JP4940983B2 - 引出配線の形成方法及び走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法 - Google Patents
引出配線の形成方法及び走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4940983B2 JP4940983B2 JP2007031514A JP2007031514A JP4940983B2 JP 4940983 B2 JP4940983 B2 JP 4940983B2 JP 2007031514 A JP2007031514 A JP 2007031514A JP 2007031514 A JP2007031514 A JP 2007031514A JP 4940983 B2 JP4940983 B2 JP 4940983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- resin
- lead
- wiring
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
ところで、近年の半導体素子等の電子デバイスの微細化、薄層化の進展に伴って半導体基板や堆積させた薄膜の表面から浅い領域における不純物濃度分布を精度良く形成することが求められている。このような要請に応えるためには、測定対象領域における不純物濃度分布や電流分布を高精度に把握することが必要であり、その手段として、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force
Microscope)を用いた走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM:Scanning Spread Resistance Microscope)、走査型容量顕微鏡(SCM:Scanning Capacitance.
Microscope)等の走査型プローブ顕微鏡(SPM:Scanning prove. Microscope)による測定方法が有効である。これらの装置を用いて供試試料における不純物に起因する局所的な電流分布を測定するためには、測定個所まで研摩して電流をアースに落とさなければならず、供試試料によっては後付の引出配線が必要となる。
また、特許文献2には、基材上に、導電性粉末を含有するポジ型感エネルギー線性ペースト組成物を塗装し、乾燥してポジ型感エネルギー線性被膜を形成する工程と、前記被膜上に、所望のパターンが得られるように活性エネルギー線又は熱線を、例えば特定形状のマスクを介して又は介さずに直接照射する工程と、照射部の被膜を現像処理により除去して導電性パターン被膜を形成する工程とを含む導電性パターン形成方法が開示されている。
また、特許文献3には、光硬化樹脂として絶縁性液状樹脂を用いる光造形法により、前記電気的絶縁層を形成する工程と、光硬化樹脂として導電性液状樹脂を用いる光造形法により、導電性液状樹脂に光照射して配線パターンとなる部位を光硬化させ、光硬化した部位以外の導電性液状樹脂を除去して配線層の配線パターンを形成する工程とを備えた配線基板の製造方法が開示されている。
しかしながら、例えば、通常電力供給に用いられるワイヤーボンディングの場合、電極形成後に裏面から研磨して供試試料を薄片化することは非常に困難であり、仮に接着剤もしくは樹脂を用いて供試試料をガラス基板等に固定する際にも、電極上の溶融固定部のバンプ電極の形状(高さ)に違いがあるために、基板と試料の平行性を保つことが難しく、その後の研磨工程に悪影響を及ぼすという問題点がある。
図1において、測定用試料(以下、単に試料という)11と、この試料11上に、導体性物質と熱反応性樹脂又は光反応性樹脂とを混合したペースト状の導電剤かならる導電剤層12を介して接合された透明基板13が示されており、透明基板13の情報には、光源14が設けられており、光源14と透明基板13との間の所定位置に、レンズ16が配置されている。
この状態において、光源14から光線15を照射しレンズ16で目的とする線幅になるように収束させた後、導電層12に照射する。光線15が照射された光反応性樹脂は、所定の波長で反応して硬化する。または、熱反応性樹脂も、光線15による熱で硬化反応を起こして硬化する。このように樹脂が硬化することによって、引出配線17は、電流を通過させることが可能な導電経路が形成されるとともに、試料11と透明基板13とを固着させて接合、固定する。
導電性物質としては、Au、Ag、Cu、Al等の金属系粉末、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、マグネタイト等の粉末等が挙げられ、適宜選択して最適なものが用いられる。Cu粉末は、安価であり、酸化しにくく、長期にわたって安定して用いることができるので、特に好ましい。
また、光反応性樹脂としては、紫外線(UV)硬化性樹脂、赤外線(IR)硬化性樹脂、または可視光(VL)硬化性樹脂が挙げられる。このうちUV硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビフェノール樹脂、不飽和ポリエステル、ウレタンジアクリレート、エポキシジアクリレート等のアクリル樹脂が挙げられる。VL硬化性樹脂としては、非芳香族アミンを挙げることができ、これは、メチルアクリル酸N,N-ジメチルアミノエチルエステルと、波長400〜500nmの可視光を吸収することのできるケトンまたはジケトンとの混合物として得られる。
また、この他に、光反応性樹脂の代わりに光重合開始剤を含有させて光反応性を付与しても良い。光重合開始剤としては、ベンゾインモノメチルエーテル、ベンゾインメチルエーテルまたはベンゾフェノンが挙げられ、異なる光の波長に応じて適宜選択される。導電剤層12を形成するときの樹脂の溶融粘度は10〜300Pa・sであることが好ましいこのような粘度範囲とすることによって、その上に、透明基板13を重ね、適当な圧力を付加することによって、平行性のとれた導電層12を得ることができる。樹脂の溶融粘度は、フローテスターまたは回転式溶融粘度計により測定したものである。
熱反応性樹脂としては、シリコン系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、フッ素化(メタ)アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素化ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアリレート樹脂またはフッ素系樹脂をベースとする樹脂であればよく、これらは単独又は2種以上混合して使用される。特に、エポキシ樹脂がベース樹脂として好適に使用される。また、これら樹脂には、重合開始剤を適宜含有させておいても良いし、樹脂の末端に官能基を設けて熱に反応させるものであっても良い。
さらに、この他に、必要に応じて充填剤、重合禁止剤、改質剤、消泡剤等を任意に添加することができる。
また、引出配線17を形成するために、収束させた細い光線15ではなく、透明基板13上に、配線パターンが形成されたフォトマスクを載置し、導電層12全体に光を照射して引出配線17を形成することもできる。この場合は、フォトマスクに光を吸収する顔料、光を反射する表面処理を施しておくことが好ましい。これによって、露光後にフォトマスクを除去して、透明基板13上に試料11を固着させる引出配線17を形成することができる。
また、樹脂、導電性物質で形成される導電剤層12を、導電性物質と、光反応性樹脂または熱反応性樹脂を含むマイクロカプセルで形成することもできる。マイクロカプセルの中には、例えば導電性物質、樹脂、重合開始剤等が内包される。マイクロカプセルを製造する方法としては、水系溶媒中で有機相を乳化、懸濁又は凝集させる懸濁重合法、乳化重合法等が挙げられる。
図2において、試料11に不純物測定用の引出配線17を形成する際は、先ず、透明基板13に導電性物質として、例えば、粒径10μm以下のAg粒子と紫外線硬化型エポキシ樹脂を混合した導電剤を塗布し、試料11と貼合せて積層し、透明基板13と試料11間に導電剤層12を形成する。得られた透明基板13、導電剤層12及び試料11からなる積層体をX・Y方向に移動可能なX−Yステージ上に設置する(図2(1))。
次に、紫外線を発生させる光源14と発生した光線15を任意の箇所に収束するためのレンズ16等の光学装置を用いて導電剤層12に焦点を合わせて照射させる。このときに、X−Yステージを移動させながら目的とする箇所に光線15を照射することによって、導電剤層12中の樹脂を硬化させ導電経路としての引出配線17を形成する(図2(2))。
その後、光線15の照射されていない未反応で硬化していないエポキシ樹脂(導電剤層)を溶剤で取り除く(図2(3))。
その後、透明基板13と試料11との間に形成された空間に透明又は透過性の高い熱反応性樹脂を封入樹脂18として流し込み、ホットプレート等で加熱して試料11と透明基板13を完全に固定する(図2(4))。
最後に、透明基板13のある方向とは逆方向から、目的とする箇所まで研磨し測定用試料11が完成する(図2(5))。
図3において、この走査型プローブ顕微鏡(SPM)30はコンタクト型原子間力顕微鏡(Atomic Force
Microscope:AFM)を基本に、試料11表面をコンタクト型AFMのフィードバック制御を利用してカンチレバー352の探針353の接触圧を強くして(負荷力を大きく設定して)走査するものである。導電性の高いプローブ35を用い、試料11に印加したバイアス電圧による探針353の接触位置の試料11表面での微小電流を測定することによって、試料11表面の局所的な抵抗分布を測定する。
走査型プローブ顕微鏡30の測定部は、プローブ35と、圧電素子を制御することにより、高さを適切な位置に配置するコントローラを有する試料台31と、レーザ光を発信する半導体レーザ33と、これを受光する趣向素器34を備えている。プローブ35は、カンチレバー352と、支持部351と、探針353とを有する。試料台31の上には試料11が載置される。AEMの測定は、探針353と試料11との間の物理的相互作用として、探針353と試料11の間に作用する力(原子間力)を検出する。探針353はカンチレバー352の先端部に取り付けられているため、探針353と試料11の間に力が作用するとカンチレバー352が上下方向に撓むようになっている。半導体レーザ33は、カンチレバー352上にレーザ光を出射する。レンズは、レーザ光をカンチレバー352の先端の適切な位置に照射するように収束させる。受光器34は、レーザ光の反射光を検出することにより、カンチレバー352の撓み量を検出する。このとき、SPM30は、図3の探針353部分の拡大図として示したように、探針353から電流を流すことによって、その電流が図示省略した引出配線17に流れた電流の値を走査、測定することによって、その間の不純物濃度、半導体素子の構造等を測定する。
図4(2)は、半導体40を用いて作成した引出配線17を有する供試試料11を示す説明図である。図4(2)において、半導体素子40の裏側に引出配線17が設けられ、引出配線17が透明基板13と接触している。透明基板13を利用してCMP等の研磨機にかけ、保護膜層等を除去して、測定しようとする、例えば、ソース/ドレインまで研磨する。研磨後、向きを上下逆にして研磨を進めている面にSPMの探針353を接触又は接近させて、不純物の極性、不純物拡散層の構造がわかっている場合にはp−n接合の位置、不純物濃度の定量解析を行う。このときに、引出配線17は、試料11と透明基板13とにそれぞれ面接触していることから、両者を固着するように作用する。引出配線17相互間は、例えば透明樹脂18によって充填されている。
この場合、引出配線17を形成するための導電剤層12の樹脂粘度を、光又は熱によって重合するのに適したな粘度にしておくことによって、上方から透明基板13に適当な圧力を付加して試料11と透明基板13との間の平行性を確保することができる。
従って、研磨時においても、試料11と透明基板13との間の平行性を保つことが容易であり、SPM30における測定時にも、試料11表面が傾いていないので、探針353をスムーズに移動させることができ、これらによって、不純物の測定精度を高く維持することができる。
図4(3)は、ワイヤーボンディングでバンプ電極21を付けて、引出線を設けた従来の供試試料を示す図である。しかし、このようなバンプ電極21を適用した試料では、導電経路は、透明基板13と試料11とを固着させる作用を発揮摺るものではないので、接着強度が弱く、測定途中で剥離することがある。また、半導体40と透明基板13との間の空間を透明樹脂で封止しても、この場合は、バンプの高さを一定にすることが難しく、このために、その上に設けられる透明基板13が傾いてしまう。このために、この基板を用いて研磨機で研摩しても、被研磨部材である半導体素子40まで傾いてしまう(この傾きは、図4(3)の引出線で示してある。)。このために、SPMの測定において、検出誤差が大きくなる。
また、本発明に係る引出配線の形成方法の活用例としては、SPMと同一のタイプのSSRM、SCM等の電力を供給しながら半導体デバイスの抵抗、容量、電流などの2次元分布の観察用試料が典型的なものであるが、電力を供給しながら観察する走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)などの試料作製にも十分適用できるものである。
12 導電層
13 透明基板
14 光源
15 光線
16 レンズ
17 引出配線
18 封入樹脂
19 測定個所
20 X−Yステージ
21 バンプ電極
30 走査型プローブ顕微鏡(SPM)
31 試料台
32 ピエゾ加振器
33 レーザ
34 受光器
35 プローブ
351 支持部
352 カンチレバー
353 探針
40 半導体素子
41 ソース/ドレイン
42 ゲート
43 チャネル
44 STI
45 ウェル領域
46 半導体基板
Claims (5)
- 試料と透明基板との間に、導電性物質と光反応性樹脂又は熱反応性樹脂とを含む導電剤で導電剤層を形成し、
前記透明基板側から前記導電剤層に光を照射して前記光反応性樹脂又は熱反応性樹脂を硬化させて前記試料と前記透明基板とを固着させ、その後、前記樹脂の未硬化部分を除去して硬化部分からなる引出配線を形成する
ことを特徴とする引出配線の形成方法。 - 請求項1に記載の引出配線の形成方法において、
前記試料をX−Yステージ上に設置し、連続的に移動させて前記引出配線を連続的に形成する
ことを特徴とする引出配線の形成方法。 - 請求項1に記載の引出配線の形成方法において、
前記透明基板上に前記引出配線のパターンが形成されたフォトマスクを載置し、前記導電剤層全体に光を照射して前記引出配線を形成する
ことを特徴とする引出配線の形成方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の引出配線の形成方法において、
前記導電剤層は、前記導電性物質と、前記光反応性樹脂又は熱反応性樹脂が内包されたマイクロカプセルで形成されている
ことを特徴とする引出配線の形成方法。 - 電流を供給しながら試料内部を測定する走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法において、
試料が半導体素子であって、請求項1ないし4のいずれかに記載の引出配線の形成方法によって引出配線を形成して供試試料とする
ことを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007031514A JP4940983B2 (ja) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | 引出配線の形成方法及び走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007031514A JP4940983B2 (ja) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | 引出配線の形成方法及び走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008198753A JP2008198753A (ja) | 2008-08-28 |
JP4940983B2 true JP4940983B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=39757440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007031514A Expired - Fee Related JP4940983B2 (ja) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | 引出配線の形成方法及び走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4940983B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05283480A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | 電子回路部品の接続方法 |
JP2001250844A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Advanced Display Inc | Icチップの実装方法 |
US7279268B2 (en) * | 2004-09-09 | 2007-10-09 | Intel Corporation | Conductive lithographic polymer and method of making devices using same |
JP2006148082A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線基板及び半導体装置の作製方法 |
-
2007
- 2007-02-13 JP JP2007031514A patent/JP4940983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008198753A (ja) | 2008-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102193332B (zh) | 光刻设备和方法 | |
US7419887B1 (en) | Laser assisted nano deposition | |
JP4276087B2 (ja) | レーザを利用したダイレクトインプリントリソグラフィ | |
US20120015112A1 (en) | Method of fabricating pattern | |
TW200407682A (en) | Step and repeat imprint lithography systems | |
US20050212156A1 (en) | Processing apparatus | |
US20070124012A1 (en) | Programmed material consolidation methods employing machine vision | |
US20090197011A1 (en) | Method for manufacturing a substrate with surface structure by employing photothermal effect | |
TW201213034A (en) | Apparatus for laser beam machining | |
Edri et al. | Laser printing of multilayered alternately conducting and insulating microstructures | |
GB2521417A (en) | Multiscale patterning of a sample with apparatus having both thermo-optical lithography capability and thermal scanning probe lithography capability | |
Zhang et al. | In-situ control of on-chip angstrom gaps, atomic switches, and molecular junctions by light irradiation | |
JP2011091307A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2018528454A (ja) | 金属ナノ粒子の光焼結に基づく自己整合金属パターニング | |
JP4940983B2 (ja) | 引出配線の形成方法及び走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法 | |
Holzner | Thermal scanning probe lithography using polyphthalaldehyde | |
JP2021061394A (ja) | 転写装置及び転写方法 | |
JP2018022807A (ja) | 位置合わせ方法、インプリント方法およびインプリント装置 | |
JP4065801B2 (ja) | ナノピラーセンサ | |
CN110831340A (zh) | 电路板的制造方法及利用该方法制备的电路板 | |
Jacobs | Inkjet-printed electrical interconnects for high resolution integrated circuit diagnostics | |
JP5157612B2 (ja) | 半導体評価方法 | |
US20120009353A1 (en) | Method for manufacturing a substrate with surface structure by employing photothermal effect | |
JP3300545B2 (ja) | 半導体材料の電気特性評価方法 | |
Rawlings et al. | High throughput lithography using thermal scanning probes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |