TWI326892B - Dilution method for liquid material used for forming an alignment film, manufacturing method for liquid-crystal device, and electronic equipment - Google Patents

Description

1*526892 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係、關於使用⑤西己向膜形成之液體材肖的稀釋方 法’液晶裝置之製造方法及電子機器。 【先前技術】 用作顯示器以及顯示光源等之電氣光學裝置係眾所皆 知。電氣光學裝置的製造工程係包含於作為基體之物體(例 φ 如基板）上配置材料的工程。由於材料的配置技術與品質以 及機能密切相關，故在提升上述各裝置之性能上，為極重 要的層面。在物體上配置材料的技術，有藉由社於喷出頭 之喷嘴將液體材料以液滴形態喷出的方法（液滴喷出法、噴 墨法）。此液滴噴出法與旋塗法等其他一般的塗布技術相 比，具有液體材料的無謂消耗較少，容易控制配置於物體 上的液體材料之量以及位置的優點。 在特開2001-42330號公報中，揭示了在電氣光學裝置之 書一的液晶裝置之製造過程中，將含有配向膜之形成材料的 液體，使用液滴喷出法配置於基板的技術。 此技術中使用了添加Buthyl Cellosolve等醇類溶劑之液 體材料。添加Buthyl Cell〇s〇Ive等醇類溶劑之液體材料，容 易析出白濁以及固體成分。此種白濁以及固體成分的析 出’係噴出頭的喷嘴阻塞的原因。 【發明内容】 本發明之目的係提供適於液滴噴出法之液體材料的稀釋 方法。 109015.doc 1326892 本發明之配向膜形成所用的液體材料之稀釋方法，係於 上述液體材料中，添加具有特定溶解參數之稀釋液，藉以 稀釋上述液體材料，上述稀釋液係使用與上述液體材料具 有大致相同溶解參數之溶劑。 根據本發明，藉由使用與液體材料之溶解參數有大致相 同之溶解參數的溶劑作為稀釋液，可p方止白心及固體成 分之析出。其結果，可防止液滴喷出法中喷出頭的阻塞所 • 導致的喷出不良。另外，由於防止固體成分的析出，可容 易管理液體材料的固體成分濃度。 本發明之配向膜形成所用的液體材料之稀釋方法，理想 的是令上述液體材料之溶解參數為σί，令上述溶劑之溶解 參數為OS時，其比〇s/ai為0.8以上未達1.2者。 本發明之配向膜形成所用的液體材料之稀釋方法，理抨 的是上述比（jS/(ji為〇_9以上未達1〖者。 本發明之配向膜形成所用的液體材料之稀釋方法，理想 •的是上述液體材料係含有複數種類之溶劑，上述稀釋液係 在上述液體材料所含的上述複數種類之溶劑中，具有最接 近上述液體材料之溶解參數的溶劑者。 本發明之配向膜形成所用的液體材料之稀釋方法，理饵 的是上述稀釋液係具有與上述液體材料大致相同之溶解2 數’同時為上述液體材料中未含有之溶劑者。 ^ 本發明的液晶裝置製造方法，係將使用上述之稀釋方法 所稀釋的液體材料，使用液滴噴出法配置於基板上。 藉此’可製造高品質的液晶裝置。 109015.doc 1326892 本發明的電子機器 晶裝置者。 ，係具備以上述製造方法所製造之液 根據此電子機器’可提升品質。 【實施方式】 以下將說明本發明》 (配向膜形成所使用之液體材料的稀釋方法）

本發明的液體材料之稀釋方法中， 解參數具有同程度之溶解參數的溶劑 使用與液體材料的溶 ，作為稀釋液。 六吁洛赞熟、V : 分子容積（Imol所占的體積）、X:莫耳分率，時，溶解參數 在此’令e:分子的凝集密度能量 σ可以下式（1)表不。另外，混合溶劑之溶解參數可以 下式（3)表示。

E V …⑵ δ mix = y^XnVn δη y^XnVn …⑶ 在此，使用具有接近液體材料的溶解參數之溶解參數的 溶劑作為稀釋液，藉此，可防止白濁及固體成分的析出。 稀釋液可為其液體材料中所含的溶劑’亦可為其液體材 料中未含有的溶劑。 109015.doc v液體材料的溶解參數為…、溶劑的溶解參數為w時， /、bos/σι理心的疋為Q 8以上未達！ 2，更理想的是〇 9以上 未達1.1 as/cn為未達〇 _ 2以上時，在液體材料中添加 溶劑時容易有白濁以及固體成分的析出，故並不理想。另 外os/cn為0.9以上未達u時，可更確冑地防止在液體材料 中添加溶劑時的白濁以及固體成分的析出。 液體材料的代表例

有其含有聚亞醯胺（PI)為主固體成 刀以及合有7 -丁内酯及Buthyl Cell〇s〇Ive為溶劑者。溶 γ-丁内酿· 〇 4、Buthyl Cellosolve: 解參數為，液體材料：〇 39、 0.3。 γ 丁内s日係具有令固體成& (聚亞酿胺）溶解的機能。 Buthyl Cellosolve係具有控制液體材料的表面張力之機能。 在此液體材料中添加γ_丁内酯時的結果示於以下表丨，添 加Buthyl Cell〇s〇Ive時的結果示於以下表2(處理温度：m、 添加率為重量°/〇)。 另外，令原本的液體材料之黏度為46 mpa s、原本的液 體材料之固體成分濃度(重量％)為4 wt%、原本的液體材料 之γ-丁内醋的成》濃度(重量％)A80wt%'原本的液體材料 之Buthyl Cellosolve的成分濃度（重量％)為胸⑼、溶劑剩餘 I0wt%為其他成分。 (表1) γ-丁内酯 I09015.doc 1326892 添加率(％) 溶劑中添加液體材料時的變化 2 未析出。亦未發生白濁現象。 3 未析出。亦未發生白濁現象。 4 未析出。亦未發生白濁現象。 5 未析出。亦未發生白濁現象。 10 未析出。亦未發生白濁現象。 (表2)

Buthyl Cellosolve 添加率(％) 溶劑中添加液體材料時的變化 2 一 3 未析出。亦未發生白濁現象。 4 未析出。液體上方無沉澱物部分發生白濁現象。 5 析出ΡΙ。攪拌後溶解。 10 析出ΡΙ。攪拌後溶解。 從表1及表2可知，於上述液體材料（σ=0.39)中添加γ-丁内 酯（σ=0.4)時，未發生白濁以及固體成分之析出，相對於此， 添加ButhylCellosoIve(o=0.3)時，隨著添加率的增加，產生 了白濁以及固體成分（聚亞醯胺：PI)的析出。 另外，於上述液體材料（σ=0.3 9)中添加N-N二甲基乙醯胺 (σ=0. 37)時，確認了未發生白濁以及固體成分之析出。 (液滴噴出裝置） 接著將說明液滴噴出法所使用之液滴喷出裝置（喷墨裝 置）。另外，在以下的說明所用的各圖面中，為了令各部件 為可辨識的大小，適切地變更了各部件的比例尺。 藉由使用上述稀釋法，可防止在使用液滴噴出法噴出液 體材料時，因阻塞導致的噴出不良。另外，由於防止固體 成分的析出，使得液體材料的固體成分濃度管理較為容易。 109015.doc 圖1係顯示液滴喷出裝置之概略構成的立體圖。 此液滴噴出裝置ij，係從液滴喷出頭的喷嘴將液體材料 、液’商狀喷出者’其構成係包含：液滴喷出頭3 01、X轴方 向驅動軸304、Y軸方向導引轴3〇5、控制裝置c〇NT、平台 3〇7、清潔機構308、基台309，以及加熱器315等。 平台307，係支撐由此液滴喷出裝置1;配置液體材料之基 板P者，其具備將基板P固定於基準位置的未圖示之固定機 • 構。 液滴噴出頭301係具備複數喷出噴嘴之多噴嘴型液滴喷 出頭，其長邊方向與γ軸方向一致。複數噴出噴嘴係於液 商噴出頭3 01下方沿γ轴方向排列以一定間隔而設置者。由 液滴喷出頭301之喷出喷嘴，對受平台3〇7支撐之基板p，喷 出液體材料。 ' X軸方向驅動軸304上連接了 χ軸方向驅動馬達3〇2。χ軸 方向驅動馬達302係步進馬達等，當由控制裝置c〇NT供給 .X軸方向之驅動訊號’則令χ軸方向驅動轴旋轉。當X朝 方向驅動軸304旋轉，則液滴喷出頭3〇1將沿χ軸方向移動。 Υ軸方向導引軸305，係被固定為對基台309不移動。平台 3〇7係具備Υ軸方向驅動馬達3〇3。丫軸方向驅動馬達3〇3係 步進馬達等，當由控制裝置c〇NT供給γ軸方向驅動訊號， 平台307將向γ軸方向移動。 控制裝置CONT係供給對液滴喷出頭3〇1的液滴吐出控制 用之電C。另外’其係對又轴方向驅動馬達搬供給控制液 滴噴出頭301的X軸方向移動之焉區動脈衝訊號，對γ轴方向 109015.doc 1326892 台307的Y轴方向移動之驅動脈衝 驅動馬達303供給控制平 訊號。 s潔機構308係、清潔液滴嗔出頭3〇1者。清潔機構则 具備未圖示之γ轴方向驅動馬達。藉由此Y軸方向驅動馬達 的驅動’清潔機構沿著γ軸方向導引軸3〇5移動。清潔機構 308的移動亦由控制裝置c〇N1^控制。 加熱器315在此係以”Lamp Anneal對基板p進行熱處理之 籲機構’進行塗布於基板p上之液體材料所含的溶劑之蒸發以 及乾燥》對此加熱器315的電源投入以及遮斷亦由控制裝置 CONT所控制。 液滴喷出裝置IJ，係與支撐液滴喷出頭3〇1及基板p的平 台307相對地掃描移動，同時由液滴喷出頭3〇ι對基板p將液 體材料以液滴狀喷出。液滴噴出頭3〇1的喷出喷嘴，係沿非 掃描方向之Y軸方向以一定間隔排列而設置（χ軸方向：掃描 方向、Υ軸方向：非掃描方向）。此外，在圖^，液滴喷出 鲁頭301係對基板Ρ之進行方向呈直角而配置但亦可調整液 滴噴出頭301的角度，令其對基板ρ之進行方向呈交又。 諸如上述，藉由調整液滴喷出頭3〇1的角度，可調整喷嘴 間的間距。亦令其為可隨意調節基板1>與噴嘴面之距離'。 圖2係係說明愿電方式之液體噴出原理之液滴噴出頭概 略構成圖。 在圖2中，設置了鄰接收容液體材料之液體室32ι的壓電 元件322 »液體材料介著包含收容液體材料的材料槽之液體 材料供給系323,供給至液體室321。壓電元件322係與驅動 I090l5.doc 1326892 2 相連接，介著此驅動電路324對壓電元件施加電 覆’令塵電元件322變形而令液體室321彈性變形。而根據 此每性變形時内容積的變化，由喷嘴325噴出液體材料。此 時’藉由令印加電愿的値變化，可控㈣電元件322之歪斜 量° •另外，藉由令印加電壓的頻率變化，可控制壓電元件322 的歪斜速度。壓電式的液滴噴出，由於不對材料加熱，故 φ 具有不易影響材料組成之優點。 (液晶裝置） 接著，說明使用上述液滴噴出裝置所製造的液晶面板（裝 置）以及具備該液晶面板的液晶裝置（電氣光學裝置）。 圖3圖4以及圖5所不的液晶裝置，係使用將TFT(Thin ilm Transistor)元件作為開關元件的主動矩陣型之穿透型 液晶顯示裝置。圖3係穿透型液晶顯示裝置之呈矩陣狀所配 置的複數像素上之開關元件、訊號線等之等價電路圖。圖4 籲係顯示資料線、掃描線、像素電極等所形成之TFT陣列基板 所相鱗接之複數像素群的構造之重要部分平面圖。圖5係圖 4的A-A，線剖面圖。此外，在圖5中，係圖示了圖示上方為 光入射端、圖示下方為視認端（觀察者端）的情況。另外，在 各圖中，為了令各層以及各部件為在冑面上可辨識的大 小’令每層及每個的比例尺皆相異。 在本實施態樣的液晶裝置中’如圓3所示，在呈矩陣狀配 置的複數像素上，各自形成了像素電極9,以及TFT元件3〇， 其係為了進行對該像素電極9之通電控制之用的開關元 109015.doc 1326892 件。另外，影像訊號所供給的資料線6a係與該tft元件 的源極電性連接。對資料線63寫入的影像訊號si、s2、.、

Sn’係依此順序依線序供給’或供給相鱗接之複數資料線 6a的每個群組。 另外，掃描線3a係與TFT元件30的閘極電性連接，對複數 掃描線3a，掃描訊號G1、G2、…' Gm係依特定時序脈衝地 依線序印加。另外，像素電極9係與TFT元件3〇的汲極電性 φ 連接，藉由令作為開關元件的TFT元件3〇僅於一定期間開 啟，可將由資料線6a所供給的影像訊號Si、S2、…、“依 特定時序寫入。 介著像素電極9寫入液晶的特定位準影像訊號S1、 S2、…、Sn，係如後述，以共通電極之間保持一定期間。 液晶因施加的電壓位準令其分子集合的配向以及秩序發生 變化，藉此令光變調，並可顯示階調。在此，為了防止所 保持的影像訊號洩漏，與像素電極9與共通電極之間所形成 # 的液晶容量並列附加了蓄積容量70。 接著’將依照圖4說明本實施態樣之液晶裝置的重要部分 之平面構造。 如圖4所示’在TFT陣列基板上’矩陣狀地設置複數由氧 化銦錫（Indium Tin Oxide，以下略記為ιτο)等透明導電性材 料所形成的矩形像素電極9(虛線部9A所示之輪廓），沿著像 素電極9的縱橫各個邊界設有資料線6a、掃描線“以及容量 線3 b。在本實施態樣中’包圍各像素電極9所配置的資料線 6a、掃描線3a、容量線3b等所形成的領域為像素。複數的 I090I5.doc 13 1326892 像素形成於TFT陣列基板上。液晶裝置係於呈矩陣狀配置的 每個像素進行顯示。而包圍各像素電極9的資料線6a、掃描 ^ 谷里線3b專所形成的縱橫格子狀形成的領域，為不 進行影像顯示的非顯示領域U。 I料線6a係在構成TFT元件30之例如聚矽膜所形成之半 導體層la中，介著接觸孔5電性連接後述之源極領域，像素 電極9係在半導體層中，介著接觸孔8電性連接後述之汲 •極領域。另外，半導體層丨3中，配置了與後述通道領域（圖 中左上右下的斜線領域）對向之掃描線3a，掃描線3a係於與 通道領域對向部分發揮閘極電極之機能。 容量線3b，係具有：本線部，其係沿著掃描線3a延伸為 略直線狀者（亦即，平面地看來，沿著掃描線3a所形成之第 1領域）；以及突出部，其係從與資料線6a交叉部分沿著資 料線6a突出於前段端（圖中朝上）者（亦即，平面地看來沿 著資料線6a延伸設置之第2領域而在圖4中，右上左下的 • 斜線所示之領域中，設有複數第1遮光膜Ua。 接著將根據圖5說明本實施態樣的液晶裝置之剖面構造。 圖5係如上所述，為圖4的A-A，線剖面圖，係顯示TFT元件 30所形成之領域的構成之剖面圖。本實施態樣的液晶裝置 中，於TFT陣列基板10，以及與其對向配置之對向基板2〇 之間挾有液晶層50。 液晶層50，係混合了例如一種或數種類之向列型液晶之 液晶。液晶層50係於一對配向膜4〇以及6〇之間，由配向膜 40、60所配向。TFT陣列基板10據有石英等透光性材料所形 1090l5.doc 叫 6892 成的基板本體IOA。 在基板本體10Α，配置了液晶層5〇的基板本體ι〇α上形成 有TFTtl件30、像素電極9，以及配向膜。對向基板且 有由玻璃以及石英等透純材料所形成的基板本體2〇A。在 對向基板2G’ g&置了液晶層5()的基板本體撤上形成有共通 電極21以及配向膜6〇。而TFT陣列基板ι〇與對向基板2〇之間 的間隔，係藉由間隔器丨5而保持。 在TFTP車列基板1〇,基板本體1〇A的配置了液晶層之面 上。又有像素電極9 °鄰接各像素電極9的位置上，設有控制 各像素電極9開關的像素開關用TFT元件3〇。像素開關用 丁卩丁7〇件30具有1^)〇(1^11卟〇〇1^(1〇1^11)構造，其係具 備：掃描線3a;來自該掃描線3a的電場所形成之通道的半 導體層la通道領域!a’;令掃描線3a與半導體層ia絕緣之閘極 絕緣膜2 ;資料線6a ;半導體層la的低濃度源極領域化以及 低濃度汲極領域lc ;半導體層la的高濃度源極領域W以及高 濃度沒極領域1 e。 上述掃描線3a上，包含閘極絕緣膜2上之基板本體i〇a 上，形成有開有通往高濃度源極領域ld之接觸孔5、以及通 往南濃度汲極領域le之接觸孔8的第2層間絕緣膜4。亦即， 貝料線6a係介由貫穿第2層間絕緣膜4的接觸孔5與高濃度 源極領域1 d電性連接。 再者，在資料線6a上以及第2層間絕緣膜4上，形成有開 有通往尚濃度汲極領域】e的接觸孔8之第3層間絕緣膜7。亦 即，高濃度汲極領域le係介由貫穿第2層間絕緣膜4以及第3 109015.doc 1326892 層間絕緣膜7的接觸孔8與像素電極9電性連接。 另外’配置有液晶層50的基板本體ΐ〇Α上，形成像素開關 用TFT元件30的領域上，形成有第1遮光膜iia。第1遮光膜11 係穿透TFT陣列基板10，在TFT陣列基板1〇的圖示下方（TFT 陣列基板10與空氣之界面）經反射，回到液晶層5 〇的光，至 少可防止入射至半導體層la的通道領域U，以及低濃度源 極、汲極領域lb、lc。 Φ 另外，第1遮光膜11a與像素開關用TFT元件30之間，為了 令構成像素開關用TFT元件30的半導體層la與第1遮光膜lla 電性絕緣’形成了第1層間絕緣膜12。再者，如圖4所示， 除了在TFT陣列基板1〇設置第1遮光膜lla之外，第1遮光膜 11a之構成係介由接觸孔13與前段或後段之容量線3 b電性連 再者’配置有液晶層50的TFT陣列基板1〇的最表面，也 就是像素電極9以及第3層間絕緣膜7上，形成有無施加電壓 鲁時控制液晶層50内的液晶分子之配向的配向膜4〇。因此， 在具備此種TFT元件30的領域中，配置了 TFT陣列基板1〇之 液晶層50的表面，亦即液晶層5〇的挾持面上之構成，係由 複數凹凸甚至落差所形成。 另一方面，在配置了液晶層50的基板本體2〇a上，與資料 線6a、掃描線3a、像素開關用TFt元件3〇之形成領域對向的 領域’也就是各像素部之開口領域以外的領域上，形成了 第2遮光膜23。第2遮光膜23係防止入射光侵入像素開關用 TFT兀件30的半導體層la之通道領域la，以及低濃度源極領 109015.doc 16 1326892 域lb、低濃度汲極領域ic。 另外’在配置有液晶層50的基板本體20A上，在其幾乎全 面上形成由ITO等所形成的共通電極21。配置有液晶層5〇 的共通電極21之表面上，形成有無施加電壓時控制液晶層 50内的液晶分子之配向的配向膜6〇。 (液晶裝置之製造方法） 接著’將參照圖式說明上述液晶裝置之製造方法。 φ 圖6係顯示關於本實施態樣之液晶裝置的製造方法，其製 作流程之說明圖。亦即，本製造方法係形成在一對基板上 形成配向膜’對此配向膜進行摩擦處理，對一方的基板形 成框狀密封材後’在此密封材框内滴下液晶，與另一方的 基板貼合。以下，將詳細說明各流程。 首先，如圖6及圖5所示，為了在由玻璃等所形成的下側 基板本體10A上構成TF 丁元件30等，形成遮光膜lla、第1層 間絕緣膜12、半導體層la、通道領域la，、低濃度源極領域比、 • 低濃度汲極領域1c、高濃度源極領域Id、高濃度汲極領域 k、畜積容量電極If、掃描線3a、容量線3b、第2層間絕緣 膜4、資料線6a、第3層間絕緣膜7、接觸孔8以及像素電極 9(步驟S1)。 接著’在基板本體10A上’使用上述液滴喷出裝置ij，塗 佈形成配向膜之用的液體材料形成配向膜4〇(步驟S2)。 其後，對配向膜40依特定方向進行摩擦處理，製作TFT 陣列基板1〇(步驟S3)。另外，基板本體2〇A上亦形成遮光膜 23、共通電極21、配向膜60，接著再對上述配向膜6〇依特 109015.doc 定方向進行摩擦處理，製作對向基板20。 々接著，於上述對向基板20或丁打降列基板10上形成框狀 封材（Y驟S4)。此外，密封材可用紫外線硬化樹脂等， 此係以印刷法等形成框狀者，形成為不具有液晶注入口之 閉口框狀。 此時，4 了保持特定的基板間隔，可在密封材中令間隔 器B分散，保持特定的基板間隔。 接著，在形成了密封材的TFT陣列基板1〇上，滴下符合 該液晶裝置之液晶層50的厚度之特定量的液晶（步驟％)。 其後，滴下液晶的TFT陣列基板10與對向基板2〇，挾持著液 晶互相貼合，再於T F T陣列基板1 〇及對向基板2 0的外側，貼 合未圓示的相位差板、偏光板等光學膜，製造出如圖5所示 之具有單元構造的顯示裝置之液晶裝置。 在上述液晶裝置中，使用液滴噴出法（喷墨法）於基板本 體1〇Α、20Α上配置液體材料。亦即，使用上述液滴喷出裝 置IJ(參照圖1)，喷出含有配向膜形成材料的液狀之液體材 料，令其乾燥後於基板本體i〇a、20a上形成配向膜4〇 6〇。 在本例中，使用上述稀釋法稀釋液體材料，進行液體材 料的黏度等之調製。因此，可防止使用液滴噴出法喷出液 體材料時，因阻塞造成的噴出不良。由於液滴噴出可安定 地進行，咼精度的材料配置可製造出高品質的液晶裝置。 另外，在本例中，為了以液滴噴出法形成配向膜等，與 彈性凸版法相較之下，材料使用量以及排液量可大幅削 減，節能效果高，另外亦可容易對應基板的大型化，更可 } 09015.doc 丄 製造出高品質的膜。 (電子機器） )(B)以及（C)係顯示本發明之電子機器的實施態樣 例。 ， 本例的電子機器係具備上述液晶裝置作為顯示機構。 ()係顯示行動電話的一例之立體圖。圖7(八）中符號 〇〇〇表不仃動電話本體，符號表示使用上液晶裝置之 顯示部。 $ 7(B)係顯示手錶型電子機器的一例之立體圖。圖⑽ 中符號1100表示手錶本體，符號ugi表示使用上液晶裝置 之顯示部。 圖7(C)係顯示文字處理機、個人電腦等攜帶型情報處理 裝置之一例的立體圖。在圖7(c)中符號12〇〇表示情報處理 裝置，符號1202為鍵盤等輸入部，符號12()4為情報處理襄 置本體’符號12G6表示使用上液晶裝置之顯示部。

圖7⑷〜(C)所示之各個電子機器，具備上述液晶裝置作 為顯示手段，故可得到錢示不均的高。。。#電子機器。

丄地分*JT .......丄《电丁俄态，亦 可適用於電子書、個人電腦、數位像機、影像螢幕、觀景 窗型或螢幕直視型錄影機、行動導航裝置、傳呼機、電子 筆記本、計算機、文字處理機、工作站、視訊電話、吻 終端、具備觸碰式面板的機器等之影像顯示機構手段。此 種電子機H係既廉價信賴性亦優異者，參㈣_ 明了與本發明相關之適切實施態樣，但本發明並未限定於 '090l5.doc 1326892 相關範例。上述範例中所示之各構成部件的諸形狀以及組 合等僅為一例，在未脫離本發明之主旨的範圍内，可根據 設計要求等進行種種變更。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示液滴喷出裝置的概略構成之立體圖。 圖2係說明壓電方式之液體喷出原理之圖。 圖3係液晶裝置的等價電路圖。 圖4係顯示圖3的液晶裝置之像素構造的平面圖。 圖5係顯示圖3的液晶裝置之重要部分的剖面圖。 圖6係顯示圖3的液晶裝置之製造方法的一 圖》 < %說明 圖7(A)、(Β)、（C)係顯示本發明之相關電子機 — 之立體圖。 η 、 例 【主要元件符號說明】 10 TFT陣列基板（基板） 20 對向基板（基板） 40,60 配向膜 1000 行動電話（電子機器） 1100 手錶型電子機器（電子機 1200 情報處理裝置（電子機器 109015.doc •20·

Claims (1)

1326892 妒？*月/〇日衝幻正替換頁 第095106697號專利申請案 . 申文申請專利範圍替換本(98年8月) 十、申請專利範圍·· 1. 一種用於形成配向膜之液體材料的稀釋方法，其係在上 述液體材射添加具㈣^解參數之稀釋液;;稀釋上 述液體材料，上述稀釋液係含有具有溶解含於上述液體 材料之固形成分功能之第】稀釋液、及具有規制上述液體 材料之表面張力功能之第2稀釋液， 上述第1稀釋液及第2稀釋液之溶解參數與上述液體材料 之溶解參數大致相同之溶劑。 2_如請求項1之用於形成配向膜之液體材料的稀釋方法，其 中令上述液體材料之溶解參數為ai，令上述溶劑之溶解參 數為as時，其比(js/ai為〇.8以上未達1 2者〇 3. 如明求項2之用於形成配向膜之液體材料的稀釋方法，其 中’上述比os/oi為0.9以上未達Μ者。 4. 如請求項1或2之用於形成配向膜之液體材料的稀釋方 法，其中上述液體材料係含有複數種類的溶劑，上述稀 釋液係在上述液體材料中所含的上述複數種類的溶劑 中，具有溶解參數最接近上述液體材料溶解參數之溶劑 者0 5·如請求項1或2之用於形成配向膜之液體材料的稀释方 法’其中上述稀釋液係具有之溶解參數與上述液體材料 大致相同、同時為上述液體材料中未含有的溶劑者。 6· 一種液晶裝置的製造方法，其係將使用如請求項1至$中 任一項之稀釋方法所稀釋的液體材料，使用液滴噴出法 配置於基板上。 109015-980810.doc