KR20070029447A - 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20070029447A
KR20070029447A KR1020050084233A KR20050084233A KR20070029447A KR 20070029447 A KR20070029447 A KR 20070029447A KR 1020050084233 A KR1020050084233 A KR 1020050084233A KR 20050084233 A KR20050084233 A KR 20050084233A KR 20070029447 A KR20070029447 A KR 20070029447A
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Abstract

본 발명은 공정을 단순화하면서 마이크로 렌즈로부터 집광되어 포토 다이오드로 입사되는 빛의 투과율을 향상시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 포토 다이오드를 포함하는 하부구조가 완료된 기판 상부를 평탄화하기 위하여 상기 기판 상에 형성되고, 상기 포토 다이오드와 대응되는 부위에 홈을 갖는 평탄화막과, 상기 평탄화막의 상기 홈 내에 적층되어 형성된 칼라필터와, 상기 칼라필터 상부에 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
이미지 센서, CMOS, CCD, 칼라필터, 평탄화막, 보상막, 마이크로 렌즈

Description

시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법{CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 일반적인 CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
도 2는 종래기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서를 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 도 3에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 도시한 공정 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 110 : P++ 기판 11, 111 : P-에피층
12, 112 : 소자 분리막 13, 113 : 게이트 절연막
14, 114 : 폴리 실리콘막 15, 115 : n- 도핑영역
16, 116 : 스페이서 17, 117 : P°도핑영역
18, 118 : n+ 도핑영역 19, 119 : 층간 절연막
20 : 하부 평탄화막 21, 122 : 칼라필터
22 : 상부 평탄화막 23, 123a : 마이크로 렌즈
24 : 패시베이션층 120 : 평탄화막
121 : 홈
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 CCD(Charge Coupled Device) 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근들어 디지털 카메라(digital camera)는 인터넷을 이용한 영상통신의 발전과 더불어 그 수요가 폭발적으로 증가하고 있는 추세에 있다. 더욱이, 카메라가 장착된 PDA(Personal Digital Assistant), IMT-2000(International Mobile Telecommunications-2000), CDMA(Code Division Multiple Access) 단말기 등과 같은 이동통신단말기의 보급이 증가됨에 따라 소형 카메라 모듈의 수요가 증가하고 있다.
카메라 모듈로는 기본적인 구성요소가 되는 CCD(Charge Coupled Device)나 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서를 이용한 이미지 센서 모듈이 널리 보급되어 사용되고 있다. 이미지 센서는 칼라 이미지를 구현하기 위하여 외부로부터 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부 상부에 칼라필 터가 정렬되어 있다. 이러한 칼라필터 어레이(Color Filter Array, CFA)는 레드(Red; R), 그린(Green; G) 및 블루(Blue; B) 또는, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다. 통상적으로, CMOS 이미지 센서의 칼라필터 어레이에는 레드(R), 그린(G) 및 블루(B)의 3가지 칼라가 많이 사용된다.
이러한 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 전술한 바와 같이 CCD와 CMOS 이미지 센서가 개발되어 널리 상용화되어 있다. CCD는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다. 반면, CMOS 이미지 센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고, 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
그러나, CCD는 구동방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 수가 많이 필요하여 공정이 복잡하고, 시스날 프로세싱(signal processing) 회로를 CCD 칩 내에 구현할 수 없어 원칩(one chip)화가 곤란하다는 여러 단점이 있는 바, 최근에는 이러한 CCD의 단점을 극복하기 위하여 서브 마이크론(sub-micron) CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지 센서의 개발에 대한 연구가 열정적으로 이루어지고 있다.
CMOS 이미지 센서는 단위 화소(pixel) 내에 포토 다이오드(photo diode)와 MOS 트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, CMOS 제조기술을 이용하므로 전력 소모도 적고, 마스크 수도 대략 2O개 정도로 30~40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며, 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지 센서로 각광을 받고 있다.
보편적으로, CMOS 이미지 센서는 빛을 감지하는 광감지부와, 광감지부를 통해 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로부로 구성되어 있으며, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지 센서에서 광감지부의 면적이 차지하는 비율(Fill Facter)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있다. 하지만, 근본적으로 로직회로부를 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서, 광감도를 높이기 위하여 광감지부 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지 센서는 칼라필터 상에 마이크로 렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
도 1은 일반적인 CMOS 이미지 센서의 단위 화소(pixel)를 도시한 회로도이다.
도 1을 참조하면, CMOS 이미지 센서의 단위 화소는 하나의 포토 다이오드(Photo Diode, PD)와 4개의 MOS 트랜지스터로 이루어지며, 4개의 MOS 트랜지스터는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(MD) 및 셀렉터 트랜지스터(Sx)로 이루어진다. 단위 화소 외부에는 출력신호를 독출할 수 있도 록 로드(load) 트랜지스터가 형성된다. 미설명된 도면부호 'Cfd'는 플로팅 확산의 캐패시턴스를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 일반적인 CMOS 이미지 센서의 단위 화소 중에서 하부 구조로 포토 다이오드(PD)와 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극만을 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, p++ 실리콘 기판(10) 상에 저농도의 P-에피층(P-epi, 11)을 성장시킨 후 소정 영역에 소자 분리막(12)을 형성한다. 그런 다음, 기판(10) 상에 게이트 산화막(13) 및 폴리 실리콘막(14)을 순차적으로 증착한 후 식각하여 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx)을 형성한다. 그런 다음, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx)을 정의하기 위해 식각 마스크로 사용된 게이트 패턴 마스크를 제거하지 않고 그 상부에 n-이온주입 마스크를 형성한 후 n-이온주입 마스크를 이용한 저농도 n-이온주입공정을 실시하여 p-에피층(11) 내에 n- 도핑영역(15)을 형성한다.
이어서, 게이트 패턴 마스크와 n-이온주입 마스크를 제거한 후 P0 이온주입 마스크를 형성한 후 PO 이온주입 마스크를 이용한 P0 이온주입공정을 실시하여 소자 분리막(12)과 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx) 사이의 웨이퍼 상부면에 P0 도핑영역(17)을 형성한다. 그런 다음, 스트립 공정을 실시하여 P0 이온주입 마스크를 제거한 후 n+ 이온주입 마스크를 이용한 n+ 이온주입공정을 실시하여 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 구조(Tx)와 소자 분리막(12) 사이에 n+ 도핑영역(18)을 형성한다.
이어서, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 구조(Tx)를 포함하는 전체 구조 상부에 복수의 층간 절연막(19)과, 각 층간 절연막(19) 간에 회로 배선으로 복수의 금속배선을 형성한다.
이하에서는 층간 절연막과 금속배선까지 완료된 구조를 하부구조로 나타낸다.
이어서, 하부구조 상부에 OCL(Over Coating Layer)로 하부 평탄화막(20)을 형성한 후 포토 다이오드 영역(PD)과 대응되는 하부 평탄화막(20) 상부에 칼라 이미지 구현을 위한 3가지 색의 칼라필터(21)를 형성한다. 그런 다음, 칼라필터(21)를 덮도록 상부 평탄화막(22)을 형성한 후 그 상부에 칼라필터(21)와 대응되도록 마이크로 렌즈(23)를 형성한다. 그런 다음, 그 상부에 최종 패시베이션층(24)을 형성한다.
상기에서 설명한 바와 같이, 종래기술에 따른 CMOS 이미지 센서에서는 레드(R), 그린(G) 및 블루(B) 포토레지스트 패턴 형성공정을 연속적으로 진행하는 과정에서 노광 공정시 마스크 오정렬(mask misalign) 또는 칼라필터 어레이 패턴의 바이어스에 의해 마스크에 인접하여 정의된 대로 레드(R), 그린(G) 및 블루(B) 포토레지스트 패턴이 구현되지 않고 인접하는 칼라필터 간에 오버랩(overlap)이 발생하게 된다. 이에 따라, 오버랩되는 부위에서 단차가 유발되어 마이크로 렌즈의 균일 한 형성을 위해 칼라필터를 형성한 후 다시 OCL층으로 상부 평탄화막을 형성하여야만 한다.
이처럼 종래기술에 따른 CMOS 이미지 센서는 칼라필터의 상부에 평탄화막을 형성하는 구조로 이루어진다. 칼라필터, 평탄화막 및 마이크로 렌즈가 모두 포토레지스트막으로 이용하여 형성함에 따라 마이크로 렌즈를 통해 집광되는 빛이 포토 다이오드로 수광되는 과정에서 이러한 층들에 의해 투과율이 저하되는 문제가 발생된다. 더욱이, 칼라필터를 형성한 후 추가로 평탄화막을 형성함에 따라 막 형성 및 패터닝 공정이 추가되어 공정 수가 증가하고, 이로 인하여 공정이 복잡해지는 문제가 발생된다.
한편, 미설명된 'FD'는 플로팅 확산영역이다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 공정을 단순화하면서 마이크로 렌즈로부터 집광되어 포토 다이오드로 입사되는 빛의 투과율을 향상시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 일측면에 따른 본 발명은 포토 다이오드를 포함하는 하부구조가 완료된 기판 상부를 평탄화하기 위하여 상기 기판 상에 형성되 고, 상기 포토 다이오드와 대응되는 부위에 홈을 갖는 평탄화막과, 상기 평탄화막의 상기 홈 내에 적층되어 형성된 칼라필터와, 상기 칼라필터 상부에 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
또한, 상기 칼라필터는 인접한 것끼리 0.1~0.5㎛ 정도 이격되도록 형성된다.
또한, 상기 홈의 깊이는 상기 칼라필터의 두께보다 크거나 같게 형성한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 다른 측면에 따른 본 발명은 포토 다이오드를 포함하는 하부구조가 완료된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 포토 다이오드와 대응되는 부위의 상기 평탄화막에 홈을 형성하는 단계와, 상기 평탄화막의 상기 홈 내에 칼라필터를 형성하는 단계와, 상기 칼라필터 상부에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 홈의 깊이는 상기 칼라필터의 두께보다 크거나 같게 형성한다.
또한, 상기 칼라필터는 인접한 것끼리 0.1~0.5㎛ 정도 이격되도록 형성한다.
또한, 상기 마이크로 렌즈를 형성하는 단계는 상기 칼라필터를 포함하는 전체 구조 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 포토레지스트를 노광하는 단계와, 상기 노광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 큐어링하는 단계를 포함하는 시모스 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 칼라필터의 폭보다 0.1~1㎛ 정도 작게 형성한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이며, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나, 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
실시예
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서를 설명하기 위하여 도시한 단면도이다. 여기서는 설명의 편의를 위해 CMOS 이미지 센서의 단위 화소 중에서 하부 구조로 포토 다이오드(PD)와 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극만을 도시하였다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서는 n-도핑영역(115) 및 P°도핑영역(117)으로 이루어진 포토 다이오드와, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 포함하는 트랜지스터들과, 그리고 복수의 층간 절연막(119) 및 금속배선을 포함하는 하부구조까지 완료된 기판(110) 상부에 형성되고, 포토 다이오드 영역(PD)과 대응되는 영역에 홈(도 3b의 '123'참조)이 형성된 평탄화막(120)과, 평탄화막(120)의 홈(121)에 형성된 칼라필터(122)와, 칼라필터(122) 상부에 형성된 마이크로 렌즈(123a)를 포함한다.
이처럼 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서에서는 포토 다이오드 영역(PD)에 대응되는 부위의 평탄화막(120)에 홈(121)을 형성한 후 칼라필터(124)를 그 홈(121)에 자기정렬시킴으로써 종래기술에서와 같이 인접한 칼라필터 간의 오버랩에 의한 단차가 전혀 발생되지 않는다. 이에 따라, 칼라필터를 형성한 후 추가로 평탄화막을 형성할 필요가 없어 종래기술에 비해 평탄화막 증착 및 패터닝 공정을 진행할 필요가 없어 그 만큼 공정 수가 감소되어 공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 마이크로 렌즈(123a)와 칼라필터(122) 사이에 평탄화막이 개재되지 않아 마이크로 렌즈(123a)로 집광된 빛이 포토 다이오드로 수광되는 투과율을 향상시킬 수 있다.
이하에서는, 도 3에 도시된 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 설명하기로 한다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, p++ 실리콘 기판(110) 상에 저농도의 P-에피층(P-epi, 111)을 성장시킨 후 소정 영역에 소자 분리막(112)을 형성한다. 이때, 소자 분리막(112)은 반도체 분야에서 널리 사용되는 STI(Shallow Trench Isolation) 공정을 이용하여 피복성이 높은 HDP(High Density Plasma) 산화막으로 형성한다.
이어서, 기판(110) 상에 게이트 산화막(113) 및 폴리 실리콘막(114)을 순차적으로 증착한 후 마스크 공정 및 식각공정을 실시하여 게이트 산화막(113) 및 폴리 실리콘막(114)을 식각한다. 이로써, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx)이 형성된다.
이어서, 마스크 공정을 통해 n-이온주입 마스크를 형성한 후 n-이온주입 마스크를 이용한 저농도 n-이온주입공정을 실시하여 p-에피층(111) 내에 n- 도핑영역(115)을 형성한다.
이어서, 마스크 공정을 통해 P0 이온주입 마스크를 형성한 후 PO 이온주입 마스크를 이용한 P0 이온주입공정을 실시하여 소자 분리막(112)과 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(Tx) 사이의 웨이퍼 상부면에 P0 도핑영역(117)을 형성한다. 이로써, 포토 다이오드 영역(PD)에 n- 도핑영역(115)과 P0 도핑영역(117)으로 이루어진 포토 다이오드가 형성된다.
이어서, 마스크 공정을 통해 n+ 이온주입 마스크를 이용한 n+ 이온주입공정을 실시하여 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 구조(Tx)와 소자 분리막(112) 사이에 n+ 도핑영역(118)을 형성한다.
이어서, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 구조(Tx)를 포함하는 전체 구조 상부에 복수의 층간 절연막(119)과, 각 층간 절연막(119) 간에 회로 배선으로 복수의 금속배선을 형성한다.
이하에서는 층간 절연막과 금속배선까지 완료된 구조를 하부구조로 나타낸다.
이어서, 하부구조 상부를 평탄화하기 위하여 OCL(Over Coating Layer)로 평탄화막(120)을 형성한다. 이때, 평탄화막(120)은 포지티브 포토레지스트로 형성한다.
이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 평탄화막(120) 중 포토 다이오드 영역(PD)과 대응되는 부위 중 일부를 리세스(recess)시켜 홈(121)을 형성한다. 이때, 홈(121)의 깊이는 후속 공정을 통해 형성되는 칼라필터(122)의 두께를 넘지 않는 범위를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 이는, 후속 공정을 통해 칼라필터(122)의 상부에 형성될 마이크로 렌즈(123a) 간의 브릿지(bridge) 현상을 방지하기 위함이다.
이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 평탄화막(120)의 홈(121) 내부에 칼라필터(122)를 형성한다. 이때, 칼라필터(122)는 염색된 유기물 포토레지스트를 이용하여 형성하며, 인접하는 칼라필터 간의 오버랩이 발생되지 않도록 패터닝되도록 포토 오버랩 마진(photo overlap margin)을 고려하여 인접한 칼라필터가 0.1~0.5㎛ 정도 이격되도록 형성한다.
이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 칼라필터(122) 상부에 마이크로 렌즈용 포토레지스트를 도포한 후 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 실시하여 마이크로 렌즈 패턴(123)을 형성한다. 이때, 마이크로 렌즈 패턴(123)은 후속 큐어링(curing) 공정인 리플로우(reflow) 공정시 마이크로 렌즈가 하부 칼라필터(122)에 자동 정렬되도록 칼라필터(122)의 폭보다 0.1~1㎛ 정도(R) 작게 패터닝하여 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 큐어링 공정을 실시하여 마이크로 렌즈(123a)를 형성한다.
한편, 미설명된 'FD'는 플로팅 확산영역이고, '124'는 패시베이션층이다.
본 발명의 기술 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 이 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예들이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 포토 다이오드 영역과 대응되는 부위의 평탄화막에 홈을 형성한 후 그 내부에 인접한 것끼리 이격되도록 칼라필터를 자동 정렬시켜 형성하여 인접한 칼라필터 간의 오버랩에 의한 단차를 방지함으로써 상부 평탄화막 형성공정을 생략하는 것이 가능하여 제조공정을 단순화할 수 있으며, 또한 상부 평탄화막 형성에 의한 광 손실을 방지하여 광효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 포토 다이오드를 포함하는 하부구조가 완료된 기판 상부를 평탄화하기 위하여 상기 기판 상에 형성되고, 상기 포토 다이오드와 대응되는 부위에 홈을 갖는 평탄화막;
    상기 평탄화막의 상기 홈 내에 적층되어 형성된 칼라필터;
    상기 칼라필터 상부에 형성된 마이크로 렌즈
    를 포함하는 시모스 이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 칼라필터는 인접한 것끼리 0.1~0.5㎛ 정도 이격되도록 형성된 시모스 이미지 센서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 홈의 깊이는 상기 칼라필터의 두께보다 크거나 같게 형성하는 시모스 이미지 센서.
  4. 포토 다이오드를 포함하는 하부구조가 완료된 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 평탄화막을 형성하는 단계;
    상기 포토 다이오드와 대응되는 부위의 상기 평탄화막에 홈을 형성하는 단계;
    상기 평탄화막의 상기 홈 내에 칼라필터를 형성하는 단계; 및
    상기 칼라필터 상부에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계
    를 포함하는 시모스 이미지 센서의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 홈의 깊이는 상기 칼라필터의 두께보다 크거나 같게 형성하는 시모스 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 칼라필터는 인접한 것끼리 0.1~0.5㎛ 정도 이격되도록 형성하는 시모스 이미지 센서의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈를 형성하는 단계는,
    상기 칼라필터를 포함하는 전체 구조 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계;
    상기 포토레지스트를 노광하는 단계;
    상기 노광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 큐어링하는 단계
    를 포함하는 시모스 이미지 센서의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴은 상기 칼라필터의 폭보다 0.1~1㎛ 정도 작게 형성하는 시모스 이미지 센서의 제조방법.
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KR101010375B1 (ko) * 2008-08-06 2011-01-21 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법

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