TWI334249B - Multiwavelength laser diode - Google Patents

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TWI334249B
TWI334249B TW095121240A TW95121240A TWI334249B TW I334249 B TWI334249 B TW I334249B TW 095121240 A TW095121240 A TW 095121240A TW 95121240 A TW95121240 A TW 95121240A TW I334249 B TWI334249 B TW I334249B
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Description

1334249 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 體’特定言之係 之多波長雷射二 本發明係關於一種單石多波長雷射二極體 關於一種在高反射率側具有改良反射器膜之 極體。 【先前技術】 ’已積極地開發出複
光碟裝置之光源。 近年來，在雷射二極體（LD)領域内，
--------、一“ J王句述你磲片））中的記錄及重 製。此外，在此類光碟裝置中，在66〇 11爪頻帶下的雷射光 用於DVD(數位多功能光碟）中的記錄及重製。藉由將多波 長田射裝置玄裝在光碟裝置上，對於任何類型的現有光 碟’記錄及重製變得可用。 應用。 可藉由使用上述多波長來擴展 一般而言，在此一單石複數波長雷射裝置中，類似在一 單波長雷射裝置中’在該雷射裝置之整個端面上採用一製 程形成一低反射器膜與一高反射器膜，其匹配各雷射光波 長乂 ’且從在低反射器膜側上的端面有效地擷取光（日本未 審核專利申請公告案第2001_257413號）。為獲得高反射 率，高反射器膜一般具有一多層結構，其中交替地層疊一 109521-990728.doc 1334249 低反射率膜與-高反射率膜。在此情況下，組合其材料， 使得在低折射率層與高折射率層之間的折射率差變得較 大。作為低折射率層與高折射率層一 增、，且&，一般使用氧 (2〇3,折射率：k65)與非晶外备折射率：2·45) 之一組合、氧化紹與氧化鈦（Ti〇2，折射率：2 45)之一組 合及類似物。 f 【發明内容】 在前者組合巾，可獲得—高折射率差。然而，在此一前 者組合中’存在缺點：由於心在⑽nm頻帶下吸收光， 因此在660 nm頻帶下實現—高折射率變得較困難。此外， 在後者組合中，折射率差並不太大。因此，存在缺點：高 折射率層之反射率僅在狹窄頻帶内較高，且同時在66〇⑽ 頻帶及780 ηπι頻帶下實現高反射率較困難。 鑒於此等缺點，在本發明中，需提供一種多波長雷射二 極體，其能在一給定波頻帶下實現高反射率。 φ 依據本發明之-具體實施例，提供一種多波長雷射二極 體，其包括：-基板；-第一裝置部分，其形成於該基板 上並震盪一第一波長的雷射光；以及一第二裝置部分，其 形成於該基板上並震盪一第二波長的雷射光。在該第一裝 置部分之一前端面及該第二裝置部分之一前端面上採用一 製程形成一前端面膜，且在該第一裝置部分之一後端面及 該第二裝置部分之一後端面上採用一製程形成一後端面 膜。該後端面膜具有：一第一反射膜，其中一或複數組具 有一折射率nl之一第一後端面膜與具有一折射率n2(>nl) 109521-990728.doc 1334249 之一第二後端面膜層疊於該後端面上；以及一第二反射 膜’其中一或複數組具有一折射率n3(S nl)之一第三後端 面膜與具有一折射率n4(>nl)之一第四後端面臈層疊於該 第一反射膜上。 在本發明之具體實施例之多波長雷射二極體中，當分別 將一電流注入該第一裝置部分及該苐二裝置部分内時，在 個別發光區域内部產生光發射。藉由該前端面膜與該後端 面膜，其中相對較低的折射率膜（第一後端面膜與第三後 端面膜）與相對較高的折射率膜（第二後端面膜與第四後端 面膜）交替地層疊，反射在該等個別區域内所產生的光。 然後，產生雷射震盪。從該前端面膜之第一裝置部分側向 外部發射第一波長之雷射光，且從該前端面膜之第二裝置 部分側向外部發射第二波長之雷射光。 此時，較佳的係在該後端面膜之後端面側上的膜（第一 反射膜）具有一熱釋放功能及—反射功能。較佳的係該後 端面膜之外側上的膜(第二反射膜)具有一高反射功能。為 該第-反射膜具有此一功能’較佳的係該第一後端面膜包 括具有有利熱釋放特徵的-材料，例如ΜΑ與細，且較 佳的係該第二後端面膜包括具有高熱穩定性及一高折射率 的-材料，例如TiO”此外，為該第二反射膜具有前述功 能，較佳的係該第三後端面膜包括具有一低折射率 料，例如Si〇2(折射率：1 Q . ·)，且較佳的係該第四後端面 ^有―高折射率的-材料，例如Ti〇2(折射率： 109521-990728.doc 1334249 當該第三後端面膜由類似該第一後端面膜的一材料（例 如Ah〇3與A1N)製成時，較佳的係該第四後端面膜由具有 折射率高於Ti〇2之折射率的一材料（例如a_Si(折射率： 3.65))製成，使得在該第三後端面膜與該第四後端面膜之 間的折射率差變大。此外，可在該第二反射膜之外部提供 一第二反射膜，其具有一熱釋放功能與一反射功能。在該 第一反射膜内，在該第二反射膜上層疊一或複數組具有一 I折射率n5(彡ni)之一第五後端面膜（相對較低的折射率膜） 與具有一折射率n6(>nl)之一第六後端面膜（相對較高的折 射率膜）。該第三反射膜由類似該第一反射膜的一材料製 成。 如上述，藉由由該複數個反射膜形成該後端面膜，可針 =各反射膜加寬在西己f、㈣、材料及類似物方面的選擇 範圍。結果，可使用配置、總層數或其他材料來改良一材 料之不利特徵。例如，當使用一 Si〇2膜作為-低折射率膜 φ以便改良該後端面膜之反射率時，使用_Ai2〇3膜或一應 膜，其比Si〇2膜具有更高的㈣放特徵與更高的成膜速 度，作為在該後端面膜之後端面側上的一低折射率膜。藉 可文良熱釋放特徵及成膜速度，且該後端面膜之反射 在寬廣頻页下較高。因此，在一給定波長頻帶下可獲 β 射率而熱釋放特徵及成膜速度在實用範圍内。 ㈣本發明之具體實施例之多波成雷射二極體，提供該 後4面模’其由複數個反射膜組成。因此，該後端面膜之 士率在見廣頻帶下較高。藉此，在一給定波長頻帶（包 109521-990728.doc 1334249 括第一波長及第二波長之波長頻帶）下可實現一高反射 率。例如’可在660 nm頻帶及780 nm頻帶下實現一高反射 率。 根據下列說明將更全面地顯現本發明之其他及進一步目 的、特徵及優點。 【實施方式】 參考该專圖式將詳細地提供本發明之一具體實施例之說 明。 [第一具體實施例] 圖1顯示依據本發明之一第一具體實施例之—二波長雷 射一極體之一斷面結構。圖2顯示圖丨之二波長雷射二極體 之平面圖。圖1顯不沿圖2之箭頭A-A所截取的一斷面結 構此外，圖1及圖2顯示該二波長雷射二極體裝置之模 型，且尺寸及形狀與實際使用的該等二波長雷射二極體裝 置不同。 該二波長雷射二極體裝置係一單石雷射二極體，其中一 第一裝置部分20A與一第二裝置部分2〇B係配置於一基板 10上。 (第一裝置部分20A) 第一裝置部分20A係一雷射二極體裝置，其能在66〇 nm 頻帶下發光，且由一鋁·鎵-銦·磷（A1GaInp^^In_v化合物 半導體製成。此處，鋁-鎵_銦_磷族ΙΠ_ν化合物半導體意味 著-半導體，其包含短週期週期表中族把元素之至少一鋁 (Α1)、鎵（Ga)及銦（Ιη)及短週期週期表中族5β元素之至少 109521-990728.doc -10· 1334249 磷（p)。 在第一裝置部分20A内，在基板10上生長一半導體層 21A。半導體層21A包括一 η型包覆層、一主動層22A、_p 型包覆層及一 ρ側接觸層。除主動層22Α外，不特別顯示今 些層。 明確而言，例如基板10由η型GaAs製成，且例如大約 1 〇〇 μηι厚。 φ 例如該η型包覆層由1.5 μηι厚的η型AlGalnP製成。例如 主動層22A具有一多量子井結構，其由一井層與一阻障層 組成’該井層與該阻障層分別由40 nm厚不同組成的
AlxGayIni•”p(其中xg0且yg〇)形成。例如該p型包覆層由 1·5 μηι厚的p型AlGaInP製成。例如該p側接觸層由〇 5 厚的p型GaP製成。該p型包覆層與該p側包覆層之部分具有 帶狀脊23A，其在共振器方向上延伸，且藉此限制電流。 對應脊23 A的主動層22A之一區域係一第一發光點24八。 9 在表面上提供一絕緣層乃，其從脊23Λ之側面連續至該？ 型包覆層之表面（以下稱為表面A)。例如絕緣層乃由大約 300 nm厚的一絕緣材料（例如si〇2、21>〇乂及8丨叫製成。絕 緣層25將第一裝置部分2〇A之半導體層2ι A與第二裝置部 分20B之一半導體層21B(稍後說明）電絕緣。此外，絕緣層 25允許電流僅從脊23A與脊23B(稍後說明）之頂部面流入主 動層22A内。因此，絕緣層25具有一裝置分離功能與一電 流限制功能。 在表面上提供—P側電極26A ’其從脊23八之頂部面（p側 109521-990728.doc 1334249 接觸層之表面）連續至絕緣層25之表面。p側電極26A係電 連接至該P側接觸層。同時，在基板1〇之後面上提供一1^則 電極27’且電連接至基板1〇。 在P側電極26A上提供一線路層28A，且電連接至p側電 極26A。p側電極26A經由電連接至佈線層28A的一線路^ .4示）而連接至一正側電源（未顯示）。η側電極27電連接至 :線路（未顯示）’且經由該線路連接至一負側電源（未顯 不）。Ρ侧電極26Α與η側電極27Α具有一多層結構，例如其 中1 5 nm厚的Ti、％ nm厚的pt、3〇〇趟厚的Au依此次序層 疊。例如線路層28A由8·7 μπι厚的Au製成。 (第二裝置部分20B) 2二裝置部分20B係一雷射二極體裝置，其能在78〇 nm 頻帶下發光，且由一砷化鎵（GaAs>$m_v化合物半導體製 成。此處，砷化鎵族ΠΙ_ν化合物半導體意味著一半導體， 其包含短週期週期表中族⑼元素之至少一鎵㈣及短週期 週期表中族5B元素之至少砷（As)。 類似在第-發光裝置2〇A中，在第二裝置部分廳中， 在基板1〇上生長半導體層21B。半導體層21B包括一 n型包 覆層 主動層22B ' 一 P型包覆層及一 ρ側接觸層。除主 動層2切外，不特別顯示該些層。 月確而。’例如n型包覆層由15吨厚的η型AiGaAs製 成。例如主動層22B具有一多量子井結構，其由一井層與 一阻障層組成，該井層與該阻障層分別由35 11〇1厚不同組 成的AlxGa,-xAs(其中…)形成。例如該P型包覆層由i.o J09521-990728.doc 1334249 μηι厚的_AiGaAs製成。例如該p側接觸層由〇 5 _厚的p 型GaAs製成。該p型包覆層與該p側接觸 脊23B，其在共振器方向上延伸，藉= 23B的主動層22B之一區域係一第二發光點24B。 在表面上提供前述絕緣層25，其從脊23B之側面連續至 該P型包覆層之表面（以下稱為表面B)。 在表面上提供一 p側電極26B，其從脊23B之頂部面（該p •側接觸層之表面)連續至絕緣層25之表面。p側電極細係 電連接至該p側接觸層。同時，在基板1〇之後面上提供前 述的η側電極27 ’且電連接至基板1〇。 在Ρ側電極細上提供一線路層28β，且電連接至ρ側電 極26Β。ρ側電極26Β經由電連接至佈線層28β的一線路（未 顯示）而連接至一正側電源（未顯示）。例如藉心⑽厚的 Ti、50 nm厚的Pt及3〇〇 nm厚的Au依此次序層疊而構造ρ側 電極26B。例如線路層28B由45 μιη厚的Au製成。 • (前端面膜與後端面膜） 此外，如圖2所示，分別在垂直於第一裝置部分2〇a之脊 23 A之延伸方向（軸向）的表面（垂直於第二裝置部分20B之 脊23B之延伸方向（轴向）之表面）上採用—製程形成一對反 射膜β 在該對反射膜之反射側上的一膜（後端面膜31)具有：一 第一反射膜32，其中一或複數組具有-折射率ηί及-膜厚 度λο的一第一後端面膜32八與具有一折射率η2(>ηΐ)及一骐 厚度λο的一第二後端面膜32Β層疊於該後端面上；以及— 10952l-990728.doc 13 1334249 第二反射㈣’其中-或複數組具有—折射率n3(“^ -膜厚度λο的一第三後端面膜33A與具有一折射率n4㈣) 及-膜厚度λο的一第四後端面膜33B層疊於第一反射膜32 上。 明確而言，第一後端面膜32A*A12〇3(熱導 02、 射率H.65)或趣(熱導率：2.85、折射率ni:2u)。第 二後端面膜32B由Ti〇2(折射率„2: 2.45 (>nl))製成。μα 與A1N为別具有熱釋放特徵高而折射率低之特性。同時， Ti〇2具有折射率與熱穩定性（熱不變形性）高的特性。較佳 的係SiN(折射率：2.0)不用於第二後端面膜32b，由於熱應 變較大且熱穩定性較低，儘管折射率較大。藉此，第一反 射膜32具有-熱釋放功能及—反射功能。第三後端面膜 33A由Si〇2(熱導率：0.125、折射率“ ：ι 45(<ni))製成。 第四後端面膜33B由TiCM折射率μ : 2.45(>nl))製成。由 於Si〇2與Ti〇2之間的折射率差異較大’為丨〇，因此第二反 射率33具有一高反射功能。 财述Si〇2具有一明顯低的折射率且適合用作反射膜的一 材料。同時，Si〇2具有成膜速度明顯低且輸出低的特徵。 因而，為改良輸出，需盡可能長地縮減si〇2之使用。因 此，在此具體實施例中，如上述，具有高反射率之第二反 射膜33由較小數目的具有一高折射率之§丨〇2及卩。〗層形 成。藉此，縮減SiCb之使用，且改良輸出。在不需要低折 射率材料（例如Si〇2)之第一反射膜32内，替代Si〇2，具有 高成膜速度的Ah。3或A1N用作具有一低折射率之層，並藉 109521-990728.doc 14· 1334249 此進一步改良輸出。此外，由於比較Al2〇3，Si〇2輕微且 有低熱釋，特徵且輕微具有低熱穩定性，因此需保持包ς Si〇2之膜讀該後端面。因此，在此具體實施例十，在包 含Si02的第二反射膜33與該後端面之間提供具有高孰釋= 特徵的第一反射膜32，並藉此降低熱之影響。 如上述’藉由由該複數個反射膜（第_反射膜32與第二 反射膜33)形成後端面膜31，針對各反射膜可加寬在配 置、層數、材料及類似物方面的選擇範圍。藉此，如上 述’可使用配置、總層數或其他材料改良一材料之 徵。 同時，在主發射側上的一膜（前端面膜51)具有一多層結 構八中具有一給定厚度的一高折射率層52與具有一厚度 制於高折射率層52之厚度的一低折射率層抑此次序^ 疊於該前端面上，並係調整以滿足一第一規格。 明確而言’高折射率層52由—从〇3層製成，而低折射 率層53由一 Si〇2層製成。Ah〇3層之厚度從3〇 ^^至的 nm，其不同於藉由將66〇 nn^t78〇 nm除以為折射率） 所獲得之值或藉由將660 11„1及78〇 nm之平均值除以4n所獲 得之值（源自雷射光波長函數之值）。例如，當Abo〗層之厚 度為大約30 nm時，Si〇2層之厚度從85 1^至12〇 nm ;當 Ai2〇3層之厚度為大約50 nm時，si〇2層之厚度從5〇 至 70 nm，且备a12〇3層之厚度為大約6〇 nm時，Si〇2層之厚 度從 40 ηιη至 80 nm。 例如可按下列來製造具有前述結構之二波長雷射二極 109521-990728.doc 1334249 體裝置。 首先，製造第一裝置部分20A之雷射結構。針對此製 造，例如藉由MOCVD法在基板10上形成半導體層21八。例 如’使用三曱基鋁（TMA)、三曱基鎵（TMG) '三甲基姻 (TMIn)或磷化氫（PH3)作為AlGalnP半導體的一原材料。例 如，使用硒化氫（Hee)作為施體雜質的一原材料。例如， 使用二曱基鋅（DMZn)作為受體雜質的一原材料。 明確而言，首先’在基板10上依此次序層疊該η側接觸 層、該η型包覆層、主動層22Α、該ρ型包覆層、該ρ型接觸 層以形成半導體層2 1Α。隨後，例如藉由乾式蝕刻法，使 用圖案化來提供該ρ侧接觸層及該ρ型包覆層，使得獲得一 狹窄條狀凸起部分以形成脊23 A。 接下來，製造第二裝置部分20B之雷射結構。針對此製 造，例如藉由MOCVD法來在基板1〇上形成半導體層216。 例如，使用TMA、TMG、TMIn或三氫化砷（As%)作為 GaAs半導體的一原材料。例如，使用ηα作為施體雜質 的一原材料。例如，使用DMZn作為受體雜質的一原材 明雖而言，首*，在基板10上依此次序層疊心側击 層、該η型包覆層、主動層22B、該？型包覆層、該ρ型去 層以形成半導體層21B。隨後’例如藉由乾式姓刻法: 用圖案化來提供該ρ側接觸層及該p型包覆層，使得㈣ 狹窄條狀凸起部分以形成脊23B。藉此，如圖从所^ -裝置部分20A之雷射結構與第二襄置部分2〇B之雷身 I09521-990728.doc 16 1334249 構係配置於基板ίο上。 接下來，藉由汽相沈積或喷濺在該等脊23 A及23B之頂 部面上與在表面A及B上形成一絕緣材料，例如SiN。此 後，如圖3B所示，藉由蝕刻移除對應於該等脊23A及23B 之頂部面的絕緣材料區域。藉此，在表面A及B上形成絕 緣層2 5。
接下來，如圖1所示，在表面上依此次序層疊並形成p側 電極26A與線路層28A，其從脊23A之p側接觸層之表面連 續至絕緣層25之表面。此外，在表面上依此次序層疊並形 成p側電極26B與線路層28B，其從脊23B之p側接觸層之表 面連續至絕緣層25之表面。此外，在基板10之後面上形成 η側電極2 7。
接下來，在垂直於脊23Α及23Β之延伸方向的面上劈開 產生物。此後，在所劈開的面上採用一製程形成前端面膜 3 1與後端面膜32。如上述，製造此具體實施例中的二波長 雷射二極體裝置。 接下來，將說明此具體實施例中的二波長雷射二極體裝 置之動作及效果。 在此具體實施例中的二波長雷射二極體裝置中，當一給 定電壓施加於p側電極26A、26B與η側電極27之間時，一 電流注入主動層22 Α及22Β内，且由於電洞重新組合而產 生發光。個別主動層22A及22B内所發射之光藉由前端面 膜30與後端面膜31反射並產生雷射震盪。然後，在660 nm 波長下的雷射光從前端面膜30之第一裝置部分20A向外發 109521-990728.doc 17 1334249 射，而在780 nm波長下的雷射光從前端面膜3〇之第二裝置 部分20B向外發射。如上述，第一裝置部分2〇A與第二裝 置部分20B可在相互不同的波長下發射雷射光。 如上述，後端面膜3 1具有單一結構，其採用一製程形成 於該後端面上。因而，後端面膜3〗不具有複數個結構，其 中依據雷射光發射之部位而調整材料、膜厚度、層結構及 類似物。因此，必需藉由該單一結構，針對二波長下的雷 射光’實現實用範圍内的反射率（9〇〇/。或更多）。 一般而5，其中藉由將一雷射光的一波長λ1與其他雷射 光之一波長22相加並將和除以2所獲得的一中間波長（u + λ2)/2為λο，該單一構造的後端面膜具有一結構，其中層疊 複數組具有高反射率及一膜厚度人〇的一膜與具有低反射率 及一膜厚度λο的一膜。在具有此一結構的後端面膜内，對 應於貫用範圍内的反射率之波頻帶較狹窄。因此，當組成 該後端面膜之各膜之膜厚度隨製造誤差或類似物而變化 時，至少一雷射光之頻帶下的反射率可能變得比實用範圍 更低’並可能減小良率。 例如，如圖4所示，在該後端面膜内，其中具有高反射 率之一膜由具有720 nm之一膜厚度之一乂2〇3膜製成而具 有低反射率之一膜由具有72〇 nm之一膜厚度之_ 丁丨〇2膜製 成，且其中層疊五層的前述A12〇3膜與前述丁丨〇2膜之組， 對應於實用範圍内之反射率的波頻帶之二端確切為一雷射 光之波長660 nm與其他雷射光之波長78〇 nm。因而，可確 定對應於實用範圍内之反射率的波頻帶明顯狹窄。此外， 109521-990728.doc •18· 1334249 因此，同時在660 nm頻帶及在78〇 nm頻帶下，制的反射 帛為實用範圍之下限反射率(9〇%”因此，當組成該後端 面膜之各膜之膜厚度隨製造誤差或類似物而變化時，至少 -雷射光之頻帶下的反射率可能變得比實用範圍更低，並 可能減小良率。 另一方面，此具體實施例之後端面膜包括後端面膜Μ， 其由該複數個反射膜（第一反射膜32與第二反射膜33)組 •成口此針對各反射膜可加寬在配置、層數、材料及類 似物方面的選擇範圍。藉此，可加寬對應於實用範圍内之 反射率的波頻帶。 例如，如圖5所示，在後端面膜31内，其中第一後端面 膜32A由具有720 nm之一膜厚度的一入丨2〇3膜製成，第二後 端面膜32B由具有72G nm之—膜厚度的—TiQ2膜製成，第 三後端面膜33A由具有720 nm之一膜厚度的一以〇2膜製 成，而第四後端面膜33B由具有720 nm之一膜厚度的一 φ Τι〇2膜製成’且其中層疊一組第一後端面膜32A與第二後 端面膜32Β及三組第三後端面膜33Α與第四後端面膜别， 對應於實用範圍内之反射率的波頻帶之二端為62〇 nm與 810 nm。因而，對應於實用範圍内之反射率的波頻帶明顯 寬廣且具有足夠的邊界。此外，因此，可確定同時在 66〇 nm頻帶及780 nm頻帶下獲得95%之高反射率且此一 值明顯超過實用範圍内的下限反射率（9〇%)。藉此，即使 組成後端面膜31之各膜之膜厚度隨製造誤差或類似物而變 化，不存在任何相關反射率小於實用範圍内之下限反射率 109521-990728.doc 1334249 之風險，或不存在任何降低良率之風險。 在依據此具體實施例之二波長雷射二極體裝置中，縮減 在後端面膜31内的Si〇2之使用。因此，除高反射率及足夠 邊界外，二波長雷射二極體裝置具有在實用範圍内的熱釋 放特徵且可進一步改良輸出。 如上述，依據此具體實施例之二波長雷射二極體裝置， 包括後端面膜31，其由該複數個反射膜（第一反射臈32與 第二反射膜33)組成。因此，可改良熱釋放特徵及成膜速 度，且後端面膜31之反射率在寬廣頻帶下較高。結果，可 在660 nm頻帶及780 nm頻帶下同時獲得高反射率而熱釋 放特徵及成膜速度在實用範圍内。 如上述，刖端面膜5 1具有單一結構，其採用一製程形成 於該前端面上。因而，前端面膜51不具有複數個結構其 中依據雷射光發射之部位而調整材料、膜厚度、層結構及 類似物。因此，必需藉由一單一結構針對在二波長下的雷 射光以滿足一給疋規格（同時在66〇 nm頻帶及nm頻帶 下之反射率從6%至8%之一規格（第一規格））。 一般而言，該單一構造的前端面膜具有一單一層結構。 否則„亥單構造則端面膜具有一結構，其中層疊一或複 數組具有一厚度^之一高折射率層與具有一厚度^之一低 折射率層，其中藉由將一雷射光之一波長"與其他雷射光 之一波長λ2相加並將和除以2所獲得之一中間波長 (λ1+λ2)/2為λο。在具有此—結構之前端面財，在該二波 長雷射二極體所發射之雷射光之各波頻帶内的反射率難以 109521-990728.doc •20· 1334249 獨立控制。因此，若針對各波頻帶可獲得滿足一規格之反 射率二料對該規格實際上幾乎不存在任何厚度邊界、结 果，當該單-層結構之厚度或組成多層結構之各層之厚度
隨製造誤差或類似物而變化時 +44_丄 A 文化％ ’在任一雷射光之頻帶下的 反射率可能處於規袼之外，且可能減小良率。特定古之， ^6〇nm頻帶及78〇nm頻帶下的二波長雷射二極體中考 量製造誤差或類似物，極難形成滿足-給定規格之-層結 構。 例如’如圖6所示’在具有由八叫所製成之—單一層结 構之前端面内，滿足前述規格之厚度僅為大約33G⑽且反 射率為8%’其為該規格之上限。因此，當組成該前端面 膜之各層之厚度隨製造誤差或類似物而變化時，至少一雷 射光之頻帶下的反射率可能處於規格之外，並可能減小良 率。因此，可確定同時在660 nm頻帶及78〇⑽頻帶下的反 射率極難滿足一給定規格。 同時’在此具體實施例之二波長雷射二極體裝置中，在 單-構造的前端面膜51内，高折射率層52與低折射率層Μ 依此次序層疊於該前端面上，且該高反射率層之厚度係非 雷射光波長之-函數的一值。因此’可相對自由地控制 _ nm頻帶及780⑽頻帶下的反射率，且可加寬在該等波 長下的反射率之厚度邊界。 例如，如圖7所示，當高折射率層叫⑽⑽厚的_ Al2〇3層時，若低折射率層53為從5() _至7()⑽厚的_ Sl〇2層，則滿足前述規格。否則’儘管未顯示，當高折射 I09521-990728.doc -21 · 1334249 率層52為45 nm厚的一 Al2〇3層時，若低折射率層53為從6〇 nm至90 nm厚的一 Si〇2層，則滿足前述規格。否則，當高 折射率層52為60 nm厚的一 AhO3層時，低折射率層53可以 係從40 nm至80 nm厚的一 Si〇2層。如上述，可確定當高折 射率層52為從45 nm至60 nm厚的一 a12〇3層時，可滿足前 述規格’且在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反射率之厚度 邊界較大。此外，可確定比較圖6之厚度，圖7之前端面膜 5 1之厚度明顯較薄。 如上述，依據此具體實施例之二波長雷射二極體裝置， 包括前端面膜51，其中依此次序層疊高折射率層52及低折 射率層53。此外，高折射率層52之厚度係非雷射波長之一 函數的一值。因此，在660 nm頻帶及78〇 nm頻帶下的反射 率之厚度邊界變得較大。藉此，即使組成多層結構的各層 之厚度隨製造誤差或類似物而變化，不存在任一雷射光之 波長頻帶下的反射率變得處於規格之外之風險，或不存在 降低良率比率之風險。結果，在66〇 nm頻帶及78〇 nm頻帶 下的反射率可滿足一給定規格。 此外，由於刖端面膜5 1具有一多層結構，因此其厚度可 比單一層結構更薄。 [第二項具體實施例] 接下來，將說明依據本發明之一第二具體實施例之一二 波長雷射二極體裝置。圖8顯示依據此具體實施例之二波 長雷射二極體裝置之一平面結構。圖8顯示該二波長雷射 一極體裝置之一模型，且尺寸與形狀不同於實際使用的該 109521-990728.doc •22- 1334249 寺·一波長雷射二極體裝置。 當與前述第-具體實施例之結構進行比較時，不同的係 該二波長雷射二極體裝置包括—後端面膜41。因而，適當 時將省略類似第一具體實施例之結構、動作及效果之^ 明’且以下將主要提供後端面膜4 1之說明。 後端面膜41具有：一第一反射膜42，其中一或複數組具
有-折射率nl及-膜厚度λ。之一第—後端面臈42a與具有 -折射率n2(>nl)及-膜厚度λ。之—第二後端面膜42b層叠 於該後端面膜_L; 一第二反射膜43’ #中一或複數組具有 折射率n3($nl)及一膜厚度λ〇的一第三後端面膜43八與 具有一折射率n4(>nl)及一膜厚度λ0之一第四後端面膜43β 層疊於第一反射膜42上；以及一第三反射膜44，其中一或 複數組具有一折射率n5( g nl)及一膜厚度λ〇之一第五後端 面膜44Α與具有一折射率η6(>η1)及一膜厚度λ〇之一第六後 端面膜44Β層疊於第二反射膜43上。 明確而言，第一後端面膜42八由Abo〆熱導率：〇 2、折 射率nl : 1.65)或Α1Ν(熱導率·· 2·85、折射率η1 : 2⑴。第 二後端面膜42B由Ti02 (折射率n2 : 2.45 (>nl))製成。藉 此，類似第一反射膜32，第一反射膜42同時具有一熱釋放 功能及一反射功能。第三後端面膜43A由a12〇3(熱導率： 0.2、折射率n3 : 或A1N (熱導率：2 85、折射率 n3 : 2·11(<η1))製成。第四後端面膜43B由a-Si(折射率1!4 : 3·65(>ηι))製成。由於a_Si與Ti〇2之間的折射率差異較大， 為2.2，因此第二反射膜43具有一高反射功能。第五後端 109521-990728.doc •23· 1334249 面膜44A由Al2〇3(熱導率：〇.2、折射率n5 · i 65(=ni乃或 A1N(熱導率：2.85、折射率ni : 2·11(<η1))製成。第六後 端面膜44Β由Ti〇2(折射率^ 2·45(>η1))製成。藉此，類 似第一反射膜42,第三反射膜44同時具有一熱釋放功能及 一反射功能。 m述a-Si具有a-Si吸收660 nm頻帶下之光之特性。因 而’需保持a-Si層遠離該後端面。因此，在此具體實施例 中，如上述，藉由在該a_Si層與該後端面之間形成第一反 射膜42，減小光吸收，且可在66〇 nm頻帶下實現高反射 〇 如上述，藉由由該複數個反射膜（第一反射膜42、第二 反射膜43及第三反射膜43)形成後端面膜41，針對各反射 膜可加寬在配置、層數、材料及類似物方面的選擇範圍。 藉此，如上述，可使用配置、總層數、或其他材料改良一 材料之不利特徵。結果，可加寬對應於實用範圍内之反射 率的波長’而熱釋放特性及成膜速度在實用範圍内。 圖9顯示後端面膜41之一範例。在圖9之後端面膜41中， 第一後端面膜42A由具有720 nm之一膜厚度的一 a12〇3膜製 成’第二後端面膜42B由具有720 nm之一膜厚度的一 膜製成，第三後端面膜43A由具有720 nm之一膜厚度的— Al2〇3膜製成’第四後端面膜43b由具有72〇 nm之一膜厚度 的一 a-Si膜製成，第五後端面膜44A由具有720 nm之一膜 厚度的一 Al2〇3膜製成，而第六後端面膜44B由具有一72〇 nm之一膜厚度的一71〇2膜製成。後端面膜41具有一結構， 109521-990728.doc •24- 1334249 其中層疊二組第一後端面膜42A與第二後端面膜42b、— 組第二後端面膜43入與第四後端面膜43B以及二組第五後 端面膜44 A及第六後端面膜44b。 如上述，藉由從該後端面分離而提供該&_§丨膜，對應於 實用範圍内之反射率之波頻帶之兩端為62〇 11111與9〇() nm。 因而，可確定對應於實際範圍内之反射率的波頻帶明顯較 覓且具有足夠的邊界。此外，因此可確定可同時在66〇 讀P nm頻帶及780 nm頻帶下獲得97%之高反射率，且此一值明 顯超過實用範圍内的下限反射率（9G%)。#此，即使組成 後端面膜41之各膜之臈厚度隨製造誤差或類似物而變化， 不存在任何反射率小於實用範圍内之下限反射率之風險， 或不存在任何降低良率之風險。 在此具體實施例之二波長雷射二極體裝置中，第一反射 膜42與第二反射膜44具有一熱釋放功能，且μα不用於後 女而面膜41。因此，除該二波長雷射二極體裝置具有高反射 Φ率與足夠邊界之外’此具體實施例之二波長雷射二極體裝 置具有在實用範圍内的熱釋放功能且可進一步改良輸出。 如上述’依據此具體實施例之二波長雷射二極體裝置， 包括後端面膜41，其由該複數個反射膜（第一反射膜42、 第二反射膜43及第三反射膜44)組成。因此，可改良熱釋 放特徵及成膜速度，且後端面膜41之反射率在寬廣頻帶下 較南°結果’可同時在66〇 nm頻帶及780.nm頻帶下獲得高 反射率’而熱釋放特徵及成膜速度在實用範圍内。 [第三項具體實施例] J09521-990728.doc -25- 1334249 接下來，將說明依據本發明之一第三具體實施例之—二 波長田射—極體裝置。圖10顯示依據此具體實施例之二皮 長雷射二極體裝置之—平面結構。圖聰㈣二波切射 :極體裳置之-模型’且尺寸與形狀不同於實際使用的該 尋二波長雷射二極體裝置。 當與前述第-具體實施例之結構進行比較時，不同的係 該二波長雷射二極體裝置包括一前端面膜心因而，適合 時將省略類似[具體實施例之結構、動作及效果之: 明，且以下將主要提供前端面膜61之說明。 如端面膜61具有一多層結構，其中具有—給定厚度之一 高折射率層62與具有-厚度對應於高折射率層度的 一低折射率層63依此次序層疊於該前端面上。進行調整， 使得可滿足在660 nm頻帶下的反射率從6%至8%而在⑽ nm下的反射率為鳩或更多之—規格（以下稱$「第二規 格」）。 明確而言，類似第一具體實施例之前端面膜51，在前端 面膜61中，高折射率層62由一 Aha層製成’而低折射率 層63由一 SiCb層製成。該a12〇3層與該Si〇2層具有一厚度， 其不同於源自雷射波長之一函數的值。例 >，該^办層 之厚度從210⑽至咖nm，而該Si〇2層之厚度從7〇⑽至 110 nm。 圖11顯示前端面膜61之一反射率分佈之—範例。如圖U 所示，當高折射率層62為大約220 nm厚的—A1203層時， 若低折射率層63為從80 !^至110 nm厚的—Si〇2層則滿 109521-990728.doc •26- 1334249 足前述規格。否則’儘管未顯示’當高折射率層62為大約 210 nm厚的一 Al2〇3層時，若低折射率層63為從75 1^至 105 nm厚的一 Si〇2層，則滿足前述規格。否則，當高折射 率層62為大約230 nm厚的一 Ab〇3層時，低折射率層63可 以係從70 nm至100 nm厚的一 Si〇2層。如上述，可確定告 南折射率層62為從210 nm至230 nm厚的一 a12〇3層時，可 滿足前述規格’且在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反射率 之厚度邊界較大。 此外，在圖11之前端面膜61中，當前端面膜61之厚度設 定為從305 nm至325 nm之範圍時，在該規格範圍内，在 660 nm頻帶下的反射率幾乎恒定（從6%至8%範圍）。因 此¥低折射率層63之厚度在從85 nm至105 nm之範圍改 變時，可改變在780 nm頻帶下的反射率並設定在該規格範 圍内（20%或更多）而不改變在660 nm頻帶下的反射率。藉 此，可確疋藉由將鬲折射率層62之厚度設定為一給定厚度 馨並改變低折射率層63之厚度，可獨立地控制在66〇 nm頻帶 及780 nm頻帶下的反射率。 如上述’依據此具體實施例之二波長雷射二極體裝置， 包括刖端面膜61，其中依此次序層疊高折射率層62及低折 射率層63。此外，高折射率層62之厚度係非雷射波長之一 函數的一值。因此，在66〇 nm頻帶及78〇 nm頻帶下的反射 率之厚度邊界變得較大。藉此，即使組成多層結構的各層 之厚度隨製造誤差或類似物而變化，不存在任一雷射光之 波長頻帶下的反射率變得處於規格之外之風險，或不存在 I0952U990728.doc -27- 降低良率比率之風險。結果，在66〇肺頻帶及⑽頻帶 下的反射率可滿足一給定規格。 藉此*由將南折射率層62之厚度設定為一給定厚度並 改變低折射率層63之厚度，可獨立地控制在660 nm頻帶及 780 nm頻帶下的反射率。 [第四項具體實施例] 接下來，將說明依據本發明之一第四具體實施例之一二 波長雷射二極體裝置。圖12顯示依據此具體實施例之二波 長雷射二極體裝置之一平面結構。圖12顯示該二波長雷射 一極體裝置之一模型，日 、 尺寸與形狀不同於實際使用的該 等二波長雷射二極體裴置。 士當與前述第-具體實施例之結構進行比較時，不同的係 ”亥一波長雷射一極體裝置包括一前端面膜7卜因而，適备 時將省略類似第一具體實施例之結構、動作及效果之： 月且以下將主要提供前端面膜71之說明。 前端面膜71具有—多層結構，其中在該前端面上包括具 有^給定厚度之-高折射率層72與具有一厚度對應於高折 射率層72之厚度的—低折射率㈣，且該等高折射率層η 在其間具有低折射率層73。進行調整，使得可滿足第二規 格。 山明確而[不同於第-具體實施例之前端面膜51，在前 %面膜71中’高折射率層72由—⑽層製成，而低折射率 s 73由Al2〇3層製成。該Ti〇2層與該Al2〇3層且右 度，其不同於源自雷射光波長之一函數之值：例二: 109521-990728.doc -28- 1334249 ⑽層之厚度從1()謂至15 nm’而該Ai2〇3層之厚度從Η nm至 1 00 nm。 圖13顯示前端面膜71之一反射率分佈之—範例。如㈣ 所示，當高折射率層72為大約12,5nm厚的一叫層時若 低折射率層73為從15 11111至1〇〇 nm厚的一八丨2〇3層則滿足 前述規格。否貝J，儘管未顯示’當高折射率層72為大約1〇 nm厚的-Ti〇2層時，若低折射率㈣為從15⑽至⑽⑽ 厚的一Al2〇3層，制足前述規格。否則，當高折射率層 72為大約15 nm厚的一 Ti〇2層時，低折射率層乃可以係從 15 nm至100 nm厚的一 Al2〇3層。如上述，可確定當高折射 率層72為從1〇咖至15 nm厚的一 Ti〇2層時，可滿足前述規 格，且在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反射率之厚度邊界 較大。 如上述，依據此具體實施例之二波長雷射二極體裝置， 提供前端面膜71，其中包括高折射率層72及低折射率層 73。此外，高折射率層72之厚度係非雷射波長之一函數的 一值。因此，在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反射率之厚 度邊界變得較大。藉此，即使組成該多層結構的各層之厚 度隨製造誤差或類似物而變化，不存在任一雷射光之波頻 帶下的反射率變得處於規格之外之風險，或不存在降低良 率比率之風險。結果’在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反 射率可滿足一給定規格。 [第五具體實施例] 接下來’將說明依據本發明之一第五具體實施例之一二 109521-990728.doc -29- 波長雷射二極體裝置。 長雷射二極Mb工不依據此具體實施例之二波 二極體穿置！ 平面結構。圖14顯示該二波長雷射 等二波；ΐ:—模型’且尺寸與形狀不同於實際使用的該 反長毎射二極體裝置。 虽與前述第四具體實施例 該二波長雷射二極體裝置包括進订比較時，不同的係 明，下Γ四具體實施例之結構、動作及效果之說 ^ 將主要提供前端面臈81之說明。 前端面膜81具有一多芦社槎 有 有▲多層、·-構，其中在該前端面上包括具 又之一咼折射率層82與具有一厚 =㈣之厚度的-低折射率層83,且該等高㈣率^ 、間具有低折射率層83。進行調整，使得可滿足在660 ",帶下的反射率為6%或更多而在78〇nm下的反射率為 從6%至8%之_規格(以下稱為「第三規格」）。 明確=言’類似在前述第四具體實施例中，在前端面膜 中同折射率層82由一Ti〇2層製成，而低折射率層83由 一 Al2〇3層製成。該Ti〇2層與該Α!2〇3層具有一厚度，其不丨 同於源自田射光波長之一函數之值。例如，該層之厚 度认55 nm至65 nm，而該a12〇3層之厚度從15 11111至1〇() nm ° 圖15顯示前端面膜81之一反射率分佈之一範例。如圖15 所示，¥向折射率層82為大約60 nm厚的一 Ti02層時，若 低折射率層83為從55 nm至65 nm厚的一 a12〇3層，則滿足 刖述規格。否則，儘管未顯示，當高折射率層82為大約55 109521-990728.doc -30· 1334249 nm厚的一 Ti〇2層時，若低折射率層83為從15 nm至100 nm 厚的一 ai2o3層，則滿足前述規格。否則，當高折射率層 82為大約65 nm厚的一 Ti02層時，低折射率層83可以係從 15 nm至100 nm厚的一 Al2〇3層。如上述，可確定當高折射 率層82為從55 nm至65 nm厚的一Ti〇2層時，可滿足前述規 格，且在6 6 0 nm及780 nm頻帶下的反射率之厚度邊界較 大。
此外，在圖15之前端面膜81中，當前端面膜81之厚度設 定為至少從150 nm至200 nm之範圍時，在該規格範圍（從 6%至8%之範圍）内，在780 nm頻帶下的反射率幾乎恒定。 因此，當低折射率層83之厚度在至少從90 nm至140 nm之 範圍内改變時，可改變在660 nm頻帶下的反射率並設定在
該規格範圍内（6°/。或更多）而不改變在780 nm頻帶下的反射 率。藉此，可確定藉由將高折射率層82之厚度設定為一給 定厚度並改變低折射率層83之厚度，可獨立地控制在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反射率。 如上述，依據此具體實施例之二波長雷射二極體裝置， 提供前端面膜81，其中包括高折射率層82及低折射率層 83。此外，高折射率層82之厚度係非雷射波長之一函數的 一值。因此，在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反射率之厚 度邊界變得較大。藉此，即使組成該多層結構的各層之厚 度隨製造誤差或類似物而變化，不存在任一雷射光之波頻 帶下的反射率變得處於規格之外之風險，或不存在降低良 率比率之風險。結果，在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的反 109521-990728.doc -31 - 1334249 射率可滿足一給定規格。 藉此，藉由將高折射率層82之厚度設定為一給定厚度並 改變低折射率層83之厚度’可獨立地控制在660 nm頻帶及. 780 nm頻帶下的反射率。 k笞以上參考該等具體實施例提供本發明之說明，但本 發明不限於該等前述具體實施例，且可作各種修改。 例如，在该等前述具體實施例中，已說明將本發明施加 至二波長雷射二極體裝置之情況。然而，本發明不限於前 述二波長雷射二極體裝置，但可將其施加至多波長雷射二% 極體。此時，可採用一步驟與前述前端面膜31或41一起形 成’或可分離地形成該後端面膜，其反射除66〇 nm頻帶及 780 nm頻π外之頻帶下的雷射光。此外，可採用一步驟與 前述前端面膜51、61、71或81一起形成，或可分離地形成 該前端面膜，其反射除660 nm頻帶及78〇 nm頻帶外之頻帶 下的雷射光。此外，本發明可施加至一雷射二極體裝置， 其中發射在660 nm頻帶及780 nm頻帶下的至少一者之複數 個雷射光。 _ 此外’在該等前述具體實施例中，已參考作為第一裝置 部分20A的AlGalnP族III-V化合物雷射二極體裝置及作為 第二裝置部分20B的Ga As族III-V化合物雷射二極體裝置及 其組合物及結構之範例提供說明。然而’本發明可類似地 施加至具有其他組合物及其他結構的一雷射二極體裝置。 熟習此項技術者應明白，可取決於設計要求及其他因素 發生各種修改、組合、次組合及替代’只要其係在隨附申 109521-990728.doc •32· 丄334249 睛專利範圍或其等同内容之範疇内。 【圖式簡單說明】 圖1係依據本發明之一第一具體實施例之—_ 二極體之一斷面結構圖； 、田射 圖2係圖R二波長雷射二極體之_平面結構圖； 圖3A及3B係用於解釋圖i之二波 队由町一極體之製诰牛 驟之部分之斷面； 表k步 圖4係顯示—已知後端面膜之—反 範例之-曲線圖； ”佈之-說明性 說明性 〜圖5係顯示圖2之一後端面膜之一反射率分佈之 範例之一曲線圖； 反射率分佈之 說明性 圖6係顯示一已知前端面膜之 範例之一曲線圖； 範前端面膜^反射率分佈之—說明性 波長雷射 圖8係依據本發明之一第_ 木一具體貫施例之 極體之一平面結構圖； 圖9係顯示圖8之一後端面膜 範例之-曲線圖； 、反射率分佈之-說明性 波長雷射 圖10係依據本發明之—第二 乐一具體貫施例之一 二極體之一平面結構圖； 說明 圖11係顯示圖10之一前端面膜 性範例之-曲線圖； 、&射率分佈之- 波長雷射 圖12係依據本發明之-第四具體實施例之一 I09521-990728.doc -33. 1334249 二極體之一平面結構圖； 圖13係顯示圖12之一前端面膜之一反射率分佈之一說明 性範例之一曲線圖； 圖14係依據本發明之一第五具體實施例之一二波長雷射 二極體之一平面結構圖，以及 圖15係顯示圖14之一前端面膜之一反射率分佈之一說明 性範例之一曲線圖。 【主要元件符號說明】 10 基板 20A 第一裝置部分 20B 第二裝置部分 21A 半導體層 21B 半導體層 22A 主動層 22B 主動層 23A 脊 23B 脊 24A 第一發光點 24B 第二發光點 25 絕緣層 26A p側電極 26B p側電極 27 η側電極 28A 線路層 109521-990728.doc -34- 1334249 28B 線路層 30 前端面膜 31 後端面膜/前端 32 第一反射膜/後 32A 第一後端面膜 32B 第二後端面膜 33 第二反射膜 33A 第三後端面膜 33B 第四後端面膜 41 後端面膜 42 第一反射膜 42A 第一後端面膜 42B 第二後端面膜 43 第二反射膜 43A 第三後端面膜 43B 第四後端面膜 44 第三反射膜 44A 第五後端面膜 44B 第六後端面錤 51 前端面膜 52 高折射率層 53 低折射率層 61 前端面膜 62 高折射率層 I09521-990728.doc -35- 1334249 63 低折射率層 71 前端面膜 72 高折射率層 73 低折射率層 81 前端面膜 82 高折射率層 83 低折射率層 109521-990728.doc -36-

Claims (1)

1334249 %年？月q曰修β正本i 十、申請專利範圍： 1. ·-種多波長雷射二極體，其包含： 一基板， 一第一裝置部分，其形成於該基板上並震盪一第一波 長的雷射光； 一第二裝置部分，其形成於該基板上並震盪一第二波 長的雷射光；
2. 一前端面膜，其採用一製程形成於該第一裝置部分之 一前端面及該第二裝置部分之一前端面上；以及 一後端面膜’其採用一製程形成於該第一裝置部分之 一後端面及該第二裝置部分之一後端面上， 其中該後端面膜具有 一第一反射膜’該第一反射膜具有一熱釋放功能及一 反射功能，其中一或複數組具有一折射率nl之一第一後 端面膜與具有一折射率n2(>nl)之一第二後端面膜層疊於 該後端面上，以及 一第二反射膜，其中一或複數組具有一折射率n3(g nl)之一第三後端面膜與具有一折射率n4(>ni)之一第四 後端面膜層疊於該篦—^ , 曰且仏邊弟反射膜上，其中該前端面膜包括 具有-給定厚度的一高折射率層與具有一厚度對應於該 後端面上的該高折射率層之厚度的一低折射率層。 其中該第一後端面膜 如請求項1之多波長雷射二極體， 包括_A!2〇3膜或一A1N膜， 該第二後端面膜包括一 Ti〇2膜， 109521-990728.doc 該第三後端面膜包括一Si02膜，以及 該第四後端面膜包括一 Ti02膜。 3·如請求項1之多波長雷射二極體’其中該後端面膜進一 步包括一第三反射膜，其中一或複數組具有一折射率 n5($nl)之一第五後端面膜與具有一繞射n6(>nl)之一第 六後端面膜層疊於該第二反射膜上， s玄第一後端面膜包括一 Ai2〇3膜或一 ain膜， 該第二後端面膜包括一 Ti02膜， s亥第二後端面膜包括一 Ai2〇3膜或一 ain膜， 該第四後端面膜包括一 a_Si膜， 該第五後端面膜包括一Al2〇3膜或一 A1N膜，以及 該第六後端面膜包括一 Ti02膜。 4. 如請求項1之多波長雷射二極體，其中該高折射率層係 從30nm至6〇nm厚的一八12〇3層，以及 该低折射率層係從4〇 nm至120 nm厚的一 Si02層。 5. 如請求項4之多波長雷射二極體，其中當該八丨2〇3層之厚 度為大約30 nm時’該Si02層之厚度從85 nm至120 nm， 當該Al2〇3層之厚度為大約5〇 ηιη時，該Si〇2層之厚度 從50 nm至70 nm，以及 當該Al2〇3層之厚度為大約6〇 nm時，該SiCh層之厚度 從 40 nm至 80 nm。 6. 如請求項1之多波長雷射二極體，其中該高折射率層係 從l〇nm至15nm厚的一Ti〇2層，以及 該低折射率層係從15nm至100nm厚的一入1203層。 10952l-990728.doc _2_ 1334249 7·如請求項1之多波長雷射二極體，其中該高折射率層係 從21〇nm至230 nm厚的一 Α12〇3層，以及 該低折射率層係從7〇nm至llOnm厚的一 Si〇2層。 8.如凊求項7之多波長雷射二極體，其中當該Α1ζ〇3層之厚 度為大約210 nm時，該Si〇2層之厚度從8〇⑽至^^ nm，
9. 田"亥Al2〇3層之厚度為大約220 nm時，該si〇2層之厚产 攸75 nm至105 nm，以及 當該Ah〇3層之厚度為大約230 nm時，該Si〇2層之厚度 從 70 nm至 1〇〇 nm。 如請求項1之多波長雷射二極體，其中該高折射率層係 從55nm至65nm厚的_Ti〇2層，以及 低折射率層係從bum至l〇〇nm厚的一 Al2〇3層。 10.如請求項1之多波長雷 從负田射一極體，其中該第二後端面膜 包括有局熱穩定性及一高折射率的材料。
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