KR20070002391A - 반투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

반투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 4 마스크를 이용한 반사투과형 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 어레이 기판의 패드부에서는 요철패턴의 보호막의 존재로 인하여 단차가 높아 하프(Half) PR이 형성되지 않음으로써 4 마스크 공정으로 진행하는데 있어 문제점이 발생하였다.
따라서, 본 발명은 요철패턴의 보호막을 없애거나 그 두께를 줄임으로써, 하프(Half) PR의 형성이 가능하게 하여 4 마스크를 이용한 반사투과형 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
반투과 4 마스크, 패드부, 하프(Half) PR, 단차

Description

반투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 {array substrate for transflective liquid crystal display device and fabrication method therof}
도 1은 일반적인 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 일부 평면도
도 2a 내지 2h는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ＇를 따라 절단한 것으로 제조 공정에 따른 단면도
도 3a 내지 3h는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ＇를 따라 절단한 것으로 제조 공정에 따른 단면도
도 4는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 일부 평면도
도 5a 내지 5j는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ＇를 따라 절단한 것으로 제조 공정에 따른 단면도
도 6a 내지 6j는 도 4의 Ⅵ-Ⅵ＇를 따라 절단한 것으로 본 발명의 제 1 실시예의 제조 공정에 따른 단면도
도 7a 내지 7j는 도 4의 Ⅵ-Ⅵ＇를 따라 절단한 것으로 본 발명의 제 2 실시예의 제조 공정에 따른 단면도
본 발명은 반투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 (array substrate for transflective liquid cyrstal display device and fabrication method thereof)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반투과형 액정표시장치용 어레이 기판에서 요철이 없는 패드부 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회의 급발전에 따라, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었다. 이러한 평판표시장치 중의 하나인 액정표시장치는 해상도, 컬러표시, 화질등이 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로 액정표시장치는 각 전극들이 형성되어 있는 두 기판이 서로 마주보도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정을 주입한 다음, 두 전극에 전압이 인가되어 생성되는 전기장에 의해 액정분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다.
그러나 액정표시장치는 스스로 빛을 발하지 못하므로 별도의 광원이 필요한 바, 액정 패널 뒷면에 백라이트를 배치함으로써, 백라이트로부터 나오는 빛을 액정 패널에 입사시켜 화상을 표시한다.
이러한 액정표시장치를 투과형(transmission type) 액정표시장치라고 하는데, 이는 백라이트와 같은 인위적인 광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서 도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로 인한 전력소비가 큰 단점이 있다.
이와 같은 단점을 보완하기 위해 반사형(reflection type) 액정표시장치가 제안되었다. 이는 외부의 자연광이나 인조광을 반사시킴으로써 액정의 배열에 따라 빛의 투과율을 조절하는 형태로, 투과형 액정표시장치에 비해 전력소비가 적다.
그러나 반사형 액정표시장치는 소비전력을 낮출 수 있는 장점이 있는 반면, 외부광이 충분하지 못할 경우 휘도가 낮아져 표시장치로 사용할 수 없는 단점이 있다.
따라서 상기 문제를 극복하고자 반사투과형 액정표시장치가 개발되었다. 이는 반사형 액정표시장치의 외부광이 충분하지 못할 경우 휘도가 낮아져 표시장치로 사용할 수 없는 단점과 투과형 액정표시장치의 소비전력이 높다는 단점을 각각 보완함으로써, 백라이트 광을 이용하는 투과모드 및 외부광을 이용하는 반사모드로 선택하여 사용할 수 있는 제품이다.
도 1은 일반적인 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 일부 평면도로서, 투명한 기판(10)상에 게이트 배선(12)과 데이터 배선(14)이 교차하여 화소 영역(P)을 정의하고 있으며, 게이트 배선(12)과 데이터 배선(14)의 교차점에 박막트랜지스터가(T)가 위치한다. 게이트 배선(12) 일 끝단에는 게이트 패드(40)가 형성되며, 게이트 패드(40)의 일부를 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(42)이 형성된다. 또한 상기 박막트랜지스터(T)와 드레인 콘택홀(24)에 의해 연결된 화소 전극(26)이 형성되어 있다.
상기 화소 영역(P)의 중앙부를 제외한 나머지 영역에는 상기 화소 전극(26) 상부에 반사판(19)이 형성되어 반사부(RA)를 형성하고 있으며, 반사판(19)이 형성되지 않은 영역은 투과부(TA)를 형성하고 있다. 이때, 상기 반사부(RA)에는 볼록한 원모양의 요철패턴(30)이 형성되어 있는 것이 특징인데, 이는 반사부(RA)에 있어 경면 반사를 방지하기 위함이다.
또한, 반사부(RA)에 있는 박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(12)과 연결되어 주사 신호를 인가받는 게이트 전극(16)과, 데이터 배선(14)과 연결되어 화상 신호를 인가받는 소스 전극(18) 및 이와 소정간격 이격된 드레인 전극(20)과, 게이트 전극(16) 상부에 위치하고 소스 전극(18) 및 드레인 전극 (20) 하부의 액티브층(22)으로 구성된다.
도 2a 내지 2h는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ＇를 따라 절단한 것으로 제조 공정에 따른 단면도이고, 도 3a 내지 3h는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ＇를 따라 절단한 것으로 제조 공정에 따른 단면도로서, 반투과 4 마스크 공정을 진행하여 도 2의 박막트랜지스터 부분과 도 3의 게이트 패드부를 중심으로 설명한다.
도 2a와 도 3a에서 도시한 바와 같이, 투명한 기판(10)상에 제 1 금속층(11)을 형성한 후 제 1 마스크 공정으로, 빛을 받는 부분이 노광되어 현상되는 포지티브형(positive type)인 포토레지스트(13, 이하 'PR'층이라 한다.)를 도포하고, 상기 PR층이 형성된 기판 상부에 투과영역(A)과 차단영역(B)으로 구성된 마스크(50)를 위치시킨다.
이어서, 상기 마스크(50) 상부에서 기판(10)을 향해 빛을 조사하는 노광 공정(exposure)과, 노광된 부분을 제거하는 현상 공정(develope)을 진행한다. 그리고 노출된 제 1 금속층(13)을 식각한후, 남은 PR층을 제거하는 애싱 공정(ashing)을 진행하면, 각각 도 2b에서 도시한 바와 같이 기판(10) 상의 반사부(RA)에 게이트 전극(16)이 형성되며, 도 3b에서 도시한 바와 같이 기판(10) 상의 투과부(TA)에 게이트 패드(40)가 형성된다.
연속하여, 도 2c에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(16)이 형성된 기판(10) 전면에 게이트 절연막(15)과, 순수 비정질 실리콘층(22a) 및 불순물 비정질 실리콘층(22b)과, 제 2 금속층(21)을 차례로 적층한다. 또한, 도 3c에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 패드(40)가 형성된 기판(10) 전면에 게이트 절연막(15)과, 순수 비정질 실리콘층(22a) 및 불순물 비정질 실리콘층(22b)과, 제 2 금속층(21)을 차례로 적층한다.
그다음, 2d에서 도시한 바와 같이, 제 2 마스크 공정을 진행하여 소스 및 드레인 전극(18,20)과 하부의 순수 비정질 실리콘층(22a)이 노출된 액티브층을 형성한다. 도면에서 도시하진 않았으나, 제 2 마스크 공정을 간략히 설명하면, 상기 제 2 금속층(21) 위로 전면에 PR층을 도포하고 그 상부에 투과영역과 차단영역과 반투과영역으로 구성된 마스크를 위치시는데, 여기서 마스크의 반투과 영역은 게이트 전극(16) 상부에 대응하여 위치시킴으로써, 반투과 영역에 대응하는 PR층은 투과 영역에 비해 일부분만 노광된다. 여기서 마스크는 하프톤(half-tone) 마스크나 회절 마스크가 이용될 수 있다. 그 후 노출된 제 2 금속층(21)과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층(22b) 및 순수 비정질 실리콘층(22a)을 식각하여 패턴을 형성한 후, 게이트 전극(16)에 대응되는 부분을 부분 식각하면 소스 및 드레인 전극(18,20)과 순수 비정질 실리콘층(22a)을 노출시키는 액티브층을 형성하게 된다.
한편, 패드부에서는 전술한 제 2 마스크 공정이 진행되는데, 투과영역으로만 구성된 마스크를 위치시켜 노광, 현상 공정과 식각, 애싱 공정을 거친 후, 도 3d에서 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(15)만 남기고 모두 제거된다.
연속하여, 도 2e에서 도시한 바와 같이 상기 소스 및 드레인 전극(18,20)과 투과부(TA)의 노출된 게이트 절연막(15) 위로, 도 3e에서 도시한 바와 같이 상기 게이트 절연막(15) 전면에, 벤조사이클로부텐(BCB)과, 아크릴(acryl)계 수지(resin) 등의 투명한 유기절연물질 중 선택된 하나를 도포하여 보호막(17)을 형성한다.
그다음, 제 3 마스크 공정을 진행하는데, 하프톤(half-tone) 마스크나 회절 마스크를 이용할 수 있다. 우선 도 2e에서 도시한 바와 같이,상기 보호막(17) 상부에 투과 영역(A)과, 차단 영역(B)과, 반투과 영역(C)으로 구성된 마스크(60)를 위치시키고, 패드부에서는 도 3e에서 도시한 바와 같이, 투과 영역(A)과 차단 영역(B)로 구성된 마스크(60)를 위치시킨다. 여기서, 상기 보호막(17)은 빛을 받아 노광되어 현상되는 포지티브형(positive type)을 예로 든다. 따라서 박막트랜지스터 부분인 도 2e에서 도시한 바와 같이, 반사부(RA)에 요철패턴을 형성하기 위하여 차단 영역(B)과 반투과 영역(C)을 교대로 위치시키며, 드레인 콘택홀(미도시)을 형성하기 위하여 투과 영역(A)을 드레인 전극(20) 상부에 대응하도록 위치시킨다.
연속하여 노광과 현상 공정을 진행한 후 열처리하게 되면, 도 2f에서 도시한 바와 같이, 요철패턴을 가지는 보호막(17)과 액티브층(22a)을 노출시키는 드레인 콘택홀(24)이 형성되며, 패드부에서는 도 3f에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(15)을 노출시키는 보호막(17)이 형성된다.
연속하여, 도 2g에서 도시한 바와 같이, 상기 요철패턴의 보호막(17)과 투과부(TA)의 노출된 게이트 절연막(15) 상부로 투명도전성 물질과(26) 그 위로 반사판(19)을 전면에 적층한다. 이때, 투명도전성 물질은(26)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)중의 선택된 하나를 사용할 수 있으며, 여기서는 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 사용한 것으로 본다. 상기 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 반사판(19)은 보호막(17)의 요철패턴 형태를 따라서 적층된다. 또한, 3g에서 도시한 바와 같이, 상기 보호막(17) 사이로 노출된 게이트 절연막(15)을 식각하여 게이트 패드(40)를 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(42)을 형성한 후, 상기 보호막(17)과 노출된 게이트 패드(40) 위로 인듐-틴-옥사이드(26)와 그 위로 반사판(19)을 전면에 증착시킨다.
연속하여, 제 4 마스크 공정을 진행하는 데, 하프톤(half-tone) 마스크나 회절 마스크를 이용할 수 있다. 상기 반사판(19) 위로 전면에 포지티브형(positive type)의 PR층을 도포한 후, 반사부(RA)에 대응시키는 차단 영역(B)과 투과부(TA)에 대응시키는 반투과 영역(C)으로 구성되는 하프톤(Half tone) 마스크(70)를 위치시킨다. 따라서 도 2h에서 도시한 바와 같이, 투과부(TA)에서는 반사부(RA)에 대응되는 PR층(25)의 높이보다 약 1/2의 높이를 가지는 PR층(25)이 형성된다. 이를 하프(Half) PR이라고도 한다.
한편, 패드부에서는, 도 3h에서 도시한 바와 같이, 전술한 바 처럼 상기 반사층(19) 위로 전면에 PR층이 함께 도포되는데, 도 2h의 투과부(TA)에 형성되는 PR층의 높이만큼 형성되어야 한다. 그러나, 도 2h의 투과부(TA)에 대응되는 PR층과는 달리,도 3h의 투과부(TA)에 대응되는 PR층은 상기 요철패턴의 보호막(17)으로 인하여 단차가 높기 때문에 도 2h의 투과부(TA)에 대응되는 PR층의 높이만큼 형성되지 않는다. 즉, 패드부의 단차가 높아서 하프(Half) PR의 형성이 잘 되지 않는다. 따라서, 이후에 진행되는 애싱 공정을 거치면서, 전술한 단차로 인하여 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 그 하부의 보호막까지 손상을 입을 수 있다. 그렇게 되면, 노출된 게이트 패드와 인듐-틴-옥사이드(ITO)가 접촉이 잘 되지 않아, 불량이 발생할 수 있고, 이로써, 전술한 바의 반투과 4 마스크 공정으로 진행하기 어려워진다. 따라서, 마스크 저감 구조가 불가능해짐으로써, 공정이 복잡해지고, 제조 비용과 시간의 부담이 따른다.
전술한 바와 같이 패드부의 단차가 높아서 하프(Half) PR이 형성되지 않으므로, 본 발명은 패드부의 요철패턴의 보호막을 없애거나 그 두께를 줄임으로써, 패드부의 단차를 낮추는 것을 목적으로 한다. 따라서 하프(Half) PR이 형성됨으로써 4 마스크가 가능한 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 마스크 공정으로, 게이트 패드를 형성하는 단계와; 상기 게이트 패드가 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와; 제 2 마스크 공정으로, 상기 금속층과 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층을 식각하여 순수 비정질 실리콘층을 노출하는 제 1 개구부를 갖는 제 1 보조 패드 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 보조 패드 패턴과 노출된 순수 비정질 실리콘층 상부로 보호막을 형성하는 단계와; 제 3 마스크 공정으로, 상기 보호막을 제거하고, 상기 게이트 패드에 대응하는 순수 비정질 실리콘층과 게이트 절연막을 식각하고 상기 제 1 보조 패드 패턴의 금속층과 불순물 비정질 실리콘층을 제거하여, 상기 게이트 패드를 노출하는 제 2 개구부를 갖는 제 2 보조 패드 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 노출된 게이트 패드 상부로 투명도전층과 반사층을 순차적으로 형성하는 단계와; 제 4 마스크 공정으로, 상기 반사층 상부로 하프(Half) PR을 형성하고, 상기 반사층과 투명도전층을 식각하여 게이트 패드 단자를 형성하는 단계와; 상기 게이트 패드 단자의 반사층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 4 마스크 공정은, 반투과 영역과 투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 3 마스크 공정은, 투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 마스크 공정으로, 게이트 패드를 형성하는 단계와; 상기 게이트 패드가 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와; 제 2 마스크 공정으로, 상기 금속층과 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층을 제거하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상부로 보호막을 형성하는 단계와; 제 3 마스크 공정으로, 상기 게이트 절연막을 노출하는 개구부를 갖는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 사이로 노출된 게이트 절연막과 보호막을 식각하여 상기 게이트 패드를 노출시키는 단계와; 상기 기판 전면에 노출된 게이트 패드 상부로 투명도전층과 반사층을 형성하는 단계와; 제 4 마스크 공정으로, 상기 반사층 상부로 하프(Half) PR을 형성하고, 상기 반사층과 투명도전층을 식각하여 게이트 패드 단자를 형성하는 단계와; 상기 게이트 패드 단자의 반사층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 4 마스크 공정은, 반투과 영역과 투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 3 마스크 공정은, 투과 영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 반사부와 투과부를 정의하는 단계와; 상기 반사부에 상기 제 1 마스크 공정으로 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 기 판의 전면에 상기 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 2 마스크 공정으로, 상기 금속층을 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 순수 비정질 실리콘층을 노출시켜 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 노출된 액티브층 상부로 상기 보호막을 형성하는 단계와; 상기 제 3 마스크 공정으로, 상기 보호막 표면에 요철패턴을 형성하고, 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 보호막과 노출된 드레인 전극 상부로 상기 투명도전물질과 반사층을 형성하는 단계와; 제 4 마스크 공정으로, 상기 반사층 상부로 하프(Half) PR을 형성하고, 투과부의 반사층을 식각하여 반사판을 형성하는 단계와; 상기 하프(half) PR을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 4 마스크 공정은, 차단 영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하며, 상기 차단 영역은 상기 기판의 반사부에 대응하고 상기 반투과 영역은 상기 기판의 투과부에 대응하여 위치하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 3 마스크 공정은, 투과 영역과 차단 영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하며, 상기 투과 영역은 상기 반사부의 드레인 전극의 일부와 투과부에 대응하고 상기 차단 영역과 상기 반투과 영역은 반사부의 일부에 교대로 대응하여 위치하도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판은, 기판 상에 형성된 게이트 패드와; 상기 게이트 패드 위에 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위에 형성되고 순수 비정질 실리콘층으로 이루어지며 상기 게이트 패드를 노출하는 개구부를 갖는 보조 패드 패턴과; 기 보조 패드 패턴 위에 형성되고 상기 개구부를 통해 상기 게이트 패드와 접촉하는 투명도전층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판에 있어서, 상기 기판 상에 구비된 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과; 상기 게이트 및 데이터 배선이 교차하여 정의되고 반사부와 투과부를 포함하는 화소 영역과; 상기 화소 영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선의 교차지점에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 반사부에 형성되는 반사판과; 상기 반사판 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판은, 기판 상에 형성된 게이트 패드와; 상기 게이트 패드 위에 형성되고, 상기 게이트 패드를 노출하는 개구부를 갖는 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 상기 게이트 패드와 상기 개구부를 통해 접촉하는 투명도전층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판에 있어서, 상기 기판 상에 구비된 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과; 상기 게이트 및 데이터 배선이 교차하여 정의되고 반사부와 투과부를 포함하는 화소 영역과; 상기 화소 영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선의 교차지점에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 보호층과; 상기 보호층 위로 상기 반사부에 형성되는 반사판과; 상기 반사판 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대하여 첨부한 도면과 함께 설명한다.
< 제 1 실시예 >
도 4는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 일부 평면도로서, 투명한 기판(110) 상에 게이트 배선(112)과 데이터 배선(114)이 교차하여 화소 영역(P)을 정의하고 있으며, 게이트 배선(112)과 데이터 배선(114)의 교차점에 박막트랜지스터가(T)가 위치한다. 게이트 배선(112) 일 끝단에는 게이트 패드(140)가 형성되며, 게이트 패드(140) 상부로 게이트 절연막이 형성되며, 상기 게이트 절연막 내에 게이트 패드(140)를 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(142)이 형성된다. 또한 상기 박막트랜지스터(T)와 드레인 콘택홀(124)에 의해 연결된 화소 전극(126)이 형성되어 있다.
상기 화소 영역(P)의 중앙부를 제외한 나머지 영역에는 상기 화소 전극(126) 상부에 반사판(119)이 형성되어 반사부(RA)를 형성하고 있으며, 반사판(119)이 형성되지 않은 영역은 투과부(TA)를 형성하고 있다. 이때, 상기 반사부(RA)에는 볼록한 원모양의 요철패턴(130)이 형성되어 있는 것이 특징인데, 이는 반사부(RA)에 있어 경면 반사를 방지하기 위함이다.
또한, 반사부(RA)에 있는 박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(112)과 연결되어 주사 신호를 인가받는 게이트 전극(116)과, 데이터 배선(114)과 연결되어 화상 신호를 인가받는 소스 전극(118) 및 이와 소정간격 이격된 드레인 전극(120)과, 게이트 전극(116) 상부에 위치하고 소스 전극(118) 및 드레인 전극 (120) 하부의 액티브층(122)으로 구성된다.
도 5a 내지 5j는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ＇를 따라 절단한 것으로 제조 공정에 따른 단면도이고, 도 6a 내지 6j는 도 4의 Ⅵ-Ⅵ＇를 따라 절단한 것으로 본 발명의 제 1 실시예의 제조 공정에 따른 단면도로서, 도 5의 박막트랜지스터 부분과 도 6의 패드부를 중심으로 설명한다.
도 5a와 도 6a에서 도시한 바와 같이, 투명한 기판(110)상에 제 1 금속층(111)을 형성한 후 제 1 마스크 공정으로, 빛을 받는 부분이 노광되어 현상되는 포지티브형(positive type)인 PR층(113)을 도포하고, 상기 PR층이 형성된 기판 상부에 투과영역(A)과 차단영역(B)으로 구성된 마스크(150)를 위치시킨다.
이어서, 상기 마스크(150) 상부에서 기판(110)을 향해 빛을 조사하는 노광 공정(exposure)과, 노광된 부분을 제거하는 현상 공정(develope)을 진행한다. 그리고 노출된 제 1 금속층(113)을 식각한 후, 남은 PR층을 제거하는 애싱 공정(ashing)을 진행하면, 각각 도 5b에서 도시한 바와 같이 기판(110) 상의 반사부(RA)에 게이트 전극(116)이 형성되며, 도 6b에서 도시한 바와 같이 기판(110) 상의 투과부(TA)에 게이트 패드(140)가 형성된다.
연속하여, 도 5c에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(116)이 형성된 기 판(110) 전면에 게이트 절연막(115)과, 순수 비정질 실리콘층(122a) 및 불순물 비정질 실리콘층(122b)과, 제 2 금속층(121)을 차례로 적층한다. 또한, 도 6c에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 패드(140)가 형성된 기판(110) 전면에 게이트 절연막(115)과, 순수 비정질 실리콘층(122a) 및 불순물 비정질 실리콘층(122b)과, 제 2 금속층(121)을 차례로 적층한다.
그 다음, 5d에서 도시한 바와 같이, 제 2 마스크 공정을 진행하여 소스 및 드레인 전극(118,120)과 하부의 순수 비정질 실리콘층(122a)인 노출된 액티브층을 형성한다. 또한, 6d에서 도시한 바와 같이, 제 2 금속층(118,120)과 게이트 절연막(115)을 노출시키는 패턴이 형성된다. 상기 제 2 마스크 공정의 예로, 하프톤(half-tone) 마스크나 회절 마스크를 이용할 수 있다. 도면에서 도시하진 않았으나, 제 2 마스크 공정을 간략히 설명하면, 상기 제 2 금속층(121) 위로 전면에 PR층을 도포하고 그 상부에 투과영역과 차단영역과 반투과영역으로 구성된 마스크를 위치시는데, 여기서 마스크의 반투과 영역은 게이트 전극(116)과 게이트 패드(140) 각각의 상부에 대응하여 위치시킴으로써, 반투과 영역에 대응하는 PR층은 투과 영역에 비해 일부분만 노광된다. 그 후 노출된 제 2 금속층(121)과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층(122b)과 순수 비정질 실리콘층(122a)을 식각하여 패턴을 형성한 후, 반투과 영역에 대응되는 PR패턴을 애싱공정으로 제거한다. 그 후, 다시 제 2 금속층(121)과 불순물 비정질 실리콘층(122b)을 부분 식각하여 소스 및 드레인 전극(118,120)을 형성하고, 순수 비정질 실리콘층(121a)을 노출시켜 액티브층을 형성한다. 이후, 상기 소스 및 드레인 전극(118,120)과 노출된 액티브층 위로 전면에 제 1 보호막(129)을 증착한다.
종래의 4 마스크를 이용한 반사투과형 어레이 기판의 패드부에서 게이트 절연막만 남기고 그 위의 반도체층 및 금속층을 모두 제거하는 것과는 달리, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 4 마스크를 이용한 패드부에서는 박막트랜지스터 부분의 채널부와 같은 구조를 형성한다.
연속하여, 도 5e와 6e에서 도시한 바와 같이, 상기 제 1 보호막(129) 위로 벤조사이클로부텐(BCB)과, 아크릴(acryl)계 수지(resin) 등의 투명한 유기절연물질 중 선택된 하나를 도포하여 제 2 보호막(117)을 도포한다.
그다음, 제 3 마스크 공정을 진행하는데, 하프톤(half-tone) 마스크나 회절 마스크를 이용할 수 있다. 우선 도 5e에서 도시한 바와 같이,상기 제 2 보호막(117) 상부에 투과 영역(A)과, 차단 영역(B)과, 반투과 영역(C)으로 구성된 마스크(160)를 위치시키고, 패드부에서는 도 6e에서 도시한 바와 같이, 투과 영역(A)으로 구성된 마스크(160)를 위치시킨다. 여기서, 상기 제 2 보호막(117)은 빛을 받아 노광되어 현상되는 포지티브형(positive type)을 예로 든다. 따라서 박막트랜지스터 부분인 도 5e에서 도시한 바와 같이, 반사부(RA)에 요철패턴을 형성하기 위하여 차단 영역(B)과 반투과 영역(C)을 교대로 위치시키며, 드레인 콘택홀(미도시)을 형성하기 위하여 투과 영역(A)을 드레인 전극(120) 상부에 대응하도록 위치시킨다.
연속하여 노광과 현상 공정을 진행한 뒤 열처리하면, 도 5f에서 도시한 바와 같이, 요철패턴을 가지는 제 2 보호막(117)과 액티브층(122a)을 노출시키는 드레인 콘택홀(124)이 형성되며, 패드부에서는 도 6f에서 도시한 바와 같이, 제 2 보호막(117)이 제거되며 게이트 패드(140)를 노출시키는 게이트 패드 컨택홀(142)이 형성된다. 또한, 식각하여 제 1 보호막(129)과 금속패턴(118,120)을 제거한다.
연속하여, 도 5g에서 도시한 바와 같이, 상기 요철패턴의 제 2 보호막(117)과 투과부(TA)의 노출된 게이트 절연막(115) 상부로 투명도전물질(126)과 그 위로 반사판(119)을 전면에 적층한다. 이때, 상기 투명도전물질(126)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중의 선택된 하나를 사용할 수 있으며, 여기서는 인듐-틴-옥사이드를 사용한 것으로 본다. 상기 인듐-틴-옥사이드(126)와 반사판(119)은 제 2 보호막(117)의 요철패턴 형태를 따라서 증착된다. 또한, 6g에서 도시한 바와 같이, 노출된 게이트 패드(140) 위로 인듐-틴-옥사이드(126)와 그 위로 반사판(119)을 전면에 증착시킨다.
연속하여, 제 4 마스크 공정을 진행하는 바, 상기 반사판(119) 위로 전면에 포지티브형(positive type)의 PR층을 도포한 후, 반사부(RA)에 대응되는 차단 영역(B)과 투과부(TA)에 대응시키는 반투과 영역(C)으로 구성되는 하프톤(Half tone) 마스크(170) 또는 회절 마스크를 위치시킨 수 있다. 따라서 도 5h에서 도시한 바와 같이, 투과부(TA)에서는 반사부(RA)에 대응되는 PR층(125)의 높이보다 약 1/2의 높이를 가지는 PR층(125)이 형성된다. 이를 하프(Half) PR이라고도 한다.
한편, 패드부에서는 도포된 PR층 상부로 반투과 영역(C)이 대응되도록 하프톤(Half tone) 마스크(170)를 위치시킨 바, 도 6h에서 도시한 바와 같이 도 5h의 투과부(TA)에 대응되는 PR층(125)의 높이와 같은 높이, 즉, 도 5h의 반사부(RA)에 대응되는 PR층(125)의 높이보다 약 1/2의 높이를 가지는 PR층(125)이 형성된다.
이는, 패드부의 요철패턴을 갖는 보호막이 존재하여 단차가 높았던 종래와는 달리, 요철패턴을 가지는 제 2 보호막을 제거함으로써, 단차가 줄어들어 하프(Half) PR이 형성될 수 있는 것이다.
연속하여, 형성된 PR층(125)이 애싱(ashing) 공정을 거치면서 같은 비율로 위에서부터 제거된다. 따라서, 도 5i에서 도시한 바와 같이, 투과부(TA)에서는 상기 PR층(125)이 모두 제거되는 반면, 반사부(RA)에서는 상기 PR층(125)이 약간 남아있게 된다. 또한, 도 6i에서 도시한 바와 같이, 패드부에서도 상기 PR층(125)이 모두 제거된다.
연속하여, 도 5j에서 도시한 바와 같이, 상기 PR층(125)이 모두 제거된 투과부(TA)에서 노출된 반사판(119)이 식각된 후, 남은 PR층(125)은 애싱(ashing) 공정에 의해 제거된다. 또한, 도 6j에서 도시한 바와 같이, 패드부에서도 노출된 반사판(119)이 식각된다. 이로써, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 패드부가 완성된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는, 패드부의 요철패턴을 가지는 보호막을 제거하고 액티브층으로 대신함으로써, 단차가 줄어들어 하프(Half) PR이 형성된다. 이로써, 4 마스크가 가능한 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판이 제조될 수 있다.
< 제 2 실시예 >
본 발명의 제 2 실시예는 본 발명의 제 1 실시예의 패드부 구조만 달리한 것으로서, 박막트랜지스터 부분은 동일하므로 본 발명의 제 2 실시예의 패드부 구조의 설명을 위해 도 5a 내지 5j의 도면과 함께 설명한다.
도 5a 내지 5j는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ＇를 따라 절단한 것으로 제조 공정에 따른 단면도이며, 도 7a 내지 7j는 도 4의 Ⅵ-Ⅵ＇를 따라 절단한 것으로 본 발명의 제 2 실시예의 제조 공정에 따른 단면도이다.
도 5a와 도 7a에서 도시한 바와 같이, 투명한 기판(110)상에 제 1 금속층(111)을 형성한 후 제 1 마스크 공정으로, PR층(113)을 도포하고, 상기 PR층이 형성된 기판 상부에 투과영역(A)과 차단영역(B)으로 구성된 마스크(150)를 위치시킨다.
이어서, 노광 공정(exposure)과, 현상 공정(develope)을 진행한 후, 노출된 제 1 금속층(113)을 식각한 후, 남은 PR층을 제거하는 애싱 공정(ashing)을 진행하면, 각각 도 5b에서 도시한 바와 같이 기판(110) 상의 반사부(RA)에 게이트 전극(116)이 형성되며, 도 7b에서 도시한 바와 같이 기판(110) 상의 투과부(TA)에 게이트 패드(140)가 형성된다.
연속하여, 도 5c에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(116)이 형성된 기판(110) 전면에 게이트 절연막(115)과, 순수 비정질 실리콘층(122a) 및 불순물 비정질 실리콘층(122b)과, 제 2 금속층(121)을 차례로 적층한다. 또한, 도 7c에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 패드(140)가 형성된 기판(110) 전면에 게이트 절연막(115)과, 순수 비정질 실리콘층(122a) 및 불순물 비정질 실리콘층(122b)과, 제 2 금속층(121)을 차례로 적층한다.
그 다음, 도 5d에서 도시한 바와 같이, 제 2 마스크 공정을 진행하는데, 하프톤(half-tone)마스크나 회절 마스크를 이용할 수 있다. 소스 및 드레인 전극(118,120)과 하부의 순수 비정질 실리콘층(122a)인 노출된 액티브층을 형성한다. 이후, 상기 소스 및 드레인 전극(118,120)과 노출된 액티브층 위로 전면에 제 1 보호막(129)을 증착한다.
한편, 패드부에서는 전술한 제 2 마스크 공정이 진행되는데, 투과영역으로만 구성된 마스크를 위치시켜 노광, 현상 공정과 식각, 애싱 공정을 거친 후, 도 7d에서 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(15)만 남기고 모두 제거된다.
연속하여, 도 5e와 7e에서 도시한 바와 같이, 각각 상기 제 1 보호막(129)과 게이트 절연막(115) 위로 벤조사이클로부텐(BCB)과, 아크릴(acryl)계 수지(resin) 등의 투명한 유기절연물질 중 선택된 하나를 도포하여 제 2 보호막(117)을 도포한다.
그다음, 제 3 마스크 공정을 진행하는데, 우선 도 5e에서 도시한 바와 같이,상기 제 2 보호막(117) 상부에 투과 영역(A)과, 차단 영역(B)과, 반투과 영역(C)으로 구성된 마스크(160)를 위치시키고, 패드부에서는 도 7e에서 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(115) 상부에 투과 영역(A)과 반투과 영역(C)으로 구성된 마스크(160)를 위치시킨다. 여기서, 상기 제 2 보호막(117)은 빛을 받아 노광되어 현상되는 포지티브형(positive type)을 예로 든다. 따라서 박막트랜지스터 부분인 도 5e에서 도시한 바와 같이, 반사부(RA)에 요철패턴을 형성하기 위하여 차단 영역(B)과 반투과 영역(C)을 교대로 위치시키며, 드레인 콘택홀(미도시)을 형성하기 위하여 투과 영역(A)을 드레인 전극(120) 상부에 대응하도록 위치시킨다.
연속하여 노광과 현상 공정을 진행한 후 열처리하면, 도 5f에서 도시한 바와 같이, 요철패턴을 가지는 제 2 보호막(117)과 액티브층(122a)을 노출시키는 드레인 콘택홀(124)이 형성되며, 패드부에서는 도 7f에서 도시한 바와 같이, 요철 패턴을 가지는 제 2 보호막(117)이 형성된다. 즉, 패드부의 요철 패턴을 가지는 보호막의 두께가 줄어든 것이다. 본 발명의 제 2 실시예에서는 투과 영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 이용함으로써, 남아있는 보호막의 높이가 줄어들게 되어, 그만큼의 단차가 낮아지는 역할을 하게 되는 것이다.
연속하여, 도 5g에서 도시한 바와 같이, 상기 요철패턴의 제 2 보호막(117)과 투과부(TA)의 노출된 게이트 절연막(115) 상부로 인듐-틴-옥사이드(126)와 그 위로 반사판(119)을 전면에 적층한다. 상기 인듐-틴-옥사이드(126)와 반사판(119)은 제 2 보호막(117)의 요철패턴 형태를 따라서 증착된다. 또한, 7g에서 도시한 바와 같이, 노출된 게이트 패드(140) 위로 인듐-틴-옥사이드(126)와 그 위로 반사판(119)을 전면에 증착시킨다.
연속하여, 제 4 마스크 공정을 진행하는 바, 하프톤(half-tone) 마스크나 회절 마스크를 이용할 수 있다. 상기 반사판(119) 위로 전면에 포지티브형(positive type)의 PR층을 도포한 후, 반사부(RA)에 대응시키는 차단 영역(B)과 투과부(TA)에 대응시키는 반투과 영역(C)으로 구성되는 하프톤(Half tone) 마스크(170)를 위치시 킨다. 따라서 도 5h에서 도시한 바와 같이, 투과부(TA)에서는 반사부(RA)에 대응되는 PR층(125)의 높이보다 약 1/2의 높이를 가지는 PR층(125), 즉, 하프(Half) PR이 형성된다.
한편, 패드부에서는 도포된 PR층 상부로 반투과 영역(C)이 대응되도록 하프톤(Half tone) 마스크(170)를 위치시킨 바, 도 7h에서 도시한 바와 같이 도 5h의 투과부(TA)에 대응되는 PR층(125)의 높이와 같은 높이, 즉, 도 5h의 반사부(RA)에 대응되는 PR층(125)의 높이보다 약 1/2의 높이를 가지는 PR층(125)이 형성된다.
이는, 패드부의 요철패턴을 갖는 보호막이 존재하여 단차가 높았던 종래와는 달리, 요철패턴을 가지는 제 2 보호막을 제거함으로써, 단차가 줄어들어 하프(Half) PR이 형성될 수 있는 것이다.
연속하여, 형성된 PR층(125)이 애싱(ashing) 공정을 거치면서 같은 비율로 위에서부터 제거된다. 따라서, 도 5i에서 도시한 바와 같이, 투과부(TA)에서는 상기 PR층(125)이 모두 제거되는 반면, 반사부(RA)에서는 상기 PR층(125)이 약간 남아있게 된다. 또한, 도 7i에서 도시한 바와 같이, 패드부에서도 상기 PR층(125)이 모두 제거된다.
연속하여, 도 5j에서 도시한 바와 같이, 상기 PR층(125)이 모두 제거된 투과부(TA)에서 노출된 반사판(119)이 식각된 후, 남은 PR층(125)은 애싱(ashing) 공정에 의해 제거된다. 또한, 도 7j에서 도시한 바와 같이, 패드부에서도 노출된 반사판(119)이 식각된다. 이로써, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 패드부가 완성된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는, 패드부의 요철패턴을 가지는 보호막의 두께를 낮춤으로써, 단차가 줄어들어 하프(Half) PR이 형성된다. 이로써, 4 마스크가 가능한 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판이 제조될 수 있으며, 공정이 간편해지며, 제조비용의 부담이 줄어들게 된다.
본 발명은 4 마스크를 이용한 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 패드부에서 요철패턴을 가지는 보호막을 제거하거나, 보호막의 두께를 낮춤으로써, 보호막으로 인한 단차를 낮추어 하프(Half) PR의 형성이 가능하도록 한 것이다. 이로써, 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판을 불량이 없는 4 마스크 공정으로 제조할 수 있게 되어, 공정의 편이와 제조비용의 부담이 줄게 된다.

Claims (13)

  1. 기판 상에 제 1 마스크 공정으로, 게이트 패드를 형성하는 단계와;
    상기 게이트 패드가 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와;
    제 2 마스크 공정으로, 상기 금속층과 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층을 식각하여 순수 비정질 실리콘층을 노출하는 제 1 개구부를 갖는 제 1 보조 패드 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 보조 패드 패턴과 노출된 순수 비정질 실리콘층 상부로 보호막을 형성하는 단계와;
    제 3 마스크 공정으로, 상기 보호막을 제거하고, 상기 게이트 패드에 대응하는 순수 비정질 실리콘층과 게이트 절연막을 식각하고 상기 제 1 보조 패드 패턴의 금속층과 불순물 비정질 실리콘층을 제거하여, 상기 게이트 패드를 노출하는 제 2 개구부를 갖는 제 2 보조 패드 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 기판 전면에 노출된 게이트 패드 상부로 투명도전층과 반사층을 순차적으로 형성하는 단계와;
    제 4 마스크 공정으로, 상기 반사층 상부로 하프(Half) PR을 형성하고, 상기 반사층과 투명도전층을 식각하여 게이트 패드 단자를 형성하는 단계와;
    상기 게이트 패드 단자의 반사층을 제거하는 단계
    를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 4 마스크 공정은, 반투과 영역과 투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 마스크 공정은, 투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  4. 기판 상에 제 1 마스크 공정으로, 게이트 패드를 형성하는 단계와;
    상기 게이트 패드가 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와;
    제 2 마스크 공정으로, 상기 금속층과 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층을 제거하는 단계와;
    상기 게이트 절연막 상부로 보호막을 형성하는 단계와;
    제 3 마스크 공정으로, 상기 게이트 절연막을 노출하는 개구부를 갖는 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 보호막 사이로 노출된 게이트 절연막과 보호막을 식각하여 상기 게이 트 패드를 노출시키는 단계와;
    상기 기판 전면에 노출된 게이트 패드 상부로 투명도전층과 반사층을 형성하는 단계와;
    제 4 마스크 공정으로, 상기 반사층 상부로 하프(Half) PR을 형성하고, 상기 반사층과 투명도전층을 식각하여 게이트 패드 단자를 형성하는 단계와;
    상기 게이트 패드 단자의 반사층을 제거하는 단계
    를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 4 마스크 공정은, 반투과 영역과 투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 3 마스크 공정은, 투과 영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    기판 상에 반사부와 투과부를 정의하는 단계와;
    상기 반사부에 상기 제 1 마스크 공정으로 게이트 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 상기 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와;
    상기 제 2 마스크 공정으로, 상기 금속층을 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 순수 비정질 실리콘층을 노출시켜 액티브층을 형성하는 단계와;
    상기 소스 및 드레인 전극과 노출된 액티브층 상부로 상기 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 제 3 마스크 공정으로, 상기 보호막 표면에 요철패턴을 형성하고, 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 보호막과 노출된 드레인 전극 상부로 상기 투명도전물질과 반사층을 형성하는 단계와;
    제 4 마스크 공정으로, 상기 반사층 상부로 하프(Half) PR을 형성하고, 투과부의 반사층을 식각하여 반사판을 형성하는 단계와;
    상기 하프(half) PR을 제거하는 단계
    를 더욱 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 4 마스크 공정은, 차단 영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하며, 상기 차단 영역은 상기 기판의 반사부에 대응하고 상기 반투과 영역은 상기 기판의 투과부에 대응하여 위치하도록 하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 마스크 공정은, 투과 영역과 차단 영역과 반투과 영역으로 구성된 마스크를 이용하며, 상기 투과 영역은 상기 반사부의 드레인 전극의 일부와 투과부에 대응하고 상기 차단 영역과 상기 반투과 영역은 반사부의 일부에 교대로 대응하여 위치하도록 하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  10. 기판 상에 형성된 게이트 패드와;
    상기 게이트 패드 위에 형성된 게이트 절연막과;
    상기 게이트 절연막 위에 형성되고 순수 비정질 실리콘층으로 이루어지며 상기 게이트 패드를 노출하는 개구부를 갖는 보조 패드 패턴과;
    상기 보조 패드 패턴 위에 형성되고 상기 개구부를 통해 상기 게이트 패드와 접촉하는 투명도전층
    을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 상에 구비된 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과;
    상기 게이트 및 데이터 배선이 교차하여 정의되고 반사부와 투과부를 포함하는 화소 영역과;
    상기 화소 영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선의 교차지점에 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 보호층과;
    상기 보호층 위로 상기 반사부에 형성되는 반사판과;
    상기 반사판 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소 전극
    을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판.
  12. 기판 상에 형성된 게이트 패드와;
    상기 게이트 패드 위에 형성되고, 상기 게이트 패드를 노출하는 개구부를 갖는 게이트 절연막과;
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 상기 게이트 패드와 상기 개구부를 통해 접촉하는 투명도전층
    을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판 상에 구비된 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선과;
    상기 게이트 및 데이터 배선이 교차하여 정의되고 반사부와 투과부를 포함하는 화소 영역과;
    상기 화소 영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선의 교차지점에 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 보호층과;
    상기 보호층 위로 상기 반사부에 형성되는 반사판과;
    상기 반사판 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소 전극
    을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판.
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