TWI336590B - Semiconductor package, semiconductor module and production method thereof, and electronic device - Google Patents

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TWI336590B
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Kazuhiro Ishikawa
Katsuitsu Nishida
Kazuya Fujita
Takahiro Nakahashi
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Sharp Kk
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Description

九、發明說明： . 【發明所屬之技術領域·】 本發明係關於一種半導體封裝及其製造方法、包含該半 導體封裝之半導體模組、以及包含該半導體模组之電子 器。 【先前技術】 近年，在行動電話、行動資訊終端、個人電腦、數位相 機等各種電子機器上’使用應用攝影元件之電子式照相 機。現在’要求該等電子式照相機更加小型化及低成本 化/因此，在許多電子機器上也開始使用令影像感測器 (半導體晶片)和透鏡一體化(單一封裝化)之小型照相機模 組。 這樣，儘管照相機模組之小型化需求高漲，但是用於影 像感測器和支持透鏡之透鏡座之定位的區域亦對模組尺寸 有很大的影響。 例如，專利文獻1〜4揭示小型照相機模組。圖6〜9分別為 顯示專利文獻1〜4所公開之照相機模組之構造之剖面圖。 如圖6所示，專利文獻丨之照相機模組丨，係於基板113 上女裝包含影像感測器和信號處理電路等之半導體晶片 H1，該半導體晶片1U被中空構造之覆蓋用框構件ιι4和 用來封閉覆蓋用框構件114之開口部而安裝之紅外線遮光 用光學構件112包圍。然後，覆蓋用框構件ιΐ4和紅外線遮 光用光學構件112被密封於透鏡座122内。透鏡座122係接 口於覆蓋用框構件114之外周部分之基板113之半導體晶片 1 】6182-9903】 2.doc 1336590 1 1 1安裝面上之其餘部分。如此，照相機模組1 〇〇之半導體 晶片111、覆蓋用框構件114和透鏡座122接合於基板113之 同一基準面上。 此外’如圖7(a)及圖7(b)所示’在專利文獻2之照相機模 組200，基板213上之半導體晶片（影像感測器）211被密封於 叙體214内。在s玄殼體214上藉環狀加工而形成具有圓形形 成侧面之階差部218。然後，在殼體2 14之階差部21 8上， 藉由壓入透鏡座222，不使用特別的固定裝置，即可固定 殼體214和透鏡座222。 又’如圖8所示’在專利文獻3之照相機模組3〇〇，嵌入 了透鏡之透鏡座（樹脂製鏡筒）322安裝於封裝基板313上之 半導體晶片3 11之樹脂形成部3 14上。 又’如圖9所示，在專利文獻4之照相機模組4〇〇，透鏡 座422女裝於半導體封裝41〇上，該半導體封裝41〇具有安 裝在基板413上之半導體晶片411以及將包含使半導體晶片 411和基板413接合之導線415以樹脂密封之封裝部414。 [專利文獻1] 曰本公開專利公報特開2000·125212號公報（2〇〇〇年4月 28曰公開） [專利文獻2] 曰本公開專利公報特開2003_110946號公報（2〇〇3年4月^ 曰公開） [專利文獻3] 曰本么開專利公報特開2005-184630號公報（2005年7月7 116182-990312.doc 1336590 曰公開） .
[專利文獻4] ’ 曰本公開專利公報特開2004-296453號公報（2004年1 〇月 21日公開） 在該等照相機模組中，不僅小型化，而且半導體晶片和 透鏡構件之對準也报重要。如果該對準不充分，則作爲照 相機之功旎亦惡化。因此，必須高精度地進行該對準。 但疋，在上述先前之構成中，無法充分滿足照相機模組 之小型化、半導體晶片和透鏡構件之高精度對準。 首先，在專利文獻1〜3之構成中，包括半導體晶片（半導 體晶片111.211.311)及導線215.315在内並沒有被樹脂密 封。因此，照相機模組之整體尺寸（基板尺寸）比半導體晶 片之尺寸大幅度變大。 而且，在專利文獻1之構成中，如圖6所示，封裝半導體 晶片111之覆蓋用框構件114之全部係藉由透鏡座122予以 覆蓋。即’在專利文獻1之構成中，透鏡座122之基板113 面内之位置（接合部位）為藉由覆蓋半導體晶片m之中空構 造之覆蓋用框構件114而固定之構造’但是在基板113上， 除半導體晶片111之安裝區域之外’還需要覆蓋用框構件 114和透鏡座122之接合區域。基板113之外形尺寸亦比半 導體晶片111之尺寸變大。 同樣’在專利文獻2之構成中，如圖7(a)及圖7(b)所示， 封裝半導體晶片211之殼體214之全部藉由透鏡座222予以 覆盘。因此’與半導體晶片尺寸相比，基板尺寸變得更 116182-990312.doc 1336590 大。 · 此外’在專利文獻2之構成中，如圖7(a)及圖7(b)所示， 被壓入之透鏡座222從在封裝半導體晶片211之殼體214上 形成之階差部218伸出。另外，在專利文獻2之構成中，藉 由壓入，接合階差部218和透鏡座222。但是，因爲壓入時 不使用粘合劑’所以爲了高精度地吻合半導體晶片211和 殼體214之位置，必須非常精密地形成階差部218。 又’在專利文獻2之構成中，因爲階差部21 8之形狀大致 為圓形’所以必須使用專用之殼體成型模具進行階差成 型。又，在專利文獻3之構成中，樹脂形成部314為藉由轉 移成型及射出成型等所成型者。但是，如果為形成階差時 使用S亥專專用板具等而成型之方法’則分別需要專用模具 形成形狀和尺寸不同之階差。因此，在增加元件數量之同 時，階差形成之通用性極其低，每種階差部都需要龐大的 設備投資。而且，如果需要專用模具，則亦增加元件數 量。 又’在專利文獻4之構成中，藉由透鏡座422之底面和封 裝部414之表面之面接觸，進行半導體封裝41〇和透鏡座 422之對準。但是，該情形下，儘管光軸方向（縱向垂直方 向）之位置能夠吻合，但是水平方向（橫向）之位置不能充分 吻合。因此’有可能導致光轴偏離。 這樣，先前如果構成在半導體封裝上安裝有搭载構件之 半導體模組’則不能充分滿足半導體模組之小型化、半導 體封裝和搭載構件之對準。 116182-990312.doc 鑒於上述問題’本發明之目的在於實現滿足半導體模組 的j尘化'構成半導體模組之半導體封裝和搭載構件之高 精度對準之半導體模組。此外，本發明之其它目的在於提 供一種適用於該等半導體模組之半導體封裝及其製造方法 和、該半導體模組之利用方法。 【發明内容】 爲了解決上述問題，本發明之半導體封裝為包含安裝於 配線基板上之半導體晶片，以及使上述配線基板和半導體 晶片電性連接之連接部且以樹脂密封包含上述連接部在内 之上述半導體晶片形錢脂密封部者其特徵為在上述樹 脂密封部之表面周緣部形成有階差部。 根據上述構成，包括使基板和光學元件電性連接之連接 部在内以㈣密封。即’本發明之半導體封裝係所謂的晶 片尺寸封裝。因此，能夠實現和光學元件大致相同尺寸之 超小型化之半導體封裝。 另外，根據上述構成，在樹脂密封部之周緣部形成有階 差部。藉此，藉由在半導體封裝上安裝嵌入該階差部之搭 載構件，能夠在縱向和橫向上形成高精度地對準之半導體 模組。即，本發明之半導體封裝能夠適用於該等半導體模 組上。 如此，本發明之半導體封裝係在樹脂密封部之表面周緣 部形成有階差部之構成。所以能夠實現超小型半導體封裝 之同時’藉由在半導體封裝上安裝嵌入該階差部之搭載構 件，能夠提供適合在縱向和橫向上高精度對準之半導體模 116182-990312.doc -10- 1336590 組之半導體封裝。 製^方^解決上Ϊ問題，本發明提供一種半導體封裝之 雷I•生遠技係包含女裝於配線基板上之半導體晶片，以及 上述配線基板和半導體晶片之連接部，且形成有 曰曰在封。該樹脂密封部包括上述連接部將上述半導體 '片包括上述連接部一併進行樹脂密封樹脂密封，該方法 特徵為：包含在上述樹脂密封部表面周緣部形成階差部之 階差形成步驟。 根據上述方法’因爲具有階差形成步驟，所以能夠製造 如上述之超小型，並適合在縱向和橫向上高精度地對準之 模組之半導體封裝。 參照如下記載可以充分了解本發明之另外其他目的、特 徵和優點。此外，參照所附圖式之如下説明可以了解本發 明之優點。 【實施方式】 以下，參照圖1至圖5説明本發明之一實施形態。 (1)本發明之照相機模組 圖1為本實施形態之照相機模組1之剖面圖。照相機模組 1為在半導體封裝10上安裝有透鏡構件20，並一體化之構 成。 圖2為半導體封裝1〇之剖面圖，圖3為半導體封裝1〇之上 視圖。半導體封裝10係在印刷配線基板（下面稱爲"配線基 板"）13上安裝有影像感測器11之構成。 配線基板13為形成有配線圖案之基板。在配線基板13之 116182-990312.doc 丄336590 影像感測器11之安裝面上以及與其反對面（裏面）上分別 安裝有焊線端子13a和外部連接用電極13b。焊線端子丄“ 和外部連接用電極13b相互電性連。 影像感測器11係由半導體晶片組成之固體攝影元件，為 安裝有無圖不之蓋之構成。影像感測器u藉由黏晶材料 固定於配線基板13。然後，影像感測器11之焊墊（無圖示） 和配線基板13之焊線端子13a藉由導線（連接部電性連 接。另，黏晶材料17可為膠狀也可為片狀。 在影像感測器11表面形成有像素區域。該像素區域為使 從透鏡構件20射入之光透過之區域（透光區域）。在影像感 測器11之像素區域（透光區域），經由設置於像素區域周圍 之樹脂16安裝有玻璃12β即，影像感測器u之像素區域有 間隔地被玻璃（透光性蓋部）12覆蓋。 在半導體封裝10上，該等配線基板13上之各種構件藉由 模製feMa (樹脂形成部；樹脂）14加以封裝。即，半導體封 裝10係所謂的晶片尺寸型封裝（CSP，Chip Scale Package) 之構造。即，在半導體封裝1〇上，影像感測器丨丨包括使影 像感測器11和配線基板13電性連接之導線15，藉由模製樹 脂14予以封裝。因此，半導體封裝1〇係適合超小型、超薄 型之構成。半導體封裝1〇亦可為四面扁平封裝（QFp，
Quad Plat Package)等各種塑料封裝。 另’對於半導體封裝1〇之透光區域以外之區域，藉由模 製樹脂14進行封入。因此，玻璃12之表面未被模製樹脂14 覆蓋’光線透過影像感測器！丨之像素區域（透光區域）。 116182-990312.doc 12 1336590 其次’如圖1所示，透鏡構件20係由透鏡21和透鏡座（透 鏡保持部）22所構成之透鏡單元。 透鏡座22係保持（支持）透鏡21之框體。透鏡21保持於透 鏡座22之中央上方。 以使影像感測器11和透鏡21之光學中心重疊（一致）之方 式而配置該等半導體封裝丨〇和透鏡構件2〇。 此處’説明照相機模組i之特徵部分。照相機模組1之最 大特徵為半導體封裝10和透鏡構件2〇之安裝構造。 具體地説’在半導體封裝1〇上，在模組樹脂14表面之周 緣。卩（外周部）形成有階差部18。如圖3所示，在本實施形態 之半導體封裝10上，在模製樹脂14表面之周緣部全範圍形 成有階差部18。另，在本實施形態中，階差部18為除去了 杈製樹脂1 4之缺口部。如下所述，階差部丨8能夠藉由切削 加工模製成型之模製樹脂丨4之部分而形成。 一方面’如圖1所示’在透鏡座22之外測部形成有向下 方（半導體封裝10之方向）突出並延伸之突起部23。突起部 23為嵌入階差部18之形狀。在本實施形態中，如上所述， 因爲階差部18在模製樹脂14之外周部全範圍形成，所以對 應階差部1 8 ’亦在透鏡座22之外周部全範圍形成有突起部 。此外’爲了不超過配線基板13之尺寸（圖1之基板尺寸） 而形成有突起部23 ’所以透鏡座22未自配線基板13露出。 照相機模組1藉由階差部1 8和突起部23，使半導體封裝 1 0和透鏡構件20相接合。在本實施形態中，階差部丨8和突 起部23藉由無圖示之粘合劑接合。 H6182-990312.doc -13- 1336590 在照相機模組1中.，影像感測器11和透鏡2 1之距離（焦點 距離）被設定為特定值。因此’根據該焦點距離設定階差 部18之深度（高度）。又，亦根據焦點距離以使嵌合到階差 部18之方式設定突起部23之長度。藉此，在照相機模組】 中’半導體封裝10和透鏡構件20之光軸方向（縱向；上下 方向）之對準成為可能。 另外’照相機模組1藉由階差部18和突起部2 3之唾合， 接合半導體封裝10和透鏡構件20。即，在照相機模組i 中，突起部23覆蓋在階差部18上。因爲階差部18和突起部 23相互嵌合，所以半導體封裝1〇和透鏡構件2〇之面方向 (橫向；左右方向）之對準也變得可能。 藉此’在本實施形態之照相機模組丨上，藉由階差部i 8 和突起部23，由於在光軸方向和模製樹脂14之面方向共同 進打半導體封裝10和透鏡構件20之對準，所以能夠高精度 地進行對準。 如上所述，本實施形態之照相機模組丨為半導體封裝丄〇 和透鏡構件20—體化之構成。又，在半導體封装⑺中所形 成之模製樹脂14之表面周緣部形成有階差部18。另外，透 鏡構件20具有與半導體封裝1〇之階差部以嵌合之突起部 23。而且，照相機模組}為藉由階差部1 ^和突起部u之接 合，在半導體封裝10上安裝有透鏡構件2〇之構成。 藉此，藉由階差部18和突起部23之嵌合，能夠接合半導 體封们0和透鏡構件2〇。目此，不僅在光財向，而且在 面方向上都能夠吻合半導體封裝1〇和透鏡構件2〇之位置。 H6182-990312.doc 月b夠更加高精度地進行對準。， 又么’因爲半導體封裝1G係以包括導線15在内加以封裝， 以能夠提供更加小型的照相機模組1。
At 勺在不蕗出導線15之範圍内形成階差部18。因 距離藉由調整階差部18之高度（深度），亦可對應任意焦點 板13。2外，例如亦可在電性連接影像感測器11和配線基 13之導線15之正上方部分設置透鏡構件2()。因此，能夠 顯著縮小照相機模組1。 此外，在本實施形態之照相機模組1中，在模製樹脂14 之周緣部全範圍（4邊的外周）形成有階差部18。因此，能夠 更加可靠地定位半導體封裝10和透鏡構件20。 另不限疋在模製樹脂14表面之周緣部全範圍形成階差 錚18，若進行半導體封裝1〇與安裝於其上之透鏡構件“之 疋位（光轴方向（縱向）和橫向），則亦可在模製樹脂14之周 緣部上部分地（即在周緣部之至少一部分）形成階差部18。 例如，在四角形半導體封裝10之情形下，藉由在相對之2 邊上形成階差部1S，也可定位。 此外，在本實施形態之照相機模組i中，階差部18為除 去杈製樹脂14之缺口部。藉此，如下所述，能夠容易地形 成階差部1 8。 另’在本貫施形態中，缺口部即階差部丨8為凹形（凹 部），突起部23為凸形（凸部）。但是，相反，階差部丨8亦可 為凸形’突起部23亦可為凹形。如果使突起部23向與半導 體封裝10相反一側（與圖1之突出部23相反方向）突出，則可 116182-990312.doc -15- 1336590 以使突起部23呈凹形。藉此，與本實施形 與本貫施形態相同 1 8和突起部23嵌合。 階差部 此外，在本實施形態之照相機模組丨中， ’階差部1 8和突
此，使與突起部23成為吻合（適合）之方式， [形成^即可。因 ’亦可不精密地 形成階差部1 8。 此外，本實施形態之照相機模組丨為其中安裝於半導體 封裝10之半導體晶片為影像感測器Π且在半導體封裴10上 搭载有透鏡構件20之構成。藉此，能夠提供被高精度地對 準之照相機模組1。 該等照相機模組1可以很好地應用於數位相機、攝影 機、防止犯罪照相機或行動電話用.車載用.網路電話用照 相機等各種攝影裝置（電子機器）。 另，景》像感測器11也可包含含有信號處理等電路之其它 功能，也可不包含其它功能。即，在本實施形態中，雖然 影像感測器11係安裝於配線基板13上，但是安裝於配線基 板13上之構件亦可具有影像感測器11以外之1C或晶片元件 等。例如’除了影像感測器11之外，也可為層疊IC晶片之 堆疊構造。該情形下，影像感測器i丨配置於最上面。 此外’在本實施形態中，作爲本發明之半導體封裝，説 明了半導體晶片為影像感測器11之半導體封裝。但是，安 裝於半導體封裝1〇之半導體晶片，除了影像感測器U般的 感光元件以外，也可適用於發光元件等各種光學元件。 116182-990312.doc •16· 1336590 另’在本實施形態中’作爲本發明之半導體模組，説明 了在半導體封裝1 〇上搭載有透鏡構件20之照相機模組1。 但是’本發明並不僅限於此’藉由搭載於半導體封裝1〇上 構成半導體模組者皆可適用β 又’在本實施形態中’如圖i所示，雖模製樹脂14之表 面和透鏡座22之間有間隔’但是在該部分不存在凹凸或元 件之情形下’亦可無該間隔而該等相互接觸。即，模製樹 脂14之除去階差部18之表面亦可與透鏡座22為相互接觸之 構成。使該部分接觸，能夠更加穩定的進行光軸方向（垂 直方向）之定位，可以藉由透鏡構件2〇緩和對模製樹脂14 之衝擊（對半導體封裝之衝擊）。另，該情形下，階差部 18僅使用於水平方向之定位，能夠用透鏡座22之厚度控制 焦點距離。 (2)照相機模組之製造方法 其次’參照圖4和圖5(a)〜圖5(c)説明照相機模組1之製造 方法。圖4和圖5(a)〜圖5(c)為照相機模組1之半導體封裝1〇 之製造步驟之顯示圖。 照相機模組1之製造方法，其特徵為具有在半導體封裝 10上形成階差部1 8之階差部形成步驟。 在本實施形態中，如圖4所示’分割i塊基板3〇，由1塊 基板30製造複數之半導體封裝1(^另，基板3〇為複數之配 線基板13以等間隔格子狀排列之連基板。 具體地説，首先，如圖5(a)所示，形成沒有形成階差部 18之半導體封裝1〇。對於丨塊基板3〇上所包含之複數配線 116182-990312.doc -17- 1336590 基板13此夠藉由影像感測器11之安裝、以及藉由導線丄5 之影像感測器11和配線基板13之電性連接製造複數之半導 體封裝10。 即，例如能夠藉由如下（A)〜(D)之步驟形成圖5(a)之半導 體封裝10。 (A) 藉由黏晶材料17，把影像感測器丨丨固定於配線基板 13之步驟； (B) 藉由導線15，連接影像感測器丨丨之焊墊和配線基板 13之焊線端子13a之步驟； (c)在影像感測器u之像素區域安裝玻璃12之步驟；及 (D)導線藉由模製樹脂14封裝包括導線15在内之影像感 測器11之步驟。 另，在（D)步驟中，安裝有影像感測器u之配線基板13 在連基板（基板30)之狀態下模製成型。以樹脂16覆蓋安裝 於各影像感測器11之玻璃12上之部分（透光區域）以外之部 分’以模製樹脂14覆蓋進行模製成型。又，例如參考本發 明之申請人所申請之專利文獻4中所記載之方法可以實施 到此爲止之步驟。 其次，如圖5(b)和圖5(c)所示，在圖5(a)之半導體封裝10 形成階差部18(階差形成步驟）。 在本實施形態中，在該階差形成步驟中，在相鄰之半導 體封裝10.10上同時形成階差部18後（苐1切削步驟），把相 鄰之半導體封裝10· 10分割為各個半導體封裝10(第2切削步 驟）》 116182-990312.doc -18- 1336590 具體地説’在第1切削步驟中，如圖5(b)所示，在像圖 5(a)般形成之格子狀排列之半導體封裝10上，藉由切割刀 : 41a切削相鄰之半導體封裝10.10之間之模製樹脂14。此時 > 之切削，係以相鄰之半導體封裝10.10不分割成各個半導 體封裝10且不露出導線15之程度。藉此’藉由切割刀4ia 之切削部位19在相鄰之半導體封裝10·10上形成階差部 18。在第1切削步驟甲’利用該等切割刀4U切割半導體封 裝10之4邊。 籲 其次，在第2切削步驟中，藉由再次切割加工，把圖 5(b)之切削部位19分割為單片之半導體封裝1〇。即，如圖 5(c)所示，另外藉由用切割刀41b切削圖5(b)之切割刀 所切割之切割部位19，把相鄰之半導體封裝1〇.1〇分割為 各個半導體封裝1 〇。 藉此，在第1切削步驟中，藉由切割刀41a，能夠在相鄰 之半導體封裝10.10上同時形成階差部18。另外，藉由使 • 用階差部18之2倍粗之切割刀41a，能夠一次切割形成階差 部18。而且，如果使用如圖4所示之基板3〇，則藉由一次 切割亦能夠在複數之半導體封裝1〇上形成切削部位Η(階 差部18)。 另，藉由調節以切割刀41a所切割加工之切削深度和寬 度，忐夠任意改變切削部位19(階差部18)之形狀和深度。 如上所述，本實施形態之照相機模組之製造方法包含在 半導體封裝10之模製樹脂14表面之周緣部形成階差部18之 階差形成步騾。 116J82-990312.doc -19- 1336590 藉此，就能夠製造可以高精度並簡便地吻合半導體封裝 1 〇和透鏡構件20之位置之照相機模組i。 此外，上述階差形成步驟由單一基板30形成複數之半導 體封裝10。藉此，可以簡便地大量生産半導體1〇和照相機 模組1。 此外，上述階差形成步驟包括於單一基板3〇上形成之複 數半導體封裝H)之相鄰半導體封裝1Q.1Q之間未分割各個 半導體封裝10之方式進行切割之第丨切削步驟，以及進而 切削在第！切削步驟中形成之切削部位，並分割為各個半 導體封裝10之第2切削步驟。 藉此，能夠藉由切割形成階差部18並分割為各個半導體 封裝10。因此’能夠降低階差形成之成本。此外.，藉由切 削形成階差部18，所以與使用模具形成階差部18之,^形相 比，在提高階差形成之通用性之同時，也能夠抑制設備投 資0 此外，在第1切削步驟中使用之切割刀41a之刀片比在第 2切削步射使用之切割刀41b之刀片粗。藉此，與在第】 切削步驟和第2切削步驟中使用㈣之士刀割刀*丄b之情形相 比’能夠以較少之切削次數形成階差部18。 雖顯示在使複數半導體封裝10分 月1J ’藉由調整切割加工之切削深 另，在本實施形態中， 割為各個半導體封裝1〇之 度和寬度而形成階差部18之方法，但是階差部18之形成方 法並不僅限定於此。例如’纟第i切削步驟中亦可使用 切削刀41 b進行複數次切割加工 從而形成切削部位19(階 116182-990312.doc •20- 6590 差4 18卜此外，在形成階差部〗8之.前，把基板儿分割為 各個半導體封裝10之後，亦可在分割之半導體封裝1〇上藉 由切削形成階差部18。X，亦可使用形成階差部18之模具 模製成型，從而形成階差部18。 如上所述’本發明之半導體封裝，係包含安裝於配線基 板上之半導體晶片以及使上述配線基板和半導體晶月電性 連接之連接部且以樹脂密封包括上述連接部之上述半導體 晶片而形成樹脂密封部者；其特徵為：在上述樹脂密封部 表面之周緣部形成階差部。 柯據上述構成’包括使基板和光學元件電性連接之連接 部在内被樹脂密封。即，本發明之半導體封裝係所謂的晶 片尺寸型封裝。SUt，能夠實現與光學元件大致相同尺寸 之超小型半導體封裝。 另外’根據上述之構成，在樹脂密封部之周邊部形成有 階差部。藉此’藉由在半導體封裝上安裝嵌合於該階差部 之搭载構件’能夠提供適合在縱向和橫向高精度地吻合位 置之半導體模組之半導體封裝。 在本發明之半導體封裝巾，較好在上述周緣部全範圍形 ^逑階藉此，_更加切實地進行半導體封裝和 搭載於其上之搭載構件之對準。 在本發明之半導❹裝巾，域㈣料好為除 脂密封部之樹脂之缺口冑。藉此，因爲能夠藉由切削等形 成階差部，所以階差部之形成變得容易。 在本發明之半導體封裝巾，上料導體晶片亦可為影像 H6l82-990312.doc •21 · ^36590 感測器。藉此 半導體封裝。 能夠提供可以很好地適用 於照相機模組之 /爲了解決上述問題’本發明之半導體封裝之製造方法， 係包含安餘配絲板上之半導體晶以及使上述配線其 板和半導體W電性連接之連接部且以樹脂密封包括上^ 連接4在内之上述半導體晶片而形成之樹脂密封部者；嗜 方法特徵為··包含在上述樹脂密封部表面之周緣部形成： 差部之階差形成步驟。 所以能夠製 高精度地對 根據上述之方法，因爲具有階差形成步驟， k如上述之超小型化、並且適合在縱向和橫向 準之半導體模組之半導體封裝。 在本發明之半導體封裝之製造方法中，上述階差形成步 驟較好使單-基板上形成之複數半導體封裝Μ分割，從 單-之基板形成複數之半導體封裝。藉此，能夠簡便地大 量生産半導體封裝。 在本發明之半導體封裝之製造方法中，上述階差形成步 驟較好包含使上述複數半導體封裝之相料導體封裝之間 以不分割為各個半導體封裝之方式切削之第丨切削步驟， 以及進而切削在第i切削步驟中形成之切削部&，分割為 各個半導體封裝的第2切削步驟》 根據上述之方法’藉由第"刀削步驟之切削部位成爲相 鄰之半導體封裝之階差部。藉此，_次切割就可以同時在 相鄰之半導體封裝上形成階差部。 而且，因爲在上述方法中能夠藉由切削進行階差形成步 116182-990312.doc -22· 1336590 驟，所以在提高階差形成步驟之通用性之同時，亦能抑制 階差形成步驟之設備投資。 在本發明之半導體封裝之製造方法中，最好在第丨切削 ' 步驟中使用比第2切削步驟粗之切削機構。藉此，與在第j 切削步驟和第2切削步驟中使用相同之切割刀等之切削機 構之情形相比，能夠用較少之切割次數形成階差部。 本發明之半導體模組，係在上述任一半導體封裝上安裝 φ 彳搭載構件之半導體模組，其特徵為：上述搭載構件具有 嵌合於上述半導體封裝之階差部之喪合部，藉由上述階差 部和嵌合部，接合半導體封裝和搭載構件。藉此，能夠提 . 供小型且在縱向和橫向高精度地對準之半導體模組。 在本發明之半導體模財，較好上述階差部和嵌合部藉 由枯合劑相接合。在該構成中，藉由招合劑接合階差部和 嵌…p。因此，階差部以階差部和嵌合部能夠吻合位置程 度之精度形成即可。即，不必像虔入之情形般，需精密地 # f成與後合部吻合（適合）之階差部。因此，容易形成階差 部。 社丰發明之半導體模組中 〜D行丨丁子又：sfr匈任远錢 保持透鏡之透鏡構件。藉此，㈣提供小型且在縱向 和杈向向精度吻合位置之照相機模組。 夠Si月：電子機器包含上述任一半導體模組。藉此，能 〃匕“、型且在縱向和橫向高精度吻合位置之半導體 模組之電子機器。 *之丰導體 此外，亦可如下表現本發明。 I16182-990312.doc •23· 1336590 [i]本發明之半導體封裝可爲藉由黏晶材料17，把使用 樹脂16在像素區域安裝玻璃12之影像感測器u，粘結到具 有焊線端子13a和與其電性連接之外部連接用電極nb之配 線基板13上，藉由導線15電性連接影像感測器丨丨之焊墊和 配線基板13之焊線端子13a，影像感測器u之未被玻璃12 所覆蓋之部分係以模製樹脂14封裝之四角形半導體封裝， 也可以稱之爲，至少在相對2邊之外周部（周緣部）之安裝有 影像感測器11之側面之模製樹脂14上，具有與外形線平行 之階差部18(階差構造）之半導體封裝。 在上述Π]之半導體封裝上，上述外周部之階差部“ 亦可為在封裝之外形成型時以切削加工所形成者。 [3]本發明之照相機模組，其特徵為具有透鏡21和與上 述外周部之階差部18吻合之突起部23,使由支持透鏡^之 框體（透鏡座22)組成之光學元件（透鏡構件2〇)，以使光學 70件之外周部之突起部23吻合之方式，安裝於上述[丨]之半 導體封裝上。 本發明不限於上述實施形態，在中請專利範圍所示範圍 内可以有各種變更。即，在申請專利範圍所示之範圍内， 組合適當變更技術性步驟所獲得之實施形態也包含在本發 明之技術性範圍内。 [產業上之可利用性] 根據本發明，因爲能夠便宜地提供更小型之照相機模 組，所以，例如可以適當地利用於數位相機、攝影機、防 止犯罪照相機或行動電話用.車載用·網路電話用之照相機 H6I82-9903J2.doc -24- 1336590 等各種攝影裝置上。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之照相機模組之剖面圖。 圖2為圖1之照相機模組之半導體封裝之剖面圖。 圖3為圖2之半導體封裝之上視圖。 圖4為顯示圖2之半導體封|之製造步骤之圖式。 圖5U)為顯示本發明之照相機模組之製造步骤之流程。
圖5(b)為顯示圖5(a)之繼續部分，韻 1刀 顯不本發明之照相機 模組之製造步骤之流程圖。 圖5⑷為顯示圖5(b)之繼續部分，_示本發明之照相機 模組之製造步骤之流程圖。 圖6為專利文獻i所记载之照相機模組之剖面圖。 圖7(a)為專利文獻2所記載之照相機模組之立體圖 圖7(b)為圖7(a)之照相機模組之A_A剖面圖。 圖8為專利文獻3所記載之照相機模組之剖面圖。 圖9為專利文獻4所記載之照相機模組之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 照相機模組（半導體模組） 10 半導體封裝 11 影像感測器（半導體晶片） 12 玻璃（透光性蓋部） 13 印刷配線基板（配線基板） 13a 焊線端子 13b 外部連接用電極 116182-990312.doc -25· 1336590 14 •模製樹脂（樹脂形成部、樹脂） 15 導線（連接部） 16 樹脂 17 黏晶材料 18 階差部（缺口部） 19 切削部位 20 透鏡構件（搭載構件） 21 透鏡 22 透鏡座 23 突起部（嵌合部） 30 基板 41a、41b 切割刀（切削機構） 100 照相機模組 111 半導體晶片 112 紅外線遮光用光學構件 113 基板 114 覆蓋用框構件 122 透鏡座 200 照相機模組 211 半導體晶片（影像感測器） 213 基板 214 殼體 215 導線 218 階差部 •990312.doc -26- 2221336590
300 311 313 314 315 322 400 410 411 413 414 415 422 透鏡座 照相機模組 半導體晶片 封裝基板 樹脂形成部 導線 透鏡座 照相機模組 半導體封裝 半導體晶片 基板 封裝部 導線 透鏡座
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Claims (1)

1336590 十、申請專利範圍： 1· -種半導體封裝，其係安裝於搭載構件而構成半導體模 組，且包含： 安裝於配線基板上之半導體晶片、及將上述配線基板 和半導體晶片電性連接之連接部；且 形成有樹脂密封部，該樹脂密封部將上述半導體晶片 包括上述連接部一併進行樹脂密封； 在上述樹脂密封部之表面的周緣部形成有階差部； 並且上述樹脂密封部之包含上述階差部之表面的表面 係以與上述搭載構件互相接觸之方式所形成。 2·如請求項1之半導體封裝，其中上述周緣部全範圍係形成 有上述階差部。 3.如請求項丨之半導體封裝，其中上述階差部為除去樹脂密 封部之樹脂的缺口部。 4·如請求項丨之半導體封裝，其中上述半導體晶片為影像感 測器。 5. 如請求項4之半導體封裝，其中 上述樹脂封裝部係以樹脂密封上述影像感測器之透光區 域以外之區域， 上述影像感測器之透光區域有間隔地被透光性蓋部所覆 蓋。 6. —種半導體模組之製造方法， 該半導體模組係於半導體封裝上安裝搭載構件而成 者；該半導體封裝包含安裝於配線基板上之半導體晶 I16182-990312.doc 片、及將上述配線基板和半導體晶片電性連接之連接 邛，且形成有樹脂密封部，該樹脂密封部包括上述連接 部將上述半導體晶片包括上述連接部一併進行樹脂密封 樹脂密封；該半導體模組之製造方法包含： 在上述樹脂密封部表面之周緣部形成階差部之階差部 形成步驟；及 將上述階差部與上述搭載構件之嵌合部嵌合，並且使 上述樹脂密封部之包含上述階差部之表面的表面與上述 搭載構件以互相接觸之方式而接合之對準步驟。 7. 如請求項6之半導體模組之製造方法’其中上述階差部形 成步驟係將單一基板上形成之複數半導體封裝予以分 割，而從單一基板形成複數之半導體封裝。 8. 如請求項7之半導體模組之製造方法，其中 上述階差部形成步驟包含： 使上述獲數半導體封裝之相鄰半導體封裝之間不分割 為各個半導體封裝之方式而切削之第1切削步驟；及 進而切削在第1切削步驟中形成之切削部位，並分割 為各個半導體封裝之第2切削步驟。 9_如凊求項7之半導體模組之製造方法，其中在第1切削步 驟中使用比第2切削步驟粗之切削機構。 10. —種半導體模組，其係： 月求項1〜5中任一項之半導體封裝上安裝有搭載構 件者，且： 上述搭載構件包含嵌合於上述半導體封裝之階差部之 116182-990312.doc 1336590 嵌合部；且 . 错由上述階差部和嵌合部，使半導體封裝和搭裁構件 接合； 上述樹脂密封部之包含上述階差部之表面的表面係與 上述搭載構件互相接觸。 11.如凊求項ίο之半導體模組，其中經由粘合劑接合上述階 差部和嵌合部。
如請求項11之半導體模組，其中上述搭載構件係在透鏡 座上保持透鏡之透鏡構件。 13. 14. 如請求項10之半導體模組，其中樹脂密封部之不包括階 差部之表面係與搭載構件相互接觸者。 —種具有請求項10〜13中任一項之半導體模組之電子機 器。 116182-990312.doc 1336590 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（1)圖·。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 10 半導體封裝 11 影像感測器 13 配線基板 14 模製樹脂 15 導線 18 階差部 20 透鏡構件 21 透鏡 22 透鏡座 23 突起部 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： • (無） 116182-990312.doc
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101053079A (zh) 2004-11-03 2007-10-10 德塞拉股份有限公司 堆叠式封装的改进
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US7811861B2 (en) * 2008-08-01 2010-10-12 Tong Hsing Electronic Industries Ltd. Image sensing device and packaging method thereof
JP5094622B2 (ja) * 2008-08-04 2012-12-12 太陽誘電株式会社 回路モジュール及び回路モジュールの製造方法
JP5289367B2 (ja) * 2010-03-26 2013-09-11 アズビル株式会社 光学パッケージ
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
TWI416192B (zh) * 2011-02-09 2013-11-21 Himax Imagimg Inc 鏡頭模組與製造鏡頭模組之光圈的方法
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
JP5998962B2 (ja) * 2013-01-31 2016-09-28 三菱電機株式会社 半導体光装置
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US20170256576A1 (en) * 2016-03-02 2017-09-07 Semiconductor Components Industries, Llc High reliability housing for a semiconductor package
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
WO2018092318A1 (ja) * 2016-11-21 2018-05-24 オリンパス株式会社 内視鏡用撮像モジュール、および内視鏡
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
US11662541B2 (en) 2017-11-07 2023-05-30 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules having locking assemblies and methods for manufacturing the same
US11287312B2 (en) * 2018-05-09 2022-03-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical system and method of manufacturing the same
CN108933151B (zh) * 2018-07-26 2024-02-13 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种影像传感芯片的封装结构以及封装方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55175249U (zh) * 1979-06-04 1980-12-16
US6762796B1 (en) * 1998-08-10 2004-07-13 Olympus Optical Co., Ltd. Image pickup module having integrated lens and semiconductor chip
JP4451559B2 (ja) * 2000-10-26 2010-04-14 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100422040B1 (ko) * 2001-09-11 2004-03-11 삼성전기주식회사 촬상소자 모듈 패키지
JP2003333437A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Rohm Co Ltd イメージセンサモジュールおよびその製造方法
US20040124486A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-01 Katsumi Yamamoto Image sensor adapted for reduced component chip scale packaging
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US7199438B2 (en) * 2003-09-23 2007-04-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Overmolded optical package
JP2005184630A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Mitsui Chemicals Inc 撮像装置用の半導体チップ収納用筐体と撮像装置
JP2006344898A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法

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Publication number Publication date
KR100995874B1 (ko) 2010-11-22
US20090256229A1 (en) 2009-10-15
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