TWI333942B - Polynuclear metal complexes as phosphorescence emitters in electroluminescent layer arrangements - Google Patents
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- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
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1333942 A7 • B7 五 發明說明 5 ο ΙΑ 5 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 5 2 本發明關於多核金屬絡合物、其製備方法及其用作 電致發光層裝置中之磷光發射體。 電致發光層裝置’以下亦稱為電致發光裝置或El 裝置’具有廣泛的使·.用範圍，例如用於光電應用，例如 發光二極體（LEDs)，及用於製造螢幕或顯示器。最近已 逐漸感興趣於發光顯示器及顯示裝置+，尤其是利用電子 罐光於提高發光效率（請參照Ba丨do等人，Appl, Phys. Lett. ’ 第 75 卷，No. 1，4，1999 ; WO 00/70 655 A2、 WO 01/415 12 A1)。 於有機發光二極體中之光發射通常較佳係藉螢光程 序發生。然而’含有螢光發射體之裝置的電致發光（EL) 量子效率受限於單峰激子（25%)對三重峰激子（75%)(藉 電洞重組而形成）之低理論比例，因為光發射僅自激發 的單峰態出現。以三重峰為基礎之光發射已知稱為磷光 (WO 00/70 655 A2)。磷光發射體之優點為單峰與三重 峰態兩者皆促成發光，即内部量子效率可能高達 100% ’因為所有激子可用於光發射。 除了發光層外，有機電致發光（EL)裝置通常含有一 或多層有機電荷傳輸化合物。依層順序之基礎結構如 下： 1 支持物，基板 基礎電極 電洞注射層 - 電洞傳輪層（=電洞傳導層） 發光層 2 3 4 1333942 A7 ' B7 五、發明說明（2) . -- 6 電洞阻斷層 7電子傳輸層 8電子注射層 9頂部電極 5 10接點 11覆蓋物，包膠物 電洞傳輪及電洞傳導等用語於以下視為意義相同。 層1至10代表電致發光裝置。層3至8代表電致 10 發光元件。 此結構描述一般情形且可能藉省略個別層而簡化， 以致於一層進行數個工作。於最簡單的例子中，EL裝 置係由二個電極構成，其中進行所有功能（含光發射）之 有機層係介於此二個電極間。 15 LEDs中之多層系統可藉化學蒸氣沉積（cvD)法製 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 作，其中此等層係接續地自氣相或藉澆鑄法施用。化學 療·氣/冗積法係合併電洞罩幕技術使用，以便製造使用有 機分子作為發射體之結構化的LEDs。由於較高處理迷 率及較少量廢料產生及相關成本節省之緣故，澆鑄法通 20常為較佳。印刷技術，尤其是用於結構化聚合發射體之 喷墨技術’目前引起極大的注意（Yang等人，乂仲以 Phys. Lett. 1998 5 72 (21) > 2660 ; WO 99/54936) ° 電致發光裝置之效率於近年來已藉合併磷光摻雜物 至基質中而相當地提高》以使用乙敏基丙網酸雙（2_笨 25 基吡啶）銥（in)[(ppy)Ii：2(acac)]絡合物作為EL裝置中摻 -4- 1333942 A7 ' B7 五、發明說明（3 ) · 雜鉍為例，該絡合物具有綠色磷光，外部EL效率經測 定為 19%(C. Adachi 等人，尸办少·?· Ze"· 2001， 90，5048)。然而，此高效率迄今僅於藉複雜化學氣體 沉積法製得之多層裝..置中實現。此方面之理由為所用銥 5 絡合物僅中等的溶解度及其強烈的再結晶趨向，此對於 自溶液施用是不利的。遠較簡單及已建立的自溶液處理 方式，舉例來說藉旋轉施用、澆鑄法或喷墨法，將是必 要的。WO 01/41512 A1揭示絡合物磷光摻雜物，然而 就喷墨法而言，其不具充足的溶解度。 10 最近，具有空間上體積龐大的苐基-吡啶或第基-苯 基吡啶配位基之可溶的低分子量銥絡合物經合成，此等 絡合物可自溶液施用，但於單層EL裝置中僅具有0.1% 之極低 EL 效率（J. C. Ostrowski 等人，CAem. 2002，784-785)。藉使用此等銥絡合物作為基質中之摻 15 雜物，可能提高效率至8.8%(X. Gong等人，ddv. Maier· 2002，14(8), 58卜585)。P.L. Burn 等人，
Lett. 2002 > 80 (15) > 2645-2647 Sl Y. Cao # A > Apply. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Ze". 2002，80 (12)，2045-2047 亦解釋具有改良 溶解度之銥絡合物（由於配位基取代作用之緣故）。藉旋 20 轉塗佈法使此等化合物與聚合物基質一起自溶液施用是 可能的。然f而，所有此等化合物之例子的主要缺點為製 備經取代的配位基及接續反應以得到銥絡合物過程中之 龐大的複雜度，此通常僅以低產率（30-50%)且於激烈條 件下（150-200°C)出現。 25 因此，本發明之目的係為提供一種新穎的化合物， 1333942 A7 ' B7 五、發明說明（ (L)m I I Me (1-1) (|_) — Me — _HL-- Me-- (L)m (I-2)
Me
Me (ί-)φ · 10
Me (L)m
Me (I-3)
Me
Me (L)； (Dm(L)m I I Me ， (I-4) (i_) - -Me - -H — xl_Hl-- Me-- (L)nm ，\ Me 裝 訂 (L)； (L)m (L)；
Me (L)m 15
(L)T (L)m
Me
Me 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 (1-5) 其中 — XL—Hr- Me-- (L)m
Me
Me (L)； (L)m 从 女4»液 Λ d 冬日功广 Ο 1 Λ ,, ΟΓΓ7 八故 1333942 A7 * B7 五、發明說明（6 )； ' 'Me、L、Hl或Xl及m具有上述的意義。 本發明較佳關於通式（I)之多核金屬絡合物，其中 L 代表選自通式（II)至（XIX)之二齒螯合物形成配 位基， -·
士从？&口凼：在明七田田令4«推Λ /1冬曰从，Ο 1 Λ V 00*7八路、 1333942 A7 B7 五、發明說明（Ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
你：*期士田胡女4* 灌 A Η « 44 /，1 Λ ” ΙΟ，錄、 1333942 A7 B7 五、發明說明（9)
138 0 0
R
R 139
Af\ 140 (XXIV-a) R (XXIV-b)
(XXV) 10 ,149
R 147 ,156 ^155
154
R 15
R 161 160 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25
167
175
R 〇1S5 D 184 .183
182
R -11-
吹讲准 Λ /1 相 ，1 Λ niV7 錄、
I I A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1333942 B7 五、發明說明（i〇) ·
10 且 X 代表氧、硫、N-烷基或N-H， U 代表整數1至6， Ar 代表苯基、嗔嗯基、苐基' »比洛、味坐或 1，4-伸苯基-伸乙稀基，係視情況經直鏈或分 15 支鍵的C^-Cw烧基或C^-Cso-院氧基、f、氰 基或CF3取代， R125-R197為相同或不同，且彼此獨立地代表Η、 F、CF3、直鏈或分支鏈的CrC22-烷基基團、 直鍵或分支鏈的crc22-院氧基基團、視情況 20 選用CVC30-烷基取代的C5-C20-芳基單元及/ 或視情況選用CrCw烷基取代之具5至9環 C原子及1至3環雜原子的雜芳基單元，該 雜原子係選自由氮、氡及硫組成之群，且 Me、XL及n具有如申請專利範圍第〗項之意義。 1 Λ八路、
1333942 A7 B7 五、發明說明（12) ‘
(XXXXV) (XXXXVI) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 20 b 代表整數2至300，較佳為2至100， R198-R2G5為相同或不同，且彼此獨立地代表Η或 直鏈或分支鏈的C^-C^-烷基，且 Ar1代表苯基、噻嗯基、第基、吡咯、咔唑或1，4-伸苯基-伸乙烯基，係視情況經直鏈或分支鏈 25 的CVCm-烷基或CVCw-烷氧基基團、F、氰 -14- 1333942 A7 B7 五、發明說明（14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
25 -16- 1333942 A7 B7 五、發明說明（15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
25 -17- 1333942 A7 B7 五、發明說明（l6)
1333942 A7 B7 五、發明說明（ι〇 其中
Me代表紐（II)或欽（III)， m 代表1或2，且 X、RLR44、Hl及Xl具有上述意義。 5 於本發明之較佳具體例中，有以下化合物：
ο H 5
a- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ο 2 5 2
F 1333942 A7 B7
JL I 五、發明說明（is
J 2 10
ύ. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
1333942 Α7 Β7 五、發明說明 頃令人驚訝地發現，多核聚磷光金屬絡合物展現 強烈的磷光。文獻中已知且徹底地研究之氣架橋的銥二 聚物L2Ir(p-Cl)2IrL2顯示在室溫下幾乎沒有麟光（S. Lamansky 等人 ’ ln〇Tg. Chem. 2001，40，1704)。然而， 倘若兩銥中心經架橋，則根據本發明，經由適合的n官 能配位基XL(HL)n，替代經由氯原子，令人驚訝地發現 強烈的磷光性質。 根據本發明之多核金屬絡合物可以簡單的方式自 文獻已知且具通式（A)之適合的二核金屬絡合物製得， 10
Lm Μθ、 从 、ΌΙ〆 :Me L„ (A) 15藉著與含11個輔助配位基HL(每一者為二齒配位基）之n 官能配位基XL(HL)n進行配位基交換。 __Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 因此，本發明進一步關於一種製備根據本發明多核 金屬絡合物之方法，其特徵在於通式（A)之化合物从、 ''Me L、,α， ㈧ 25 m
Lm Μθ、 與含Π個輔助配位基hl(每一者係為雙齒配位基）之η 官能配位基XL(HL)n反應，伴隨著添加鹼， 、Me、L、XL、hl及η具有上述意義。 -21-
1333942 A7 B7 五、發明說明（20) 於根據本發明之方法中，通式L2Ir(|a_cl)2lrL2或 LPt(p-Cl)2PtL之化合物較佳用作式（a)之化合物且 Na2C03、K2C03或甲·.醇酸鈉較佳用作鹼。較佳的配位基 5 XL(HL)n係針對Hl為上述通式（XX)至（χχχ)與針對\ 為上述通式（XXXI)至（χχχχνΐ)或針對Xl之進一步提 到的結構且未以式表示之全部組合。特佳的配位基 \(1)„為N，N’-雙（亞柳基）二胺及n，N，，N’，-三（亞柳基） 三胺，極特佳為N，N’，N，’-三（亞柳基）芳基三胺或 10 N，N’，N”-三（亞柳基）烷基三胺或N，N，-雙（亞柳基）烷基二 胺或N，N’-雙（亞柳基）芳基二胺，就烷基而言，亦可能 代表例如視情況經取代的烷基，例如癸基十 二烷基、十六烷基或十八烷基，且視情況含有伸乙烯氧 單元或二級或三級胺單元，且就芳基而言，其可能代表 15視情況經取代的Ci-C3。-芳基，例如2,2-二笨基丙燒、 2,2-二笨基甲烷、2,2-二環己基苯基丙烷、苯基、ns 二本基苯、第或雙苯基。 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 反應係描述於WO 01/41512 A1中（針對單核銀絡人 物），且可應用於多核絡合物。其可於習用的有機溶劑 20 (例如氣化的烴、醇、酯、芳族化合物、自化的芳族化 σ物’較佳為1，2· 一乱乙院、氣仿、乙醇、曱醇、乙氧 基乙醇 '甲氧基乙醇、甘油及此等之混合物）中進行。 配位基XL(HL)n之一些係於市面上有售，且一也可 稭習用方法製得。舉例來說，藉著在甲笨或氣仿中沸騰 *"(使用水分離器），視情況添加催化量之甲苯績酸’ -22-
1333942
5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 為電致發光（EL)或光致發光裝置。 據本發月之夕核金屬絡合物較佳用作電致發光為 裝置（已於弓| 5中描述其基本結構）中之峨光發射趙。 因此，本發明係.關於_種電致發光層裝置其包含 -或多層選自由電洞注射、電洞傳導'發光、電洞阻 斷、電子傳輸或電子注射層組成之群，其特徵在於該發 光層含有根據本發明之多核金屬絡合物作為鱗光發射 體。再者’電致發光層裝置可含有二或更多電極（其中 至少之-倍有利地為透明的）、支持物或基板（於施用的 電極上且同樣有利地為透明的）、：個接點及用於包勝 之覆蓋物。為了簡化層結構，一層可形成複數種功能， 以致於可省略上述列舉之層。 ，發光層可含有根據本發明之多核金屬絡合物作為層 形成材料，而没有添加劑或摻雜物嵌入基質中。 S 本發明較佳關於-種電致發光層裝置，其中根據本 發明之多核金屬絡合物係以摻雜物丧人低分子量或聚合 基質中。此亦包含由聚合與低分子量成分之混合物所： 成的基質。 基質可含有0」至30重量％(較佳為i至1〇重量％) 根據本發明之多核金屬絡合物。於為聚合的時，基質較 佳可以聚·Ν-乙烯基味唾（PVK)、聚_27_莱州、聚對X 伸笨基化合物（PPP)或此等聚合物中至少之一 ' _ 聯苯基）-5-(4-第三丁基苯基婦bd)之混合物為基礎。 α 於為低分子量時，基質較佳可由44，_ν，ν，二咔唑
-24-
1333942 A7 B7 五、發明說明 雙笨基化合物（CBP)或下述且以芳族三級胺為基礎之電 洞傳導材料構成。其亦可由此等化合物與2(4聯苯 基）-5-(4-第三丁基苯基）_13,4_哼二唑（pBD)之混合物構 成。 ,· 所有上述且其發光層含根據本發明多核金屬絡合物 作為磷光發射體之電致發光層裝置於以下稱為根據本發 明之電致發光層裝置且以較佳具體例說明。 10 於較佳具體例中，根據本發明之電致發光層裝置含 有由2,9_二甲基-4,7-二笨基fl，1〇]啡咁（Bcp， bath〇Cuproin)、氣化雙（2_甲基_8羥基_ 4啉）鎵 (Ga(qa)2Cl)、Ga(qa)2F、Ga(qa)2_0_Ga(qa)2 或 3-(4_聯苯 訂 基）-心苯基-5-第三丁基-苯基-三唑（TAZ)組成之電 洞阻斷層。 15
BCP
經濟部智慧財產局員工消費合作社印繁 20 25 BCP與TAZ係於市面上有售。Ga(qa)2Cl、 Ga(qa)2F、Ga(qa)2-〇-Ga(qa)2 揭示於 Elschner 等人之 Adv. Master. 2001，13, 1811-1814 中。 於又一較佳具體例中，根據本發明之電致發光層裝 置具有含通式（B)陽離子聚噻吩之電洞注射層 -25- 1333942 A7
_________ _ B7 五、發明說明（2〇 其中 A1及A2彼此獨立地代表視情況經取代的（c「Ci8)_ 烧基或一起形成視情況經取代的（CVC18)-伸芳 基，且 !! 代表整數2至1〇,〇〇〇，較佳為3至5,〇〇〇。 離子’聚嗔吩僅代表存在於聚喧吩主鏈上之電 荷。此等視情況存在於取代基Ai或A2上之電荷未列入 考慮。 特佳的陽離子聚噻吩係由式（Ba)或（Bb)之結構單元 構成
1333942 A7 B7 五、發明說明（25) 其中
Ra及Rb彼此獨立地代表氫、視情況經取代的（c「 CIS)-烧基（較佳為（CVC,。)-烷基，尤其是（C|_ C6)-炫基）’、視情況經取代的（c2_ci2)-稀基（較 5 佳為（C2_C8)-缔基）、視情況經取代的（c3-C7)- 環炫基（較佳為環戊基、環己基）、視情況經 取代的（CVC,5)-芳烷基（較佳為笨基_(Ci_c4)_ 烧基）、視情況經取代的（C6-C1())-芳基（較佳為 苯基、萘基）、視情況經取代的（C1_CI8)_烷氧 1〇 基（較佳為（C1-C10)-烷氧基，例如曱氧基、乙 氧基、正丙氧基或異丙氧基）或視情況經取代 的（C2-C18) -统氧基醋，且 15 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 20 25
Rc及RD彼此獨立地代表氫（但非兩者同時地）、 (CVC18)-烷基（較佳為（Ci_C|c)_烷基，尤其是 (CVC6)-烷基，以至少一磺酸酯基團取代）、 (C2-C丨2)-烯基（較佳為（C2_C8)_烯基，以至少 一磺酸酯基團取代）、（c3-c7)-環烷基（較佳為 環戊基、環己基，以至少一磺酸酯基團取 代）、（c7-c15)-芳烷基（較佳為苯基-(CrC4)-烷 基’以至少一磺酸酯基團取代）、（C6-C10)-芳 基（較佳為苯基 '萘基，以至少一磺酸酯基團 取代）、（cvu-烷氧基（較佳為（c「c1())-烷氧 基’例如曱氧基、乙氧基、正丙氧基或異丙 氧基’以至少一磺酸酯基團取代）或（c2-cu)-烷氧基酯（以至少一磺酸酯基團取代），且 -27- 女 4» 推 «坫 ^1Λ 、 1333942 A7 B7 五、發明說明（26 n 代表整數2至10,000，較佳為3至5,000。 特佳地’ RC及RD彼此獨立地代表氫（但非彼此同 時地）或上述基團之―，其中基團係以磺酸酯基團取 代。 式（Ba-Ι)及（Bb-Ι)之陽離子或中性聚伸烷基噻吩 10
(Ba-1) (Bb-1) 其 Rc 中 訂 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 代表（Ci_C18)-烧基（較佳為（c^-Cio)-烧基，尤 其是（C「C6)-烧基，以至少一續酸酯基團取 代）、（C2-C12)-烯基（較佳為（c2-cs)-烯基，以 至少一磺酸酯基團取代）、（c3-c7)-環烷基（較 佳為環戊基、環己基，以至少一續酸酯基團 取代）、（C7-C15)-芳烷基（較佳為苯基_(c「c4)-烷基，以至少一磺酸酯基團取代）、（c6-ci0)-芳基（較佳為苯基、萘基，以至少一續酸酯基 團取代）、（(VU-烷氧基（較佳為（(^-(:…-烷 氧基’例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基或異 丙氧基，以至少一磺酸酯基團取代）或（c2· CI8)-烧氧基酯（以至少一續酸酯基團取代）， -28- 1333942 A7 B7 五、發明說明（27) 且 η 代表整數2至1〇,〇〇〇，較佳為3至5,000。 特佳地’ Rc代表上述基團之一，其中基團係以績 酸酯基團取代。 5 於本發明之又一較佳具體例中，該式中之η代表整 數4至15 。 聚陰離子’例如聚合羧酸（例如聚丙烯酸、聚甲基 丙烯酸、聚馬來酸及聚合磺酸，例如聚苯乙烯磺酸及聚 乙烤基績酸）之陰離子’係適用於作為陽離子聚噻吩之 10相反離子。此等聚羧酸及聚磺酸亦可為乙烯基羧酸及乙 烯基磺酸與其他可聚合的單體（例如丙烯酸酯及苯乙烯) 之共聚物。 聚苯乙烯磺酸（PSS)之陰離子特佳作為相反離子。 提供聚陰離子之聚酸的分子量較佳為〗，〇〇〇至 15 2,〇〇〇,〇〇〇 ’特佳為2,000至500,000。聚酸或其鹼金屬 係於市面上有售’例如聚苯乙烯磺酸及聚丙烯酸，或可 精已知方法製得（請參照例如Houben-Weyl，Methoden der organischen Chemie [有機化學的方法]，第 E 2〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 卷，Markromolekulare Stoffe [高分子物質]，第 2 部， 20 (1987)，第 1 Ml 頁以下）。 替代用於形成聚伸烷基二氧基噻吩與聚陰離子之分 散液所需的游離聚酸，亦可使用聚酸之驗金屬鹽與對應 量單元酸之混合物。 於式（Bb-Ι)之例子t，聚伸烷基二氧基噻吩於結構 25單元中帶有正及負電荷，正電荷係存在於聚噻吩主鏈 -29- 1333942 A7 B7 五、發明說明（μ 上’且基團Rc上之負電荷係以磺酸酯基困取代。聚喧 吩主鏈上之正電荷係部分地或完全地受基團RC上之陰 離子基團飽和β 聚伸烧基二氧基嘍吩之製法揭示於例如歐洲專利 ΕΡ·Α 0 440 957 (美國專利 US_A 5 3〇〇 575)中。聚伸烧 基一氧基嗔吩係藉氧化聚合反應製得。其因而得到正電 荷（未顯示於式中，因為其數目及其位置無法令人滿意 地決定）。 10 聚嗔吩分散液可藉已建立的經濟方法（例如澆鑄、 印刷、喷淋、浸潰、淹蓋或噴墨）施用於透明導電基 板。此中亦不需昂貴的真空法。 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 於一較佳具體例中，根據本發明之電致發光層裝置 含有式（C)芳族胺之電洞傳導層
R? (C) 、 其中 RE 代表氫，視情況經取代的烷基或函素，且 RF及RG彼此獨立地代表視情況經取代的（C^c,。）-烷基、烷氧基羰基取代之（CrC^)-烷基或芳 基、芳烧基或環烧基，其中每一者視情況經 -30- 25 0 5 12 2 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 1333942 A7 B7 五、發明說明（29 取代。 RF& RG彼此獨立地較佳代表（Ci_C6)_烷基（尤其是 甲基、乙基、正丙基·或異丙基、正丁基、異丁基、第二 丁基或第三丁基）、（CrC^)-烷氧基羰基_(Ci_c6)_烷基（例 如甲氧基羰基-(cvc：4)-烷基、乙氧基羰基_(C|_C士烷 基、丙氧基羰基-((ν<:4)-烷基或丁氧基羰基_(Crc4)^ 基）或苯基-(cvo烧基、萘基_(Ci_c4)_院基、環戊基、 環己基、苯基或萘基，其中每一者視情況以（Ci_C4)_烷 基及/或以（C「c4)-烷氧基取代。 特佳地’以及RG彼此獨立地較佳代表經取代的苯 基或萘基或苯基或萘基，每一者係以甲基、乙基、正丙 基、異丙基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基及/或異丙氧 基單一取代或三取代。 RE較佳代表氫、（C「C6)-烷基（例如甲基、乙基、正 丙基、異丙基、正丁基'異丁基、第二丁基或第三丁基 或氣）。 此等化合物及其製法係揭示於美國專利US-A 4 923 774中’俾用於電子照相術。三硝苯基化合物可轉 化為三胺基苯基化合物’例如藉一般已知的催化氫化反 應’例如於拉内（Raney)鎳存在下（Houben-Weyl 4/1C， 14-102 ’ Ullmann (4) U，135-148)。胺基化合物係以一 般已知的方式與經取代的齒素笨反應。 以下通式（C)之化合物可藉實例提及：
-31- 1333942 A7 B7 五、發明說明（30 ) KC-〇
O-CH,. C1 10
.0-CH,
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
C2H5 15 20 除了三級胺化合物外，視情況可使用額外的電洞導 25 體（例如以與三級胺化合物之混合物形式）於製造電致發 -32- m\\C\ A /1 40 44 ^ Ο 1 A x, 1333942 五、發明說明 31 10 15 20 25 光讀。此等在一方面可能為式(VI)之一或多種化合物 (亦含異構物之混合物)’且於另一方面，亦可為 輸化合物與通式（VI)具不同結構的三級胺化合物之混合 物〇 * ° 可能的f洞傳輸化合物之一覽表提供於歐洲專利 EP-A 0532 798 中。 於芳族胺混合物之例子巾’可使用任—所需比例之 化合物d 上述且具電洞傳導或電洞傳輸性質之化合物亦可用 作（已於本申請案之別處描述）用於將根據本發明多核金 屬絡合物嵌入發光層中之低分子量基質。 根據本發明之層裝置較佳額外地含有電子傳輸層。 適用於此一層之化合物的多樣性亦已知。 因此，舉例來說，根據W0 00/7〇 655 A2係使用 。由於在習知溶劑中之不溶性，此化合物可專門地 错洛汽沉積法施用。 因此’選自由 Ga(qa)2-ORH、Ga(qa)2-〇CORH、 Ga(qa)2Cl、Ga(qa)zF 或 Ga(qa)2_0-Ga(qa)2 組成之群 嫁絡合物較佳用於製造電子傳輸層（揭示於Elschner人 ’ Adv. Mater. 2001, 13，1811-1814 或尚未公開之 國專利申請案DE-A 10 225 826)。 於一較佳具體例中，根據本發明之電致發光層裝— 的電子傳輸層含有選自由Ga(qa)2-ORH、Ga(qa)2 〇C〇rh或Ga(qa)2_〇_Ga(qa)2組成之群之鎵絡合物， RH 代表經取代或未經取代的烷基烷基、烯基、 -33- 之 等 德 置 芳 ^ ^ΧΓΟ\ Λ Λ 40 Μ / Λ 1 Λ « ΛΛΤ /V Ν 1333942 A7 B7 五、發明說明（32 基、芳烧基或環烧基，且 (qa)代表
10 15 相較於Alq;，此等鎵化合物可同時自溶液及 汽沉積法施用。適合的溶劑為例如甲醇、乙醇 或異丙醇。 R較佳代表鹵素取代或亂基取代或未經取代的， 視情況分支鏈的烷基或烯基’尤其代表鹵素取代或氰基 取代或未經取代的，視情況分支鏈的（C|_C8)_烷基或 (Ct-C8)-烯基，特佳代表鹵素取代或氰基取代或未經取 代的，視情況分支鏈的（C「C6)-烷基或（CrC6)-烯基。氟 及氯較佳作為鹵素。 舉例來說，係使用式（D1)至（D4)之鎵化合物。 藉蒸 正丙醇 ά 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 5 2 -34- 1333942 A7 B7 五、發明說明（33 )
(D1)
1333942 A7 B7 五、發明說明（34
'Y^ 0 Cl (D4) 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 玻璃、極細玻璃（撓性玻璃）及塑料適合作為設置導 電層（電極）之透明基板。 特別適合的塑料為：聚碳酸酯、聚酯、共聚碳酸 酯、聚颯、聚醚颯、聚亞胺、聚乙烯、聚丙烯或環烯烴 或環烯烴共聚物（COC)、氫化的苯乙烯聚合物或氫化的 苯乙烯共聚物。 較佳的聚合物為聚碳酸酯、聚酯、聚颯、聚醚颯、 環烯烴共聚物氫化的笨乙烯聚合物及氫化的苯乙稀共聚 物。較佳者係選自由聚酯、PET及PEN(分別為聚對敵 酸伸乙酯及聚環烷酸伸乙酯）。 適合的聚合物基板為例如聚酯膜、pES膜（自 Sumitomo)或聚碳酸酯膜（自拜耳廠股份有限公 司）（Makrofol®)。 藉額外的層，例如]^虹11〇一膜（拜耳廠股份有限公 司）’此等基板可成為耐到及/或耐化學藥劑的。 自聚碳酸酯組成之群，含有以下片段之一之聚碳酸 S旨或共聚碳酸酯為特別適合： •36- 1333942 A7 B7 五、發明說明（35
+ &口 女 4*请广广\了0、^ Λ 1 Λ ,» ΛΛα t\ *Χ \ 1333942 A7 B7 五 5
ο 1X 5 ΊΛ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 5 2 發明說明（36) 用於合成聚破酸酯之其他雙酚揭示於例如歐洲專利 EP-A 359 953 中。 於另一較佳具體例中，根據本發明之電致發光層裝 置經包膠。 根據本發明電致發光層裝置之另一較佳具體例係為 上述較佳具體例之所有組合。 根據本發明之電致發光層裝置尤其適合作為發光元 件（例如有機電致發光裝置、磷光顯示器、發光二極 體、雷射應用、發光元件、大範圍輻射源等）一部分。 因此’本發明亦關於含有根據本發明電致發光層裝置之 發光元件。 舉例來說，根據本發明之層裝置可製備如下：將根 據通式（B)之有機導電聚噻吩以溶液或分散液形式施用 於已塗佈導電氧化銦錫層（IT〇層）之基板。接續的加熱 法適用於移除溶劑部分。較佳使用的式之胺接著同 樣地以濕塗佈步驟之形式施用於有機傳導聚合物系統之 層。在此亦進行加熱步驟以供移除溶劑。接續的發光層 (含有根據本發明之多核磷光發射體）同樣地係藉濕塗佈 步驟自溶液施用。 接著視情況藉蒸氣沉積法施用電洞阻斷層。此刻將 含有鎵絡合化合物之電子傳輸層施用至發光層或電洞阻 斷層’再度較佳自溶液（例如於曱醇中）施用一次。 為了製備電致發光層裝置，舉例來說，接著可施用 適用為陰極之金屬基板，視情況再度藉蒸氣沉積施用一 次。ITO層充當陽極。
/OXrCN -38- 1333942 五、發明說明（37) 因此’根據本發明之層結構的優點亦在於大量減少 製造所有有機官能層過程中所需的高真空塗佈步驟。 因此’本發明亦關於_種製造根據本發明電致發光 層裝置之方法，其特.‘徵在於含有根據本發明多核金屬絡 5合物之發光層係自溶液施用。 於根據本發明電致發光層裝置之發光層中之根據本 發明多核金屬絡合物係喪入低分子量或聚合基質中。此 方法之特徵在於根據本發明之多核金屬絡合物係 一起自溶液施用。 只 10 根據本發明之多核金屬絡合物係以含量 重量特佳為G.1至2重量％)含於溶液中 劑為甲笨、氯仿、氯苯、三氯笨、二甲笨等 0.01 至 5 較佳的溶 15 實施制 所有使用的起始材料係為市售 用方法製得。 错 已知的習 ppy： %針基對2不:：基所用之縮寫具有”意義 20 bthi>y: 2-苯并[b]嗔吩2-基-吡咬 F'PPy: 4_氟笨基-2-吡啶
-39- 25 1333942 A7 B7
藉油系使1·〇克（2.84毫莫耳）三氣銀（Η〗）水合物與 0.88克（5.67毫莫耳）2-苯‘吡啶（於1〇〇毫升新鮮蒸鶴 的2-乙氧基乙醇及33毫升蒸館水中）之混合物脫氣數 次，且於每一情形中通過氮氣。於氮氣壓下使反應批量 15 迴流13小時。之後，伴隨抽吸濾出沉澱的固形物，且 以乙醇沖洗。於在50。(：真空乾燥烘箱中乾燥後製得黃 色固形物。 產量：0.97克（理論產量之63.8%)。 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 特徵鑑定：'H-NMR (400 MHz，d6-DMSO，25°C , 20 TMS) 以下使用之所有額外Ir絡合物L2Ir(p-Cl)2IrL2可藉 相同合成法製備。 复來例2-a : 25 -40- 1333942 A7 B7 五、發明說明（39)
,.2 H20 對-曱苯磺酸 曱苯/水分離器
# 裝 10 將0.5克作為觸煤之對-甲苯磺酸添加至61.06克 (0.5莫耳）2-羥基苯甲醛及50.09克（0.25莫耳）1，12-二胺 基十二烷（於500毫升無水曱苯（通過4A分子篩）中）， 並且經反應生成除去水的席夫驗（Schiff’s base)。於進 行清洗中性及不含鹽類後，將製得的產物於甲苯中，一起 15 再結晶兩次以上。於在55°C乾燥後（吹式乾燥器，高真 空）製得氖黃色的粉狀固形物。 產量：9_04克（理論產量之8.8%)。 特徵鑑定：'H-NMR (400 MHz，CDC13，25°C， TMS) δ=1·31 (16H，CH2)，1.64 (4H，m^-CiVN^)， 20 3.55 (4H，CJH2.-N=)，7.28-6.85 (8H，芳族），8.30 (2H，-CH^N^I，13.7 (2H，OH)。 實施例2 - b . 進行如實施例2-a中所述2-羥基苯甲醛與二胺基癸 烷之類似反應。 -41- ? /OXTC、Λ d 冬曰· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25 1333942 A7 B7 五、發明說明（4〇) 膏族例2-c : 10
對-甲苯磺酸 甲苯/水分離器 -2 H20 15 _ T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 78 16 將9.77克（80毫莫耳）2_羥基苯甲醛以類似的方式 與9.54克（40毫莫耳）環己基胺化合物反應。 為了純化’將粗產物溶解於二氯甲炫中，且沉殿於 40/60石油醚辛。伴隨抽吸濾出產物’且於真空乾燥烘 箱中乾燥。製得黃色粉末。 熔點：179°C。 特徵鑑定：'H-NMR (400 MHz，CDC13) δ=0. (6Η，CH3)，6.83 至 7.30 (16Η，芳族上之質子），8 20 (2H，=CH)，13.7 (2H，OH)。 產量：4.3克（=理論之25%)。 實施例2-d : 25 -42- 1333942 A7 B7 五、發明說明（41)
將9.77克（80毫莫耳）2-羥基苯甲醛以類似的方式 10與9.05克（40毫莫耳）苯胺化合物反應。 為了純化，將粗產物溶解於二氣甲烷中，且沉澱於 40/60石油謎中。伴隨抽吸遽出產物，且於真空乾燥供 箱中乾燥。製得黃色粉末。 熔點：174°C。 15 特徵鑑定：tH-NMR (400 MHz，CDC13) δ=1·69 (6Η ’ CH3)，6_92 至 7.48 (16Η，芳族上之質子），8 61 (2H，=CH)，13.3 (2H，OH)。 產量：14_6克（=理論之84%)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ο 2 5 2 2 例 施 實 -43- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1333942 ____B7 五、發明說明（42)
將32.24克（0.264莫耳）2-羥基苯.甲醛與239.59克 10 (0.12 莫耳）Jeffamine® D-2000 (n=33.1，Huntsman)以莫 耳比例2.2 : 1於250毫升無水甲苯（通過4A分子篩）中 反應。添加0.5克對-甲苯磺酸至反應中作為觸煤。 於迴流下加熱，使用水分離器移除反應所生成的 水。以蒸镯水清洗製得的粗產物為中性及不含電解質， 15 並且藉管柱層析（曱苯溶離劑）純化β 於逐漸完成階段後，製得中黏度之澄清液體。 實施例2-f : 進行如實施例2-e之0·12莫耳Jeffamine® D-230 20 (n=2_6 ’ Huntsman)與2-羥基笨甲醛之類似反應。 實施例2 - g : 進行如實施例2-e之0.12莫耳Jeffamine® D-400 (η=5·6，Huntsman)與2-羥基笨曱醛之類似反應。
-44- 1333942 A7 B7 r 五、發明說明（43 音施例2-h : 10
N OH
15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 使用水分離器，以丨.4克（11·4毫莫耳）柳基醛（於甲 苯中）沸騰40克（11.4毫莫耳hjj·三（4_胺基苯基）苯12 小時。向下蒸發透明紅棕色溶液至1〇毫升並且於4 °C結晶出粗產物。為了純化，自乙醇（丨〇〇毫升）/曱苯 (25毫升）進行再結晶，接著通過矽膠（c&ciy甲醇 99· 1)進行層析，並且最後使產物再度地自乙醇/甲苯 再結晶。於乾燥後，製得於uv燈下（366毫微米）發出 構光黃色之黃色固形物。 產量：1_2克（理論之16%)。 熔點：191°C。 特徵鑑定：j-NMR (400 MHz，CDC13，TMS) δ=8·73 (s ; 3H ; N:CH-) ; 7_84 (s ; 3H ; H2，H4， H6) ; 7.79 (d ; H6) ; 7.46-7.38 (m ; 12H)，7.06 (d ; 3H ; Hsal)，6.98 (t ; 3H ; Hsai)。 -45- ，谲 /V'XTC、t 1333942 A7 B7 五、發明說明（44) 實施例2-i ：
10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 將61.06克（0.50莫耳）2·羥基苯f醛與wo*克 (0.25莫耳）間-伸苯基二胺以莫耳比例2 : i於毫升 無水甲苯（通過4A分子篩）中反應。添加〇5克對-甲笨 %酸至反應中作為觸煤。於迴流下加熱使用水分離 移除反應所生成的水。以蒸餾水清洗製得的粗產物為 性及不含電解質，並且於9(rc真空乾燥烘箱中乾燥 於乾燥後，製得黃橙色晶體。 產量：68.9克（理論產量之87.1%)。 純化：將10克粗產物於50毫升甲苯中再結晶， 且於70 C真空乾燥烘箱中乾燥。於乾燥後，製得黃橙 色固形物》 產量：5.0克（理論產量之50%)。 熔點：108°C。 特徵鑑定：]H-NMR (400 MHz , CDC13) : 13 (2H ’ OH) ; 8.64 (2H，N=CH) ; 7.46 至 6.93 (12H， 族質子）》 25 實施例2-i : ά 器 中 並 09 芳 訂 -46- 1333942 A7B7 五、發明說明（45 )
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將61.06克（0_50莫耳）2-羥基苯甲醛與49.57克 10 (0.25莫耳）4,4-二胺基二苯基曱烷以莫耳比例2 : 1於 700毫升無水甲苯（通過4A分子篩）中反應。添加0.5克 對-甲苯磺酸至反應中作為觸煤。於迴流下加熱，使用 水分離器移除反應所生成的水。以蒸餾水清洗製得的粗 產物為中性及不含電解質，並且於90°C真空乾燥烘箱 15 中乾燥。於乾燥後，製得螢光黃色固形物。 產量：93.8克（理論產量之92.3%)。 純化：將10克粗產物於200毫升氯苯中再結晶， 並且於70°C真空乾燥烘箱中乾燥。於乾燥後，製得螢 光黃色固形物。 20 產量：9.2克（理論產量之92%)。 熔點：216°C。 特徵鑑定：lH-NMR (400 MHz，d6-DMSO) : 13.16 (2H，OH) ; 8.94 (2H，N=CH-) ; 7.64 至 6.95 (16H，芳 族質子）：4.03 (2H，芳族-CH2-芳族）。 25 •47- 1333942 A7 B7 五、發明說明（46 貫施例2-k ·
OH NH， 對-甲苯磺酸 甲苯/水分離器 10 3 H20
,N OH 15 Η〇Ό 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 進行類似實施例2-j之反應。自環己酮/石油醚40-60(以比例1 : 10)進行再結晶。 Ή-NMR (CDC13 « 400 MHz) ： 13.78 (3H > OH) « 7.80 (3H，CH=)，7.29-6.07 (12H，芳族），3.57 及 2·82 (每一 6Η，CH2-N=及 N-CH2)。 熔點：93°C。 貫施例3 - a · 25 -48-
1333942 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五 發明說明 5 47 A7 B7
+ Na2C03 ο 11 5 IX
20 5 2 0-212克（2毫莫耳）碳酸鈉（於280毫升1，2-二氣乙院與 56毫升乙醇之混合物中）於氮氣下迴流3小時又2〇分 鐘。遽出生成的沉殿物，且以水清洗為中性。藉快逮層 析純化粗產物。於乾燥後，製得在uv燈下具橙紅 光之橙色固形物。 發 產量：0.2克（理論產量之7.6%)。
-49- 1333942 A7 A7 B7 五、發明說明（48 ) 特徵鑑定：iH-NMR (400 MHz ’ CDC13 ’ 25°C， TMS) MALDI-TOF : C70H66N6O2Ir2 :計算值：1407.8，實 際值：1407。 實施例3-b : 10 15
OH
HO
NaOCH3 CH3OH CHCL 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 o 2 5 2
於氮氣逆流下，首先將18毫克（0 333毫莫耳）甲醇 酸鈉（於2毫升甲醇令）引入小心加熱之燒杯中。添加67 毫克（0.164毫莫耳）自實施例2_a之席夫鹼（於5毫升氯 仿中）及接著200‘毫克（〇·155毫莫耳）銥絡合物 5 ((bthpy)2Ir(pCl)2Ir(bthpy)2)(於 20 毫升氣仿中），同時 攪拌。藉施加氮氣且接續通過氮氣使溶液脫氣四次，且 接著迴流14小時。於冷卻後，進行過濾，以25毫升氣 仿使殘餘物沸騰及過濾，並且合併濾液。於旋轉式蒸發 器中汽提溶劑’並且於甲苯中溶解殘餘物且以正己烷沉 10殺。藉通過矽膠（CH2C12)之層析進一步純化產物。製得 在UV燈下發出磷光紅色之橙紅色固形物。溶液（例如 於氣仿中）於UV燈下同樣地具強烈的紅色螢光。 產量：94.5毫克（理論之35°/0)。 熔點：232°C (分解）。 15 特徵鑑定：iH-NMR (400 MHz，CDC13，TMS)。 MALDI-TOF(基質）：C78H66N602S4Ir2 : M+計算值： 1632.1，實際值：1631.9。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 5 2 -51- 五、
發明說明（5〇 實施你I 3-c 5 ο 11 5 11 f\八 lr、/lr、 Cl N*
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 5 2 於氮氣逆流下，首先將19毫克（0.35毫莫耳）曱醇 酸納（於2毫升甲醇中）引人小心加熱之燒杯中。添加57 毫克（’15宅莫耳）自實施例2-b之席夫驗及2〇〇毫克 (0-176 毫莫耳）銥絡合物（（F pp幻2Ir(^_cl)2 Ir(F ppy)2)(於 25毫升乳仿中），同時攪拌。藉施加氮氣且接續通過氮 氣使/合液脫氣四次，且接著迴流22小時。於冷卻後， 進行過;處’並且於旋轉式蒸發器中汽提溶劑。藉通過矽 膠（cf^c〗2/甲醇98 5 :〗5)之層析純化產物。製得在 燈下發出磷光黃色之黃色固形物。
-52- 1333942 A7 B7 五、發明說明（S1 產量：175克（理論之69%)。 炫點：221 X：(分解）。 特徵鑑定：iH-NMR (400 MHz，CDC13，TMS) 5 實施例3-d : 10
J2 % -*-ι 5·ι 5 11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 5 2 於鼠氣壓下’首先將13.5克（0.25毫莫耳）甲醇酸 納（於1毫升甲醇中）引入小心加熱之燒杯中。添加40 毫克（0.06毫莫耳）自實施例2-h之席夫鹼及100毫克 毫升氣仿中）’且接著迴流14小時。於冷卻後，進行過 渡及濃縮，並且通過矽膠（CHzCl2 : CH3OH 97 : 3)進行 層析，添加己烷直到沉澱開始為止，且於冷凍庫中進行 貯存過夜。於伴隨抽吸過濾及乾燥後，製得在UV燈下 (366毫微米）發出磷光橙色之黃橙色固形物。 產量：91.5毫克（理論之71%)。 熔點：344。(：（分解）。 -53- 1333942 A7 B7 五、發明說明（52 ) 特徵鑑定：'H-NMR (400 MHz ’ CDC13，TMS)。 MALDI-TOF(基質）：CluH78N903Ir3 : M+計算值: 2162.5 ;實際值：2162.4。 5 實施例3-e :
經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 以40毫克（0.09毫莫耳）自實施例2-c之席夫鹼、 20 127 毫克（0.099 毫莫耳）銥絡合物（(bthpy)2Ir(p-Cl)2
Ir(bthpy)2)、10.8毫克（0.2毫莫耳）甲醇酸鈉、i毫升曱 醇及35毫升氣仿進行類似實施例3-c之方法。反應時 間：13.5 小時，通過矽膠（以 CH2C12 : CH3〇H 98.5 ·· 1.5)進行層析。製得在UV燈下（366毫微米）發出磷光 25 红色之橙色固形物。 -54- 1333942 A7 B7 五、發明說明（53 ) 產量：49.5毫克（理論之33%)。 熔點：302°C(分解）。 特徵鑑定：'H-NMR (400 MHz，CDC13，TMS)。 MALDI-TOF(基質）：C81H68N602S4Ir2 : M+計算值： 5 1670.1 ;實際值：1670.2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
1333942 iff々月0修(~正本 六、申請專利範圍 A8 B8 專利申請案第92121742號 r〇 ROC Patent Appln. No. 92121742 修正後無劃線之申請專利範圍中文本-附件（三） Amended Claims in Chinese - ΕηοΙ.ΓΗΠ (民國99年3月5曰送呈） (Submitted on March 5S 2010) 1·一種通式（I)之多核金屬絡合物 (LmMe-HL)n-XL 其特徵在於 Me代表過渡金屬， L 代表選自通式（II)至（XIX)之二齒螯合物形成配 10 4 位基’ 15 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1333942 Αδ Β8 C8 D8 申請專利範圍
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1333942 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍
„80
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
其中 X 代表氧或硫或N-烷基或N-H， 5 R^-R124為相同或不同，且彼此獨立地代表Η、F、 -58 - ...本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1333942 - A8 ~ Βδ C8 _D8 六、申請專利範圍 CF3、直鍵或分支鍵的C 1 - C 22_烧基基團、直鍵 或分支鍵的Ci_C22_烧乳基基團、視情況選用 C1-C3Q -烧基取代的C5-C20-芳基单元及/或視情 況選用CrCM-烷基取代之具5至9環C原子 5 及1至3環雜原子的雜芳基單元，該雜原子係 選自由氮、氧及硫組成之群， Hl 代表與該過渡金屬Me以螯合物狀形式絡合且 W 經由以*標記之鏈合點結合於該鏈接劑 (linker)XL之選自由通式（XX)至（XXX)之二齒 10 螯合物形成配位基，
訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐) S) 1333942 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
13δ R (XXIV-a)
(XXV) 、14S
R 147
R 154 訂 h163 r〇62
R R. (XXVI-c) 線 I I I m 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
R1 75 60 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 x 297公釐） 1333942 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
R 182 0
R 196 R 197^ .R 195 U P、R134 (XXX) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 且 X U Ar 代表氧、硫、N-烷基或N-H， 代表整數1至6， 代表笨基、。塞嗯基、第基、。比。各、叶唾或1,4 -伸苯基-伸乙烯基，每一者係經直鏈或分支鏈 的CVCw烷基或CVC30-烷氧基、F、氰基或 CF3取代，且 125 τι 197 CF 為相同或不同，且彼此獨立地代表Η、F、 、直鏈或分支鏈的（^-(：22-烷基基團、直鏈 -61 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1333942 A8 B8 C8 D8 Xl 六、申請專利範圍 或分支鏈的CrCn-烷氧基基團、視情況選用 CrCw烷基取代的c5-c2〇-芳基單元及/或視情 況選用CkCso-烷基取代之具5至9環C原子 及1至3環雜原子的雜芳基單元，該雜原子係 選自由氮、氧及硫組成之群， 為選自以下通式（XXXI)至（XXXII)和（XXXIV) 至（XXXXVI)之η官能鏈接劑（linker)， (ΧΧΧί)
(XXXIV) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ¾ R,
R ,ο ο k ο ] ί.'本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 1333942 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (XXXVII)
〇 〇 4 〇 "C"1 j^o 〇- -成0/ (XXXIX) (XXXX) -C- h2 风 (XXXXI) lb H2 R202 R203’ (ΧΧΧΧίΐ) ^205 (XXXXI II) .204 04=0
(XXXXIV). 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (XXXXV) -63 -
(XXXXVI) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1333942 A B c D 六、申請專利範圍 其中 b 代表整數2至300， p 1 98 p 205 ji., -K 為相同或不同，且彼此獨立地代表Η或直 鏈或分支鏈的Ci-Cw烧基，且 5 Ar 代表笨基、0塞嗯基、苐基、吼σ各、吟唾或1,4_ 伸笨基-伸乙稀基，每一者係經直鏈或分支鏈 的CrCw烷基或CVCm-烷氧基基團、ρ、氰 基或cf3取代， 或 10 Xl 代表α，ω-烷基、α，ω-低聚伸乙氧基、α，ω_伸芳 基、α，ω-低聚酯、α，ω-低聚趟、α，ω_:氧基烧 基、α，ω-二氧基聚酯及α，ω-二氧基低聚酯或對 應的聚丙烯酸-多元醇、聚酯-多元醇或聚醚_ 多元醇（Desmophene®，自拜耳廠股份有限公 15 司’利佛可生城）或代表直鏈或分支鏈的脂族 α，ω-聚碳酸酯聚酯， Xl 係連接至Hl ’視情況經由醋、越、酿胺基、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 胺基、亞胺基、碳酸酯或胺基甲酸酯基團取 代， 2〇 η 代表整數2至6，且 m 代表整數1至3。 2.如申請專利範圍第丨項之多核金屬絡合物其特徵 在於 Me 代表第6至第8次族、鑭系元素族或釣系元素 25 族之過渡金屬， -64 - 夺紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1333942 . * 1 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 η 等於2或3，且 L、Hl及Xl具有如申請專利範圍第1項中所述之意 義。 3.如申請專利範圍第1或2項之多核金屬絡合物，其 5 特徵在於其係選自通式（la)至（Ih)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 訂 線 ί 8) 1333942
144 M Hr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 £ hl
4r 4 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1333942 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (S) 1333942 六、申請專利範圍 Α8 Β8 C8 D8 m 其中 Me代表鉑（II)或銥（III) 代表1或2，且 R 、Hl及Xl具有如申請專利範圍第1或2 項中所述之意義。 4·-種製備如申請專利範圍第！《2項之多核金屬絡 合物之方法，其特徵在於通式（A)之化合 Cf /Met^ r*, •a tA> 與含n個輔助配位基Hl之n官能配位基Xl(Hl乂反 10 應，每一輔助配位基係為雙齒配位基，伴隨著添加 驗， m、Me、L、XL、HL及η具有如申請專利範圍第1 至3項中至少一項中所述之意義。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其特徵在於 15 Me 代表鉑（II)或銥（III)， m 代表1或2，且 Na2C03、K2C03或甲醇酸鈉經添力σ為該驗。 6. —種如申請專利範圍第丨至3項中至少一項之多核 金屬絡合物之用途，其係作為電致發光層裝置中之 20 磷光發射體。 7·—種電致發光層裝置，其包含—或多層選自由電祠 注射、電洞傳導、發光、電洞阻斷、電子傳輸成電 -68 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂 線 I I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1333942 # . *
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (S) ^^3942 、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 Ga(qa)2或3-(4-聯苯基）-4-苯基-5-第三丁基_笨基_ 1，2,4-三嗤（TAZ)組成。 12.如申請專利範圍第8或9項之電致發光層裝置，其 特徵在於該電洞注射層含有通式（B)之陽離子聚嗔a a2o. ,0-A1 π (Β) 10 其中 Α1及Α2彼此獨立地代表視情況經取代的（c Γ 1 ⑷-燒 基或一起形成視情況經取代的（CrC^8)-伸芳 基，且 n 代表整數2至10,000，較佳為3至5,〇〇〇。 13.如申請專利範圍第8或9項之電致發光層裝置，其 特徵在於該電洞傳導層含有通式（C)之芳族胺 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中 rfn〆
(c) rf)k 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 133,3942 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 10 rE 代表氫’視情況經取代的烷基或鹵素’且 R及rG彼此獨立地代表視情況經取代的（Ci-C10)-炫•基、烷氧基羰基取代之（Cl_c1G)-烷基或芳 基、烷基或環烷基，其中每一者視情況經取 代。 14.如申請專利範圍第8或9項之電致發光層裝置，其 特徵在於該電子傳輸層含有選自由Ga(qa)2_〇RH、 Ga(qa)2-OCORH 或 Ga(qa)2-0-Ga(qa)2 組成之群之鎵 絡合物， RH 代表經取代或未經取代的烷基烷基、烯基、芳 基、芳烷基或環烷基，且 (qa)代表
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ch3 ο U·—種製造如申請專利範圍第7至14項中至少一項之 電致發光層裝置之方法，其特徵在於含有如申請專 利範圍第1至3項中至少一項多核金屬絡合物之發 光層係自溶液施用。 16. —種製造如申請專利範圍第8至14項中至少一項之 電致發光層裝置之方法，其特徵在於含有如申請專 利範圍第1至3項中至少一項之多核金屬絡合物係 與該基質一起自溶液施用。 17. —種發光組成物，其特徵在於含有如申請專利範圍 第7至14項中至少一項之電致發光層
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