TWI326123B - Image sensor with decreased optical interference between adjacent pixels - Google Patents

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TWI326123B
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1326123 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種影像感應器，且更特定言之係關於一 種藉由減低臨近像素間的光學干擾而改良光敏性之影像感 應器。 【先前技術】 互補金氧半導體（CMOS)裝置已廣泛實施於各種裝置 中，諸如行動電話、個人電腦相機及電子裝置。與已經用 作典型影像感應器之電荷耦合裝置（CCD)相比，CMOS影像 感應器可易於驅動且允許其中眾多信號處理電路整合於一 晶片上之單晶片系統（SoC)。歸因於SoC，可最小化CMOS 影像感應器之模組。同樣地，可採用通常已知之方法來實 施CMOS裝置，且因此可降低製造成本。 圖1說明其中排列四個單元像素之影像感應器之簡化俯 視圖。各自在中心處具有一光電二極體PD之四個單元像素 UP以2 X 2配置排列。 圖2說明經配置以展示像素區及周邊區之習知CMOS影像 感應器的橫截面圖。 場氧化物層（FOX)結構形成於基板SUB中，其中在該基板 中已形成高度摻雜之P++型區（未圖示）及P型蟲晶層（未圖 示）。雖然未說明，但包括傳送閘（transfer gate)之多個閘極 形成於基板SUB上。舉例而言，N型區（未圖示）係藉由使用 離子植入製程而形成在與傳送閘之一側對準之基板SUB的 深底部區中。P型區（未圖示）形成於一與基板SUB之表面接 114397.doc 1326123 觸的區中。N型區及p型區組成光電二極體PD。雖然未說 明’但高度摻雜之N+型雜質經離子植入以在與傳送閘之另 一側對準之基板SUB下方的區中形成浮動擴散區。參考字 母X表示其中形成單元像素之像素區。參考字母Y表示其中 形成周邊邏輯電路之周邊區。 前金屬介電層PMD形成於包括光電二極體Pd及電晶體 TR之以上所得結構上，且第一金屬線河丨形成於前金屬介電 層PMD上。第一金屬間介電層IMD1、第二金屬線M2、第二 金屬間介電層IMD2、第三金屬線M3、第三金屬間介電層 IMD3及第四金屬線M4相繼地形成於第一金屬線Ml上。第 一金屬線Ml及第二金屬線M2用於將單元像素及邏輯電路 與電力線或k號線相連接。同樣地，第一金屬線Ml及第二 金屬線M2遮蔽光以防止其照射於除光電二極體pD之外的 區中。雖然圖2說明四個插入金屬線μ 1至M4，但仍可實施 四個以上插入金屬線（例如，第五或第六金屬線）。 鈍化層PL形成於第四金屬線Μ4上以保護底部結構。第一 塗飾層OCL1及彩色濾光片陣列CFA相繼地形成於鈍化層 PL上。第一塗飾層OCL1係用以在形成彩色濾光片陣列cFA 時保證一製程範圍。彩色濾光片陣列CFA需表示每一單元 像素之紅色、綠色及藍色（RGB)。雖然使用三原色（意即， RGB) ’但仍可使用與三原色互補之其他色彩，包括黃色γ、 品紅色Mg及青色Cy。鈍化層PL通常形成於氮化物/氧化物 之雙重结構中。 第二塗飾層OCL2形成於彩色濾光片陣列CFA上以當在該 114397.doc 第二塗飾層0CL2上形成微透鏡ML時保證一製程範圍。另 一鈍化層PSL形成於微透鏡ML上以保護微透鏡ML使其免 受擦傷或損壞。微透鏡ML將入射光射線聚焦於光電二極體 PD中’該光電二極體PD整合所聚焦之入射光射線。 像素區X包括僅第一金屬線Ml及第二金屬線M2，同時周 邊區Y包括僅第三金屬線M3及第四金屬線M4。因此，與參 考字母A所說明之穿過微透鏡ML之彼等入射光射線相比， 如參考字母B所說明之穿過臨近單元像素之微透鏡的彼等 光線亦被整合至光電二極體PD中。來自臨近單元像素之入 射光的此非期望整合引起光學干擾。該光學干擾可導致影 像特徵之降級’諸如晶格圖案感應或色彩失真。 【發明内容】 因此，本發明之一目標為提供一種影像感應器，其可減 低通常由臨近像素間的光學干擾所引起之影像特徵的降 級。 根據本發明之一態樣，提供一種劃分成一像素區及一周 邊£之影像感應器’該影像感應器包括：一光電二極體， 其形成於該像素區中之一基板中；第一至第馗金屬線其 形成於該像素區中之該基板上，其中Μ為大於約丨之自然 數；第一至第Ν金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上， 其中Ν為大於Μ之自然數；至少一層虛設金屬線，其形成於 第Μ金屬線上但形成為不與光電二極體相重疊，·及一微透 鏡，其形成於該一層虛設金屬線上以與該光電二極體相重 疊。 114397.doc • 8 - 1326123 根據本發明之另一態樣’提供一種劃分成一像素區及一 周邊區之影像感應器’該影像感應器包括：一光電二極體， - 其形成於該像素區中之一基板中；第一至第Μ金屬線，其 形成於該像素區中之該基板上，其中Μ為大於約1之自然 數；第一至第Ν金屬線’其形成於該周邊區中之一基板上， 其中Ν為大於Μ之自然數；至少一層虛設金屬線，其形成於 第Μ金屬線上以覆蓋一未與光電二極體重疊之部分；及一 φ 微透鏡，其形成於該一層虛設金屬線上以與該光電二極體 相重疊。 根據本發明之又一態樣，提供一種劃分成一像素區及一 周邊區之衫像感應器’該影像感應器包括：一光電二極體， 其形成於該像素區之一基板中；第一至第Μ金屬線，其形 成於該像素區中之該基板上，其中Μ為大於約1之自然數； 第至第Ν金屬線’其形成於該周邊區中之一基板上，其中 Ν為大於Μ之自然數；至少一層虛設金屬線，其係藉由在該 • 等虛設金屬線與第Μ金屬線之間具有一絕緣層而形成於第 Μ金屬線上，但形成為不與光電二極體相重疊；及一微透 鏡，其形成於該一層虛設金屬線上以與該光電二極體相重 疊。 根據本發明之又一態樣，提供一種劃分成一像素區及一 周邊區之影像感應器，該影像感應器包括：一光電二極體， 其形成於該像素區之一基板中；第一至第Μ金屬線，其形 成於該像素區中之該基板上，其為大於約〗之自然數； 第一至第N金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上，其中 114397.doc -9- 1326123 N為大於Μ之自然數；至少一層虛設金屬線，其形成為與第 ' Μ金屬線接觸而不與該光電二極體相重疊，虛設金屬線用 - 作通道接觸件且包括金屬；及一微透鏡，其形成於該一層 虛設金屬線上以與該光電二極體相重疊。 根據本發明之另一態樣’提供一種劃分成一像素區及一 周邊區之影像感應器’該影像感應器包括：一光電二極體， 其形成於該像素區中之一基板中；第一至第Μ金屬線，其 φ 形成於該像素區中之該基板上，其中Μ為大於約}之自然 數；第一至第Ν金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上， 其中Ν為大於Μ之自然數；至少一層第一虛設金屬線，其形 成於第Μ金屬線上而不與光電二極體相重疊；至少一層第 一虛6又金屬線，其形成為接觸該一層第一虛設金屬線；及 一微透鏡，其形成於該一層第二虛設金屬線上以與該光電 二極體相重疊。 【實施方式】 • 將參看隨附圖式詳細描述根據本發明之例示性實施例的 於Β»近像素間具有減低光學干擾之影像感應器。 圖3說明根據本發明之第一實施例經配置以展示像素區 及周邊區之CMOS影像感應器的橫截面圖。 場氧化物層（FOX)結構形成於基板_中，其中在該基板 中已形成高度摻雜之P++型區（未圖示）及？型蟲晶層（未圖 不）。雖然未說明，但包括傳送閘之多個閘極形成於基板㈣ 上。、舉例而言，N型區（未圖示）係藉由使用離子植入製程而 形成於與傳送閘之一侧對準之基板難的深底部區中。p型 114397.doc 1326123 區（未圖示）形成於與基板SUB之表面相接觸的區中。N型區 及P型區組成光電二極體PD。雖然未說明，但高度摻雜之 N+型雜質經離子植入以在與傳送閘之另一側對準之基板 SUB下方的區中形成浮動擴散區。參考字母X表示其中形成 單元像素之像素區。參考字母γ表示其中形成周邊邏輯電路 之周邊區。 前金屬介電層PMD形成於包括光電二極體pd及電晶體 TR之以上所得結構上，且第一金屬線M1形成於前金屬介電 層PMD上。第一金屬間介電層imdi、第二金屬線M2、第二 金屬間介電層IMD2、第三金屬線M3、第三金屬間介電層 IMD3及第四金屬線M4相繼地形成於第一金屬線Ml上。第 一金屬線Ml及第二金屬線M2用於將單元像素及邏輯電路 與電力線或信號線相連接》同樣地，第一金屬線Ml及第二 金屬線M2遮蔽光以防止其照射於除光電二極體pD之外的 區中。雖然圖2說明四個插入金屬線Ml至M4，但仍可實施 四個以上插入金屬線（例如，第五或第六金屬線）。 鈍化層PL形成於第四金屬線M4上以保護底部結構。第一 塗飾層0CL1及彩色濾光片陣列cfa相繼地形成於鈍化層 PL上》第一塗飾層〇CLl用以在形成彩色濾光片陣列CFA時 保證一製程範圍》該彩色濾光片陣列CFA需表示每一單元 像素之紅色、綠色及藍色（RGB)。雖然使用三原色（意即， RGB) ’但仍可使用與三原色互補之其他色彩，包括黃色γ、 品紅色Mg及青色Cy ^鈍化層pl通常形成於氮化物/氧化物 之雙重結構中。 114397.doc 1326123 第二塗飾層OCL2形成於彩色濾光片陣列CFA上以當在第 二塗佛層0CL2上形成微透鏡ML時保證製程範圍β另一純 化層PSL形成於微透鏡ML上以保護該微透鏡ml使其免受 擦傷或損壞。微透鏡ML將入射光射線聚焦於光電二極體pD 中，該光電二極體PD整合經聚焦之入射光射線。 在典型衫像感應器中’像素區X包括僅第一金屬線mi及 第二金屬線M2’同時周邊區γ包括僅第三金屬線m3及第四 金屬線M4。然而，根據當前實施例，如圖3中所說明，兩 層虛設金屬線DM 1及DM2亦形成於像素區X中而不阻擋其 中形成光電二極體PD之區。兩層虛設金屬線dmi及DM2遮 蔽來自臨近像素之入射光。 雖然在當前實施例中舉例說明在其中形成第三金屬線及 第四金屬線之各別區上形成兩層虛設金屬線Dm 1及DM2， 但仍可形成一層虛设金屬線。再者，兩廣虛設金屬線DMi 及DM2可在形成第三金屬線M3及第四金屬線M4的同時形 成，或獨立於第三金屬線!^3及第四金屬線Μ*之形成而形 成。 圖4說明根據本發明之實施例具有一結構之影像感應器 的橫截面圖，在該結構中，於每一像素區中實施至少一層 虛設金屬線。類似參考數字表示圖3中所述之類似元件，且 因此，將忽略其詳細描述。 如參考字母A所示，穿過微透鏡ML之入射光射線被整合 至光電二極體PD中。相反地，如參考字母B所示，虛設金 屬線DM阻擋來自臨近像素之入射光射線以防止其照射於 114397.doc 12 光電二極體PD中。 可用各種形式及結構來形成虛設金屬線。圖5至圖10說明 以各種形式及結構形成之虛設金屬線的俯視圖。圖5說明以 正方形及對稱結構形成之虛設金屬線的俯視圖。每一單元 像素UP在中心部分包括一光電二極體PD，且正方形虛設金 屬線DM經置放，以使得虛設金屬線DM中每一者之中心點 定位於臨近單元像素UP之四個角通常會合之點處。 圖6說明以十字形及對稱結構形成之虛設金屬線的俯視 圖。每一單元像素UP在中心部分包括一光電二極體PD，且 十字形虛設金屬線DM經置放，以使得虛設金屬線DM中每 一者之中心點定位於臨近單元像素UP之四個角通常會合之 點處。 圖7說明以菱形及對稱結構形成之虛設金屬線的俯視 圖。每一單元像素UP在中心部分處包括一光電二極體PD， 且菱形虛設金屬線DM經置放以使得虛設金屬線DM中每一 者之中心點位於臨近單元像素UP之四個角通常會合之點 處。 圖8說明以對稱結構形成以覆蓋除光電二極體區外之單 元像素之所有區的虛設金屬線之俯視圖。每一單元像素UP 在中心部分處包括一光電二極體PD，且虛設金屬線DM置放 於除光電二極體區PD之外的單元像素UP之整個區中。 圖9說明以矩形及非對稱結構形成之虛設金屬線的俯視 圖。每一單元像素UP在中心部分包括一光電二極體PD，且 矩形虛設金屬線DM置放於臨近單元像素UP之四個角通常 114397.doc 13 1326123 會合之部分中。 圖ίο說明以特定形狀及非對稱結構形成之虛設金屬線的 俯視圖。每一單元像素！；!>在中心部分包括—光電二極體 PE)’且以特定形狀形成之虚設金屬線DM置放於臨近單元像 素UP之四個角通常會合之部分中0 雖然圖5至圖1〇說明虛設金屬線在一像素區中以一形狀 及結構形成，但虛設金屬線仍可在一像素區中以各種形狀 及結構形成。如上所述，對應於形成在周邊區中之金屬線 的至少一虛設金屬線形成於該像素區中，且該虛設金屬線 可減低光學干擾且允許增加隨後金屬線蝕刻製程之製程範 圍》 圖11說明根據本發明第一實施例之CM0S影像感應器之 單元像素的橫截面圖。 %氧化物層（FOX)結構形成於基板sub中，其中在該基板 中已形成高度摻雜之P++型區（未圖示）及p型磊晶層（未圖 示）。雖然未說明，但包括傳送閘之多個閘極形成於基板SUB 上。舉例而言，N型區（未圖示）係藉由使用離子植入製程而 形成於與傳送閘之一側對準之基板SUB的深底部區中。卩型 區（未圖示）形成於與基板SUB之表面相接觸的區中βΝ型區 及Ρ型區組成光電二極體PDe雖然未說明，但高度摻雜之 N+型雜質經離子植入以在與傳送閘之另一側對準之基板 SUB下方的區中形成浮動擴散區。 别金屬介電層PMD形成於包括光電二極體pD及多個電 曰曰體之以上所得結構上，且第一金屬線厘丨形成於前金屬介 114397.doc 電層PMD上。第一金屬間介電層imDI形成於第一金屬線Ml 上。第二金屬線M2及第二金屬間介電層IMD2相繼地形成於 第一金屬間介電層IMD1上。雖然未說明，但第三金屬線M3 形成於周邊區中之第二金屬間介電層IMD2上。第三金屬間 介電層IMD3形成於第三金屬線（未圖示）上。雖然未說明， 但第四金屬線形成於周邊區中之第三金屬間介電層IMD3 上。 第一金屬線Ml及第二金屬線M2將電力線或信號線與單 元像素及與周邊區中之邏輯電路相連接，且遮蔽光以防止 其照射於除光電二極體PD之外的區中。雖然當前實施例展 示四個插入金屬線之實施，但仍可實施四個以上插入金屬 線（例如，第五或第六金屬線）。 鈍化層PL形成於第四金屬線（未圖示）上以保護第四金屬 線下方之底部結構（未圖示）。第一塗飾層OCL1形成於鈍化 層PL上以在隨後彩色濾光片陣列過程期間獲得所要製程範 圍。在第一塗飾層0CL1上，形成彩色濾光片陣列CFA以表 示每一單元像素之RGB色彩。雖然通常使用為三原色之 RGB色彩，但可使用與RGB色彩互補之色彩，包括黃色、 品紅色及青色。鈍化層PL形成於氮化物/氧化物之雙重結構 中。 第二塗飾層0CL2形成於彩色濾光片陣列CFA上以保證隨 後微透鏡過程之所要製程範圍。微透鏡ML形成於第二塗飾 層OCL2上。另一鈍化層PSL形成於微透鏡ML上以保護微透 鏡ML使其免受擦傷或損壞。微透鏡ML將入射光射線聚焦 114397.doc •15· 1326123 於光電二極體PD上。
第一金屬線Ml及第二金屬線M2形成於像素陣列區中，且 形成於第一金屬線及第二金屬線上之彼等金屬線（例如，第 三金屬線及第四金屬線（未圖示））形成於周邊區中。如圖11 所說明’一層虛設金屬線DM形成為藉由在該層虛設金屬線 DM與各別第二金屬線M2之間個別地具有層間介電層ild 而接觸該第二金屬線M2 »虛設金屬線DM亦經配置以不與 光電二極體PD相重疊。因此，虛設金屬線DM可遮蔽來自臨 近像素之入射光以防止其照射於光電二極體PD中。 虛設金屬線DM及層間介電層ILD可與包括第二金屬線 M2、層間介電層ILD及虛設金屬線DM之堆疊結構的電容器 形成於周邊區中同時地形成於像素區中。第二金屬線M2、 層間介電層ILD及虛設金屬線DM之堆疊結構用作周邊區中 之電容器。然而，像素區中之層間介電層ILD用於使第二金 屬線M2與虛設金屬線DM彼此隔離》
如圖11所說明，參考字母A表示穿過微透鏡ML且聚焦於 光電二極體PD上之入射光射線。相反地，參考字母b表示 來自臨近像素之入射光射線。虛設金屬線DM阻擋入射光射 線以防止其進入光電二極體PD中。 虛設金屬線DM可配置成各種類型。虛設金屬線dm可包 括氮化鈦（TiN)，且層間介電層ILD可包括氧化材料。虛設 金屬線中每一者皆可形成為約1，50〇Α之厚度，且層間介電 層ILD中每一者皆可形成為600 A之厚度，以致上述堆疊（意 即，虛設金屬線DM及層間介電層ILD)之總厚度變成約 114397.doc 16 1326123 2,100 A。 圖l2說明根據本發明之第二實施例之CM0S影像感應器 的單元像素之橫截面圖。類似參考數字表示圖丨丨中所述之 類似元件，且將忽略其詳細描述。 層虛6又金屬線DM形成為不與像素區中之光電二極趙 PD重疊，但直接接觸各別第二金屬線M2。虛設金屬線][)河 遮蔽來自臨近像素之入射光，以防止其照射於光電二極體 PD上。 虛設金屬線DM對應於周邊區中之通道接觸件，該等通道 接觸件連接第二金屬線M2與各別第三金屬線Μ?。虛設金屬 線DM可與通道接觸件形成於周邊區中同時地形成於像素 區中。亦即，周邊區中之通道接觸件用作原始預期目的， 同時像素區中之通道接觸件係藉由使第二金屬線M2向上 延伸而不接觸第三金屬線’來遮蔽來自臨近像素之入射 光’以防止其照射於光電二極體PD上。再者，虛設金屬線 DM(意即’通道接觸件）形成為約6000 A之厚度。 如圖12中之參考字母A說明的，穿過微透鏡ML之入射光 射線聚焦於光電二極體！>〇上。相反地，如參考字母b說明 的’來自臨近像素之入射光射線被虛設金屬線dm遮蔽。 ® 13說明根據本發明之第三實施例之CMOS影像感應器 的單元像素之橫截面圖。圖11及圖12中所述之類似參考數 字表不類似元件，且將忽略其詳細描述。
在像素區中，第一虛設金屬線DM1及第二虛設金屬線 DM2以兩層形成於第二金屬線M2上，但不與光電二極體PD 114397.doc 1326123 相重疊。第一虛設金屬線DM1及第二虛設金屬線DM2遮蔽 來自臨近像素之入射光以防止其照射於光電二極體卩〇上》 第一虛放金屬線DM1對應於周邊區中之第三金屬線，且 第二虛設金屬線DM2對應於周邊區中之通道接觸件，該等 通道接觸件連接第三金屬線與各別第四金屬線。第一金屬 線DM1及第二金屬線DM2可與第三金屬線及通道接觸件形 成於周邊區中同時地形成於像素區中。 周邊區中之第三金屬線及通道接觸件用作原始預期目 的。相反地’像素區中之第一虛設金屬線DM1及第二虛設 金屬線DM2藉由形成於第二金屬線m2上而不接觸第二金 屬線M2及第四金屬線來遮蔽來自臨近像素之入射光以防 止其照射於光電二極體PD上。 如圖13中參考字母A說明的，穿過微透鏡mL之入射光射 線聚焦於光電一極體PD上。另一方面，如圖13中之參考字 母B說明的，來自臨近像素之入射光射線被第一虛設金屬線 DM1及第二虛設金屬線DM2遮蔽。 以上圖11至圖13中所說明之虛設金屬線僅為例示性的。 除此等三個不同類型之外，虛設金屬線可以與此等三個類 型相組合而建構之各種結構來形成。舉例而言電容器類 型虛設金屬線及對應於第三金屬線之虛設金屬線形成於第 二金屬線上。㈣，除對應於第三金屬線之虛設金屬線之 外，對應於通道接觸件之虛設金屬線得以形成。 根據本發明之各種實施例對應於形成在周邊區中之金 屬線、通道接觸件及電容器之至少一虛設金屬線形成於像 114397.doc • 18· 1326123 素區中。因此，歸因於虛設金屬線 低之光學干擾不允許影像特徵降級 感應之良率。 雖然在CMOS影像感應器中形成至少—虛設金屬線在以 上實施例中為例示性的，但虛設金屬線仍可形成於包括光 整合單it (ph〇tG-integrati()n unit)及微透鏡之任何影像感應 器中。
本申請案含有與在2005年9月12曰於韓國專利局申請之 韓國專利申請案第KR ·5_嶋564及故鳩刪彳⑹有 關之主旨，該案之全部内容以引用的方式倂人本文中。 雖然已參看某些較佳實施例描述了本發明，但熟習此項 技術者將明顯看出，可在不偏離如以下φ請專職圍所界 定之本發明之精神及㈣的情況下進行各種變化及修改。 【圖式簡單說明】
可減低光學干擾。減 且因此，可增加影像 圖1說明其中配置四個單元像素之習知影像感應器之簡 化俯視圖； 圖2說明經配置以展示像素區及周邊區之習知cm〇s影像 感應器的橫截面；及 圖3說明根據本發明之第_营 乐貫施例之用以展示像素區及 周邊區的CMOS影像感應器之橫截面圓； 圖4說明根據本發明之—實施例 貝她例具有一結構之影像感應 器的橫截面圖’在該結構中，於每_像素區t實施至少一 層虛設金屬線； 圖5至圖職明各種例轉虛設金屬線形狀及結構之俯 114397.doc 1326123 視圖， 圖11說明根據本發明之第一實施例之CMOS影像感應器 的單元像素； 圖12說明根據本發明之第二實施例之CMOS影像感應器 的單元像素； 圖13說明根據本發明之第三實施例之CMOS影像感應器 的單元像素。 【主要元件符號說明】
CFA 彩色濾光片陣列 DM1 第 一虛設金屬線 DM2 第 二虛設金屬線 Fox 場氧化物層 IMD1 第 一金屬間介電層 IMD2 第 二金屬間介電層 IMD3 第三金屬間介電層 Ml 第 一金屬線 M2 第 二金屬線 M3 第 三金屬線 M4 第四金屬線 ML 微透鏡 OCL1 第 一塗飾層 OCL2 第 二塗飾層 PD 光電二極體 PL 鈍化層 114397.doc -20- 1326123
PMD PSL SUB TR UP X Y 前金屬介電層 純化層 基板 電晶體 單元像素 像素區 周邊區
114397.doc -21

Claims (1)

1326123 月修(更)正本 第095133572號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(98年12月） * 十、申請專利範圍： - 1 · 一種影像感應器，其劃分成一像素區及一周邊區，該影 _ 像感應器包含： 一光電二極體，其形成於該像素區中之一基板中； 第一至第Μ金屬線’其形成於該像素區中之該基板上， 其中Μ為一大於1之自然數； 第一至第Ν金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上， 其中Ν為一大於Μ之自然數； ^ 至少一層虛設金屬線，其形成於該等第Μ金屬線上但形 成為不與該光電二極體相重疊；及 一微透鏡，其形成於該一層虛設金屬線上以與該光電 二極體相重疊。 2.如請求項1之影像感應器，其中該等虛設金屬線以至少一 層至Κ個層而形成’其中κ為（Ν-Μ) + 1之一值，其中該κ 個層形成為齊平於該Ν個金屬線及齊平於形成在該Ν個金 屬線之間的通道接觸件。 ® 3·如請求項2之影像感應器，其中該等虛設金屬線係與金屬 線形成於s亥周邊區中之該等第Μ金屬線上同時地形成，該 等虛設金屬線與該等金屬線齊平。 4.如請求項2之影像感應器，其中該光電二極體配置於每一 單元像素之一中心部分中，且該等虛設金屬線中每一者 經對稱配置，以使得該等虛設金屬線中每一者之一中心 點位於一其中臨近單元像素之四個角部分通常會合之點 處。 114397-981223.doc 1326123 5. 如請求項4之影像感應器，其中該等虛設金屬線中每一者 以一選自一由四邊形、十字形及菱形組成之群的形狀而 形成。 6. 如請求項2之影像感應器，其中該光電二極體配置於每一 單元像素之一中心部分中，且該等虛設金屬線中每一者 配置於一其中臨近單元像素之四個角通常會合之部分中 且以一選自多邊形及不規則形圖形之一群的形狀而形 成。
7. 一種影像感應器，其劃分成一像素區及一周邊區，該影 像感應器包含： 光電一極體，其形成於該像素區中之一基板中； 第一至第Μ金屬線，其形成於該像素區中之該基板上， 其中]VI為一大於1之自然數； 第一至第Ν金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上， 其中Ν為一大於μ之自然數；
至少—層虛設金屬線，其形成於該等第Μ金屬線上以覆 蓋一未與該光電二極體重疊之部分；及 祕透鏡’其形成於該一層虛設金屬線上以與該光電 一極體相重疊。 8·如請求項7之影像感應器，其中該等虛設金屬線以至少一 層至Κ個層而形成，其中Κ為（Ν-Μ) + 1之一值，其中該反 個層形成為齊平於該Ν個金屬線及齊平於形成在該Ν個金 屬線之間的通道接觸件。 9·如請求項8之影像感應器，其中該等虛設金屬線係與金屬 114397-981223.doc -2- 1326123 線形成於該周邊區中之該等第^^金屬線上同時地形成，該 等虛設金屬線與該等金屬線齊平。 10.種衫像感應器，其劃分成一像素區及一周邊區，該影 像感應器包含： 一光電二極體，其形成於該像素區中之一基板中； 第一至第Μ金屬線，其形成於該像素區中之該基板上， 其中Μ為一大於1之自然數； 第一至第Ν金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上， 其中Ν為一大於μ之自然數； 至少一層虛設金屬線，其藉由在該等虛設金屬線與該 等第Μ金屬線之間具有一絕緣層而形成於該等第Μ金屬 線上’但形成為不與該光電二極體相重疊；及 一微透鏡，其形成於該一層虛設金屬線上以與該光電 二極體相重疊。 11 ·如请求項1 〇之影像感應器，其中該一層虛設金屬線及該 絕緣層係與一電容器之一電極及一介電層分別形成於該 周邊區中同時地形成。 12·如請求項1〇之影像感應器，其中該一層虛設金屬線、該 絕緣層及該等第Μ金屬線充當該周邊區中之一電容器。 13 · —種影像感應器，其劃分成一像素區及一周邊區，該影 像感應器包含： 一光電二極體，其形成於該像素區中之一基板中； 第一至第Μ金屬線’其形成於該像素區中之該基板上， 其中Μ為一大於1之自然數； 114397-981223.doc 1326123 第一至第N金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上， 其中N為一大於Μ之自然數； 至少一層虛設金屬線，其形成為與該等第Μ金屬線接觸 而不與該光電二極體相重疊，該虛設金屬線用作一通道 接觸件且包括一金屬；及 一微透鏡’其形成於該一層虛設金屬線上以與該光電 二極體相重疊。 14. 15. 16. 如明求項13之影像感應器，其中該等虛設金屬線係與通 道接觸件形成於該周邊區中同時地形成，該等金屬線與 該等通道接觸件齊平。 一種影像感應器，其劃分成一像素區及一周邊區，該影 像感應器包含： —光電二極體，其形成於該像素區中之一基板中； 第—至第Μ金屬線，其形成於該像素區中之該基板上， 其中]VI為一大於1之自然數； 第—至第Ν金屬線，其形成於該周邊區中之一基板上， 其中Ν為一大於μ之自然數； 至少一層第一虛設金屬線，其形成於該等第Μ金屬線上 而不與該光電二極體相重疊； 至少一層第二虛設金屬線，其形成為與該一層第一虛 設金屬線接觸；及 微透鏡’其形成於該一層第二虛設金屬線上以與該 光電二極體相重疊。 如請求項15之影像感應器，其中該等第一虛設金屬線係 114397-981223.doc 1326123
與金屬線形成於該周邊區中同時地形成，該等第一虛設 金屬線與該等金屬線齊平；且該等第二虛設金屬線係與 通道接觸件形成於該周邊區中同時地形成，該等第二虛 設金屬線與該等通道接觸件齊平。 114397-981223.doc
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