TWI325374B - - Google Patents

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TWI325374B
TWI325374B TW095110898A TW95110898A TWI325374B TW I325374 B TWI325374 B TW I325374B TW 095110898 A TW095110898 A TW 095110898A TW 95110898 A TW95110898 A TW 95110898A TW I325374 B TWI325374 B TW I325374B
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carbon number
recording medium
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TW095110898A
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Takashi Miyazawa
Yutaka Kurose
Original Assignee
Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd
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1325374 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光學記錄媒體等，更詳細的是關於 種可對應於藍色雷射光之耐光性良好之光學記錄媒體 【先前技術】 現在，CD-R/RW、DVD-R/RW、M0等各種光學記錄媒體， 因其可記憶大容量之資訊且易於實行隨機存取，故在作 J腦等資訊處理裝置中之外部記憶裝置方面被廣為認知’、’ 亚普及。該等之中，以CD-R或DVD_R為代表之設置有含 有有機色素化合物之記錄層的有機色素系光記錄媒體係 於以低成本且易於製造之方面，認為具有優越性。 另一方面，t者期望藉由增力口處理之資訊量而提高媒體 之,己錄密度，近年來，頗為提倡一種使用開發顯著之藍色 雷射光等振盪波長較短之雷射光，實現高密度之 的光學記錄媒體。 丹玍 然而，通常在作為㈣或勝只等被零售之光學記錄 媒體之情形’例如將CD_R設計為適於使用波長⑽左 t之雷射光之記錄.再生’又，將刚-R設計為適於使用 波長_〜 nm左右之雷射光之記錄.再生。如此之適 :使用較長波長之雷射光之光學記錄.再生的記錄媒體 :，當使用更短波長之雷射光進行記錄.再生時，存在所 明反射率較低而無法記錄.再生之問題。 作為如此之CD-R或卿—μ之記錄用色素，例如可使 用有利用含金屬偶氮錯合物作為光學記錄媒體者。（參照 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95·〇6/95 u 0S9S 6 1325374 專利文獻1、專利文獻2、專利文獻3)。 [專利文獻1]國際公開第9丨/1895〇號公報 [專利文獻2]曰本專利特開平9_2777〇3號公報 [專利文獻3]曰本專利特開平8_29581 1號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 揭示於上述專利文獻i或專利文獻2之光學記錄媒體 •dvi)::使用有具有N，N—二烷基苯胺骨架者作為CD_R或 “中使用之偶氮化合物之偶合成分。 數d’r二烧基苯胺骨架時，可獲得莫耳吸光係 吊之’丁、，故而竿父為有用，使用該等偶合成分之含 氮：：物係溶以上。因此，含有 手為μ之吸收光請係表示藉由藍色雷射光或波 二r::之雷射光進行記錄時，無法獲得充分之 作為二波長過長。例如，存在如下問題：於 < 中心波長之雷射波長之一附近 之觉敏卢^低規祭到吸收光譜’具有所謂對於藍色雷射光 吸收之偶合成分。 而要於更紐波長側具有較大 咬酮么偶人成1所周知有如揭示於專利文獻3所示使用吼 文^之二r“物’其與^於專利文獻1或專利 又獻2之化合物相比’於更短波 ㈣們之研究’知曉揭示於專=文獻物 即使具有苯幷噻唑、嗉 判文獻3之化合物 312X丨V發明說明書(補件)/95-〇6/95丨丨0S98 巷坐、吡。定作為重氮成分，亦因吸收 1325374 極大波長過長，故而波長405 nm附近（4〇5贿_1〇㈣）以 =05…nm)以下)之吸收較少，無法期待提高作 為色素之性能。因此，為於上述波長域中進行記錄，必項 組合適於更短波長之吸收之重氮成分與偶合成分。 本發明係為解決下述問題而完成者：在開發如此之例如 错由=波長之藍色雷射光等，而記錄再生較_為高密度 之光貢訊之光學記錄媒體時遇到的問題。 即，本發明之目的在於提供一種光學記錄媒體，其藉由 350關以上且530 _以下之短波長之雷射光，例如 以上且410 nm以下之雷射光，而可記錄再生高密度之 資訊。 又，本發明之其他目的在於提供一種適用於光學記錄媒 體之記錄層等中之金屬錯合物。 進而，本發明之其他目的在於提供一種改善耐光性之有 機色素化合物。 ^解決問題之手段] ^為解決上述課題，本發明中使用有含有含金屬吡啶酮偶 氮化合物之有機色素化合物。 即，θ根據本發明，提供一種紫外雷射至藍色雷射波長域 (尤其是，350⑽〜530 nm)之短波長雷射光用之光學記錄 媒^其特徵為：具有基板，記錄層，其直接或介隔其他 層。又且方、基板上，藉由照射光線，可進行資訊之記錄及/ 或再生，兄錄層，包含有機色素化合物，其含有具有6-羥基-2-吡啶酮結構之偶合成分，選自異噚唑、三唑、吡 312XP/讀明說明書(補件)/95-〇6/95丨10398 8 1325374 哇中之任何一種重氮成分， 抄么丄 及金屬錯合物，1含右盥亡 柄色素化合物配位之金屬離子。 八3有人有 可適用本發明之光學記錄媒體之 機色素化合物以及由特定之全屬 匕3上述有 ^ 寸疋疋至屬濉子構成之金屬錯合 :於本發明中’構成金屬錯合物之有機色素化合物係以 下达通式[I ]至通式[瓜]所示之吡啶酮偶氮化合物。 [化 1 ] °
H07
[II]
(於通式[I ]至通式[m]中，分別 _ 词立表示氫原 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 9 1325374 子或者一價官能基。） 作為通式[I ]至通式[羾]中 子以外，較佳的是以下所示之1官=°基具體而言除氫原 狀:m選自氫原子、直鏈或‘支鏈之烧基、環 狀&基、經基、直鏈或分支土 雜環基、芳基、芳炫基、醯基、二:和或不飽和之 種。 妝基嶒醯胺基之任何一 L、R7〜R9較佳的是選自（t[ 1之直八i β 虱原子、奴數1至碳數1; 2 iQ ^至娀數18之環狀烷基、 火數2至石反數！ 8之直鏈或分支鏈之 之雜且 山止 歸土 飽和或不飽和 之雜％基、碳數6至碳數18之芳Α u ^ , 方基奴數7至碳數20戈 = 至碳數18之直鏈或分支鏈之燒氧基、碳 f 1至故數18之直鏈或分支鏈之垸硫基、_素原子、硝 基、氰基、氫硫基、羥基、甲λ ’、 a ^甘 τ軚基基、胺基、醯基堪 :、女土甲酸醋基、羧酸醋基、醯氧基、胺甲醯基、碏酿
^、亞㈣基、胺剌基、顿絲、伽基胺基 一種。 J R6、一較佳的是選自氫原子、直鏈或分支鏈之烧基、環 狀烧基、酿基中之任何一種。 又’構成金屬錯合物之金屬離子，其較佳的是選自週期 表3族〜12族之二價金屬離子。至於金屬離子，尤|佳 的是選自錄、銘、鐵、鋅、銅、链之任何一種之金屬離子土。 於此，週期表係長週期型。 藉由使用組合二價金屬離子與通式fI ]至通式[冚]所 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/95丨丨0898 不之吡啶酮偶氮化合物 高光學記錄媒體之記鋅声比㈣偶氮化合物，可提 +尽之耐光性。 再者’本發明之光學印 计〆 己錄媒體之記錄再生時僅用之弁， 其係波長為350 nm〜5训 + 幵生衿使用之光 ,1Λ 530 之雷射光’作為具體例可列 牛385 〜410 nm之半導體雷射光。 ’、人4么月如作為一種光學記錄媒體，其係具備含有 有機色素之記錄層者’其特徵為：有機色素含有金屬錯合 物’該金屬錯合物含有下述通式[工]至通式[幻所示之口比 定酮偶氮化合物，以及與吡啶酮偶氮化合物配位且選自週 期表3族〜12族之二價金屬離子。 [化2]
Ra
〇 [jin 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95】丨0898 1325374 式叫中，Rl〜R|。分別獨立表示氫原 5 ^ 、 (於通式[I ]至通 子或者—價官能基。； 於此’較佳的是通式[I ]至通式[m ]所示 /μ人t '^比。定酮偶氨 化&物之分子量在1000以下。 又’根據本發明，可提供一種金屬錯合物，其 包含選自週期表3族〜丨2族之二價金屬離子 為· 寺至屬離子配位，並以下述通式[] ^ 合物。 之比。疋，偶氮化 [化3]
R 5\, 〇- ，—N=N-
'N R3 戶2
-N HO Ri (於通式[I ]中，R,〜R5分別獨立表示氫 能基。） 『丁辽原子或者一價Ί ，即，適用本發明之金屬錯合物，其藉由具有通式[工 所：之吡啶酮偶氮化合物以及鎳、鈷 '鐵、鋅、銅、錳舍 Π金位而成之結構’從而可使用作為以波長500 η 以下後付琅大吸收波長之有機色素。 進而，根據本發明可提供—種有機色素化合物，苴係自 t::價金屬離子以及…偶氮化合物而成之金屬錯 合物者’吼啶酮偶氮化合物包- s具有6-羥基-2-吡啶酮雜 構之偶合成分，以及含有異W之重氮成分。 即’適用本發明之有機色素八 不化&物，其錯由使用具有組 312XIV 發明說明書(補件)/95_〇6/95 n 〇898 12 1325374 合特定之偶合成分與重氮成分之結構之°比啶酮偶氮化合 物’使其與二價金屬進行配位，從而可獲得耐光性良好之 性質。 [發明效果] 根據適用本發明之光學記錄媒體，可藉由短波長之雷射 光記錄再生高靈敏度且高密度之光資訊。 【實施方式】 以下’就本發明之實施形態（以下，標記為實施形態） 加以詳細說明。但是’本發明並非僅限於下述形態，可於 其宗旨之範圍内實施各種變形。又，所使用之圖式係為說 明本實施形態而使用者，並非表示實際大小。 再者，至於通式[I ]至通式[瓜]所示之吡啶酮偶氮化合 物中之一價官能基Ri〜，其亦可相應需要具有取代基。 其中’上述情形之[取代基]、或下述[亦可取代]、[亦可 具有取代基]之揭示中之[取代基]，並不含有羧基、碏酸 4等之酸性水溶性基。當通式[〗]至通式[π]所示之吡啶 酮偶氮化合物中含有羧基、磺酸基等之水溶性基時，降低 對有機溶劑之溶解性，故而並非較佳。又，光學記錄媒體 之記錄層之耐水性下降，難以形成穩定膜。 斤°月[相應品要]’其係指雖然不會較大地影響通式 [/]至通式[冚]所示之吡啶酮偶氮化合物對有機溶劑之 ; = =之波長域中之吸收，但基於微調對有機溶 :冷 或特定波長域中之吸收之目的，或者考慮到制 &步驟上之優點’例如合成時使用之試劑供應之容^性衣 13 3丨2ΧΡ/發明說明書(補件)/9孓〇6/95110898 1325374 成本等方面而適宜選擇。 (吡啶酮偶氮化合物） 適用本實施形態之光學記錄媒體中使用之含有金屬離 子及以上述通式[I ]至通式[則所示n定酮偶氮化合 物（以下僅表述為。比咬明偶氮化合物）的含金屬^定洞偶 氮化合物’其可作為有機色素化合物使用，該有機色素化 合物係於波長350 nm〜 530 之藍色光區域内具有適度 之吸收’適於藉由藍色雷射光之記錄，具有可耐實用之耐 ^光性。 於以上述通式[I ]至通式[瓜]所示之吡啶酮偶氮化入 物中，通常將偶氮基（-N =㈠左側之雜芳香環稱為重氮口成 分，將右侧之6-羥基-2 —吡啶酮結構稱為偶合成分。 於此作為通式[I ]至通式[m ]所示之。比。定_偶氮化合 物中之重氮成分，例如為異D等唑、丨，2,4_三唑、吡唑等。 其中，三唑具有互變異構結構，亦可具有如下所示之通 [ Π ]、通式[π ]之結構，作為代表例揭示有 之結構。 八L」 [化4]
312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 14 1325374
• · ·[n]" 於此’於通式[π ]，、通式[π ]，’中，為方便起見揭示 為Re’、Re’ ’等’但該等使用與Re相同之官能基。又，r7，、 R/ ’使用與相同之官能基。 於該等之重氮成分中，與相同之偶合組合之情形時，發 •見通常按照通式[I ]〈通式[Π ]〈通式[皿]之順序，波長 400 nm〜500 nm之波長域中之吸收極大波長越向長波長 側移位之傾向。基於增加波長405 nm之吸收而提高靈敏 度之目的’特別佳的是通式[I ]之結構。 其-人就通式[I ]至通式[冚]所示之η比咬_偶氮化合物 中之一價官能基。加以說明。 於通式[I ]至通式[冚]所示之吡啶酮偶氮化合物中，^ g示選自氫原子或者直鏈或分支鏈之烧基、環狀烧基、經 1、直鏈或分支鏈之烷氧基、飽和或不飽和之雜環基、芳 基、方烷基、以-C〇Rn表示之醯基、以—nr】2Ru表示之胺基、 以-NHCORU表示之醯基胺基中之任何一種官能基。 作為較佳之官能基，可列舉氫原子、碳數1至碳數 =之直=分支鏈之炫基、碳數3至碳數ig之環狀烧基、 飽和或不飽和之雜環基、碳數6至]2之芳基、碳數7至 16之芳㈣、以屬也3(該情形時，^與r"除氫原子以 外）表不之胺基、以—NHC0Rn表示之酿基胺基等。該等之 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95】丨〇S9s 15 丄 中，除醯基胺基作為p + & 外，溶解性較為良2之情形以及芳基作為之情形以 丙rRr7〜R9分別獨立表示選自氫原子或甲義、乙美 丙基、異丙基、正丁其^ 兄〒基、乙基 亦可被取代之碳數】2 H'第三丁基、正庚基等 環丙基、環戊基：己至Γ八 18之直鍵或分支鍵之烧基； 3至碳數18之環狀;其基、金剛烧基謝被取代之碳數 狀^元基；乙烯基、丙烯基、己烯其笙介 J被數2至碳數18之直鏈或分支鏈二t t 和或不飽和之雜環基，苯:基甲菜:基寻亦可被取代之飽 苯基、萃基等亦·^ 甲苯基、均三f ，基寺亦可被取代之碳數6至石炭们8之芳基；节 Ϊ氧：乙S亦可—7至碳數20之芳燒基； 丁；二&:基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二 氧基等亦可被取代之碳數1至碳數ΐδ之 .連或/刀支鏈之絲基；甲硫基、乙硫基、正丙硫基、正 多·^基、第二丁硫基、第三丁硫基等亦可被取代之碳數！ 至妷數，|8之直鏈或分支鏈之烷硫基；氟原子、氯原子、 /臭原子等鹵素原子；确基；氰基；氫硫基；經基；f酿基； 乂 _CORh表不之醯基；以_觀】也3表示之胺基·以-關⑶ 表示之醯基胺基；以-NHCOOL表示之胺基曱酸酯基；以 -COORh表示之羧酸酯基；以_〇c〇Rn表示之醯氧基；以 -CONRuRb表示之胺甲醯基；以—s〇2R2。表示之磺醯基·以 -SORn表示之亞磺醯基；以_別2龍22^表示之胺磺醯基； 、S〇3R24表示之y酸ga基，以-jVHs〇2R25表示之續酿胺基之 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95丨1089S 16 1325374 任何一種官能基。 ::係選自氫原子、直鏈或分支鏈之烧基、環狀 烧基、基之任何一種官能基。 分別獨立表示烴 L2、I?23分別獨立表 該等係亦可相應需 於此，Rl丨、Ri4〜R"、r2。、r21、r24 基或雜環基。又，r,2、Ri3、Ris、Ri9, 示氫原子、烴基、雜環基之任何一種 要被取代。 具體而言，作為Rn〜R25所示之烴基，例如可列舉甲美、 基二丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基广正 庚基等碳數1至碳數1 8之吉絲十 火数18之直鏈或分支鏈之烧基；環丙基、 =戍基、衣己基、金剛垸基等碳數3至碳數18之環狀烷 基，乙烯基、丙烯基、己烯基等碳數2至碳數“之 分支鏈之烯基；環戊烯基、環己縣等碳數3至碳數 8之，狀細基：节基、苯乙基等碳數7至碳數別之芳烧 :’本基、甲本基、二甲苯基、均三甲苯基 ： | 18之芳基等。 于反数b至奴 :等『基之：基鏈部分以及芳基部分，其亦可 ^〜m基鏈部分所具有之取代基取代。對於: 代基之位置並未加以特別限制， 人 代至满赵加目士、也 代基之數置亦可從無取 不同 /、有複數個取代基之情形時，亦可同種亦可 岐琳：tR末1林:5所Γ之雜%、基’例如可列舉4,定基、 ‘林基、2-咮啉基、哌畊基等飽和雜 ^定基、2-㈣基、2十林基等 雜 =、2- 六雊4。該等雜環 312沖/發明說明書(補件)/95-06/95110898 ]? 丄 基，亦可含有複數個雜原 钭认从A j」進而具有取代基，又 對方；鍵&位置亦未加以限定。作 . Ξ 疋作為雜^基之較佳結構者 J + 5 6貝ί衣之飽和雜j罗〜m pap , 巳，雑％ 5〜6貝環之單環以及其2 蝻合壞之芳香族雜環。 繼而’關於上述醯基、胺基、醯基胺基、胺基甲酸酯基、 缓酸醋基、酿氧基、胺甲_、相基、亞相基、胺石备 -基、、續酸_基、伽胺基，例示有具體之化合結構。 作為醯基（-CORn)，可列舉下述結構之官能基等。 ’[化 5] rcH。 〇
H3 C H31 £ c jc—6 - CUUMO ο ~C—CH II o CH,
作為胺基（-NRuRiO，可列舉下述結構之官能基等。 [化6]
3丨2XP/發明說明書(補件)/95-06/95丨1089S 1325374
CH3 yC2HS
作為醯基胺基（-NHCORh)，可列舉下述結構之官能基等。 * [化 7]
作為胺基曱酸酯基（-NHC00R15)，可列舉下述結構之官能 基等。 [化8] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 19 1325374 Η Ν—C—0CH3 II ο —〇—()
Η -Ν—~C—~〇r u II UCaHs Ο
\ ch3
Η •Ν—C-〇
II o h2 /CH3
CH 作為缓酸S旨基（_COORu)，可 [化9] 列舉下述結構之官能基等 ❿ 等 C—〇CH-> - II J 'n 一〇C2H5 一Q一0^-CH ,ch3 0 0 及 、 、ch3 C 〇*~\ ) II vv 0 ~ro^O -0 •c—〇 II o 作為Si氧基（-OCORw)，可列舉下述結構之官能基等。 [化 10] 0—c—ch3II 〇 |—C2H5ο
η、 Ό 一异一C〜C—CH Ο 2 少 CH3 'CH, Ό—C II o
·〇—C—Ν NHii v_y O Ο
〇~t \J 〇 HN—^
作為胺曱醯基（-CONRuRn)，可列舉下述結構之官能基 312XP/發明說明書(補件)/95-06/950898 20 1325374 [化 1 1 ] --C—NH2II 〇 -C——N、II 0 CH3 、ch3 -C—NII 0
CaHs H C—N—CH〇II 0 ch3 ,C-CH - CH3 、 Η h2c—c—ch3 in.
-C—N II 0
H
-C—N
II o
作為績醯基（-S〇2R2。）’可列舉下述結構之官能基等。 [化 12]
作為亞磺醯基（-SORn)，可列舉下述結構之官能基等。 [化 13] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 21 1325374 S-CH0 s C2H5 /CH3 ——s—CH ——s. ch3 i —c——ch3 II If 0 3 II 1 O o 0 CM3 •作為胺磺醯基（-S〇2NR22R23)，可列舉下述結構之官能基 等。 [化 14]
22 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898
SUMO
snuo
\/
N
Η Ν snno b
丄W/4等 〇 I! •S—OCH- Π c 〇
作為磺醯胺基（-nhs〇2r 〇 II -s- II o
·〇—C-C
H o 11 •|~~oc2h5 o
25 CH.
，可列舉下述結構之官能基 [化 16]
於上述通式[I ]至通式[冚]所示之吡啶酮偶氮化合物 中，所示之直鏈或分支鏈之烷基、環狀烷基、直鏈 或分支鏈之烯基、環狀烯基、直鏈或分支鏈之烷氧基、直 鏈或分支鏈之烷硫基之情形之烷基鏈部分，以及Rii〜& 所示之烧基之烧基鏈部分，其亦可進而具有取代基。 作為如此之取代基，例如 < 例示有曱氧基、乙氧基、正 312X1V發明忒明書(補件)/95-06/95丨丨0S9S 23 1325374 = =基、正丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基 ::數1至奴數10之烷氧基；f氧基甲氧基、乙氧基甲 氧基甲氧基、乙氧基乙氧基、丙氧基乙氧基1 氧土丁氧基等妷數2至碳數12之烷氧基烷 二氧基：氧基:甲氧基甲氧基乙氧基、甲氧基乙氧甲基氧 ί炉：二基甲二基乙氧基、乙氧基乙氧基，氧基等碳數3 一反〇之貌乳基貌氧基絲基；苯氧基、甲苯氧基、 φΓ:本乳基、奈氧基等碳數6至碳數12之芳氧基；烯丙 乳基、乙烯氧基等碳數2至碳數12之稀基氧基等。 進=’作為其他取代基，可列舉2_。塞吩基、定基、 甲L G其杨基寻雜環基；11基；硝基；經基；氫琉基； ㈡==胺基、u-二甲基胺 基街胺基、乙=:===胺基;甲 〃基胺基正丙基磺醯基胺基等碳 之烧基伽基胺基；氣原子、氯原子、漠原 甲基幾基、乙基鼓基、異丙基幾基等院基 “ A、Γ土 ί基乙氧基羰基、正丙氧基羰基、異丙氧 土厌土、 丁乳基羰基等碳數2至碳數7之烧氧基羧Α. 甲基碳Μ、乙基碳氧基、正丙基碳氧基、異丙基 =基W基等碳數2至碳數？之院基碳氧基；曱氧基碳 U氧基碳氧基、正丙氧基碳氧基、異 正=基碳氧基等碳數2至碳數？之烧氧基碳氧基^基 取該等!;代基之鍵合位置並未加以特別限制， 土文里亦可從無取代至複數個。於具有複數個取代 J12ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/951 ] 0S98 24 丄 基之情形時，亦可同種亦可不同。 之=二!TR7〜R9並未加以特別限定’但考慮到合成 者:對塗佈溶劑之溶解性等方面，較佳的是下述 之：基可m、碳數1至碳數12之直鏈或分支鏈 之^ :至碳數1◦之環狀院基、碳數2至碳數12 ^ ”鏈之烯基、碳數6至碳數18之芳基、飽和 > 土厌數7至石反數18之芳烷基、碳數j 直：二2 3 4广直鏈或分支鏈之烷氧基、碳數1至碳數2之 經美曱刀^之统硫基、齒素原子、硝基、氰基、氫硫基、 ^土、血土、以-C〇R "表示之醯基、以-NR丨An表示之胺 基、以-NHCORh表示之酿其松| 矛丁之I基胺基、以-NHC00R丨5表示之胺基 ^'C〇〇Rl6表示之幾酸酿基、以-OCORn表示之 =基、以-⑽r,sRi9表示之胺甲酿基、以-黏。表示之
㈣基、以—S〇R2】表示之亞石黃酿基、以—S〇2NR▲表示之 j石黃醯基、以-S〇3r24丧示夕迖缺& M 籲 表不之h駄S日基以及以-NHS〇2R25表示 胺基等。上述之中，作為r?〜R9，考慮到合成及溶 :性：面，可較佳地列舉直鏈或分支鏈之烧基、環狀烧 :广乳基、烷硫基、氫硫基、羥基、醯基、㈣酯基、 酗氧基、胺甲醯基、磺醯基、亞磺醯基等。 該等之中，作為R2之特別較佳者，可列舉氫原子、碳數 1 至碳數12之錢或分支鏈之絲、魏3至碳數10之 2 環狀烧基、碳數7至碳數18之芳縣、碳數丨至碳數12 3 之直鏈或分支鏈之規氧基、碳數6至碳數18之芳基、飽 4 312XP/發 B月說明書(補件)/95-06/95 丨 10898 25 ^^374 和或不餘和之雜環美、 ^ 表示之醯基、以〜仙了 氰基、羥基、以-CORu 基胺基、以-NHCOf^ Γ :不之^基、以~NHC〇Rl4表示之醯 示之羧酸酯基、以二：：胺基曱酸酯基、以~_16表 _ 乂 〇c〇R|7表示之、，/^ 示之胺曱醯基、以QnD . —m乳基、以一⑶服“心表 Μ —bChR2。表示夕石兰芬*甘 亞磺醯基、以、Nhs 尹、1 土、以-sor2,表示之
Nilb02R25表不之磺醯胺基等。 為R3之較佳者’可列 山 1 2之直鏈或分去 有虱原子、碳數1至碳數 _碳數2至碳數12之^二、碳數3至碳數10之環狀烧基、 18之芳基、飽H或分支鏈之稀基、碳數6至碳數 芳垸基、碳數i 雜環基、碳數7至碳數18之 素原子、至碳數12之直鍵或分支鍵之烧氧基、函 其、 土以'C〇R丨丨表不之醯基、以-陳丨也3表示之脸 土、以—NHC0Rl4表示之醯基胺基、以—NHC〇〇R # 甲酸酷基、以-C_本_ C〇〇R,5表示之胺基 醉气A 、 Ri6表不之羧酸酯基、以-OCORn表示之 二二二C〇NRuRl9表示之胺甲醯基、以-NHS〇2R25表示 f h醯胺基等。 4 1 以^者’除對有機溶劑之溶解性、對吸收極大波長之影響 '成〜二考慮到合成之容易度方面等，R2、R3可分別選擇上 $ S能基。例如’上述之中’考慮到合成及溶解性之優點 基面^可較佳地列舉直鏈或分支鏈之烷基、環狀烷基、羥 m基知基、叛酸酯基、酸氧基、胺曱酿基等。 …乍為R6、Ri()之較佳者，表示氫原子、直鏈或分支鏈之 =^％狀烷基、以_CORn表示之醯基。該等之中，可列 +氯原子^放1至碳數8之直鏈或分支鏈之烧基、碳數 J LXP/邊明說明書(補件)/95-06/95110898 26 丄J/4 3至故數8之環狀烧基、以_c〇R"表示之醯基等。 至作為R6之尤其較佳者，其係氮原子、碳數1 直传^ 支鏈之絲之尤其較佳者， j厌數1至碳數8之直鏈或分支鏈之縣。X，r :會影響溶解性、吸收極大波長及吸光度之大小。該等。 之L〜R丨〇 ’其亦可相應需要被取代。 A ' ^其^知曉藉由與含有重氮成分與作為本發明之偶人 月木之6-羥基-2_吡啶酮結構之金屬錯合物的組合，可 ^己耐光性。咐光性右 支 之金屬錯合物:重式⑴之本發明 具有通式叫之本發明之：屬二;：定且良好’接著是 咧之金屬錯合物以及具有通式 之本發明之金屬錯合物亦然。進 /、τ本發明中敍述之耐 先:生，其包含因溶解性不好，結果耐光性不良之情形。表 中表不该等之結果。於耐光性穩定良好之具有通式⑴ 之：屬錯合物之情形時，RI〜R3、R，若選 自上述揭不者’則均具有良好之耐光性。相對於此，且有 通式[ΠΙ]之本發明之金屬錯合物、以及具有通式 發明之金屬錯合物中，如下所示，各徊取代基尺中存在溶 解性並非較佳、或者耐光性並非較佳之特定之 表 1)。 w ”、、 -種光學記錄媒體’其中’上述有機色素化合物係下述 通式[I ]所示之吼啶鲷偶氮化合物， [化 17] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95】】0898 27 1325374
於通式[I ]中，R,較佳的是除無取代之胺基（_NHC以外 之一饧g能基。又，I〜匕較佳的是分別獨立表示氫原子 或者一價官能基。即，1為無取代之胺基（_題2)之情形時， 籲藉由與取代基R2〜R52組合略微降低溶解性，其結果·^ 會導致耐光性下降》 月匕 又，一種光學記錄媒體，其 下述通式[IV ]所示之。比唆g同偶 [化 18] 中，上述有機色素化合物係 氮化合物， 又，作為R2之氰基以及作為 之傾向。 I之烧基之組合表現更佳
*…卞入I 土 於通式uv」肀 _________、 '、SL原子以外之— 处 基。又，R26〜R3g較佳的是分別獨 、此 官能基。 獨立表不-原子或者一價 28 312XP/發明說明書(補件)/95-〇6/95丨10898 丄…374 倘右將h丨設為氫原？，則存有溶解性下降且耐光性不 良之可能性。 又，作為R27之氰基以及作為之烷基之組合表現更佳 之傾向。 除上述並非較佳之組合以外，使用業已敍述之通式[工] ^叫中之較佳之^心與對應於^❶之“〜^之电 合’可獲得良好之耐光性。 、 (金屬離子） 其次，就金屬離子加以說明。 作為與通式[I ]至通式〔Uj ]所示之。比咬酮偶氮化合物 :仃配位形成含金屬吡啶酮偶氮化合物之金屬，只要 ^比相偶氮化合物之配位形成能力，就不會加以特別限 並未加以限定。又，；下、=擇。對於金屬之氧化數’ 啶0Π個^ /卜人4 、下处孟屬錯合物中，對於金屬與吡 ⑼偶氛化合物之比並未加以特別限定。又，除 f s同偶氮化合物以外，全屬^入 ' ” 之對離子形態而形成錯合物。 〃有電何 作為金屬與物偶氮化合物形成之錯合 ==’因…偶氮化合物成為具則爻 基二而考慮到錯合物之形成容易度方面，較㈣ :1個一偏金屬相對兩個吡啶酮偶氮化合物之比例配、 位的結構。即’與通式[ 匕例配 化合物丘Π报#八@ 通式[冚]所不之咄啶酮偶氮 口物』形成金屬錯合物之金 期表（長週期型）3族〜12斿夕姆 杈1土]疋璉自週 ^ 12私之二價金屬。該等之二價 312ΧΡ/發明說明書(補件州_5_98 29 丄：>Z：)：W4 中’特別佳的是選自 、 錄、結、鐵、鋅、銅及猛中之至少一 種金屬。 τ <王〆 …者4乍為3金屬°比°定酮偶氮化合物’亦可係複數種吼 0疋酮偶氮化合物配位於 趴至屬之結構。又，於下述光學記錄 媒體之記錄屏φ , tV γ Λ ^ ' 亦可έ有複數種含金屬吡啶酮偶氮化合 物。 旦通式[I ]至通式[冚]所示之吡啶酮偶氮化合物之分子 量’其較佳之範圍係1〇〇。以下，尤其佳的是小於或等於 00θ以下。當分子4過大時m係數下降且相對於色 素I之吸收變小，故而並非較佳。 作為通式[I ]至通式[m ]所示之吡啶酮偶氮化合物之 較佳之例子，具體可列舉如下所示之⑴至（57)之化合物。 作為通式[I ]所示之吡啶酮偶氮化合物，例如可列舉下 述（1)至（2 0)之化合物。 [化 19] 3丨2X丨V發明說明書(補件)奶-06/95 n〇S9S 30 1325374 Κ,ο- CK, COOC^Hg -N=N-
,CH-,
Cl-
〇 hct (1)
(2) COOC2H5
0' CHt
HiCO, -W=N- hct
h3c c—N (411〉 (5) -CHj
〇
Ph 0
[化 20] 31 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 1325374
OH
-N=N- 0 'N
HCT
CHj 〇HC
CH2CI 0
N=N- (11)邮入叫 0- /
9Wh2ch3 ^NHCOCK
、N H3CO、 HO 、N >0 (13) i-CsH，丨 CONHG2Hs -丨㈣ 'I'J [ Η〇·^、Ν〆 HCT 、ljT (12) CH2OC2h
CHO (35)
CI-^CHjCI 0H3 I 3 I CH3
N—N- OCOCH^ (16)
HO, 、N H
HjCOC
N=N
0 HCT ψ
'N c^nr^C"^N^Y^YC〇〇C^ (18) (17) C0CH3 C2l·^
HjCHNOC. (19)
-N=N— ?〇2〇2HS /CH3
CH2CH2N—CHj CK, (20) HO， Y|\|〆々0
Clij 作為通式[Π ]所示之σ比咬酮偶氮化合物，例如可列舉下 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/95】]0S98 32 1325374 述（21)至（30)之化合物。 [化 21]
312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 33 1325374 ch2ch2ch3 r' N- .厂 -N=N-
.NHCOCHj (21) HO, 、ljT、0 CH H3CH2C’ 、CH2CH3
H t-Bu、〆一n 、〜N
:N- H〇/ (23) H3COC j OH^
N=is'— N •N C,H CH,OCH3 COC2l·^ ,CN CH2CH2C00CKj 〇ch3 ,CONH hct
so2ch3 〇2Fx£ cr ,hP(
XHO -N=N-HO' (27) n-Bu CH2CH20CH20CH3
0 SOCK,
作為通式[Π ]所示之吡啶酮偶氮化合物，例如可列舉下 34 312XP/發明說明書(補件)/95-06/951 ] 0898 1325374 述（31)至（40)之化合物。[化 22] OH N=W 一
Cl' H3C. COOOH3
I^HS02CH3 ,ococh3
l^C N=N- Η〇/'"'Ί>Γ/^0 (32) (31) CH2CH2OCH3 CN h3cs. .、/S〇2C3H? H3C0、
c〆 HO- I
'N
CN
-N=N HO
cf3 (33) H〇 ϊ °/Κ, n-CsH„ H2 COOt-Bu (34)
(37) H3C—CH CH3 (38)
進而，作為通式[I ]至通式[in ]所示之D比咬g同偶氮化合 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 35 1325374 物，例如可列舉下述（41)至（57)之化合物。 [化 23]
36 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95】10898 1325374
t-Bu
(46)
Br CH, CN h3c
[化 24] 37 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 1325374
其次’就適用本實施形態之光學記錄媒體加以說明。 適用本實施形態之光學記錄媒體，其至少包含：基板， 含有通式[I ]至通式[瓜]所示之吡α定酮偶氮化合物之金 屬錯合物之記錄層。再者，亦可相應需要，進而設置有底 塗層、反射層、保護層等。 籲圖1係說明適用本實施形態之光學記錄媒體的圖。圖 1(a)係第一實施形態，圖1(b)係第二實施形態。 (第一實施形態） 圖1(a)所示之光學記錄媒體1〇,其依次積層有含有光 透過性材料之基板1 ’設置於基板丨上之記錄層2，積層 於記錄層2上之反射層3以及保護層4。光學記錄媒體 ’其藉由自基板1侧照射之雷射光進行資訊之記錄.再 生。 再者’為方便說明’於光學記錄媒體1〇中，將保護層 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/951〗0898 38 1325374 側設為上方，基板丨存在之側設為下方，對應於 μ#方向之各層之各面分別設為各層之上面及下面。 :於基板卜基本上只要是對於記錄光及再生光之波長 :透明之材料，就可使用各種材料。具體而言，例如可二 :丙烯酸系樹月旨、甲基丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚 脂(尤其是’非晶質聚稀烴)、聚酿系樹脂、聚： 乙細㈣、環氧樹料樹脂；玻璃。χ，可列舉玻璃上机 置有含有光硬化性樹脂等放射線硬化性又 * 結構。其中，考慮到高生產性、成本、耐吸湛性；；二 較佳的是藉由射出成型法使用之聚碳酸gl樹脂 藥品性及耐吸濕性等方面，較佳的是非晶質㈣烴了考慮 到南速應答等方面，尤其佳的是玻璃。 於使用樹脂製基板1之情形時，或者使用接觸於記錄層 之側（上側）設置有樹脂層之基板丨之情形時，亦可於上面 形成記錄再生光之導引槽或凹坑。作為導弓旧之形狀，可 ^^舉以光學記錄媒體10之中心為基準之同心圓狀之形狀 或螺旋狀之形狀。於形成螺旋狀之導引槽之情形時，槽間 距較佳的是〇·2〜1.2 左右。 。己錄層2 ’其直接形成於基板！之上側，或者相應需要 形成於設置於基板1上之底塗層等之上側，含有通式[工] 至通式[ΠΙ]所示之吡啶酮偶氮化合物之金屬錯合物。作為 記錄層2之成膜方法，可列舉真空蒸鑛法、濺鍍法、到勾 塗裝法、澆鑄法、旋塗法、浸潰法等通常使用之各種薄膜 形成法。考慮到生產性及成本方面，較佳的是旋塗法，考 312XP/發明說明書(補件)/95·06/95 n 〇S9s 39 1325374 慮到獲得均勾厚度之記錄層 估沬杜—， 冉工热鍍法等比塗 ,土。猎由旋塗法成膜之情形時，較佳的θ SOO—Hfifin 杈彳土的疋旋轉數為 50 rpm。又，根據情況，旋塗後，亦可實 、 暴路於洛劑蒸氣等處理。 … 藉由刮勻塗裝法、澆鑄法、旋塗法 、^ 口定晌偶通式m至通式所示之口比 用之⑸^金屬錯合物溶解而塗伟於基板1所使 _以特別限定 要疋不會⑽板1之溶劑，就不會加 具體而言’例如可列舉雙丙酮醇、3—羥 丁 _等酮醇系溶劑；曱美 f基-2- 溶劑；正己烧、正辛Μ㈣^乙基赛路蘇等賽路蘇系 己烧、乙基環己燒;Γ 溶劑；環己烧、甲基環 丁基環己烧、環辛燒；己Γ正丁基環己院、第三 醇、六氟丁醇等全氟俨其辟么.— 私 乂亂戊 • 夂T S曰寻羥基羧酸酯系溶劑等。 於使用真空蒸錢法之情形時，例如 以及相應需要其他色素或各種 成化:物 器内排氣右:適當之真空泵將該真空容 蒸發，使其於面向_放===熱㈣使記錄層成分 記錄層2。 奶放置之基板上進行蒸鑛，藉此形成 又:於記錄層2中，除通式⑴ ，偶氮化合物之金屬錯合物以外，為提=:::r 312XP/發明說明書(補件)/95·〇6/95ιι〇 40 1325374 性，亦可含有過渡金屬螯合化合 雙笨基二硫醇、水揚酿月亏、雙二硫'° ’乙-丙酮螯合.、 ^ ^ ft#^#i (quencher) , ^^^#^^ ^ 含有金屬系化合物等記錄靈敏度提高⑼。〜又，亦可 於此，所謂金屬系化合物，其 子、離子、團簇等形態包含於化合物d寺金屬以原 乙二胺系錯合物、甲亞胺系錯合物、；：;二可列舉如 ·=、二峨苯系錯合物、二㈣錯合物亞 为基胺本酚系錯合物、吡啶基三。丼系錯人 ^ 錯合物、二茂金屬系錯合物、外琳系錯合物之有：：：系 屬。 屬原子亚未加以特別限定，較佳的是過渡金 再者’於記錄層2中，亦可相應需要 :通，示之_偶氮化合物之金屬:二？] 外，二?：1中：除。比侧氮化合物之金屬錯合物以 '、可相應而要併用其他系統之色素。 作為其他系統之色辛，主要於 域呈右、以 京主要於。己錄用雷射光之振盪波長 夂Λ二吸，可，就…^ 有振：Λ 使用770 〜830⑽之波長帶域内具 近紅外雷射光之記錄.再生的色素，或者用 於DVD-R專中之適於使用62〇 nm〜_ =振盈波長之紅色雷射光之記錄·再生的4 = 使二合物併用包含於記錄層2 ’藉此亦可製造對應於 使用屬方；不同波長帶域之複數種雷射光之記錄再生的光 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95〗〗0898 41 1325374 學記錄媒體10。又，於上述CD-r或DVD_R之色素中選擇 耐光性良好之色素，並混合至本發明之化合物，藉此可進 —步提高耐光性。 作為通式[I ]至通式[瓜]所示之p比咬酮偶氮化合物之 金屬錯合物以外的其他系統之色素，例如可列舉含金屬偶 :糸色素、二苯甲_系色素、酞菁系色素、萘㈣系色素、 青糸色素、偶氮系色素、方酸(Sq u _屬換笨胺系色素、三芳基甲烧系色素、份菁系色t、金 lZUlrium系色素、萘I系色素、惠I系色素、靓齡系色 乳雜蒽系色素、十井系色素“比喃（Pyrylium)系色素 :而’亦可相應需要併用點合劑、句化劑、消泡劑等。 =佳之黏合劑’可列舉聚乙料、聚乙心略 魏纖維素、醋酸纖維素、㈣樹脂、丙稀㈣樹脂、^ :乙烯糸樹脂、胺基甲酸乙酷系樹脂、聚乙烯縮丁 &反酸_、聚烯烴等。 來 至表s己錄層2之膜厚’因藉由記錄方法等適合 =同’故而並未加以特別但為可進行記錄，、= 某種程度之膜厚，故而通常至少lnm以上，較 要 以t。其中’通常3〇°_以下，較佳的是〜以下 =的疋1GG mn以下。當記錄層2之膜厚過厚時处 無法進行良好之記錄。 反射層3形成於記錄層2之上方。反射層3之膜厚較佳 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 1325374 為反射層 =之:==反射率，，=: 獨使用或者製成人全後Nl Pt Ta、Pd等金屬’單 衣取〇金後使用。該等之中 之反射率較高，故而適合 g、Cu 等金屬作為主成分以夕卜:為反射層3之材料。又’除該 主成分係指含二:含有其他材料。於此，所謂 ^n^e^e.Co^h.Ir.CuV： " V'Nb'RU'W' 丁e、Pb、P〇、Sn ' Bi、Ta Ga、In、S!、Ge、 金屬。 1、Pt、Pd、Nd等金屬及半 該等金屬及半金屬中，以 便宜’易於實現高反射率因其成本 時，可獲得顏色白暂美觀者之;置面;=㈣之情形 二V之1原子%，子%左右之選“：二" 敏度高且成本低，故而Μ 、耐久性高、靈 合金、AgCuAu合金、AgCuA_、；；^ ’例如為咐他 為金屬以外之材料，亦可交替声：：、AgC_合金等。作 率薄膜形成多層膜，使用今夕^且/折射率薄膜與高折射 作為形成反射層3之方；二:二乍 膜法、化學蒸鍍法、真空装鑛法鑛法、離子錢 改善記錄特性並提高密著性等其為提南反射率、 射層3之下方，設置亦可於基板1之上方或反 下方。又置眾所周 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 43 >J/4 層、黏著層。 保，層4形成於反射層3之上方。至於保護層1之材 別^要是保護反射層3免受外力之材料，就不會加以特 別限疋。作為有機物質 ^ ’ 硬化性樹脂〜二t 可 可塑性樹脂、熱 作A 电、..更化性樹脂、UV硬化性樹脂等。 作為無機物質， 於你㈣/' 夕、氮切、邮、純等。 方'使用熱可塑性樹脂、埶 溶解於適當溶,中所㈣ 树月曰寻之情形時’當將 ►使1乾焊日士」 周衣之塗佈液塗佈於反射層3上並 文乾k日守’可形成保護 情形時，直接塗佈於反二：广：用UV硬化性樹脂之 中所調穿之涂佑r S ，或者將溶解於適當溶劑 硬化，藉此可形成保護層^並照射Μ光使其 醋丙^^樹脂’例如可使用丙稀酸胺基甲酸乙 衣乳丙~ §义酯、聚酯丙 於該等材料，亦可單獨你田·θ寺丙坤酸酯系樹脂。至 至於保错芦 ’亦可混合複數種使用。又， 作為保護層4之升^=層、亦可形成為多層。 旋塗法或澆鑄法等塗佈、、“ ::δ己錄層2相同地’可使用 其中較佳的是 /濺鍍法或化學蒸鍍法等方法， 丨土 疋；5疋塗法。至於謹 護功能，必須設為某種 夕、=S之膜厚，為發揮其保 較佳的是3㈣以：。但：通常是〇. 1 以上’ 是30㈣以下。當保错一^ ’通常咖㈣以下，較佳的 變效果，而且形成广#厚過厚時，不僅無法改 虞。 。又曰4日守需要時間，且有增加成本之 44 1 0898 如上所述，竹左„
層基板卜記錄媒體1〇之層結構，以依次積 . ^ θ 2、反射層3、保護層4而成之结槿A 說明’但亦可採用其他層結構。 a… I*:: ’亦可於上例層結構中之保護層4之上面，或者自 上例層結構中4、田夂奴# R f自 其他A柘1。"蔓層於反射層3之上面進而貼合 美了 4 ^之基板1 ’其亦可係並未設置任何層之 =’’、可於貼合面或其相反面上具有反射層3等任音 ·〇:二Γ使具有與上例相同層結構之光學記錄媒體、 "i例層結構中省略保護層4之光學記錄媒體 10，以各個保護層4及/或 、 式貼合兩片。及^反射们之上面相互對向之方 (第二實施形態） 其次，就光學記錄媒體之第二實施形態加以說明。 圖1(b)係說明光學記錄媒體之第二實施形態的圖 於與第—實施形態之光學記錄媒體1G共通之部分，賦予 j目同符號，並省略說明。 圖1(b)所示之光學記錄媒體20，其依次積層有含有光 透過性材料之基板1 ;設置於基板1上之反射層3 ;積層 於反射層3上之記錄層2以及保護被膜5。光學記錄媒體 20，其藉由自保護被膜5側照射之雷射光，進行資訊之記 錄·再生。 保護被膜5’其亦可藉由黏著劑貼合薄膜或片狀物，又， 亦可藉由使用與上述保護層4相同之材料，將成膜用之塗 液進行塗佈且硬化或乾燥之處理而形成。至於保護被臈5 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95丨丨0898 45 故^ 為發揮其保護功能而必須抓A苴 2通常是=某種程度之厚度’ 5通：3〇0_下，較佳的=:疋3^以上。但是， 5過厚時，不僅無法改變效 ㈣下。當保護被膜 要=，且有增加成本之虞果…成保護被膜5時需 光學記錄媒體10相同反:層二寺各層，通常可使用與上述 •亦可並非為透明，故:’除X:本層構成中，基板1 •明之㈣、陶究、金屬(包含合:= 卜此還可使用不透 要不損害本發明特性之範圍 上°之層構成中’ 相應需要具有任意層。 、上处σ層之間，亦可 之=方：為高光學記錄媒體10、2°之記錄密度 ,,/ 列舉增加對物透鏡之開口數之方法。葬 σ貫現聚光於資訊記錄面之光曰 若增加對物透鐘之心奴 《先點之铋小化。然而，倘 身⑴士 開數’則為進行記錄·再生而昭射雷 •差易二：Γ學記錄媒體1〇、20之翻曲等造成光點之像 號 d，㈣有時無法穩定獲得良好之記錄再生信 此之像差，其於雷射光透過之透明基板或保護被 版之膜厚越大時越易於變大，故而為降低像差，較佳的是 盡可能涛化基板或保護被膜。但是，因通常為確保光 錄媒體10、2G之強度，必須將基板i設為某種程度:厚 度，故而該情形時，較佳的是採用光學記錄媒體2〇之往 3 12XP/發明說明書(補件)/95-06/951丨0898 46 1325374 反射層3、記錄層2、保護被膜5之基本 二t 記錄媒體2°)。相比於薄化光學記錄媒體1。 故二二=化光學記錄媒體2〇之保護被膜5, ^佳的疋使用光學記錄媒體20。 錄即使是光學記錄媒體10之結構(包含基板1、記 體^)射層3、j呆護層4之基本層構成之光學記錄媒 可藉由將記錄.再生用雷射光通過之透明基板ι ^子度薄化至50⑼〜300 Μ左右，降低像差所使用。 於形成其他各層後’基於保護表面及防止灰塵等附 丁目Γ、，亦可於記錄·再生雷射光之入射面（通常是基板 )’成膑形成紫外線硬化樹脂層或無機系薄膜等， 2於並非記錄·再生雷射光之入射面的面（通常是反射 二或保4層4之上面）’設置有使用噴墨、熱感轉印等 各種印表機或者各種書寫用具進行記人或印刷之印刷接 收層。 於適用本實施形態之光學記錄媒體i0、20中，為記錄· i生資訊所使用之雷射光，其考慮到實現高密度記錄方 面，波長越短越佳，但尤其佳的是波長為350 nm〜530⑽ 之雷射光。作為相關雷射光之代表例，可列舉中心波長為 405 nm、410 nm、515 nm 之雷射光。 波長為350 nm〜530 nm之雷射光，其可藉由使用波長 為405 nm、410 nm之藍色或515 nm之藍綠色高輪出半導 體雷射光所獲得。又’此外亦可藉由下述處理獲得：例如， 將（a)基本振盡波長為740〜960 nm之可連續振塗 、首 、盈之半 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95〗1OS98 47 光’ m⑻藉由半導體f射光激發之基本振盡波 〇 〜960 nm之可連續振盪之固體雷射光之任何 種振盈雷射光，藉由—4，比 轉換。 糟由——人谐波產生元件（SHG)進行波長 再者，作為SHG，只要是缺乏反轉對稱性之壓電元件， 厂可使用任何-種，較佳的是KDp、猜、腦H⑽、 化合物半導體等。作為二 白波之具體例，於基本振盪波 丨=、咖之半導體雷射光之情形時，可列舉作為其基 之固νΐ長之倍波之430 nm，又’於半導體雷射光激發 肢0射光之情形時，可列舉摻雜Cr之LiSrAlF6結晶 (基本振盪波長為86〇 nm)之倍波之“Ο⑽等。 於適用本實施形態之光學記錄媒體1〇、2〇中， 常向記錄層2(通常’自基W側透過基板⑽ + M Γ〜〇*6㈣左右聚集之雷射光。記錄層2之被 田、先ik射之部分’其由於吸收雷射光之能量而引起分 #、發熱、溶解等熱性變形，故而光學性特性產生變化。 a將：錄於記錄層2之資訊再生時’向相同之記錄層2(通 吊:自”，己錄時相同之方向）照射能量更低之雷射光。藉 由言買取記錄層2中引起光學特性變化之部分（即，記錄有曰 貝讯之部分)之反射率’與並未引起變化之部分之反射率 的差’可再生資訊。 t [實施例] 以下，根據實施例更具體說明本實施形態。再者，至於 本實施形態’只要未脫離其宗旨’就不會限定於該等實施 312聊發明說明書(補件)/95·〇6/951】0898 48 1325374 例。 (»比。定酮偶氮化合物之合成方法） 對於上述通式[I ]至通式[皿]所示之吡啶酮偶氮化合 物之合成方法並未加以特別限定，但如下所示之例如6一 經基-2 - °比咬酮結構之普通製法。 (1 )氰基乙醯胺衍生物與_嗣酯之縮合 作為最普通之製法，已知有下述方法：將氰基乙醯胺衍 生物與/9 -酮酯（雜環化學雜誌（J0urnal 〇f Heterc)cyclic themistry)[J‘ Heterocyclic. Chem.，]32,979(1995) 等）’或者將氰基醋酸乙酯、胺、石_酮酯（染料及顏料[Dyes & Pigments], 1 5, 69(1 991 ))，於鹼性觸媒之存在下加熱， 藉此合成3-氰基-6-羥基-2-吡啶酮。於此，藉由變更氰 基乙醯胺衍生物中之胺之Rl，可將取代基導入Ri，又，藉 由變更召-酮酯之R3 ,亦可導入取代基。 [化 25]
(2)1，3-—曱基尿嘧啶與丙二酸醯胺衍生物之縮合 312XP/發明說明書(補件)/95·06/95110898 49 1325374 又，如下所示（美國化學會志（Journal of American Chemical Society)[J. A. C. S. 101](15), 4423(1 979))，藉由使用1，3-二曱基尿嘧啶與 丙二酸醯胺衍生物，可合成3-取代-2, 6-二羥基吡啶。 [化 26]
R=CONH,，COCH3，Ph，CN (3)苯基丙炔酸之Michael附加 又，如下所述（藥學雜誌、99(6)、588(1 979))，藉由正 烯丙苯基丙炔酸醯胺與草酸二乙酯之反應，可合成。 [化 27] C=C—C—NHR II 〇
R=?h,p-C\-?h 〇- 此外，將市售之試劑中具有2, 6-二羥基吡啶結構之化 合物用於原材料中，進行反應導入取代基。 將如此獲得之6-羥基-2-吡啶酮化合物，與經重氮化之 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 50 f芳香J展胺進行重氮偶合，藉此可獲得上述通式[I ]至通 式[in 1所+ + , '、之吨。定酮偶氮化合物。並且，藉由使該。比咬酮 :_物與金屬形成錯合物，可獲得含金屬°比咬_偶氮 化_合物（°比嘴酮偶氮化合物之金屬錯合物）。 (貫施例1) (a )合成例 (a-1) • ’63g(〇.2莫耳）之下述結構式[1]所示之氰基醋酸 乙=、26.〇3g(〇.2莫耳）之結構式[2]所示之3_氧代丁酸 乙酯、14.63 g(〇.2莫耳）之結構式[3]所示之正丁基胺溶 解於2 0 m 1之乙醇中，滴下6 m 1之派σ定後，授掉條件下 "机26小枯半。將反應液冷卻後，於200 m 1之10%鹽酸 水溶液中授拌時，可析出固體。將所析出之化合物過爐水 洗後’使懸》予於1〇〇 ml之己炫溶液中，攪拌3〇分鐘左右 後進行過濾，真空中加熱乾燥過濾物，獲得ιΐ 3〆產率 鲁為27. 4«之下述化合物[4](卜正丁基氰基—4_甲基一6_ 羥基-2-吡啶酮）。 [化 28] CN H2C( COOEt [】]H3C—c—c—c—OEt ......[2】n-C4H9NH2 [3]
〇 H2S
[化 29] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 51 1325374
使2.94 g(0.03 mo〇之下述結構式[5]所示之3_胺基 -5-甲基異十坐，授拌溶解於3〇…之醋酸、ι〇…之丙 以 酸、2 ml之濃硫酸溶液中，並冷卻至〇〜5。〔。於此，t 籲保持小於或等於1 〇 °C以下之方式，、浪 广 < 万式’滴下10. 62 g之43% 亞硝基硫酸進行重氮化，調製重氮液。 [化 30]
[5] 另一方面，於其他容器中，使6·8 g(〇 〇33贴丨）之上 #述化合物[4]、9 g之醋酸n.2 g之尿素擾摔溶解於 l〇〇、ml之曱醇、20 ml之水中’以鹽酸將邱值調整為5， 冷部至0〜5 C。該溶液中，於小於或等於5。〇以下，藉由 14%胺水水溶液將PH值保持為4〜5，並且滴下預先蜩曰制 之重氮液。滴下結束後’搜拌3 〇分鐘，過遽反應液。1 去除無機鹽，使過濾物懸浮於5〇〇ml之水中，攪拌3〇分 鐘左右進行過濾。進而，使過濾物懸浮於2〇〇 mi之甲^ 中並撥拌過滤後，將其於真空中加熱乾燥，獲得(產 率為81.8«之例示化合物（41)所示之化合物。進行該化 312XP/發明說明書(補件)/95_〇6/95】10898 52 !325374 合物之MS測量，可確認m/z = 315。 [化 31]
魯(a_2)NMR結果 又’測量 1H-匪R(CDCl3(<5=ppm)270 MHz)時，其係 -0. 96(3H, t, N-CH2CH2CH2Cik) ' . 1. 37(2H, sextet, N-CH2CH2CH^CH3)、 1. 59C2H’ m，N-CH2CH2CH2CH3)、2. 48(3H，s, 5, -CH3)、 2. 55(3H，s，4-CHO、3. 96(2H，t，N-CH2CH2CH2CH3)、 6· 3(1H，s，4’ -H)之與目標化合物一致之峰值。 鲁該例示化合物（41)之氣仿中之Amax=391 nm，莫耳吸 光係數為3. 5xl04。 使3. 78g(0. 01 2莫耳）之例示化合物（41)授拌溶解於 100 ml之四氫呋喃中，以不會混入有不溶物之方式過濾 後，濾液中滴下1.79g(0.0072莫耳）之醋酸鎳/27 ml : 曱醇溶液。1小時攪拌反應液後，添加5〇〇ml之異丙醚， 析出固體後進行過濾。使過濾物懸浮於1〇〇 ml之水中， 攪拌30分鐘後進行過濾。使用異肉醚清洗過濾物，真空 中加熱乾燥過濾物，可獲得2.91g(產率為7〇 6%)之; 312χΡ/發明說明書(補件)/95-06/95110898 53 1325374 結構式[6 ]所示之含金 合物（5 8))。該化合物 吸光係數為5. 6x1 〇4。 屬°比°定鋼偶氮化合物（設為金屬錯 之氣仿中之Amax=435.5 nm，莫耳 [化 32]
(b)光學記錄媒體之評估 /吏金屬錯合物(58)('结構式[6]所示之含金屬吡啶醐偶 氮化合物）溶解於八氟戊醇中，將其調整為1 wt%。將其 過濾所獲得之溶解液，滴下至直徑為12〇mm、厚度為12 麗之射出成形型聚碳酸酯樹脂基板上，藉由旋塗法塗佈 一 500 rPm)，塗佈後在10(rc下乾燥3〇分鐘。該塗佈膜之 最大吸收波長（λ max)為442.5 nm。 圖2係金屬錯合物（58)之塗佈膜之吸收光譜。 向塗佈有該金屬錯合物（58)之圓盤切片，使用耐光性試 驗機（東洋精機製造所股份有限公司製造：SUNTEST XLS+)，將Xe燈以63°C、550 mW照射40小時。其後，藉 由UV測里益’分別測量Xe燈照射前之久max之吸光度（I〇) 與Xe燈照射後之λ max之吸光度（I)。繼而，算出I對於 1〇之比例（1/1〇(%)，評估耐光性（數值越大，耐光性越好）。 312XP/發明說明書(補件)/95-06/951】0898 54 !1325374 二，^Γ⑽之耐光性(n/_)為 r , 作為波長500⑽以下中之具有最大吸收波長 max)之色素膜，表現出極佳之耐光性。 又，另外將塗佈有金眉錯合物（58)之基板，於85t:、 』：濕度，之條件下，200小時靜置於恆溫恆濕槽内。 ^則1光譜，並與靜置於恆溫悝濕槽内前比較吸收強 2 則之；I max相同波長），評估保存穩定性。其結 果為97. 3%，極其良好。 A 於如此形成之塗佈膜上，相應需要使用義法成膜 g寺形成反射層’進而使紫外線硬化樹脂使用旋塗法等 ; = 使其硬化形成保護層，可製成光學記錄媒 μ、’干5己錄媒體’其根據塗佈膜之λ max值，可藉由 艮歹1如中心波長為4G5 nm之半導體雷射光進行記錄再生。 二It曉金屬錯合物(5δ)之含金屬吡啶酮偶氮化合物， 二二有對於藍色雷射光之記錄為有效之結構的化合物。 _再者，如下所述調製光學記錄媒體。 使上述金；|錯合物（5δ)溶解於人氟戊醇中，並調 距將其過濾所獲得之溶解液，滴下至具有執道間 :為，、槽寬度為200 nm、槽深度為7〇顔之槽的’ ::12。_、厚度為U _之射出成型聚 =’並藉由旋塗法進行塗佈。再者，“秒内將二 數自知轉數_ rpm提昇至侧卿，以侧咖 =鐘，進行塗佈。進而’職下乾燥扣分鐘，製成^ JI2XP/發明說明書(補件)/95·06/951 lOS% 55 1325374 繼而，藉由濺鍍法，以100 nm之厚度成膜銀合金，形 成反射層。其後，藉由旋塗法塗佈含有ϋν硬化性樹脂= 保護塗層齊卜照射tiV光形成厚度為5 "之保護層。進 而，使用延遲硬化型黏著劑，於保護層之某個面上黏著厚 度為0.6 _之聚碳酸酯製基板，調製評估用之予 媒體。 于心螺 (c)記錄例 一面以6.61 m/sec之線速度旋轉上述評估用之光 錄媒體，-面以波長為405 nm(對物透鏡之開口數㈣ 將π標記…空間之單一頻率信號記錄於槽 。再者’Τ係對應於65 ΜΗζ頻率之基準時鐘週 為1錄脈衝策略，分割脈衝數係將標記長度設為.即 f脈衝幅度為2 丁、後續記錄脈衝幅度為 率:為L5mW、再生功率為…、記錄功 於二為ϋ、;，。果，可以7㈣記錄調變度為5U之信 ^。4^度係根據脈衝策略等記錄條件之最佳化而增 (實施例2) (a)製造例 使18. 61 g之下七十[9 β -, 之乙醇中，於攪拌條件^ — ί異於驗酸[7]懸浮於_ ml 其後回流4小時。將反庫^溫下滴下27 ml之濃硫酸’ 析出固許唐幻4將反二液冷卻後，放入1000 ml之水中， 合成u⑽ 並以水清洗，真Μ乾燥析出物， 成14.88g之下述化合物mu率為67.7%)。 阳灯/發明說明書(補件)/95郁吻丨 56 1325374 [化 33]
COOH
[化 34]
cooc2h5
[8] : 3·5 g(u心之下述結構式[9]所示之3一 …一弟三丁基異十坐，授拌溶解於25以之醋酸、8 3 W之丙酸、i ml之濃硫酸溶液中’並冷卻至〇〜吖。於 ^以料小於或等於阶以下之方式滴下8.心之似 .亞A基^酸進行重氮化，調製重氮液。 [化 35]
另一方面，於其他容器中，使4 81 g(i 〇5 述化MU]、7.5g之醋酸納、lg之尿素，懸浮於1〇〇 ml之曱酉予、25 ml之水中，以鹽酸將pH值調整為5並冷 部至〇〜5C。該溶液中，於5。〇以下，以14%胺水水溶液 皿w發日月說明書(補件)/95•㈣川醜 1325374 :保持為4〜5 ’並且滴下預先調製之重氮液。滴下 搜掉30分鐘，過濾反應液。為去除無機鹽，使 子乃、bUU ml之水中，攪拌3〇分鐘左右後進行過 使過濾物懸浮於15()()〇11之甲醇中並進㈣掉、 匕’’“將-其於真空中加熱乾燥，獲得6. 69 g(產率為80%) 之上迚例不化合物（42)。例示化合物（42)之氣仿中之 λ，Χ = 379·5 nm ’莫耳吸光係數為3.1x10、 [化 36]
(42) 使2.0 g(0. 006莫耳）之例示化合物（42)所示之化合 物，獅溶解於40 ml之四氫吱喃中，以不會混入有不溶 _物之方式過濾、後，濾液巾滴下㈣莫耳）之醋酸 鎳/13 W之甲醇溶液。將反應液㈣i小時，其後將反 應液移至圓底燒瓶中使用蒸發器館去溶劑，使其乾固。為 去除未反應之醋酸鎳，將所獲得之固體懸浮於6Qmi之水 中，亚進行攪拌過濾。使用異丙醚清洗過濾物，使i於真 空中加熱乾燥，可獲得2.14g(產率為98 2%)之下述結構 式[10]所示之含金屬吡啶酮偶氮化合物(設為金屬錯合物 (59))。該化合物之氯仿中之λΐΜχ = 425⑽，莫耳吸光係 數為 4. OxlO4。 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 58 11325374 [化 37] t-Bu COOEt
(b)光學記錄媒體之評估 使上述金屬錯合物（59)( =結構式[l〇]所示之含金屬。比 馨义_偶氮化合物）溶解於八氟戊醇中，並調整為1 。 將其過濾所獲得之溶解液，滴下至直徑g丨20 mm、厚度 - 為L 2 mm之射出成形型聚碳酸酯樹脂基板上，藉由旋塗 •法塗佈，塗佈後1〇0它下乾燥30分鐘。該塗佈膜之最: 吸收波長（λ max)為436. 5 nm。 圖3係金屬錯合物（5 9)之吸收光譜。 再者，如下所述調製光學記錄媒體。 #向塗佈有該色素之圓盤切片，與實施例i相同之方式使 用耐光性試驗機（東洋精機製造所股份有限公司製造·· SUNTEST XLS+) ’ 將 Xe 燈以 63。〇、55〇 _ 照射 4〇 小時， 評估耐光性。 其結果，作為含金屬吼咬酮偶氮化合物之金屬錯合物 (59)之耐光性為59% ’作為5〇〇 nm以下波長中具有最大 吸收波長（λ max)之色素膜，表示極佳之耐光性 又’另外將塗佈有金屬錯合物（59)之基板，與實施例】 3丨2XP/發明說明書(補件)/95-06/95丨10898 59 1325374 1目^之方式’力85°C、相對濕度_之條件下，200小時 ==溫值濕清内。其後’測量光譜，評估保存穩定性 之結果為68. 9%。 使上述金屬錯合物（59)溶解於四氟戊醇中， :二了。將其過滤所獲得之溶解液，滴下至具二 ”為400 nm、槽寬度為2〇〇 _、槽深為？〇⑽之槽的直 :為⑶mm、厚度為G.6 _之射出成型聚碳酸自旨樹脂基 上’猎由旋塗法塗佈1’25秒内將旋轉數自旋轉數 ,""Pm提昇至4900 rpm，以4900 rpm保持5秒鐘，進 Γ㈣。進而’ 1〇〇〇C下乾燥3〇分鐘，製成為記錄層。繼 ，藉由濺鍍法以100 nm之厚度成膜銀合金，形成反射 層。其後，藉由旋塗法塗佈含有uv硬化性樹脂之保護塗 層劑，照射UV光形成厚度為5㈣之保護層。進而，使 用延遲硬化型黏著劑，於保護層之某個面上黏著厚戶為 〇·6_之聚碳酸醋製基板，調製評估用之光學記體。 jc)記錄例 一面以6.61 m/Sec之線速度旋轉上述評估用之光學記 錄媒體，一面以波長為405 nm(對物透鏡之開口數“Μ Μ) 之雷射光，將8T標記/8T空間之單-頻率信號記錄於槽 上。再者，T係對應於頻率65 MHz之基準時鐘週期。、^ 為記錄脈衝策略，分割脈衝數係將標記長度設為ηΤ，即 (η-1)、起始記錄脈衝幅度為2Τ、後續記錄脈衝幅度為 〇. 75Τ '偏壓功率為2. 4 mW、再生功率為〇. 4 _、將圮錄 功率设為可變。其結果，可以8 mw記錄調變度為42%之;； 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 60 11325374
I
I 信號。認為調變度係根據脈衝 增大。 ％朿略專記錄條件之最佳化而 (實施例3至實施例16) 以下’藉由與上述合成法相 人卞八® “人 』之方法，合成金屬錯合物 (60)至金屬錯合物（73)，鱼眘始， ，、戶'施例1相同之方式形成塗佈 膜，測量塗佈膜之吸收氺级。、a, θ = 及收九°s測量該等化合物之溶液中（氣 仿）之取大吸收波長（又max)、莫耳吸光係數、塗佈膜之最 大吸收波長（又max)(其中，塗佈溶劑使用八氟戊醇）。 (實施例17) (a)合成例 於與實施例1相同之反應條件下，使用下述結構式[丨i ] 所示之2 -乙氧基乙基胺作為胺，獲得下述結構式[12 ]所 示之化合物。 [化 38]
CJ]5〇C2H4Nl-j3
繼而’使2· 5 g(0. 0258 mol)之下述結構式[13]所示之 3-胺基-5-曱基吡唑’攪拌溶解於75 ml之水、12· 5 g之 濃鹽酸溶液中，並冷卻至〜。於此，以保持1 〇°c 以下之方式，滴下1. 96 g之亞硝酸鈉/6巾1水之溶液， 進行重氮化。 [化 39] 12X P/發明說明書(補件)/95-06/95丨丨0898 61 1325374
另一方面’於其他容器中，使5. 21 g(〇· 0235 m〇1)之 上述結構式[12 ]所示之化合物、與丨.〇 g之尿素攪拌溶解 於100 ml之曱醇中，並冷卻至〇〜5。〇。該溶液中，在〇。〇 以下滴下先前之重氮液。滴下結束後，攪拌3〇分鐘，過 濾反應液。為去除無機鹽，使過濾物懸浮於5〇〇 ml之水 中，攪拌30分鐘進行過濾。將其於真空中加熱乾燥，獲 得6.48 g(產率為83%)之下述結構式[14]所示之化合物。 該化合物之氣仿溶液中之Amax=423 5 nm，莫耳吸光係 數為 3. 7xl04。 [化 40]
c2h4oc2h5 繼而，使1 g(0. 003 mol)之上述結構式[14]所示之化 合物溶解於40 ml之THF中，冰浴下冷卻反應容器。於此， 添加0.15 g(〇. 0036 mol)之氫化納（油性、6〇%品）、與 1.3g(0.006 mol)之下述結構式[15]所示之對曱苯磺酸_ 正丙酯，升溫至70〇c並攪拌4小時，其後進而添加0.3 g 之氫化鈉、2.6 g之對曱苯磺酸_正丙酯，使其反應2小 日守亚冷卻。將反應液放出至水中，將pH值調節為中性後， 3丨2XP/發明說明霤(補件)/95-06/951 ] 0898 62 1325374 進行過濾。 [化 41] n-CjjHy· _"0
U5] 。。所獲仔之固體為半油狀，將其溶解於THF中並藉由蒸發 器鶴去溶劑，獲得固形物，使用異丙鱗清洗過遽固形物， 真空中乾燥固體，可獲得0.79g(產率續)之作為例示 化合物（55)所示之吡啶酮偶氮化合物。 作為該例示化合物（55)所示之D比相偶氮化合物，其於 氣仿溶液中之Amax=437 nm’莫耳吸光係數為4 4χΐ〇4。 所獲得之作為例示化合物(55)表示之吡啶酮偶氮化合 物’其藉由與實施例！相同之方法合成錦錯合物，㈣下 述化合物…K設為金屬錯合物（74))。該金屬錯合^⑽ 之又ax，“m、492 nm，莫耳吸光係數 Λ 8. 5χ104 ' 8. 5xl〇4 〇 [化 42]
Ni* (b)光學記錄媒體之評估 使金屬錯合物（74)溶解於八氣戊醇中 [16] 並調整為 312XP/發明說明書(補件)/95-06/951〗0898 63 1325374 。將其過濾'所獲得之溶解液，滴下至直徑為120 mm、 厚度為0. 6 mm之射出成形型聚碳酸酯樹脂基板上，藉由 旋塗法塗佈（50 0 rpm)，塗佈後i〇(rc下乾燥3〇分鐘。該 • 塗佈膜之最大吸收波長（λ max)為469. 5、5〇〇 nm。 又’圖4係金屬錯合物（74)之塗佈膜之吸收光譜。如圖 4所示’可知曉金屬錯合物（74)係與實施例1之金屬錯合 物（58)相比’於更長波長側具有久max，於405 nm中亦 具有某種程度之吸收，可作為光學記錄媒體用之色素使 •用。 (實施例18) • (a)合成例 於與實施例1相同之反應條件下，使用下述結構式[17] 所示之正己基胺作為胺，獲得下述結構式[18 ]所示之化合 物。 [化 43] • ch3 ^C,\\l3H])2 ……[17] ------[IS] H〇"^N 0 CeHi3 - 繼而，使6.08 g(0.04 mol)之下述結構式[19]所示之 :3 -胺基-5 -三敗曱基-1，2, 4(H)-三攻溶解於15 ml之醋 酸、5 m 1之丙酸、4 m 1之濃硫酸中’並冷卻至〇 C〜5 eC。 於此，以保持在1 (TC以下之方式滴下14 g之亞硝基硫酸 進行重氮化，調製重氮液。 312XIV發明說明書(補件)/95-06/95 ]丨0898 64 1325374
Η N
[化 44] FX,
N
'N -NH； [19] …另一方面，^其他容器中，使1U价.045 mol)之上 述結構式[18 ]所示之化合物、盘1 5 ，、1.3 g之尿素及15钇之 醋酸鈉，攪拌溶解於100 ml之甲_ λ 。 Τ奸十丄υ ml之水中，並
冷卻至0°C〜5°C。該溶液中，在5ΐ I ,下滴下上述 液。滴下結束後，㈣30分鐘，過滤反應液 機鹽，使過濾物懸浮於6〇〇 ml之水中，如、’、于、 、不甲，30分鐘左右攪拌 進行過濾。進而，使過濾物懸浮於2〇〇 mi之甲醇，進疒 授拌過遽’並使其於真空中加熱乾燥’獲得7 84 §(產： 為49%)之下述結構式[20]所示之化合物。該化合物之氣 仿溶液中之又max，L5 nm，莫耳吸光係數為口3 Ο·:。 [化 45]
ch3
120) 使2 g(〇. 005 mol)之上述結構式[20]所示之化合物、 與1. 4 g之碳酸鉀，懸浮溶解於20 mi之正甲基^^比洛 烷酮中，並加熱至90°C。於此，添加2. 1 g(X Q15 mQl；) 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95丨10898 65 1325374 垸’加熱丨小時。其後，冷卻反應液，將盆放 =，過濾所析出之固體，並使懸浮於甲醇中:進 _過遽所獲得之固體，於真空中乾燥，獲得 = :物(56)表示之吡啶酮偶氮化合物I : =偶氮化合物之氣仿中之一〜莫;:。 先係數為2. 7x1 04。 夫吁及 所，，作為例示化合物(56)表示之…偶氮化合 =4由與實施例14目同之方法合絲錯合物，獲得下 ^結構式[川所示之化合物（設為金屬錯合物（75))“亥金 二日合物（75)之氯仿溶液中之λ_=463、49ΐ5 m，莫 耳吸光係數為8.2xl〇4、8.0xl〇4。 、 [化 46]
Ni 2+ (b)光學記錄媒體之評估 [2J3 。使金屬錯合物（75)溶解於八氟戊醇中，並調整為工 w)%°將其過濾'所獲得之溶解液’滴下至直徑為12〇咖、 厚度為0.6 mm之射出成形型聚碳酸酯樹脂基板上，藉由 旋塗，塗佈（5G0 rpm)，塗佈後⑽。c下乾燥Μ分鐘。該 塗佈膜之最大吸收波長（λ max)為469.5、500 nm。 圖5係金屬錯合物（75)之塗佈膜之吸收光譜。如圖$所 J12XP/I 發明說明書(補件)/95-06/95110898 66 /|、 錯合物（5 8 )相 可知曉與實施例 侧具有“ax，於405 nm中亦罝謂長 -., τ力具有某種程度之吸收，可 作為光學記錄媒體用之色素所使用。 於如此形成之塗佈膜上，相應需要藉由難法成膜 =形成反射層，進而使紫外線硬化樹脂使㈣塗、 :物照射，使其硬化形成保護層，可舰學記錄媒 該光學記錄媒體係根據塗佈膜之^⑽值，例如可藉由 中心波長為405 nm之半導體雷射光進行記錄再生。即曰， 可知曉含有二價過渡金屬與通式[j ]至通式叫所示之 广定酮偶氮化合物之含金屬^定酮偶氮化合物，其係且有 相對於藍色雷射光之記錄較為有效之結構的化合物。 (實施例19) 藉由與實施例i之合成法相同之方法，使料為上述例 二化合物(57)表示之吡啶，偶氮化合物合成金屬錯合物 多⑽，與實施例i相同之方式，測量溶液中（氯仿）之最大 吸收波長U贿）、莫耳吸光係數、塗佈膜之最大吸收波 長（Amax)(其中，塗佈溶劑使用八氟戊醇）。 再者，们中表示實施例i至實施例19中調製之金屬 錯合物之溶液中（氯仿）之最大吸收波長Umax)、莫耳吸 光係數、塗佈膜之最大吸收波長Umax)(其中，塗佈溶劑 使用八氟戊醇）的測量結果。 3 口 XP/發明說明書(補件)/95-〇6/95丨丨0898 67 1325374 § 63.2% 59. 0% 62.2% 79. 3% 62. 6% 98.5% 63.2% 55.5% 塗佈膜之 Amax(nm) 442.5 436.5 442.5 oo 寸 § 寸 442.5 462,494. 5 寸 470.5 CNI 寸 LO 440.5 莫耳吸光係數 (xlOOOO) LO LO LO 寸 LO 卜· cx> CO OJ CO cd CO cd OJ OO LO 卜 寸· 溶液中之 Amax(nm)(nCHCl3) CO CO 寸 LO CM 寸 435.5 438.5 CO CO LO 寸 461.5 CD 459,486.5 462.5 CO CO 寸 435.5 LO CO 寸 酉她金屬 (所使用之金屬鹽） Ni Ni(CH£0〇V· Ni Ni(CH£00)2-4H2〇 Ni Ni(CH£0〇V4H2〇 ,Ni Ni(CH£00V 柳 Ni Ni(CH£00>-4H2〇 Co Co(CH£00)2-4H2〇 Ni Ni(CH£00)2·· Ni Ni(CH£00>-4H£l Ni Ni(CH£00V· Co Οο(αΜΌΟ)2·4Μ) Ni Ni(CH£00)2_4H£) Ni Ni (^3000)2-4^0 Ni Ni(CH£00)2-4H2〇 Ni Ni(CH£00)2-4H2〇 有機色素化合物 (例示化合物No.) 1(41) 1(42) K43) 1(44) K45) K45) 1(46) 1(47) Π(48) Π(48) Π(49) 1(50) 1(51) K52) 金屬錯合物 1 S LO 0¾ § /-~N s CO CO CO CO Vw/ Q CO LO CO Q CD £ OO CO N-/ CD CO VwX /^~*N o 實施例 1 < 03 CO L〇 cO 卜 oo σ> o CNI CO 2 89 —— 8sous6/90-ln6/(4?}®i)s3KI 盔 KJ^/JXtNle 1325374 g CD oo m oo C3^ LO CO cyi CO CN3 LO S cji 2 OO oo LO LO ”丨< CO cnI L〇 CO L〇 寸 03 芬 <z> s L〇 CJ^ cr> 寸 艺 LO LO 寸 LO CO 兮 CO CO iT> 寸* CO 寸 LO cd CO 寸 LO CO LO CO lD 寸 00 01 ι_η 一 LO OO L〇 OO CD od CO od CJD LO LO za CO CO oo LO oo C0 C75 CO CO 一 • 卜 CO CO C<1 CD 呀 CO CO 寸 LO r—^ CT5 呀 CO CO 寸 LO CO CO 寸 ΟΌ LO LO r—( CO CD 写 LO t-H CO 寸 LO CD LO 寸 LO CD 呀 LO OO 寸 LO CO 呀 Q CM S § g • t-H C-J -1 S 寸 CSJ S 8 g ♦ f-H 之 n= 寸 esj S § g • f—l 之 § 寸 CO -1 g • r-H § CM g θ § CSJ S 8 a » *-H i CO c3占 a S 寸 CV3 S 8 a g § 寸 CO S 8 g • 1—t 2: S es» -1 g • r—1 Z § CM S 8 g • <-H Q X 寸 CM S 8 g • CO L〇 h < s 1 1 LO a /-N CO m M £ 、s·»*·〆 > t £ 、««·/' * Ή OO LO /^-N OO LO /"N LO § H s ci CO 、_·^f CO CD oa /-'N CO Q /^N LO /-N CO 、«_✓， /—s OO /^\ /"N g ^*N 53 ___^ CO oo /^N CO oo Q oo L〇 CO 卜 OO cx> CO CNl oo CO oa CvJ LO CO CO oo 69 ——oosous6/90-s6/ffHui)ISKI^g^/c【xfNli: 1325374 (比較例l) 為進行比較，合成下述化合物[丨 、 媒體之評估。 、’進行作為光學記錄 (a )製造例 藉由類似方法，將下述結構式所厂、 并噻唑（東京化成股份有限公司製造 2月女基-6-曱基笨 之化合物叫其於氣仿中之— >耳吸光係數為3. 2x1 04。 莫 進而，以醋酸鎳將化合物[12]進行含金屬化之下述結構 式[13]所示之含金屬吡啶酮偶氮化合物’其於氯仿溶^中 之λ max為524 nm，莫耳吸光係數為7. 4χ1 〇4。 [化 47]
112] [化 49] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95 ] 10898 70 1325374
U3] (b)光學記錄媒體例 使上述結構式[13]所示之含金屬吼㈣偶氮化合物溶 _解於八氟戊醇中，並調整為i wt%，但溶解性較低，一半 左右存有不溶物。將其過濾所獲得之溶解液，滴下至直徑 為120 mrn、厚度為〇. 6 _之射出成形型聚碳酸酯樹脂基 板上、，藉由旋塗法塗佈（500 rpm)，塗佈後1〇(rc下乾燥 3〇分鐘。該塗佈膜之最大吸收波長（又max)為542.5 nm。 d而，可知曉於波長為405 nm中吸收甚微，無法期待相 對於中心波長為40 5 nm之雷射光之記錄。 再者’圖6係結構式[13 ]所示之含金屬η比咬_偶氮化人 |物之塗佈膜之吸收光譜。根據圖6所示之結杲，可知曉社 構式[13]所示之含金屬吡啶酮偶氮化合物’其係即使為含 金屬°比°定酮偶氮化合物，於不選擇異噚唑、1，2, 4~三唾或 者°比唾作為重氮成分之情形時，相對於藍色雷射光之記錄 不充分之色素化合物。 、 (比較例2) 為進行比較’合成下述結構SfU]所示之含金屬吡咬網 偶氮化合物’並進行作為光學記錄媒體之評估。 (a)製造例 71 312XP/發明說明書(補件)/95·〇6/95110898 藉由類似方法，將2-胺基_5_甲基— uj —噻二峻(東京 化成Μ有限公司製造）進行重氮化，於與實施例工相同 衣條件下進行偶合所合成之下述化合物[⑷，其於氣仿中 之又max為409.5⑽，莫耳吸光係數為3. 〇χ1〇4。 [化 50]
【14] 摄Ϊ同二方式’以醋酸鎳將化合物[14]進行含金屬化之結 :式[5]所不之含金屬吡啶嗣偶氮化合物，其於氯仿溶液 中之；imax為494 nm，莫耳吸光係數為7. 1χ1〇4。 口圖7係結構式[15]所示之含金屬吼相偶氮化合物之 吸收光譜。根據圖7所示之結果，可知曉結 之含金屬吡啶酮偶氮化合物，1 〇 " 不 _於吸收末端，無法期待記錄特性於波長伽⑽附近中處 [化 51]
Ni :2+ Π5 1 使結構式[15j所示之含金屬μ 八氣戍財，測以〗㈣，㈣触=:；·乎解二 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-06/95110898 72 1325374 a媳所獲侍之溶解液，滴下至直徑為12〇_ _之射出成形型聚碳酸酯樹脂基板上，藉由 :500 rPm)，塗佈後10(rc下乾燥3〇分鐘:對 ’奋解。將其過濾所獲得之溶解液， 厚度為0· β mm之射出成形型聚碳 方疋塗法塗佈（500 r pm)，塗佈徭ic 而，因溶解性較低，故而無法獲得塗佈膜之吸收光譜。 (比較例3) 為進行比較，合成下述結構式[16]所示之 合物’並進行作為光學記錄媒體之評估。 ^ (^ )製造例 參照上述專利文獻2(曰本專利特開平9_2777〇3號公 報），以m-N，N-—乙基苯胺作為原料合成之下述結構式[ 所示之化合物，其於氯仿溶液中之λ max具有552. 5⑽、 516 nm之兩個吸收峰值，莫耳吸光係數分別為ι ΐχΐ〇5、 8. 6x1 〇4 〇 圖8係結構式[16]所示之含金屬偶氮錯合物之氣仿溶 液中之吸收光譜。
(b)光學記錄媒體例 使上述結構式[16 ]所示之含金屬偶氮錯合物溶解於八 氟戊醇中’並調整為1 w t %。將其過遽所獲得之溶解液， 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95 ] 10898 73 1325374 滴下至直控為120 mm、厚度為〇6 mm之射出成形型聚碳 酸酯樹脂基板上，藉由旋塗法塗佈（5〇〇 rpm)，塗佈後 l〇〇°CTlt^ 30 马 bb5. 5 nm、524. 5 nm。 根據結構式[丨6 ]所示之含金屬偶氮錯合物之吸收光 譜’可知曉即使健有異❹作為重氮成分之結構，於波 長405 nm附近中幾乎不存在吸收。 ，結果、，可知曉結構式旧]所示之含金屬偶氮錯合物， …丁、即使為具有異口号吐於重氮成分之含金屬偶氮錯人 物，亦不具有吡啶酮骨架作為偶合成分者，相對於^ = 射光之記錄不充分之色素化合物。 I ® (實施例20至實施例27) ，由與實施例i之合成法相同之方法，使用作為例示化 “勿(57)、以及下述例示化合物(58)至例示化合物( 表示之吡啶酮偶氮化合物，合成金屬錯合物至 • 合物⑽，與實施例am，測量溶液中（氯仿）曰 之取大吸收波長（又max)、莫耳吸光係數、塗佈膜之最 吸收波長（Α·χ)(其中’塗佈溶劑使用八敗戊 表示其測量結果。 衣丄 至於对光性，即，色素保持率（表k l/h(%))， 於本發明中揭示之短波長域之記錄再生中，先前眾所周知 之相關紐波長記錄再生用之有機色素未滿】⑽之情 只要耐光性、即上述色素保持率60%以上，就極為良好。 3丨IX丨V發明說明書(補件)/95-06/95丨】0898 :1325374 為：：如：基準’認為揭示於表1之金屬錯合物極 」所月:、在貝知例23、貫施例26、實施例27係較先 :了所周知之色素為耐純良好，且可D實用之财光性 表現略不良之傾向。 其他金相合物相比，有 即’至於實施例23(耐光性19肩），其與實施例1(耐 光性63. 2%)相比，如上所述，教示其通式[I ]之L作 無取代之胺基（_NH2)較為不佳。“，即使是實施例^， >相比於先前者’具有充分良好之水準，從而藉由取代基 R2〜R5之組合，可提高溶解性並改善耐光性。 又，如比較實施例26(耐光性14.5%)、實施例27(耐光 性42. 3%)與實施例25(耐光性67, 5%)所明示，於將通式 [ΠΙ ]之R,。設為氫原子之情形時，顯示耐光性不良。進而， 比較實施例26與實施例27,以及實施例25(耐光性”，5%) 與實施例17(耐光性89%)，可知曉通式[皿]之^為氫原; 齡且R3為羧酸酯之組合，其可能會劣化耐光性。又，可知曉 表1中之銅錯合物（實施例22)，其與表〗之其他金屬錯" 合物相比具有略差之傾向，但無論哪種錯合物與先前眾所 周知之藍色雷射等短波長用之有機色素相比，均係極為良 好之化合物。 [化 53] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 75 1325374
(58)
COOEt COOEt
再者，本申請案係基於2005年3月29日申請之日本申 請案（日本專利特願2005-95905號），引用其全部。 【圖式簡單說明】 >圖1係說明適用本實施形態之光學記錄媒體的圖。圖 1(a)係第一實施形態，圖1(b)係第二實施形態。 圖2係金屬錯合物（58)(實施例1)之塗佈膜之吸收光 譜。 圖3係金屬錯合物（59)(實施例2)之塗佈膜之吸收光 譜。 圖4係金屬錯合物（74)(實施例17)之塗佈膜之吸收光 譜。 圖5係金屬錯合物（75)(實施例18)之塗佈膜之吸收光 3] 2X1V 發明說明書(補件)/95-06/95110898 76

Claims (1)

  1. :1325374 I 十、申請專利範圍： 1· 一種光學記錄媒體，其特徵為包含： 基板；及 。己錄層’其直接或介由其他層設置於上述基板上，可藉 由照射波長為350 nm以上且530 nm以下之雷射光，進行 資訊之記錄及/或再生； 上述记錄層係含有： 鲁有機色素化合物’其含有由6 -經基-2 - °比σ定酮結構所構 成之偶合成分與選自異$唾、三σ坐、^比α坐中之任何一種重 氮成分；及 金屬錯合物’其由上述有機色素化合物發生配位之金屬 離子所構成。 2.如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中，上遂 有機色素化合物係下述通式[I ]至通式[羾]所示之吡啶 酮偶氮化合物： •[化 1] 78 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 1325374
    R Rf .· ·[n] 9\ R 10 r> r3 'N=n
    .)=< 0 * [HI] -N HO 、Ri Ri。分另"蜀立表示氫原 Ri (於通式[I ]至通式[ffi ]中 子或者—價官能基）。 『3.如申請專利範圍第2項之光學記錄媒體，复 通式[I]至通式叫令之上述Ki〜R,D， 、中，上述 ^表=選自氫原子、直鏈或分支鏈之炫基、環狀烧基、 :=分支鏈之烧氧基、飽和或不飽和之雜環基、 土方烧基、酿基、胺基、基胺基中之任何一種， R7〜Rg表7^選自氫原子、碳數1至碳數18之直 達或=鏈之㈣、敍3至翁心絲 2至碳數18之直鏈或分支鏈 反致 環基、碳數6至碳數18之芳/基^和或不飽和之雜 心方基、碳數7至碳數20之芳烷 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95丨丨0898 79 1325374 基1碳數1至碳數18之直鏈或分支鏈之烷氧基、碳數丄 ^碳數~18之直鏈或分支鏈之烷硫基、_素原子、硝基、 ^基、氫硫基、羥基、曱醯基、醯基、胺基、醯基胺基、 胺基甲酉义S旨基、叛酸酷基、驢氧基、胺甲酿基、石黃臨基、 亞％ S&基、胺磺醯基、磺酸酯基、磺醯胺基中之任何一種， L。表示選自氫原子、直鏈或分支鏈之烷基、環狀烷 基、醯基中之任何一種。 4.如申請專利範圍第丨項之光學記錄媒體，其中，上述 金屬離子係選自週期表之3族〜12族中之二價金屬離子。 5·如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中，上述 金屬離子係選自鎳、鈷、鐵、鋅、銅、錳中之至少一種金 屬離子。 6_如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中，上述 光係波長為385 nm〜410 nm之雷射光。 7. —種光學記錄媒體，係具備含有有機色素之記錄層 _者’其特徵為： 上达有機色素含有金屬錯合物’該金屬錯合物係由下述 通式[I ]至通式[羾]所示之吡啶酮偶氮化合物以及上述 。比。定綱偶氮化合物發生配位且選自週期表之3族〜12族 中之二價金屬離子所構成： [化2] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898 80 1325374
    [Π:
    卩8 Rs 尸2 R9v< 广N=N—<\ >=◦ · · · [Hi] q /， >—N '、10 / \ HO A (於通式[I ]至通式[M]中，R,〜RlC)分別獨立表示氫原 子或者一價官能基）。 > 8.如申請專利範圍第1或7項之光學記錄媒體，其中， 上述吡啶酮偶氮化合物之分子量在1 〇〇〇以下。 9. 一種金屬錯合物，其特徵為含有： 選自週期表之3族〜12族中之二價金屬離子；以及 與上述金屬離子配位且以下述通式[I ]所示之°比咬酮 偶氮化合物； [化3] 312XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898
    (於通式[J 能基）。 中，R,〜h分別獨立表
    示氫原子或者 一價宫 •如申凊專利範圍第9 人 金屬係選自鋅 孟屬錯合物，其中，上述 種有1二=二二少-種。 。定，化合物所形成之金屬錯合物者- 構成= = 氮化合物含有由㈣基如比㈣結構所 12 Λσ主成刀，以及由異^坐所形成之重氮成分。 上、成八°麗月專利範圍第11項之有機色素化合物，其中， 二子係' 之自週期表之3族〜12族之金屬離子。 上述有;n月本專利乾圍第1或7項之光學記錄媒體，其中， 1 化合: 合物係下述通式[ι ]所示之峨偶氮 [化4]
    3丨2XP/發明說明書(補件)/95-06/95110898
    82 1325374 西通式[I ]中，Rl係除了無取代之胺基（-NH2)以外之一 士又，R2〜RS分別獨立表示氫原子或者一價官能 14.如申請專利範圍第丨或7項之光學 上述有機色素化合物係下述通式叫所示。之1媒體，其中’ 化合物： < 比。疋酮偶氮 [化5]
    N=f\j
    一 .. HO R28 ,R27 又/)=〇 [IV] R 又 (=通式[IV]巾，卩3|#、除了氫原子以外之 ，I〜R3G分別獨立表示 秘官能基， 二飞原子或者-價官能基）
    3丨2XP/發明說明書(補件)/95-06/95丨10的8 83
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