配置亦無妨。此時,以前述彈性構件之高度 爲1 mm以下爲佳。該高度係所謂從固定彈性構件之容器本 體或覆蓋體之表面,至彈性構件之上面的高度。由於該高度 爲lmm以下,可使容器本體與覆蓋體間之間隙變窄,可抑 制微粒子之侵入。彈性構件係亦可藉由接著劑貼合,藉由嵌 入亦可,熱熔接亦可。又,使用熱可塑性彈性體作爲彈性構 件,藉由嵌件成形或雙色成形,亦可一體成形。 所容納之半導體晶圓承載器的尺寸並無特別限制,但以 4吋以上之半導體晶圓用的承載器爲佳。然而,由於晶圓承 載器重量愈大採用本發明之構成的利益愈大,故以使用6吋 以上之半導體晶圓用爲較佳,以8吋以上之半導體晶圓用爲 更佳。 【實例】 以下使用實例來更詳細地說明本發明。於實例中,藉由 下述方法來進行各種評估。 (1 )外觀評估 將射出成形而得之容器的容器本體及覆蓋體分別在常 -22- 1336677 溫放置24小時後,評估個別之外觀狀態。評估係依照以下 之基準。 〇:不見翹曲或收縮、變形,於本體與覆蓋體之間大致 無產生縫隙。 △:約略見到翹曲或收縮、變形,於本體與覆蓋體之間 約略產生縫隙。 X:顯著見到翹曲或收縮、變形’於本體與覆蓋體之間 顯著產生縫隙》 (2 )辨識性評估 於容器內部,容納貼著標籤於表面之8吋晶圓承載器, 評估記載於標籤之文字的辨識性。評量係依照以下之基準。 〇:從容器外鮮明地讀出。 Δ :模糊不清而讀出。 X :完全不能讀出。 (3 )表面電阻値評估 於室溫下放置射出成形而得之成形品24小時後,於 2 3 °C、5 0% RH溼度下狀態調整6小時以上。對於狀態調整 後之成形品,以東亞電波工業股份有限公司製電阻計 「SUPER MEGOHMMETERSM-21E」賦予 100V 之施加電壓 來測定示於第3圖及第6圖之5處部位的表面電阻率(Ω/ □)。此時,於正極及負極端子與成形品表面之間,均爲2 mm 厚度,配置l〇mm見方之導電性橡膠,使該等電性橡膠相互 之間的間隔爲1 〇mm。其中所使用之導電性橡膠的電阻値係 較所評估之成形品小得多,可忽略由其而來之電阻値。 -23- |I336677 (4) 容器本體上面之耐擦傷性評估 於射出成形而得之容器的容器本體,進行以30次/分鐘 之速度在裝置有25片8吋矽晶圓之含有碳粉的聚醚醚酮 (PEEK)製承載器,進行15分鐘進出之試驗。目視評估該試 驗後之容器本體的外觀狀態。評估係依照以下之基準。 〇:稍微造成傷痕,但無摩耗粉末產生。 Δ:造成傷痕,但摩耗粉末之產生少。 X :造成激烈傷痕,亦產生多量摩耗粉末。 (5) 容器本體底面之耐擦傷性評估 承載於射出成形而得之容器之容器本體裝置有25片8 吋矽晶圓之含有碳份的聚醚醚酮(PEEK )製承載器,以30 來回/分鐘的速度於開設有鑽孔之不銹鋼板上,在滑動距離 3〇cm滑動15分鐘。該試驗後,目視評估容器本體之滑動摩 耗面的外觀狀態。評估係依照以下之基準。 〇:稍微造成傷痕,但無摩耗粉末產生。 △:造成傷痕,但摩耗粉末之產生少。 X:造成激烈傷痕,亦產生多量摩耗粉末。 (6) 因容器本體與覆蓋體之相互摩擦所導致之耐擦傷性評估 使用射出成形而得之容器本體與覆蓋體,以30次/分鐘 之速度進行60分鐘的開關試驗。目視評估該試驗後之容器 本體與覆蓋體之相互摩擦部分的外觀狀態。評估係依照以下 之基準。 ◎:於摩擦部分稍微造成傷痕,但無摩耗粉末之附著。 〇··於摩擦部分造成傷痕,僅稍微附著細微之摩耗粉末。 -24- 1336677 Δ:於摩擦部分造成傷痕,附著細微之摩耗粉末,亦稍 微附著大的摩耗粉末。 X:於摩擦部分造成傷痕,亦附著多量細微或大的摩耗 粉末。 於第1〜7圖顯示於以下實例及比較例所形成之半導體 晶圓承載容器的型態。該容器係能容納8吋直徑之半導體晶 圓用的承載器者,由容器本體1與覆蓋體2所構成。第1圖 係容器本體1之平面圖,第2圖係容器本體1之正面圖,第 3圖係容器本體1之左側面圖。於容器本體1中,在其整個 開口部分之周圍全部形成15mm之平坦的開口部分上緣3, 於其上載置覆蓋體2。晶圓承載器進出之正面側的開口部分 上緣3變低。在由開口部分上緣3向外側斜向下方具有斜面 4,其與覆蓋體2內面的斜面5相向。第4圖係覆蓋體2之 平面圖,第5圖係覆蓋體2之正面圖,第6圖係覆蓋體2之 右側面圖。覆蓋體2係上下顛倒來覆蓋於容器本體1上。於 覆蓋體2之內面’其整個周圍的全部週邊形成約15min的平 坦部分6’其與前述容器本體1之開口部分上緣3相向。再 者於平坦部分6之外側’具有斜面5,其與前述容器本體1 之斜面4相向。 第7圖係顯示組合記載於第丨~3圖之容器本體丨與記載 於第4〜6圖之覆蓋體2時之狀態的截面圖,爲顯示於第1圖 中之A-A位置的截面圖。於正面側(承載器進出之側),斜 面4與斜面5係互相約略平行地相向,於其相向之部分中之 兩斜面間之間隙爲1 mm以下,且兩斜面之相向的寬度約爲 •25- 1336677 10mm。又,於正面側容器本體1之開口部分上緣3與覆蓋 體2之內面的平坦部分6係以1 mm以下間隙來接觸,相互 相向之部分的寬度約爲10mm。於裏面側(承載器進出之相 反側),斜面4與斜面5係互相約略平行地相向,於其相向 部分中之兩斜面間的間隙爲1 mm以下,且兩斜面之相向的 寬度約爲15mm。又,於裏面側容器本體1之開口部上緣3 與覆蓋體2之平坦部分6係實質上無間隙地連接,而互相相 向之部分的寬度約爲15mm。 : 【實例1】 使用碳纖維含有導電性聚碳酸酯樹脂組成物(住友陶氏 股份有限公司製「SD POLYCA CF5101V」)作爲樹脂組成 物(A)。該樹脂組成物係配合1〇重量%碳纖維之短纖維於 聚碳酸酯中的樹脂組成物。使用該樹脂組成物,以日本製鋼 所股份有限公司製射出成形機「J450E-C5」,製作示於第1~3 圖之容器本體。該射出成形機的螺桿直徑爲76mm。又,成 形條件如以下。
•料筒設定溫度:290°C
•模具設定溫度:50°C •螺桿之射出設定速度:45 mm/秒 (樹脂組成物之射出速度:2〇4ml/秒) •射出設定壓力:200MPa 使用ABS系持續性透明帶電防止樹脂組成物(日本A&L 股份有限公司製「鐵克尼斯(TECHNIACE)TE-2200 j )。該 樹脂組成物係於ABS樹脂中配合1 5重量%親水性聚合物之 -26- 1336677 聚醚酯醯胺作爲帶電防止劑者。該ABS樹脂係將苯乙嫌、 丙烯腈及丁二烯粒子分散在含有甲基丙烯酸甲酯於共聚合 成分中之三元共聚物所構成的基質中而成者’爲藉由共聚# 甲基丙烯酸甲酯來改善透明性者。使用3mm厚度之試驗片’ 以村上色彩技術硏究所股份有限公司製反射•透過率言十 HR-100所測定之霧値爲7%。使用該樹脂組成物,使用日本 製鋼所股份有限公司製射出成形機「J450E-C5」’製作示於 第4~6圖之覆蓋體。該射出成型機之螺桿直徑爲76mm»又’ 成形條件如以下。
•料筒設定溫度:200°C
•模具設定溫度:40°C •螺桿之射出設定速度:45mm/秒 (樹脂組成物之射出速度:204ml/秒) •射出設定壓力:200MPa 針對所得之成形品,依照前述之方法,進行外觀評估、 辨識性評估、表面電阻値評估、耐擦傷性評估之各種評估。 匯總其結果示於表1。 【實例2】 使用碳纖維系導電性聚丙烯樹脂(大阪氣體化學股份有 限公司製「LRP410C」)當作樹脂組成物(A)。該樹脂組成物 係配合約10重量%碳纖維之短纖維於聚丙烯中的樹脂組成 物。使用該樹脂組成物,使用日本製鋼所股份有限公司製射 出成形機「M50E-C5」,製作示於第1~3圖之容器本體。該 射出成型機之螺桿直徑爲76mm。又,成形條件如以下。 -27 - 1336677
•圓筒設定溫度:230°C
♦模具設定溫度:60°C •螺桿之射出設定速度:45mm/秒 (樹脂組成物之射出速度:204ml/秒) .射出設定壓力:200MPa 又,使用與實例1中所使用者相同之日本A&L股份有 限公司製「鐵克尼斯(TECHNIACE)TE-2200」’以與實例 1 相同之成形條件,製作示於第4~6圖之覆蓋體。針對所得之 成形品,與實例1同樣地進行外觀評估、辨識性評估、表面 電阻値評估、耐擦傷性評估之各種評估。匯總其結果示於表 1 ° 【比較例1】 容器本體與覆蓋體之任一種,均使用於實例1中所使用 者相同之日本 A&L 股份有限公司製「鐵克尼斯 (TECHNIACE)TE-2200」,與實例1同樣地成形。成形條件 爲容器本體及覆蓋體均與實例1之覆蓋體成形時相同。針對 所得之成形品,與實例1同樣地進行外觀評估、辨識性評估、 表面電阻値評估、耐擦傷性評估之各種評估。匯總其結果示 於表1。 【比較例2】 使用雙軸押出機(塑膠工學硏究所股份有限公1司製,
3 2mm螺桿直徑、L/D= 33 )來熔化混練85重量份東麗股份 有限公司製聚對苯二甲酸丁二酯樹脂顆粒「特雷康 1401-X06」與15重量份Lion股份有限公司製KET JEN BLACK -28- 1336677 「KET JEN BLACK EC」。KETJENBLACK 係從通氣孔 口使用 重量型塡充劑來添加,於23 0 °C熔融押出而得到線料。藉由 以製粒機切斷該線料而得到樹脂組成物顆粒。使用所得之樹 脂組成物顆粒,以日本A&L股份有限公司製「鐵克尼斯 (TECHNIACE)TE-2200」,製作示於第1 ~ 3圖之容器本體。 該射出成型機之螺桿直徑爲76mm。又,成形條件如以下。 •圓筒設定溫度:280°C •模具設定溫度:80°C •螺桿之射出設定速度:45mm/秒 (樹脂組成物之射出速度:204ml/秒) •射出設定壓力:200MPa 又,使用於實例1中所使用者相同之日本A&L股份有 限公司製「鐵克尼斯(TECHNIACE)TE-2200」,以與實例1 相同之成形條件,製作示於第4〜6圓之覆蓋體。針對所得之 成形品,與實例1同樣地進行外觀評估、辨識性評估、表面 電阻値評估、耐擦傷性評估之各種評估。匯總其結果示於表 【比較例3】 使用與實例 1相同之聚碳酸樹脂「SD POLYCA CF5 101V」,與實例1同樣地製作示於第1~3圖之容器本體。 使用ABS樹脂(日本A&L股份有限公司製「桑塔克 (SANTAC)UT-61」),使用日本製鋼所股份有限公司製射出 成形機「J45 0E-C5」,製作示於第4〜6圖之覆蓋體。該ABS 樹脂係未含有帶電防止劑,又,未共聚合甲基丙烯酸甲酯 -29- 1336677 者。與實例1同樣地測定之霧値超過30%。該射出成型機之 螺桿直徑爲7 6 m m。又,成形條件如以下。
•圓筒設定溫度:200°C
•模具設定溫度:40°C •螺桿之射出設定速度:45mm/秒 (樹脂組成物之射出速度:204ml/秒) •射出設定壓力:200MPa 針對所得之成形品,與實例1同樣地進行外觀評估、辨 識性評估、表面電阻値評估、耐擦傷性評估之各種評估。匯 總其結果示於表1。 【參考例1】 容器本體及覆蓋體之任一者,均使用與實例1中所使用 者相同之住友陶氏股份有限公司製聚碳酸酯樹脂「SD POLYCA CF5101 V」,與實例1同樣地成形。成形條件係對 於盒本體及覆蓋體均與實例1之本體成形時同樣。針對所得 之成形品,與實例1同樣地進行外觀評估、辨識性評估、表 面電阻値評估、耐擦傷性評估之各種評估。匯總其結果示於 表1。 -30- [1336677
【I嗽】 參考例 »( 碳纖維 碳纖維 〇 X 1.0E+ 05 1.0E+ 04 1 ·0Ε+ 04 1.0Ε+04 1.0Ε+05 〇 〇 ◎ 6100 _ ( 比較例 CO 一般 ABS 摧 碳纖維 〇 X 1.0E+05 1.0E+04 > 1 ·0Ε+ 16 >1·0Ε+16 > 1.0Ε + 16 〇 〇 〇 6100 cn CsJ 透明ABS PBT 親水性聚合物 碳粉 <1 〇 5.0E+ 10 2.0E+ 10 2.5Ε+ 10 2.5Ε+ 10 4.0Ε+ 10 < X 〇 3000 to ON 透明ABS 透明ABS 親水性聚合物 親水性聚合物 〇 〇 2.3E+ 10 2.5E+ 10 2.5Ε+ 10 2.5Ε+ 10 4.0Ε+ 10 < <1 <] 1700 cs o cs 透明ABS Ou Dh 親水性聚合物 碳纖維 X 〇 1.0E+05 1.0E+04 2.5Ε+ 10 2.5Ε+ 10 4.0Ε+ 10 <1 〇 〇 3000 CO ON Ιϋ 透明ABS 親水性聚合物 碳纖維 〇 〇 1.0E+05 1.0E+04 2.5Ε+ 10 2.5Ε+ 10 4.0Ε+ 10 〇 〇 〇 6100 CO CN 1 < 覆蓋體 容器本體 覆蓋體 容器本體 外觀評價 辨識性評估 部位① 部位© 部位® 部位© 1 部位⑤ 容器本體上面之耐擦傷性評估 容器本體底面之耐擦傷性評估 本體覆蓋體相互間之耐擦傷性 評估 容器本體樹脂組成物彎曲彈性 率(MPa) 容器本體樹脂組成物R硬度(R 標度) am EEC! m 導電性材料 表面電阻値 (Ω /□) 1336677 如表1所示,由已配合碳纖維之聚碳酸酯樹脂組成物所 構成之實例1的容器本體爲硬度及彈性率高,且耐擦傷優 異。相對於此,由於使用如比較例1所示之透明帶電防止性 AB S樹脂組成物於容器本體,耐擦傷性則大爲降低。又,由 於如比較例2所示使用已配合碳黑之PBT樹脂組成物,耐擦 傷性降低同時容易飛塵。由已配合碳纖維之聚丙烯樹脂組成 物所構成之實例2的容器本體爲耐擦傷性優異,同時由於因 聚丙烯爲結晶性而於成形時產生翹曲及收縮,且尺寸精度降 低,隨用途而有使用困難之情況。 又,實例1及2之覆蓋體爲表面電阻値低,透明性亦優 異,但如比較例3未包含帶電防止劑,使用未含有甲基丙烯 酸甲酯成分之ABS樹脂而表面電阻値高,且透明性亦不良。 又,如參考例1,在使用於容器本體、覆蓋體均已配合碳纖 維之聚碳酸酯樹脂組成物的情況下,得知耐擦傷性極爲優 異。其中覆蓋體爲複合有樹脂組成物(A)與樹脂組成物(B) 之成形品,在以樹脂組成物(A )構成與前述容器本體接觸 之部分的情況下,顯示可提供辨識性優異、耐擦傷性極爲優 異之容器。 【圖式簡單說明】 第1圖係容器本體之平面圖。 第2圖係容器本體之正面圖。 第3圖係容器本體之左側面圖。 第4圖係覆蓋體之平面圖。 第5圖係覆蓋體之正面圖。 -32- 1336677 第6圖係覆蓋體之右側面圖。 第7圖係顯示組合容器本體與覆蓋體時之狀態的A-A截 面圖。 【元件符號說明】 1 容 器 本 體 2 覆 蓋 體 3 開 P 部 上緣 4, 5 斜 面 6 平 坦 部 分 -33-
Claims (1)
1336677 I?拎(更)正替換頁 •…— -一—·—_ 修正本 弟93 137880號「半導體晶圓承載容器」專利案 (2010年10月8日修正) 十、申請專利範圍: 1·—種半導體晶圓承載容器,其係由載置半導體晶圓承載器 之容器本體’與覆蓋該容器本體之覆蓋體所構成之半導體 曰曰曰®承:載容器’其特徵爲:該容器本體爲將含6〇〜98重量 %的非晶質熱可塑性樹脂(al)及含2〜4〇重量%的碳纖 維(a2)且彎曲彈性率爲4〇〇〇〜21〇〇〇VIPa的樹脂組成物 (A )成形所作成,該容器本體之表面電阻率爲102〜10i2 Ω /□ ’該覆蓋體係含70〜99重量%的熱可塑性樹脂(bl ) 及含1〜3 0重量%之屬有機高分子化合物的帶電防止劑 (b2)且彎曲彈性率爲1000〜4 000MPa,而且作成厚度3mm 的射出成型品時之霧度値是3 0 %以下的樹脂組成物(B ) 成形所作成,該覆蓋體之表面電阻率爲1〇3〜ΙΟ^Ω /匚1, 而且該覆蓋體具有透明性。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體晶圓承載容器,其中熱可 塑性樹脂(al)爲聚碳酸酯。 3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓承載容器,其中 樹脂組成物(A )之洛氏硬度爲1 1 0〜1 40 (單位:R標度)。 4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓承載容器,其中 熱可塑性樹脂(bl)爲選自包含苯乙烯系聚合物、聚(甲 基)丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚碳酸酯之群組的1種。 5.如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓承載容器,其中 樹脂組成物(B)之洛氏硬度爲80〜140(單位:R標度)。 1336677 修正本, 6·如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓承載容器,其中 該覆蓋體爲複合有樹脂組成物(A )與樹脂組成物(b ) 之成形品,以樹脂組成物(A)構成與該容器本體接觸之 部分。 7.如申請專利範圍第6項之半導體晶圓承載容器,其中藉由 嵌件成形或雙色成形來複合樹脂組成物(A)與樹脂組成 物(B )而構成。 8 .如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓承載容器,其中 將彈性構件固設於該容器本體或該覆蓋體其中任一者而 構成,於封閉容器時,使該彈性構件配置於該容器本體與 該覆蓋體之間,而該容器本體與該覆蓋體互相不接觸。 9.如申請專利範圍第8項之半導體晶圓承載容器,其中該彈 性構件之高度爲1mm以下。 1 0.如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓承載容器,其中 該覆蓋體之周緣部覆蓋並封閉該容器本體之開口部上緣 的外側。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之半導體晶圓承載容器’其中該 容器本體從其開口部上緣至外側斜向下方具有斜面,該覆 蓋體於其周緣部之內面具有斜面,兩斜面互相大致平行地 相向而構成,兩斜面間之間隙爲〗mm以下’而且兩斜面 之相向的寬度爲5〜50mm。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003411715 | 2003-12-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200530097A TW200530097A (en) | 2005-09-16 |
TWI336677B true TWI336677B (en) | 2011-02-01 |
Family
ID=34674999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW93137880A TWI336677B (en) | 2003-12-10 | 2004-12-08 | Semiconductor wafer carrier container |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2005057649A1 (zh) |
CN (1) | CN100555596C (zh) |
TW (1) | TWI336677B (zh) |
WO (1) | WO2005057649A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008030756A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Jsp Corp | ガラス基板搬送用ボックス及びガラス基板搬送用包装体 |
JP2014154592A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Toppan Printing Co Ltd | 収納容器及び収納容器の製造方法 |
JP7355838B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-10-03 | 旭化成株式会社 | 容器、収納装置、電装部品収納体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54124969A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Daicel Ltd | Semiconductor wafer container |
JPS61195059U (zh) * | 1985-05-28 | 1986-12-04 | ||
JPH057680U (ja) * | 1991-02-19 | 1993-02-02 | 新亜産業株式会社 | ウエーハ収納容器 |
JPH10245066A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-14 | Komatsu Kasei Kk | 合成樹脂製容器の密閉構造と密閉用ガスケット |
JP3916342B2 (ja) * | 1999-04-20 | 2007-05-16 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
JP2002305239A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 基板収納容器及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-12-08 JP JP2005516132A patent/JPWO2005057649A1/ja active Pending
- 2004-12-08 CN CNB2004800369379A patent/CN100555596C/zh active Active
- 2004-12-08 TW TW93137880A patent/TWI336677B/zh active
- 2004-12-08 WO PCT/JP2004/018268 patent/WO2005057649A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2005057649A1 (ja) | 2007-07-05 |
WO2005057649A1 (ja) | 2005-06-23 |
CN1890793A (zh) | 2007-01-03 |
CN100555596C (zh) | 2009-10-28 |
TW200530097A (en) | 2005-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20090298991A1 (en) | Thermoplastic Nanocomposite Resin Composition with Improved Scratch Resistance | |
KR101139031B1 (ko) | 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물, 그 수지 조성물의제조방법 및 그 수지 조성물의 성형체 | |
US10035907B2 (en) | Transparent thermoplastic resin composition and article produced therefrom | |
JP3942326B2 (ja) | 熱可塑性樹脂組成物 | |
TWI437043B (zh) | A conductive resin composition, and a conductive sheet using the same | |
TWI336677B (en) | Semiconductor wafer carrier container | |
KR20160129961A (ko) | 폴리카보네이트계 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품 | |
KR101003346B1 (ko) | 상용성이 향상된 고충격 폴리카보네이트계 수지 조성물, 그성형품 및 폴리카보네이트 수지와 방향족 비닐 공중합체 수지의 상용성을 개선시키는 방법 | |
US9290655B2 (en) | Polycarbonate resin composition having good chemical resistance | |
JP2006299061A (ja) | 熱可塑性樹脂組成物の製造方法 | |
CN100380577C (zh) | 电荷控制部件 | |
JP5314311B2 (ja) | 熱可塑性樹脂組成物及び樹脂成形品 | |
JP2019515093A (ja) | 帯電防止性熱可塑性成形材料 | |
JP6216104B1 (ja) | ポリカーボネート樹脂組成物、成形体及びキャリアテープ | |
JPH11106665A (ja) | 樹脂組成物及びそれからなるエレクトロニクス分野の搬送用冶具 | |
JP2003292760A (ja) | 樹脂組成物、その成形品とシート | |
US20220372243A1 (en) | Antimicrobial composition having excellent antimicrobial property and improved chemical resistance, and molded article including same | |
JPWO2004041678A1 (ja) | クリーンルーム用容器 | |
JP2003147152A (ja) | 耐衝撃性に優れた透明持続性帯電防止熱可塑性樹脂組成物 | |
JP3930279B2 (ja) | 透明複合プラスチックシート | |
CN114514284A (zh) | 树脂组合物、包含该树脂组合物的树脂成型体以及树脂成型体的制造方法 | |
JP3721340B2 (ja) | 導電性樹脂組成物 | |
JP2004051845A (ja) | 透明持続性帯電防止熱可塑性樹脂組成物 | |
JP2012219227A (ja) | 導電性熱可塑性樹脂組成物及びその成形品 | |
JPH1143616A (ja) | 射出成形用の帯電防止性樹脂組成物 |