JP2003218452A - 半導体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍ
より小さくて、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導
体レーザ装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 共振器後端面近傍の領域において、断面
略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上
クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック
層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およ
びｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。共振器前端
面近傍のメサストライプ形状の第二上クラッド層１０９
直上にはキャップ層１１０が設けられる。これにより、
共振器後端面近傍の領域における多重歪量子井戸活性層
１０５への注入電流密度は、他の領域における多重歪量
子井戸活性層１０５への注入電流密度よりも低減され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装
置、特に、高出力・高信頼性・長寿命を実現できる半導
体レーザ装置、および、それを用いた光ディスク再生記
録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信装置や光記録装置などに用
いられる半導体レーザ装置は、その高速化・大容量化と
いったニーズに伴い、半導体レーザ装置の様々な特性を
向上させるための研究開発が進んでいる。

【０００３】従来、ＣＤやＣＤ−Ｒ／ＲＷといった光デ
ィスク再生（記録）装置に用いられる７８０ｎｍ帯の半
導体レーザ装置は、ＡｌＧａＡｓ系の材料により作製さ
れている。また、共振器前端面に低反射率コーティング
膜を設け、共振器後端面に高反射率コーティング膜を設
けて、上記高反射率コーティング膜を備えている上記共
振器後端面にて半導体レーザ装置内部のレーザ光を大部
分反射して、上記低反射率コーティング膜を備えている
共振器前端面から高出力なレーザ光を得ている。

【０００４】上記従来のＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ
装置の概略図を図１５に示す。この半導体レーザ装置
は、ｎ−ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層５０２、ｎ−Ａｌ_{０．４８５}Ｇａ_{０．５１５}Ａｓ第
一下クラッド層５０３、ｎ−Ａｌ_０．５５Ｇａ_０．４５
Ａｓ第二下クラッド層５０４、Ａｌ_０．２８Ｇａ_{０．７
２}Ａｓ下ガイド層５０５、図示しないＡｌ_０．１２Ｇａ
_０．８８Ａｓ井戸層（層厚８０Å、３層）とＡｌ
_０．３３Ｇａ_０．６７Ａｓ障壁層（層厚５０Å、２層）
を交互に配置してなる多重量子井戸活性層５０６、Ａｌ
_０．２８Ｇａ_０．７２Ａｓ上ガイド層５０７、ｐ−Ａｌ
_０．５５Ｇａ_０．４５Ａｓ第一上クラッド層５０８、ｐ
−ＧａＡｓエッチストップ層５０９を順次積層してい
る。さらに、上記エッチストップ層５０９上に、メサス
トライプ状のｐ−Ａｌ_０．５５Ｇａ_０．４５Ａｓ第二上
クラッド層５１０を設け、その第二上クラッド層５１０
の上に庇状のｐ−ＧａＡｓキャップ層５１１を形成して
いる。また、上記第二上クラッド層５１０の両側のエッ
チストップ層５０９上には、ｎ−Ａｌ_{０．６８５}Ｇａ
_{０．３１ ５}Ａｓ第一電流ブロック層５１２およびｎ−Ｇ
ａＡｓ第二電流ブロック層５１３を積層して、メサスト
ライプ以外の領域を電流狭窄部としている。また、上記
第二電流ブロック層５１３上にはｐ−ＧａＡｓ平坦化層
５１４を設け、さらに、全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト
層５１５を積層している。そして、上記コンタクト層５
１５上および上記基板５０１下に、図示しないが、それ
ぞれ電極を配し、バーの状態にへき開後に、前端面に低
反射率コーティング膜５４１（反射率１３％、Ａｌ_２Ｏ
_３単層）を、後端面に高反射率コーティング膜５４２
（反射率８５％、Ａｌ_２Ｏ_３が４層、Ｓｉが３層を交互
に計７層）を蒸着して、図１５に示す構造の半導体レー
ザ装置を作製することができる。

【０００５】この半導体レーザ装置の光出力−電流特性
を図１０に示す。この半導体レーザ装置は、図１０から
分るように、しきい値電流はおよそ３５ｍＡであり、Ｃ
ＯＤ（光学損傷すなわち端面破壊）レベルがおよそ１６
０ｍＷである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＡｌＧａＡｓ系の材料を用いた半導体レーザ装置で
は、活性なＡｌの影響により、高出力駆動時に前端面に
おいてＣＯＤ（端面破壊）が起こりやすく、最高光出力
も１６０ｍＷ程度でしかなかった。このＣＯＤは、以下
のようなメカニズムによって生じていると考えられてい
る。すなわち、共振器端面において、Ａｌの酸化物によ
る表面準位が多いために、キャリアがこの準位を介して
吸収されて非発光再結合電流が流れ、局所的に温度が上
昇する。この温度上昇によって端面近傍のバンドギャッ
プが縮小し、さらにレーザ光の吸収が増加し、端面温度
が上昇する。このような正帰還を繰り返すことにより端
面が溶融して発振が停止すると考えられている。

【０００７】そこで、本発明者らはＡｌを含まない（Ａ
ｌフリー）材料による活性層を有する高出力半導体レー
ザ装置の研究を進めたところ、２５０ｍＷ近くまでの最
高光出力をもつ半導体レーザ装置を実現したものの、後
端面が急速劣化して発振が停止するという現象を確認し
た。

【０００８】そこで、本発明の課題は、ＧａＡｓ基板上
にＡｌフリー材料による活性層を有する高出力半導体レ
ーザ装置、特にＣＤ−Ｒ／ＲＷ用７８０ｎｍ帯高出力半
導体レーザ装置において、後端面の急速劣化を防止して
高出力駆動状態において高信頼性・長寿命を有する半導
体レーザ装置およびその製造方法並びに光ディスク再生
記録装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明者らが鋭意検討したところ、Ａｌフリー材料
を用いることで、いわゆる端面のＣＯＤ破壊は抑制され
ているものの、別の要因により後端面側が劣化するこ
と、さらに、電流密度、特に後端面近傍における電流密
度を低減させることで、この劣化が抑制されることを確
認した。

【００１０】本発明の半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ基
板上に、少なくとも、下クラッド層、夫々ＩｎＧａＡｓ
Ｐからなる井戸層および障壁層を有する量子井戸活性
層、上クラッド層が積層されており、共振器前端面およ
び共振器後端面に垂直な方向のストライプ状電流注入構
造を有し、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍ
より小さい半導体レーザ装置において、上記共振器前端
面に低反射率コーティング膜を、上記共振器後端面に高
反射率コーティング膜を設け、上記共振器後端面近傍の
領域における注入電流密度を他の領域における注入電流
密度よりも低減する構造を備えることを特徴としてい
る。

【００１１】上記構成によれば、量子井戸活性層がＩｎ
ＧａＡｓＰからなってＡｌを含まないため、酸化が起き
にくくてＣＯＤ（端面破壊）が起きにくいことに加え
て、上記共振器後端面近傍の領域における注入電流密度
を低減する構造によって共振器の後端面の急速劣化を防
止することができる。したがって、従来のＡｌＧａＡｓ
系の半導体レーザ装置では実現し得なかった高出力・高
信頼性・長寿命を有する半導体レーザ装置が実現でき
る。

【００１２】１実施の形態では、上記共振器後端面近傍
に電流非注入領域を設けている。

【００１３】上記実施の形態では、上記電流非注入領域
によって上記共振器後端面近傍の領域における注入電流
密度を低減することができる。したがって、共振器の後
端面の急速劣化を防止することができる。

【００１４】また、１実施の形態は、上記共振器前端面
近傍の領域における注入電流密度を低減する構造を備え
る。

【００１５】上記実施の形態では、上記共振器前端面近
傍の領域における注入電流密度を低減する構造によっ
て、共振器の前端面の急速劣化を防止することができ
る。

【００１６】また、１実施の形態では、上記共振器前端
面近傍に電流非注入領域を設けている。

【００１７】上記実施の形態では、上記電流非注入領域
によって上記共振器前端面近傍の領域における注入電流
密度を低減することができる。したがって、共振器の前
端面の急速劣化を防止することができる。

【００１８】また、１実施の形態では、上記共振器後端
面近傍の領域のみ、もしくは、上記共振器前端面近傍と
共振器後端面近傍の両方の領域にて、上記ストライプ状
電流注入構造が電流を阻止する半導体層により覆われて
いる構造をもつ。

【００１９】上記実施の形態によれば、上記共振器後端
面近傍の領域のみ、もしくは、上記共振器前端面近傍と
共振器後端面近傍の両方の領域にて、上記ストライプ状
電流注入構造が電流を阻止する半導体層により覆われて
いるから、上記共振器後端面近傍の領域、あるいは、上
記共振器後端面近傍および共振器前端面近傍の領域にお
ける注入電流密度を低減することができる。したがっ
て、共振器の後端面、あるいは、後端面および前端面の
急速劣化を防止することができる。

【００２０】また、１実施の形態では、上記基板が第一
導電型半導体からなり、上記ストライプ状電流注入構造
が第二導電型の半導体層からなり、上記電流を阻止する
半導体層が第一導電型半導体層からなることを特徴とす
る半導体レーザ装置。

【００２１】上記実施の形態によれば、ｐｎｐまたはｎ
ｐｎ接合を形成して、上記ストライプ状電流注入構造へ
の電流の注入を防止することができる。

【００２２】なお、本明細書では、第一導電型とはｎ型
またはｐ型を言い、第一導電型がｎ型であるときは、第
二導電型はｐ型になり、第一導電型がｐ型であるとき
は、第二導電型はｎ型になる。

【００２３】また、１実施の形態では、上記共振器前端
面の低反射率コーティング膜がＡｌ _２Ｏ_３からなり、上
記共振器後端面の高反射率コーティング膜がＡｌ_２Ｏ_３
／ＴｉＯ_２の多層膜からなる。

【００２４】通常、従来の半導体レーザ装置の後端面に
は、高反射率コーティング膜としてＡｌ_２Ｏ_３／Ｓｉの
多層膜が用いられる。一方、本実施の形態では、共振器
後端面の高反射率コーティング膜としてＡｌ_２Ｏ_３／Ｔ
ｉＯ_２の多層膜を用いている。本実施の形態のＡｌ_２Ｏ
_３／ＴｉＯ_２の多層膜におけるＴｉＯ_２は、従来のＡｌ
_２Ｏ_３／ＴｉＯ_２の多層膜におけるＳｉよりもレーザ出
射光の吸収が少なくて、強い材料であるため、共振器後
端面の劣化をより防止できる。

【００２５】また、１実施の形態では、上記井戸層が圧
縮歪を有する。

【００２６】上記実施の形態によれば、上記井戸層が圧
縮歪を有するから、上記ＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓ
Ｐからなる量子井戸活性層が、圧縮歪量子井戸活性層と
なって、特に７８０ｎｍ帯において高信頼性・長寿命・
高出力な半導体レーザ装置を実現できる。

【００２７】また、１実施の形態では、上記圧縮歪量が
３．５％以内である。

【００２８】上記実施の形態によれば、上記圧縮歪量が
３．５％以内であるので、より好適に高信頼性・長寿命
・高出力な半導体レーザ装置を実現することができる。

【００２９】また、１実施の形態では、上記障壁層が引
張歪を有する。

【００３０】上記実施の形態によれば、上記障壁層が引
張歪障壁層であるので、上記圧縮歪を有する井戸層に対
してその圧縮歪量を障壁層の引張歪で補償して、より安
定した結晶をもつ歪量子井戸活性層を作製することがで
きる。したがって、信頼性の高い半導体レーザ装置を実
現することができる。

【００３１】また、１実施の形態では、上記障壁層の有
している引張歪量が３．５％以内である。

【００３２】上記実施の形態によれば、上記引張歪量が
３．５％以内であるので、より好適に高信頼性・長寿命
・高出力な半導体レーザ装置を実現することができる。

【００３３】また、１実施の形態では、上記上クラッド
層と上記量子井戸活性層との間に上ガイド層を有する
か、または、上記下クラッド層と上記量子井戸活性層と
の間に下ガイド層を有するか、もしくは、上記上ガイド
層および上記下ガイド層の両方を有しており、上記各ガ
イド層はＡｌＧａＡｓからなり、かつ、上記量子井戸活
性層は、上記各ガイド層に接する部分が障壁層である。

【００３４】上記実施の形態によれば、上記ガイド層は
ＡｌＧａＡｓからなり、かつ、上記量子井戸活性層は、
上記ガイド層に接する部分が障壁層であって、発光再結
合のおこる井戸層にはＡｌＧａＡｓからなるガイド層が
隣接していないので、信頼性を確保しながら、キャリア
のオーバーフローはＡｌＧａＡｓからなるガイド層のコ
ンダクションバンドのエネルギー（Ｅｃ）、バレンスバ
ンドのエネルギー（Ｅｖ）により十分に抑制できる。し
たがって、高信頼性・長寿命・高出力な半導体レーザ装
置が得られる。

【００３５】また、１実施の形態では、上記各ガイド層
を構成するＡｌＧａＡｓのＡｌ混晶比が、０．２より大
きい。

【００３６】上記実施の形態によれば、上記ガイド層を
構成するＡｌＧａＡｓのＡｌ混晶比が、０．２より大き
いから、より好適に高信頼性・長寿命・高出力な半導体
レーザ装置を実現することができる。

【００３７】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上に少なくとも二層以上の半導体層を積層する工程
と、最も上の上記半導体層上にエッチングマスクを作成
する工程と、上記エッチングマスクを利用して、そのエ
ッチングマスクから遠い方の半導体層が上記エッチング
マスクに近い方の上記半導体層と部分的に離間するよう
にエッチングする工程と、上記エッチングマスクを超音
波洗浄にて除去すると共に、上記エッチングマスクに近
い方の上記半導体層の一部であって上記エッチングマス
クから遠い方の上記半導体層と離間している部分を超音
波にて除去する工程とを備えることを特徴としている。

【００３８】上記構成の半導体装置の製造方法によれ
ば、エッチングマスクを超音波洗浄で除去している際
に、上記エッチングマスクに近い方の半導体層の不要な
一部であって上記エッチングマスクから遠い方の上記半
導体層と離間している上記不要な一部が上記超音波洗浄
のエネルギーによってへき開等で欠けて除去される。こ
のように、超音波洗浄によって、エッチングマスクすな
わちレジストマスクを除去すると同時に、半導体層の不
要な部分を除去できて、製造工程を簡略化できる。

【００３９】ここで、上記半導体装置とは、例えば、半
導体レーザ装置、発光ダイオード、フォトダイオード、
接合型トランジスタ、ＦＥＴ（電界効果型トランジス
タ）等を含む。

【００４０】１実施の形態の半導体装置の製造方法で
は、上記半導体装置が、ストライプ状電流注入構造を有
し、かつ、共振器の端面近傍の領域における注入電流密
度を他の領域における注入電流密度よりも低減する構造
を有する半導体レーザ装置である。

【００４１】上記実施の形態によれば、上記ストライプ
状電流注入構造と上記注入電流密度を低減する構造とを
有する半導体レーザ装置を簡単安価に製造できる。

【００４２】また、１実施の形態の半導体装置の製造方
法は、上記半導体基板はＧａＡｓ基板であり、上記少な
くとも二層以上の半導体層は、発振波長が７６０ｎｍよ
り大きく８００ｎｍより小さい夫々ＩｎＧａＡｓＰから
なる井戸層および障壁層を有する量子井戸活性層と、ク
ラッド層と、そのクラッド層の直上のキャップ層を含
み、上記エッチングマスクは幅の広い部分と幅の狭い部
分を有し、かつ、上記エッチングマスクは上記キャップ
層上に設けられ、上記キャップ層および上記クラッド層
が上記エッチング工程によって、上記キャップ層に幅の
広い部分と幅の狭い部分が形成されるように、かつ、上
記クラッド層の幅が上記キャップ層の幅よりも狭くなる
ように、上記キャップ層および上記クラッド層がエッチ
ングされると共に、上記エッチングマスクの上記幅の狭
い部分の対応する上記クラッド層の部分が上記幅の狭い
キャップ層の部分から離間させられ、上記超音波洗浄に
て上記キャップ層の幅の狭い部分が除去され、上記除去
された幅の狭いキャップ層の部分の下の上記クラッド層
の上に電流ブロック層が設けられることを特徴としてい
る。

【００４３】上記実施の形態によれば、上記幅の広い部
分と幅の狭い部分を有するエッチングマスクを用いるエ
ッチンによって、上記キャップ層に幅の広い部分と狭い
部分が形成されると共に、上記クラッド層がエッチング
されて、上記エッチングマスクの上記幅の狭い部分の対
応する上記クラッド層の部分が上記幅の狭いキャップ層
の部分から離間させられる。そして、上記超音波洗浄の
エネルギーによって、エッチングマスクの除去と同時
に、上記キャップ層の幅の狭い部分が簡単に除去され
る。このキャップ層の幅が狭い部分が除去されたクラッ
ド層の部分の上に設けられた電流ブロック層が、電流非
注入領域となる。

【００４４】本発明の光ディスク再生記録装置は、上記
半導体レーザ装置を備える。

【００４５】上記構成の光ディスク再生記録装置では、
上記半導体レーザ装置が従来の半導体レーザ装置よりも
高い光出力で動作するため、光ディスクの回転数を従来
よりも高速化してもデータの読み書きが可能である。し
たがって、本発明の光ディスク再生記録装置は、特に書
き込み時に問題となっていた光ディスクへのアクセス時
間が、従来の半導体レーザ装置を用いた光ディスク再生
記録装置よりも格段に短くなって、より快適に操作でき
る。

【００４６】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
実施の形態１の半導体レーザ装置を後端面側から見た斜
視図であり、図２は上記半導体レーザ装置を前端面側か
ら見た正面図である。

【００４７】この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ基
板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−Ａ
ｌ_{０．４４５}Ｇａ_{０．５５５}Ａｓ第一下クラッド層１０
３、ｎ−Ａｌ_{０．５６１}Ｇａ_{０．４３９}Ａｓ第二下クラ
ッド層１３３、Ａｌ_０．３５Ｇａ_０．６５Ａｓ下ガイド
層１０４、図示しないＩｎ_{０．１８１１}Ｇａ_{０．８１
８９}Ａｓ_{０．６６６８}Ｐ_{０．３３３２}圧縮歪量子井戸層
（２層）とＩｎ_０．０５Ｇａ_０．９５Ａｓ_{０．６４６９}
Ｐ_{０．３５３１}引張歪障壁層（３層）を交互に配置して
なる多重歪量子井戸活性層１０５、Ａｌ_０．３５Ｇａ
_０．６５Ａｓ上ガイド層１０６、ｐ−Ａｌ_{０．４８８５}
Ｇａ_{０．５１１５}Ａｓ第一上クラッド層１０７およびｐ
−ＧａＡｓエッチングストップ層１０８を順次積層して
いる。

【００４８】上記ｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１
０８上には、共振器前端面の近傍の領域において、図２
に示すように、メサストライプ形状のｐ−Ａｌ
_{０．４８８５}Ｇａ_{０．５１１５}Ａｓ第二上クラッド層１
０９および庇形状のＧａＡｓキャップ層１１０を設ける
と共に、上記ｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９
およびＧａＡｓキャップ層１１０の両側を、ｎ−Ａｌ
_０．７Ｇａ_０．３Ａｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−
ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ
平坦化層１１４からなる光・電流狭窄領域で埋め込み、
さらに、全面にｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６を設けて
いる。

【００４９】一方、図１に示すように、共振器後端面の
近傍の領域において、上記ｐ−ＧａＡｓエッチングスト
ップ層１０８上には、断面略３角形状のストライプ形状
のｐ−Ａｌ_{０．４８８５}Ｇａ_{０．５１１５}Ａｓ第二上ク
ラッド層１０９、その第二上クラッド層１０９を覆うｎ
−Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３Ａｓ第一電流ブロック層１１
２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−
ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層
１１６を順次設けている。上記第二上クラッド層１０９
の全体形状は、図６の斜視図に示すようになっている。

【００５０】上記キャップ層１１６上および上記基板１
０１下に図示しないが夫々電極を設け、前端面に低反射
率コーティング膜１４１（反射率１３％、Ａｌ_２Ｏ_３単
層）および後端面に高反射率コーティング膜１４２（反
射率８５％、Ａｌ_２Ｏ_３が４層、ＴｉＯ_２が３層を交互
に計７層）を蒸着している。

【００５１】この半導体レーザ装置は、図１および２に
示すように、ストライプ部１２１ａと、そのストライプ
部１２１ａの両側方のストライプ部側方部１２１ｂ，１
２１ｂとを有している。

【００５２】図１に示すように、共振器後端面近傍の領
域においては、上記断面略３角形状のストライプ形状の
ｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９とｐ−ＧａＡ
ｓ平坦化層１１４との間に、最短電流経路を遮断する電
流非注入領域の一例を構成するｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電
流ブロック層１１２およびｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロッ
ク層１１３を設けているため、つまり、上記断面略３角
形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッ
ド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１
２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−
ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層
１１６でｐｎｐ接合を形成しているので、共振器後端面
近傍の領域においては多重歪量子井戸活性層１０５へ
は、図２に示す共振器前端面近傍のメサストライプ形状
の第二上クラッド層１０９を経由する電流が注入され
て、上記共振器後端面近傍の領域における多重歪量子井
戸活性層１０５への注入電流密度は、他の領域における
多重歪量子井戸活性層１０５への注入電流密度よりも低
減されている。したがって、この半導体レーザ装置にお
いては、多重歪量子井戸活性層１０５がＩｎＧａＡｓＰ
からなってＡｌを含まないことによりＣＯＤ（端面破
壊）が起きにくいことに加えて、上記共振器後端面近傍
の領域における多重歪量子井戸活性層１０５への注入電
流密度を低減して後端面の急速劣化を防止しているか
ら、高出力状態において高信頼性・長寿命を有する。

【００５３】図１、２および８に詳細に示すように後端
面近傍が断面略３角形状で前端面近傍がメサ形状のスト
ライプ状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、
ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−Ｇａ
Ａｓ第二電流ブロック層１１３、ｐ−ＧａＡｓ平坦化層
１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６が、上記共
振器後端面近傍の領域における注入電流密度を他の領域
における注入電流密度よりも低減する構造の一例を構成
する。

【００５４】次に、図３〜図９を参照しながら、上記半
導体レーザ装置の製造方法を説明する。

【００５５】まず、図３に示すように、（１００）面を
持つｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層１０２（層厚０．５μｍ）、ｎ−Ａｌ_{０．４４５}Ｇ
ａ_{０ ．５５５}Ａｓ第一下クラッド層１０３（層厚３μ
ｍ）、ｎ−Ａｌ_{０．５６１}Ｇａ _{０．４３９}Ａｓ第二下ク
ラッド層１３３（層厚０．２μｍ）、Ａｌ_０．３５Ｇａ
_０．６５Ａｓ下ガイド層１０４（層厚２４ｎｍ）、図示
しないＩｎ_{０．１８１１}Ｇａ_{０．８１８９}Ａｓ
_{０．６６６８}Ｐ_{０．３３３２}圧縮歪井戸層（歪量０．１
２％、層厚１６０Å、２層）とＩｎ_０．０５Ｇａ
_０．９５Ａｓ_{０．６４６９}Ｐ_{０． ３５３１}引張歪障壁層
（歪量−０．９％、基板側から層厚１００Å・５０Å・
１００Åの３層）を交互に配置してなる多重歪量子井戸
活性層１０５、Ａｌ_{０．３ ５}Ｇａ_０．６５Ａｓ上ガイド
層１０６（層厚２４ｎｍ）、ｐ−Ａｌ_{０．４８８５}Ｇａ
_{０．５１１５}Ａｓ第一上クラッド層１０７（層厚０．１
９１６μｍ）、ｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１０
８（層厚３０Å）、ｐ−Ａｌ_{０．４８８５}Ｇａ
_{０．５１１５}Ａｓ第二上クラッド層１０９（層厚１．２
８μｍ）およびＧａＡｓキャップ層１１０（層厚０．７
５μｍ）を順次有機金属化学気相成長法にて結晶成長さ
せる。さらに、メサストライプ部を形成する部分に、エ
ッチングマスクすなわちレジストマスク１１１をストラ
イプ方向が［０１１］方向を持つように写真工程により
作製する。このレジストマスク１１１は、作製する半導
体レーザ装置の後端面近傍の領域で例えば幅２．５μｍ
であり、後端面近傍以外の領域で幅５．５μｍとする。
図３は上述の構造を後端面側から見た斜視図であり、図
４は前端面側から見た正面図、図５は後端面側から見た
正面図である。

【００５６】次に、図６に示すように、上記レジストマ
スク１１１以外の部分をエッチングして、ストライプ部
１２１ａを形成する。このエッチングは硫酸と過酸化水
素水の混合水溶液およびフッ酸を用いて二段階で行い、
エッチングストップ層１０８直上まで行う。このエッチ
ングストップ層１０８のＧａＡｓは、フッ酸によるエッ
チングレートが非常に遅いということを利用し、エッチ
ング面の平坦化およびストライプの幅制御を可能にして
いる。エッチングの深さは１．９５μm、後端面近傍以
外のメサストライプの最下部の幅は約２．５μmであ
る。図６は本構造を後端面側から見た斜視図であり、図
７は前端面側から見た正面図である。

【００５７】フッ酸によるエッチングの際、メサストラ
イプ形状の第二上クラッド層１０９がサイドエッチをう
けるが、上述のようにレジストマスク１１１の幅の制御
を行うと、後端面近傍の領域ではマスク幅が狭いため
に、ストライプ形状のキャップ層１１０に接している箇
所のメサストライプ形状の第二上クラッド層１０９の幅
がなくなって、キャップ層１１０と離れる。エッチング
後、上記レジストマスク１１１を除去するが、後端面近
傍の領域にある図１に示す断面３角形状の第二クラッド
層１０９と離れている上記キャップ層１１０は、リムー
バによるレジスト除去および有機洗浄を超音波により行
うことで欠けてしまい、図６に示すような形状になっ
て、後端面近傍以外の領域に庇状のキャップ層１１０が
残るようになる。

【００５８】続いて、図８に示すように、上記エッチン
グストップ層１０８およびキャップ層１１０上かつメサ
ストライプ形状の第二クラッド層１０９の側方に、ｎ−
Ａｌ _０．７Ｇａ_０．３Ａｓ第一電流ブロック層１１２
（層厚１．０μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層
１１３（層厚０．３μｍ）、ｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１
４（層厚０．６５μｍ）を順次有機金属結晶成長させ
て、光・電流狭窄領域を形成する。その後、写真工程に
より、図８および９に示すように、上記ストライプ部両
側方部１２１ｂ，１２１ｂ上および上記ストライプ部１
２１ａの後端面近傍の領域上に、レジストマスク１１５
を形成する。図８は本構造を後端面側から見た斜視図で
あり、図９は前端面側から見た正面図である。

【００５９】その後、上記レジストマスク１１５に覆わ
れていない部分の平坦化層１１４、第二電流ブロック層
１１３および第一電流ブロック層１１２をエッチングに
より除去する。このエッチングには、アンモニアと過酸
化水素水の混合水溶液および硫酸と過酸化水素水の混合
水溶液を用いて、二段階でエッチングを行う。その後、
上記レジストマスク１１５を除去して、全面にｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層１１６（層厚２．０μｍ）を積層する。
このとき、後端面近傍のストライプ部１２１ａの上方の
上記ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−
ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ
平坦化層１１４はレジストマスク１１５で覆われている
ため、エッチングを受けなくて、後端面近傍の領域のス
トライプ部１２１ａにおいて、上記断面３角形状のｐ−
ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブ
ロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４から
なるｐｎｐ接合が残ることで、この断面３角形状のｐ−
ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブ
ロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４から
なる電流非注入領域の一例が作製されることとなる。

【００６０】そして、上記キャップ層１１６上および上
記基板１０１下にそれぞれ電極（図示せず）を配し、バ
ーの状態にへき開後に、前端面に低反射率コーティング
膜１４１（反射率１３％、Ａｌ_２Ｏ_３単層）および後端
面に高反射率コーティング膜１４２（反射率８５％、Ａ
ｌ_２Ｏ_３が４層、ＴｉＯ_２が３層を交互に計７層）を蒸
着して、図１および２に示す構造の半導体レーザ装置を
作製することができる。

【００６１】本実施の形態１においては、発振波長は７
８０ｎｍであり、図１０に示すように最高光出力が３０
０ｍＷであることを確認した。従来のようなＡｌＧａＡ
ｓ系の材料により量子井戸活性層が作製された半導体レ
ーザ装置では、活性なＡｌの存在によりレーザ共振器端
面にＡｌ酸化物が生じやすく、共振器端面において、Ａ
ｌの酸化物による表面準位が多いために、キャリアがこ
の準位を介して吸収されて非発光再結合電流が流れ、局
所的に温度が上昇する。この温度上昇によって端面近傍
のバンドギャップが縮小し、さらにレーザ光の吸収が増
加し、端面温度が上昇する。このような正帰還を繰り返
すことにより端面が溶融して発振が停止するというＣＯ
Ｄ（端面破壊）が生じると考えられている。そこで、本
実施の形態１では、多重歪量子井戸層にＩｎＧａＡｓＰ
を用いて、つまり、Ａｌを含まない（Ａｌフリー）材料
を用いているために、上記のようなＣＯＤのメカニズム
は生じずにＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置では実現
し得なかった高出力なレーザ光を実現できた。さらに、
後端面近傍の注入電流密度を低減させるために電流非注
入領域を作製してしておくことで、より劣化が生じにく
くして最高光出力レベルを上げることができた。

【００６２】また、本実施の形態１においては、後端面
近傍に電流非注入領域を設けているが、前端面近傍にも
同様に電流非注入領域を設けることで、より端面からの
劣化に強い構造となるので、上記と同様の効果が得られ
た。具体的には、図１１のようなレジストマスク１１１
を用いて上記と同様のプロセスにより半導体レーザ装置
を作製するのだが、Ａの位置でバーの状態にへき開する
と本実施の形態と同様になるが、Ｂの位置でバーの状態
にへき開すると、後端面近傍と前端面近傍との両方に電
流非注入領域を設けることができる。

【００６３】また、本実施の形態１においては、前端面
のコーティング膜１４１としてＡｌ _２Ｏ_３単層膜、後端
面のコーティング膜１４２としてＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＯ_２
多層膜が用いられている。通常、半導体レーザの端面コ
ーティング、特に後端面にはＡｌ_２Ｏ_３／Ｓｉ多層膜が
多く用いられているが、ＳｉよりもＴｉＯ_２のほうが出
射されたレーザ光の吸収が少ないため、コーティング膜
の材料としてはＴｉＯ _２のほうが強い材料といえるの
で、後端面のコーティング膜をＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＯ_２多
層膜とすることで、より上記効果が得られた。なお、電
流注入をストライプ全面で均一としたときも、後端面の
コーティング膜をＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＯ_２とすることで、
信頼性が向上した。

【００６４】また、本実施の形態１においては、ＧａＡ
ｓ基板１０１上のＩｎＧａＡｓＰからなる圧縮歪量子井
戸活性層１０５が用いられており、これにより７８０ｎ
ｍ帯において、しきい値電流の低い、高信頼性・長寿命
・高出力な半導体レーザ装置が実現された。また、上記
圧縮歪量が３．５％以内であることにより、より好適に
上記効果が得られた。ここでいう歪量とは、ＧａＡｓ基
板の格子定数をａＧａＡｓ、井戸層の格子定数をａ１と
すると、（ａ１−ａＧａＡｓ）／ａＧａＡｓで表され
る。この値が正であれば圧縮歪、負であれば引っ張り歪
と呼ばれる。図１２に井戸層の圧縮歪量の違いによる半
導体レーザ装置の信頼性（７０℃、２３０ｍＷ）を示す
グラフを示す。圧縮歪量が３．５％を越えると信頼性が
悪化しているのが分かる。これは、圧縮歪量が大き過ぎ
て結晶性が悪くなっていると考えられる。

【００６５】また、本実施の形態１においては、ＩｎＧ
ａＡｓＰからなる引張歪障壁層が用いられており、圧縮
歪を有する井戸層に対してその歪量を補償しているの
で、より安定した結晶をもつ歪量子井戸活性層を作製す
ることができて、高信頼性を有する半導体レーザ装置が
実現された。また、上記引張歪量が３．５％以内である
ことにより、より好適に上記効果が得られた。

【００６６】また、本実施の形態１においては、上記下
および上ガイド層１０４，１０６がＡｌＧａＡｓからな
り、かつ、上記量子井戸活性層１０５は、上記下および
上ガイド層１０４，１０６に接する部分が障壁層である
ので、発光再結合のおこる井戸層にはＡｌＧａＡｓが隣
接していないことによって信頼性を確保しながら、キャ
リアのオーバーフローはＡｌＧａＡｓのコンダクション
バンドのエネルギー（Ｅｃ）およびバレンスバンドのエ
ネルギー（Ｅｖ）により十分に抑制する効果を得ること
ができた。通常高信頼性を得るためにＡｌフリーの半導
体レーザ装置を作る場合、ガイド層、クラッド層までＩ
ｎＧａＰなどで全てＡｌフリーとする。しかし、本実施
の形態１では、発振波長７８０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ
からなる井戸層に対するコンダクションバンドのエネル
ギー差（ΔＥｃ）、バレンスバンドのエネルギー差（Δ
Ｅｖ）がバランスよく得られるＡｌ混晶比が０．２より
大きいＡｌＧａＡｓを、下および上ガイド層１０４，１
０６として、信頼性に影響のない範囲まで可能な限り井
戸層に近づけて設けている。図１３にガイド層のＡｌ混
晶比に対する温度特性（Ｔｏ）の関係を示すグラフを示
す。ガイド層のＡｌ混晶比が０．２よりも大きいＡｌＧ
ａＡｓの場合に温度特性が向上していることが確認され
ている。井戸層と、下および上ガイド層１０４，１０６
との間には、ＡｌフリーであるＩｎＧａＡｓＰ系の薄い
障壁層を設けている。これにより、上記効果を得てお
り、また、井戸層とその両側の障壁層のみをＡｌフリー
とし、ガイド層より外側はＡｌを含む層にすることで、
十分高い信頼性を得ることができる。Ａｌを含む層は発
光部である井戸層と隣接する領域をＡｌフリーにするこ
とが最も影響が大きく、その外側にはＡｌを含む層は若
干離しておくことで高い信頼性が得られており、離して
おく距離は、およそ７０Å以上であればよい。

【００６７】また、本実施の形態１おいては、キャップ
層１１０により電流注入領域が作成される。そして、レ
ジスト１１５を除去する超音波洗浄時に同時に後端面近
傍のキャップ層１１０が図６に示すように除去されて、
全面に積層された第一および第二電流ブロック層１１
２，１１３は、後に、キャップ層１１０上において除去
されるが、図１、６に示すように、ストライプ部１２１
ａにおいて後端面近傍の領域のキャップ層１１０が除去
された第二クラッド層１０９の上の部分だけ自動的に除
去せずに残すことができるので、電流非注入領域を簡便
に作成することができる。

【００６８】なお、本実施の形態１では、埋込リッジ構
造としたが、これに限るものではない。リッジ構造、内
部ストライプ構造、埋込ヘテロ構造など、あらゆる構造
に対して同様の効果が得られる。また、本実施の形態１
では、ｎ型基板を用いたが、ｐ型基板を用い、上記実施
の形態のｎ型、ｐ型を入れ替えても、同様の効果は得ら
れる。また、波長は７８０ｎｍとしたが、これに限るも
のではない。７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さ
いいわゆる７８０ｎｍ帯であれば同様の効果が得られ
る。

【００６９】（実施の形態２）図１４は、本発明の実施
の形態２の光ディスク記録再生装置の構造を示したもの
である。この光ディスク記録再生装置は、光ディスク４
０１にデータを書き込んだり、書き込まれたデータを再
生するためのものであり、発光素子として、先に説明し
た実施の形態１の半導体レーザ装置と同じ半導体レーザ
装置４０２を備えている。

【００７０】この光ディスク記録再生装置についてさら
に詳しく説明する。書き込みの際は、上記半導体レーザ
装置４０２から出射されたデータ信号がのったレーザ光
は、コリメートレンズ４０３により平行光とされて、ビ
ームスプリッタ４０４を透過する。このビームスプリッ
タ４０４を透過したレーザ光は、λ／４偏光板４０５で
偏光状態が調節された後、対物レンズ４０６で集光され
て、光ディスク４０１に照射されて、この光ディスク４
０１にデータが記録される。

【００７１】一方、読み出し時には、データ信号がのっ
ていないレーザ光が書き込み時と同じ経路をたどって光
ディスク４０１に照射される。このレーザ光がデータの
記録された光ディスク４０１の表面で反射されて、デー
タ信号がのった再生光となる。この再生光は、レーザ光
照射用対物レンズ４０６、λ／４偏光板４０５を経た
後、ビームスプリッタ４０４で反射されて、９０°角度
を変えた後、再生光用対物レンズ４０７で集光され、信
号検出用受光素子４０８に入射する。この信号検出用受
光素子４０８内で、入射したレーザ光の強弱によって、
レーザ光にのったデータ信号が電気信号に変換されて、
信号光再生回路４０９において元のデータが再生され
る。

【００７２】上記実施の形態２の光ディスク記録再生装
置は、従来の半導体レーザ装置よりも高い光出力で動作
する上記半導体レーザ装置４０２を用いているため、デ
ィスクの回転数を従来より高速化してもデータの読み書
きが可能である。特に、上記半導体レーザ装置４０２の
書き込み時のピーク光出力がレーザ出射端面において１
２０ｍＷ以上であるため、書き込み時に問題となってい
た光ディスクへのアクセス時間が、従来の半導体レーザ
装置を用いた光ディスク記録再生装置よりも格段に短く
なって、この光ディスク記録再生装置はより快適に操作
できる。

【００７３】なお、ここでは、上記半導体レーザ装置を
光ディスク記録再生装置に適用した例について説明した
が、本発明の半導体レーザ装置は、波長７８０ｎｍ帯を
用いる光ディスク記録装置、光ディスク再生装置にも適
用可能であることはいうまでもない。

【００７４】なお、本発明の半導体レーザ装置および光
ディスク再生記録装置は、上述の図示例にのみ限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内にお
いて種々変更を加え得ることは勿論である。

【００７５】

【発明の効果】以上より明らかなように、本発明半導体
レーザ装置は、量子井戸活性層がＩｎＧａＡｓＰからな
ってＡｌを含まないため、酸化が起きにくくてＣＯＤ
（端面破壊）が起きにくいことに加えて、共振器後端面
近傍の領域における注入電流密度を低減する構造を備え
るので、共振器の後端面の急速劣化を防止することがで
きて、従来のＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置では実
現し得なかった高出力・高信頼性・長寿命を実現でき
る。

【００７６】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
エッチングマスクを超音波洗浄で除去している際に、上
記エッチングマスクに近い方の半導体層の不要な一部で
あって上記エッチングマスクから遠い方の半導体層と離
間している上記不要な一部を上記超音波洗浄のエネルギ
ーによってへき開等で欠いて除去するので、エッチング
マスクを除去する工程において、同時に半導体層の不要
な部分を除去できて、製造工程を簡略化できる。

【００７７】また、本発明の光ディスク再生記録装置
は、高信頼性・長寿命・高出力な上記半導体レーザ装置
を用いているので、光ディスクの回転数を従来よりも高
速化してもデータの読み書きが可能で、光ディスクへの
アクセス時間が、従来の光ディスク再生記録装置よりも
格段に短くなって、より快適に操作できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置を
後端面側から見た斜視図である。

【図２】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置を
前端面側から見た正面図である。

【図３】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の
製造方法を示す後端面側から見た斜視図である。

【図４】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の
製造方法を示す前端面側から見た正面図である。

【図５】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の
製造方法を示す後端面側から見た正面図である。

【図６】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の
製造方法を示す後端面側から見た斜視図である。

【図７】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の
製造方法を示す前端面側から見た正面図である。

【図８】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の
製造方法を示す後端面側から見た斜視図である。

【図９】 本発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の
製造方法を示す前端面側から見た正面図である。

【図１０】 従来の半導体レーザ装置および本発明の半
導体レーザ装置の光出力−電流特性を示すグラフであ
る。

【図１１】 本発明の半導体レーザ装置の製造方法に用
いるレジストマスクの形状の一例の上面図である。

【図１２】 本発明の半導体レーザ装置において井戸層
の圧縮歪量の違いによる半導体レーザ装置の信頼性（７
０℃、２３０ｍＷ）を示すグラフである。

【図１３】 本発明の半導体レーザ装置においてガイド
層のＡｌ混晶比に対する温度特性（Ｔｏ）の関係を示す
グラフである。

【図１４】 本発明の実施の形態２の光ディスク記録再
生装置の概略図である。

【図１５】 従来の半導体レーザ装置の後端面側から見
た斜視図である。

【符号の説明】 １０１ 基板 １０３ 第一下クラッド層 １０４ 下ガイド層 １０５ 多重歪量子井戸活性層 １０６ 上ガイド層 １０７ 第一上クラッド層 １０９ 第二上クラッド層 １１０，１１６ キャップ層 １１１，１１５ ジストマスク １１２ 第一電流ブロック層 １１３ 第二電流ブロック層 １１４ 平坦化層 １２１ａ メサストライプ部 １２１ｂ メサストライプ部側方部 １３３ 第二下クラッド層 １４１ 低反射率コーティング膜 １４２ 高反射率コーティング膜 ４０２ 半導体レーザ装置

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D119 AA08 AA24 AA33 AA38 AA42 BA01 BB01 BB02 BB04 FA05 FA18 FA19 NA04 5D789 AA08 AA24 AA33 AA38 AA42 BA01 BB01 BB02 BB04 FA05 FA18 FA19 NA04 5F073 AA07 AA53 AA74 AA83 BA05 BA06 CA16 CB02 DA05 DA23 EA28

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に、少なくとも、下クラ
   ッド層、夫々ＩｎＧａＡｓＰからなる井戸層および障壁
   層を有する量子井戸活性層、上クラッド層が積層されて
   おり、共振器前端面および共振器後端面に垂直な方向の
   ストライプ状電流注入構造を有し、発振波長が７６０ｎ
   ｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置に
   おいて、 上記共振器前端面に低反射率コーティング膜を、上記共
   振器後端面に高反射率コーティング膜を設け、 上記共振器後端面近傍の領域における注入電流密度を他
   の領域における注入電流密度よりも低減する構造を備え
   ることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、上記共振器後端面近傍に電流非注入領域を設けて
   いることを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
   装置において、上記共振器前端面近傍の領域における注
   入電流密度を低減する構造を備えることを特徴とする半
   導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、上記共振器前端面近傍に電流非注入領域を設けて
   いることを特徴とする半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 請求項２または４に記載の半導体レーザ
   装置において、上記共振器後端面近傍の領域のみ、もし
   くは、上記共振器前端面近傍と共振器後端面近傍の両方
   の領域にて、上記ストライプ状電流注入構造が電流を阻
   止する半導体層により覆われている構造をもつことを特
   徴とする半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、上記基板が第一導電型半導体からなり、上記スト
   ライプ状電流注入構造が第二導電型の半導体層からな
   り、上記電流を阻止する半導体層が第一導電型半導体層
   からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか一つに記載の
   半導体レーザ装置において、上記低反射率コーティング
   膜がＡｌ_２Ｏ_３からなり、上記高反射率コーティング膜
   がＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＯ_２の多層膜からなることを特徴と
   する半導体レーザ装置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか一つに記載の
   半導体レーザ装置において、上記井戸層が圧縮歪を有し
   ていることを特徴とする半導体レーザ装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、上記圧縮歪量が３．５％以内であることを特徴と
   する半導体レーザ装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか一つに記載
    の半導体レーザ装置において、上記障壁層が引張歪を有
    していることを特徴とする半導体レーザ装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の半導体レーザ装置
    において、上記引張歪量が３．５％以内であることを特
    徴とする半導体レーザ装置。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれか一つに記
    載の半導体レーザ装置において、上記上クラッド層と上
    記量子井戸活性層との間に上ガイド層を有するか、また
    は、上記下クラッド層と上記量子井戸活性層との間に下
    ガイド層を有するか、もしくは、上記上ガイド層および
    下ガイド層の両方を有しており、上記各ガイド層はＡｌ
    ＧａＡｓからなり、かつ、上記量子井戸活性層は、上記
    各ガイド層に接する部分が障壁層であることを特徴とす
    る半導体レーザ装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の半導体レーザ装置
    において、上記各ガイド層を構成するＡｌＧａＡｓのＡ
    ｌ混晶比が、０．２より大きいことを特徴とする半導体
    レーザ装置。
14. 【請求項１４】 半導体基板上に少なくとも二層以上の
    半導体層を積層する工程と、 最も上の上記半導体層上にエッチングマスクを作成する
    工程と、 上記エッチングマスクを利用して、そのエッチングマス
    クから遠い方の半導体層が上記エッチングマスクに近い
    方の上記半導体層と部分的に離間するようにエッチング
    する工程と、 上記エッチングマスクを超音波洗浄にて除去すると共
    に、上記エッチングマスクに近い方の上記半導体層の一
    部であって上記エッチングマスクから遠い方の上記半導
    体層と離間している部分を超音波にて除去する工程とを
    備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の半導体装置の製造
    方法において、上記半導体装置が、ストライプ状電流注
    入構造を有し、かつ、共振器の端面近傍の領域における
    注入電流密度を他の領域における注入電流密度よりも低
    減する構造を有する半導体レーザ装置であることを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 請求項１４に記載の半導体装置の製造
    方法において、 上記半導体基板はＧａＡｓ基板であり、 上記少なくとも二層以上の半導体層は、発振波長が７６
    ０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい夫々ＩｎＧａＡ
    ｓＰからなる井戸層および障壁層を有する量子井戸活性
    層と、クラッド層と、そのクラッド層の直上のキャップ
    層を含み、 上記エッチングマスクは幅の広い部分と幅の狭い部分を
    有し、かつ、上記エッチングマスクは上記キャップ層上
    に設けられ、 上記キャップ層および上記クラッド層が上記エッチング
    工程によって、上記キャップ層に幅の広い部分と幅の狭
    い部分が形成されるように、かつ、上記クラッド層の幅
    が上記キャップ層の幅よりも狭くなるように、上記キャ
    ップ層および上記クラッド層がエッチングされると共
    に、上記エッチングマスクの上記幅の狭い部分の対応す
    る上記クラッド層の部分が上記幅の狭いキャップ層の部
    分から離間させられ、 上記超音波洗浄にて上記キャップ層の幅の狭い部分が除
    去され、 上記除去された幅の狭いキャップ層の部分の下の上記ク
    ラッド層の上に電流ブロック層が設けられることを特徴
    とする半導体レーザ装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 請求項１乃至１３のいずれか一つに記
    載の半導体レーザ装置を備えることを特徴とする光ディ
    スク再生記録装置。