KR20070001661A - 반사투과형 액정 표시 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로 특히, 반사모드와 투과모드를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치(Transflective liquid crystal display device)에 관한 것이다.

본 발명에 따르면, 반사투과형 액정 표시 장치에서 게이트 전극 형성 전 반사부에 요철형 패턴을 형성함으로써 공정 수와 레이어를 줄이고 홀 형성시 테이퍼를 확보할 수 있어, 반사부와 투과부의 광효율을 극대화시키고 스토리지를 확보할 수 있는 장점이 있다.

또한, 본 발명은 요철형 패턴 형성시, 추가적으로 필요한 절연막 레이어와 마스크 공정이 필요 없으므로 마스크 수를 저감하고 공정 스텝을 현저히 줄일 수 있어 제조 비용을 절감하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 또 다른 장점이 있으며, 상기 박막 트랜지스터의 채널부(ch)에 대한 관찰이 가능하므로 불량 검출이 용이하다.

반사투과형, 요철형 패턴, 마스크 저감

Description

반사투과형 액정 표시 장치{Transflective liquid crystal display device and the fabrication method thereof}

도 1은 일반적인 반사투과형 컬러액정표시장치를 도시한 분해 사시도.

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 단면도.

도 3은 종래 요철형상의 반사전극을 가지는 반사투과형 액정표시장치의 단면도.

도 4는 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치용 어레이 기판의 일부 화소를 도시한 평면도.

도 5a 내지 도 5g는 도 4의 절단선 I-I'을 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도.

도 6은 도 5g의 어레이 기판에 상부기판을 포함하여 도시한 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 단면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>

100 : 하부기판 132 : 게이트 전극

138 : 게이트 절연막 140 : 반도체층

142 : 소스전극 144 : 드레인전극

152 : 보호막 155b : 요철형 패턴

165 : 반사전극 167 : 화소전극

200 : 상부기판 210 : 블랙 매트릭스

220 : 컬러필터

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로 특히, 반사모드와 투과모드를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치(Transflective liquid crystal display device)에 관한 것이다.

일반적으로, 반사투과형 액정표시장치는 투과형 액정표시장치와 반사형 액정표시장치의 기능을 동시에 지닌 것으로, 백라이트(back light)의 빛과 외부의 자연광원 또는 인조광원을 모두 이용할 수 있으므로 주변환경에 제약을 받지 않는다.

이러한 장점과 더불어 전력소비(power consumption)를 줄일 수 있는 장점이 있다.

도 1은 일반적인 반사투과형 컬러액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.

도시한 바와 같이, 일반적인 반사투과형 액정표시장치(29)는 블랙매트릭스(19)와 서브 컬러필터(17)상에 투명한 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 화소영역(P)과 화소영역에 투과홀(A)을 포함하는 반사전극(52)과 투과전극(64)이 평면적으로 구성되어 투과홀(A)을 제외한 나머지 영역은 반사부(C)로 작용하는 화소전극과, 스위칭소자(T)와 어레이배선(34,46)이 형성된 하부기판(30)으 로 구성되며, 상기 상부기판(15)과 하부기판(30) 사이에는 액정(23)이 충진되어 있다.

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 단면도이다.

도시한 바와 같이, 개략적인 반사투과형 액정표시장치(29)는 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 투과홀(투과부)(A)을 포함한 반사전극(52)과, 상기 반사전극의 상부 또는 하부에 투명전극(64)으로 구성된 화소전극이 형성된 하부기판(30)과, 상기 상부기판(15)과 하부기판(30)의 사이에 충진된 액정(23)과, 상기 하부기판(30)의 하부에 위치한 백라이트(41)로 구성된다.

이러한 구성을 가지는 반사투과형 액정표시장치(29)를 반사모드(reflective mode)로 사용할 경우에는 빛의 대부분을 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하게 된다.

전술한 구성을 참조로 반사모드일 때와 투과모드일 때의 액정표시장치의 동작을 설명한다.

반사모드일 경우, 액정표시장치는 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하 게 되며, 상기 액정표시장치의 상부기판(15)으로 입사된 빛(B)은 상기 반사전극(52)에 반사되어 상기 반사전극과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해 배열된 액정(23)을 통과하게 되고, 상기 액정(23)의 배열에 따라 액정을 통과하는 빛(B)의 양이 조절되어 이미지(Image)를 구현하게 된다.

반대로, 투과모드(Transmission mode)로 동작할 경우에는, 광원을 상기 하부기판(21)의 하부에 위치한 백라이트(41)의 빛(F)을 사용하게 된다.

상기 백라이트(41)로부터 출사한 빛은 상기 투명전극(64)을 통해 상기 액정(23)에 입사하게 되며, 상기 투과홀 하부의 투명전극(64)과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해 배열된 액정(23)에 의해 상기 하부 백라이트(41)로부터 입사한 빛의 양을 조절하여 이미지를 구현하게 된다.

전술한 바와 같이 제작된 종래의 반사투과형 액정표시장치는 투과부이 셀 갭(2d)이 반사부의 셀갭(d)보다 두배인데, 이는 반사투과형 액정표시장치에서 반사부와 투과부의 광효율을 향상시키기 위한 것이다. 즉, 반사투과형 액정표시장치에서는 투과부의 효율을 증가시키기 위하여 투과부와 반사부의 셀 갭을 다르게 구성하게 된다.

그러나 종래의 반사투과형 액정표시장치에서는 이러한 투과부의 셀 갭(2d)이 반사부의 셀갭(d)보다 두배인 요건은 만족시키나, 반사전극의 형태가 편평한 거울형상(mirror type)이기 때문에 반사효율면에서 문제가 있다. 즉, 상기 반사전극을 편평한 거울형상인 아닌 요철형상으로 하면 반사전극의 표면에서 일어나는 산란현상으로 인하여 반사부에서의 반사효율이 증가한다. 따라서, 반사부에서의 반사효율의 향상을 위하여 상기 반사부에 대응하는 반사전극의 표면을 요철형상으로 제작하는 것이 바람직하다.

따라서, 종래의 반사투과형 액정표시장치에서의 반사부와 투과부의 광효율을 높이기 위한 셀 갭 형성문제와, 이와 동시에 상기 반사전극의 반사효율을 향상시키기 위한 요철형상의 반사전극 형성문제를 동시에 해결할 필요가 있다.

도 3은 종래 요철형상의 반사전극을 가지는 반사투과형 액정표시장치의 단면 도이다.

투명한 하부기판(30)상에 게이트전극(32)을 형성한다. 이어서, 상기 게이트 전극(32) 상에 제 1 절연막(38)을 형성한다.

다음으로, 상기 제 1 절연막(38)상의 상기 게이트 전극(32)에 대응하는 위치에 순수 비정질 실리콘으로 형성한 액티브층(40a)과 불순물이 포함한 비정질 실리콘으로 형성한 오믹 콘택층(40b)로 구성된 반도체층(40)을 형성한다.

다음으로, 상기 반도체층(40)상에 소스 및 드레인 전극(42, 44)을 형성한다. 이때, 상기 소스 및 드레인 전극(42, 44)은 서로 소정 간격하여 이격하여 구성된다.

그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(42, 44)이 형성된 하부기판(30)의 전면에 제 2 절연막(53)을 형성한다.

다음으로, 상기 제 2 절연막(53)이 형성된 기판의 전면에 감광성 유기물질을 이용하여 볼록부의 상부면이 둥근형상을 띠는 엠보싱 형상의 요철형 패턴(55b)을 형성한다.

상기 엠보싱 형상의 요철형 패턴(55b)이 형성된 기판의 전면에 감광성 유기물질, 바람직하게는 포토 아크릴계 수지를 사용하여 제 2 감광성 유기막층(58)을 형성한다.

이때, 상기 엠보싱 형상의 요철형 패턴(55b) 상부에 형성된 상기 제 2 감광성 유기막(58)도 요철형상을 하고 있음을 알 수 있다.

그리고, 상기 드레인 전극(44)이후에 형성되는 화소전극과 전기적으로 접촉 하도록 하는 드레인 콘택홀(61)과 투과부(TA)를 위한 투과부 홀(h)이 형성된다. 즉, 상기 반사부(RA)에 대응하는 제 2 감광성 유기막층(58)이 상기 요철형 패턴(55b)의 형상을 따라 요철되게 형성됨과 동시에 상기 투과부(TA)에 대응하는 상기 제 2 감광성 유기막층(58)은 제거된다.

상기 반사부(RA)의 요철형상의 제 2 감광성 유기막(58)에 대응하는 부분에 알루미늄(Al)과 같이 반사율이 뛰어난 금속물질을 증착하고 패턴하여 요철형 반사전극(52)을 형성한다.

상기 요철형 반사전극(52)상부에 인듐 틴 옥사이트(indium tin oxide, ITO)등의 투명한 도전성 금속물질을 사용하여 화소전극(67)을 형성한다.

또한, 이와 같이 형성된 하부기판(30)과 그와는 일정간격 이격하여 서로 대향하여 형성한 것으로서 상기 하부기판(30)의 박막 트랜지스터에 대응하는 위치에 블랙매트릭스(19)를 포함하고 그 하부에 컬러필터(17)를 포함하는 상부기판(15)을 포함한다.

상기와 같이 형성된 반사투과형 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 상에도 불투명한 금속 물질로 이루어진 반사 전극이 형성되어 채널(channel)부의 관찰이 불가능하게 되어 불량 검사가 어려운 단점이 있다.

또한, 상기 박막 트랜지스터 상에 요철형 패턴과 유기막층이 형성됨으로써 막이 두꺼워져 상기 드레인 전극을 소정 노출시키는 드레인 콘택홀 형성시 테이퍼 확보가 어려운 문제점이 있다.

또한, 종래 반사투과형 액정 표시 장치는 요철형 패턴 형성을 위하여 마스크 수가 증가됨으로써 제조 비용이 증가되고 제조 수율이 저하되어 양산에 문제점이 있었다.

본 발명은 반사투과형 액정 표시 장치에서 게이트 전극 형성 전 반사부에 요철형 패턴을 형성함으로써 공정 수와 레이어를 줄이고 홀 형성시 테이퍼를 확보할 수 있는 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치는, 반사부와 투과부를 가지는 화소 영역을 정의하며 수직으로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 반사부에 형성된 요철형 패턴과; 상기 게이트 배선에서 상기 반사부로 연장되어 형성된 반사 전극과; 상기 게이트 배선에서 돌출되어 형성된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 상에 형성된 반도체층과; 상기 데이터 배선에서 돌출되어 상기 반도체층 상에서 서로 소정 간격 이격된 소스 및 드레인 전극과; 상기 드레인 전극과 접속하는 화소 전극;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 요철형 패턴은 감광성 유기 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

상기 요철형 패턴은 포토 아크릴계인 것을 특징으로 한다.

상기 화소 전극 이전에 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 반사 전극과 상기 화소 전극은 스토리지를 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 투과부에 대응하는 셀갭은 상기 반사부에 대응하는 셀갭의 두배인 것을 특징으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상의 반사부에 요철형 패턴을 형성하는 단계와; 상기 반사부로 연장되어 상기 요철형 패턴 상에서 반사 전극을 형성하고 게이트 전극이 돌출된 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 수직으로 교차하는 데이터 배선과, 상기 반도체층 상에 서로 소정 간격 이격된 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 접속하고 상기 반사부 및 투과부에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 기판 상의 반사부에 요철형 패턴을 형성하는 단계에 있어서, 상기 기판 상에 감광성 유기막층을 형성하는 단계와; 상기 감광성 유기막층을 노광 및 현상하여 상기 반사부에 대응하는 부분에 제 1 요철형 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 요철형 패턴을 용융 및 경화처리하여 엠보싱 형상의 제 2 요철형 패턴을 형성하는 단계를 더포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 감광성 유기막층은 포토 아크릴계 수지인 것을 특징으로 한다.

상기 투과부에 대응하는 셀갭은 상기 반사부에 대응하는 셀갭의 두배인 것을 특징으로 한다.

상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 전면에 드레인 콘택홀을 포함하는 보호막을 더 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 보호막은 투과부에 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치에 대해서 설명한다.

도 4는 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치용 어레이 기판의 일부 화소를 도시한 평면도이다.

도시한 바와 같이, 어레이기판(300)상에는 일 방향으로 구성된 게이트배선(122)과 이와 연결된 게이트 전극(132), 그리고 상기 게이트배선(122)과 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(146)이 형성된다. 또한 상기 두 배선(146,122)의 교차지점에는 상기 게이트 전극(132),액티브층(140b), 상기 액티브(140b)층 상부에 형성된 소스 및 드레인전극(142, 144)으로 이루어진 박막트랜지스터(T)가 형성된다. 이때, 상기 박막트랜지스터(T)의 소스전극(142)은 상기 데이터배선(146)과 연결되고, 상기 게이트전극(132)은 게이트배선(122)과 연결한다.

상기 게이트 배선(122)은 상기 화소 영역으로 연장되어 반사 전극(165)을 형성하며, 상기 반사 전극(165) 하부에는 요철형 패턴(155b)이 형성되어 있다.

여기서, 상기 게이트 배선(132)이 화소 영역(P)의 내부로 확장되어 반사 전극(165)을 형성함으로써 스토리지(C)를 확보함과 동시에 반사 영역으로서 사용할 수 있게 된다.

이하에서는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 구조와 그 제조방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 기술한다.

도 5a 내지 도 5g는 도 4의 절단선 I-I'을 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연기판(100) 전면에 감광성 유기물질을 이용하여 감광성 유기막층(155)을 형성하고 그 상부에 투과부(A)와 차단부(B)를 가진 마스크(160)를 위치시킨다.

상기 감광성 유기막층(155)을 위한 상기 감광성 유기물질은 포토 아크릴계 수지로 하는 것이 바람직하다. 상기 감광성 유기물질에는 빛이 조사된 부분이 현상 공정을 통해 제거되는 포지티브타입과 빛을 받지 않은 부분이 제거되는 네거티브 타입이 있는데, 여기서는 네거티브 타입의 감광성 유기물질을 예로들어 설명한다.

따라서 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 마스크(160)의 투과부(A)는 상기 어레이기판의 반사부(RA)에 대응하고 상기 마스크(160)의 차단부(B)는 상기 어레이기판의 투과부(TA)와 상기 반사부(RA)를 제외한 그외의 영역에 대응한다.

도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 마스크(160)를 사용하여 상기 감광성 유기막(155)에 빛을 조사하는 사진식각 공정을 진행하면, 상기 어레이기판의 반사부(RA)에 사각형 모양의 요철형상의 감광성 유기막 패턴(155a)이 형성된다.

이와 동시에 상기 어레이기판의 투과부(TA)에 대응하는 부분의 상기 감광성 유기막(155)도 아울러 제거된 것을 알 수 있다. 이때 상기 투과부(TA)와 상기 반사부(RA)를 제외한 기판상의 그 밖의 영역에 대응하는 상기 감광성 유기막(155)도 아울러 제거된다.

이어서, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 사각형 모양의 요철형상의 패턴(155a)에 대하여 용융 및 경화처리를 하게 되면 볼록부의 상부면이 둥근형상을 띠 는 엠보싱 형상의 요철형 패턴(155b)이 반사부(RA)에 형성된다.

그러나, 상기 감광성 유기막층(155)을 다수의 슬릿을 가진 마스크를 사용하여 노광 및 현상하여도 이러한 요철형상(155b)을 형성할 수 있다.

다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100) 상에 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄 합금(Al alloy)과 같은 도전성 금속 물질을 증착하고 패터닝하여 게이트전극(132)을 형성한다. 도시하지는 않았지만 상기 게이트 전극(132)과 연결된 상기 게이트 배선(도 4의 122)도 이와 동시에 형성된다.

상기 게이트 배선은 화소 영역(P)으로 연장되어 반사 전극(165)을 형성한다.

상기 반사 전극(165)은 상기 반사부(RA)에 형성된 요철형 패턴(155b) 상에 형성되어 요철형 반사 전극을 이루게 된다.

이어서, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(132) 및 반사 전극(165) 상에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO₂)등이 포함된 무기절연물질 그룹 중 하나를 증착 또는 도포하여 게이트 절연막(138)을 형성한다.

다음으로, 상기 게이트 절연막(138)상의 상기 게이트 전극(132)에 대응하는 위치에 순수 비정질 실리콘으로 형성한 액티브층(140a)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘으로 형성한 오믹 콘택층(140b)로 구성된 반도체층(140)을 형성한다.

다음으로, 상기 반도체층(140)상에 전술한 알루미늄(Al),크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등의 도전성 금속물질을 사용하여 소스 및 드레인 전극(142, 144)을 형성한다.

상기 소스 및 드레인 전극(142, 144)은 서로 소정 간격하여 이격하여 구성되는데, 상기 소스전극(142)은 전술한 데이터 배선(도 4의 146)과 전기적으로 연결되며, 상기 게이트 전극(132)은 전술한 게이트 배선(도 4의 122)과 전기적으로 연결된다.

다음으로, 도 5f에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(142, 144)이 형성된 기판(100)의 전면에 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질 또는 유기 절연물질을 사용하여 보호막(152)을 형성한다.

상기 보호막(152)은 상기 드레인 전극(144)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(161)이 형성된다.

이때, 도시되지는 않았으나, 상기 보호막(152)은 상기 투과부(TA)에서 제거되어 투과부 홀을 형성할 수도 있으며, 상기 투과부 홀 형성시 게이트 절연막(138)도 제거될 수 있다.

다음으로 도 5g에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(152) 상부에 인듐 틴 옥사이트(indium tin oxide, ITO)등의 투명한 도전성 금속물질을 사용하여 화소전극(167)을 형성한다.

도 6은 도 5g의 어레이 기판에 상부기판을 포함하여 도시한 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 단면도이다.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치는 박막 트랜지스터 어레이소자와 상기 박막 트랜지스터 어레이 소자를 형성하기 이전에 반사부 (RA)에 형성된 요철형 패턴(155b)과, 상기 요철형 패턴(155b) 상에 형성된 반사전극(165)과 그 상부에 화소전극(167)이 형성된 하부기판(100)과 그와는 일정간격 이격하여 서로 대향하여 형성한 것으로서 상기 하부기판(100)의 박막 트랜지스터(T)에 대응하는 위치에 블랙매트릭스(210)를 포함하고 그 하부에 컬러필터(220)를 포함하는 상부기판(200)을 포함한다.

도 6에 도시한 대로, 전술한 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치는 하부기판(100)의 반사전극(165)의 반사효율을 향상시 키기 위하여 감광성 유기물질을 사용하여 상기 요철형 패턴(155b)을 형성하고, 상기 요철형 패턴(155b) 상에 게이트 전극 금속 물질을 이용하여 반사전극(165)을 요철형상으로 형성한다.

이때, 상기 반사부(RA)의 요철형 패턴(155b)의 두께는 약 2㎛로 이루어지며, 상기 투과부(RA)의 셀갭은 약 4㎛ 정도가 되므로, 상기의 투과부(TA)의 셀 갭(2d)은 상기 반사부(RA)의 셀 갭(d)의 약 두배가 되도록 함으로써 반사부(RA)와 투과부(TA)의 광효율을 향상시키고 있다.

또한 본 발명에 따르면, 상기 게이트 배선이 화소 영역의 내부로 확장되어 반사 전극(165)을 형성함으로써 스토리지(storage)를 확보함과 동시에 반사 영역으로서 사용할 수 있게 된다.

또한, 상기 요철형 패턴(155b) 형성 이후, 추가적으로 필요한 레이어와 마스크가 필요 없으므로 마스크 저감 및 공정 스텝을 현저히 줄일 수 있게 된다.

그리고, 상기 박막 트랜지스터의 채널부(ch)에 대한 관찰이 가능하므로 불량 검출이 용이한 장점도 있다.

이상 전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.

본 발명은 반사투과형 액정 표시 장치에서 반사부와 투과부의 광효율을 극대화시키는 제 1 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 게이트 배선이 화소 영역의 내부로 확장되어 반사 전극을 형성함으로써 스토리지를 확보할 수 있는 제 2 효과가 있다.

또한, 본 발명은 요철형 패턴 형성시, 추가적으로 필요한 절연막 레이어와 마스크 공정이 필요 없으므로 마스크 수를 저감하고 공정 스텝을 현저히 줄일 수 있어 제조 비용을 절감하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 제 3 효과가 있다.

그리고, 상기 박막 트랜지스터의 채널부(ch)에 대한 관찰이 가능하므로 불량 검출이 용이한 제 4 효과도 있다.

Claims (12)

1. 반사부와 투과부를 가지는 화소 영역을 정의하며 수직으로 교차하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;

   상기 반사부에 형성된 요철형 패턴과;

   상기 게이트 배선에서 상기 반사부로 연장되어 형성된 반사 전극과;

   상기 게이트 배선에서 돌출되어 형성된 게이트 전극과;

   상기 게이트 전극 상에 형성된 반도체층과;

   상기 데이터 배선에서 돌출되어 상기 반도체층 상에서 서로 소정 간격 이격된 소스 및 드레인 전극과;

   상기 드레인 전극과 접속하는 화소 전극;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 요철형 패턴은 감광성 유기 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 요철형 패턴은 포토 아크릴계인 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 화소 전극 이전에 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 반사 전극과 상기 화소 전극은 스토리지를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 투과부에 대응하는 셀갭은 상기 반사부에 대응하는 셀갭의 두배인 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
7. 기판 상의 반사부에 요철형 패턴을 형성하는 단계와;

   상기 반사부로 연장되어 상기 요철형 패턴 상에서 반사 전극을 형성하고 게이트 전극이 돌출된 게이트 배선을 형성하는 단계와;

   상기 게이트 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계와;

   상기 게이트 배선과 수직으로 교차하는 데이터 배선과, 상기 반도체층 상에 서로 소정 간격 이격된 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;

   상기 드레인 전극과 접속하고 상기 반사부 및 투과부에 화소 전극을 형성하 는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 기판 상의 반사부에 요철형 패턴을 형성하는 단계에 있어서,

   상기 기판 상에 감광성 유기막층을 형성하는 단계와;

   상기 감광성 유기막층을 노광 및 현상하여 상기 반사부에 대응하는 부분에 제 1 요철형 패턴을 형성하는 단계와;

   상기 제 1 요철형 패턴을 용융 및 경화처리하여 엠보싱 형상의 제 2 요철형 패턴을 형성하는 단계를 더포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
9. 제 8항에 있어서,

   상기 감광성 유기막층은 포토 아크릴계 수지인 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
10. 제 7항에 있어서,

    상기 투과부에 대응하는 셀갭은 상기 반사부에 대응하는 셀갭의 두배인 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
11. 제 7항에 있어서,

    상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후에,

    상기 기판 전면에 드레인 콘택홀을 포함하는 보호막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
12. 제 11항에 있어서,

    상기 보호막은 투과부에 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.

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