TWI317453B - Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

Description

1317453 玖、發明說明： r發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於一種反射-穿透式液晶顯示器裝置及 5 —種用於製造該反射-穿透式液晶顯示器裝置的方法，更特 別地，係有關於一種在一顯示過程期間能夠防止由在形成 一定向薄膜時被殘留在該定向薄膜之離子與雜質所引起之 殘像產生的反射-穿透式液晶顯示器裝置及一種製造該反 射-穿透式液晶顯示器裝置的方法。 10 【】 發明背景 液晶顯示器裝置，不論其之螢幕尺寸，係可以被製成 具有較纖薄、較細小及較輕的結構。 如此的液晶顯示器裝置係與陰極射線管（CRT)式顯示 15 器裝置顯著地不同，CRT式顯示器裝置的厚度、體積和重 量係與其之尺寸成正比例地增加。液晶係具有幾個微米（μηι) 的厚度，但控制光線的品質。 液晶顯不益裝置更需要光線來顯不影像貢訊5因為液 晶本身不產生光線，但僅控制光線量。 20 液晶顯示器裝置係端視所使用之光源的種類而定來被 分成反射式液晶顯示器裝置、穿透式液晶顯示器裝置及反 射-穿透式液晶顯示器裝置。 反射式液晶顯示器裝置利用像太陽光、室内照明光及 室外照明光般的外部光線來顯示影像資訊。該等反射式液 5 1317453 晶顯示器裝置係在低電力消耗下顯示影像資訊，因為這些 裝置僅在控制液晶時消耗電力。 然而，如果外部光線未被供應或者係不充份地供應到 其那裡的話，該等反射式液晶顯示器裝置不會顯示影像資 5 訊。 穿透式液晶顯示器裝置藉由使用，例如，—冷陰極營 光式燈(CCFL)來得到人工光線，並且藉由把該人工光線通 過液晶來顯示影像資訊。因此’不管該外部光線，該等穿 透式液晶顯示器裝置可以在任何的環境狀態下顯示影像資 10 訊。 然而’該等穿透式液晶顯示器裝置係在高電力消耗下 顯示影像資訊，因為縱使外部光線係充份地供應到其那裡 時這些裝置係藉著消耗電能來產生光線。 反射-穿透式液晶顯示器裝置具有該反射式與穿透式 15液晶顯示器裝置的優點。該等反射-穿透式液晶顯示器裝置 在外部光線未被供應或者係不充份地供應的地方利用人工 光線來顯示影像資訊。此外’該等反射-穿透式液晶顯示器 褒置在外部光線被充份地供應的地方利用外部光線來顯示 影像資訊。 20 據此，與穿透式液晶顯示器裝置比較起來，該等反射- 穿透式液晶顯示器裝置在能夠不管其之環境狀態來顯示影 像資訊之時能夠顯著地降低電力消耗。 第1圖是為顯示一種習知反射-穿透式液晶顯示器裝置 的剖視圖。 1317453 請參閱第1圖所示，一種習知反射-穿透式液晶顯示器 裝置100包括一 TFT(薄膜電晶體）基體10、一濾色器基體20 及液晶30。 此外，該反射-穿透式液晶顯示器裝置100包括一個驅 5 動模組（圖中未示），該驅動模組產生一個控制液晶30來顯示 一影像的驅動訊號。 該TFT基體10包括一透明基體11、一薄膜電晶體12、一 有機絕緣層13、一像素電極14及一定向薄膜（orientation film)15。 10 該薄膜電晶體12係以矩陣結構來排列於該透明基體11 上。該薄膜電晶體12包括一閘極電極12a、一通道層12b、 一源極電極12c及一汲極電極12d。 該有機絕緣層13係設置於該透明基體11的上表面上俾 可隔離該薄膜電晶體12。該有機絕緣層13係設置有一個用 15 於曝露該薄膜電晶體12之汲極電極12d的接觸孔13a。 該像素電極14係設置於該有機絕緣層13的上表面上。 該像素電極14包括一透明電極14a和一反射電極14b。 該透明電極14a係藉由把在該有機絕緣層13上之具有 高光線穿透率與傳導率的氧化銦錫(ITO)或氧化銦辞(IZO) 20 定以圖案來被形成。 該透明電極14a係經由該有機絕緣層13的接觸孔13a來 連接到該薄膜電晶體12的汲極電極12d。第一光線(從該透 明基體11的下部份產生出來）通過該透明電極14a。即，當 外部光線未被供應或不足夠地被供應到該裝置100時，該第 7 1317453 一光線通過該透明電極14a來顯示影像資訊。 該反射電極14b係設置於該透明電極14a的上表面上。 該反射電極14b包括一個具有高光線反射率的金屬。該反射 電極14b反射具有一個與該第一光線之方向相反之方向的 5 第二光線俾可顯示影像資訊。 一開孔窗（opening window) 14c係設置於該反射電極 14b的中央俾可部份地曝露該透明電極14a，所以該反射電 極14b具有一個比該透明電極14a之面積小的面積。 該第一光線通過該開孔窗14c俾可在一個該外部光線 10 未被充份地供應的黑暗地方顯示影像資訊。 在該像素電極14業已形成於該透明基體11上之後，該 定向薄膜15係以一個淺的厚度來設置在該透明電極11之上 表面的整個面積之上。 該定向薄膜15防止液晶30被任意地配向。即，液晶30 15 係由該定向薄膜15配向成預定的圖案。為了這目的，一個 定向凹槽（在第2至4圖中的15a)係設置在該定向薄膜15的上 表面上。 該定向凹槽15a係經由一刷磨（rubbing)處理來被規則 地設置於該定向薄膜15上。為了形成該定向凹槽15a，一具 20 有細毛的刷磨纖維在與該定向薄膜15接觸時係轉動及向前 地移動。 該濾色器基體20係在該定向薄膜15業已形成於該TFT 基體10上之後連接到該TFT基體10。 該濾色器基體20包括一透明基體21、一濾色器22、及 8 1317453 一共用電極23。該濾色器22係與設置在該TFT基體10上之像 素電極14相對地設置於該透明基體21上。 該共用電極23係設置於該濾色器22的整個表面上以致 於該濾色器22覆蓋該透明電極21。 5 液晶3 0係插置於該濾色器基體2 0與該T F Τ基體1 〇之 間。 然而，以上所述之習知反射-穿透式液晶顯示器裝置 100在一顯示過程期間產生一殘像，藉此使影像資訊的品質 降級。該殘像係由於該定向凹槽15a與該像素電極14的定向 10 而產生。 第2圖是為具有一個被定向在1點鐘方向之定向凹槽之 習知反射-穿透式液晶顯示器裝置的示意圖，第3圖是為具 有一個被定向於11點鐘方向之定向凹槽之習知反射-穿透 式液晶顯示器裝置的示意圖，而第4圖是為具有一個被定向 15 於6點鐘方向之定向凹槽之習知反射-穿透式液晶顯示器裝 置的示意圖。 請參閱第2圖所示’當該定向凹槽15 a被定向於1點鐘方 向時，液晶30係在沒有產生任何問題於該像素電極μ的反 射電極14b下來被穩定地配向。然而，液晶3〇的反應速度在 20 該開孔窗14c的内側部份係被降級，因此殘像係被產生於古亥 開孔窗14c的内側部份。在第2圖中，一個殘像區域係被顯 示為”A”。該殘像區域A係與該定向凹槽15a相對。 請參閱第3圖所示，當該定向凹槽i5a被定向於丨丨點鐘 方向時，液晶係在沒有產生任何問題於該像素電極14的反 9 1317453 射電極14b下來被穩定地配向。然而，液晶30的反應時間在 忒開孔窗14c的内側部份亦被降級，因此該殘像係被產生於 該開孔窗14c的内側部份。在第3圖中，該殘像區域係被顯 示為”B”。該殘像區域B係與該定向凹槽15a相對。

請參閱第4圖所示，當該定向凹槽15a被定向於6點鐘方 向時，液晶30係在沒有產生任何問題於該像素電極14的反 射電極14b下來被穩定地配向。然而，液晶30的反應速度在 該開孔窗14c的内側部份亦被降級，因此該殘像係被產生於 该開孔窗14c的内側部份。在第4圖中，該殘像區域係被顯 10 示為” C”。該殘像區域C係與該定向凹槽i5a相對。 請參閱第2至4圖所示，該等殘像區域a，B和C係共同地 與設置在該反射電極14b之開孔窗14c的位置和一刷磨方向 有關》

當執行刷磨處理時’附在一刷磨纖維之細毛的離子或 15 雜質係由於該刷磨纖維的轉動而向外地移動。該等離子或 雜質不從該像素電極14釋出，卻堆疊於一個在該透明電極 14a與該反射電極14b之間的邊界，因為一個階梯部份係設 置於該在該透明電極14a與該反射電極14b之間的邊界。 結果’在弟1圖中所不之液晶30的反應速度係由於堆疊 2〇 於該在該透明電極14a與該反射電極14b之間之邊界的該等 離子或雜質而被降級。如果液晶30的反應速度係比一個標 準速度慢的話’殘像係被產生，藉此使影像資訊的品質降 級。 【發明内容3 10 1317453 發明概要 本發明提供一種能夠在液晶之反應速度由於堆疊於一 在一反射電極與一透明電極之間之邊界之該等雜質或離子 和一定向凹槽之刷磨形式而被降級時防止殘像產生的反射 5 -穿透式液晶顯不器裝置。

本發明提供一種製造一反射-穿透式液晶顯示器裝置 的方法，該液晶顯示器裝置能夠在液晶的反應速度由於堆 疊於一在一反射電極與一透明電極之間之邊界之該等雜質 或離子和一定向凹槽之刷磨形式而被降低時防止殘像產 10 生。

在本發明之一特徵中，一種反射-穿透式液晶顯示器裝 置係被提供，該液晶顯示器裝置包含：一第一基體，該第 一基體包括一設置於一第一透明基體上的薄膜電晶體、一 設置於該第一透明基體上來隔離該薄膜電晶體的有機絕緣 15 層，該有機絕緣層具有一用於曝露該薄膜電晶體之輸出端 的接觸孔、一像素電極，該像素電極具有一經由該形成於 該有機絕緣層上之接觸孔來連接到該薄膜電晶體之輸出端 的透明電極及一設置於該透明電極之第一區域上的反射電 極’該透明電極的弟二區域係在沒有由該反射電極覆盖下 20 被曝露、及一定向薄膜，該定向薄膜係被塗佈於該像素電 極的上表面上並且具有一個在一第一方向上刷磨的定向凹 槽，該定向凹槽防止雜質堆疊於一個在該透明電極之第一 與第二區域之間的邊界；一第二基體，該第二基體包括一 與該像素電極相對地設置於一第二透明基體上的濾色器及 11 1317453 ’設置於該濾色器之上表面上並且面向該像素電極的共用 電極，及一插置於該第一與第二基體之間的液晶。 …二将徵中，-種製造—反射_穿透式液晶顯示器裝 置的方法係被提供，該方法包含如下之步驟：形成一薄膜 電晶體於-第_翻基體上；沉積―有機絕緣層於該第— 透明基體上俾可把該薄膜電晶體隔離，該有機絕緣層具有 一個用於曝露該薄膜電晶體之輸出端的接觸孔；形成一像 素電極於該有機絕緣層上，該像素電極具有—個經由該接 觸孔來連接到該薄膜電晶體之輸.出端的透明電極及一形成 5 10 15 於名透明也極之第一區域上的反射電極，該透明電極的第 一區域係在沒有由該反射電極覆蓋下被曝露；塗佈—定向 薄膜㈣像素電極的上表面上；在—第—方向上刷磨該定 向薄膜俾可形成—定向凹槽於該定向薄膜上，該定向凹槽 防止雜質堆疊於_㈣成於該透明電極之第—與第二區域 之間的邊界’形成—與該像素電極相對的濾色器於—第二 透月基體上，形成-共用電極於該渡色器的上表面上，該 共用電極面㈣像素電極；及插置_液晶於該共用電極: 該於其上形成有駄向薄膜和歧向凹槽的像素電極之 間0 2〇 本發明的反射穿透式液晶顯示器裝置可以包括像素 電極之各式各樣的結構及改變該定向凹槽的刷磨方向。該 反射-穿透歧晶顯示H裝置可以防止殘像由於堆疊於在 該透明電極與該反射電極之間之邊界之雜質或離子而被產 生，藉此提升影像資訊的顯示品質。 12 1317453 圖式簡單說明 本發明之以上及其他優點將會藉由參閱該詳細說明與 該等附圖而變得清楚理解，在該等附圖中： 第1圖是為一習知反射-穿透式液晶顯示器裝置的剖視 5 圖； 第2圖是為具有一被定向於1點鐘方向之定向凹槽之習 知反射-穿透式液晶顯示器裝置的示意圖； 第3圖是為具有一被定向於11點鐘方向之定向凹槽之 習知反射-穿透式液晶顯示器裝置的示意圖； 10 第4圖是為具有一被定向於6點鐘方向之定向凹槽之習 知反射-穿透式液晶顯示器裝置的示意圖； 第5圖是為本發明實施例之反射-穿透式液晶顯示器的 剖視圖， 第6圖是為顯示本發明之薄膜電晶體的剖視圖； 15 第7圖是為顯示本發明之有機絕緣層的剖視圖； 第8圖是為顯示本發明之像素電極的剖視圖； 第9圖是為顯示一種用於形成一定向凹槽於本發明之 定向薄膜之方法的示意圖； 第10圖是為顯示本發明實施例之設置於一像素電極上 20 之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 第11圖是為顯示本發明另一實施例之像素電極的剖視 圖； 第12圖是為顯示本發明另一實施例之設置於一像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 13 1317453 第13圖是為顯示本發明另一實施例之設置於—像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 第14圖是為顯示本發明另一實施例之設置於—像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 5 第15圖是為顯示本發明另一實施例之設置於—像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖；及 第16圖是為顯示本發明再一實施例之像素電極的平面 圖。 【實施冷式j 1〇較佳實施例之詳細說明 第5圖是為本發明實施例之反射-穿透式液晶顯示器穿 置的剖視圖。 凊參閱第5圖所示，一種反射-穿透式液晶顯示器裝置 5〇〇包括一TFT基體200、一液晶300和一濾色器基體4〇〇。 15 該TFT基體200具有一第一透明基體210、一薄膜電晶 體220、一有機絕緣層230、一像素電極240及一定向薄膜 250。 第6圖是為顯示第5圖之薄膜電晶體的剖視圖。 該薄膜電晶體22〇係以矩陣結構的形式來被配置於該 20 第—透明基體21〇。該薄膜電晶體220包括一絕緣層22卜一 閘極電極224、一通道層223、一源極電極227及一汲極電極 229。 為了开^成S亥薄膜電晶體220、該閘極電極224係首先被 形成於該第一透明基體210上。 14 1317453 在沉積軸合金般之1核金屬於該第—透明基體 210的整個表面上之後，該閘極電極224係藉著經由一微影 處理來把該閘極金屬定以圖案來被形成。 該閘極電極224絲矩陣結構的形式綠配置而且屬 5於相同行的閘極電極係經由一條問極線（圖中未示）來彼此 並聯地連接。 該閘極電極224絲藉魏緣層221來被隔絕而該通道 層223係形成於該絕緣層22 i之對應於該問極電極之上 表面的上表面上。 10 該通道層223係藉著使用微影處理來把-非晶石夕薄膜 與一n+非晶石夕薄膜定以圖案來被形成，該等薄膜係形成於 該絕緣層221的上表面上。 才示號222表示一個非晶矽圖案而標號225表示一個n+非 晶矽圖案。 15 此外，一源極/汲極金屬薄膜係被沉積於該第一透明基 體210的整個表面上。該源極/汲極金屬薄膜係經由微影來 被定以圖案因此該源極電極227與該汲極電極229係形成於 該n+非晶矽圖案225的上表面上。該源極和没極227和229 係彼此隔離。 -0 當形成該源極電極227時，一資料線係被形成。該資料 線係連接到屬於相同列之並聯的源極電極。 第7圖是為顯不第5圖之有機絕緣層的剖視圖。 請參閱第7圖所示’該有機絕緣層230係形成於該第一 透明基體210的上表面上俾可隔離該薄膜電晶體22(^ 一用 15 1317453 於+路β亥薄膜電晶體no之沒極電極η9的接觸孔η2係經 由微影處理來形成於該有機絕緣層230。 ^圖是域45®之像素電㈣剖視圖。 °月參閱第8圖所不，該像素電極240係形成於該有機絕 5緣層23〇的上表面上。該像素電極24〇包括 一透明電極242和 一反射電極244。 «亥透明電極242具有一矩形形狀而且係藉由沉積具有 面光線牙透率和傳導率之氧化銦錫(ΙΤ〇)或氧化銦鋅(ιζ〇) 於忒有機絕緣層230上及藉著經由微影處理來把該氧化銦 10錫或氧化銦鋅定以圖案來被形成。 該透明電極242係經由該有機絕緣層23〇的接觸孔232 來連接到該薄膜電晶體220的汲極電極229。 當外部光線未被供應或者不充份地供應時，第一光線 係從該第一透明基體210的底部產生並且通過該透明電極 15 242來顯示影像資訊。 該反射電極244係形成於該透明電極242的上表面上。 該反射電極244包括一個具有優越之光線反射率的金屬。具 有一個與該第一光線之方向相反之方向的第二光線係從該 反射電極244反射。 20 第9圖是為顯示本發明之一實施例之一種用於形成第5 圖之定向薄膜中之定向凹槽的示意圖。 請參閱第9圖所示，該定向薄膜250係形成於該第—透 明基體210的整個表面上俾可允許該像素電極24〇覆蓋該有 機絕緣層230。 16 1317453 該定向薄膜25〇防止液晶3〇〇被任意地配向。該定向薄 膜250把液晶300配向成預定的圖案。為了這目的，一定向 凹槽252係形成於該定向薄膜250上。 由於該定向薄膜250具有-個薄的厚度，其係具有與該 透明電極242和該反射電極244之側面相同的側面。據此， 5亥定向薄膜250的側面係在一個於該透明電極242與該反射 電極244之間的邊界區域（在第9圖中被顯示為圓圈”d”)變 化0 具有對應於该透明與反射電極242與244之側面之側面 1〇的該定向薄膜250係形成有定向凹槽252，其係經由一個刷 磨處理來被規則地配向。 為了形成該定向凹槽252，如在第9圖中所示，纏繞一 定向滾輪257之刷磨纖維255的細毛254在與該定向薄膜250 接觸時係轉動且向前地移動。 15 第10圖是為顯示本發明之一實施例之設置於第5圖之 像素電極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖。 請參閱第10圖所示，形成在該透明電極242之上表面上 的反射電極244具有一個比該透明電極丨42之面積小的面 積。具有較小之面積的該反射電極244係被形成以致於一第 20 一邊界244a係形成在該反射電極244與該透明電極242之 間。在該像素電極140的佈局中該第一邊界244a可以具有一 個線性形狀。 如在第10圖中所示，該透明電極242之設置有反射電極 2斗4的第一區域（在第1〇圖中顯示為影線）係在該第一逢界 17 1317453 244a遇上&透明電極242之未由反射電極244覆蓋的第二區 域。 在該像素電極240中該定向凹槽252的刷磨方向係非常 重要如果§亥定向凹槽252係不適當地被定向的話，附於該 5等細毛2 5 4的離子和雜質係遺留在該設置於具有彼此不同 之側面之反射電極244與透明電極242之間的第一邊界 244a。 由於遺留在該第一邊界244a的離子與雜質，與液晶300 之要求的反應速度比較起來，液晶300的反應速度係被降 10低。如果液晶300的反應速度係比該要求的反應速度低的 s舌’殘像係被產生，藉此對要被顯示之影像資訊產生不好 的影響。 為了防止由定向凹槽252之刷磨方向所產生的殘像，如 在第10圖中所示，該刷磨纖維255(在第9圖中）的細毛254係 15 從反射電極244朝透明電極242移動。 由於該透明電極242係在該反射電極244業已被刷磨之 後被刷磨，在該設置於反射電極244與透明電極242之間的 第一邊界244a，引致殘像的離子和雜質會被減少。 該定向凹槽252的刷磨方向可以被各式各樣地選擇俾 20 防止殘像被產生。 請參閱第10圖所示，為了防止殘像被產生於該設置在 反射電極244與透明電極242之間的第一邊界244a，該刷磨 方向係被形成從12點鐘方向到6點鐘方向、從12點鐘方向到 9點鐘方向、或從12點鐘方向到3點鐘方向。 18 1317453 此外，要形成該刷磨方向與該第一邊界244a平行從3點 鐘方向到9點鐘方向或從9點鐘方向到3點鐘方向俾防止殘 像被產生於該設置在反射電極244與透明電極242之間的第 一邊界244a亦是有可能的。 5 如果該刷磨處理係被執行從6點鐘方向到12點鐘方 向、9點鐘方向或3點鐘方向的話，該刷磨方向係面向該設 置於反射電極244與透明電極242之間的第一邊界24知，因 此離子和雜質係會堆疊於該第一邊界244¾。 第11圖是為顯示本發明之另-實施例之像素電極的剖 10視圖。在後面的說明中，與在第5至10圖中所示之實施例之 那些不同的部件係僅作說明而在該實施例中所說明之相同 的部件將會被省略以避免冗長。 請參閱第11圖所示，刷磨方向的限制能夠藉由形成一 傾斜表面244b於該反射電極244之對應於該設置在第一與 15第二區域之間之第一邊界244a的側壁來被解決。 第12圖是為顯示本發明之另一實施例之設置於第$圖 之像素電極之定向凹槽之刷磨方向的平面圖。第12圖顯示 一種用於藉由改變第5圖之像素電極之反射電極之形狀來 改變該定向凹槽之刷磨特性的方法。 20 請參閱第12圖所示，設置於該透明電極242之上表面上 的該反射電極244具有一個比該透明電極242之面積小的面 積。 該定向薄膜250係形成於該第〜透明基體21〇之上表面 的整個面積之上以致於設置在該有機絕緣層23〇上的該像 19 1317453 素電極240係由該定向薄膜250覆蓋。 該定向薄膜250防止液晶300於該像素電極240的上表 面上被任意地配向。液晶300係由該定向薄膜250配向成一 預定的圖案。為了這目的，該定向凹槽252係形成於該定向 5 薄膜250。 由於該定向薄膜250具有一個薄的厚度，其係具有與該 透明電極242與該反射電極244之那些相同的侧面。據此， 該定向薄膜250的侧面係在一個設置於該透明電極242與該 反射電極244之間的第二邊界244c變化。 10 具有對應於該透明電極242與該反射電極244之侧面之 各式各樣之側面的該定向薄膜250係形成有該定向凹槽 252，該定向凹槽係經由刷磨處理來被規則地配向。 該定向凹槽252的刷磨方向係非常重要。如果該定向凹 槽252被不適當地定向的話，附於該刷磨纖維255的離子和 15 雜質係遺留在該定向薄膜250的第二邊界244c。 由於遺留在該定向薄膜250之第二邊界：244c的離子和 雜質’與液晶300之要求的反應速度比較起來，液晶3〇〇的 反應速度係被降低。如果液晶300的反應速度係比該要求的 反應速度慢的話，殘像係被產生，藉此對要被顯示之影像 20 資料產生不好的影響。 根據本實施例，為了防止由該定向凹槽252之刷磨方向 所引致的殘像，該刷磨纖維255(在第9圖中）的細毛254係朝 該透明電極242的一部份前進，該透明電極242的該部份係 在沒有由該反射電極244覆蓋下被曝露，如在第12圖中所 20 1317453 示。 當從頂部看時，該反射電極244係設置於該透明電極 242的第一區域(在第12圖中顯示為影線），而因此該透明電 極242的第二區域係在沒有由該反射電極244覆蓋下被曝 5 露。 該第二區域包括用於曝露該透明電極242之兩個邊緣 242a和242b的第二邊界24軋。由該第二邊界244c所曝露的 該等邊緣242a和242b係彼此連接。該第二邊界244c具有一 個曝露該透明電極242之該兩個邊緣242a和242b的L-形 10狀。據此，該形成有反射電極244的第一區域亦被形成具有 L-形狀。 由於該透明電極242係在該具有L-形狀的反射電極244 業已被刷磨之後被連續地刷磨，對要被顯示之影像資訊產 生不良之影響的殘像能夠被減少。 15 用於防止殘像產生於該設置在反射電極244與透明電 極242之間之第二邊界244c之定向凹槽252的刷磨方向可以 被各式各樣地選擇。 凊參閱第12圖所示’該刷磨方向可以被形成在2點鐘方 向、從6點鐘方向到3點鐘方向、從6點鐘方向到12點鐘方 20 向、或從9點鐘方向到3點鐘方向俾可防止殘像被產生於該 第二邊界244c。 如果該刷磨處理係被執行從12點鐘方向到6點鐘方向 或從3點鐘方向到9點鐘方向的話，離子和雜質係會堆疊於 該刷磨方向和該設置在反射電極244與透明電極242之間的 21 1317453 第二邊界24如。 第13圖疋為顯不本發明之另—實施例之設置於第^圖 之像素電極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖。第13圖顯 示-種用於藉由改變糾圖之像素電極之反射電極之形狀 5 來改變該定向凹槽之刷磨特性的方法。 請參閱第13圖所示’該傾斜表面屢係形成於面向該 設置在透明電極242之第-㈣二㈣之間之第二邊界 244c之反射電極244的側壁俾可防止離子和雜質遺留在該 第二邊界244c。刷磨方向的限制能约憑藉該形成於反射電 10 極2料之側壁的傾斜表面244b來被滅少。 第14圖疋為顯不本發明之另—實施例之設置於第$圖 之像素電極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖。第14圖顯 示一種用於藉由改變第5圖之像素電極之反射電極之形狀 來改變該定向凹槽之刷磨特性的方法。 15 3青參閱第14圖所示，設置於該透明電極242之上表面上 的該反射電極244具有一個比該透明電極242之面積小的面 積。 3玄透明電極242之由該反射電極244所佔用的一個區域 係被界定為一第一區域(在第14圖中顯示為影線），而該透明 20電極242之未由該反射電極244覆蓋的一個區域係被界定為 一第二區域’如在第14圖中所示。該透明電極242的一個邊 緣242c係經由該第二區域的一部份來被曝露。據此，該第 一區域具有一個U-形狀而且該反射電極244亦具有一個U- 形狀。 22 標號244d表示一個設置於該透明電極242之第一與第 二區域之間的第三邊界。該第三邊界244d具有U-狀結構。 該定向薄膜250係形成於該有機絕緣層230之未由像素 電極240所覆蓋的一部份上，及在該像素電極24〇的上表面 上。 5亥定向薄膜250防止液晶300在該像素電極240的上表 面上被任意地配向。液晶300係由該定向薄膜250配向成一

預定的圖案。為了這目的，該定向凹槽252係形成於該定向 薄膜250。 由於該定向薄膜250具有一個薄的厚度，其係具有與該 透明電極242和該反射電極244之側面相同的側面。據此， 該定向薄膜250的側面係在該設置於透明電極242與反射電 極244之間的第三邊界變化。 具有對應於透明電極242和反射電極244之側面來被變 化之側面的該定向薄膜250係被形成有該定向凹槽252，該 定向凹槽252係經由刷磨處理來被規則地配向。

為了形成該定向凹槽252，具有細毛254的刷磨纖維 255(在第9圖中）係在與該定向薄膜250接觸時轉動和向前移 動。該定向凹槽252的刷磨方向係非常重要。如果該定向凹 槽252係不適當地被定向的話，附於該刷磨纖維255的離子 和雜質係遺留於該在透明電極242與反射電極244之間的第 三邊界244d。 由於遺留在这弟二邊界244d的該等離子和雜質，與液 晶300之要求的反應速度比較起來，液晶3〇〇的反應速度係 23 1317453 被降低。如果液晶300的反應速度係比該要求的反應速度低 的話，殘像係被產生，藉此對要被顯示之影像資訊產生不 良的影響。 根據本實施例，為了防止由刷磨方向所引起的殘像， 5 該刷磨纖維255(在第9圖中）的細胞254係首先刷磨該透明電 極242的第一區域並且連續地刷磨該透明電極242之在沒有 由反射電極244覆蓋下被曝露的第二區域，如在第14圖中所 示。 由於該透明電極242係在該反射電極244業已被刷磨之 10後被連續地刷磨，由遺留於該第三邊界244d之離子和雜質 所引致之產生在該第三邊界244d的殘像會被減少。 用於防止殘像被產生於該設置在反射電極244與透明 電極242之間之第三邊界244d之該定向凹槽252的刷磨方向 能夠被各式各樣地選擇。 15 凊參閱第14圖所示，該刷磨方向係被形成從6點鐘方向 到12點鐘方向俾可防止殘像被產生於該設置在反射電極 244與透明電極242之間的第三邊界。 如果刷磨處理係被執行從3點鐘方向到9點鐘方向、從9 點鐘方向到3點鐘方向、或從12點鐘方向到6點鐘方向的 2〇居，该刷磨方向係面向該設置在反射電極244與透明電槌 242之間的第三邊界244d，因此離子和雜質會堆疊於該第〜 邊界244d。 < 第15圖是為顯示本發明之另一實施例之設置於第 之像素電極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖。第15圖亦 24 1317453 顯示一種用於藉由改變第11圖之像素電極之反射電極之形 狀來改變該定向凹槽之刷磨特性的方法。 請參閱第15圖所示，該傾斜表面24仆係形成於該反射 電極244之對應於該在透明電極242之第一與第二區域之間 5之第三邊界244d的側壁’俾可防止離子與雜質遺留在該第 二邊界244d。即，當執行刷磨處理時所散射的離子與雜質 能夠藉由形成該傾斜表面244b於該反射電極244的側壁來 被防止堆疊於該第三邊界244d。 第16圖是為顯示本發明之再一實施例之設置於一像素 10電極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖。第16圖亦提供一 種用於藉由改變該像素電極之反射電極之形狀來改變該定 向凹槽之刷磨特性的方法。 請參閱第16圖所示，該透明電極242之由該反射電極 244所佔用的一個區域係被界定為一個第一區域，而該透明 15電極之未由該反射電極244覆蓋的一個區域係被界定為一 個第二區域。 如在第16圖中所示，該第二區域係被形成於該第一區 域。垓第二區域不曝露該透明電極242的邊緣。 备形成該第二區域於該第一區域内時，不管該刷磨方 20向雜負與離子係堆疊於一個在該第一與第二區域之間的 第四邊界244k，藉此產生殘像。 為了防止雜質或離子堆疊於該在反射電極244與透明 電極242之間的第四邊界之靴，_傾斜部份2啤係形成於該 反射電極244接近該第四邊界244k。 25 1317453 該傾斜部份244g可以被形成與該刷磨方向相對或者可 以被形成在該第四邊界244k的整個面積之上，如在第16圖 中所示。 該傾斜部份244g的形狀可以被各式各樣地選擇，只要 5 被引入該反射電極244與該透明電極242之第四邊界244k的 該等離子和雜質係經由該傾斜部份2 44g來被釋放到外部。 雖然未在第16圖中顯示，該透明電極242可以包括多於 —個的第二區域。在這情況中，該第二區域可以包括一個 圓形形狀或者一個矩形形狀。 10 請再次參閱第5圖所示，該濾色器基體400係在該定向 凹槽252業已被形成於該TFT基體200之後被連接到該TFT 基體200。 該濾色器基體400包括一第二透明基體410、一濾色器 420、及一共用電極430。該濾色器420係形成於該第二透明 15 基體410上與該設置於該TFT基體200上的像素電極240相 對。 該濾色器420在一個對應於一反射電極（見第8圖）之區 域包括一第一色調而在一透明電極（見第8圖）之在沒有由反 射電極覆蓋下被曝露的區域包括一第二色調，該第二色調 20 係與該第一色調不同。 該共用電極430係形成於該濾色器420的整個表面上以 致於該濾色器420覆蓋該第二透明電極410。 該液晶300係插置於該濾色器基體400與該TFT基體 200之間，藉此達成本發明的反射-穿透式液晶顯示器裝置 26 500 ° 500 °1317453 如上所述，本發明的反射-穿透式液晶顯示器裝置能夠 藉由改變該定向凹槽的刷磨方向及該反射電極的形狀來減 少該對要被顯示之影像產生不良影響的殘像，藉此達成顯 5 示的優越品質。 雖然本發明業已配合其之較佳實施例詳細地作說明， 對於熟知此項技術之人仕來說，應要了解的是，各式各樣 的改變、替換及變化能夠在沒有離開本發明之由後附之申 請專利範圍所定義的範圍下被作成。 10 【圖式簡單說明】 第1圖是為一習知反射-穿透式液晶顯示器裝置的剖視 圖， 第2圖是為具有一被定向於1點鐘方向之定向凹槽之習 知反射-穿透式液晶顯示器裝置的示意圖； 15 第3圖是為具有一被定向於11點鐘方向之定向凹槽之 習知反射-穿透式液晶顯示器裝置的示意圖； 第4圖是為具有一被定向於6點鐘方向之定向凹槽之習 知反射-穿透式液晶顯示器裝置的示意圖； 第5圖是為本發明實施例之反射-穿透式液晶顯示器的 20 剖視圖； 第6圖是為顯示本發明之薄膜電晶體的剖視圖； 第7圖是為顯示本發明之有機絕緣層的剖視圖； 第8圖是為顯示本發明之像素電極的剖視圖； 第9圖是為顯示一種用於形成一定向凹槽於本發明之 27 1317453 定向薄膜之方法的示意圖； 第ίο圖是為顯示本發明實施例之設置於一像素電極上 之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 第11圖是為顯示本發明另一實施例之像素電極的剖視 5 圖； 第12圖是為顯示本發明另一實施例之設置於一像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 第13圖是為顯示本發明另一實施例之設置於一像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 10 第14圖是為顯示本發明另一實施例之設置於一像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖； 第15圖是為顯示本發明另一實施例之設置於一像素電 極上之定向凹槽之刷磨方向的平面圖；及 第16圖是為顯示本發明再一實施例之像素電極的平面 15 圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 100 反射-穿透式液晶顯示器裝置 10 TFT基體 20 滤色器基體 30 液晶 11 透明基體 12 薄膜電晶體 13 有機絕緣層 14 像素電極 15 定向薄膜 12a 閘極電極 12b 通道層 12c 源極電極 12d 汲極電極 13a 接觸孔 14a 透明電極 14b 反射電極 28 1317453 14c 開孔窗 15a 定向凹槽 21 透明基體 22 濾色器 23 共用電極 200 TFT基體 500 反射-穿透式液晶顯示器裝置 300 液晶 400 濾色器基體 210 第一透明基體 220 薄膜電晶體 230 有機絕緣層 240 像素電極 250 定向薄膜 221 絕緣層 224 閘極電極 223 通道層 227 源極電極 229 汲極電極 222 非晶矽圖案 225 n+非晶矽圖案 232 接觸孔 242 透明電極 244 反射電極 250 定向薄膜 252 定向凹槽 254 細毛 255 刷磨纖維 257 定向滾輪 244a 第一邊界 244b 傾斜表面 244c 第二邊界 242a 邊緣 242b 邊緣 242c 邊緣 244d 第三邊界 244k 第四邊界 244g 傾斜部份 410 濾色器基體 420 濾色器 430 共用電極

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Claims (1)

13 174砰2119317號專利申請案申請專利範圍修正本 -A 口 —拾、申請專利範圍：日修⑻正本 I I圓 | _ III I I 修正曰期：98年6月 1.一種反射-穿透式液晶顯示器裝置，包含： 一第一基體，該第一基體包括： 一像素部分，係與一閘極線及一資料線交錯； 5 —薄膜電晶體，該薄膜電晶體係設置於一第一透明基 體之該像素部分上； 一有機絕緣層，該有機絕緣層係設置於該第一透明基 體上俾可隔離該薄膜電晶體，該有機絕緣層具有一個用 於曝露該薄膜電晶體之輸出端的接觸孔； 10 —像素電極，該像素電極具有一個經由該設置於該有 機絕緣層上之接觸孔來連接到該薄膜電晶體之輸出端的 透明電極，及一設置於該透明電極之第一區域上的反射 電極，該透明電極的第二區域係在沒有由該反射電極覆 蓋下被曝露，其中該第二區域之該透明電極的至少一邊 15 緣部分未被該反射電極覆蓋且係鄰近該閘極線或該資料 線，及 一定向薄膜，該定向薄膜係被塗佈於該像素電極的上 表面上並且具有一個在一第一方向上刷磨的定向凹槽， 該第一方向係從該第一及第二區域間之邊緣朝向該透明 20 電極沒有被該反射電極覆蓋之邊緣部份； ‘ 一第二基體，該第二基體包括： 一濾色器，該濾色器係設置於一第二透明基體上與該 像素電極相對；及 一共用電極，該共用電極係設置於該濾色器的上表面 1317453 上並且面向該像素電極；及 · 一液晶，該液晶係插置於該第一與第二基體之間。 2.如申請專利範圍第1項所述之反射_穿透式液晶顯示器裝 置，其中，該第一與第二區域的邊界在該像素電極的佈 局中具有一線性形狀。 3·如申請專利範圍第2項所述之反射-穿透式液晶顯示器裝 置，其中，該第一方向越過該邊界。 4·如申請專利範圍第2項所述之反射-穿透式液晶顯示器裝 置，其中，該反射電極包括一個與該第一和第二區域之 鲁 邊界接觸的側壁，而且該側壁係傾斜俾可防止雜質堆疊 於該邊界。 5·如申請專利範圍第1項所述之反射-穿透式液晶顯示器裝 置，其中，該第二區域曝露該透明電極之第一區域的兩 個邊緣’而且該兩個邊緣係彼此連接。 6·如申請專利範圍第5項所述之反射_穿透式液晶顯示器袭 置，其中，該反射電極包括一個與該第一和第二區域之 邊界接觸的側壁，而且該側壁係傾斜俾可防止雜質堆属 « 於該邊界。 且 7. 如申請專利範圍第5項所述之反射_穿透式液晶顯示器裂 置，其中，該在第一與第二區域之間的邊界，及該第一 區域各包括一個L-形結構。 8. 如申請專利範圍第i項所述之反射_穿透式液晶顯示器裝 置’其中，該第二區域係部份地曝露該透明電極的一個 2 1317453 9·如申請專利範圍第8項所述之反射·穿透式液晶顯示器冑 . 置，其中，該反射電極包括一個與該第一和第二區域之 邊界接觸的側壁，而且該側壁係傾斜俾可防止雜質堆疊 於該邊界。 5 10.如申請專利範圍第8項所述之反射_穿透式液晶顯示器裂 置，其中，該在第一與第二區域之間的邊界，及該第— 區域各包括一個U-形結構。 u·如申請專利範圍第i項所述之反射·穿透式液晶顯示器裝 置，其中，該第二區域係形成於該第一區域的内部，且 鲁 10 其中，該反射電極包括一個與該第一和第二區域之邊界 相鄰的側壁，該側壁係傾斜俾可防止雜質堆疊於該邊界。 12·如申請專利範圍第11項所述之反射_穿透式液晶顯示器 裝置其中，該透明電極包括數個第二區域。 13·如申請專利·糾項所述之反射穿透式液晶顯示器 15 裝置，其中，該濾色器在該對應於該反射電極之第一區 域包含-第-色調而在該透明電極之在沒有由該反射電 極覆蓋的第二區域包含一第二色調，該第二色調係與該 鲁 第一色調不同。 14.-種用於製造反射_穿透式液晶顯示器裝置的方法，該方 20 法包含如下之步驟： 形成-閘極線至-資料線，以界定出一被該問極綠 與該資料線交錯的像素部分； 开7成薄膜電晶體於一第一透明基體之該像素部 分上； 3 1317453 沉積一有機絕緣層於該第一透明基體上俾可隔離 該薄膜電晶體，該有機絕緣層具有一個用於曝露該薄膜 電晶體之輸出端的接觸孔； 形成一像素電極於該有機絕緣層上，該像素電極具 5 有一個經由該接觸孔來連接到該薄膜電晶體之輸出端的 透明電極及一個形成於該透明電極之第一區域上的反射 電極’該透明電極的第二區域係在沒有由該反射電極覆 蓋下被曝露，其中該第二區域之該透明電極的至少一邊 緣部分未被該反射電極覆蓋且係鄰近該閘極線或該資料 10 線； 塗佈一定向薄膜於該像素電極的上表面上； 在一第一方向上刷磨該定向薄膜俾可形成一定向 凹槽於該定向薄膜上，該第一方向係從該第一及第二區 域間之邊緣朝向該透明電極沒有被該反射電極覆蓋之邊 15 緣部份； 形成一濾色器於一第二透明基體上與該像素電極 相對； 形成一共用電極於該濾色器的上表面上，該共用電 極係面向該像素電極，及 20 插置一液晶於該共用電極與該於其上係形成有該 定向薄膜與該定向凹槽的像素電極之間。 15.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中，形成一像素 電極的步驟包含： 形成該透明電極於該在其上係形成有該薄膜電晶 4 1317453 體與該有機絕緣層的第一透明基體上； 域金屬薄膜於該透明電極的上表面上；及 把该金屬薄膜定以圖案以致於該反射電极係 於該透明電極的第—區域而且該在第—與第二區域之 的邊界在該像素電極的佈局中係具有-線性形狀。0 16·如”專利範_5項所述之方法，其中，把該金屬薄 膜疋二圖案的步驟包括形成該反射電極的-個側壁於1 第-區域接近該邊界，該側壁係傾斜俾可防止雜質堆= 於該反射電極的側壁。 10

Π.如申請專鄕圍第14項所狀方法，其巾，形成 電極的步驟包含： 〃 形成該透明電極於該在其上係形成有該薄膜電晶 體與該有機絕緣層的第一透明基體上； θθ 形成一金屬薄膜於該透明電極的上表面上；及 15 把該金屬薄膜定以圖案以致於該反射電極係形成

於該透明電極的第-區麵且該第二區域曝露該透明電 極的兩個邊緣’該兩個邊緣係彼此連接。 18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中，把該金屬薄 膜定以圖案的步驟包括形成該反射電極的一個側壁於該 2〇 第一區域接近該邊界，該側壁係傾斜俾可防止雜質堆晟 於該反射電極的側壁。 19. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中，形成—像素 電極的步驟包含： 形成該透明電極於該在其上係形成有該薄膜電晶 5 體與該有機絕緣層的第一透明基體上； 形成一金屬薄膜於該透明電極的上表面上；及 把該金屬薄膜定以圖案以致於該反射電極係形成 於該透明電極的第一區域上而且該第二區域曝露該透明 電極的一個邊緣。 20. 如申δ青專利範圍第19項所述之方法，其中，把該金屬薄 膜定以圖案的步驟包括形成該反射電極的一個側壁於該 第一區域接近該邊界，該側壁係傾斜俾可防止雜質堆疊 於該反射電極的側壁。 21. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中，形成一像素 電極的步驟包含： 形成該透明電極於該第一透明基體上以致於該第 二區域係形成於該第一區域的内部； 形成一金屬薄膜於該透明電極的上表面上；及 把該金屬薄膜定以圖案以致於該反射電極係形成 於該透明電極的第一區域上，而且該反射電極的側壁係 傾斜地形成於該第一區域接近該邊界俾可防止雜質堆疊 於該反射電極的側壁。 22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，該透明電極 包括數個第二區域。 23. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中，該第—方向 係被形成從該反射電極到該透明電極。