KR20060077146A - 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060077146A KR20060077146A KR1020040115943A KR20040115943A KR20060077146A KR 20060077146 A KR20060077146 A KR 20060077146A KR 1020040115943 A KR1020040115943 A KR 1020040115943A KR 20040115943 A KR20040115943 A KR 20040115943A KR 20060077146 A KR20060077146 A KR 20060077146A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photodiode
- forming
- microlens
- image sensor
- insulating
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 101000864342 Homo sapiens Tyrosine-protein kinase BTK Proteins 0.000 description 12
- 102100029823 Tyrosine-protein kinase BTK Human genes 0.000 description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 101000621427 Homo sapiens Wiskott-Aldrich syndrome protein Proteins 0.000 description 7
- 102100023034 Wiskott-Aldrich syndrome protein Human genes 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 102100026234 Cytokine receptor common subunit gamma Human genes 0.000 description 6
- 101001055227 Homo sapiens Cytokine receptor common subunit gamma Proteins 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 208000037909 invasive meningococcal disease Diseases 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 102100032937 CD40 ligand Human genes 0.000 description 4
- 101000868215 Homo sapiens CD40 ligand Proteins 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 마이크로렌즈와 포토다이오드 사이의 거리 증가에 따른 광 효율 감소를 줄일 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판에 제공된 포토다이오드; 상기 포토다이오드 상부에 제공되며 복수의 절연막에 의해 분리된 복수의 메탈라인; 및 상기 포토다이오드와 오버랩되는 상부에 제공된 마이크로렌즈를 구비하며, 상기 마이크로렌즈는 상기 복수의 절연막 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 본 발명은, 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상에 제1메탈라인을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 제1절연막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈가 형성된 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연막 상에 제2메탈라인을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
이미지센서, 칼라필터, IMD, PMD, 메탈라인, OCL, 마이크로렌즈.
Description
도 1은 CMOS 이미지센서의 단위화소의 배열을 도시한 평면도.
도 2는 RGB 색상이 모두 나타나도록 도 1을 a-a' 방향으로 절취한 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
300 : 기판 301 : 필드산화막
302 : 트랜스퍼 게이트 303 : 포토다이오드
304 : 플로팅 확산영역 305 : PMD
306 : M1 307 : IMD1
308 : M2 309 : 마이크로렌즈
310 : IMD2 311 : M3
312 : IMD3 313 : M4
314 : IMD4 315 : 칼라필터
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 포토다이오드와 마이크로렌즈 사이의 거리 증가로 인한 광전 효율 감소를 줄일 수 있는 이미지센서 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서는 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이 중에서 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
반면, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하며, 화소 수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
도 1은 CMOS 이미지센서의 단위화소의 배열을 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 빛의 3원색인 RGB의 색상을 캡쳐하기 위한 각각의 단위화소가 격자 구조로 배치되어 있다.
도 2는 RGB 색상이 모두 나타나도록 도 1을 a-a' 방향으로 절취한 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 고농도의 P형(P++) 영역과 에피층(P-epi)이 적층된 구조를 갖는 기판(100)에 국부적으로 필드산화막(101)이 형성되어 있으며, 기판(100) 상에는 트랜스퍼 게이트(도시하지 않음)를 포함한 복수의 게이트전극이 형성되어 있으며, 예컨대, 트랜스퍼 게이트의 일측에 얼라인된 기판(100)의 표면 하부에 깊은 이온주입에 의한 N영 영역(도시하지 않음)과 기판(100)의 표면과 접하는 영역에 위치한 P형 영역(도시하지 않음)으로 이루어진 포토다이오드(102, 이하 PD라 함)가 형성되어 있다. 도면에 도시되지는 않았지만, 이 경우 트랜스퍼 게이트의 타측에 얼라인된 기판(100)의 표면 하부에 이온주입에 의한 고농도 N형(N+)의 플로팅 확산영역이 형성된다.
PD(102) 및 트랜스퍼 게이트가 형성된 상부에는 적층 구조를 이루는 복수의 메탈라인과 복수의 절연막이 혼합된 구조(103)가 형성되어 있다.
복수의 메탈라인은 전원라인 또는 신호라인과 단위화소 및 로직회로를 접속시키기 위한 것으로, PD(102) 이외의 영역에 빛이 입사하는 것을 방지하기 위한 쉴드의 역할을 동시에 한다.
복수의 메탈라인과 복수의 절연막이 혼합된 구조(103) 상에는 메탈라인 형성 에 따른 단차 발생을 줄이기 위한 제1오버코팅 레이어(104, Over Coating Layer-1; 이하 OCL1이라 함)가 형성되어 있으며, OCL1 상에는 각 단위화소 별로 RGB 색상 구현을 위한 칼라필터 어레이(105, Color Filter Array; 이하 CFA라 함)가 형성되어 있다.
통상의 빛의 3원색인 R(Red)G(Green)B(Blue)를 사용하나, 이외에도 보색인 옐로우(Y; Yellow), 마젠타(Magenta; Mg), 시안(Cyan; Cy)을 사용할 수 있다.
CFA(105) 상에는 CFA(105) 형성에 따라 발생된 단차를 줄여 마이크로렌즈 형성시 공정 마진 확보를 위한 제2오버코팅 레이어(106, 이하 OCL2라 함)이 형성되어 있으며, OCL2 상에는 마이크로렌즈(107, Micro-Lens; 이하 ML이라 함)가 형성되어 있다.
ML 상에는 ML이 긁히거나 파손되는 것을 방지하기 위한 보호막이 형성되며, 여기서는 보호막은 생략하였다.
따라서, 입사된 빛은 ML(107)에 의해 포커싱되어 PD(102)로 입사한다.
상기한 구조를 갖는 종래의 CMOS 이미지센서에서 ML(107)과 PD(102) 사이에는 복수의 절연막(PMD, IMD1 ∼ IMDn(n은 보다 큰 자연수), OCL1, OCL2)과 복수의 메탈라인(M1 ∼ Mn) 등을 포함하고 있다.
이러한 적층 구조는 ML(107)과 PD(102) 사이의 물리적인 거리 증가 뿐만이 아니라 복수의 절연막(PMD, IMD1 ∼ IMDn(n은 보다 큰 자연수), OCL1, OCL2) 들이 서로 다른 굴절율과 반사율을 가짐으로 인해 ML(107)을 통해 입사하는 빛을 이들의 경계면에서 반사 또는 산란시키게 된다.
이미지센서의 집적도가 증가할 수록 메탈라인의 수는 증가할 수 있으므로, 이는 잠재적으로 이미지센서의 광 효율 향상을 위해서는 반드시 해결해야 하는 문제이다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 마이크로렌즈와 포토다이오드 사이의 거리 증가에 따른 광 효율 감소를 줄일 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판에 제공된 포토다이오드; 상기 포토다이오드 상부에 제공되며 복수의 절연막에 의해 분리된 복수의 메탈라인; 및 상기 포토다이오드와 오버랩되는 상부에 제공된 마이크로렌즈를 구비하며, 상기 마이크로렌즈는 상기 복수의 절연막 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상에 제1메탈라인을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 제1절연막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈가 형성된 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연막 상에 제2메탈라인을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 메탈라인 간 절연막(Inter-Metal Dielectric; 이하 IMD라 함) 사이에 마이크로렌즈를 배치시킨다. 이는 IMD와 그 IMD에 위치하는 메탈라인 형성 후 통상적인 ML 형성 공정을 통해 이루어진다. 메탈라인은 PD와 오버랩되는 부분에는 위치하지 않으므로, IMD 상에 ML을 형성하더라도 큰 문제는 발생하지 않는다.
따라서, 별도의 OCL 형성 공정을 생략할 수 있어, 이로 인한 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 공정 단순화를 이룰 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 CMOS 이미지센서는 포토다이오드(303, 이하 PD라 함)와, PD(303) 상부에 형성된 복수의 메탈라인(306, 308, 311, 313, 이하 M1 ∼ M4라 함)과 메탈라인 사이에 배치된 복수의 메탈라인 간 절연막(307, 310, 312, 314, 이하 IMD1 ∼ IMD4라 함)을 포함하며, PD(303)와 오버랩되는 상부에 위치하는 마이크로렌즈(309, 이하 ML이라 함)가 IMD1 ∼ IMD4(307, 310, 312, 314)에 위치한다.
따라서, ML(309) 형성을 위해 사용되는 OCL을 생략할 수 있으며, ML(309)로부터 PD(303)에 이르는 광 경로 상의 거리를 줄일 수 있다.
도 4의 구성을 보다 구체적으로 살펴본다.
고농도의 P형(P++) 영역과 에피층(P-epi)이 적층된 구조를 갖는 기판(300)에 국부적으로 필드산화막(301)이 형성되어 있으며, 기판(300) 상에는 트랜스퍼 게이트(302)를 포함한 복수의 게이트전극(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 예컨대, 트랜스퍼 게이트의 일측에 얼라인된 기판(300)의 표면 하부에 깊은 이온주입에 의한 N영 영역(도시하지 않음)과 기판(300)의 표면과 접하는 영역에 위치한 P형 영역(도시하지 않음)으로 이루어진 PD(303)가 형성되어 있다.
CMOS 이미지센서의 경우 트랜스퍼 게이트(302) 형성시 리셋 게이트, 드라이브 게이트 및 셀렉트 게이트 등 단위화소를 이루는 요소들이 같이 형성된다.
이 경우 트랜스퍼 게이트(302)의 타측에 얼라인된 기판(300)의 표면 하부에 이온주입에 의한 고농도 N형(N+)의 플로팅 확산영역(304)이 형성된다.
PD(303) 및 트랜스퍼 게이트(302)가 형성된 상부에는 적층 구조를 이루는 복수의 메탈라인 M1 ∼ M4(306, 308, 311, 313)과 IMD1 ∼ IMD4가 혼합된 구조가 형성되어 있다.
복수의 메탈라인은 전원라인 또는 신호라인과 단위화소 및 로직회로를 접속시키기 위한 것으로, PD(303) 이외의 영역에 빛이 입사하는 것을 방지하기 위한 쉴드의 역할을 동시에 한다.
도 4의 실시예에서는 ML(309)이 IMD1(307) 상에 배치되어 IMD2(310)에 의해 둘러 쌓여 있으며, 칼라필터(315)는 그 하부에 위치한다, 칼라필터(315)는 PMD(305) 상에 배치되어 IMD1(307)에 의해 둘러 쌓여 있다.
통상의 빛의 3원색인 RGB를 사용하나, 이외에도 보색인 옐로우(Y), 마젠타(Mg), 시안(Cy)을 사용할 수 있으므로, 칼라필터(315) 또한 이들 중 하나의 색을 사용할 것이다.
ML(309)과 칼라필터(315)가 각각 IMD2(310)와 IMD1(307)의 위치에 배치되어 있으므로, OCL1과 OCL2를 생략할 수 있으며, ML 보호를 위해 사용하는 LTO(Low Temperature Oxide)막 또한 생략할 수 있다.
한편, ML(309)이 IMD1(307) 상에만 국한되어 배치되지 않고, 복수 개의 IMD간에 걸치거나 또는 다른 IMD에 위치할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도이다. 도 4의 일실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 사용하였으며, 그 구체적인 설명은 생략한다.
도 5가 도 4와 다른 점은 칼라필터(315)가 ML(309) 상부에 위치한다는 점이다. 즉, 칼라필터(315)가 IMD2(310) 상에 배치되어 IMD3(312)에 의해 둘러 쌓여 있다.
한편, 칼라필터(315)가 IMD3(312) 상이나 IMD4(314) 상에 위치할 수도 있다.
M4(313)가 최종 메탈라인일 경우에는 도면부호 '314'는 IMD4가 아닌 OCL 또는 보호막이라 칭하는 것이 바람직하다.
도 4 및 도 5와 같은 CMOS 이미지센서의 구성에 의해 ML(309)과 PD(303) 사 이의 거리를 줄여 광 초점을 맞출 수 있으며, OCL과 LTO막을 생략할 수 있으므로 입사하는 광이 거치는 막의 두께를 줄여 광 효율을 높일 수 있다.
이하에서는 상기한 구조를 갖는 이미지센서의 제조 공정을 첨부된 도면을 참조하여 살펴본다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, P++영역과 P-에피층이 적층된 기판(300)에 필드산화막(301)과 웰(도시하지 않음) 등을 형성한다.
이어서, 기판(300)에 게이트전도막(302)을 형성한 다음, 이온주입 방식을 이용하여 게이트전도막 일측에 얼라인되며 깊은 n-영역과 얕은 P0영역을 형성함으로써, 이를 포함하는 복수의 PD(303)를 형성한 다음, 게이트전도막 측벽에 스페이서를 형성한다.
이어서, 게이트전도막의 타측에서 스페이서에 얼라인되는 고농도 N형의 플로팅 확산영역(304)을 형성한다.
이어서, PMD(305)를 형성한 후, 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 CMP라 함) 공정을 실시하여 PMD(305)를 평탄화시킨다.
PMD(305) 상에 통상의 메탈라인 형성 공정을 통해 M1(306)을 형성한다. M1(306) 상에 IMD1(307)을 형성한 후, IMD1(307) 상에 M2(308)를 형성한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 전면에 포토레지스트를 도포한 다음, 마이크로렌즈 형성 영역을 정의하는 마스크를 이용하여 포토레지스트를 선택적으로 노광한 후 현상함으로써, 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이어서, 열처리 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴을 준 액체 상태로 만드는 바, 이 때 포토레지스트 패턴이 녹으면서 포토레지스트 패턴의 표면 장력에 의해 볼록한 모양의 ML(309)이 형성된다.
도 3c에 도시된 바와 같이, ML(309)이 형성된 전면에 IMD2(310)를 형성한 후, CMP 공정을 실시하여 평탄화시킨다.
평탄화시 ML(309)에 무리가 가지 않도록 포토레지스트 패턴 형성시 사용된 마스크를 이용하여 IMD2(310)를 일부 식각한 후, CMP 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
IMD2(310) 상에 M3(311)와 IMD3(312) 및 M4(313)를 차례로 형성한다.
한편, 칼라필터는 도 4 및 도 5와 같은 구조를 갖도록 M1(306) 형성 후, 또는 M3(311) 형성 후 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 마이크로렌즈와 포토다이오드 사이의 거리를 줄여 광 초점을 포토다이오드에 형성할 수 있게 하며, OCL과 LTO막을 생략할 수 있어 투과되는 막의 두께를 감소시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다.
또한, OCL및 LTO 공정을 생략할 수 있어 공정을 단순화시킬 수 있음을 실시예를 통해 알아보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으 나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 상기한 본 발명의 실시예에서는 CMOS 이미지센서를 그 예로 하였으나, 이외에도 수광부와 마이크로렌즈를 갖는 모든 이미지센서에도 적용이 가능하다.
상술한 본 발명은, 광 효율을 높여 이미지센서의 성능을 높이며, 공정을 단순화시켜 생산성을 높이는 효과가 있다.
Claims (7)
- 기판에 제공된 포토다이오드;상기 포토다이오드 상부에 제공되며 복수의 절연막에 의해 분리된 복수의 메탈라인; 및상기 포토다이오드와 오버랩되는 상부에 제공된 마이크로렌즈를 구비하며,상기 마이크로렌즈는 상기 복수의 절연막 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는, 단일의 절연막 또는 복수의 절연막에 걸쳐서 배치된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마이크로렌즈 상부에서 상기 복수의 절연막 사이에 배치된 칼라필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마이크로렌즈 하부에서 상기 복수의 절연막 사이에 배치된 칼라필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계;상기 포토다이오드 상에 제1절연막을 형성하는 단계;상기 제1절연막 상에 제1메탈라인을 형성하는 단계;상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 제1절연막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계;상기 마이크로렌즈가 형성된 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 및상기 제2절연막 상에 제2메탈라인을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제1절연막은 복수의 절연막을 구조를 포함하고, 상기 복수의 절연막 구조 사이에서 상기 마이크로렌즈가 형성될 영역과 오버랩되도록 칼라필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제2메탈라인을 형성하는 단계 후,상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 제2절연막 상에 칼라필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040115943A KR20060077146A (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040115943A KR20060077146A (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060077146A true KR20060077146A (ko) | 2006-07-05 |
Family
ID=37169261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040115943A KR20060077146A (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20060077146A (ko) |
-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040115943A patent/KR20060077146A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5318325B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| US8030723B2 (en) | Image sensor with decreased optical interference between adjacent pixels | |
| US7504681B2 (en) | Image sensor and method for fabricating the same | |
| US7112511B2 (en) | CMOS image sensor having prism and method for fabricating the same | |
| KR100791337B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20060010899A (ko) | 칼라필터를 제거한 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100700267B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20030037295A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20060077082A (ko) | 광 경로가 단축된 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20070023418A (ko) | 집광 효율을 증가시킨 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100817710B1 (ko) | 입사광의 파장에 따라 마이크로렌즈의 곡률반경을 달리한시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20060077146A (ko) | 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20060077084A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20050122746A (ko) | 청색광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 | |
| KR20060114414A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100718771B1 (ko) | 광 감도가 향상된 이미지센서의 제조방법 | |
| KR20060010907A (ko) | 광 포커싱 능력을 높일 수 있는 이미지센서 | |
| KR20060077083A (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| KR20060062475A (ko) | 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법 | |
| KR20060077085A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20070029447A (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20060078061A (ko) | 씨모스 이미지센서의 메탈 라인 형성 방법 | |
| KR20060010892A (ko) | 청색광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 | |
| KR20060077145A (ko) | 집광 효율을 높인 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20060010901A (ko) | 초점 거리를 증가시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |