TWI330193B - Display device with metal-organic mixed layer anodes - Google Patents

Display device with metal-organic mixed layer anodes Download PDF

Info

Publication number
TWI330193B
TWI330193B TW095117550A TW95117550A TWI330193B TW I330193 B TWI330193 B TW I330193B TW 095117550 A TW095117550 A TW 095117550A TW 95117550 A TW95117550 A TW 95117550A TW I330193 B TWI330193 B TW I330193B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal
organic
layer
anode
emitting device
Prior art date
Application number
TW095117550A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200643146A (en
Inventor
Hany Aziz
Zoran D Popovic
Jennifer A Coggan
Nemanja Stefanovic
Anthony J Paine
Original Assignee
Lg Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Display Co Ltd filed Critical Lg Display Co Ltd
Publication of TW200643146A publication Critical patent/TW200643146A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI330193B publication Critical patent/TWI330193B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115Polyfluorene; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

1330193 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 • 本發明關於一種包含金屬有機混合層作為部分陽極結構之顯 示裝置,尤其是包含金屬有機混合層作為部分陽極並且有效地與 . 電子吸收材料結合之顯示裝置。 【先前技術】 嘗 * 有機發光裝置(Organic Light Emitting Devices,OLED)於顯 鲁示裝置應用上係為一種具有前景之技術。典型習用的有機發光穿 置包含有-第、具有-種或多種電致發光有機材料的一發 光區域、以及-第二電極,其中第—電極和第二電極中的一個功 能為發射空孔之陽極,另一個的功能為發射電子的陰極,並且第 -電極和第二電極之其中之-係為前電極(frQntdeetn)de),而另 一個電極則為後電極(back electrode)。其中,前電極係呈透明(或 至彡4伤透明)’而後電極通常具有強反光性。當對第一電極和第 瞻二電極之間施加電壓時,發光區域即發出光線,並穿過透明的前 電極。當從強光環境下觀察時,反射性的後電極將大量的環境光 反射給觀察者,因此與農置的自發光導致的所顯示影像的沖失 (washout)相比,具有較高的光線反射率。 為了提高習知技術之電致發光顯示器的對比,可使用如美國 專利第4,287,449號揭露的光線吸收層(Light AbswbingLayCT), 或是美國專利第5,_,彻號揭露的光學干涉元件,以減小環境光 的反射.。 1330193 最近其他減少顯示裝置之環境光反射技術的發展已經把精力 放在金屬有機混合層上,如下述兩篇文獻所述,專利申請號為第 1〇/117,812號、現為美國第6,841,932號專利,以及專利申請號為 第_01,238號、公開號為第·遞遍9號。其他減少光反射 '之方法在美國第6,7鄭〇9號專利中揭露。 如有機發光裝置之習用顯示裝置的陽極係由氧化銦錫(辽〇) 籲等材料所n但氧化銦錫的使用有其不足之處,係由於氧化姻 錫不能由賊她積(Thermal vapor Deposition)製成,而此熱氣 相雜通常用於製造或形成有機發光裝置之其他元件。氧化銦錫 之陽極通常需要更多的侵钱製造技術(A撕秘㈣加 chmque) ’如噴錢(Sputtenng),並且因此與有機發光裝置之其 舞部分分開製造,以避免損壞相對脆弱之有機堆疊(〇聊^滅) 以及鄰近層之元件,如此將導致製造或形成有機發光裝置結 鲁構之時間增加,成本提高。因此,需要提供一種能夠使用形成有 機發光裝置之其他層之沉積技術形成陽極之陽極材料或結構。 此夕卜4反射性陽極(即黑陽極)對於上部發光裝置而言係 .相當重要的,在上部發光裝置中,驅動電子電路位於陽極代替了 通常底部發光之有機發光裝置之顯示裝置中之陰極。如前述之專 利、及專利申明所描述之金屬有機混合層已經被證實適合陽極, 使用金屬有機混合層作為無反射或黑陽極將造成材料不匹配之問 題〇 . 6 丄爾93 因此,需絲㈣極材料及結構,與需要能夠減少侵钱沉積 技術’比如熱%積之陽極轉和㈣的存在。此外,囉也需要 能夠控制調麵極咖度或不透之陽極結構。以能夠製造出 理想的完全反射,岭全歧收(比如,黑色)或是完全透射(比 如’透明或半伽)之陽極財機發絲置。 【發明内容】 八鑒^上述問題,本發明之目的在於提供一種顯示裳置,其包 ^有-/t極、-陰極、及一位於陽極與陰極間之發光區域,其中 陽極更包含纽地與電子錄材料結合之金财機混合層。 一本發明另—目的在於提供—種顯示裝置,其包含有一陽極、 一陰極、及—位於陽極與陰極間之發光輯,其中陽極更包含有 =屬有觀合層與電子吸收材料之混合物,而金財機混合層 具有一金屬材料和一有機材料。 極、=發^咐繼-觀賴,梅有-陽 含有^古她極與陰極間之發光區域,其中陽極更包 a有一金财觀合層與—緩騎,騎屬 屬材料和—有機材料,且緩衝層具有-電子吸收材料。有金 -卜ΓΓ另—目的在於提供—種顯示裝置,其包含有一陽極、 有二T與陰極間之發光區域,其中陽極更包含有 及選2ΓΓ緩衝層’且緩衝層具有—電子吸收材料以 心擇性她含轨倾材料。 7 1330193 有關本發明的特徵與實作 明如下。 达配合圖式作最佳實施例詳細說 【實施方式】 本發明關於-麵稀置,比如有機發光裝置。本發明所揭 路之顯不裝置包含有-陽極 陰極、以及—設置於陽極和陰極 之間的發规域。本發明所揭露之陽極包含有—金屬有機混合層 ⑽祕game Mlxed Layef ’ M幫),且驗屬錢混合層有 效地與電子吸收材料結合。 請參考「第1圖」’有機發光裝置1G包含有-陽極12、一陰 極16、以及-設置於陽極12和陰極16之間的發光區域14,且; 極12包含有一金屬有機混合層與電子吸收材料之混合物。 請參考「第2圖」,本發明另一實施例之有機發光裝置%包 含有-陽極22、-發光區域26、以及一陰極28,且陽極^包含 φ有一金屬有機混合層24以及-緩衝層或區域25,其巾緩衝層25 匕3有冑子吸收材料,而金屬有機混合層24可有效地與緩衝層 . 25之電子吸收材料相互結合。 , A 了避免對本發日賴絲圍之理解造成混淆,可使用以下說 •日月:(1)/,層一詞代表單一之一層塗層,其通常具有與相鄰層 不同的成分;(2)々區域夕_詞,代表單一之—層,且多層如二、 三或更多層,以及-個或多個々區帶(z〇ner。⑴文中使用的,, 區帶"-詞’如電荷傳輸區帶(即,空孔傳輪區帶和電子傳輸區 市')或發光區帶,并i單 -層中之多功能區域i s、夕層、—層中之單—功能區域或 示裝置電荷料秘㈣鑛極與需要操個 發光區域或陽極之-部^⑸,=和層被認為係陰極、 導過程,且蝴兩電極外二裝置之電荷傳 為是部分電極,·這_ (比二:(基板),將不被認 一Λ八. 的層(比如’基板),仍能夠認為是顯示裝置
之。心’⑷—個覆蓋區域(用以保護電極免於收到周圍環境 地壞)然而’不考慮覆蓋區域是否參與顯示裝置之電荷傳導過 程,、其仍被認為是部分電極;⑺向發光區域注人電荷之任何區 域或詹(比如,電子注人區域和空孔注入區域)認為是部分電極; (8)若金屬有航合賴_馳視献部分電極或發光區域, 則視金屬有機紗層為部分電極;⑼在包含複數個婦(比如, 接觸)之金屬有機混合層之實施财,若—些或所有金屬有機混
。層此夠同樣被視為部分電極或發光區域,則視金屬有機混合層 為部分電極;(10)雜質(其可能以少量出現,二、三、四種或更 多種材料成分添加於金屬有機混合層中)通常不被認為是金屬有 機混合層之標明成分;比如,在包含有無機金屬材料和有機化合 物兩個彳示明成分之一元金屬有機混合層〃(BinaryMOML)所出 現之雜質包含不能改變標明之金屬有機混合層係〃二元金屬有機 合層,以及(11)光發射區域(Light Emitting Region )”與” 發光區域(LuminescentRegion)〃可互換使用。 αυΐ93 陽極包含有一金屬有機混合層,且金屬有機混合層有效地於 電子吸收材料結合’其中金屬有機混合層和電子吸收材料在單一 一層或成分中混合;或是金屬有機混合層和電子吸收材料不是以 物理方式結合,而是獨立存在於相鄰層中。 金屬有機混合層包含有一金屬材料和一有機材料。用於其中 之金屬材料包含有金屬元素和金屬化合物,比如無機化合物(例 如’金屬氧化物’金屬鹵化物,等),但並不僅限於此。雖然下文 討論金屬有機混合層之某些方面,於美國第6,841,932號專利,以 及申請號為第10/401,238號、公開號為第2003/0234609號中將對 金屬有機混合層進一步描述。根據本發明揭露之顯示裝置的陽極 包含由這些參考文件中描述之任一實施例中選出之金屬有機混合 層0 用於金屬有機混合層之適當金屬材料,例如金屬和無機金屬 化合物,而在此處所用之〃金屬材料之金屬〃一詞(此名稱係在 一特定元素金屬列表之前),係關於元素金屬和無機金屬化合物之 金屬化合物兩種。其中,這些金屬可為鋰(Li;)、鈉(Na)、_(K)、 飾(Rb)、铯(Cs)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、勰(Sr)、鋇 (Ba)、釩(Sc)、紀(γ)、鋼(La)、鈦(Ti)、結(Zr)、給(Hf)、 釩(V)、鈮(Nb)、钽(Ta)、鉻(Cr)、翻(Mo)、鎢(W)、在孟 (Μη)、鍀(Tc)、鐵(Fe)'釕(RU)、锇(〇s)、銘(c〇)、錢(处)、 銀(Ir)、鎳(M)、鈀(pd)、始(Pt)、銅(Cu)、銀(Ag)、金 1330193 (入11)、鋅(211)、編(0(1)、观(3)、铭(“)、鎵(〇&)、銦(111)、 錫(Sn)、鉛(pb)、錄(Sb)、叙(Bi)、砸(Se)、蹄(Te)、鈽 (Ce)、鉉(Nd)、釤(Sm)和銪(Eu)或其化合物,但不僅限於 此。於本發明之實施例中,”金屬” 一詞包含銻(sb)、硒(Se) 和碲(Te) ’並可使用金屬合金製成金屬有機混合層,而金屬合金 中的一種金屬可認為是金屬材料;金屬合金的另外一種或多種金 屬可以是其他成分或金屬有機混合層的成分,如二元金屬合金與 有機材料結合可認為是三元的金屬有機混合層。 金屬有機混合層中之無機金屬化合物可以是金屬鹵化物(如 氟化物、氣化物、溴化物、碘化物)、金屬氧化物、金屬氫氧化物、 金屬氮化物、金屬硫化物、金屬碳化物和金屬哪化物等化合物。 而適合的金屬函化物可為氟化鋰(LiF)、氯化鋰(LiCl) '溴化鋰 (LiBr)、峨化鐘(Lil)、氟化鈉(NaF)、氣化鈉(Naa)、溴化 鈉(NaBr)、礙化鈉(Nal)、氟化舒(KF)、氣化軒(KC1)、溴化 卸(KBr)、蛾化鉀(KI)、敗化麵(版?)、氯化#a (RbCl)、氟化 鉋(CsF)、氯化铯(CsCl)、敦化鎮(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、 氟化銘(SrF2)、氟化紹(A1F3)、氣化銀(AgCl)、氟化銀(AgF) 和氯化銅(CuCl2) ’但不僅限於此。金屬氧化物可以是,比如, 氧化兹(Li20)、氧化辦(Ca20)、氧化絶(Cs2〇)、氧化铜()、 氧化錫(Sn02 )、氧化鋅(Zn〇 )、氧化銦錫(IT〇 )、氧化亞銅(Cu2〇 )、 氧化銅(CuO)、氧化銀(Ag2〇)、氧化鎳(Ni〇)、氧化鈦(Ti〇)、 11 1330193 氧化釔(Υ2〇3)、氧化錯(Zr〇2)和氧化鉻(&2〇3),但並不限於 此。適合之金屬氫氧化物可以是,例如,氫氧化銀(AgOH),但 補限於此。適合之金屬氮化物可以是,比如,氮倾(Μ)、 氮化紀(YN)和氮化鎵(GaN),但不僅限於此。適合之 物可以是’硫化辞(ZnS )、三硫化二銻(SbA )、五硫化二録() 和硫化録⑽),但不僅限於此。適合之金屬碳化物可以是,如, 石反化鐘(Ll2C)、碳化鐵(FeC)和碳化錦(Nic),但不僅限於此。 適合之金屬硼化物可以是蝴化妈(CaB6),但不僅限於此。 用於金屬有機混合層之無機材料包含有非金屬材料,如碳 (C)、矽(Sl)、鍺(Ge);非金屬材料之無機化合物,如碳化矽 (sic)、一氧化石夕⑽)、二氧化石夕(Si〇2)、氮化矽(s抓); 以及其中描述之無機金屬化合物。由於對於金屬有分別的化合物 麵(在用於金屬有機混合層之化合物名單中),金屬並不屬=無 機材料。 **'' 如上所述,某些金屬化合物為公認的具有導電性和光吸收性 的化合物。因此於本發明之實施例中,有機化合物與這些金屬化 合物的混合物可實現本發明揭露之顯示裝置所f的某些特徵。於 ,發明之實施射,金屬有機混合層所使用的含金屬之材料可以 是金屬化合物,尤其是同時具有導電性和光吸收性的金屬化合 物’如氧化銀(Ag2〇)、氧化亞銅(αΐ2〇)'氧化銅(Cu⑴、二 化亞鐵(Fe0)、氧化鐵(Fe203)、四氧化三鐵(Fe304)、氧化錄 12 1330193 (NiO)、氧化釩(v205)、硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氧化 銦(Ιη2〇3)和氧化錫(Sn〇2)等。 適合金屬有機混合層的有機材料可以是,例如用於製造顯示 裝置發光區域的電致發光材料,下文將描述這些電致發光材料。 例如’適合金屬有機混合層的有機材料可包含分子(小分子)有 機化合物’如金屬oxinoid、金屬甜合物、芳叔胺(tertiary aromatic amine)、叫卜朵脊η坐(ind〇l〇carbazole)、卟琳(porphyrin)、確酸納 鹽(phthalocyanine)、三唤(triazine)、蒽(anthracene)及苯二唾 (oxadiazole);以及聚合體化合物,如聚塞吩(p〇iythi〇phene)、 聚氟(polyfluorene)、聚亞曱基苯(polyphenylene)、polyanilene 和聚對苯乙烯(polyphenylenevinylene)。其他可用於金屬有機混合 層的有機化合物包含polypolycarbonate、聚乙婦(polyethylene)、 聚苯乙烯(polystyrene)、有機染料和色素(即紫環酮(perin〇ne)、 香豆素(coumarine)和其他稠環化合物(fused ar〇matic ring compound)),但不僅限於此。 可用於金屬有機混合詹的有機材料的之一種類包含美國第 4,539,507號專利、美國第5,151,629號專利、美國第5,150,006號 專利、美國第5,141,671號專利及美國第5,846,666號專利所揭露 之金屬氧化物,但不僅限於此,上述美國專利此處均為全篇引用。 實施例包含三(8·經基紹)(tris ( 8-hydroxyquinolinate ) aluminum, A1Q3 )和 8·經基-4-苯基苯齡(bis ( 8-hydroxyquinolato ) _ 13 1330193
(4-phenylphenolato) aluminum,BAlq)。此類材料的其他實施例 包含8-經基鎵、8-經基鎮、8-經基鋅、三(5-曱基-8-經基紹)(tris (5-methyl-8-hydroxyquinolinate) aluminum)、三(7-丙基 8-羥基 在呂)(tris ( 7-propyl-8-quinolinolato ) alumimim )、笨(f) 8-經基鋅 (bis〔 benzo {f} -8-quinolinate〕zinc)、10-羧基笨(h)經基鈹(bis (10-hydroxybenzo〔h〕quinolinate)beryllium)等,以及第 5,846,666 號美國專利(此處為全文引用)揭露的金屬thioxinoid化合物,如 下述物質組成的金屬thioxinoid化合物,8-quinolinethiolato鋅(bis (8-quinolinethiolato ) zinc )、8-quinolinethiolato 1¾ ( bis (8-quinolinethiolato ) cadmium )、三(8-quinolinethiolato 鎵)(tris (8-qumolinethiolato) gallium)、三(8-quinolinethiolato 銦)(tris (8-quinolinetliiolato ) indium )、5-甲基 quinolinethiolato J专(bis (5-methylquinolinetliiolato ) zinc )、三(5-甲基 quinolinethiolato 鎵)(tris ( 5-methylquinolinethiolato ) gallium )、三(5-曱基 quinolinethiolato ) (tris ( 5-methylquinolinethiolato ) indium ) ' 5-甲基 quinolinethiolato 在弓(bis ( 5-methylquinolinethiolato ) cadmium ) 、 3_ 甲基 quinolinethiolato 多5 ( bis (3-methylquinolinethiolato) cadmium) ' ^ (f) -8-quinolinethiolato 鋅(bis〔 benzo { f} -8-quinolinethiolato〕zinc)、3-曱基苯(f) -8-quinolinethiolato 鋅(bis〔 3-methylbenzo { f} -8-quinolinetliiolato〕 zinc )、3,7-二甲基苯(f ) -8-quinolinethiolato 鋅(bis 14 1330193 〔3,7-dimethylbenzo {f} -8-quinolinethiolato〕zinc)等。實施例材 料係 8-qumolmethiolato 鋅(bis ( 8-quinolinethiolato ) zinc )、 8-quinolinethiolato ( bis ( 8-quinolinethiolato ) cadmium ) ' C8-quinolinethiolato (tris (8-quinolinethiolato) gallium)、三 (8-quinolinethiolato 銦)(tris ( 8-quinolinethiolato ) indium )、苯(f) -8-quinolinetliiolato 鋅(bis〔 benzo { f} -8-quinolinethiolato〕zinc )。 由上所述,金屬有機混合層可為〃二元金屬有機混合層’’(具 有兩種成分)、〃三元金屬有機混合層〃(具有三種成分)、"四元 金屬有機合層(具有四種成分)、或是具有多於四種成分之其 他金屬有機混合層。在這些實施例中,依照金屬有機混合層所做 之無機含金屬材料、有機化合物以及任何其他成分之選擇也具有 所要求之權力。除光反射降低之外,金屬有機混合層能夠選擇性 地具有-個或錄另外所輕的雖,包含如導電性和金屬有機 混合層需要具有的任何其他為位於顯示裝置之金屬有機混合層之 位置所需要之其他魏舰務之特性(比如,若金屬有機混合層 係4P近發光區域之部分電極,囉需要能财效地注人電荷)。若 當顯示裝置包含複數個金財機混合層,金屬錢混合層能夠係 相同或不同材料組成(舰其成分城其濃度)。 。。值得注意岐,特定金屬麵混合賴型之成分的適合材料 名單有可π重豐。比如,在〃三元金屬有機混合層〃,第二成分之 適合材料(如有機材料)與用於第三成分,有機材料"之選擇 15 相同。此外’在"三元金屬有機混合層",第一成分之適合材料(如 、“屬材料)與用於第二成分之”金屬’’和7/無機材料々之選擇重 複二然而’即使用以特定金屬有機混合層類型的成分之適合材料 名單有重® ’只要金屬有機混合層麵所選擇之成分彼此不同, 就不會有矛盾’例如,每_金屬有機混合層所選擇的成分係為唯 —〇 在一實施例中,金屬有機混合層係為二元金屬有機混合層, 而一711金屬有機混合層〃為包含有兩種成分i)金屬材料和ii) 有機材料組成之金屬有機混合層。在—實施例中,此二元金屬有 機處合層包含:含有銀或其無機化合物(比如氧化物、氫氧化物、 鹵化物、硫化物、氮化物、碳化物和蝴化物等),以及有機化合物 之金屬有機混合層;由第11族金屬(比如銅、銀或金)或其無機 化合物(比如氧化物、氫氧化物、齒化物、硫化物、氮化物、碳 化物和蝴化物等)以及有機化合物組成之金屬有機混合層;由第 10知金屬(比如鎳、鈀或鉑)或其無機化合物(比如氧化物、氫 氧化物、鹵化物、硫化物、氮化物、碳化物和硼化物等)以及有 機化合物組成之金屬有機混合層;由第13族金屬(比如麵)或其 無機化合物(比如氧化物、氫氧化物、鹵化物、硫化物、氮化物、 碳化物和魏物等)以及有機化合物域之金屬錢混合層;由 第4族金屬(比如鈦)或其無機化合物(比如氧化物、氫氧化物、 鹵化物、硫化物、氮化物、碳化物和硼化物等)以及有機化合物 1330193 組成之金屬有機混合層;由金屬或其無機化合物(比如氧化物、 氫氧化物、鹵化物、硫化物、氮化物、碳化物和蝴化物等)以及 可見光光譜吸收在400nm至700nm波長範圍的有機化合物(如有 • 機染色化合物)組成之金屬有機混合層;由第16族金屬(如硒或 ' 鎊)或其無機化合物(如氧化物、氫氧化物、鹵化物、硫化物' : 氮化物、碳化物和硼化物等)以及有機化合物組成之金屬有機混 • 合層等’但並不僅限於此。 在另一實施例中,金屬有機混合層可為三元金屬有機混合 層,而〃三元金屬有機混合層〃係為包含三種成分之金屬有機混 合層,此三種成分係i)金屬材料、ϋ)有機化合物和出)其他第 三種成分(與另兩種成分不同),可以係金屬、有機材料或無機材 料。在本發明-實施例中’此三元金屬有機混合層包含:二元金 屬有機混合層’比如上述實關之二元金屬有機混合層,以及更 _ 包含由第1族金屬(有時也稱為鹼性金屬),比如鐘(Li)、鋼(Na)、 鉀(K)、铷(Rb)、鉋(Cs)或其化合物如第}族金屬之齒化物 .(如氟化物、氣化物、漠化物、破化物)、氧化物、氫氧化物、氮 .·化物或硫化物組叙金财機混合層;二元金屬有機混合層,比 、如上述實施例之二元金屬有機混合層,以及更包含由第2族金屬 (有時也稱為驗土金屬),比如鈹(Be)、鎂(Mg)、舞(㈤、錄 ⑻、鎖⑽或其化合物如第2族金屬之_化物(如氣化物、 氣化物、漠化物 '埃化物)、氧化物、氫氧化物 '氮化物、硼化物 17 1330193 和硫化物組成之金屬有機混合層;包含至少一種金屬材料、有機 化合物以及銀或銀化合物(如銀的氧化物、氫氧化物、鹵化物、 硫化物、氮化物、碳化物和硼化物等)組成之金屬有機混合層; 由i)金屬材料、ii)有機化合物和出)鋅、銦或錫或其化合物(如 氧化鋅(ZnO )、硫化鋅(ZnS )、氧化銦(ln2〇3)和氧化錫(Sn〇2 )) 組成之金屬有機混合層;包含至少一種有機化合物以及複數種金 屬之合金,比如INCONEL™,以及組成之金屬有機混合層;包含 至少鋁或其無機化合物(如氧化物、氫氧化物、鹵化物、硫化物、 氮化物、碳化物和硼化物等)、有機化合物、和任何係其他金屬之 第三成分(如銀、第一族金屬、或第二族金屬)組成之金屬有機 混合層;由〇卟啉、芳叔胺、吲哚σ弄唑、聚塞吩、PED〇ttm (其 係一種特殊聚塞吩)、ii)銀或者其化合物和诅)金、鉻 '銅、鉑、 銦、鍊、錫或其化合物’比如氧化銦(In2〇3)和氧化錫(Sn〇2), 組成之金屬有機混合層,但並不僅限於此。 在本發明另一實施例中,金屬有機混合層可為四元金屬有機 混合層’而〃四元金屬錢混合層〃為包含四種成分之金屬有機 混合層,此四種成分係i)金屬材料、ϋ)有機材料、诅)其他第 二種成分以及IV)其他第四種成分。其他第三種和第四種成分(其 彼此不同,並且與另兩種成分不同),可以係金屬、有機材料或無 機材料。在一實施例中,此四元金屬有機混合層包含:包含有機 化合物、銀、鎂以及第丨族金屬(如鋰)或其化合物(如氟化鋰) 18 1330193 組成之金射機混合層;有機化合物、銀、細及第i族金屬(如 鐘)或其化合物(如氟化鐘)組成之金屬有機混合層;有機化合 物、銀、如及其他第2族金屬(域)或其化合物(如氣化鎮、 乳化錢)域之金屬錢混合層;包含麵化合物、銀、紹以及 第1族金屬(如鐘)或其化合物(如氟化鐘)、或第2族金屬(比 如’辦魏)或其化合物組成之金财機混合料,但並不僅限 於此。 在一實施财’金财機混合層具有廣泛的網成分遍佈金 屬有機混合权全部厚度4達叙的均勻成分,透過使用,/可 控混合比率方法〃(比如旋轉_法與共沉積法)來製作金屬有機 齡層。因此,在-實施射,金财機混合祕可控成分之混 合物’就某種意義而言,不同成分之混合比率係透過控制方法, 比如控制同時由不同蒸發源蒸發之不同成分之蒸發比,控制至某 一水平。在-實施财,金屬有機絲層林同成分轉通常保 持不變’並且獨時_化(比如,若謂作絲敎刻測量金 屬有機混合層中成分比率,其與幾天後或更長時間測量之比率相 同)。 在另-實_中’金屬有機混合層在金屬有機混合層之 厚度的成分分佈不料。奴齡法紗㈣財產具有非均句。 分之金屬錢混合層(比如’細絲屬有機混合層過程中 過金屬有機混合料料之不同共沉魏率)。由於層内擴散或層气 19 =散’在某些實施例中,經過長時間之後,將⑽金屬有機混 均:由廣泛均勻成分(以〃可控混合比率方法〃形成)轉變為非 ^成刀。此外,能夠利用材料的層之間擴散製做金屬有機混合 曰在製乂金屬有機藏合層時,不希望出現擴散,因為以下原因: 」擴散㊉要大I時間(幾天、幾周、幾個月或者更長);⑻ )率隨㈣變化,以及⑷不容易控制金屬有機混合層材料 之預計比率。 在一實施例中,在金屬有機混合層製造完成之後,持續測量 5立刻測量平行於金屬有機混合層厚度的方向,若其中-種成分 鄰近金屬=機辰少在5% ’猶相同成分但濃度不同的 •,屬有機此5層破視為柯金屬有機混合層,柯是具有非 均勻成分之一個金屬有機混合層。 在某些實關巾,金財機齡層通常可導電,轉電的金 屬有機混合層具有截面(如穿越金屬有機混合層厚度)歐姆電阻 不超過1〇〇,〇〇〇歐姆,尤其是不超過5,_歐姆,並且最好不超過 1,〇〇〇歐姆。在其他實麵!巾,金射機混合層被認為是不導電 的’比如’具杨歐姆電阻值高於文中所舉·述之範圍。 在廷點上’金屬有機混合層能夠吸收部分或全部先線虚傳導 部分或全部规,歧射部分或切姐“魏部分或全部 之金屬有觀合層至少在部分可絲朗(比如,電雖射 圍為4〇Gnm至雇)具有至少αι的光密度並且典型的具有至 20 1330193 少〇·5的光密度,尤其光密度至少為丨〇<)傳導部分或全部光線(透 明)之金屬有機混合層至少在部分可見光範圍(如電磁輻射的範 圍為400nm至700mn)具有至少50%的能見度,並且典型的具有 至少75%的能見度。反射部分或全部光線之金屬有機混合層至少 在部分可見光範圍(如電磁輻射的範圍為 400nm 至 700nm)具有 至少50%的反射率,並且典型的具有至少75%的能見度。 金屬有機混合層通常包含有佔其體積5%一95%的金屬材 料,以及佔其體積5% —95%的有機化合物。在另一實施例中,金 屬有機混合層通常包含有佔其體積2〇%一8〇%的金屬材料,以及 佔其體積20% —80%的有機化合物。 本發明之陽極結構所使用之電子吸收材料通常係為氧化劑, 用以氧化顯示裝置發光區域之有機化合物。於本發明之一實施例 中,合適的電子吸收材料係Lewis酸化合物。一實施例中,合適 的作為電子吸收材料的Lewis酸化合物包含美國第6,423,429號專 利所揭露的材料’如氯化鐵、氯化鋁、氯化銦、氯化鈹、氯化銻 等,而其他適合之電子吸收材料包含有機化合物,如,三硝基芴 嗣(trinitr〇fluorenone)’ 以及 2,3,5,6_四氟_7,7 8,8 四氰基對苯醌二 甲烧(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoqiiinodimetliane ) (F4-TCNQ ) 〇 細上所述’陽極包含有效地與電子吸收材料相互結合之金屬 有機混合層,且金屬有機混合層透過把電子吸收材料作為金屬有 21 1330193 機混合層混合物之一部分,或是透過在鄰近層分別提供金屬有機 混合層以及電子吸收材料,以有效地與電子吸收材料結合。 在一實施例中,陽極包含有一金屬有機混合層以及電子吸收 材料之混合物’而金屬有機混合層佔陽極體積的5% — 95%,電子 吸收材料佔陽極體積的5% — 95%。 在一實施例中’本發明之顯示裝置之陽極的缓衝層,係由電 子吸收材料或電子吸收材料之化合物所組成;在另一實施例中’ 緩衝層包含有電子吸收材料與有機材料之混合物,如空孔傳輸材 料。在一實施例中’適合用於具有電子吸收材料之緩衝層包含所 述之空孔傳輸材料些特殊的適合用於陽極緩衝層之空穴傳輸 材料包含有N,N’:苯基-N,N,-(1-萘基)_n,N,_苯基聯苯胺(N,N,-di (napMialene_l-yl) _N,N’-diphenyl-bendidine,NPB),4,4,,4,,-三_ (N,N- 一 本胺)二苯胺(4,4’,4’’-tris ( Ν,Ν-diphenylamino ) triphenylamine ’ mTDATA ),2,5-二-叔 丁基苯-N,N,-聯苯-N,N,-對(3_ 甲基苯基)-(1,Γ·聯苯)-4,4,-二胺 (2J5-di-tert-butylphenyl-N,N,-diphenyl-N,N,bis ( 3-methylphenyl-(Ι,Γ-biphenyl) -4,4’_diamine),BP—TPD ) ’ Ν,Ν’-聯苯-Ν,Ν,-對(3 ) 甲基苯基-(1,Γ-聯苯)-4,4’·二胺(N,N,-diphenyl-N,N,-bis (3) methylphenyl-( l,l’-biphenyl)-4,4’-diamine)(TPD),銅酞菁(c〇pper phthalocyanine,CuPc),氧叙基酞菁(vanadyl_phthal〇cyanine, VOPc ) ’聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)p〇ly 22 1330193 (3,4-ethylenedioxythiophene, PEDOT ),聚苯胺(polyaniline,PAni) 或其化合物,但並不僅限於此。緩衝層包含有電子吸收材料與空 孔傳輪材料之混合物,而電子吸收材料佔其體積的丨% —99%,空 孔傳輸材料佔其體積的99% —1%,一般而言,電子吸收材料佔其 . 體積的5% —50%,而空孔傳輸材料佔其體積的95%_5〇%。 : 陽極緩衝I魏域(「第2圖」中之緩衝層25)係為單一層或 #多層包含2、3或更多層之結構。在多層結構中,至少—鄰近之金 屬有機混合層的緩衝層包含有—電子吸收材料,且緩衝層之成分 :夠按照特殊使用目的選擇。比如,在包含有金屬有機混合層之 陽極以及包含有第一緩衝層和第二缓衝層之緩衝層中,其第一、 第二緩衝層係由電子吸收材料所組成;而在另一實施例中,第一 缓衝層係㈣子吸收㈣喊,且第二緩衝層包含有—電子吸收 材料和-空孔傳輪材料;在另—實施例中,第—緩衝層包含有電 #子吸收材料和空孔傳輸材料;在另—實施例中,第一、第二缓衝 層包含有-電子吸收材料和—空孔傳輸材料,但並不以本發明揭 露之實施例為限。 陽極之厚度約為⑽至5,_埃―>在-實施例中, 陽極具有約⑼至2,_埃之厚度。在-實施例中,陽極包含有一 金屬有機混合層,以及—單獨之緩_或含電子吸收之材料,緩 衝層全部厚度料駐5⑻埃,够層緩衝層結構之單獨層之厚 度約為1至9驗在一實施例中,緩衝層之全部厚度約為50至300 23 埃0 "b夠改㈣調整陽極與顯示裝置之特性,而形成具有用於特 人、、預屬/·生之顯不裝置。比如,透過改變一層金屬有機混 曰成刀或疋金屬有機混合層中金屬材料和有機材料之漠度 h °收材料之/辰度,以改變或選擇顯示裝置之電性特性。此 2,透過改變金屬有機現合層厚度和金屬有航合層之金屬材料 ’辰度之其中之—或是兩個都改變’以調整陽極與顯示裝置之光線 吸收傳輪或反射能力。通常,由於厚度與金屬濃度的增加,致 使金屬有機混合層之透明度降低,但光線吸收能力增強或反射能 力2強在-貫施例中’陽極和顯示裝置係為完全透明,而在另 戸、關中’本發明所揭露之顯示裝置與沒有任何金屬有機混合 層之,,肩不褒置相較之下,其光線反射降低至少約3⑽;在另一實 她例中’本發明所揭露之裝置與任何沒有任何金屬有機混合層之 顯7Γ裝置相車又之下’其光線反射降低至少約鄕。在另一實施例 中,本發明所揭露之顯示裝置,其陽光/肉眼加權整體反射率 (;Sun/Eyenglited Integrated Reflectivity,SEIR)約少於 75% ; 在另-實施例中,顯示裝置其陽以肉眼加權整體反射率(seir) 約少於50%,·在另一實施例中,顯示裝置表現的陽光/肉眼加權 整體反射率約少於20%。 本發明所揭露之顯示錢包括有在各種有機發紐置中一個 或多個金屬有機混合層的使用’而有機發光裝置分為依照分子㈠、 24 1330193 分子)的有機發光裝置、依照聚合體的有機發光寰置、發光區域 同時包含分子材料與聚合體材料的混合型有機發光裝置。金屬有 * 機混合層又能夠用於同時既包含有機材料與無機材料之發光區域 ’ 的混合型有機發光裝置中。而且’依照本發明之揭露所包含的顯 ·· 示裝置之類型包含有機發光裝置、無機電致發光或碳光裝置、液 : 晶顯示器和電漿顯示器等。 ^ 可採用任何適合的技術和設備製造陽極和/或金屬有機混合 層以及缓衝層。比如,可以使用熱沉積(即物理氣相沉積(physical Vapor· Deposition,PVD))、旋轉塗覆、藏鍍、電子束製程、電子 弧衣私、化學氣相沉積Dep〇siti〇n,匸仰)等。 刖兩種技術,特別是物理氣相沉積製程,係為目前最受重視的方 法。在物理氣相沉積製程中,金屬有機混合層的形成係透過共同 ,發金屬有機齡層以及電子吸收材料之成分,並透過獨立控制 _母-材料之沉積速率以達到理想混合比率。在金屬有機混合層 中,不同的成分之混合比率範圍能夠更加有效地產生理想特性。 ' 這:較佳犯。比率係在特定材料化合物的實驗和錯誤之基礎上確
。更佳之範 佈法與共同沉積法。妓 • &的。通巾’在本發明—實施例中包含有—金屬有機混合層和電 :吸收材料之⑽合物,而陽極包含佔其體積视至的金屬有 【擇。々可控混合速率方法,係涉及旋轉塗 此積係涉及熱沉積(比如,物理氣相沉積)、 25 1330193 濺鍍、電子束製程、電子弧製程、化學氣相沉積(CVD)等方式。 此外,這些技術中,包含薄膜沉積(Paper Deposition)同樣 適合形成包含有電子吸收材料以及空孔傳輸材料之任一緩衝層, 在一實施例中,金屬有機混合層和電子吸收材料係分別在陽極之 鄰近層(如「第2圖」所示)。 金屬有機混合層和電子吸收材料之成分,無論是混合後再與 鄰近層結合,或是分別與鄰近層結合,都克服了使用金屬有機混 合層作為陽極的困難。使用金屬有機混合層作為陽極的能力同樣 允許使用沉積技術’這樣就不能利用習知技術之陽極材料,如氧 化銦錫。在陽極中使用金屬有機混合層同樣能夠降低顯示裝置之 反射比’並可形成黑色陽極(Black Anode)作為背電極(Back Electrode )。 儘管圖中未顯示’本發明之顯示裝置’如「第1圖」和「第2 圖」中之有機發光裝置相同’最好包含一與任一電極相鄰之基板, 比如’與陽極或陰極相鄰之一基板。完全透明的基板可包含各種 適合的材料,如聚合體成分、玻璃、石英等,而適合的聚合體成 分包含有聚酯’如邁拉(MYLAR®)、聚碳酸酯(p〇lyCarborLate)、 聚丙稀酸酯(polyacrylate)、聚曱基丙烯酸酯(polymethacrylate)、 聚砜脂(polysulfone)等,但不僅限於此。也可選擇性提供其它基 板材料,如能有效支撐其它層並且不會妨礙裝置功能表現的材料。 不透明之基板可包含各種適合的材料’如聚合體成分,像聚 26 1330193 酯’如邁拉(MYLAR®)、聚碳酸醋(polycarbonate)、聚丙烯酸酋旨 (polyacrylate )、聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylate )、聚颯脂 (polysulfone)等材料,而這些材料包含有色劑或染料,如碳黑 (Carbon Black) ’基板亦可包含矽元素,如非晶矽、多晶矽、單 晶石夕等。基板中使用的其它種類的材料包含有陶瓷材料,如類似 金屬氧化物、金屬鹵化物、金屬氫氧化物和金屬硫化物等的金屬 化合物。 貧施例中’基板的厚度範圍约為1〇微米至5〇⑻微米,而另 一實施例中,基板的厚度約為25微米至1〇〇〇微米。 陽極包含有適合之電子注入材料,如金屬等具有高功函數的 成分,比如功函數約為4eV至6eV的金屬,或具有低功函數的成 分,比如功函數約為2eV至4eV的金屬。陽極可為一種低功函數 (低於4eV)金屬與至少-種其他金屬的結合。低功_金屬與 第二種或其他金屬的有效比例為從小於〇1重量百分比至99·9重 量百分比。於本發明之實施例中,低功函數金屬可包含鹼性金屬, 如鐘或納;从族或社金屬,如鈹、鎮,或鎖;包含稀土金屬 的瓜族金屬和麵金屬,如銳、紀、鑭、鈽、箱、錢或釣,但不 僅限於此,其憎、鎂秘為較佳的低功函數之金屬材料。適於 形成陰極的材料包含美國第4风211號專利、美國第4,72〇,432 號專利和美國第S’,4%號專利所揭露的鎂-銘合金,但不僅限於 此此處對这三篇專利全文引用,美國第6,841,932號專利揭露其 27 ^ D的純,此處對其全文制、美料5,必,卿號專利揭露 了金屬有機混麵,此處對其全文制。陰極可由_其他高功 M數金屬如銘和銦組成合金而形成。 完全翻的陰财包含厚度㈣之完全透明金制,而完全 絲明之金屬層包含有功函數範圍在㈣至替的金屬,如鎮、銀、 ‘ ϋ鐘及其合金或是鎂銀合金’其中鎮的體積百分比為 八 銀的體積百分比為2〇至5,而經銘合金中之銘的體積百 刀比^9G至99、_體積百分比為⑴至卜金屬層的厚度約為 埃至200埃,在一實施例中,約為3〇埃至⑽埃,但並不以 發明揭露之實施例為限。 在Λ知例中,陰極係為—金屬有機混合層,且陰極可包含 層或4附加層。陰極的一層或多層附加層包含有至少一種金 屬與至〉—種無機材料,而附加層所使用之適合金屬材料可包含 鎮銀、叙、銦”、金,、鉻及其化合物,但不僅限於 此,用於附加層適合的無機材料包含-氧化石夕(SiO)、二氧化矽 ⑽士 Λ切⑽)、氟_ (MgF2)及其混合,但不僅限於 此0 一層或多層附加層彼此可以具有相同或不同的功能。例如, 陰極的-層❹層附加層可包含駐要含有—種金屬以形成具有 &薄片電阻(如小於每平方1G歐姆)的導電層。此外,陰極的— ,曰f加層可透過形成鈍化層(如防潮層),以保護金屬有機 28 1330193 Z層不找外界破壞,這種鈍化層可防止至少可減少外界濕氣 ,乡金屬有機混合層、發光區域鴻極。並且,陰極的一層或多 層附加層可作為熱保護層,以保護裝置在高溫下產生短路。例如, 可在溫度_為6Gt至11(rc時提供這縣護,詳_容請表見 美國第6,765,348號專利,此處對其全文引用。 陰極的厚度範圍在約1〇nn^1〇〇〇nm之間,但並不以此為限。
陰極可為單-層或包含兩層、三層或更多層。例如,電極可 由電祷;主人層〇電子注人層和空孔注人層)以及覆蓋層所組成。 …、:而在貫把例中,認為電荷注入層係與電極有所區別。 依照本發騎揭露之顯示裝置之發光區域,在—實施例中包 3有至乂、種電致有機材料,而這種電致發光材料之類型可為任 何適於顯示|置的電致發光材料。合適的有機電致發光材料包含 有聚對苯乙烯(polyphenylenevinyiene ),如聚對苯乙婦( (p-phenylenevinylene),PPV)、聚二-(2-乙基已氧基)_5_甲氧基 苯乙烯(poly ( 2-methoxy-5- ( 2-ethylhexyIoxy )
Uphenylenevinylene) ’ MEHPPV)和聚(2,5_二烷氧基苯乙烯) (poly (2,5-dialkoxyphenylenevinylene) ’ PDMeOPV)及其它如美 國第5,247,190號專利揭露的材料,此篇專利此處為全文引用;聚 亞苯基(polyphenylene),如聚對苯(p〇iy (p_phenylene),ppp)、 梯狀對-聚苯烯(ladder-poly-para-phenylene,LPPP )和 poly 29 1330193 - η辛基药-2,7-爾基)(p〇ly⑽出皆吻咖㈣^,7 ^))、聚 (2,8_ ( 6,7,12,12-四烷基茚酚芴))(p〇ly ( 2 8· (6,7,12,12-tetraalkylindenofluorene))以及包含苟(f]職此)的共 聚物’如雜共聚物(請參見名為,sp正有機發光材料和裝置會 議111的刊物中第379<7卷第129由Bemius等人1999年七月在美 國科羅拉Μ丹佛市發表的〃電致發紋合體漏及裝置的發展 進步〃)。 可用於發光區域的有機電致發光材料的另一種類包含美國第 4,539,507號專利、類第5,151,629號專利、美國第5,15(),〇〇6號 專利、美國第5,141,671號專利、及美國第5,846,660號專利所揭 露之金屬oxinoid化合物’但不僅限於此,上述美國專利此處均為 全篇引用。於本發明一實施例中包含有三(8_羥基喹琳鋁)(^s (8-hydroxyquinolinate ) aluminum ,A1Q3 )和 bis (8-hydroxyquinolato) · (4-phenylphenolato) aluminum,(Balq)。 此類材料的其他例子可包含8-經基啥琳鎵、8-經基噎琳錢、8-經基 喹琳鋅、三(5-甲基各羥基喹琳鋁)((tris (5-metliyl-8-hydiOxyquinolinate)) aluminum )、三(7-丙基-8-經基 琳I呂)((tris (7-propyl-8-quinolinolato)) aluminum)、苯(f) -8-經基嗤琳鋅(bis〔benzo { f} -8-quinolinate〕zinc)、10-經基苯(h) 敛(bis (10-hydroxybenzo〔 h〕quinolinate ) beryllium )等,以及 第5,846,666號美國專利(此處為全文引用)揭露的金屬thioxinoid 30 1330193
化合物,如下述物質組成的金屬thioxinoid化合物’ 8-quinolinethiolato 辞(bis ( 8-quinolinethiolato ) zinc )、 8-quinolinethiolato ;!弓(bis ( 8-quinolinethiolato ) cadmium )、三 (8-quinolinethiolato 錄)(tris ( 8-quinolinethiolato ) gallium )、三 (8-quinolinethiolato 銦)(tris ( 8-quinolinethiolato ) indium )、 5-metliylquinolinethiolato 鋅(bis ( 5-methylquinolinethiolato ) zinc )、 三(5-methylquinolinethiolato 鎵)(tris ( 5-methylquinolinethiolato ) gallium )、三 (5-methylquinolinethiolato 銦) (tris (5-methylquinolinethiolato ) indium ) ' 5-methylquinolinethiolato ( bis ( 5 -methylquinolinethiolato ) cadmium ) 、 3-methylquinolinethiolato 1¾ ( bis ( 3-methylquinolinethiolato ) cadmium )、苯(f) -8-quinolinethiolato 鋅(bis〔 benzo { f} -8-quinolinethiolato〕zinc)、曱基苯(f) -8-quinolinethiolato 辞(bis 〔3-methylbenzo {f} -8-quinolinethiolato〕zinc)、3,7-二曱基苯(f) -8-quinolinethiolato 鋅(bis 〔 3,7-dimethylbenzo { f } -8-quinolinethiolato〕zinc)等。發光區域使用的其它適合的有機電 致發光材料包含均1,2-二苯乙烯(stilbene)衍生物,如美國第 5,516,577號專利中的揭露,此篇專利此處為全文引用。另一適合 的1,2-二苯乙烯衍生物為4,4’-二(2,2聯苯乙烯基)聯苯 (4,4’-bis(2,2-diphenylvinyl)biplienyl)。可用於發光區域的有機電 致發光材料的另一種類包含蒽(anthracene ),如,2-t-丁基-9,10- 31 1330193 (2-秦基)蒽(2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene )、9,10-二-(2- 秦基)蒽(9,10-di-(2-naphthyl)anthracene )、9,10-二苯基蒽 (9,10-di-phenylaiithracene)、9,9-二〔4-(9-蒽基)苯基〕氟(9,9-bis 〔4-(9_anthryl)phenyl〕fluorine)及 9,9-二〔4·(10-苯基-9-蒽基)苯 基〕氟(9,9_bis〔4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl〕fluorine)。其它適 合的蒽為美國第〇9/208,172號專利申請,現為美國第6,465,115號 專利(對應第EP 1009044 A2號歐洲專利)、美國第5,972,247號專 利、美國第09/771,311號專利申請,現為美國第6,479,172號專利、 以及美國第5,935,721號專利揭露的内容,上述專利此處均為全文 引用。
可用於發光區域的有機電致發光材料的另一種類包含美國第 5,925,472號專利揭露的鳴二嗤金屬鉗合物(chelate),此篇專利此 處為全文引用。這些材料包含2-(2·羥苯基)-5-苯基 -1,3,4-oxadiazolato 鋅(bis ( 2- ( 2-hydroxyphenyl ) -5-phenyl-l,3,4-oxadiazolato〕zinc)、2- (2-經苯基)-5-苯基_1,3,3- oxadiazolato 鈹(bis 〔 2- ( 2-hydroxyphenyl ) -5-phenyl-l,3,4-oxadiazolato〕beryllium)、2- (2-經苯基)-5- (2-萘基)-l,3,4-oxadiazolato 鋅(此〔2-(2-11}^〇叉沖11611}4)-5-(1-naphthyl) -l,3,4-oxadiazolato〕zinc)、2- (2-經苯基)-5- (2-萘基)-l,3,4-oxadiazolato 鈹(1^〔2_(2-1^(11*〇\沖1^1134)-5-(1-naphthyl) -l,3,4-oxadiazolato〕beryllium)、5-聯苯_2· (2-經苯 32 1330193 基)-l,3,4-oxadiazolato 鋅(bis〔5-biphenyl-2- (2~hydroxyphenyl)
-1,3,4-oxadiazolato〕zinc )、5-聯苯-2- ( 2-經苯基)-1,3,4-oxadiazolato 鈹(bis〔5-biplienyl-2- (2-hydroxyplienyl) -l,3,4-oxadiazolato〕 beryllium )、( 2-羥苯基)-5-苯基 _l,3,4-oxadiazolato 裡(bis [(2-hydroxyphenyl) -5-phenyl-l,3,4-oxadiazolato ] lithium ) ' ( 2-經苯基)-5-卩-曱苯基-1,3,4-〇又&<^2〇1&1;〇鋅(1^8(2-(2-117(11*〇乂邓1161171) -5-p-toly-1,3,4-oxadiazolato〕zinc )、2- ( 2-經苯基)·5-ρ-甲苯基-1,3,4-oxadiazolato 皱 (bis ( 2- ( 2-hydroxyphenyl ) -5-p-tolyl-l,3,4-oxadiazolato〕beryllium)、5-對叔丁基苯基-2- (2-經苯基)-lj+oxadiazolato 鋅(1^〔5-4也11:-1)11汐1卩1^11>4)-2-(2-hydroxyphenyl) -1,3,4-oxadiazolato〕zinc)、5-對叔丁基苯基-2-(2-經苯基)-1,3,4-oxadiazolato 鈹(bis〔5- (p-tert-butylphenyl) -2- (2-hydroxyphenyl) -1,3,4-oxadiazolato〕beryllium)、2- (2-經 苯基)-5-( 3 -氟苯基)-1,3,4-oxadiazolato 鋅(bis〔 2-( 2-hydroxyphenyl) -5- (3-fluorophenyl) -l,3,4-oxadiazolato〕zinc)、2- (2-經苯基)-5-(4-氟苯基)-1,3,4_〇叉&出〇2〇以〇鋅(1^〔2-(2-1^(11(及邓1^11}4)-5-(4-fluorophenyl) -l,3,4-oxadiazolato〕zinc)、2- (2-經苯基)-5-(4-氟苯基)-1,3,4-〇乂&(^2〇如〇鈹(1^〔2-(2-11>^11€«沖1^11}4)-5-(4-fhioroplienyl) -1,3,4-oxadiazolato〕beryllium)、5- (4-氣苯基) -2- (2-經苯基)-1,3,4-oxadiazolato 鋅(bis〔5- (4-cWorophenyl) -2- (2-hydroxyphenyl) -1,3,4-oxadiazolato〕zinc)、2- (2-經苯基) 33 1330193 -5-( 4-曱氧基苯基)_1,3,4- oxadiazolato 鋅(bis〔 2-( 2-hydroxyphenyl) -5- (4-methoxyphenyl) -l,3,4-oxadiazolato〕zinc)、2- (2-經基-4-二甲基苯基)-5-苯基-l,3,4-oxadiazolato 鋅(bis〔 2-
(2-hydroxy-4-methylphenyl) -5-phenyl-1,3,4-oxadiazolato] zinc) ' 2- ( 2-經苯基)-5-苯基-l,3,4-oxadiazolato _(bis〔2-(2-hydroxyphenyl) -5-phenyl-1,3,4-oxadiazolato] zinc) ' 2- (2-i^ 苯基)-5令氮苯基-1,3,4-〇乂&(1丨〇2〇1&1;〇鍵(1^〔2-(2-11丫(11>〇\邓1161^1) -5-p-pyridyl-l,3,4-oxadiazolato〕beryllium)、2- (2-經苯基)-5- (2-苯硫基)-l,3,4-oxadiazolato _(bis〔2-(2-hydroxyphenyl)-5-(2-thiophenyl) -l,3,4-oxadiazolato〕zinc)、2- (2-羧苯基)-5-笨 基-l,3,4-thiadiazolato 鋅(bis (2-( 2-hydroxyphenyl ) -5-phenyl-l,3,4-thiadiazolato〕zinc)、2- (2-經苯基)-5-笨基-1,3,4-thiadiazolato 鈹(bis [2-( 2-hydroxyphenyl ) -5-phenyl-1,3,4-tMadiazolato〕beryllium)、2- (2-經苯基)-5- (1-茶基)-l,3,4-thiadiazolato 辞(1^8〔2-(2-1^(11*〇又邓11611乂1)-5-(1-naphthyl) -l,3,4-thiadiazolato〕zinc)和 2- (2-經苯基)-5- ( l-秦基)-l,3,4-thiadiazolato 皱(1^〔2-(2-113^1|*〇\沖1161154)-5-(1-naphthyl) -l,3,4-thiadiazolato〕beryllium)等,以及包含於美 國第6,057,048號專利以及美國第6,821,643號專利中揭露的三嗪 (triazine ) 〇 亮度區域更可具有0.01重量百分比至25重量百分比的發光材 34 料作為摻雜物。可用於發光區域的摻雜材料係為一發光材料,如 香丑素(coumarin)、—亂亞 T基0比喃(dicyanometliylenepyraiie)、 聚甲稀次甲基(polymethine )、oxabenzanthrane、氧雜蒽 (xanthene)、吡啶鑌(pyiylium)、carbostyl、二萘嵌苯(peiylene) 等。其它適合的發光材料為°|:0丫咬3同染料(quinacridonedye)。啥 °丫交綱染料的實施例可包含喧。丫咬_ ( qUinacrjd〇ne )、2-曱基喧α丫 咬酮(2-methylquinacridone )、2,9-二甲基喧。丫 咬酮 (2,9-dimethylquinacridone ) 、 2-氣基啥。丫。定酮 (2-chloroquinacridone)、2-氣啥 σ丫 u定酮(2-fhioroquinacridone)、 1,2-苯喧吖咬酮(i,2-benzoquinacridone)、N,N’-二甲基喧。丫咬酮 (N,N’-dimethylquinacridone )、N,N’-二曱基-2-曱基啥 〇丫 咬酮 (N,N’-dimethyl-2-methylquinacridone )、N,N’_二甲基-2,9-二甲基 嗤°丫°定1同(N,N’-dimethyl-2,9-dimethylquinacridone)、Ν,Ν’-二甲基 -2-氣啥〇丫 π定洞(N,N’-dimethyl-2-cliloroquinacridone)、Ν,Ν’-二曱 基-2-氟啥π丫咬酮(N,N’-dimethyl-2-fluoiOquinacridone)、Ν,Ν’-二曱 基·1,2-笨啥。丫咬_ (N,N’-dimethyl-l,2-benzoquinacridone)以及美 國第5,227,252號專利、美國第5,276,381號專利和美國第5,593,788 號專利中的揭露,此三篇專利此處為全文引用。其它可使用的發 光材料的種類為稠環(fosed ring)發光染料。適合的稠環發光染 料包含二萘後苯(perylene)、紅營蝉(mbrene)、蒽(anthracene)、 六笨並笨(coronene)、phenanthrecene、芘(pyrene)等,可參見 35 美國第3,172,862,號專利中的揭露,此篇專利此處為全文引用。此 外發光材料包含丁二婦(butadiene),如,1,4-聯苯丁二綠 a4-diPhenyibUMene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、 岣二苯代乙烯(stilbene)等,可參見美國第4 356429號專利和美 國第5,516,577號專利中的揭露,此處均為全文引用。發光材料的 其它實施例可參見美國第5,601,903號專利,此處為全文引用。 此外,發光區域可使用的發光摻雜物為美國第5,935,72〇號專 利揭露的發光染料(此篇專利此處為全文引用),例如,4_二氰亞 甲基-2-1-丙基_6-(1,1,7,7-四曱基久咯呢定基斗烯基)_4H_吡喃(4_ ( dicyanomethylene ) -2-l-propyl-6- (l,l,7,7-tetrametliyljulolidyl-9-enyl) _4H-pyran,DCJTB);鑭系金 屬甜合物複合物’如,三(乙醯丙酮)(菲繞啉)铽(tris (acetyl acetonato) (phenanthroline) terbium)、三(乙醯丙酮)(菲繞啉) 銪(tris (acetyl acetonato) (phenanthroline) europium)和三(〇塞 吩曱醯二氟丙酮)(菲繞琳)銪(扮s (then〇yi) (phenanthroline) europium),可參見名為〃 jpn.j_Appl.Phys"的刊 物中第35卷第L394至L396頁由Kido等人發表的,,使用鑭系元 素複合物的發射白光的有機電致發光裝置〃(1996年),此處為全 文引用,以及磷光(phosphorescent)材料,如包含可導致自旋-軌道賴合的重金屬原子的有機金屬化合物’如名為"Letters to Nature"的刊物中第395卷第151至154頁由Baldo等人發表的夕 36 有機電致發光裝置發出的高效率有機雄光〃(1998年),此處為全 文引用。較佳的實施例包含八乙基卟吩鉑 (2,3>7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H23H-phorpine platinum (Π) 5 PtOEP)和三(2-苯基°比。定)鈒(tris (2-phenylpyridine) iridium, Ir (PPy) 3)。 發光區域還可包含有具有空孔傳輸特性的一種或多種材料。 可用於發光區域的空孔傳輸材料包含有聚。比π各(polypyrrole)、聚 苯胺(polyaniline )'聚亞苯基次亞乙浠基(p〇iy ( phenylene vinylene))、聚嘆吩(polythiophene)、聚芳基胺(polyarylamine) ’ 可參見美國第5,728,801號專利中的揭露,此處為全文引用,以及 上述物質的衍生物;以及習知的半導體有機材料;和卟啉 (porphyrin)衍生物,如美國第4,356,429號專利中揭露的 1,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟啉銅(Π ) (l,10,15,20-tetraphenyl-21H,23H-porphyrin copper (Π)),此篇專 利此處為全文引用;銅酜菁(copperphthalocyanine);銅四甲基酿 菁(copper tetramethyl phthalocyanine );鋅醜菁(zinc phthalocyanine);氧化鈦醜菁(titanium oxide phthalocyanine); 鎮 駄菁(magnesiumphthalocyanine)等。 發光區域使用的空孔傳輸材料的一個特殊種類為芳叔胺 (aromatic tertiaiy amine),如美國第 4,539,507 號專利中的揭露, 此處為全文引用。適合的芳叔胺包含二(4-二曱基氨基-2-曱基苯 37 1330193 基)曱苯(bis ( 4-dimethylamino2-metliylplienyi ) phenylmethane )、 N,N,N-三(聚甲苯基)胺(N,N,N-tri ( p-tolyl) amine )、1,1 -二(4-di-p-甲基氨基苯基)環己胺(1,1-bis ( 4-di-p-tolylaminophenyl ) cyclohexane )、1,1-二(4-di-p-曱基氨基苯基)-4-苯基環己胺(1,1 -bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenyl cyclohexane)、Ν,Ν’-聯苯-Ν,Ν’-二(3-甲基苯基)-1,Γ-聯苯-4,4’-二胺(N,N’-diphenyl-N,N’-bis (3-methylphenyl) -l,r-biphenyM,4’-diamine)、Ν,Ν’-聯苯-N,N’-二(3-甲氧基苯基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(N,N’-diphenyl-N,N’-bis (3-methoxyphenyl) - l,r-biphenyl-4,4’-diamine)、N,N’-聯苯-Ν,Ν’-二(4-甲氧基苯基)-1,Γ-聯苯-4,4’-二胺(N,N’-diphenyl-N,N’-bis (4-methoxyphenyl) -1,1 ’-biphenyl-4,4’-diamine )、N,N,N’N’-四-p-甲苯基 -Ι,Γ- 聯 笨 -4,4’- 二 胺 (N,N,N’N’-tetra-p-tolyl-l,l’-biphenyl-4,4’-diamine )、N,N’-di-l-萘基 -N,N’- 聯苯 -1,1’- 聯苯 -4,4’- 二胺 (N,N’-di-l-naphthyl-N,N’-diphenyl-l,l’-biphenyl-4,4’-diainine )、 N,N,-二苯基 _N,N,-(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(N,N,-di (naphthalene-l-yl) -N,N’-diphenyl-benzidine,NPB)及上述物質 的混合物等,但不僅限於此。另一種芳叔胺為多環芳香煙胺 (polynuclear aromatic amine )。這些多環芳香烴胺包含 N,N-二〔4,-(N-苯基-N-m-曱基氨基)-4-聯苯〕-苯胺(风队他-〔4,-(N-phenyl-N-m-tolylamino) _4-biphenylyl〕aniline)、Ν,Ν-二〔4’- 38 1330193 (N-苯基-N-m-甲基氨基)-4-聯苯〕-m-甲苯胺(N,N-bis-〔ΤΟ N-phenyl-N-m-tolylamino ) -4-biphenylyl 〕 -m-toluidine ) 、 N,N-二〔4’·(N-苯基-N-m-甲基氨基)-4-聯苯〕-p-甲苯胺(凡:^-1^ [45- ( N-phenyl-N-m-tolylamino ) -4-biphenylyl) -p-toluidine )' N,N-二〔4’- (N-苯基-N-p-甲基氨基)-4-聯苯〕苯胺(风:^-1^-〔4’-(N-phenyl-N-p-tolylamino) -4-biphenylyl〕aniline)、N,N-二〔4’-(N-苯基-N-p-甲基氨基)-4-聯苯〕-m-曱苯胺(]^;^-1^-〔4’-(N-plienyl-N-p-tolylamino) -4-biphenylyl〕-m_toluidine)、N,N-二 〔4’- (N-苯基-N-p-甲基氨基)_4-聯苯〕-p-甲苯胺(凡;^-1^-〔4’-(N-phenyl_N-p-tolylamino) -4-biphenylyl〕-p-toluidine)、N,N-二 〔4’- (N-苯基-N-p-氯苯氨)斗聯苯〕-m-甲苯胺(风1«^-〔4’-C N-phenyl-N-p-chlorophenylamino ) -4-biphenylyl ] -m-toluidine ) ' N,N-二〔4’- (N-苯基-N-m-氯苯氨)-4-聯笨〕-m-曱苯胺(N,N-bis-〔4’- ( N-phenyl-N-m-chlorophenylamino ) -4-biphenylyl ] -m-toluidine )、N,N·二〔4,- (N-苯基-N-m-氯苯氨)-4-聯苯〕-p-曱苯胺(Ν,Ν-bis-〔 4’- ( N-phenyl-N-m-chlorophenylamino ) -4-biphenylyl〕-p-toluidine )、N,N-二〔4,- ( N·苯基-N-m-甲基氨基) -4-聯苯〕-p-氯苯胺(N,N-bis-〔4’- (N-phenyl-N-m-tolylamino) -4-biphenylyl〕-p-chloroaniline)、Ν,Ν·二〔4,- (N-苯基-N-p-曱基 氨基)-4-聯苯〕·ηι-氯苯胺(N,N-bis-〔 4’-(N-phenyl-N-p-tolylamino) -4-biphenylyl〕-m-chloroaniline)、N,N-二〔4’- (N-苯基-N-m-曱基 39 1330193 截基)-4·聯苯〕-1-氨基萘(N,N-bis-〔 4,- ( N-phenyl-N-m-tolylamino ) -4-biphenylyl〕-1-aminonaphthalene)及上述物質的混合物等,還 包含 4,4’_二(9-°弄唑基)-1,Γ-聯苯(4,4,-bis (9-carbazolyl) -l,l’-biphenyl)化合物,如 4,4,-二(9-噚唑基)-1,Γ-聯苯(4,4,-bis (9-carbazolyl) -l,l’-biphenyl)和 4,4’-二(3-甲基-9-°弄唑基)-1,1,-聯苯(4,4’-bis (3-methyl-9-carbazolyl) -Ι,Γ-biphenyl)等,但不僅 限於此。 一種可用於發光區域的特殊的空穴傳輸材料係為吲哚噚唑 (indolo-carabazole )’如美國第5,942,340號專利和美國第 5,952,115號專利中的揭露,此處均為全文引用,如萘基 〔3,2-b〕carbazole)和 2,8-二曱基-5,11-二-萘基_5,11-吲哚滿〔3,2-b〕 。弄唑(2,8-dimethyl-5,ll-di_napMiyl-5,ll-dihydroindolo〔3,2-b〕 carbazole ) ; N,N,N’,N’-四芳基聯苯胺 (N,N,N’,N’-tetraaiylbenzidine) ’ 其中芳基可從笨基(phenyl)、 m_曱苯基(m-tolyl )、p-曱苯基(p_t〇iyl )、m•曱氧基笨 (m-methoxyphenyl)、p-曱氧基苯(p_methoxyphenyl)、μ蔡基 (l-naphthyl)、2-萘基(2-naphthyl)等中選擇。Ν,Ν,Ν,,Ν,_四芳基 聯苯胺(N,N,N’,N’-tetraarylbenzidine)的實施例可為 ΝΝ_二_丨_萘 基 ·Ν,Ν’- 聯 苯 -1,Γ- 聯 苯 ·4,4,· 二 胺 (N,N-di-l-naphthyl-N,N^diphenyl-l,!5-biphenyl-4,45-diamine ) > 1330193 N,N’-二(3-曱基本基)-N,N’-聯苯-1,1’-聯笨_4,4’-二胺(N,N,-bis C 3-methylphenyl ) -N,N^-diphenyl-^r-biphenyM,) ' N,N’-二(3-甲乳基本)-N,N’-聯苯-1,Γ-聯笨_4,4’_二胺(N,N,_bis (3-methoxyphenyl ) -N,N,-diphenyl-l,r-biphenyl-4,4,-diamine ) 等。可用於發光區域的適合的空穴傳輸材料為萘取代對二氨基聯 苯(benzidine)之衍生物。 發光區域還可包含具有電子傳輸特性的一種或多種材料。可 用於發光區域的電子傳輸材料為聚苟(P〇lyf[u〇rene),如聚(9 9_ 一辛基芴-2,7-爾基)(p〇ly ( 9,9-di-n-octylfluorene-2,7-diyl))、聚 (2,8- ( 6,7,12,12-四烷基茚酚芴))(p〇ly ( 2,8_ (6,7,l2,l2-tetraaIkylindenofluorene))以及包含芴的共聚物,如, 芴胺(fluorene-amine)共聚物’可參見名為〃 spiE有機發光材料 和裝置會議nr的刊物中第3797卷第129頁由Bemius等人1999 年7月在美國科羅拉多州丹佛市發表的々電致發光聚合體材料及 裝置的發展進步,,。 其他可用於發光區域的電子傳輸材料可從金屬〇xin〇id化合 物、二娜金屬甜合物、三嗪化合物和均二苯代乙烯化合物,上 述物質已經在上文詳細描述過。 實施例中,除有機電致發光材料外,發光區域包含一種或多 種空孔傳輸婦與-種或多種電子傳輸材料,且有機電致發光材 料 '空孔雜獅及電子傳輸倾可於分觸种形成,如美國 41 1330193 第4,539,507號專利、美國第4,720,432號專利和美國第4,769,292 號專利中揭路的有機發光裝置;或在同一層中形成兩種或更多材 料的混合區帶’如美國第6,13〇,〇〇1號專利、美國第6,392,339號 專利、美國第6,392,250號專利和美國第6,614,175號專利中揭露 的有機發光裝置。上述專利和專利申請中的揭露此處均為全文引 用。 此外’發光區域包含有如美國第6,841,932號專利以及申請序 號為第10/401,238號、公開號為第2003/0234609號的美國專利申 請所揭露之金屬有機混合層。 發光區域的厚度可從約lnm至lOOOmn之間變化;在一實施 例中’發光區域的厚度約在2〇nm至200nm之間;在另一實施例 中’約在50mn至150mn之間。 以下將結合下述實施例進一步描述和解釋依照本發明之包含 〶極之顯示裝置。下述實施例僅用於描述本發明,不對本發明作 任何限制。 表 1 中的實施例 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12' 13、14、15、16概述有機發光裝置。所有裝置的製造均在真空狀 越下(5χ1(Γ6托(Torr))進行物理氣相沉積。表1說明了用於各 自有機發光裝置的陽極結構。裝置之發光區域包含兩層:i)具有 空孔傳輪區帶功能的600埃的溴丙烷(NPB)層,以及ϋ)具有發 光和電子傳輪雙重功能的750埃的8-羥基喹琳鋁層(ALQ3)層, 42 1330193 而陰極係由鎂:鋁形成。溴丙烷(NPB)、8-羥基喹琳鋁層(ALQ3) 和陰極層依次沉積在陽極層。在實施例1、2、3、4、5中,陽極 具有包含金屬有機混合層和沉積覆蓋於金屬有機混合層上之緩衝 層結構,其中緩衝層係由電子吸收材料組成之單一層。在實施例 6、7、8中,陽極包含有一金屬有機混合層和設置於金屬有機混合 層上之單一層緩衝層,且緩衝層結構包含有一電子吸收材料以及 一空孔傳輸材料。在實施例9、10、11中,陽極包含有一金屬有 機混合層’以及設置於金屬有機混合層上之多層緩衝結構。電子 吸收材料用於多層緩衝結構之一層或兩層。在實施例12中,陽極 包含含有金屬有機混合層以及電子吸收材料混合物之單一層,如 沒有任何附加之緩衝層。實施例13、14、15、16係使用習知技術 之陽極材料(如氧化銦錫)與包含有金屬有機混合層或沒有任何 電子吸收材料之金屬有機混合層/缓衝結構進行比較之實施例。 表1表示在25mA/cm2時有機發光裝置之驅動電壓,以及表示 與習知之陽極她下,本發衝揭露之馳麟提供適合之空孔 注入特性。 43 1330193 實施例 陽極結構 1 AIQ3(90%)+Aq(10%)(15〇A)/F4-TCNQ(5〇A) 2 AIQ3(90%)+Ag(10°/〇)(500A)/F4-TCNQ(50A) 3 AIQ3(80°/〇)+Ag(20%)(1000A)/F4-TCNQ(50A) 4 AIQ3(80%)+Ag(20%)(2000A)/F4-TCNQ(50A) —5 AIQ3(80%)+Ag(20%)(500A)/F4*TCNQ(50A) 6 AIQ3(80%)+Ag(20%)(500A)/NPB +2% F4-TCNQ(20〇A) ^_7 AIQ3(80%)+Ag(20%)(50〇A)/NPB +10% F4-TCNQ(20〇A) 8 AIQ3(80%)+Ag(20%)(500A)/CuPc +2% F4-TCNQ(15〇A) 9 AIQ3{80%)+Ag(20o/〇)(500A)/F4-TCNQ(50A)/CuPc(150A) __10 AIQ3(80%)+Ag(20%)(50〇A)/F4-TCNQ(50A)/NPB+2% F4-TCNQ(15〇A) 11 AIQ3(80%)+Ag(20%)(50〇A)/CuPc+2%F4-tCNQ(150A)/NPB+2°/〇F4-TCIvJQ(2〇〇A) 12 AIQ3(70%)+Ag(10%)+F4-TCNQ(20%) (300A) • 13 ITO(IOOOA) 14 AlQ3(80%)+Ag(20%)(50〇A) / CuPc (15〇A) 15 A)Q3(80%)+Ag(20%)(500A) / mTDATA (150A) 16 AIQ3(80%)+Ag(20%)(500A) ---
實施例17、18、19、20、21係採用關於實施例1、2、3、4
5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16 中所描述的同樣方 式並且包含在表2中描述之陽極結構。實施例18、19、20、21包 含本發明所揭露之陽極結構,以及實施例17係與包含有習用之氧 化姻錫陽極之對比實施例。在相應成分後的括號内給出金屬有機 混合層之成分濃度並且括號内的數值關於層厚度以埃表示。如表2 所不,不同光學特性由完全透明(以大的陽光/肉眼整體反射比 (SEIR)值表示)至光線吸收或暗的(以小的陽光/肉眼整體反 射比值表示)。 44 1330193 表2 陽極結構
貫施例 ΠΌ 17 AIQ3(90%)+Ag(10%)(15〇A)/F4-TCNQ(5〇A) AIQ3(90%)+A9(10%)(500A)/F4-TCNQ(50A) 20 AIQ3(80%)+Ag(20%)(100DA)/F4-TCNQ(50A) A)Q3(e〇%)-fAg(20%)(2Q〇〇A)/F4-TCNQ(5〇Ar 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上,然其並非用以盱 定本發明,任何熟習相像技藝者’在不麟本發明之精神和範圍 内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之專利保護範圍須巳視 本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 、 【圖式簡單說明】 第1 第2 表1 表;以及 圖所示為本發明第-實施例之顯示裝置之剖示圖; 圖所示為本發明之另—實施例,示裝置之剖示圖. 所示為本㈣之各實補獨赌構舳鱗壓之關係
表2所示為本發明之各實 整體反射率之關係表。 施例之陽極結構麵光/肉眼加
【主要元件符號說明】 10 有機發光裝置 12 陽極 14 發光區域 16 陰極 20 有機發光裝置 45 1330193 22 陽極 24 金屬有機混合層 25 缓衝層或區域 26 發光區域 28 陰極
46

Claims (1)

  1. y:朽年今月)玉木-土一、·.皁謗專封繞g~:--------- L —種有機發光裝置,其包含有: 一陽極; 一陰極;以及 一發先區域,係設置於該陽極與該陰極之間,且該發光區 域具有一有機電致發光材料; 其中該陽極包含有一金屬有機混合層,且該金屬有機混合
    層具有一金屬材料及一有機材料,而該金屬有機混合層係與一 電子吸收材料相互結合, 其中該陽極包含有-第一層,且該第一層包含該金屬有機 混合層及一相鄰於該第一層之第二層,而該第二層包含該電子 吸收材料以及選擇性地包含一空孔傳輸材料。
    2.如申明專利範圍第!項所述之有機發光裝置,其中該電子吸收 材料係為氯化鐵(FeCl3)、氯化紹(Alcl3)、氯化銦(InCl3)、 氯化鎵(GaCl3 )、氯化銻(SbCl5 )、三硝基芴_ (trimtrofluorenone)、2,3,5,6-四氟_7;7,8,8-四氰基對苯職二甲燒 (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethone )或其化 合物。 3.如申請專利制第1項所叙有機發光裝置,其巾該陽極更包 含有該金屬有機混合層與該電子吸收材料之一混合物。 4·如申專利乾圍第丨項所述之有機發光裝置,其中該空孔傳輸 材料係為N,队二笨基-N,N,_(1_萘基)_N,N,_笨基聯笨胺(N,N,_d】 47 1330193 (naphthalene-l-yl) -N,N’-diphenyl-benzidine,NPB )、4,4’,4’’-. 三-(N,N-二苯胺)三笨胺(4,4’,4”-tris (Ν,Ν-diphenylamino) triphenylamine) (mTDATA )、2,5-二-叔丁基苯-N,N,-聯苯-N,N,· ’ 對 (3-曱基笨基)-1,Γ-聯苯-4,4’-二胺 ( 2,5-di-tert-butylphenyl-N,N’-diphenyl-N,N’bis (3-methylphenyl- ( 1,l’-biphenyl) -4,4’-diamine) (BP-TPD)、 N,N’-聯苯-N,N’-對(3)曱基笨基-(Ι,Γ-聯苯)-4,4’-二胺 (N,N’-diphenyl-N,N’-bis (3) methylphenyl- (1,1’-biphenyl)秦 _4,4’-diamine )(TPD)' 銅駄菁(copper phthalocyanine)( CuPc )、 氧鈒基g太菁(vanadyl phthalocyanine) (VOPc)、聚(3,4-亞乙 二氧基n塞吩)poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)、聚 苯胺(PAni)或其化合物。 5.如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中該金屬材料 包含有一金屬,且該金屬係為链(Li)、納(Na)、钟(K)、I如 (处)、铯(〇8)、鈹(36)、鎂(]^)、鈣(€3)、锶(81·)、· 鋇(Ba)、銃(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈦(Ti)、錯(Zr)、 給(Hf)、釩(V)、鈮(Nb) ' 钽(Ta)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、 鎢(W)、錳(Μη)、鍀(Tc)、鐵(Fe)、釕(Ru)、餓(Os)、 鈷(Co)、鍺(Rh)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、 銅(Οι)、銀(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、硼(B)、 鋁(A1)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、 48 1330193 絲(Bi)、i® (Se)、蹄(Te)、姑 、 飾(Ce)、斂⑽)、釤( 和銪(Eu)或其化合物。 6. 如申請專利範圍第3項所述之有機私 ,嗎兔先裝置,其中該金屬有機 混合層佔該陽極體積之5%至95% , Β π /6且该電子吸收材料佔該 極體積95% — 5%。 7. 如申請專利範圍第!項所述之有機發光裝置,其中該陽極之厚 度為 100 至 5,〇〇〇 埃(angstr〇ms)。
    8·如申請翻範圍第!項所述之有機發縫置,其中該陽極侍光 吸收材料,並且麵該金屬有機混合層以使該裝置降低至少3〇 %之光線反射。 9. 如申請專利範圍第丨項所述之有機發絲置,其中該陽極係為 兀王透明’亚且選擇該金屬有機混合層以使該陽極在可見光譜區 之能見度至少為50%。
    10. ^申凊專她圍第i項所述之有機發光裝置,其中該陽極係為 射並且選擇s玄金屬有機混合層以使該陽極在可見光譜 區之反射率至少為50%。 U·—種有機發光裝置,其包含有·· 一陽極; 一陰極;以及 一發光區域,係設置於該陽極與該陰極之間,且該發光區 域具有-有機電致發光枯料; 49 其中該陽極包含有-金屬有機混合層與一緩衝層,該金屬 有機混合層具有-金屬材料及—有機材料,且該混合層具有一 電子吸收材料。 p 12.如申請專利翻第η項所述之有機發光裝置,其中該電子吸 枚材料係為氣化鐵(FeCl3)、氣化銘(Alcl3)、氣化銦(InCl3)、. 氣化鎵(Gael;)、氯化銻(Sbci5 )、三硝基苟酮’ (tnmtr〇fluorenone)、2,3,5,6_四氟_7,7,8,8•四氰基對勒昆二甲烷 (2’3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethone )或其化春 合物。 如申明專利範圍第11項所述之有機發光裳置,其中該緩衝層 之厚度係為10 — 500埃(angstroms )。 14‘如申請專利範圍第11項所述之有機發光裝置,其中該緩衝層 更包含有一空孔傳輸材料。 15.如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置,其中該空孔傳 輪材料係為Ν,Ν'-二苯基-N,N,-(1 -萘基)-N,N,-苯基聯苯胺· (N,N’-di ( naphthalene,1-yl )-N,N’-diphenyl-benzidine )( NPB )、 4,4’,4”-三· ( N,N-二苯胺)三苯胺(4,4,,4,,-tns (N,N-diphenylamino)triphenylamine)(mTDATA)、2,5-:4x 丁基苯-N,N’-聯苯-N,N’-對(3-甲基苯基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺 ( 2,5-di-tert-butylphenyl-N>N,-diphenyl-N,N,bis (3-methylphenyl- (Ι,Γ-biphenyl) -4,4’-diamine) (BP-TPD)、 50 1330193 N,N’-聯笨-Ν,Ν’-對(3)甲基苯基-(Ι,Γ-聯笨)-4,4’-二胺 (NjN^diphenyJ-NjN^bis (3) methylpheny]- ( Ι,Γ-biphenyl ) -4,4’-diamine )( TPD )、銅駄菁(copper phthalocyanine )( CuPc )、 氧鈒基駄菁〇&皿(^1-?11出&1〇〇)^1^1^)(\^〇?(:)、聚(3,4-亞乙 二氧基°塞吩)poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)、聚 笨胺(PAni)或其化合物。
    16.如申請專利範圍第15項所述之有機發光裝置,其中該電子吸 收材料佔該緩衝層體積之1% —99%,以及該空孔傳輸材料佔 該緩衝層體積之99% — 1%。 17·如申請專利範圍第16項所述之有機發光裝置,其中該電子吸 收材料佔該緩衝層體積之5%一5〇% ’以及該空孔傳輸材料佔 該緩衝層體積之95%一5〇%。 18 士η由上
    •清專觸_ 11項所述之錢發絲置,其巾該緩衝層 包含有該電子吸收材料。 曰 19’如申請專利範圍第η項所述之有機發光裝置,其中該緩衝層 域懒㈣收^ 二It::广至項所_機發光裝置,其中該複數個 如申請專利笳囹 予反 讀 弟1項所述之有機發光裝置,1中至少 从個緩_財該電子錄材料。 ,、中L 51 1330193 22. 如申請專利範圍第u項所述之有機發光裝置,其中選擇該金4 屬有機混合層以使該裝置降低至少30%之光線反射。 23. 如申請專利範圍第u項所述之有機發光裴置,其中該陽極係^ 為完全透明,並且選擇該金屬有機混合層以使該陽極在可見光 譜區之能見度至少為50%。 24. 如申請專利範圍第η項所述之有機發光裝置,其中該陽極係 為完全反射,並且選擇該金屬有機混合層以使該陽極在可見光 譜區之反射率至少為50%。 Α 25. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置,其中各該緩衝 層分別包含佔其體積1% — 100%之一電子傳輸材料,以及佔其 體積0% — 99%之該空孔傳輸材料。 况-種顯示裝置,包含有如申請專利範圍第i項所述之該有機發 光裝置。 種顯示裝置’包含有如申請專利範圍第U項所述之該有機 發光裝置。 _ 28· —種有機發光裝置,其包含有: —陽極; 一陰極;以及 一發光區域,係设置於該陽極與該陰極之間; 其中該陽極包含有-金屬有機混合層,且該金屬有機混合 層係與一電子吸收材料相互結合, 52 1330193 其中該電子吸收材料係為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對苯 醌二曱烷。
    53
TW095117550A 2005-05-20 2006-05-17 Display device with metal-organic mixed layer anodes TWI330193B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/133,977 US7943244B2 (en) 2005-05-20 2005-05-20 Display device with metal-organic mixed layer anodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200643146A TW200643146A (en) 2006-12-16
TWI330193B true TWI330193B (en) 2010-09-11

Family

ID=36660537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095117550A TWI330193B (en) 2005-05-20 2006-05-17 Display device with metal-organic mixed layer anodes

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7943244B2 (zh)
JP (1) JP5351375B2 (zh)
KR (1) KR101323537B1 (zh)
CN (1) CN1866572B (zh)
DE (2) DE102006023508B4 (zh)
FR (1) FR2886058B1 (zh)
GB (1) GB2426379B (zh)
TW (1) TWI330193B (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
WO2006109878A1 (en) 2005-04-11 2006-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and vapor deposition apparatus
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US20060265278A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Napster Llc System and method for censoring randomly generated character strings
US7943244B2 (en) 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7795806B2 (en) 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7728517B2 (en) 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
JP4835467B2 (ja) * 2007-02-28 2011-12-14 住友化学株式会社 有機発光素子およびその製造方法
US20090267891A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Bamidele Ali Virtual paper
CN102273320B (zh) 2008-11-13 2014-12-03 株式会社Lg化学 低电压驱动的有机发光器件及其制造方法
KR20120004193A (ko) * 2010-07-06 2012-01-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
CN102810638B (zh) * 2011-05-30 2016-04-13 海洋王照明科技股份有限公司 一种p型掺杂聚合物太阳能电池及其制备方法
KR101846410B1 (ko) * 2011-07-29 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6168410B2 (ja) * 2012-04-27 2017-07-26 株式会社Joled 有機el素子、およびそれを備える有機elパネル、有機el発光装置、有機el表示装置
DE102013215342B4 (de) * 2013-08-05 2023-05-04 Novaled Gmbh Verfahren zur Herstellung organisch phosphoreszenter Schichten unter Zusatz schwerer Hauptgruppenmetallkomplexe, damit hergestellte Schicht, deren Verwendung und organisches Halbleiterbauelement diese umfassend
DE102014210676A1 (de) 2014-06-05 2015-12-17 Siemens Aktiengesellschaft Sequentielle Funktionalisierung phosphoreszenter Emitterschichten
CN105006526B (zh) * 2015-06-11 2017-03-15 陕西科技大学 一种oled合金阴极及其制备方法
KR102608417B1 (ko) * 2016-08-19 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
CN106684113A (zh) * 2016-12-27 2017-05-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、装置及其制作方法

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2823905A (en) 1954-12-13 1958-02-18 Tillotson Mfg Co Charge forming and fuel feeding apparatus
US3172862A (en) 1960-09-29 1965-03-09 Dow Chemical Co Organic electroluminescent phosphors
US3598644A (en) 1964-10-12 1971-08-10 Xerox Corp Imaging member fabrication
CA942828A (en) 1968-08-26 1974-02-26 James E. Adams Method for producing images by flash exposure
US4287449A (en) 1978-02-03 1981-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-absorption film for rear electrodes of electroluminescent display panel
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4652794A (en) 1982-12-10 1987-03-24 National Research Development Corporation Electroluminescent device having a resistive backing layer
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4665115A (en) 1984-08-22 1987-05-12 Exxon Research And Engineering Company Method for controlling viscosity of organic liquids and compositions
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
CA1302547C (en) 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP2815472B2 (ja) 1990-01-22 1998-10-27 パイオニア株式会社 電界発光素子
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5141671A (en) 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
US5150006A (en) 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
JP2974835B2 (ja) 1991-09-12 1999-11-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5429884A (en) 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
EP0569827A2 (en) 1992-05-11 1993-11-18 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescence device
JP3300069B2 (ja) 1992-11-19 2002-07-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 2002-10-07 三洋電機株式会社 有機el素子
US5409783A (en) 1994-02-24 1995-04-25 Eastman Kodak Company Red-emitting organic electroluminescent device
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5608287A (en) 1995-02-23 1997-03-04 Eastman Kodak Company Conductive electron injector for light-emitting diodes
JP3529543B2 (ja) 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
KR100332186B1 (ko) 1995-11-28 2002-05-09 포만 제프리 엘 유기전자발광소자를향상시키기위하여사용된유기/무기합금
JP4477150B2 (ja) 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜el素子
US5776622A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5728801A (en) 1996-08-13 1998-03-17 The Dow Chemical Company Poly (arylamines) and films thereof
DE19638770A1 (de) 1996-09-21 1998-03-26 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex
JP2762993B2 (ja) 1996-11-19 1998-06-11 日本電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5846666A (en) 1997-02-27 1998-12-08 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US6235414B1 (en) 1997-03-11 2001-05-22 The Ohio State University Research Foundation Color variable bipolar/AC light-emitting devices
US5925472A (en) 1997-03-31 1999-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US5935720A (en) 1997-04-07 1999-08-10 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent devices
US5925980A (en) 1997-05-01 1999-07-20 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with graded region
US6130001A (en) 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
US5853905A (en) 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
US5942340A (en) 1997-10-02 1999-08-24 Xerox Corporation Indolocarbazole electroluminescent devices
US5952115A (en) 1997-10-02 1999-09-14 Xerox Corporation Electroluminescent devices
EP0933058A1 (en) 1998-01-30 1999-08-04 STMicroelectronics S.r.l. Intelligent suction device capable of automatically adapting the suction force according to the conditions of the surface, particularly for vacuum cleaners and the like
JPH11251067A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5972247A (en) 1998-03-20 1999-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices
US5935721A (en) 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
GB2336839A (en) 1998-04-30 1999-11-03 Sharp Kk Triazine Compounds And Their Use In Electrolumiescent, Electronic and Liquid Crystal Devices
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置
US6140763A (en) 1998-07-28 2000-10-31 Eastman Kodak Company Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure
US6137223A (en) 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
KR100625919B1 (ko) 1998-08-05 2006-09-20 닛본 이따 가라스 가부시끼가이샤 반사 방지 착색막 코팅 유리 및 플라스마 디스플레이 패널용 광학 필터
US6057048A (en) 1998-10-01 2000-05-02 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6229012B1 (en) 1998-10-01 2001-05-08 Xerox Corporation Triazine compositions
US6274980B1 (en) 1998-11-16 2001-08-14 The Trustees Of Princeton University Single-color stacked organic light emitting device
US6465115B2 (en) 1998-12-09 2002-10-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer
US6469955B1 (en) * 2000-11-21 2002-10-22 Integrated Memory Technologies, Inc. Integrated circuit memory device having interleaved read and program capabilities and methods of operating same
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6303250B1 (en) 1999-04-09 2001-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Secondary battery including an electrolytic solution with an organic additive
CA2277654A1 (en) 1999-07-19 2001-01-19 Luxell Technologies Inc. Electroluminescent display packaging and method therefor
US6392339B1 (en) 1999-07-20 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices including mixed region
US6411019B1 (en) 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
KR100790663B1 (ko) 1999-09-21 2008-01-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자발광 소자 및 유기 발광 매체
US6225467B1 (en) 2000-01-21 2001-05-01 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6821643B1 (en) 2000-01-21 2004-11-23 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6639357B1 (en) 2000-02-28 2003-10-28 The Trustees Of Princeton University High efficiency transparent organic light emitting devices
US6429451B1 (en) 2000-05-24 2002-08-06 Eastman Kodak Company Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
JP4788852B2 (ja) 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
JP2002055203A (ja) 2000-08-11 2002-02-20 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性反射防止フイルム及びそれを用いた表示装置
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6765348B2 (en) 2001-01-26 2004-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices containing thermal protective layers
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6479172B2 (en) 2001-01-26 2002-11-12 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US7288887B2 (en) 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
US6841932B2 (en) 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
US6565996B2 (en) 2001-06-06 2003-05-20 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer
JP4611578B2 (ja) 2001-07-26 2011-01-12 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6727644B2 (en) 2001-08-06 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer
US6750609B2 (en) 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
JP5223163B2 (ja) 2001-09-07 2013-06-26 東レ株式会社 発光素子
US6956240B2 (en) 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6753098B2 (en) 2001-11-08 2004-06-22 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6740429B2 (en) 2001-11-08 2004-05-25 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6737177B2 (en) 2001-11-08 2004-05-18 Xerox Corporation Red organic light emitting devices
US6773830B2 (en) 2001-11-08 2004-08-10 Xerox Corporation Green organic light emitting devices
US6759146B2 (en) 2001-11-08 2004-07-06 Xerox Corporation Organic devices
SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
US6872472B2 (en) 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
TW564657B (en) 2002-06-12 2003-12-01 Ritdisplay Corp Organic light-emitting diode display device
US20030230980A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
US7291430B2 (en) 2002-07-02 2007-11-06 Xerox Corporation Imaging members
US7169482B2 (en) 2002-07-26 2007-01-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Display device with anthracene and triazine derivatives
US6734625B2 (en) 2002-07-30 2004-05-11 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
JP4368638B2 (ja) 2002-08-09 2009-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4515735B2 (ja) 2002-09-24 2010-08-04 大日本印刷株式会社 表示素子およびその製造方法
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
DE60326633D1 (de) 2002-11-26 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Phosphoreszenzverbindung und diese enthaltendes elektrolumineszenzelement
CN1742518B (zh) 2003-01-29 2010-09-29 株式会社半导体能源研究所 发光装置
CA2425797C (en) 2003-04-17 2013-10-15 Xerox Corporation Organic light emitting devices
KR101030718B1 (ko) 2003-04-18 2011-04-26 후지필름 가부시키가이샤 표시장치용 차광막
JP4401101B2 (ja) 2003-04-18 2010-01-20 富士フイルム株式会社 ブラックマトリックス作製用着色組成物及び感光性転写材料、ブラックマトリックス及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びにブラックマトリックス基板
US6936961B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers
US6903378B2 (en) 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
JP4396163B2 (ja) 2003-07-08 2010-01-13 株式会社デンソー 有機el素子
US6840070B1 (en) * 2003-07-15 2005-01-11 Taiwan Fu Hsing Industrial Co., Ltd. Door lock
JP4776898B2 (ja) 2003-08-01 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 車両
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
JP4148066B2 (ja) 2003-08-27 2008-09-10 日本ゼオン株式会社 重合トナーの製造方法
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US6881502B2 (en) 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
KR20050039674A (ko) 2003-10-24 2005-04-29 펜탁스 가부시키가이샤 백색 유기 전자 발광 소자
KR100670543B1 (ko) 2003-12-29 2007-01-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
US7211948B2 (en) 2004-01-13 2007-05-01 Eastman Kodak Company Using a crystallization-inhibitor in organic electroluminescent devices
US9085729B2 (en) 2004-02-09 2015-07-21 Lg Display Co., Ltd. Blue emitters for use in organic electroluminescence devices
JP5167571B2 (ja) 2004-02-18 2013-03-21 ソニー株式会社 表示素子
US7629695B2 (en) 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
JP4785386B2 (ja) 2005-01-31 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
US7449831B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
KR101207443B1 (ko) 2004-09-24 2012-12-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
US7750560B2 (en) 2004-10-01 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting-element
US20060105202A1 (en) 2004-11-17 2006-05-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7351999B2 (en) 2004-12-16 2008-04-01 Au Optronics Corporation Organic light-emitting device with improved layer structure
KR101106558B1 (ko) 2004-12-28 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 블랙매트릭스와 이를 포함하는 액정표시장치
US20060194076A1 (en) 2005-02-28 2006-08-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7777407B2 (en) 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US20060265278A1 (en) 2005-05-18 2006-11-23 Napster Llc System and method for censoring randomly generated character strings
US7728517B2 (en) 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7795806B2 (en) 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7750561B2 (en) 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7943244B2 (en) 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes

Also Published As

Publication number Publication date
TW200643146A (en) 2006-12-16
DE102006023508B4 (de) 2016-09-15
US20060263628A1 (en) 2006-11-23
DE102006063007B3 (de) 2017-08-10
FR2886058A1 (fr) 2006-11-24
GB0610043D0 (en) 2006-06-28
KR20060120504A (ko) 2006-11-27
US7943244B2 (en) 2011-05-17
JP2006332047A (ja) 2006-12-07
KR101323537B1 (ko) 2013-10-30
CN1866572A (zh) 2006-11-22
GB2426379B (en) 2007-09-19
DE102006023508A1 (de) 2007-01-04
FR2886058B1 (fr) 2016-11-04
JP5351375B2 (ja) 2013-11-27
GB2426379A (en) 2006-11-22
CN1866572B (zh) 2011-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI330193B (en) Display device with metal-organic mixed layer anodes
CA2546951C (en) Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (moml)
US6841932B2 (en) Display devices with organic-metal mixed layer
JP4711424B2 (ja) 積層型oled用中間電極
TWI322641B (en) Organic light emitting devices
US7288887B2 (en) Devices with multiple organic-metal mixed layers
TWI345428B (en) Stacked oled structure
EP1624504B1 (en) OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
JP5389313B2 (ja) 有機発光素子
TWI299586B (en) Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
TW200947774A (en) Light-emitting element, display device, and electronic appliance
JP2000048966A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子