KR20060010899A - 칼라필터를 제거한 이미지센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20060010899A
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Abstract

본 발명은 칼라필터를 사용하지 않고도 칼라를 구현하여 공정 수율을 증가시키고, 이를 통한 원가절감 및 칩 전체의 성능을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 제1파장의 칼라 구현을 위한 제1단위화소 영역에서는 제1의 두께로 식각되고, 상기 제1파장에 비해 짧은 제2파장의 칼라 구현을 위한 제2단위화소 영역에서는 상기 제1의 두께에 비해 큰 제2의 두께로 식각되며, 상기 제2파장에 비해 짧은 제3파장의 칼라 구현을 위한 제3단위화소 영역에서는 상기 제2의 두께에 비해 큰 제3의 두께로 식각된 기판; 상기 제1단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 제1의 깊이로 형성된 제1포토다이오드; 상기 제2단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제1의 깊이 보다 큰 제2의 깊이로 형성된 제2포토다이오드; 및 상기 제3단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제2의 깊이 보다 큰 제3의 깊이로 형성된 제3포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기한 구조를 갖는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
칼라필터, 침투 깊이, 광감도, 단위화소, RBG, CMgCy.

Description

칼라필터를 제거한 이미지센서 및 그 제조 방법{IMAGE SENSOR WITH REMOVED COLOR FILTER AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF}
도 1은 RGB 색상이 모두 나타난 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서의 형성 공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
300 : 기판 PD1, PD2, PD3 : 포토다이오드
ML : 마이크로렌즈
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 칼라필터를 없애므로써 칼라필터 로 인한 광손실일 방지하고 구조및 공정을 단순화할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서는 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이 중에서 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
반면, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하며, 화소 수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CMOS 이미지센서는 CCD에 비해 전전력 소비, 저가 등의 장점이 있으나, 하나의 단위화소에서는 하나의 칼라 만을 구현할 수 있어, 각 화소에 해당 필터를 사용하여 백색광으로부터 원하는 파장의 빛만을 필터링하여 구현한 후, 보간(Interpolation) 등의 방법으로 각 화소당 RGB 값을 산출하여 복원한다.
도 1은 RGB 색상이 모두 나타난 이미지센서의 단위화소를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 고농도의 P형(P++) 영역과 에피층(P-epi)이 적층된 구조를 갖는 기판(도시하지 않음) 상에 트랜스퍼 게이트를 포함한 복수의 게이트전극(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 트랜스퍼 게이트의 일측에 얼라인된 기판의 표면 하부에 깊은 이온주입에 의한 N형 영역(DEEP N-)과 기판의 표면과 접하는 영역에 위치한 P형 영역(P0)으로 이루어진 포토다이오드(PD)가 형성되어 있다.
포토다이오드(PD) 및 트랜스퍼 게이트가 형성된 전면에는 메탈라인 형성 전 절연막(Pre-Metal Dielectric; 이하 PMD라 함)과 제1메탈라인(M1), 제1메탈라인 간 절연막(Inter-Metal Dielectric-1; 이하 IMD1이라 함), 제2메탈라인(M2), 제2메탈라인 간 절연막(IMD2), 제3메탈라인(M3), 하부 구조의 보호(Passivation)를 위한 보호막(Passivation Layer; 이하 PL이라 함), 칼라필터 형성시 공정 마진 확보를 위한 제1평탄화막(제1오버코팅 레이어(Over Coating Layer); 이하 OCL1이라 함) 등이 형성되어 있으나, 도면의 간략화를 위해 생략하였다.
OCL1 상에는 각 단위화소 별로 RGB 색상 구현을 위한 칼라필터 어레이(Color Filter Array; 이하 CFA라 함)가 형성되어 있다.
통상의 빛의 3원색인 R(Red)G(Green)B(Blue)를 사용하나, 이외에도 보색인 옐로우(Y; Yellow), 마젠타(Magenta; Mg), 시안(Cyan; Cy)을 사용할 수 있다.
CFA 상에는 마이크로렌즈 형성시 공정 마진 확보를 위한 제2평탄화막(도시하지 않음, 이하 OCL2라 함)이 형성되어 있으며, OCL2 상에는 마이크로렌즈(Micro-Lens; 이하 ML이라 함)가 형성되어 있다.
여기서, 입사된 빛은 마이크로렌즈(ML)에 의해 포커싱되어 포토다이오드(PD)로 입사한다.
최근의 모든 이미지센서는 CFA를 사용하고 있으며, 기술이 발전함에 따라 미세선폭 회로를 구현한 이미지센서들이 출시되고 있다. 기술의 발전에 다라 단위화소의 사이즈는 물론이거니와 전체 칩 사이즈 역시 아주 작아지고 있다. 이에 따라 각 칼라필터의 사이즈도 감소한다.
CFA를 만드는 물질은 폴리머(Polymer) 계열로 실제 공정에서는 매우 다루기 까다로운 물질이며, 소자의 불량 확률을 증가시킬 개연성이 높다. 이에 그치지 않고 CFA를 이루는 폴리머 계열의 물질은 각 단위화소로 입사하는 빛의 많은 부분을 차단하는 역할까지 겸하여 칩의 전체적인 성능을 떨어뜨리는 주요한 역할을 한다.
이는 칼라필터라는 것이 특정 파장대의 빛만을 선택적으로 통과시키게 되어 있지만 칼라필터의 특성상 완전한 필터링이 불가능하기 때문이다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 칼라필터를 사용하지 않고도 칼라를 구현하여 공정 수율을 증가시키고, 이를 통한 원가절감 및 칩 전체의 성능을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1파장의 칼라 구현을 위한 제1단위화소 영역에서는 제1의 두께로 식각되고, 상기 제1파장에 비해 짧은 제2파장의 칼라 구현을 위한 제2단위화소 영역에서는 상기 제1의 두께에 비해 큰 제2의 두께로 식각되며, 상기 제2파장에 비해 짧은 제3파장의 칼라 구현을 위한 제3단위화소 영역에서는 상기 제2의 두께에 비해 큰 제3의 두께로 식각된 기판; 상기 제1단위화 소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 제1의 깊이로 형성된 제1포토다이오드; 상기 제2단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제1의 깊이 보다 큰 제2의 깊이로 형성된 제2포토다이오드; 및 상기 제3단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제2의 깊이 보다 큰 제3의 깊이로 형성된 제3포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1파장의 칼라 구현을 위한 제1단위화소 영역에서는 제1의 두께, 상기 제1파장에 비해 짧은 제2파장의 칼라 구현을 위한 제2단위화소 영역에서는 상기 제1의 두께에 비해 큰 제2의 두께, 상기 제2파장에 비해 짧은 제3파장의 칼라 구현을 위한 제3단위화소 영역에서는 상기 제2의 두께에 비해 큰 제3의 두께로 각각 기판을 식각하는 단계; 상기 식각된 기판 전면에 스크린 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 스크린 산화막을 통해 상기 기판 하부로 선택적인 이온주입을 실시하여 상기 제1단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 제1의 깊이로 제1포토다이오드를 형성하고, 상기 제2단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제1의 깊이 보다 큰 제2의 깊이로 제2포토다이오드를 형성하며, 상기 제3단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제2의 깊이 보다 큰 제3의 깊이로 제3포토다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 칼라필터없이 원하는 색상 구현을 할 수 있도록 파장이 다른 3가지의 칼라 예컨대, RGB 또는 YMgCy에 대해 투과하는 실리콘 기판의 두께를 각각 달 리 적용한다.
이를 위해 3가지 칼라의 단위화소 형성 영역에 각각 다른 깊이로 실리콘 기판을 식각한다. 즉, 파장이 긴 칼라의 단위화소에서는 식각되는 기판의 두께를 얇게 하고, 파장이 짧은 칼라의 단위화소에서는 식각되는 기판의 두께를 얇게 하여 포토다이오드의 깊은 N형 불순물영역(n-영역)의 깊이를 달리한다.
아울러, n-영역 형성 및 P0영역 형성을 위한 이온주입 공정에 모든 칼라의 단위화소에 대해 단일 공정으로 실시할 수 있도록 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 이미지센서는 제1파장의 칼라(예컨대, R 또는 Yellow) 구현을 위한 제1단위화소 영역(a)에서는 제1의 두께(d1)로 식각되고, 제1파장에 비해 짧은 제2파장의 칼라(예컨대, G 또는 Magenta) 구현을 위한 제2단위화소 영역(b)에서는 제1의 두께(d1)에 비해 큰 제2의 두께(d2)로 식각되며, 제2파장에 비해 짧은 제3파장의 칼라(예컨대, B 또는 Cyan) 구현을 위한 제3단위화소 영역(c)에서는 제2의 두께(d2)에 비해 큰 제3의 두께(d3)로 식각된 기판(SUB)과, 제1단위화소 영역(a)에서 식각된 기판(SUB)으로 부터 제1의 깊이(d1')로 형성된 제1포토 다이오드(PD1)와, 제2단위화소 영역(b)에서 식각된 기판(SUB)으로 부터 제1의 깊이(d1') 보다 큰 제2의 깊이(d2')로 형성된 제2포토다이오드(PD2)와, 제3단위화소 영역(c)에서 식각된 기판(SUB)으로 부터 제2의 깊이(d2') 보다 큰 제3의 깊이(d3')로 형성된 제3포토다이오드(PD3)를 구비하여 구성된다.
여기서, 'X'는 식각되기 전 기판(SUB)의 위치를 나타낸다.
제1포토다이오드(PD1)와 제2포토다이오드(PD2) 및 제3포토다이오드(PD3)의 각 하부는 기판(SUB)의 배면으로부터의 거리가 실질적으로 동일하다. 즉, 제1의 두께(d1)와 제1의 깊이(d1')의 합과, 제2의 두께(d2)와 제2의 깊이(d2')의 합 및 제3의 두께(d3)와 제3의 깊이(d3')의 합은 서로 실질적으로 동일하다.
기판(SUB)은 제1도전형(예컨대, P형)의 고농도의 영역(P++)과 제1도전형의 에피 성장 영역(P-epi)으로 이루어지며, 실리콘 재질이다.
제1 내지 제3 포토다이오드(PD1 ∼ PD3)는, a, b, c의 각 영역에서 기판(SUB)의 표면으로부터 기판(SUB) 하부로 확장되어 형성된 제1도전형의 불순물영역(P0)과, 제1불순물영역(P0)과 접하며 제1불순물영역(P0)으로부터 각 포토다이오드(PD1 ∼ PD3)의 형성 깊이(d1', d2', d3') 까지 확장되어 형성된 제2도전형(예컨대, N형)의 제2불순물영역(n-영역)을 포함한다.
각 포토다이오드(PD1 ∼ PD3)와 오버랩되는 상부에는 마이크로렌즈(ML)가 형성되어 있다.
상기한 구성을 갖는 본 발명에서는 제1 내지 제3단위화소 영역(a, b, c)에서는 각각 칼라필터가 없이 각 칼라를 구현할 수 있다.
예컨대, 빛의 3원색인 RGB의 경우 서로 파장이 다르다. 예컨대, R의 경우 약 0.55㎛ ∼ 0.6㎛의 파장을 가지며, G의 경우 약0.45㎛ ∼ 0.55㎛의 파장을 가지며, 의 경우 약 0.35㎛ ∼ 0.45㎛의 파장을 갖는다. 이러한 상대적인 파장의 차이로 인해 파장이 짧은 B 칼라의 경우 G 칼라에 비해 실리콘 기판(SUB)의 투과 깊이가 짧고, G 칼라의 경우 R 칼라에 비해 실리콘 기판(SUB)의 투과 깊이가 짧다.
따라서, 각 칼라 별로 기판(SUB)에 입사하여 전자-정공 쌍(Electron hole pair)을 형성하는 깊이가 달라진다.
본 발명은 이러한 각 칼라별 빛의 파장 차이로 인한 투과 깊이를 감안하여 파장이 짧은 B 칼라 구현을 위한 단위화소 영역(c)에서는 포토다이오드(PD3)의 n-영역의 깊이를 얕게하고, B 칼라에 비해 파장이 긴 G 칼라 구현을 위한 단위화소 영역(b)에서는 포토다이오드(PD2)의 n-영역의 깊이를 'c'에 비해 깊게하며, G 칼라에 비해 파장이 긴 R 칼라 구현을 위한 단위화소 영역(a)에서는 포토다이오드(PD1)의 n-영역의 깊이를 'b'에 비해 깊게 한다.
백색광은 빛의 각 파장들의 집합체이며, 이러한 각 파장의 빛들은 각기 다른 침투 깊이(Penetration depth)를 갖는다. 즉, 실리콘 기판(SUB)을 통과하여 RGB의 파장이 각각 다른 깊이로 침투해 들어간다. 이는 광특성이기 때문에 임의로 조절이 불가능하다.
'a'의 기판(SUB) 표면에 도달한 백색광에서 d1'의 깊이로 들어갈수록 R 칼라를 제외한 칼라의 파장은 모두 소멸되고, R 칼라의 파장을 갖는 빛만이 제1포토다이오드(PD1)에 입사하여 광전자를 생성한다.
'c'의 기판(SUB) 표면에 도달한 백색광에서 d3'의 깊이로 들어가면 R 및 G는 통과하여 소멸되고, B 칼라의 파장을 갖는 빛만이 제3포토다이오드(PD3)에 입사하여 광전자를 생성한다. 'b'의 경우도 마찬가지이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서의 형성 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 전술한 구조를 갖는 이미지센서 제조 공정을 살펴 본다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 가장 짧은 파장대의 칼라를 수광하기 위한 영역(c)에서 d3의 깊이로 기판(300)을 식각한다.
이는 통상의 포토리소그라피 공정을 이용한 마스크 패턴 형성 공정과 이를 이용한 선택적 식각 공정을 통해 이루어진다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 'c' 영역에 비해 긴 파장대의 칼라를 수광하기 위한 영역(b)에서는 d3의 깊이보다 작은 d2의 깊이로 기판(SUB)을 식각한 다음, 'b' 영역에 비해 긴 파장대의 칼라를 수광하기 위한 영역(a)에서는 d2의 깊이보다 작은 d1의 깊이로 기판(SUB)을 식각한다. 여기서, 'X'는 식각되기 전의 기판(SUB) 표면의 위치를 나타낸다.
한편, 여기서는 (c), (b) 및 (a)의 순으로 식각 공정을 진행하였으나, 식각 순서를 바꾸어서 진행할 수도 있다.
따라서, 가장 긴 제1파장의 칼라(예컨대, R 또는 Yellow) 구현을 위한 단위화소 영역(a)에서는 d1의 두께, 제1파장에 비해 짧은 제2파장의 칼라(예컨대, G 또는 Magenta) 구현을 위한 단위화소 영역(b)에서는 d1에 비해 큰 d2의 두께, 제2파 장에 비해 짧은 제3파장의 칼라(예컨대, B 또는 Cyan) 구현을 위한 단위화소 영역(c)에서는 d2에 비해 d3의 두께로 각각 기판을 식각하게 된다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 각 영역 별로 서로 다른 두께로 식각된 기판(300) 전면에 스크린 산화막(301)을 형성한다.
스크린 산화막(301)은 그 상부가 평탄화되도록 하며, 이로 인해 포토다이오드의 n-영역 형성을 위한 이온주입시 동일한 마스크를 이용하여 한번의 이온주입(302) 공정으로 a, b, c의 영역에 동시에 n-영역(303a, 303b, 303c)을 형성할 수 있으며, 그 두께는 스크린 산화막(301)의 두께에 반비례한다.
따라서, a영역에서는 n-영역(303a)의 두께가 d1' 이고, b영역에서는 n-영역(303b)의 두께가 d2' 이며, c영역에서는 n-영역(303c)의 두께가 d3' 이다.
이어서, 스크린 산화막(301)을 제거한 다음, P0영역이 형성될 영역을 노출시키는 마스크를 이용하거나, 또는 마스크가 없는 블랭킷으로 이온주입 공정(304)을 실시하여 각 영역의 기판(300) 표면 하부에 P0영역(305a, 305b, 305c)을 형성한다.
이어서, 각 메탈라인과 IMD, OCL 및 ML 등을 형성함으로써 도 2의 구조를 형성한다.
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 3가지 칼라의 단위화소 형성 영역에 각각 다른 깊이로 실리콘 기판을 식각하여 파장이 짧은 칼라의 단위화소에서는 식각되는 기판의 두께를 얇게 하여 포토다이오드의 깊은 N형 불순물영역(n-영역)의 깊이를 달리함으로써, 칼라필터로 인한 광손실을 없애고, 그로 인한 공정 단순화를 기할 수 있으며, n-영역 형성 및 P0영역 형성을 위한 이온주입 공정에 모든 칼라의 단위화소에 대해 단일 공정으로 실시할 수 있도록 하여 추가의 마스크 공정을 생략할 수 있음을 실시예를 통해 알아 보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은, 이미지센서의 광감도를 향상시키고 생산 단가를 낮춤으로써, 이미지센서의 성능 및 가격 경쟁력을 높일 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 제1파장의 칼라 구현을 위한 제1단위화소 영역에서는 제1의 두께로 식각되고, 상기 제1파장에 비해 짧은 제2파장의 칼라 구현을 위한 제2단위화소 영역에서는 상기 제1의 두께에 비해 큰 제2의 두께로 식각되며, 상기 제2파장에 비해 짧은 제3파장의 칼라 구현을 위한 제3단위화소 영역에서는 상기 제2의 두께에 비해 큰 제3의 두께로 식각된 기판;
    상기 제1단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 제1의 깊이로 형성된 제1포토다이오드;
    상기 제2단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제1의 깊이 보다 큰 제2의 깊이로 형성된 제2포토다이오드; 및
    상기 제3단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제2의 깊이 보다 큰 제3의 깊이로 형성된 제3포토다이오드
    를 포함하는 이미지센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3단위화소 영역에서는 각각 칼라필터가 없이 각 칼라를 구현하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1포토다이오드와 상기 제2포토다이오드 및 상기 제3포토다이오드의 각 하부는 상기 기판의 배면으로부터의 거리가 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1의 두께와 상기 제1의 깊이의 합과, 상기 제2의 두께와 상기 제2의 깊이의 합 및 상기 제3의 두께와 상기 제3의 깊이의 합은 서로 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 제1도전형의 고농도의 영역과 제1도전형의 에피 성장 영역으로 이루어지며, 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  6. 제 5 항에 있어서.
    상기 제1 내지 제3 포토다이오드는,
    상기 각 영역에서 상기 기판의 표면으로부터 상기 기판 하부로 확장되어 형성된 제1도전형의 불순물영역과, 상기 제1불순물영역과 접하며 상기 제1불순물영역으로부터 각 포토다이오드의 형성 깊이 까지 확장되어 형성된 제2도전형의 제2불순물영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  7. 제1파장의 칼라 구현을 위한 제1단위화소 영역에서는 제1의 두께, 상기 제1파장에 비해 짧은 제2파장의 칼라 구현을 위한 제2단위화소 영역에서는 상기 제1의 두께에 비해 큰 제2의 두께, 상기 제2파장에 비해 짧은 제3파장의 칼라 구현을 위한 제3단위화소 영역에서는 상기 제2의 두께에 비해 큰 제3의 두께로 각각 기판을 식각하는 단계;
    상기 식각된 기판 전면에 스크린 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 스크린 산화막을 통해 상기 기판 하부로 선택적인 이온주입을 실시하여 상기 제1단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 제1의 깊이로 제1포토다이오드를 형성하고, 상기 제2단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제1의 깊이 보다 큰 제2의 깊이로 제2포토다이오드를 형성하며, 상기 제3단위화소 영역에서 상기 식각된 기판으로 부터 상기 제2의 깊이 보다 큰 제3의 깊이로 제3포토다이오드를 형성하는 단계
    를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3단위화소 영역에서는 각각 칼라필터가 없이 각 칼라를 구현하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1포토다이오드와 상기 제2포토다이오드 및 상기 제3포토다이오드의 각 하부는 상기 기판의 배면으로부터의 거리가 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1의 두께와 상기 제1의 깊이의 합과, 상기 제2의 두께와 상기 제2의 깊이의 합 및 상기 제3의 두께와 상기 제3의 깊이의 합은 서로 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  11. 제 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 제1도전형의 고농도의 영역과 제1도전형의 에피 성장 영역으로 이루어지며, 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서.
    상기 제1 내지 제3 포토다이오드는,
    상기 각 영역에서 상기 기판의 표면으로부터 상기 기판 하부로 확장되어 형성된 제1도전형의 불순물영역과, 상기 제1불순물영역과 접하며 상기 제1불순물영역으로부터 각 포토다이오드의 형성 깊이 까지 확장되어 형성된 제2도전형의 제2불순물영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
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