TWI333128B - A method of fabricating an electronic device using a conductive photolithographic film, and an electronic device having a patterned conductive photolithographic film - Google Patents

A method of fabricating an electronic device using a conductive photolithographic film, and an electronic device having a patterned conductive photolithographic film Download PDF

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TWI333128B
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Rebecca Shia
Tsung Yu Chen
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Description

1333128 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明之具體例係關於導電性光微影用聚合物 互聯之方法及摻入導電性光微影用聚合物之裝置之 特徵》 【先前技術】 Φ 積體電路是在半導體材料內和在覆於半導體表 介電材料內形成之裝置的內聯組合品。可在半導體 的裝置包括電晶體、雙極電晶體、二極體和擴散電 這些僅爲其中的少數。可於介電物中形成的裝置包 電阻器和電容器。矽或含矽的材料基本上被用來作 裝置的基板。 基本上，超過100個積體電路晶粒（1C晶片） 一個單一 8吋直徑矽晶圓上。此裝置藉由在介電物 % 的導電路徑（亦稱爲金屬化層）互聯。基本上，二 導電路徑（連續層以介電層隔開）被用來作爲互聯 的實施中，金屬化層（基本上製自銅）形成於介電 以建立導電路徑。形成金屬化層的程序方法的例子 - 學蒸鍍（CVD)、物理蒸鍍（PVD)和電化學澱積。 現，銅之電化學澱積以成本最有效方式澱積銅金屬 除了經濟上許可以外，這樣的澱積技巧提供實質上 銅膜，其爲機械上和電力上適用於互聯結構者。 描述電化學澱積的一個例子（圖1A-1E)。首 和製造 導電性 面上之 內形成 阻器， 括薄膜 爲這些 建構於 內形成 或多層 刖 層上， 包括化 已經發 化層。 方正的 先，在 -5- 1333128 基板106的絕緣層104(其上可包括導電特徵或裝置ι〇8 )上形成無電銅鍍敷層1〇2(圖1A)。絕緣層104包括穿 透孔或通孔110以有助於連接至導電特徵108。絕緣層 104基本上是介於形成於多層上的導電圖案之間的絕緣層 ’其用以確保導電圖案之間的電絕緣。 之後，光阻層112於無電銅鍍敷層102上形成圖案， 此如圖1B所示者。之後，於暴露的無電銅鍍敷層102上 形成電解銅鍍敷層114，此如圖1C所示者。此無電銅鍍 敷層102作爲電解鍍敷層114的電進料或晶種層。 之後，移除光阻層1 12，此如圖1D所示者。之後， 使用銅蝕刻溶液移除暴露的無電銅鍍敷層102，此如圖1E 所示者。基本上，以鹼蝕刻液作爲蝕刻液。因爲前述者， 導電圖案116(其中，電解銅鍍敷層114層合於無電銅鍍 敷層102上）可形成於絕緣層1〇4上，此如圖1C所示者 。基本上多次重覆此程序以形成多層裝置。 目前之實施使得裝置（如，印刷電路板）因爲膜層合 至導電層圖案完成頗爲耗時，而使得製造時的程序時間長 。必須使用光阻層，必須使用無電鍍敷層和電解鍍敷並於 各步驟移除。此外，須要許多控制系統使得化學溶液維持 直線穩定性（例如，在無電鏟敷法中），以便準確且小心 地控制澱積量及控制無電鑛敷的厚度。此使得製造裝置之 方法耗時且花費高。 【發明內容及實施方式】 -6- 1333128 參考特定構形和技巧地描述具體例。嫻於此技術者瞭 解可以維持所附申請專利範圍的方式並作出多種改變和修 飾。此外，未詳細列出習知元件 '裝置、組件 '電路、程 序步驟之類》 本發明之具體例係關於導電性光微影用聚合物和具有 摻用該導電性光微影用聚合物之互聯和導電特徵之裝置（ 如，印刷電路板）之製造方法。裝置之製法中使用導電軌 Φ 跡和導電路徑。例如，裝置形成於基板上並經由絕緣層和 導電路徑或金屬化層彼此互聯。如前述者，電化學是一種 習知的方法，其廣泛用於製造此導電路徑。在製造用於半 導體裝置之導電路徑時，此慣用方法通常須要多重蝕刻和 光微影步驟。目前之實施須要長的產製時間並導致製造裝 置的大量成本。 本發明之具體例揭示了導電性光微影用聚合物，其可 用以製造半導體裝置的導電路徑、金屬化層或其他導電特 φ 徵。此處所謂，導電性光微影用聚合物可以是包括本身爲 導電性的聚合物和具有光學性質之聚合物之合成材料。導 電性光微影用聚合物也可以是包括光微影用聚合物和導電 性聚合物（其包括非導電性聚合物和導電材料（如，金屬 或碳粉）之物理混合物）之材料。導電性光微影用聚合物 也可以是包括光微影用聚合物和導電性聚合物（其包括導 電性聚合物和加至此混合物中以增進導電性聚合物之導電 性之額外導電性材料（如，金屬或碳粉）之物理混合物） 之材料。此導電性光微影用聚合物因其光學性質，所以可 1333128 以作爲光阻材料。一般的光微影法可用以使導電性光微影 用聚合物形成圖案。之後，使用導電性光微影用聚合物形 成之線、軌跡或路徑作爲導電軌跡或路徑，或者因爲其導 電性質而作爲金屬化層。藉此，此導電性光微影用聚合物 可代替前述的一般光阻層和無電鍍敷層或者可代替前述的 —般光阻層、無電鍍敷層及電解鍍敷層。此導電性光微影 用聚合物亦可用以形成其他導電軌跡和/或目前使用金屬 (如：銅）而形成的金屬化層。 一個具體例中，此導電性光微影用聚合物是混合物， 其包含（1)約50重量％至約60重量％ —種環氧基丙嫌酸 酯、熱固化劑和導電性聚合物之混合物；（2)約20重量 %至約3 0重量％光微影用反應性組份；（3 )約丨〇重量％ 至約1 5重量％光活性材料；和（4 )約3重量％至約5重 量％增進導電性光微影用聚合物之導電性的添加劑。 環氧基丙烯酸酯（一種熱固化劑）與導電性聚合物之 比例變化取決於導電性光微影用聚合物所欲導電度及混合 物所用導電性聚合物之導電性。 一個具體例中’此環氧基丙烯酸酯是酸官能性單體和 非酸官能性單體之混合物。此環氧基丙烯酸酯可選自丙烯 酸、甲基丙烯酸 '馬來酸、富馬酸、檸康酸、2 -丙烯醯胺 基-2-甲基丙磺酸、丙烯醯基磷酸2 -羥基乙酯、丙烯醯基 磷酸2-羥基丙酯、2-羥基-α-丙烯醯基磷酸酯、丙烯酸甲 酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸正己酯、 甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙 -8 - 1333128 _酸辛酷、甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯和丙烯酸第三丁酯。 —個具體例中，此熱固化劑選自咪唑、咪唑衍生物、 2_甲基咪唑' 2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪 哩、4-苯基咪唑' 1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-(2-氰乙基）- ' 巷_4·甲基咪唑、胍胺（guanamine)、乙醯基胍胺、
本並狐胺 '胺、二氰二醯胺、苯甲基二甲基胺、4_ (二甲 胺基）XT ·Ν，Ν-二甲基苯甲基胺、4-甲氧基-N，N-二甲基苯甲 φ 、4'甲基-N，N-二甲基苯甲胺、蜜胺、酚醛樹脂、酚醛 清漆樹脂和甲酚清漆樹脂。 〜個具體例中，此導電性聚合物本身或自然具導電性 • ° 一個具體例中，此導電性聚合物選自聚苯胺、聚吡咯和 聚嚷吩、聚伸苯基乙烯、聚二烷基芴、聚苯胺衍生物、聚 耻啥衍生物、聚噻吩衍生物和奈米複合聚合物。此導電性 材料亦爲具有摻雜物的碘（AsF5 )、聚乙炔或聚氮化硫。 一個具體例中，此光微影用反應性組份是具有烯系不 # 飽和性的單體、二聚體或短鏈低聚物。此光微影用反應性 組份可選自苯乙烯馬來酸酐共聚物和類似含酸酐之共聚物 ，其中苯乙烯馬來酸酐共聚物和類似含有酸酐之共聚物中 之每一者均經羥基官能性（甲基）丙烯酸酯部分酯化。一 個具體例中’此涇基官能性（甲基）丙烯酸酯選自丙烯酸 羥基乙酯、丙烧酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸和檸康 酸官能性單體° 一個具體例中，光活性材料選自9-苯基吖啶、正苯基 甘胺酸、芳族酮、N，N、四乙基_4,4'·二胺基二苯甲酮和4- -9- 1333128 甲氧基-4’-二甲基胺基二苯甲酮。此芳族酮可爲二苯甲酮 、Ν,Ν、四甲基-4或4'二胺基二苯甲酮。 界面活性劑亦可含括於添加劑中。一個具體例中，此 添加劑選自顏色形成劑、界面活性劑、觸媒、塡料、塑化 劑和金屬粉末。此添加劑可以是能夠增進聚合物之導電性 的組份。可作爲添加劑的材料亦包括導電劑、金屬、金屬 粉末和奈米尺寸金屬粉末。此導電性材料可以是銅、金、 鈦、鉻、鋁、鐵、鎳、鈷、鋅、銅鋅、鎳—鐵、鈷一鐵、 銀、石墨或碳黑粉末..等。 溶劑含括於構成導電性光微影用聚合物之混合物中。 此溶劑可選自酮、甲乙酮、環己酮、芳族烴、甲苯、二甲 苯、四甲基苯、二醇醚、二乙二醇一乙醚、二'丙二醇二乙 醚、酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁基溶纖素乙酸酯、卡必 醇乙酸酯、脂族烴、辛烷、癸烷、石油溶劑' 石油醚、石 油腦和溶劑石腦油。 此導電性光微影用聚合物的導電性與導電性金屬（如 ，銅、鐵、鎳、鈷、鋅、銅鋅、鎳一鐵或鈷一鐵）相仿。 藉由改變添加物或金屬粉末的濃度，可以使得導電性光微 影用聚合物的導電性高至這些導電性金屬的導電性。一個 具體例中，導電性光微影用聚合物之導電性之範圍由約 lxlO·1。至約 lxl06Siemens / cn^通常，銅的導電性約 lxl06Siemens / cm，半導體材料的導電性約 1χ1(Γ8至約 1 X 1 02 S iemens / cm ° 使用目前用於裝置製造之光微影技術，可以使用導電 -10- 1333128 性光微影用聚合物形成膜、圖案或線。也可以使用標準平 版印刷技巧而在各種基板上製造導電性光微影用聚合物的 膜、線或圖案。製造之後，導電性光微影用聚合物的這些 膜、線或圖案可形成導電特徵或施以金屬化作用以用於各 種半導體或電子裝置。此導電性光微影用聚合物可藉墨水 、溶液或乾膜，藉澱積、印刷或層合法而形成於基板上。 此導電性光微影用聚合物可用以製造電子裝置、微電子裝 Φ 置、微處理器、晶片組、電力控制器、印刷電路板、電力 設備、光學聯結器、光電子組件、顯示器組件、液晶顯示 器或平面顯示器·.等，這些皆將導電性光微影用聚合物用 於其電路。 —個具體例中，使用例如前述之導電性光微影用聚合 物形成電子裝置（如：印刷電路板）。應注意到，前述導 電性光微影用聚合物之混合物例並非製造電子裝置中所用 之導電性光微影用聚合物之唯一組份。現將以參考圖2A-φ 2D的方式描述可自導電性光微影用聚合物獲利之電子裝 置之產製。 首先，具有一個開口 240作爲通孔或穿透孔的絕緣層 2 5 0形成於核心基板200的一或兩個（頂和底）表面上（ 圖2A)。基板200可以是任何所欲基板，如，有機材料 、陶瓷、玻璃或半導體材料（如，矽、含矽的材料、載於 絕緣材料上的矽、矽鍺材料）。基板200可包括形成於其 上或其中的微電子結構’如：電晶體或積體電路（未示） -11 - 1333128 基板200亦包括導電特徵2〇2。此導電特徵202可形 成於基板200的頂面、側面和底面上。導電特徵202可以 是用於已藉此技術已知的方法而形成於基板200中之裝置 (未示）（如，電晶體或積體電路）的一或多個導電接點 或金屬化層。此導電接點可製自銅、鈦、鋁、鉻或其他適 當的導電材料。 絕緣層250是常用於半導體裝置之慣用介電或絕緣材 料。使用此技術已知的慣用方法，絕緣層250形成於基板 20 0上，在絕緣層內形成通孔或穿透孔240，以便建立與 導電特徵202之電力接觸。取決於應用和裝置，可於基板 200的頂和底面上形成絕緣層250。 之後，導電性光微影膜230形成於絕緣層250表面上 (圖2A )。一個具體例中，導電性光微影膜23 0形成於 絕緣層25 0的頂和底面上。一個具體例中，由墨水溶液形 成導電性光微影膜230，此處，導電性光微影材料印或覆 於絕緣層2 5 0表面上。之後使經印刷的導電性光微影材料 乾燥或固化以形成導電性光微影膜230。或者，藉由使無 水膜層合於絕緣層2 5 0表面上的方式而形成導電性光微影 膜2 3 0。可以施用壓力和溫度以使得導電性光微影膜2 3 0 流入通孔或穿透孔240以與導電特徵202接觸。 之後，用此技術已知之類似於遮蔽光阻膜之方法，根 據膜230所欲電路圖案，使遮蔽導電性光微影膜23 0 (圖 2B中使用光罩241)。導電性光微影膜23 0之後曝於光 245，如，約50-150毫焦耳/平方公分，此爲光阻膜曝光 1333128 常用者。隨後，經曝光的導電性光微影膜230經顯影，以 形成導電性光微影膜所欲圖案。導電性光微影膜2 3 0顯影 之後，移除膜230之未遮光的部分，留下導電性光微影膜 之經遮光的部分2 3 2，此如圖2C所示者。顯影液可以是 此技術中已知之使光阻膜顯影之慣用顯影劑，如，0. Τ-ΐ. 〇%鈉 溶液。 導電性光微影膜232厚度可以與前述用以形成導電路 φ 徑之慣用方法中所用之典型無電鍍敷膜類似。一個實施例 中，導電性光微影膜232的厚度介於約0.5微米至約10 微米之間。 導電性光微影膜23 2的軌跡經設計或其形狀使得所有 的軌跡連接至用於電解銅鍍敷之外在端點（未示）。在電 解銅鍍敷之後，此連接軌跡之後被蝕去。 之後，使用此技術已知的技巧，電解鍍敷膜23 4形成 於導電性光微影膜23 2上（圖2D )。例如，可藉由使基 φ 板200浸於電解鍍敷液體中及使電流通過導電性光微影膜 23 2的方式形成電解鍍敷膜23 4。將於導電性光微影膜232 上形成電解鏟敷膜234。電解鍍敷膜234的厚度約5-3 0微 米。電解鍍敷膜23 4基本上是電解銅鍍敷膜。一個具體例 中，包含約180克/升硫酸和約80克/升硫酸銅之溶液 用於電解鍍敷法，以形成電解鍍敷膜234。電解鍍敷膜 234和和導電性光微影膜23 2 —倂形成半導體裝置的導電 性圖案或電路圖案236。在導電性光微影膜232形成於基 板2 00頂和底面上之具體例中，電解鍍敷膜234亦可形成 -13- 1333128 於基板2 0 0的頂和底面上，此如圖2D所示者。電解鍍敷 之後，使用慣用方法，蝕刻去除用於電解鍍敷而連接至外 部孔的軌跡。 可視須要地多次重覆圖2A-2D所示方法，以形成用於 多層半導體裝置之額外的導電性圖案層。例如，另一絕緣 層247可形成於基板200頂面上或覆蓋導電性圖案236, 此如圖2E所示者。通孔/孔20穿透絕緣層以連接至基 板200上的導電性圖案236或其他導電特徵。之後，可以 類似地重覆所述之用以形成導電性光微影膜和先前所述電 解膜之方法以製造其他所欲電路圖案。 一個具體例中，前述導電特徵2 02亦可製自導電性光 微影用聚合物。此具體例中，形成前述導電性光微影用聚 合物（墨水形式或乾膜）、澱積或層合於基板200上，以 形成導電性光微影用聚合物膜。此導電性光微影用聚合物 膜之後以類似前述方式遮光、曝光和顯影，形成所欲電路 圖案用於導電特徵202。導電性光微影用聚合物膜形成圖 案之後，導電元件2 02形成於基板2 50上。在導電性光微 影用聚合物以膜形式覆蓋之具體例中，可施以壓力和溫度 以使得導電性光微影用聚合物膜流入基板200的裂縫、開 口、溝槽或通孔（未示）。 前述具體例中，導電性光微影用聚合物用以代替慣用 以形成導電性圖案之方法中之無電銅程序和光阻程序。一 些其他具體例中，導電性光微影用聚合物用以代替慣用以 形成導電性圖案之方法中之無電銅鍍敷、光阻物及電解銅 -14- 1333128 鍍敷。圖3A-3C說明這樣的具體例。這些具體例中，先於 基板表面上形成導電性光微影用聚合物膜》之後遮蔽導電 性光微影用聚合物膜，曝光，及顯影以形成導電性圖案。 形成之此導電性光微影用聚合物膜具有足夠厚度和足夠導 電度，因此不需要電解電鍍。 圖3Α中’具有一個開口 340作爲通孔或穿透孔之絕 緣層350形成於核心基板300表面（如此處所示者，頂和 φ 底面各一）。此基板300可爲任何所欲基板，如，有機材 料、陶瓷、玻璃或半導體材料（如，矽、含矽材料、載於 絕緣材料上的矽、矽鍺材料）。基板300可包括微電子結 構（如：電晶體或積體電路）（未示）形成於其上或其中 。基板3 00亦包括導電特徵3 02。此導電特徵可形成於基 板300的頂面、側面和底面。導電特徵302可以是用於藉 此技術已知的方法而形成於基板中之裝置（如，電晶體或 積體電路）（未示）的一或多個導電接點或金屬化層。此 φ 導電接點可製自銅、鈦、鋁、鉻或其他適當的導電材料。 之後，導電性光微影用聚合物膜330形成於絕緣材料 層3 50表面上。一個具體例中，導電性光微影用聚合物膜 330形成於絕緣層350的頂和底表面上。一個具體例中， 導電性光微影用聚合物膜330由墨水溶液形成，此處，導 電性光微影材料印或覆於絕緣層3 50表面上。之後使經印 刷的導電性光微影材料乾燥或固化以形成導電性光微影膜 330。或者，藉由使無水膜層合於絕緣層350表面上的方 式，形成導電性光微影膜330。可以施用壓力和溫度以使 -15- 1333128 得導電性光微影膜33 0流入通孔或穿透孔3 40以與導電特 徵3 02接觸。形成於絕緣層上之後，此導電性光微影材料 可塡入開口、通孔、溝槽或縫隙中，此如圖3 A-3C所示者 〇 之後，使用此技術已知之類似於遮蔽光阻膜之方法， 根據膜330所欲電路圖案，導電性光微影用聚合物膜330 以光罩362遮蔽（圖3B)。導電性光微影膜330之後曝 於光3 60，如，約5 0- 1 5 0毫焦耳/平方公分，此爲光阻膜 曝光常用者。隨後，經曝光的導電性光微影膜3 3 0經顯影 ，以形成導電性光微影膜所欲圖案。導電性光微影膜330 顯影之後，移除膜330之未遮光的部分，留下導電性光微 影膜之經遮光的部分3 32，此如圖3C所示者。顯影液可 以是此技術中已知之使光阻膜顯影之慣用顯影劑，如， 0.7-1.0%鈉溶液。 此導電性光微影用聚合物膜3 3 2的厚度可以與形成導 電途徑慣用之方法中所用之典型的無電鍍敷膜和典型電鍍 膜類似。一個具體例中，此導電性光微影用聚合物膜3 3 2 的厚度介於約10微米至約100微米之間。 可視須要地多次重覆圖3A-3C所示的方法，以形成用 於多層半導體裝置之額外的導電性圖案層。例如，如圖 3D所示，另一絕緣層347可形成於基板300頂面上或覆 蓋導電性圖案3 3 2。通孔/孔349穿透絕緣層347以連接 至基板300上的導電性圖案336或其他導電特徵。之後， 可以類似地重覆所述之用以形成導電性光微影膜和先前所 -16- 1333128 述電解膜之方法以製造其他所欲電路圖案 一個具體例中，前述導電特徵3 02製 用聚合物。此具體例中，形成前述導電性 (墨水形式或乾膜）、澱積或層合於基板 導電性光微影用聚合物膜。此導電性光微 後以類似前述方式遮光、曝光和顯影，形 用於導電特徵302 »導電性光微影用聚合 φ 後’導電元件3 02形成於基板300上。在 聚合物以膜形式覆蓋之具體例中，可施以 得導電性光微影用聚合物膜流入基板300 溝槽或通孔（未示）。 本發明之具體例可用以降低無電和電 體裝置製造的長程序產製時間。此外，這 少塗覆和蝕刻法典型所使用之製造中間步 (如，光阻材料和無電鍍敷材料）。 • 已經以數個具體例描述本發明，嫻於 本發明不限於所描述的具體例。可以在所 之精神和範圍內修飾和改變實施本發明之 此’描述僅作說明之用，無限制之目的。 已揭示具體例，得以在保留所附申請 本發明之精神和範圍的同時，修飾和改變 【圖式簡單說明】 自導電性光微影 光微影用聚合物 3 0 0上，以形成 影用聚合物膜之 成所欲電路圖案 物膜形成圖案之 導電性光微影用 壓力和溫度以使 的裂縫、開口、 解法造成之半導 些具體例亦可減 驟中所用的材料 此技術者將明瞭 附申請專利範圍 方法和設備。因 專利範圍定義之 所揭示的具體例 -17- 1333128 以實例和不具限制作用之圖式（其中類似的編號代表 類似元件）說明本發明之具體例。參考用以說明本發明之 具體例的下列描述和圖式最能瞭解本發明。應注意到，此 揭示之本發明之”一個”具體例不須爲相同具體例，且意謂 至少一個。圖式中： 圖1A-1E所示者爲使用電化學法使裝置形成導電路徑 之目前實施方式； 圖2A-2E所示者爲根據本發明之具體例，形成導電路 徑之方法例；而 圖3A-3D所示者是根據本發明之具體例之形成導電路 徑的另一方法例。 【主要元件符號說明】 102 :無電銅鍍敷層 1〇4 :絕緣層 106 :基板 導電特徵或裝置 Π 0 :通孔 112 :電阻層 114 :電解銅鍍敷層 116 :導電圖案 200 :基板 2〇2 :導電特徵 230 :導電性光微影膜 1333128 23 2 :膜 234 :電解鍍敷膜 236:導電性圖案或電路圖案 240 :通孔或孔 241 :光罩 245 ：光
2 4 7 :絕緣層 249 :通孔/孔 2 5 0 :絕緣層 300 :基板 3 02 :導電特徵
3 3 0 :經曝光的導電性光微影膜 3 3 2 :導電性光微影膜 340 :開口 3 4 7 :絕緣層 3 49 :通孔/孔 3 5 0 :絕緣層 3 60 :光 362 :光罩 -19-

Claims (1)

1333128 十、申請專利範圍 1· 一種製造電子裝置之方法，包含： 使導電性光微影膜澱積於印刷電路板基板的上表面上 t 使用光微影法使該導電性光微影膜形成圖案，以製得 所欲電路圖案；以及 將金屬鍍在該電路圖案上。 2.如申請專利範圍第丨項之方法，其進一步包含： 在澱積該導電性光微影膜之前，在該基板上形成具有 —或多個通孔的介電層，其中該介電層使該基板和該導電 性光微影膜之間絕緣，且其中該導電性光微影膜係形成於 該介電層的上面。 3·如申請專利範圍第2項之方法，其中該基板進一 步包括一或多個選自導電觸點和金屬化層的特徵，且其中 該等通孔使得能夠與該一或多個特徵電性互聯。 4·如申請專利範圍第3項之方法，其進一步包含： 將該導電性光微影膜與導電元件互聯。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其進—步包含： 於該光微影膜的所欲電路圖案上形成額外的導電膜； 和 使該額外的導電膜經由通孔而與導電元件互聯。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中形成該額外 的導電膜包括使用電解法。 7·如申請專利範圍第3項之方法，其進—步包含： -20- 1333128 在該基板的底面上澱積第二導電性光微影膜；和 使用光微影法使該第二導電性光微影膜形成圖案，以 製得第二所欲電路圖案。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其進一步包含： 在澱積該第二導電性光微影膜之前，在該基板的底面 上形成具有一或多個通孔的第二介電層，其中該第二介電 層使該基板的底面和該第二導電性光微影膜之間絕緣，且 其中該第二導電性光微影膜係形成於該第二介電層的上面 〇 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該基板進一 步包括一或多個選自導電觸點和金屬化層的特徵且其中該 等通孔使得能夠與該一或多個特徵電性互聯。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包含： 使該第二導電性光微影膜與導電元件互聯。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之方法，其進一步包含 於該第二光微影膜的所欲電路圖案上形成額外的導電 膜；和 使該額外的導電膜經由通孔而與導電元件互聯。 12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中形成該額 外的導電膜包括使用電解法。 13. —種電子裝置，包含： 基板； 位於該基板上方的介電層； -21 - 1333128 位於該介電層上方的圖案化導電性光微影膜，其中該 導電性光微影膜係根據電路圖案而予以圖案化；以及 鍍在該圖案化導電性光微影膜上的金屬膜。 14. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該圖 案化導電性光微影膜係爲包含下列者之組成物的反應產物 5 0%至60%的環氧基丙烯酸酯、熱固化劑和導電性聚 合物之混合物： 20%至30%的光微影用反應性組份； 10%至15%的光活性材料；和 3%至5%的一或多種增進該導電性光微影用聚合物之 導電性的添加劑。 15. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該基 板包含一或多個選自導電觸點和金屬化層的特徵且其中該 介電層具有通孔穿過其間，該等通孔使得能夠與該一或多 個特徵電性互聯，且其中該圖案化導電性光微影膜經由該 等通孔而與該一或多個特徵電性互聯。 16. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其進一步 包含： 形成於該導電性光微影膜的電路圖案上方之額外的導 電膜，其中該額外的導電膜經由通孔而與導電元件互聯。 17. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該圖 案化導電性光微影膜包括一種本質上爲導電性的聚合物。 18. —種製造電子裝置之方法，包含： -22- 1333128 將導電性光微影膜澱積於一絕緣層的上 緣層係在印刷電路板基板上； 根據所欲電路圖案而遮蔽（masking) 影膜； 使該導電性光微影膜曝光； 將該導電性光微影膜顯影並移除該導電 未遮蔽的部分；以及 將金屬鍍在該經顯影的導電性光微影膜 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之方法， 於該遮蔽、曝光和顯影之後，在該基板 光微影膜上方形成第二絕緣層； 在該第二絕緣層的上表面上澱積第二導 根據所欲電路圖案，遮蔽該第二導電性: 使該第二導電性光微影膜曝光；和 將該第二導電性光微影膜顯影並移除該 微影膜之未遮蔽的部分。 20.如申請專利範圍第18項之方法， 於該遮蔽、曝光和顯影之後，在該導電 形成電解鍍敷膜。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之方法， 表面上，此絕 該導電性光微 性光微影膜之 上方。 其進一步包含 上和該導電性 電性光微影膜 光微影膜； 第二導電性光 其進一步包含 性光微影膜上 其進一步包含 -23- 1333128 在該基板上和該電解鍍敷膜上方形成第二絕緣層； 在該第二絕緣層的上表面上澱積第二導電性光微影膜 > 根據所欲電路圖案，遮蔽該第二導電性光微影膜； 使該第二導電性光微影膜曝光；和 將該第二導電性光微影膜顯影並移除該第二導電性光 微影膜之未遮蔽的部分。 22. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該圖 案化導電性光微影膜係使用光微影法根據電路圖案而予以 圖案化。 23. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該電 子裝置包含印刷電路板。 24. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該圖 案化導電性光微影膜包含金屬粉末。 25. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該圖 案化導電性光微影膜係在該基板的上表面和底面上。 26. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其在介於 該金屬膜和該圖案化導電性光微影膜之間不具有無電鍍敷 層。 2 7 .如申請專利範圍第1 3項之電子裝置，其中該電 子裝置包括微電子裝置、微處理器、晶片組、電力控制器 、印刷電路板、及顯示器之其中一者。 28.如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該圖 案化導電性光微影膜含有碳粉。 -24- 1333128 29.如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中該圖 案化導電性光微影膜含有奈米尺寸導電性粉末。
-25-
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7666326B2 (en) * 2004-08-30 2010-02-23 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Conductive composition and conductive cross-linked product, capacitor and production method thereof, and antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium
US7279268B2 (en) 2004-09-09 2007-10-09 Intel Corporation Conductive lithographic polymer and method of making devices using same
JP4940983B2 (ja) * 2007-02-13 2012-05-30 富士通株式会社 引出配線の形成方法及び走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法
JP5047862B2 (ja) * 2008-03-31 2012-10-10 三菱自動車工業株式会社 パネル装置
KR101138799B1 (ko) * 2009-08-20 2012-04-24 제일모직주식회사 이방 도전성 필름용 조성물
CN102627823B (zh) * 2011-08-10 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 透明导电树脂、彩膜基板及制作方法、液晶显示装置
JP6163745B2 (ja) * 2012-02-03 2017-07-19 株式会社リコー アミン化合物、及び電子写真感光体、該電子写真感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置、画像形成用プロセスカートリッジ
KR101741358B1 (ko) 2016-02-23 2017-05-29 아주대학교산학협력단 광활성-도전성 고분자 재료, 광활성 도전막 및 이를 포함하는 광전자 소자

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3306830A (en) * 1963-06-13 1967-02-28 Bell Telephone Labor Inc Printed circuit boards and their fabrication
US3791858A (en) * 1971-12-13 1974-02-12 Ibm Method of forming multi-layer circuit panels
US3997344A (en) 1974-07-05 1976-12-14 American Can Company Dry positive photopolymer imaging process involving heating and application of toner
DE3324117A1 (de) 1983-07-05 1985-01-17 Gebr. Schmid Maschinenfabrik GmbH & Co, 7290 Freudenstadt Verfahren und herstellung gedruckter schaltungen und photolack zur durchfuehrung dieses verfahrens
US4650288A (en) * 1983-07-07 1987-03-17 North American Philips Corporation Electrically conductive materials for devices
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
JPH03137121A (ja) 1989-06-19 1991-06-11 Showa Denko Kk 導電性樹脂接続材
US5300208A (en) * 1989-08-14 1994-04-05 International Business Machines Corporation Fabrication of printed circuit boards using conducting polymer
JPH05320542A (ja) * 1992-05-27 1993-12-03 Canon Inc 導電性皮膜
DE69327564T2 (de) 1992-10-07 2000-08-24 Sekisui Chemical Co Ltd Elektrisch leitfähige Zusammensetzung
JP3236147B2 (ja) * 1992-10-07 2001-12-10 積水化学工業株式会社 導電塗料組成物
JP3228809B2 (ja) * 1993-02-18 2001-11-12 積水化学工業株式会社 導電性塗料組成物
EP0615256B1 (en) * 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern
US5427841A (en) * 1993-03-09 1995-06-27 U.S. Philips Corporation Laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer and method of manufacturing such a structure
US5492863A (en) 1994-10-19 1996-02-20 Motorola, Inc. Method for forming conductive bumps on a semiconductor device
WO1996021699A1 (fr) * 1995-01-11 1996-07-18 Sekisui Chemical Co., Ltd. Composition d'enduit conducteur
EP0848730B1 (en) 1995-09-08 2000-12-20 Solplax Limited Method for the manufacture of biodegradable plastic material
US5702566A (en) * 1996-04-08 1997-12-30 Industrial Technology Research Institute Conductive photoresist to mitigate antenna effect
US6132644A (en) * 1997-05-29 2000-10-17 International Business Machines Corporation Energy sensitive electrically conductive admixtures
GB9725805D0 (en) * 1997-12-06 1998-02-04 Lucas Ind Plc Fuel injector nozzle
US6254758B1 (en) 1998-02-02 2001-07-03 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Method of forming conductor pattern on wiring board
US6197181B1 (en) 1998-03-20 2001-03-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece
US6219643B1 (en) 1998-06-26 2001-04-17 Nuance Communications, Inc. Method of analyzing dialogs in a natural language speech recognition system
US6300049B2 (en) 1998-10-15 2001-10-09 Eastman Kodak Company Imaging element containing an electrically-conductive layer
US6214737B1 (en) 1999-01-20 2001-04-10 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified sidewall formation for sidewall patterning of sub 100 nm structures
US6248658B1 (en) * 1999-01-13 2001-06-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming submicron-dimensioned metal patterns
US6078100A (en) * 1999-01-13 2000-06-20 Micron Technology, Inc. Utilization of die repattern layers for die internal connections
JP2000305283A (ja) * 1999-02-18 2000-11-02 Dainippon Printing Co Ltd 転写版の製造方法および転写版
US6197881B1 (en) 1999-08-18 2001-03-06 Biopixel Ltd. Electrically conductive copolymers and their preparation
US6869750B2 (en) * 1999-10-28 2005-03-22 Fujitsu Limited Structure and method for forming a multilayered structure
EP1145339A1 (en) * 1999-11-02 2001-10-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of producing vertical interconnects between thin film microelectronic devices and products comprising such vertical interconnects
US6319643B1 (en) * 2000-06-19 2001-11-20 Advanced Micro Devices, Inc. Conductive photoresist pattern for long term calibration of scanning electron microscope
US6638680B2 (en) 2000-06-26 2003-10-28 Agfa-Gevaert Material and method for making an electroconductive pattern
JP2002150620A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Hitachi Ltd スタンパの製造方法
US6541782B2 (en) * 2000-11-28 2003-04-01 United Microelectronics Copr. Electron beam photolithographic process
US6440654B1 (en) 2001-04-03 2002-08-27 Eastman Kodak Company Photographic element containing an electrically-conductive layer
US6699396B1 (en) 2001-06-29 2004-03-02 Novellus Systems, Inc. Methods for electroplating large copper interconnects
JP2003160745A (ja) * 2001-08-21 2003-06-06 Sustainable Titania Technology Inc 導電性と光触媒性能を持つ被膜形成用水液、その製造方法及び該被膜を備える構造体
SG128438A1 (en) 2002-03-15 2007-01-30 Sumitomo Chemical Co Polymer compound and polymer light emitting deviceusing the same
JP4321110B2 (ja) * 2002-06-05 2009-08-26 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2004020950A (ja) 2002-06-17 2004-01-22 Fuji Xerox Co Ltd 画像記録体及びそれを用いた画像表示体
JP4350597B2 (ja) * 2004-06-14 2009-10-21 信越ポリマー株式会社 帯電防止性樹脂組成物、帯電防止性樹脂塗料、光学フィルタ
JP4682544B2 (ja) * 2004-06-17 2011-05-11 日本ポリウレタン工業株式会社 光硬化性コーティング用樹脂組成物及びその製造方法、並びに光ファイバー心線、着色心線、ユニット、又はオーバーコート心線
US7279268B2 (en) 2004-09-09 2007-10-09 Intel Corporation Conductive lithographic polymer and method of making devices using same

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