TWI316728B - - Google Patents

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1316728 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具備彩色濾光片的顯示用面板及顯示 裝置。 【先前技術】 構成冷陰極電場電子發射顯示裝置或陰極射線管、 螢光顯示管（以下總稱這些，有單稱爲顯示裝置的情況）的 Φ 顯示用面板係通常，由以玻璃基板等構成的基板、和被 形成於基板上的螢光體區域、和被形成於螢光體區域上 的陽極電極構成。然後，於基板與螢光體區域之間係配 置彩色濾光片。作爲構成紅色用彩色瀘光片，例如：開 示於日本特開平6-310061號公報，通常，使用Fe2〇3粒 子。 · 【專利文獻】日本特開平6-3 1 006 1號公報 · 【發明內容】 【發明欲解決的課題】 但是，於顯示裝置的裝配、製造製程，常常實行在 還原氣體環境或脫氧環境中的熱處理。例如，於冷陰極 電場電子發射顯示裝置的製造工程中，組合被設置冷陰 極電場電子發射元件的陰極面板、和由上述的顯示用面 板構成的陽極面板時，將陰極面板的周緣部和陽極面板 的周緣部使用粉狀玻璃而接合。然後，在此接合時，將 -5- (2) (2)1316728 粉狀玻璃在還原氣體環境或脫氧環境中（例如：氮氣氣體 環境中）燒結。 然而，於如此的粉狀玻璃的還原氣體環境或脫氧環 境中的燒結中，構成紅色用彩色濾光片的Fe203粒子被 還原’或另外，失去構成Fe203的氧原子（被脫氧化），變 爲不能盡到作爲紅色用彩色濾光片的機能。 因而’本發明的目的係在提供：即使依在各種顯示 裝置的製造製程的還原環境或脫氧環境中的熱處理，亦 具有彩色濾光片難以受到損傷的構造的顯示用面板、及 裝入了有關的顯示用面板的顯示裝置。 【解決課題的手段】 關於爲了達成上述目的的本發明的第1態樣的顯示 用面板係， 爲具備形成於基板上的螢光體區域、和形成於該螢 光體區域上的電極’藉由從電子束源被射出通過電極的 電子與螢光體區域衝撞而使螢光體區域發光，得到所希 望的圖像的顯示用面板， 其特徵爲：在基板與螢光體區域之間，從基板側， 形成彩色濾光片及彩色濾光片保護膜。 關於爲了達成上述目的的本發明的第2態樣的顯示 用面板係， 爲具備形成於基板上的螢光體區域、和形成於該螢 光體區域上的電極’藉由從電子束源被射出通過電極的 -6 - (3) (3)1316728 電子與螢光體區域衝撞而使螢光體區域發光，得到所希 望的圖像的顯示用面板， 其特徵爲= 電極由複數的電極單元構成’ 電極單元與電極單元係藉由阻抗體層而電氣的連接 ， 在基板與螢光體區域之間’從基板側形成彩色濾光 片及彩色濾光片保護膜。 關於爲了達成上述目的的本發明的第3態樣的顯示 用面板係， 爲具備形成於基板上的螢光體區域、和電極，藉由 從電子束源被射出通過電極的電子與螢光體區域衝撞而 使螢光體區域發光，得到所希望的圖像的顯示用面板， 其特徵爲：該電極係被形成於不形成螢光體區域的 基板的部分上，而且，不形成於形成螢光體區域的基板 的部分上， 在基板與螢光體區域之間，從基板側形成有彩色濾 光片及彩色濾光片保護膜。 關於爲了達成上述的目的的本發明的第1態樣的顯 示裝置係， (A) 具備形成於支撐體上的電子束源的陰極面板、 及 (B) 具備形成於基板上的螢光體區域、和形成於該 螢光體區域上的電極，藉由從電子束源被射出通過電極 (4) (4)1316728 的電子與螢光體區域衝撞而使螢光體區域發光，得到到 所希望的圖像的顯示用面板， 經由真空層而在那些的周緣部接合的顯示裝置， 其特徵爲：在基板與螢光體區域之間，從基板側形 成有彩色濾光片及彩色濾光片保護膜。 關於爲了達成上述的目的的本發明的第2態樣的顯 示裝置係， (A) 具備形成於支撐體上的電子束源的陰極面板、及 (B) 具備形成於基板上的螢光體區域、和形成於該螢 光體區域上的電極，藉由從電子束源被射出通過電極的 電子與螢光體區域衝撞而使螢光體區域發光，得到到所 希望的圖像的顯示用面板， 經由真空層而在那些的周緣部接合的顯示裝置， 其特徵爲： 電極由複數的電極單元構成， 電極單元與電極單元係藉由阻抗體層而被電氣性連 接， 在基板與螢光體區域之間，從基板側形成有彩色濾 光片及彩色濾光片保護膜。 關於爲了達成上述的目的的本發明的第3態樣的顯 示裝置係， (A) 具備形成於支撐體上的電子束源的陰極面板、及 (B) 具備形成於基板上的螢光體區域、和形成於該螢 光體區域上的電極，藉由從電子束源被射出通過電極的 -8- (5) (5)1316728 電子與螢光體區域衝撞而使螢光體區域發光，得到所希 望的圖像的顯示用面板， 經由真空層而在那些的周緣部接合的顯示裝置， 其特徵爲：該電極係被形成於不形成螢光體區域的 基板的部分上’而且’不形成於形成螢光體區域的基板 的部分上， 在基板與螢光體區域之間’從基板側形成有彩色濾 光片及彩色瀘光片保護膜。 而且’於以下的說明，總稱關於本發明的第1態樣 的顯示用面板及關於本發明的第1態樣的顯示裝置，有 單稱爲本發明的第1態樣的情況，總稱關於本發明的第2 態樣的顯示用面板及關於本發明的第2態樣的顯示裝置 ’有單稱爲本發明的第2態樣的情況，總稱關於本發明 的第3態樣的顯示用面板及關於本發明的第3態樣的顯 示裝置，有單稱爲本發明的第3態樣的情況。 於本發明的第3態樣，爲了從根據顯示裝置的運轉 而在顯示裝置的內部產生的離子等保護螢光體區域，另 外，抑制從螢光體區域的氣體的產生、爲了防止螢光體 區域的剝離，所以至少以在螢光體區域上形成螢光體保 護膜的構成爲最佳。螢光體保護膜係延伸於電極上亦佳 。螢光體區域通常由多數的螢光體粒子的集合構成。因 而，於螢光體區域的表面存在凹凸。因爲那樣，於螢光 體區域上形成螢光體保護膜的情況，螢光體保護膜的一 部分亦有變爲從螢光體區域的一部分浮起的狀態，而亦 -9- (6) (6)1316728 有螢光體保護膜的一部分在螢光體區域上成爲不連續狀（ 於螢光體保護膜的一部變爲一種縫隙進入的狀態的情況 ’但這些形態係包含於「在螢光體區域上形成螢光體保 護膜」的構成。於以下的說明亦相同。螢光體保護膜由 透明的材料構成爲理想。將螢光體保護膜由不透明的材 料構成的情況，有施加影響於螢光體區域的發光色的疑 慮。在此所謂「透明的材料」，意味著限於在可見光範 圍產生光透過率接近於100%的材料。螢光體保護膜的厚 度（在登光體區域上的螢光體保護膜的平均厚度）係lx 10_8m 至 lxl(T7m，理想爲 lxl〇-8m 至 5xl0-8m 爲最佳。 另外，螢光體保護膜係從氮化鋁（A1Nx)、氧化鋁（Al2〇3) 、氧化矽（SiOx)、銦錫氧化物（ITO)、碳化矽（Sic)、氧化 鉻（Cr〇x)及氮化鉻（CrNx)構成的群中選擇至少一種的材料 構成爲理想’尤其是以氮化鋁（A1NX)構成爲更理想。作 爲蛋光體保護膜的形成方法，可舉出像真空蒸鍍法或濺 鍍法各種的物理的氣相磊晶法（PVD法）或各種的化學的 氣相嘉晶法（CVD法）。 電極就全體而言即使由1個電極構成亦可（本發明的 第1態樣或者本發明的第3態樣），由複數的電極單元構 成亦可（在本發明的第1態樣或者本發明的第3態樣的理 想开^態）。而且，將在由複數的電極單元構成的本發明的 第3態樣的理想態樣，爲了方便，稱爲本發明的第*態 樣（關於本發明的第4態樣的顯示用面板或關於本發明的 第4態樣的顯示裝置）。將電極由複數的電極單元構成的 -10- (7) (7)1316728 情況’電極單元與電極單元有藉由阻抗體層而電氣的連 接的必要。作爲構成阻抗體層的材料，可舉出：像碳化 砍（SiC)或SiCN的碳系材料；SiN系材料；氧化釕（Ru〇2) 、氧化鉬、氮化钽、氧化鉻、氧化鈦等的高融點金屬氧 化物；非晶形矽等的半導體材料。作爲阻抗體層的片阻 抗値’可例示lxHrW/□至1Χ101()Ω/□、理想爲ιχ103 Ω/□至1χ108Ω/□。電極單元的數（N)如爲2以上爲佳， 例如：以配列至直線狀的螢光體區域的列的總數作爲η 時，以Ν = η、或者，η=α ·Ν(α爲2以上的整數，理想 爲lOSaSlOO、更理想爲20SaS50)亦佳，可以於以 一定間隔被配設的空間（後述）的數加1的數，與像素的數 或次像素的數一致的數、或者，亦可以像素的數或次像 素的數一致的數的整數分之一。另外，各電極單元的大 小’不拘於電極單元的位置，作爲相同亦佳，按照電極 單元的位置而使其不同亦佳。 而且，顯示裝置爲彩色顯示的情況，配列至直線狀 的螢光體區域的1列係，全部由以紅色發光螢光體區域 所占的列、以綠色發光螢光體區域所占的列、及以藍色 發光螢光體區域所占的列構成亦佳，由以紅色發光螢光 體區域、綠色發光螢光體區域、及藍色發光螢光體區域 依序配置的列構成亦佳。在此，所謂螢光體區域，定義 爲於顯示用面板上產生1個亮點的螢光體區域。另外，1 像素（1 pixel)係由1個紅色發光螢光體區域、1個綠色發 光螢光體區域、及1個藍色發光螢光體區域的集合構成 -11 - (8) (8)1316728 ，1次像素係由1個螢光體區域（1個紅色發光螢光體區 域、1個綠色發光螢光體區域、或1個藍色發光螢光體區 域）構成。再加上，所謂相當於在電極單元的1個次像素 的大小，意味包圍1個的螢光體區域的電極單元的大小 ο 然後，於將電極由複數的電極單元構成的本發明的 第4態樣，亦爲了從顯示裝置的內部產生的離子等保護 螢光體區域，另外，抑制從螢光體區域的氣體的產生， 同時爲了防止螢光體區域的剝離，所以至少以在螢光體 區域上形成螢光體保護膜的構成爲最佳。螢光體保護膜 係延伸於電極上亦佳、延伸於阻抗體層上亦佳、延伸於 電極及阻抗體層上亦佳。在此，螢光體保護膜的阻抗値 係在阻抗體層的阻抗値以上，理想爲阻抗體層的阻抗値 的10倍以上爲最佳。螢光體保護膜由透明的材料構成爲 理想。將螢光體保護膜由不透明的材料構成的情況，有 施加影響於螢光體區域的發光色的疑慮。螢光體保護膜 的厚度（在螢光體區域上的螢光體保護膜的平均厚度）係， lxl(T8m 至 lxl(T7m，理想爲 lxl0_8m 至 5xl(T8m 爲最佳 。另外’螢光體保護膜係從氮化鋁（A1NX)、氧化鋁 (Al2〇3)、氧化矽（SiOx)、氧化鉻（CrOx)及氮化鉻（以>^)構 成的群中選擇至少一種的材料構成爲理想，尤其是以氮 化鋁（A1NX)構成爲更理想。或者另外，螢光體保護膜的 片阻抗値爲例如：1χ1〇6Ω/□以上，理想爲1χ1〇8Ω/□以 上爲理想。 -12- (9) (9)1316728 在包含以上的各種的理想的形態的本發明的第1態 樣〜本發明的第4態樣，彩色濾光片保護膜係，如從可滿 足像 (1) 於在可見光範圍的光穿透性優良 (2) 對電子束照射爲安定 (3) 無或少氣體透過性的緻密的膜 (4) 對熱程序或濕式程序安定 的要求的材料選擇爲佳，具體的係，彩色濾光片保護膜 係從氮化鋁（A1NX)、氮化鉻（CrNx)、氧化鋁（A10x)、氧化 鉻（CrOx)、氧化矽（SiOx)、氮化矽（SiNy)及氮氧化矽 (SiOxNy)構成的群中選擇至少一種的材料構成爲理想。彩 色濾光片保護膜係可藉由像電子束蒸鍍法或熱燈絲蒸鍍 法的蒸鑛法’像濺鑛法、離子鑛覆（i〇n plating)法、雷射 融蝕法（Laser Ablation)等的各種的PVD法；各種的CVD 法；網版印刷法、剝離法（lift-off);溶膠—凝膠（S〇i_gel) 法等而形成。 作爲構成阻抗體層的材料、與構成螢光體保護膜的 材料的組合’可舉出例如：以構成阻抗體層的材料而例 示的像碳化矽（SiC)、SiCN、SiN系材料；氧化釕（Ru02) 、氧化鉬、氮化钽、氧化鉻、氧化鈦、非晶形矽的9種 材料、與以構成螢光體保護膜的材料而例示的像氮化鋁 (Α1Νχ)、氧化鋁（ai2o3)、氧化矽（SiOx)、銦錫氧化物 (ιτο)、碳化矽（SiC)、氧化鉻（。。。及氮化鉻（CrNx)的? 種材料的組合（合計’按照9x7 = 63的組合）。 -13- (10) (10)1316728 作爲構成彩色濾光片保護膜的材料、和構成阻抗體 層的材料的組合，可舉出例如：以構成彩色爐光片保護 膜的材料而例示的像氮化鋁（A1NX)、氮化鉻（CrNx)、氧化 鋁（A10x)、氧化鉻（CrOx)、氧化矽（Si〇x)、氮化矽（siNy) 及氮氧化矽（SiOxNy)7種的材料、與以構成阻抗體層的材 料而例示的上述的9種的材料的組合（合計，按照7x9 = 63 的組合），而尤其作爲[構成彩色濾光片保護膜的材料]/[ 構成阻抗體層的材料]的理想組合，可舉出[氮化銀 (A1NX)]/[碳化矽（SiC)]的組合。 另外’作爲構成彩色濾光片保護膜的材料、和構成 螢光體保護膜的材料的組合，可舉出例如：作爲構成彩 色濾光片保護膜的材料而例示的上述的7種的材料、與 作爲構成螢光體保護膜的材料而例示的上述的7種的材 料的組合（合計，按照7><7 = 49的組合），而尤其作爲[構成 彩色濾光片保護膜的材料]/[構成螢光體保護膜的材料]的 理想組合，可舉出[氮化鋁（A1NX)]/[氮化鋁（A1NX)]的組合 〇 而且，作爲構成彩色濾光片保護膜的材料' 和構成 阻抗體層的材料、和構成螢光體保護膜的材料的組合， 可舉出：作爲構成彩色濾光片保護膜的材料而例示的上 述的7種的材料、與作爲構成阻抗體層的材料而例示的 上述的9種的材料、與作爲構成螢光體保護膜的材料而 例示的上述的7種的材料的組合（合計，按照7x9x7 = 441 的組合）’而尤其作爲[構成彩色濾光片保護膜的材料]/[ -14- (11) (11)1316728 構成阻抗體層的材料]/[構成螢光體保護膜的材料]的理想 的組合，可舉出[氮化鋁（A1NX)]/[碳化矽（SiC)]/ [氮化鋁 (A1NX)]的組合。 在關於包含以上的各種理想形態的本發明的第1態 樣·〜第4態樣的顯示用面板係可作爲顯示用面板係構成冷 陰極電場電子發射顯示裝置的陽極面板、電極係構成於 陽極面板的陽極電極的形態。另外，在關於包含以上的 各種理想形態的本發明的第1態樣〜第4態樣的顯示裝置 係可作爲顯示裝置係構成冷陰極電場電子發射顯示裝置 、顯示用面板係構成冷陰極電場電子發射顯示裝置的陽 極面板、電極係構成於陽極面板的陽極電極、電子束源 係由冷陰極電場電子發射元件構成的形態。而且，作爲 顯示裝置，另外，可舉出陰極射線管（CRT)或螢光顯示管 ，作爲顯示用面板，可舉出構成陰極射線管（CRT)或螢光 顯示管的平板、面板。 於本發明的第1態樣〜本發明的第4態樣（以下，總 稱這些，有單稱爲本發明的情況），作爲彩色濾光片，可 舉出紅色用彩色濾光片、藍色用彩色濾光片、綠色用彩 色濾光片。這些彩色濾光片，例如：可形成（塗佈）構成彩 色濾光片的糊狀材料於基板上後，例如：以曝光、顯像 、乾燥糊狀材料而得。作爲構成紅色用彩色濾光片原料 的糊狀材料的紅色顏料，可舉出Fe203、作爲構成藍色用 彩色濾光片原料的糊狀材料的藍色顏料，可舉出（CoO. A12〇3)、作爲構成綠色用彩色濾光片原料的糊狀材料的 -15- (12) 1316728 綠色顏料，可舉出（Ti02. NiO. CoO. ZnO)、（CoO. CrO • Ti02 · A1203)。作爲糊狀材料的塗膜方法，可例示旋轉 式塗佈法（spin coating)或網版印刷法、滾筒式塗佈法 (roll coat)。而且，作爲構成彩色瀘光片的材料亦可舉出 所謂乾式薄膜，於此情況係可以所謂熱轉印方式形成彩 色濾光片。 於本發明，於顯示用面板亦可作爲設置複數爲了防 止從螢光體區域反跳的電子、或從螢光體區域放出的二 次電子入射至其他的螢光體區域，產生所謂的光學的 Crosstalk(色濁）的隔壁的構成。 作爲隔壁的平面形狀，格子形狀（井字形），亦即，相 當於1次像素，例如：可舉出包圍平面形狀爲略矩形（點 狀）的螢光體區域的周圍的形狀，或者，可舉出與略矩形 或條紋狀的螢光體區域的相對的二邊延伸至平行的帶狀 形狀或條紋形狀。將隔壁作爲格子形狀的情況，作爲連 續的包圍1個螢光體區域的範圍的周圍的形狀亦佳，作 爲不連續的包圍的形狀亦佳。將隔壁作爲帶狀形狀或條 紋形狀的情況，作爲連續的形狀亦佳，作爲不連續的形 狀亦佳。在形成了隔壁之後，硏磨隔壁，謀求隔壁的頂 面的平坦化亦佳。 於本發明的第1態樣係，將彩色濾光片保護膜，不 僅在彩色濾光片上，如延伸至不形成彩色濾光片的基板 的部分地形成亦佳。另外，電極係不僅在螢光體區域上 ，如延伸至不形成螢光體區域的基板的部分地形成亦佳 -16 - (13) (13)1316728 。具體的係’於本發明的第1態樣，電極係例如：可於 基板上形成了螢光體區域後，於全面形成由高分子材料 構成的中間膜，接著，於中間膜上形成導電材料層，之 後’以燒結中間膜而除去而得。在本發明的第1態樣係 ’電極係例如：具有覆蓋有效範圍（作爲實際的顯示部分 的機能的範圍）的1片的片狀的形態。而且在被設置隔壁 的情況，電極係有效範圍，更具體的爲形成於從隔壁上 至螢光體區域上（包含螢光體區域的上方 於本發明的第1態樣，顯示用面板係可以表示於之 後的表1的（A)所示的順序製造。而且，於表1〜表6，數 字係表示製程的實行順序。另外，「CF」係意味彩色濾 光片，所謂「電極單元的形成」，意味藉由導電材料層 的圖形化的電極單元的形成、所謂「阻抗體層的形成」 ’意味爲了電氣的連接電極單元與電極單元的阻抗體層 的形成、所謂「導電材料層的形成」，意味形成爲了形 成複數的電極單元的導電材料層、所謂「電極單元化」 ，意味圖形化導電材料層而得到電極單元的製程。 於本發明的第2態樣係，亦將彩色濾光片保護膜， 不僅在彩色濾光片上’如延伸至不形成彩色濾光片的基 板的部分地形成亦佳。另外，導電材料層係不僅在螢光 體區域上，如延伸至不形成螢光體區域的基板的部分地 形成亦佳。具體的係’於本發明的第2態樣，電極單元 係例如：可於基板上形成了螢光體區域後，於全面形成 由高分子材料構成的中間膜，接著，於中間膜上形成導 -17- (14) (14)1316728 電材料層，之後，以燒結中間膜而除去而得片狀的導電 材料層後，以圖形化此片狀的導電材料層而得。 於本發明的第2態樣，在被設置隔壁的情況，電極 單元的邊界（或電極單元與電極單元的邊界）係，位於隔壁 的頂面爲理想、阻抗體層係至少如於隔壁的頂面上的電 極單元的上或下，跨過電極單元的邊界地形成爲最佳。 亦即，阻抗體層係可舉出：形成於隔壁的頂面上的電極 單元之上、或者另外，形成於位於隔壁的頂面及隔壁的 側面上部的電極單元之上、或者另外，形成於位於隔壁 的頂面及隔壁的側面的電極單元之上的形態。或者另外 ，阻抗體層係可舉出：形成於隔壁的頂面上的電極單元 之下、或者另外，形成於位於隔壁的頂面及隔壁的側面 上部的電極單元之下、或者另外，形成於位於隔壁的頂 面及隔壁的側面的電極單元之下的形態。依情況，如構 成阻抗體層的材料對從螢光體區域射出的光而爲透明， 則阻抗體層係如延伸至形成螢光體區域的範圍地形成亦 佳。亦依構成阻抗體層的材料，由阻抗體材料形成阻抗 體層’根據微影触刻（lithography)技術及蝕刻（etching)技 術而圖形化此阻抗體層亦佳，或者，經由具有阻抗體層 的圖形的光罩或網版而將阻抗體材料根據PVD法或網版 印刷法而形成，或者另外，亦依照隔壁的形狀，藉由採 用斜真空蒸鍍法，可得阻抗體層。 於本發明的第2態樣，顯示用面板係可以表示於之 後的表1的（B)所示的順序製造，而尤其以表示於表1的 -18- (15) (15)1316728 (B)的案例號碼「3」的順序製造爲理想。 於本發明的第3態樣及第4態樣，電極係形成於不 形成螢光體區域的基板的部分，而且不形成於形成螢光 體區域的基板的部分。在此，在不設置隔壁的情況，電 極係如包圍螢光體區域地形成於基板上爲理想。一方面 ，在設置包圍1個的螢光體區域全體的隔壁的情況，電 極係被形成於隔壁上，而且，於形成螢光體區域的基板 的部分係如不被形成的構成爲理想。另外，在例如：沿 著螢光體區域的相對的2邊而設置隔壁的情況，電極係 被形成於隔壁上，並且沿著螢光體區域而形成於不形成 螢光體區域的基板的部分，而且，如於形成螢光體區域 的基板的部分係不被形成的構成爲理想。在此，所謂電 極被形成於隔壁上，包含電極被形成於隔壁的頂面、或 著另外，電極被形成於隔壁的頂面及隔壁的側面上部、 或著另外，電極被形成於隔壁的頂面及隔壁的側面的形 態。而且’在將電極由複數的電極單元構成的情況（本發 明的第4態樣）係，電極單元的邊界（或電極單元與電極單 元的邊界）係，位於隔壁的頂面爲理想、阻抗體層係至少 如於隔壁的頂面上的電極單元的上或下，跨過電極單元 的邊界地形成爲最佳。亦即，阻抗體層係可舉出：形成 於隔壁的頂面上的電極單元之上、或者另外，形成於位 於隔壁的頂面及隔壁的側面上部的電極單元之上、或者 另外’形成於位於隔壁的頂面及隔壁的側面的電極單元 之上的形態。或者另外’阻抗體層係可舉出：形成於隔 -19- (16) (16)1316728 壁的頂面上的電極單元之下、或者另外，形成於位於隔 壁的頂面及隔壁的側面上部的電極單元之下、或者另外 ，形成於位於隔壁的頂面及隔壁的側面的電極單元之下 的形態。依情況，如構成阻抗體層的材料對從螢光體區 域射出的光而爲透明，則阻抗體層係如延伸至形成螢光 體區域的範圍地形成亦佳。而且，不被限定，而電極或 者電極單元或阻抗體層的形成，係（在形成隔壁的情況係 爲隔壁的形成之後）比螢光體區域的形成先進行爲理想。 於本發明的第3態樣及第4態樣，電極或電極單元 係如使用導電材料層而形成於基板上亦佳。亦即，將由 導電材料構成的導電材料層形成於基板上，根據微影蝕 刻（lithography)技術及鈾刻（etching)技術，以圖形化此導 電材料層’可得電極或電極單元。或著另外，經由具有 電極或電極單元的圖形的遮罩或網版而將導電材料根據 PVD法或網版印刷法而形成，而可得電極或電極單元。 作爲電極或電極單元的形成方法，更具體的係加於構成 後述的電極或電極單元的導電材料層的形成方法，亦依 照隔壁的形狀，而可採用斜真空蒸鑛法。亦即，藉由斜 真空蒸鍍法’可僅於隔壁的頂面及隔壁的側面（或側面上 部），形成電極或電極單元。於本發明的第4態樣，阻抗 體層亦可以同樣的方法形成。亦即，由阻抗體材料形成 阻抗體層’根據微影独刻（lithography)技術及蝕刻 (etching)技術而圖形化此阻抗體層亦佳，或者，經由具 有阻抗體層的圖形的遮罩或網版而將阻抗體材料根據 -20- (17) 1316728 PVD法或網版印刷法而形成’或者另外，亦依照隔壁的 形狀’藉由採用斜真土蒸鍍法’可得阻抗體層。 於本發明的第3態樣’顯示用面板係可以表示於表1 的（C)及（D)的順序製造’而尤其以表示於表1的（D)的格 字號碼「5」的順序製造爲理想。另外，於本發明的第4 態樣，顯不用面板係可以表不於表2、表3、表4、表5 、表6的順序製造’而尤其以表示於表6的格字號碼「 69」或表4的格字號碼「20」的順序製造爲理想。而且 馨 於本發明的第3態樣或第4態樣，在彩色濾光片保護膜 爲由絕緣材料構成的情況，電極或電極單元的形成係有 於彩色濾光片保護膜的形成之後進行的必要。 [表1]

(A)[本發明的第1態樣] 案例 CF的形成 CF保護膜 的形成 螢光體區域 的形成 電極 的形成 1 1 2 3 4 (B)[本發明的第2態樣] 案例 CF的 形成 CF保護 膜的形成 螢光體區 域的形成 電極單元 的形成 阻抗體層 的形成 1 1 2 3 4 5 2 1 2 3 5 4 3 ] 2 3 4 5 1 -21 - (18)1316728 (C)[本發明的第3態樣](其之1) 案例 C F的形成 CF保護膜 的形成 螢光體區域 的形成 電極的形成 1 1 2 3 4 2 1 2 4 3 3 1 3 4 2 4 2 3 4 1 (D )[本發明的第3態樣](其之2) 案例 CF 的形成 CF保護膜 的形成 螢光體區域 的形成 電極 的形成 螢光體保護 膜的形成 1 1 2 3 4 5 2 1 2 3 5 4 3 1 2 4 3 5 4 1 3 4 2 5 5 2 3 4 1 5 -22- (19) 1316728 [表2] [本發明的第4態樣](其之1) 案例 CF 的形成 CF保護 膜的形成 螢光體區 域的形成 導電材料 層的形成 電極 單元化 阻抗體層 的形成 1 1 2 3 4 5 6 2 1 2 3 5 6 4 3 1 2 4 3 5 6 4 1 2 4 5 6 3 5 1 2 5 4 6 3 6 1 2 5 3 4 6 7 1 2 6 4 5 3 8 1 2 6 3 4 5 9 1 3 4 2 5 6 10 1 3 4 5 6 2 11 1 3 5 4 6 2 12 1 3 5 2 4 6 13 1 3 6 4 5 2 14 1 3 6 2 4 5 15 1 4 5 2 3 6 16 1 4 5 3 6 2 17 1 4 6 2 3 5 18 1 4 6 3 5 2 19 1 5 6 2 3 4 20 1 5 6 3 4 2 21 2 3 4 1 5 6 22 2 3 4 5 6 1 23 2 3 5 4 6 1 24 2 3 5 1 4 6 25 2 3 6 4 5 1 26 2 3 6 1 4 5 27 2 4 5 1 3 6 28 2 4 5 3 6 1 29 2 4 6 1 3 5 30 2 4 6 3 5 1 -23- (20) 1316728

[本發明的第4態樣 (其之2〕 案例 CF 的形成 CF保護 膜的形成 螢光體區 域的形成 導電材料 層的形成 電極單元化 阻抗體層 的形成 31 2 5 6 1 3 4 32 2 5 6 3 4 1 33 3 4 5 2 6 1 34 3 4 5 1 2 6 35 3 4 6 2 5 1 36 3 4 6 1 2 5 37 3 5 6 2 4 1 38 3 5 6 1 2 4 39 4 5 6 1 2 3 40 4 5 6 2 3 1

-24- (21)1316728 [表4] [本發明的第4態樣](其之3) 案例 CF 的形成 CF保護 膜的形成 螢光體區 域的形成 導電材料 層的形成 電極 單元化 阻抗體層 的形成 螢光體保護 膜的形成 1 1 2 3 4 5 6 7 2 1 2 3 4 5 7 6 3 1 2 3 4 6 7 5 4 1 2 3 5 6 4 7 5 1 2 3 5 6 7 4 6 1 2 3 5 7 4 6 7 1 2 3 6 7 5 4 8 1 2 3 6 7 4 5 9 1 2 4 3 5 6 7 10 1 2 4 3 5 7 6 11 1 2 4 3 6 7 5 12 1 2 4 5 6 3 7 13 1 2 4 5 7 3 6 14 1 2 4 6 7 3 5 15 1 2 5 4 6 3 7 16 1 2 5 4 7 3 6 17 1 2 5 3 4 6 7 18 1 2 5 3 4 7 6 19 1 2 6 4 5 3 7 20 1 2 6 3 4 5 7 21 1 3 4 2 5 6 7 22 1 3 4 2 5 7 6 23 1 3 4 2 6 7 5 24 1 3 4 5 6 2 7 25 1 3 4 5 7 2 6 26 1 3 4 6 7 2 5 27 1 3 5 4 6 2 7 28 1 3 5 4 7 2 6 29 1 3 5 2 4 6 7 30 1 3 5 2 4 7 6

-25- (22) 1316728 [表5] [本發明的第4態樣](其之4) 案例 CF 的形成 CF保護 膜的形成 螢光體區 域的形成 導電材料 層的形成 電極 單元化 阻抗體層 的形成 螢光體保護 膜的形成 31 1 3 6 4 5 2 7 32 1 3 6 2 4 5 7 33 1 4 5 2 3 6 7 34 1 4 5 2 3 7 6 35 1 4 5 3 6 2 7 36 1 4 5 3 7 2 6 37 1 4 6 2 3 5 7 38 1 4 6 3 5 2 7 39 1 5 6 2 3 4 7 40 1 5 6 3 4 2 7 41 2 3 4 1 5 6 7 42 2 3 4 1 5 7 6 43 2 3 4 1 6 7 5 44 2 3 4 5 6 1 7 45 2 3 4 5 7 1 6 46 2 3 4 6 7 1 5 47 2 3 5 4 6 1 7 48 2 3 5 4 7 1 6 49 2 3 5 1 4 6 7 50 2 3 5 1 4 7 6 51 2 3 6 4 5 1 7 52 2 3 6 1 4 5 7 53 2 4 5 1 3 6 7 54 2 4 5 1 3 7 6 55 2 4 5 3 6 1 7 56 2 4 5 3 7 1 6 57 2 4 6 1 3 5 7 58 2 4 6 3 5 1 7 59 2 5 6 1 3 4 7 60 2 5 6 3 4 1 7 -26- (23) 1316728 [表6] [卞第4態樣](其+ 5) L乎5 案例 CF 的麼遇 CF保護 膜的形成 螢光體區 域的形成 導電材料 層的形成 電極 單元化 阻抗體層 的形成 螢光體保護 膜的形成 61 3 4 5 2 6 1 7 6? 3 4 5 2 7 1 6 3 4 5 1 2 6 7 64 3 4 5 1 2 7 6 65 3 4 6 2 5 1 7 66 3 4 6 1 2 5 7 67 3 5 6 2 4 1 7 68 3 5 6 1 2 4 7 69 4 5 6 1 2 3 7 70 4 5 6 2 3 1 7

於本發明的第1態樣或第2態樣，作爲在螢光體區 域上或螢光體區域的上方的電極或電極單元的平均厚度 ，可例示 3xl(T8m(30nm)至 1.5xl0-7m(150nm)、理想爲 5x l(r8m(5〇nm)至lxl0_7m(100nm)。於本發明的第3態樣或 第4態樣，作爲於基板上的電極或電極單元的平均厚度（ 在設置隔壁的情況，於隔壁的頂面上的電極或電極單元 的平均厚度），可例示 3xl(T8m(30nm)至 1.5xl(T7m (150nm)、理想爲 5xl0_8m(50nm)至 lxl(T7m(100nm)。 於本發明，作爲構成電極（陽極）的導電材料，可例示 ••鉬（Mo)、鋁（A1)、鉻（Cr)、鎢（W)、鈮（Nb)、鉬（Ta)、 金（Au)、銀（Ag)、鈦（Ti)、鈷（Co)、鍩（Zr)、鐵（Fe)、白 金（Pt)、鋅（Zn)等的金屬；包含這些金屬元素的合金或化 合物（例如：TiN等的氮化物、或WSi2、M〇Si2、TiSi2、 -27- (24) (24)1316728

TaSi2等的矽化物）；矽（Si)等的半導體；鑽石等的碳薄膜 ;ITO (氧化銦-錫）、氧化銦、氧化鋅等的導電性金屬氧化 物。而且，在形成阻抗體層的情況由不使阻抗體層的阻 抗値變化的導電材料構成電極（陽極電極）爲理想，例如： 在由碳化矽構成阻抗體層的情況，由鉬（Mo)構成電極（陽 極電極）爲理想。 在本發明係，作爲構成電極或電極單元的導電材料 層的形成方法，可舉出例如：像電子束蒸銨法或熱燈絲 蒸鑛法的蒸鑛法’像灘鑛法、離子鑛覆（i〇n plating)法、 雷射融蝕法（Laser Ablatio η)等的各種的PVD法；各種的 CVD法；網版印刷法、剝離法（lift_〇ff);溶膠—凝膠 (Sol-gel)法等。 作爲構成中間膜的材料，可舉出亮漆（laCqUer)。而 且，亮漆係在廣義的清漆（varnish)的一種，將纖維素衍 生物、一般以硝化纖維素作爲主成分的配合物溶解於如 低級脂肪酸酯的揮發性溶劑，或者，包含使用了其他的 口成同分子的氣基甲酸醋亮漆（urethane lacquer)、丙嫌 酸亮漆（acrylic laCquer)。若不形成中間膜，則在螢光體 區域上的電極或電極單元，形成.起因於螢光體區域的表 面形狀的凹凸的結果’從螢光體區域射出的光因螢光體 區域上的電極或電極單元而被漫射，有變爲不能達成在 顯7K裝置的高亮度的疑慮。一方面，在形成了中間膜的 情況，螢光體區域上的電極或電極單元變爲平滑的結果 ’從螢光體區域射出的光藉由螢光體區域上的電極或電 -28- (25) (25)1316728 極單兀而反射至基板的方向，變爲能達成在顯示裝置的 高亮度。 作爲隔壁的形成方法，可例示網版印刷法、乾式薄 膜法、感光法、噴沙（sandblast)形成法。在此，所謂網版 印刷法’爲於對應於應形成隔壁的部分的網版的部分形 成開口，將網版上的隔壁形成用材料使用刮墨刀而使其 通過開口，於基板上形成隔壁形成用材料層後，燒結有 關隔壁形成用材料層的方法。所謂乾式薄膜法，爲於基 板上層壓（laminate)感光性薄膜，藉由曝光及顯像而除去 隔壁形成預定部位的感光性薄膜，於依除去而產生的開 口埋入、燒結隔壁形成用的材料的方法。感光性薄膜係 藉由燒結而被燃燒、除去，剩下已被埋入開口的隔壁形 成用的材料，而作爲隔壁。所謂感光法，爲在基板上形 成具有感光性的隔壁形成用材料層，藉由曝光及顯像而 圖形化此隔壁形成用材料層後，進行燒結的方法。所謂 噴沙形成法，爲例如：使用網版印制或滾筒塗佈、刮刀 (Doctor Blade)、噴嘴吐出式塗佈等而形成隔壁形成用材 料層於基板上’使其乾燥後，將應形成隔壁的隔壁形成 用材料層的部分以遮罩層被覆，接著，將露出的隔壁形 成用材料層的部分藉由噴沙法而除去的方法。 吸收從螢光體區域的光的光吸收層（黑色矩陣）被形成 於隔壁與基板之間，而從像顯示圖像的對比提高的觀點 爲理想。作爲構成光吸收層的材料，選擇吸收從螢光體 區域的光99 %以上的材料爲理想。作爲如此的材料，可 -29- (26) (26)1316728 舉出：碳、金屬薄膜（例如··銘、鎳、銘、鉬等，或這些 的合金）、金屬氧化物（例如：氧化鉻）、金屬氮化物（例如 •氮化鉻）、耐熱性有機樹脂、玻璃糊、含有黑色顏料或 銀等的導電性粒子的玻璃糊等的材料，具體的係，可例 示：感光性聚亞醯胺樹脂、氧化鉻、或氧化鉻/鉻層積膜 。而且於氧化鉻/鉻層積膜係鉻膜與基板連接。光吸收層 係例如：真空蒸鍍法或濺鍍法和蝕刻法的組合、真空蒸 鍍法或濺鍍法、旋轉塗佈法和剝離法（lift_0ff)的組合、 網版印刷法、微影蝕刻技術等，可依照使用的材料而以 適宜選擇的方法而形成。 螢光體區域係由單色的螢光體粒子構成、由3原色 的螢光體粒子構成亦佳。另外，螢光體區域的配列樣式 係爲點狀、爲條紋狀亦佳。而且，於點狀或條紋狀的配 列樣式係相鄰的螢光體區域之間的間隙爲以提高對比爲 目的的光吸收層（黑色矩陣）埋入亦佳。 螢光體區域係使用從發光性結晶粒子（例如：粒徑 5〜10nm範圍的螢光體粒子）調製的發光性結晶粒子組成 物，例如：可以塗佈紅色的感光性的發光性結晶粒子組 成物（紅色螢光體漿狀物）於全面，曝光、顯像，而形成紅 色發光螢光體區域，接著，塗佈綠色的感光性的發光性 結晶粒子組成物（綠色螢光體漿狀物）於全面，曝光、顯像 ，而形成綠色發光螢光體區域，再加上，塗佈藍色的感 光性的發光性結晶粒子組成物（藍色螢光體漿狀物）於全面 ，曝光、顯像，而形成藍色發光螢光體區域的方法形成 -30- (27) (27)1316728 。於基板上的螢光體區域的平均厚度係不被限定，而爲3 至20/zm、理想爲5/zm至l〇Vm爲最佳。 作爲構成發光性結晶粒子的螢光體材料，可由以往 周知的螢光體材料之中適宜選擇而使用。在彩色顯示的 情況，色純度接近於NTSC規定的3原色，取混合3原 色時的白平衡，殘光時間短，組合成爲3原色的殘光時 間大略相等的螢光體材料爲理想。作爲構成紅色發光螢 光體區域的螢光體材料，可例示：（Υ2〇3 : Eu)、（Y2〇2s :Eu)、（Y3A15012 : Eu)、（Y2Si05 : Eu)、（Zn3(P〇4)2 : Μη)，而尤其使用（Y2〇3 : Eu)、（Y2〇2S : Eu)爲理想。另 外，作爲構成綠色發光螢光體區域的螢光體材料，可例 示：（ZnSi〇2 : Mn)、(Sr4Si3〇8Cl4 : Eu) ' (ZnS ： Cu, Al) 、(ZnS ： Cu，An I , Al) ' [(Zn, Cd)S ： Cu, Al] > (Y3AI5O1 ：Tb)、 (Y2Si〇5 ： Tb)、 [Y3(A1, Ga)5〇i2 ：Tb]、 (ZnB a〇4 :Mn) 、(GbB03 : Tb) 、 （Sr6Si03Cl3 :Eu)、 (BaMgAh 4 0 2 3 ·_ Mn)、(ScBO 3 ： Tb) 、 (Zn2Si04 :Mn)、 (ZnO : Zn)、（Gd202S : Tb)、（ZnGa204 : Mn)，而尤其使 用（ZnS : Cu，Al)、（ZnS : Cu, Au，Al)、[(Zn，Cd)S : Cu, Al]、（Y3A15012 : Tb)、[Y3(A1，Ga)5012 : Tb]、（Y2Si05 : Tb)爲理想。再加上，作爲構成藍色發光螢光體區域的螢 光體材料，可例示：（Y2Si〇5 : Ce)、（CaW04 : Pb)、 CaW04、YP0.85V015O4、（BaMgAl14023 : Eu)、（Sr2P2〇7 : Eu)、（Sr2P207 : Sn)、（ZnS : Ag，Al)、（ZnS : Ag)、 ZnMgO、ZnGa04 > 而尤其使用（ZnS : Ag)、（ZnS : Ag， -31 - (28) (28)1316728 A1)爲理想。 在藉由本發明的顯示裝置而構成冷陰極電場電子發 射顯示裝置的情況，於冷陰極電場電子發射顯示裝置的 冷陰極電場電子發射元件（構成電子束源。以下稱爲電場 發射元件）係，更具體的爲，例如：由 (A) 被形成於支撐體上，延伸至第1方向的陰極電 極、 (B) 被形成於支撐體及陰極電極上的絕緣層、 (C) 形成於絕緣層上，延伸至與第1方向相異的第2 方向的閘極電極、 (D) 形成於閘極電極及絕緣層的開口部、和、 (E) 露出於開口部的底部的電子發射部、 構成。 電場發射元件的型式係不被特別限定，薄膜 (spindt)型電場發射元件、邊緣（edge)型電場發射元件、 平面型電場發射元件、扁平型電場發射元件、冠（crown) 型電場發射元件之任一個亦佳。而且，陰極電極及閘極 電極係有條紋形狀，陰極電極的射影像及閘極電極的射 影像係直交，亦即，第1方向與第2方向直交，而由像 冷陰極電場電子發射顯示裝置的構造的簡化的觀點爲理 想。 再加上，在電場發射元件係具備集束電極亦佳。亦 即，於閘極電極及絕緣層上係更設置層間絕緣層，亦可 於層間絕緣層上設置集束電極的電場發射元件，或者另 -32- (29) (29)1316728 外’以於閘極電極的上方設置集束電極的電場發射元件 。在此’所謂集束電極’爲使朝向由開口部被發射的電 極（陽極電極）的發射電子的軌道集束，而且爲能防止對亮 度的fe向或鄰接像素間的光學的串擾（Crosstalk)的電極。 電極（陽極電極）與陰極電極之間的電位差爲數千伏特的等 級（order)，陽極電極與陰極電極之間的距離較長，於所 謂高電壓式的冷陰極電場電子發射顯示裝置，集束電極 爲特別有效。於集束電極係由集束電極控制電路而被施 加相對的負電壓。集束電極不必設於每各電場發射元件 其果 使效 而束 向集 方的 列通 配共 的來 定帶 所件 的元 件射 元發 射場 發電 場的 電數 著複 沿給 依可 :亦 如， 例伸 ’ 延 。 在冷陰極電場電子發射顯示裝置係，藉由施加於陰 極電極及閘極電極的電壓而產生的強電場加於電子發射 部的結果，藉由量子穿隧效應而從電子發射部發射電子 。然後，此電子係藉由被設置於顯示用面板（陽極面板）的 電極（陽極電極）而被吸引向顯示用面板（陽極面板），而衝 撞螢光體區域。然後，向螢光體區域的電子的衝撞的結 果，螢光體區域發光，可識認圖像。陰極電極的射影像 和閘極電極的射影像被設於重複的範圍（重複範圍）’或藉 由位於1或複數的電子發射部而構成電子發射範圍。 作爲基板或支撐體，可舉出：玻璃基板、於表面形 成絕緣膜的玻璃基板、石英基板、於表面形成絕緣膜的 石英基板、於表面形成絕緣膜的半導體基板’而從減低 -33- (30) (30)1316728 製造成本的觀點係可例示：使用玻璃基板、或於表面形 成絕緣膜的玻璃基板爲理想。作爲玻璃基板，可例示： 高應力點玻璃、鈉i弓玻璃（Na2〇· CaO_ Si〇2)、硼砂酸玻 璃（Na20 _ B2〇3 . Si02)、鎂橄欖石（Forsterite)(2Mg〇 . Si02)、鉛玻璃（Na20 . PbO . Si02)。 作爲陰極電極、閘極電極、集束電極的構成材料， 可例示：、鋁（A1)、鎢（W)、鈮（Nb)、鉅（Ta)、鉬（Mo)、 鉻（Cr)、銅（Cu)、金（Au)、銀（Ag)、鈦（Ti)、鎳（Ni)、鈷 (Co)、銷（Zr)、鐵（Fe)、白金（Pt)、鋅（Zn)等的金屬；包 含這些金屬元素的合金或化合物（例如：TiN等的氮化物 、或 WSi2、MoSi2、TiSi2、TaSi2 等的砂化物）；砂（Si)等 的半導體；鑽石等的碳薄膜；ITO (氧化銦-錫）、氧化銦、 氧化辞寺的導電性金屬氧化物。另外’作爲這些電極的 形成方法’可舉出例如：像電子束蒸鍍法或熱燈絲蒸鍍 法的蒸鍍法、濺鍍法、CVD法或離子鍍覆（ion plating)法 與蝕刻法的組合；網版印刷法、電鍍法（電氣電鍍法或無 電解電鍍法）；剝離法（lift-off);雷射融蝕法（Laser Ablation);溶膠-凝膠（Sol_gel)法等。如藉由網版印刷 法或電鍍法’可直接例如：形成條紋狀的該電極。 作爲構成電場發射元件的絕緣層或層間絕緣層的構

成材料’可將像 Si02、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG

SiON、S0G(旋轉塗佈玻璃Spin-on-glass)、低融點玻 璃、玻璃糊的SiCh系材料；SiN系材料；聚亞醯胺等的 絕緣性樹脂，單獨或適宜組合而使用。於絕緣層或層間 -34- (31) (31)1316728 絕緣層的形成係可利用CVD法、塗佈法、濺鍍法、網版 印刷法等一般周知的程序。 在陰極電極與電子發射部之間設置高阻抗膜亦佳。 藉由設置高阻抗膜，可謀求冷陰極電場電子發射元件的 動作安定化、電子發射特性的均勻化、作爲構成高阻抗 膜的材料，可例示：像碳化矽（SiC)或SiCN的碳系材料 i SiN系材料；非晶形矽等的半導體材料；氧化釕（Ru〇2) '氧化鉬、氮化鉬等的高融點金屬氧化物。作爲高阻抗 膜的形成方法，可例示：濺鍍法、或CVD法、或網版印 刷法。阻抗値如爲大致1 X 1 05 ~ 1 X 1 07 Ω，理想爲數Μ Ω爲 佳。 被設於閘極電極或絕緣層的開口部的平面形狀（在與 支撐體表面平行的假想平面，切斷開口部時的形狀）係， 可爲圓形、橢圓形、矩形、多角形、帶有圓形的矩形、 帶有圓形的多角形等任意的形狀。開口部的形成係可藉 由例如：等向性蝕刻、非等向性蝕刻與等向性蝕刻的組 合而進行，或者另外，依照閘極電極的形成方法，亦可 於閘極電極直接形成開口部。於絕緣層或層間絕緣層的 開口部的形成’亦可藉由例如：等向性蝕刻、非等向性 蝕刻與等向性蝕刻的組合而進行。 在冷陰極電場電子發射顯示裝置，因爲依陽極電極 與陰極電極’被挾持的空間變成真空狀態，所以若於陽 極電極與陰極電極之間未先配置襯墊，則有因大氣壓而 使冷陰極電場電子發射顯示裝置受到損傷的疑慮。有關 -35- (32) (32)1316728 襯墊係可由例如：陶瓷構成。在將襯墊由陶瓷構成的情 況，作爲陶瓷，可例示：耐火矽酸鋁（mullite)或氧化鋁 、欽酸鋇、銷鈦酸鈴（Lead Zirconate Titanate)、二氧化 鉻、堇青石（cordierite)、鋇硼矽酸鹽、矽酸鐵、玻璃陶 瓷材料，在這些可例示：添加了氧化鈦、氧化鉻、氧化 鐵、氧化釩、氧化鎳之物等。在此情況，可以所謂成形 生胚薄片（green sheet)、燒結生胚薄片、藉由切斷有關的 生胚薄片燒結品而製造襯墊。另外，於襯墊表面，形成 由金屬或合金構成的導電材料層、或者另外，形成高阻 抗層、或者另外，形成由二次電子發射係數低的材料構 成的薄層亦佳。襯墊係例如：以夾入隔壁與隔壁之間而 固定爲佳，或者另外，例如：如於陽極面板形成襯墊保 持部，以夾入於襯墊保持部與襯墊保持部間而固定爲佳 〇 在將陰極電極與陽極電極在周緣部接合的情況，接 合係使用黏著層（包含玻璃熔塊棒（frit bar))亦佳，或者， 倂用由玻璃或陶瓷等的絕緣剛性材料構成的框體和黏著 層而進行亦佳。在倂用框體和黏著層的情況，藉由適宜 選擇框體的高度，比僅使用黏著層的情況，能更長而設 定陰極面板與陽極面板之間的相對距離。而且，作爲黏 著層的構成材料’一般爲粉狀玻璃，而使用融點爲 1 20~40 0 °C範圍的所謂低融點金屬材料亦佳。作爲有關的 低融點金屬材料，可例示：銦（In :融點157°C );銦·金系 的低融點合金；Sn8〇Ag2〇(融點220〜3 70 t)、Sn95Cu5(融 -36- (33) (33)1316728 點227~370°C)等的錫（Sn)系高溫錚錫；Pb97.5Ag2 5(融點 304 °C )、Pb 9 4 5 Ag5.5(融點 3 04~365 °C )、Pbw.sAguSnui 融點3 09 °C)等的鉛（Pb)系高溫銲錫；Zn95Al5(融點3 80。〇 等的辞（Ζη)系筒溫舞錫；Sn5Pb95(融點300〜314°C)、 ShPb98(融點 316〜322 t：)等的錫-鉛系標準銲錫； 八1188〇&12(融點38 1°0)等的銲料（以上的下標全部表示原子 %)。 在接合基板和支撐體和框體三者的情況，進行三者 同時接合亦佳，或者，在第1階段先接合基板或支撐體 的任一方與框體，在第2段階接合基板或支撐體的他方 與框體亦佳。作爲構成接合的環境的氣體，可舉出氮氣 氣體。三者的接合終了後，將藉由基板和支撐體和框體 和黏著層而包圍的空間排氣，成爲真空。接合時的環境 的壓力爲常壓/減壓之任一者亦佳。 排氣係可經由事先連接於基板或支撐體的尖梢管（tip tube)而進行。尖梢管係典型的爲使用玻璃管而構成，在 設置於基板及/或支撐體的無效範圍（亦即，作爲顯示部分 而發揮機能的有效範圍以外的範圍）的貫穿孔的周圍，使 用粉狀玻璃或上述的低融點金屬材料而接合，在空間達 到所定的真空度後，藉由熱融著而封切。而且，在進行 封切之前，若一旦加熱冷陰極電場電子發射顯示裝置全 體後使其降溫，則可使殘留於空間的氣體放出，可依將 此殘留氣體排氣而除去至空間外而爲理想。 於冷陰極電場電子發射顯示裝置，陰極電極被連接 -37- (34) (34)1316728 於陰極電極控制電路、閘極電極被連接於閘極電極控制 電路、陽極電極被連接於陽極電極控制電路。而且，這 些控制電路可由一般周知的電路構成。陽極電極控制電 路的輸出電壓VA係，通常爲一定，例如：可爲5千伏特 〜10千伏特。或者另外，在以陽極面板與陰極面板之間的 距離作爲 £1(但是，0.5111111$<1$1〇111111)時，^(1(單位：千 伏特/mm)的値，爲0.5以上20以下、理想爲1以上1〇 以下、更理想爲滿足5以上10以下者爲最佳。 關於施加於陰極電極的電壓Vc及施加於閘極電極的 電壓VG係在作爲等級控制方式採用了電壓調變方式的情 況， (1) 將施加於陰極電極的電壓Vc爲一定，使施加於 閘極電極的電壓VG變化的方式 (2) 使施加於陰極電極的電壓Vc變化，施加於閘極 電極的電壓VG爲一定的方式 (3) 使施加於陰極電極的電壓Vc變化，而且，亦使 施加於閘極電極的電壓V(}變化的方式 【發明的效果】 在本發明係在基板與螢光體區域之間，從基板側， 形成彩色濾光片及彩色濾光片保護膜。亦即，彩色濾光 片係藉由彩色濾光片保護膜而覆蓋。因而，可確實防止 因於各種的顯示裝置的組裝、製造製程的還原環境或脫 氧環境中的熱處理而使彩色濾光片受到損傷。另外，即 -38- (35) (35)1316728 使從電子束源射出、通過螢光體區域的電子，因衝撞彩 色濾光片而部分的分解構成彩色濾光片的材料，依構成 彩色濾光片的材料的分解而產生的氣體係因爲依彩色濾 光片保護膜而成爲一種被密封的狀態，所以亦可抑制有 關的氣體帶給電子束源不良的影響。 在本發明的第1態樣或第2態樣，爲了得到電極或 複數的電極單元，有進行像中間膜的形成、在中間膜上 的導電材料層的形成、中間膜的燒結的製程的必要。然 而，在如此的製程有在導電材料層產生損傷的疑慮，有 難以謀求陽極面板的製造成本的降低的情況。另外，爲 了得到複數的電極單元，有於形成阻劑（resist)層的過程 乾燥阻劑層的必要，於此乾燥製程有在導電材料層或螢 光體區域產生剝離的情況，在使用酸而濕鈾刻導電材料 層時，有在構成螢光體區域的螢光體粒子產生損傷的疑 慮。再加上，若除去阻劑層時存在阻劑層殘渣，則於之 後的顯示裝置的組裝、製造製程，有從有關的阻劑層殘 渣放出氣體的疑慮》 於本發明的第3態樣或第4態樣係，電極係形成於 不形成螢光體區域的基板的部分，而且，不形成於形成 螢光體區域的部分。亦即，於本發明的第3態樣或第4 態樣，因爲沒有形成電極於螢光體區域上的必要，所以 亦按照製造程序，而沒有實行像中間膜的形成、在中間 膜上的導電材料層的形成' 中間膜的燒結的製程的必要 。因此，可防止於電極或電極單元產生損傷，可謀求顯 -39- (36) (36)1316728 不用面板或顯示裝置的製造成本的下降。另外，爲了得 到複數的電極單元而形成阻劑層的情況，如形成了複數 的電極單元後，於基板上形成螢光體區域，則於阻劑層 的乾燥製程，不產生像於螢光體區域產生剝離的現象， 例如：即使使用酸而濕蝕刻導電材料層時，亦不產生損 傷於構成螢光體區域的螢光體粒子。因爲在除去阻劑層 時’螢光體區域不存在，所以爲可能確實的除去阻劑層 ’在之後的顯示裝置組裝、製造製程的熱處理製程，亦 無像從阻劑層殘渣放出氣體的情事。 另外’在本發明的第3態樣或第4態樣，因爲可使 於顯示用面板的電極所占的面積減少，所以變爲能減低 藉由在顯示裝置的陰極面板的電子束源和在顯示用面板 的電極而形成的一種電容器的靜電容量，變爲難以產生 在顯示用面板與陰極面板之間的異常放電（真空電弧放電） 。將電極由複數的電極單元構成，如將電極單元與電極 單元藉由阻抗體層而電氣的連接，則變爲能更減低藉由 在顯示裝置的陰極面板的電子束源和在顯示用面板的電 極（電極單元）而形成的一種電容器的靜電容量，變爲更難 以產生在顯示用面板與陰極面板之間的異常放電（真空電 弧放電）。另外，在本發明的第4態樣，在作爲一例而以 表示於表6的案例號碼「69」的順序而製造顯示用面板 時，作爲構成彩色濾光片保護膜的材料，例如：如使用 具有高阻抗的材料，則變爲能更有效的抑制從電極或電 極單元的異常放電。 -40- (37) (37)1316728 然而，在本發明的第3態樣或第4態樣，電極係包 圍螢光體區域地形成。從電子束源發射的電子，藉由設 置於顯示用面板的電極而產生的電場，被吸引向顯示用 面板。一般而言，從電子束源朝向螢光體區域而被發射 的電子爲低速。一方面，接近顯示器面板的電子，藉由 依設置於顯示用面板的電極而產生的電場而被加速，變 爲高速。其結果，電子係比起朝向電極，朝向螢光體區 域，電子衝撞螢光體區域的結果，螢光體區域發光，可 φ 得所希望的圖像。 於本發明的第1態樣或第2態樣，於螢光體區域上 存在電極，從螢光體區域被射出的光，藉由螢光體區域 上的電極或電極單元而反射至基板的方向，達成於顯示 裝置的高亮度。一方面，於本發明的第3態樣或第4態 樣，在適切的決定於螢光體區域的螢光體粒子的量（於基 ^ 板上的螢光體區域的厚度），即使於螢光體區域上不存在 · 電極，也可得具有高亮度的顯示用面板或顯示裝置。 φ 【實施方式】 以下，參照圖面，根據實施例而說明本發明。 【實施例1】 實施例1係關於有關本發明的第1態樣的顯示用面 板及顯示裝置。更具體的係，實施例1的顯示裝置係構 成冷陰極電場電子發射顯示裝置、顯示用面板係構成冷 -41 - 1316728 P8) 陰極電場電子發射顯示裝置的陽極面板、電極係構成於 陽極面板的陽極電極、電子束源係由冷陰極電場電子發 射元件構成。而且，於以下的說明’有將冷陰極電場電 子發射顯示裝置單稱爲電場發射顯示裝置、將顯示用面 板稱爲陽極面板、將電極稱爲陽極電極、將電子束源稱 爲冷陰極電場電子發射元件（電場發射元件）的情況。 表示實施例1的顯示裝置的模式的一部分的剖面圖 於第1圖，表示實施例1的顯示用面板（陽極面板AP)的 模式的一部分的剖面圖於第4圖、表示陰極面板CP的模 式的部分的立體圖於第5圖。再加上，另外，將螢光體 區域等的配列，作爲模式的部分的平面圖，例示於第6 圖〜第11圖。而且，將在陽極面板AP的模式的一部分的 剖面圖的螢光體區域等的配列，作爲表示於第7圖或第9 圖的構成。另外，於第6圖〜第11圖，省略電極（陽極電 極）的圖示。 實施例1的電場發射顯示裝置爲陰極面板CP及顯示 用面板（陽極面板AP)經由真空層而在其周緣部被接合的 電場發射顯示裝置。在此，陰極面板CP係具備形成於支 撐體10上的電子束源（電場發射元件）。一方面，顯示用 面板（陽極面板AP)係具備形成於基板20上的複數的螢光 體區域23、和電極（陽極電極24)，從電子束源（電場發射 元件）被發射的電子，可通過電極（陽極電極24)，藉由衝 撞螢光體區域23而使螢光體區域23發光，得到所希望 的圖像。亦即，實施例1的電場發射顯示裝置係，複數 -42- (39) (39)1316728 具備由陰極電極U、閘極電極13及電子發射部15構成 的電場發射元件的陰極面板CP、和陽極面板AP，在該 等之周緣部接合而構成。 在實施例1的顯示用面板（陽極面板AP)係於螢光體 區域23與螢光體區域23之間的基板20上形成黑色矩陣 (光吸收層）21。另外，於黑色矩陣21上係形成隔壁22。 將於陽極面板AP的隔壁22、襯墊26及螢光體區域23 的配置例，模式的表示於第6圖〜第11圖的配置圖。作 爲隔壁22的平面形狀，格子形狀（井字形），亦即，相當 於1次像素，例如：可舉出平面形狀爲包圍略矩形的螢 光體區域23的周圍的形狀（參照第6圖、第7圖、第8 圖、第9圖），或者，與略矩形（或條紋狀的）螢光體區域 23的相對的二邊平行的延伸的帶狀形狀（條紋形狀）（參照 第10圖及第11圖）。而且，在表示於第10圖的螢光體 區域23，亦可將螢光體區域（紅色發光螢光體區域23R、 綠色發光螢光體區域23G、藍色發光螢光體區域23B)， 作爲延伸至第1 0圖的上下方向的條紋狀。 然後，在實施例1，電極（陽極電極24)係在有效範圍 (作爲實際的顯示部分而發揮機能的範圍）內的全面，具體 的係，形成於螢光體區域23上（包含螢光體區域23的上 方）及隔壁22上。 在基板20與螢光體區域23 (23 R、23G、23B)之間， 由基板側’形成彩色濾光片3 0(3 0R、30G、30B)及彩色 濾光片保護膜31。在此，彩色濾光片保護膜31係由 -43- (40) (40)1316728 A1NX構成。 表示於第1圖的電場發射元件係具有圓錐型的電子 發射部，爲被稱爲所謂薄膜（spindt)型電場發射元件的型 式的電場發射元件。此電場發射元件係由形成於支撐體 10上的陰極電極11、和形成於支撐體10及陰極電極11 上的絕緣層1 2、和形成於絕緣層1 2上的閘極電極1 3、 和設置於閘極電極13及絕緣層12的開口部14(設置於閘 極電極13的第1開口部14A、及設置於絕緣層12的第2 開口部14B)、和位形成於位於第2開口部14B的底部的 陰極電極1 1上的圓錐形的電子發射部1 5構成。一般而 言，陰極電極1 1和閘極電極1 3係於這些兩電極的射影 像爲相互直交的方向，各個形成至條紋狀，在這些兩電 極的射影像爲重複的範圍（相當於1次像素分的範圍，爲 重複範圍或電子發射範圍），通常，設置複數的電場發射 元件。而且，有關的電子發射範圍，在陰極面板CP的有 效範圍（作爲實際的顯示部分而發揮機能的範圍）內，通常 ，配列爲2維矩陣狀。 1次像素係藉由設置於陰極面板側的陰極電極11和 閘極電極13的重複範圍的電子發射元件的一群、和相對 於這些電子發射元件的一群的陽極面板側的螢光體區域 23(1個紅色發光螢光體區域23R、1個綠色發光螢光體區 域23G、或1個藍色發光螢光體區域23B)而構成。在有 效範圍，匯集3個次像素而構成的像素（Pixel)爲例如以 數十萬〜數百萬個等級（order)配列。另外’ 1個像素 -44- (41) (41)1316728 (pixel)係由3個次像素構成，各次像素係具備：1個紅色 發光螢光體區域23R、1個綠色發光螢光體區域23(}、或 1個藍色發光螢光體區域23 B。 將陽極面板A P和陰極面板C P，如電子發射範圍和 營光體區域23相對地配置，藉由於周緣部，經由作爲黏 者層的玻璃熔塊棒25而接合’可製作電場發射顯示裝置 。於包圍有效範圍的無效範圍係設置真空排氣用的貫穿 孔（無圖示）’於此貫穿孔係連接於真空排氣後封切的尖梢 管（無圖示）。亦即’藉由陽極面板AP和陰極面板CP和 玻璃熔塊棒25而包圍的空間變爲真空，有關的空間構成 真空層。因而，於陽極面板AP及陰極面板CP係因大氣 而被施加壓力。如因此壓力而電場發射顯示裝置不破損 ，在陽極面板AP與陰極面板CP之間配置襯墊26。而且 ，於第1圖’省略了襯墊的圖示。隔壁22的一部分係亦 作爲爲了保持襯墊26的襯墊保持部而發揮機能。 於陰極電極1 1係被從陰極電極控制電路4 1施加相 對的負電壓，於閘極電極1 3係被從閘極電極控制電路4 2 施加相對的正電壓，於陽極電極24係被從陽極電極控制 電路43施加比閘極電極13更高的正電壓。在於有關的 電場發射顯示裝置進行顯示的情況，例如：在陰極電極 11從陰極電極控制電路41輸入掃描訊號，在閘極電極 1 3從閘極電極控制電路42輸入視訊訊號。或者，與此相 反，在陰極電極11從陰極電極控制電路41輸入視訊訊 號，在閘極電極13從閘極電極控制電路42輸入掃描訊 -45- (42) (42)1316728 號亦佳。藉由在於陰極電極1 1與閘極電極1 3之間施加 電壓時產生的電場，根據量子穿隧效應而從電子發射部 15發射電子，此電子根據藉由陽極電極24而形成的電場 而被吸引向陽極面板AP，衝撞螢光體區域23。其結果， 螢光體區域23被激發而發光，可得所希望的圖像。總之 ，此電場發射顯示裝置的動作，基本上，藉由被施加於 閘極電極13的電壓、及通過陰極電極11而被施加於電 子發射部1 5的電壓而控制。 於實施例1，因爲將陽極電極控制電路43的輸出電 壓作爲7千伏特，將陽極面板與陰極面板之間的距離d 作爲1mm，所以VA/d = 7(單位：千伏特/mm)。 以下，參照爲基板等的模式的一部剖面圖的第2圖 的（A)、（B)、第3圖的（A)、（B)及第4圖，說明於實施例 1的顯示用面板（陽極面板AP)及顯示裝置（冷陰極電場電 子發射顯示裝置）的製造方法（參照在表1的（A)案例號碼 [製程-100] 首先，在由玻璃基板構成的基板20上形成隔壁22。 (參照第2圖的（A))。隔壁22的平面形狀爲格子形狀（井 字形）。具體的係將感光性聚亞醯胺樹脂層形成於基板20 的全面後，藉由曝光、顯像有關的感光性聚亞醯胺樹脂 層，可得格子形狀（井字形）的隔壁22(例如參照第7圖）。 或者另外，形成藉由氧化鈷等的金屬氧化物而著色爲黑 -46 - (43) (43)1316728 色的鉛玻璃層後，依藉由光蝕刻技術及蝕刻技術而選擇 性的加工鉛玻璃層，可形成隔壁。或者另外，將低融點 玻璃糊以網版印刷法而印刷於基板20上，接著，藉由燒 結有關的低融點玻璃糊而形成隔壁亦佳。將在1次像素 的隔壁22的高度，作爲約50 /Z m。隔壁的一部分係亦作 爲爲了保持襯墊26的襯墊保持部而發揮機能。而且，在 隔壁2 2的形成前，在應形成隔壁2 2的基板2 0的部分的 表面形成黑色矩陣21，而從像顯示圖像的對比提高的觀 點上爲理想。 [製程-1 10] 接著，例如：首先，形成紅色用彩色濾光片30R。 具體的係，以於全面塗佈像PVA-ADC系感光液或PVA-SDC系感光液的PVA-重鉻酸鹽系感光液或疊氮系感光液 (例如：聚乙稀基咯院酮（polyvinylpyrrolidone)等），使其 乾燥而得感光液乾燥品。之後，使用無圖示的遮罩，使 用紫外線而曝光感光液乾燥品，接著，使用純水而進行 顯像’從應形成基板20的紅色用彩色濾光片30R的部分 上’選擇性的除去感光液乾燥品。接著，調製包含氧化 鐵（Fe203)系的超微粒子構成的紅色顏料1〇重量。/。的懸浮 液（剩餘部分爲水），於全面塗佈有關的懸浮液而使其乾燥 。然後’噴霧了過氧化氫水後，以純水進行反轉顯像， 除去不要的感光劑乾燥品及顏料，可得到紅色用彩色濾 光片30R。 -47- (44) (44)1316728 之後，將使由c〇o · ai2o3的超微粒子構成的藍色顏 料分散於PVA-重鉻酸鹽系的感光液中之物全面的塗佈， 使其乾燥後，使用無圖示的遮罩，以紫外線進行曝光， 而且，以使用純水而進行顯像，可得到藍色用彩色濾光 片30B。之後，將使從Ti02. ZnO. CoO· NiO的超微粒 子構成的綠色顏料分散於PVA-重鉻酸鹽系的感光液中之 物全面塗佈，使其乾燥後，使用無圖示的遮罩，以紫外 線進行曝光，而且，以使用純水而進行顯像，可得到綠 色用彩色瀘光片30G。如此作用，可得表示於第2圖之 (B)的構造。而且，亦可將紅色用彩色濾光片30R以同樣 的方法形成。 [製程-120] 接著，於全面形成彩色濾光片保護膜31。具體的係 ，以濺鍍法，全面的形成由人11^構成的彩色濾光片保護 膜31。如此作用，可得表示於第3圖（A)的構造。 [製程-130] 接著，爲了形成紅色發光螢光體區域23R，例如在 聚乙烯醇（PVA)樹脂和水中使紅色發光螢光體粒子分散， 而且塗佈添加了重鉻酸銨的紅色發光螢光體漿狀物於全 面後，乾燥有關的紅色發光螢光體漿狀物。之後，從基 板20的裏面側對應形成紅色發光螢光體區域23R的紅色 發光螢光體漿狀物的部分照射紫外線，曝光紅色發光螢 -48- (45) (45)1316728 光體漿狀物。紅色發光螢光體漿狀物係從基板20的裏面 側徐徐硬化。被形成的紅色發光螢光體區域23R的厚度 係，藉由對紅色發光螢光體漿狀物的紫外線的照射量而 決定。之後，藉由顯像紅色發光螢光體漿狀物，可於所 定的隔壁22之間形成紅色發光螢光體區域23R。以下， 對綠色發光螢光體漿狀物，藉由進行相同的處理而形成 綠色發光螢光體區域23 G，而且，對藍色發光螢光體漿 狀物，藉由進行相同的處理而形成藍色發光螢光體區域 23B。如此作用，可得表示於第3圖之（B)的構造。而且 ，將螢光體區域23的厚度作爲3.5/zm〜10/ζιη。 [製程-140] 之後，於全面根據網版印刷法而形成中間膜。構成 中間膜的樹脂（亮漆（lacquer))係，在廣義的清漆（varnish) 的一種，將纖維素衍生物、一般以硝化纖維素作爲主成 分的配合物溶解於如低級脂肪酸酯的揮發性溶劑，或者 ，從使用了其他的合成高分子的氨基甲酸酯亮漆 (urethane lacquer)、丙稀酸亮漆（acrylic lacquer)而被構 成。接著，使中間膜乾燥。 [製程-150] 之後’於中間膜上形成導電材料層。具體的係藉由 真空蒸鍍法，如覆蓋中間膜地，形成由鋁（A1)構成的導電 材料層。將導電材料層的平均厚度作爲〇.〇7//m。 -49- (46) (46)1316728 [製程-160] 接著，以40(TC範圍燒結中間膜。藉由此燒結處理燃 燒中間膜而燒去，由導電材料層構成的陽極電極24殘留 於螢光體區域23上及隔壁22上。而且，因中間膜的燃 燒而產生的氣體，例如：導電材料層之中，經由產生於 沿著隔壁22的形狀而彎曲的範圍的細微的孔而排出至外 部。如此作用，可得表示於第4圖的陽極面板AP。 [製程-170] 準備形成電場發射元件的陰極面板CP。然後，進行 電場發射顯示裝置的組裝。具體的係，例如：在設於陽 極面板AP的有效範圍的襯墊保持部安裝襯墊26，如相 對螢光體區域23與電場發射元件地配置陽極面板AP與 陰極面板CP，將陽極面板AP與陰極面板CP(更具體的 係基板20與支撐體10)，經由作爲玻璃熔塊棒25，於周 緣部接合。在接合時，將玻璃熔塊棒2 5配置於陽極面板 AP與陰極面板CP之間，在脫氧環境中（具體的係氮氣氣 體環境中）進行玻璃熔塊棒25的燒結。之後，將藉由陽 極面板AP與陰極面板CP與玻璃熔塊棒25包圍的空間 經由貫穿孔（無圖示）及尖梢管（無圖示）而排氣，在空間的 壓力達到l(T4Pa的範圍的時點藉由加熱熔融而封切。如 此地作用，可將藉由陽極面板AP與陰極面板CP與玻璃 熔塊棒25包圍的空間成爲真空，可得到表示於第1圖的 電場發射顯示裝置。或者另外，依電場發射顯示裝置的 -50- (47) (47)1316728 構造，倂用由玻璃或陶瓷等的絕緣剛性材料構成的框體 和黏著層而黏合陽極面板AP與陰極面板CP亦佳。之後 ，進行與必要的外部電路的配線連接，使電場發射顯示 裝置完成。 於實施例1，在[製程-170]，粉狀玻璃燒結時，於彩 色濾光片30(特別是紅色用彩色濾光片30R)不產生損傷 。而且，爲了比較，省略[製程-120]，製作不形成彩色濾 光片保護膜31的陽極面板而組裝電場發射顯示裝置，於 [製程-170]，粉狀玻璃燒結時，於彩色濾光片30(特別是 紅色用彩色濾光片30R)產生了損傷。亦即，在粉狀玻璃 的在脫氧環境中的燒結時，失去在構成紅色用彩色濾光 片3 0R的Fe203粒子的氧原子（被脫氧化），變爲不能盡到 作爲紅色用彩色濾光片3 0R的機能。 以下，將薄膜式（spindt)型電場發射元件的製造方法 ，參照爲構成陰極面板的支撐體1 0等的模式的一部剖面 圖的第12圖的（A)、（B)及第13圖的（A)、（B)而說明。 而且此薄膜式（spindt)型電場發射元件係，基本的爲 ，可將圓錐形的電子發射部15依金屬材料的垂直蒸鍍而 形成的方法而得到。亦即，對設置於閘極電極1 3的第1 開口部14A’蒸鍍粒子垂直的入射，而利用依形成於第1 開口部14A的開口端附近的懸垂（overhang)狀的堆積物的 遮蔽效果，使達到第2開口部14B的底部的蒸鍍粒子的 量漸減，自我整合性的形成爲圓錐形的堆積物的電子發 射部15。在此係爲了容易除去不要的懸垂（overhang)狀 -51 - (48) (48)1316728 的堆積物，所以說明關於在閘極電極1 3及絕緣層1 2上 事先先形成剝離層16的方法。而且’在爲了說明電場發 射元件的製造方法的圖面，僅圖示了 1個電子發射部。 [製程-A0] 首先，例如於由玻璃基板構成的支撐體10上，例如 將由多晶砂（polysilicon)構成的陰極電極用導電材料層以 電漿CVD法而成膜後，根據微影蝕刻技術及乾蝕刻技術 而圖形化陰極電極用導電材料層，形成條紋狀的陰極電 極1 1。之後，將全面由Si02構成的絕緣層12以CVD法 形成。 [製程-A1] 接著，在絕緣層12上，將閘極電極用導電材料層（ 例如：TiN層）以濺鍍法而成膜，接著，藉由將閘極電極 用導電材料層以微影蝕刻技術及乾蝕刻技術而圖形化， 可得條紋狀的閘極電極1 3。條紋狀的陰極電極1 1係延伸 至與圖面的紙面平行的方向，條紋狀的閘極電極13，延 伸至與圖面的紙面垂直的方向。 而且，閘極電極13係藉由真空蒸鍍法等的PVD法 、CVD法、像電氣電鍍法或無電解電鍍法的電鑛法、網 版印刷法、雷射融蝕法（Laser Ablation)、溶膠一凝膠 (Sol-gel)法、剝離法（lift-off)等的一般周知的薄膜形成、 與按照必要而與鈾刻技術的組合形成亦佳。如藉由網版 -52- (49) (49)1316728 印刷法或電鍍法，例如：能直接形成條紋狀的閘極電極 [製程-A 2 ] 之後再形成阻劑層，藉蝕刻而於閘極電極1 3形成第 1開口部14A，而且，於絕緣層形成第2開口部14B，於 第2開口部1 4B的底部使陰極電極1 1露出後，除去阻劑 層。如此作用，可得表示於第12圖（A)的構造。 [製程-A3] 接著，一面使支撐體10旋轉，同時在包含閘極電極 13上的絕緣層12上斜真空蒸鍍鎳（Ni)，形成剝離層16( 參照第12圖（B))。此時，藉由選擇對支撐體1〇的法線的 蒸鍍粒子的入射角充分的大（例如：入射角65度~85度） 、在第2開口部MB的底部幾乎不使鎳堆積，可在閘極 電極13及絕緣層12上形成剝離層16。 剝離層16係從第1開口部14A的開口端伸出至屋簷 狀，由此第1開口部14A被實質的縮小口徑。 [製程-A4] 接著’全面的例如作爲導電材料而垂直蒸鍍鉬（Mo 入射角3度~10度）。此時，如第13圖（A)所示地，伴隨 在剝離層1 6上具有懸垂形狀的導電層1 7成長，因爲第1 開口部1 4 A的實質的直徑逐漸被縮小，所以在第2開口 -53- (50) (50)1316728 部14B的底部有助於堆積的蒸鍍粒子，成爲如逐漸的限 制通過第1開口部14A的中央附近。其結果，於第2開 口部14B的底部形成圓錐形的堆積物，此圓錐形的堆積 物成爲電子發射部15。 [製程-A5] 之後，如於第1 3圖（B )所示地，以剝離法（1 i f t _ 〇 f f)， 將剝離層16由閘極電極13及絕緣層12的表面剝離，選 擇性的除去閘極電極13及絕緣層12的上方的導電層17 。接著，將設置於絕緣層12的第2開口部14B的側壁面 藉由等向性的蝕刻而使其後退，從像使閘極電極1 3的開 口端部露出的觀點爲理想。而且等向性的触刻係，可以 如化學乾蝕刻的自由基爲主要蝕刻種類而利用的乾蝕刻 、或利用蝕刻液的濕蝕刻而進行。作爲蝕刻液係例如： 可使用49 %的氫氟酸水溶液和純水的1 : ι〇〇(容積比）混 合液。如此作用’可得形成複數的薄膜式（spindt)型電場 發射元件的陰極面板。 【實施例2】 實施例2係關於有關本發明的第2態樣的顯示用面 板及顯示裝置。更具體的係與實施例1相同，實施例2 的顯示裝置係構成電場發射顯示裝置、顯示用面板係構 成電場發射顯示裝置的陽極面板、電極係構成於陽極面 板的陽極電極、電子束源係由電場發射元件構成。 -54- (51) (51)1316728 表示放大構成實施例2的電場發射顯示裝置的陽極 面板AP的一部分的模式的一部剖面圖於第1 4圖。而且 ，陰極面板CP的模式的部分的立體圖係與表示於第5圖 相同。於實施例2或後述的實施例3〜實施例6，螢光體 區域等的配列係例如：因爲可與第6圖〜第1 1圖例示者 與相同，所以省略詳細的說明。另外，於實施例2或後 述的實施例3〜實施例6的電場發射顯示裝置的陰極面板 CP的構成、構造、電場發射顯示裝置的驅動方法，因爲 與實施例1的電場發射顯示裝置的陰極面板CP的構成、 構造、電場發射顯示裝置的驅動方法爲相同，所以省略 詳細的說明。 實施例2的電場發射顯示裝置亦爲陰極面板CP及顯 示用面板（陽極面板AP)經由真空層而在其周緣部被接合 的電場發射顯示裝置。在此，陰極面板CP係具備形成於 支撐體10上的電子束源（電場發射元件）。另外，實施例 2的顯示用面板（陽極面板AP)亦，具備：形成於基板20 上的螢光體區域23(23R、23G、23B)、和形成於螢光體 區域23上的電極（陽極電極），從電子束源（電場發射元件 )被射出、通過了電極（陽極電極）的電子藉由衝撞螢光體 區域23而使螢光體區域23發光，可得到所希望的圖像 。亦即，實施例2的電場發射顯示裝置，亦複數具備由 陰極電極11、閘極電極13及電子發射部15構成的電場 發射元件的陰極面板CP、和陽極面板AP，在該等之周 緣部接合而構成。而且，於後述的實施例3〜實施例6爲 -55- (52) (52)1316728 相同。 在實施例2，亦於基板20與螢光體區域23 (23R、 23 G、23 B)之間係從基板側，形成彩色濾光片30(3 OR、 3〇G、30B)及彩色濾光片保護膜31。在此，彩色瀘光片 保護膜31係由A1NX構成。 然後，在實施例2，電極（陽極電極）係亦於有效範圍 (作爲實際的顯示部分而發揮機能的範圍）內的全面，具體 的係形成於螢光體區域23上（包含螢光體區域23的上方） 及隔壁22上。但是，與實施例1相異，電極（陽極電極） 係由複數的電極單元構成。而且於以下的說明，將電極 單元稱爲陽極電極單元24A。然後，陽極電極單元24A 與陽極電極單元24 A係藉由阻抗體層28而電氣的連接。 於實施例2，將陽極電極單元24 A的數，作爲像素的數（ 次像素的數的三分之一），而不限定於此。 阻抗體層28係由碳化砂（SiC)構成。於實施例2，電 極單元（陽極電極單元24A)係形成於隔壁22的頂面、隔 壁22的側面及螢光體區域23上，陽極電極單元24a的 境界係位於隔壁22的頂面。另外，阻抗體層28係至少 形成於隔壁22的頂面上的陽極電極單元24A上（更具體 的係在位於隔壁22的頂面的陽極電極單元24a上）。在 此，將於隔壁22的頂面上的鉬（Mo)構成的電極單元（陽 極電極單兀24A)的平均厚度作爲0.3// rn、將於隔壁22 的頂面上的阻抗體層28的平均厚度作爲〇·3 3/z m。阻抗 體層28的片阻抗値爲約4χ105Ω/：]。 -56- (53) (53)1316728 實施例2的顯示用面板（陽極面板AP)係繼續與實施 例1的[製程-160]相同的製程，可以圖形化導電材料層， 在位於隔壁22的頂面上的導電材料層的部分插進縫隙而 得到陽極電極單元24A後，再加上，於全面形成了阻抗 體層28後，以圖形化阻抗體層28而得，或者另外，亦 可將阻抗體層根據斜真空蒸鍍法28而得（參照表1之（B) 的案例號碼「1」）。而且，繼續與實施例1的[製程-1 3 0] 相同的製程’於隔壁22的頂面或頂面和側面形成阻抗體 層，之後’在實行了與實施例1的[製程-140]〜[製程-1 6 0 ]相同的製程後’以圖形化導電材料層，以位於隔壁 22的頂面上的導電材料層的部分插進縫隙而得到陽極電 極單元24A的方法，亦可製造顯示用面板（陽極面板AP) (參照表1之（B)的案例號碼「2」）。於此情況係放置陽極 電極單元24A於阻抗體層上❶ 或者另外’繼續與實施例1的[製程_100]相同的製程 ，於隔壁22的頂面或頂面和側面形成阻抗體層，之後， 在實行了與實施例1的[製程-110]〜[製程6〇]相同的製 程後’以圖形化導電材料層，以位於隔壁2 2的頂面上的 導電材料層的部分插進縫隙而得到陽極電極單元24A的 方法’亦可製造顯不用面板（陽極面板AP)(參照表1之 (B)的案例號碼「3」）。於此情況亦放置陽極電極單元 24A於阻抗體層上。 於實施例2，亦於與[製程_17〇]相同的製程，在粉狀 玻璃的燒結時’不在彩色濾光片3〇(特別是，紅色用彩色 -57- (54) (54)1316728 濾光片30R)產生損傷。而且，爲了比較，省略與[製程-1 2 0]相同的製程，製作不形成彩色濾光片保護膜的陽極 面板而組裝電場發射顯示裝置，於[製程-170]，粉狀玻璃 燒結時，於彩色濾光片30(特別是紅色用彩色濾光片 30R)產生了損傷。亦即，在粉狀玻璃的在脫氧環境中的 燒結時，失去在構成紅色用彩色濾光片3 0R的Fe203粒 子的氧原子（被脫氧化），變爲不能盡到作爲紅色用彩色濾 光片30R的機能。 【實施例3】 實施例3係關於有關本發明的第3態樣的顯示用面 板及顯示裝置。更具體的係，與實施例1相同，實施例3 的顯示裝置係構成電場發射顯示裝置、顯示用面板係構 成電場發射顯示裝置的陽極面板、電極係構成於陽極面 板的陽極電極、電子束源係由電場發射元件構成。 — 將放大構成實施例3的電場發射顯示裝置陽極面板 鲁 A P的一部分的模式性一部剖面圖表示於第1 5圖或第1 6 圖。 在實施例3’亦於基板20與螢光體區域23(23R、 23G、23B)之間係從基板側’形成彩色濾光片3 0(3 0R、 3 0G、3 0B)及彩色濾光片保護膜31。在此，彩色濾光片 保護膜31係由A1NX構成。 但是，在實施例3，電極（陽極電極124)係於有效範 圍（作爲實際的顯示部分而發揮機能的範圍），形成於不 -58- (55) 1316728 形成螢光體區域23的基板20的部分（更具體的係，被形 成於形成在基板20上的隔壁22的頂面及側面，而且形 成於不形成螢光體區域23的基板20的部分），而且，在 形成螢光體區域23的基板20的部分20A係不被形成。 而且，將於隔壁22的頂面上的電極（陽極電極124)的平 均厚度作爲O.lym。另外，將螢光體區域23的平均厚度 作爲約1 0 y ηι。 表示於第15圖的實施例3的顯示用面板（陽極面板 AP)，可以以下的方法製造（參照於表1之（C)的案例號碼 「1」）。 [製程-3 00A] 首先，實行與實施例1的[製程-100]〜[製程-160]相 同的製程。 [製程-310A] 之後，圖形化導電材料層，除去螢光體區域23上的 導電材料層，在留下位於隔壁22的頂面及側面上的導電 材料層的部分，可得到陽極電極124。 另外，表示於第16圖的實施例3的顯示用面板（陽 極面板AP)，可以以下的方法製造（參照於表1之（C)的格 子號「4」）。 [製程-3 Ο Ο B ] -59- (56) (56)1316728 首先，爲與實施例1的[製程-100]相同的製程，實行 黑色矩陣21的形成及隔壁22的形成。 [製程-3 1 0B] 接著，將電極（陽極電極124)，形成於不形成螢光體 區域23的基板20的部分。但是，在應形成螢光體區域 23的基板20的部分20A係不形成。具體的係，於藉由 隔壁22而包圍的基板20的部分2〇A不被形成電極（陽極 電極124)地，根據斜真空蒸鍍法，將從由鉬（Mo)構成的 導電材料層構成的電極（陽極電極124)，形成於被形成於 基板20上的隔壁22的頂面及側面。 [製程-320B] 之後，爲與實施例1的[製程-1〇〇]~ [製程-120]相同 的製程，實行彩色濾光片30(30R、30G、30B)的形成及 彩色濾光片保護膜31的形成。 [製程-3 3 0B] 之後’以實行爲與實施例1的[[製程-130]相同的製 程的螢光體區域23(23 R、23G、23B)的形成，可得表示 於第16圖的實施例3的顯示用面板（陽極面板AP)。 而且’以外，根據在表1的（C)的案例號碼「2」或 案例號碼「3」的製程順序，亦可製造實施例3的顯示用 面板（陽極面板AP)。 -60- (57) (57)1316728 【實施例4】 實施例4的顯示用面板（陽極面板）及顯示裝置（冷陰 極電場電子發射顯示裝置），爲實施例3的顯示用面板（陽 極面板）及顯示裝置（冷陰極電場電子發射顯示裝置）的變 形。 表示放大構成實施例4的電場發射顯示裝置的陽極 面板AP的一部分的模式的一部剖面圖於第丨7圖或第！ 8 圖。 · 於實施例4的電場發射顯示裝置，爲了從根據電場 發射顯示裝置的動作而在電場發射顯示裝置的內部產生 的離子等而保護螢光體區域，另外抑制從螢光體區域的 氣體產生、爲了防止螢光體區域的剝離，至少於螢光體 區域23上（於實施例4，更具體的係不只在螢光體區域 23上’亦於爲電極的陽極電極124上）形成螢光體保護膜 27。螢光體保護膜27係透明的材料，具體的係由氮化鋁 · (A1NX)構成。將在螢光體區域23上的螢光體保護膜27 Φ 的平均厚度作爲50nm。 表示於第17圖的實施例4的顯示用面板（陽極面板） 係可以以下的方法製造（參照在表1的（D)的案例號碼「1 [製程-400A] 首先，實行與實施例1的[製程-100]〜[製程_160]相 同的製程。 -61 - (58) (58)1316728

[製程-4 1 〇AJ 之後，圖形化導電材料層，除去螢光體區域23上的 導電材料層，在留下位於隔壁22的頂面及側面上的導電 材料層的部分，可得到陽極電極1 24。 [製程-4 2 0 A ] 接著，於全面以濺鍍法形成由氮化鋁（A1NX)構成的 營光體保護膜27。 另外，表示於第18圖的實施例4的顯示用面板（陽 極面板）係可以以下的方法製造（參照在表1的（D)的案例 號碼「5」）。 [製程-400B] 首先，實行與實施例3的[製程-3 00B]〜[製程-3 30B] 相同的製程。 [製程-410B] 接著，於全面以濺鍍法形成由氮化鋁（A1NX)構成的 螢光體保護膜27。 除了以上的要點，因爲實施例4的顯示用面板（陽極 面板）及顯示裝置（冷陰極電場電子發射顯示裝置），係與 實施例3的顯示用面板（陽極面板）及顯示裝置（冷陰極電 場電子發射顯示裝置）相同，所以省略詳細的說明。 而且，以外，根據在表1的（D)的案例號碼「2」、 -62- (59) (59)1316728 案例號碼「3」、案例號碼「4」的製程的順序，亦可製 造實施例4的顯示用面板（陽極面板）。 【實施例5】 實施例5的顯示用面板（陽極面板）及顯示裝置（冷陰 極電場電子發射顯示裝置），亦爲實施例3的顯示用面板（ 陽極面板）及顯示裝置（冷陰極電場電子發射顯示裝置）的 變形，有關關於本發明的第4態樣的顯示用面板及顯示 裝置。 表示放大構成實施例5的電場發射顯示裝置的陽極 面板AP的一部分的模式的一部剖面圖於第1 9圖、第2 0 圖或第21圖。 於實施例5的電場發射顯示裝置，電極係由複數的 電極單元（陽極電極單元124A)構成，陽極電極單元124A 與陽極電極單元124A係藉由阻抗體層28電氣的連接。 於實施例5，將陽極電極單元124A的數作爲與像素的數 一致的數（與次像素的數三分之——致的數），而不限定於 此。 阻抗體層28由碳化矽（SiC)構成，於實施例5，電極 單元（陽極電極單元124 A)係形成於隔壁22的頂面及隔壁 22的側面，陽極電極單元124A的邊界係位於隔壁22的 頂面。另外’阻抗體層28係至少形成於隔壁22的頂面 上的陽極電極單元12 4A上（更具體的係，如第19圖及第 20圖所示地，在位於隔壁22的頂面的陽極電極單元 -63- (60) (60)1316728 124A上’或者另外，如第21圖所示地，在位於隔壁22 的頂面及隔壁22的側面的陽極電極單元124A上）。在此 ’將於隔壁22的頂面上的由鉬（Mo)構成的電極單元（陽 極電極單元124A)的平均厚度作爲〇.3ym、將於隔壁22 的頂面上的阻抗體層28的平均厚度作爲〇.33 " m。阻抗 體層28的片阻抗値爲約4χ1〇5Ω/[Ι|。 表示於第19圖的實施例5的顯示用面板（陽極面板 ΑΡ)係可以以下的方法製造（參照在表2的案例號碼「1」 [製程-500Α] 首先’實行與實施例3的[製程-300]~ [製程-310Α] 相同的製程。 [製程-510Α] 接著，於全面形成了阻抗體層28後，圖形化阻抗體 層28。 或者另外’表示於第20圖的實施例5的顯示用面板 (陽極面板ΑΡ)係可以以下的方法製造（參照在表3的案例 號碼「36」）。 [製程-500Β] 首先，實行與實施例1的[製程-100]相同的製程。 之後，根據斜真空蒸鍍法，將由鉬（Mo)構成的導電 -64- (61) (61)1316728 材料層’形成於已被形成在基板20上的隔壁22的頂面 及側面。接著，於全面（更具體的係於由鉬構成的導電材 料層上）形成阻劑層，根據光蝕刻技術而圖形化有關的阻 劑層。接著，將已被圖形化的阻劑層作爲蝕刻用遮罩， 以濕蝕刻法圖形化由鉬構成的導電材料層，之後，除去 阻劑層。如此，可得陽極電極單元1 24A。 接著，實行了與實施例3的[製程-320B]相同的製程 後’圖形化位於應形成阻抗體層2 8的隔壁22的頂面上 的彩色濾光片保護膜31的部分而除去。接著，於全面形 成了阻抗體層2 8後’圖形化阻抗體層2 8，之後，實行與 [製程-3 3 0B]相同的製程。 或者另外，表示於第21圖的實施例5的顯示用面板 (陽極面板AP)係可以以下的方法製造（參照在表3的案例 號碼「39」）。 [製程-500C] 首先’實行與[製程-500B]〜[製程-510B]相同的製程 [製程-510C] 之後，將由Sic構成的阻抗體層28，根據斜真空蒸 鍍法，形成於位於隔壁22的頂面及隔壁22的側面的陽 極電極單元124A上。 -65- (62) (62)1316728 [製程-5 2 0 C ] 接著，實行與實施例3的[製程-320B]〜[製程-3 30B] 相同的製程。 除了以上之要點，因爲實施例5的顯示用面板（陽極 面板）及顯示裝置（冷陰極電場電子發射顯示裝置），係與 實施例3的顯示用面板（陽極面板）及顯示裝置（冷陰極電 場電子發射顯示裝置）相同，所以省略詳細的說明。 而且，以外，根據在表2的的案例號碼「2」~案例 號碼「30」、在表3的案例號碼「31」〜案例號碼「35」 、案例號碼「37」、案例號碼「38」、案例號碼「40」 的製程的順序，亦可製造實施例5的顯示用面板（陽極面 板）。 【實施例6】 實施例6的顯示用面板（陽極面板）及顯示裝置（冷陰 極電場電子發射顯示裝置），亦爲實施例5的顯示用面板（ 陽極面板）及顯示裝置（冷陰極電場電子發射顯示裝置）的 變形，有關關於本發明的第4態樣的顯示用面板及顯示 裝置，有關實施例5與實施例4的組合。 表示放大構成實施例6的電場發射顯示裝置的陽極 面板AP的一部分的模式的一部剖面圖於第22圖、第23 圖或第24圖》 於實施例6的電場發射顯示裝置，爲了從根據電場 發射顯示裝置的動作而在電場發射顯示裝置的內部產生 -66 - (63) (63)1316728 的離子等而保護螢光體區域，另外抑制從螢光體區域的 氣體產生、爲了防止螢光體區域的剝離，至少於螢光體 區域23上（於實施例6，更具體的係不只在螢光體區域 23上，亦於爲電極的陽極電極124及阻抗體層28上）形 成螢光體保護膜27。螢光體保護膜27係透明的材料，具 體的係由氮化鋁（A1NX)構成。將在螢光體區域23上的螢 光體保護膜27的平均厚度作爲50nm。 於實施例6的顯示用面板（陽極面板）係繼續與實施例 5[製程-510A]相同的製程、或者另外，繼續與[製程-520B]相同的製程、或者另外，繼續與[製程-520C]相同的 製程，可以濺鍍法而於全面形成由氮化鋁（A1NX)構成的 螢光體保護膜27而得（參照於表4的案例號碼「1」、於 表6的案例號碼「66」、於表6的案例號碼「69」）。 除了此之點，因爲實施例6的顯示用面板（陽極面板） 及顯示裝置（冷陰極電場電子發射顯示裝置），係與實施例 5的顯示用面板（陽極面板）及顯示裝置（冷陰極電場電子 發射顯示裝置）相同，所以省略詳細的說明。 而 且 ，以 外 ，依 序 按照於表4的案 例號碼「2」~ 案 例號 碼 厂 3〇」 、 於表 5 的案例號碼^ 3 1 . j〜案例號碼「 60 J ' 於 表 6的 案 例號 碼 ^ 61」〜案例號碼 Γ 65」、 案 例 號碼 厂 67 j 案例號碼「6 8」 、案例號碼「 70 」的 製 程 ，亦 可 製造 實 施例6的顯示用面板（陽極面板） 〇 以 上 -將 本 :發明 1根 :據實施例說明， 而本發明不被 限 定於 這 些 。以 實 施例 說 明的顯示用面板（ 陽極面板）或陰 極 -67- (64) (64)1316728 面板、顯示裝置（冷陰極電場電子發射顯示裝置）或電場發 射元件的構成、構造爲例示的，可適宜變更，陽極面板 或陰極面板、電場發射顯示裝置或電場發射元件製造方 法亦爲例示，可適宜變更。而且於陽極面板或陰極面板 的製造而使用的各種材料亦爲例示，可適宜變更。於電 場發射顯不裝置，專門取彩色顯75作爲例子而說明，但 亦可作爲單色顯示。 在實施例5或實施例6的顯示用面板（陽極面板AP) ，爲隔壁22的上面，於陽極電極單元124A與陽極電極 單元124A之間（亦即，於隔壁22與陽極電極單元124A 之間），設置阻抗體層28亦佳。 於電場發射元件，說明於專門的1個開口部對應1 個電子發射部的形態，而按照電場發射元件的構造，亦 可作爲於1個開口部對應複數的電子發射部的形態、或 者，於複數開口部對應1個電子發射部的形態。或者另 外，亦可作爲於閘極電極設置複數的第1開口部，設置 連通關於絕緣層的複數的第1開口部的複數的第2開口 部，設置1或複數的電子發射部的形態。 · 在電場發射元件，於閘極電極13及絕緣層12上更 設置層間絕緣層52，於層間絕緣層52上設置集束電極 5 3亦佳。表示具有如此的構造的電場發射元件的模式的 一部剖面圖於第25圖。於層間絕緣層52係’被設置連 通於第1開口部14A的第3開口部54。集束電極53的 形成係，例如：於[製程-A2]，於絕緣層12上形成了條 -68- (65) (65)1316728 紋狀的閘極電極1 3後，形成層間絕緣層52，接著，於層 間絕緣層52上形成了已被圖形化的集束電極53後，於 集束電極53、層間絕緣層52設置第3開口部54，而且 ’如於閘極電極13設置第1開口部丨4 a爲佳。而且，依 照集束電極的圖形化’亦可作爲集合1或複數的電子發 射部、或對應1或複數的像素的集束電極單元的形式的 集束電極，或者另外’亦可作爲將有效範圍以1片的片 狀的導電材料被覆的形式的集束電極，而且，於第25圖 ’圖示薄膜式（spindt)電場發射元件，而當然亦可爲其他 的電場發射元件。 亦可將閘極電極’作爲將有效範圍以1片的片狀的 導電材料（具有開口部）被覆的形式的閘極電極。於此情況 係’於有關的閘極電極施加正電壓。然後，於構成各像 素的陰極電極與陰極電極控制電路之間，例如：設置由 TFT構成的開關（switching)元件，藉由有關的開關元件的 動作’控制向構成各像素的電子發射部的施加狀態，控 制像素的發光狀態。 或者另外，將陰極電極，作爲將有效範圍以1片的 片狀的導電材料被覆的形式的陰極電極。於此情況係， 於有關的陰極電極施加電壓。然後，於構成各像素的電 子發射部與閘極電極控制電路之間，例如：設置由TFT 構成的開關（switching)元件，藉由有關的開關元件的動 作’控制向構成各像素的閘極電極的施加狀態，控制像 素的發光狀態。 -69- (66) (66)1316728 冷陰極電場電子發射顯示裝置，不被限定於在實施 例說明的由陰極電極、閘極電極及陽極電極構成的所謂3 電極型，亦可作爲由陰極電極及陽極電極構成的所謂2 電極型。表示適用在實施例5說明的陽極面板的構成於 如此的構造的電場發射顯示裝置的例子的模式的一部剖 面圖於第26圖。而且，於第26圖係省略了黑色矩陣等 的圖示。另外，形成、不形成隔壁亦佳。於此電場發射 顯示裝置的電場發射元件係由設置於支撐體10上的陰極 電極11、和形成於陰極電極11上的奈米碳管（Carbon nan〇tUbe)19構成的電子發射部15A構成。奈米碳管19 係藉由矩陣18而被固定於陰極電極11的表面。電子發 射部的構造不被限定於奈米碳管。 構成陽極面板AP的陽極電極係由複數的條紋狀的陽 極電極單元24B構成。但是相鄰的條紋狀的陽極電極單 元24B之間不導通。另外，於條紋狀的陽極電極單元 24B，在形成了螢光體區域23的基板20的部分，不形成 構成陽極電極單元24B的導電材料層。換言之，於條紋 狀的陽極電極單元24B，螢光體區域23形成島狀。條紋 狀的陰極電極11的射影像與條紋狀的陽極電極單元24B 的射影像直交。具體的係，陰極電極11係延伸於與圖面 的紙面垂直的方向，條紋狀的陽極電極單元24B係延伸 於與圖面的紙面平行的方向。於此電場發射顯示裝置的 陰極面板CP，係由如上述的電場發射元件的複數構成的 電子發射範圍於有效範圍多數形成至2維矩陣狀。 -70- (67) (67)1316728 於此電場發射顯示裝置，根據藉由陽極電極單元 24B而形成的電場’根據量子穿隧效應而從電子發射部 15A發射電子，此電子被陽極面板ap吸引，衝撞至螢光 體區域23。亦即，由位於陽極電極單元24B的射影像與 陰極電極11射影像重複的範圍（陽極電極/陰極電極重 複範圍）的電子發射部15A發射電子，藉由所謂單純矩陣 方式，進行電場發射顯示裝置的驅動。具體的係，由陰 極電極控制電路41施加於陰極電極11相對的負電壓， 由陽極電極控制電路43施加於陽極電極單元24B相對的 正電壓。其結果，由構成位於已被列選擇的陰極電極11 和已被行選擇的陽極電極單元2 4B(或已被行選擇的陰極 電極11和已被列選擇的陽極電極單元24B)的陽極電極/ 陰極電極重複範圍的電子發射部15A的奈米碳管19，選 擇性的向真空空間中發射電子，此電子被陽極面板AP吸 引而衝撞構成陽極面板AP的螢光體區域23，激發螢光 體區域23，使其發光。 而且，分割條紋狀的陽極電極單元24B於更細的陽 極電極單元，將各陽極電極單元以阻抗體層連接亦佳。 亦即，亦可適用在實施例6說明的顯示用面板（陽極面板 AP)。另外，所謂2電極型的構造，亦可適用於以實施例 1~實施例4說明的冷陰極電場電子發射顯示裝置。 於本發明的冷陰極電場電子發射顯示裝置，電場發 射元件亦可作爲任何形態的電場發射元件’例如：不但 如在實施例說明地，將電場發射元件作爲 -71 - (68) (68)1316728 (1) 圓錐形的電子發射部爲被設置於位於開口部的 底部的陰極電極上的薄膜（spindt)型電場發射元件 亦可將電場發射元件作爲 (2) 略平面狀的電子發射部爲被設置位於開口部的 底部的陰極電極上的扁平型電場發射元件 (3 )王冠狀的電子發射部爲被設置位於開口部的底 部的陰極電極上，由電子發射部的王冠狀的部分發射電 子的冠（crown)型電場發射元件 φ (4) 由平坦的陰極電極的表面發射電子的平面型電 場發射元件 (5) 由被形成凹凸的陰極電極的表面的多數的凸部 發射電子的弧狀凹痕（crater)型電場發射元件 (6) 由陰極電極的邊緣部發射電子的邊緣型電場發 射元件。 作爲電場發射元件，於上述的各種形式以外，亦知 · 悉通稱爲表面傳導型電子發射元件，可適用於在本發明 φ 的冷陰極電場電子發射顯示裝置。於表面傳導型電子發 射元件，例如：於由玻璃構成的基板上由氧化錫（Sn02) 、金（Au)、氧化銦（Ιη203)/氧化錫（Sn02)、碳、氧化絶 (PdO)等的材料構成，具有微小面積的薄膜被形成至矩陣 狀，各薄膜係由2個薄膜片構成，於一方的薄膜片行方 向配線被連接、他方的薄膜片列方向配線被連接。於· _ 方的薄膜片與他方的薄膜片之間係設置數nm的間隙。於· 藉由行方向配線和列方向配線而被選擇的薄膜，經由胃 -72- (69) (69)1316728 隙而由薄膜發射電子。 在薄膜（spindt)型電場發射元件，作爲構成電子發射 部的材料，於在實施例說明的鉬以外，亦可舉出從由鎢 、鎢合金、鉬合金、鈦、鈦合金、鈮、鈮合金、鉬、鉬 合金、鉻、鉻合金、及含有雜質的矽（多晶矽或非晶形矽） 構成的群中被選擇的至少1種的材料。薄膜（spindt)型電 場發射元件的電子發射部，係真空蒸鍍法以外亦可藉由 例如：濺鍍法或CVD法而形成。 在扁平型電場發射元件係，作爲構成電子發射部的 材料，由比構成陰極電極的材料工作函數φ小的材料構 成爲理想，選擇怎樣的材料，如根據構成陰極電極的材 料的工作函數、閘極電極與陰極電極之間的電位差、被 要求的發射電子電流密度的大小等而決定爲佳。作爲構 成於電場發射元件的陰極電極的代表性的材料，可例示 鎢（Φ =4.55eV)、鈮（φ =4 〇2〜4 87eV)、鉬（φ =4.53〜4.956\〇、銘（0=4.28£\〇、銅（(1)=4.“¥)、鉅（〇 = 4.3eV)、鉻（φ=4·5εν)、矽（φ=49εν)。電子發射部係 具有比這些材料小的工作函數φ爲理想，其値係大約 3eV以下爲理想。作爲有關的材料，可例示：碳（〇<leV) '鉋（Φ =2.14eV)、LaB6( φ =2.66~2.76eV)、BaO( φ = 1.6~2.7eV)、SrO((D =1.25〜1.6eV)、Υ2〇3(Φ =2.〇eV)、

CaO(Φ =1.6-1.86eV) > BaS(φ =2.〇5eV) ' TiN(Φ =2.92eV) 、ZrN(〇)=2.92eV)。由工作函數φ爲2eV以下的材料構 成的電子發射部爲更理想。而且，構成電子發射部的材 -73- (70) (70)1316728 料，不必具備導電性的必要。 或者另外’於扁平型電場發射元件，作爲構成電子 發射部的材料，從有關的材料的二次電子增益6爲比構 成陰極電極的導電性材料的二次電子增益6變大的材料 適宜選擇亦佳。亦即，由銀（Ag)、鋁（A1)、金（Au)、鈷 (Co)、銅（Cu)、鉬（Mo)、鈮（Nb)、鎳（Ni)、白金（Pt)、鉅 (Ta)、鎢（W)、銷（Zr)。矽（Si)、鍺（Ge)等的半導體；碳或 鑽石等的無機單體；及氧化鋁（Al2〇3)、氧化鋇（Ba〇)、氧 化鈹（BeO)、氧化鈣（Ca0)、氧化鎂（Mg〇)、氧化錫（Sn〇2) 、氟化鋇（BaF2)、氟化鈣（CaF2)等的化合物中，可適宜選 擇。而且，構成電子發射部的材料係，不必具備導電性 的必要。 在扁平型電場發射元件，作爲理想的電子發射部的 構成材料’可舉出：碳’更具體的係鑽石或石墨、奈米 碳管構造體、ZnO鬚晶（Whisker)、MgO鬚晶、Sn02鬚晶 、MnO鬚晶、Y2〇3鬚晶、NiO鬚晶、ITO鬚晶、Ιη203鬚 晶、ai2o3鬚晶。在將電子發射部由這些構成的情況，在 5xl07V/m以下的電場強度，於冷陰極電場電子發射顯示 裝置可得必要的發射電子電流密度。另外，因爲鑽石爲 電子阻抗體，可均勻化由各電子發射部可得的發射電子 電流，因而，變爲能抑制在排入冷陰極電場電子發射顯 示裝置的情況的亮度散亂。而且’這些材料，因爲對由 冷陰極電場電子發射顯示裝置內的殘留氣體的離子的噴 鍍作用而有極高的耐性，所以可謀求電場發射元件的長 -74- (71) 1316728 壽命化。 作爲奈米碳管構造體，具體的係，可舉出 管及/或石墨奈米纖維（Graphite Nanofiber)。更 ，由奈米碳管構成電子發射部亦佳、由石墨奈 成電子發射部亦佳、由奈米碳管和石墨奈米纖 物構成電子發射部亦佳亦佳。奈米碳管或石墨 ，巨觀的係爲粉末狀亦佳，爲薄膜狀亦佳，依 米碳管構造體係具有圓錐狀的形狀亦佳。奈米 墨奈米纖維係可藉由周知的像電弧放電法、或 法的PVD法、像電漿CVD法或雷射CVD法、丨 、氣相合成法、氣相磊晶法的各種CVD法而製 〇 扁平型電場發射元件，亦可藉由使奈米碳 或上述的各種鬚晶（以下，總稱這些，稱爲奈米 體等）分散於結合劑（b i n d e r)材料之物於所希望 極的範圍’例如：塗佈後，進行結合劑材料的 化的方法（更具體的係，將使奈米碳管構造體分 系樹脂或丙烯酸樹脂等的有機系結合劑材料或 的無機系結合劑材料之物，於所希望的陰極電 例如：塗佈後’除去溶劑，進行結合劑材料的 化的方法）而製造。而且，將如此的方法，稱爲 構造體等的第1的形成方法。作爲塗佈方法， 版印刷法。 或者另外’亦可將扁平型電場發射元件， :奈米碳 具體的係 米纖維構 維的混合 奈米纖維 情況，奈 碳管或石 雷射融蝕 热CVD法 造、形成 管構造體 碳管構造 的陰極電 燒結或硬 散於環氧 水玻璃等 極的範圍 燒結、硬 奈米碳管 可例示網 藉由塗佈 -75- (72) 1316728 已被分散奈米碳管構造體等的金屬化合物溶液於陰極電 極上後，燒結金屬化合物的方法而製造’由此’以包含 構成金屬化合物的金屬原子的矩陣而固定奈米碳管構造 體等於陰極電極表面。而且，將如此的方法，稱爲奈米 碳管構造體等的第2的形成方法。矩陣係由具有導電性 的金屬氧化物構成爲理想，更具體的係’由氧化錫、氧 化銦、氧化銦-錫、氧化鋅、氧化銻、或氧化銻-錫構成爲 理想。燒結後，亦可得到各奈米碳管構造體等的一部分 被埋入於矩陣的狀態，亦可得到各奈米碳管構造體等的 全體被埋入於矩陣的狀態。矩陣的體積阻抗率爲1x1 〇_9 Ω . m 至 5χ10_6Ω · m 爲最佳。 作爲構成金屬化合物溶液的金屬化合物，可舉出例 如：有機金屬化合物、有機酸金屬化合物、或金屬鹽（例 如：氯化物、硝酸鹽、醋酸鹽）。作爲由有機酸金屬化合 物構成的金屬化合物溶液，具體的係，可舉出將有機錫 化合物、有機銦化合物、有機鋅化合物、有機銻化合物 溶解於酸（例如：鹽酸、硝酸或硫酸），將這些以有機溶劑 (例如：甲苯、醋酸丁基、異丙醇）稀釋之物。另外，作爲 由有機金屬化合物構成的金屬化合物溶液，具體的係， 可例示將有機錫化合物、有機銦化合物、有機鋅化合物 、有機銻化合物溶解於有機溶劑（例如：甲苯、醋酸丁基 、異丙醇）之物。將金屬化合物溶液作爲100重量份時， 包含了奈米碳管構造體等爲〇.〇〇1~20重量份、金屬化合 物0.1-10重量份作爲組成爲理想。於金屬化合物溶液係 -76- (73) (73)1316728 包含分散劑或界面活性劑亦佳。另外，由像使矩陣的厚 度增加的觀點，於金屬化合物溶液，例如：添加碳黑等 的添加物亦佳。另外，依情況，取代有機溶劑而使用水 作爲溶劑而使用亦佳。 作爲將分散了奈米碳管構造體等的金屬化合物溶液 塗佈於陰極電極上的方法，可例示：噴霧法、旋轉式塗 佈法（spin coating)、浸沾 （dipping)法、模具式塗佈（die coating)法、網版印刷法，而特別是採用噴霧法爲由像塗 佈的容易性的觀點爲理想。 將分散了奈米碳管構造體等的金屬化合物溶液塗佈 於陰極電極上後’使金屬化合物溶液乾燥而形成金屬化 合物層，接著’除去陰極電極上的金屬化合物層的不要 部分後，燒結金屬化合物亦佳，燒結金屬化合物後，除 去陰極電極上的不要部分亦佳，僅於陰極電極的所希望 的範圍上塗佈金屬化合物溶液亦佳。 金屬化合物的燒結溫度係，例如：如爲金屬鹽被氧 化而成爲具有導電性的金屬氧化物的溫度、或者另外， 分解有機金屬化合物或有機酸金屬化合物，可形成包含 構成有機金屬化合物或有機酸金屬化合物的金屬原子的 矩陣（例如：具有導電性的金屬氧化物）的溫度，例如爲 3 00 °C以上爲理想。燒結溫度的上限係如以於電場發射元 件或陰極面板的構成要素不產生熱損傷的溫度爲佳。 在奈米碳管構造體等的第1的形成方法或第2的形 成方法，電子發射部的形成後，進行電子發射部的表面 -77- (74) (74)1316728 的一種的活性化處理（洗淨處理），而從像由電子發射部的 電子發射效率的更提高的觀點爲理想。以如此的處理’ 可舉出在氫氣、氨氣、氦氣、氬氣、氖氣、甲烷氣體、 乙烯氣體 '乙炔氣體、氮氣等的氣體環境中的電漿處理 〇 在奈米碳管構造體等的第1的形成方法或第2的形 成方法，電子發射部係如被形成於位於開口部的底部的 陰極電極的部分的表面爲佳，如從位於開口部的底部的 陰極電極的部分延伸至開口部的底部以外的陰極電極的 部分的表面亦佳。另外，電子發射部係如被形成於位於 開口部的底部的陰極電極的部分的全面、部分的形成亦 佳。 【圖式簡單說明】 【第1圖】第1圖爲表示實施例1的顯示裝置（冷陰 極電場電子發射顯示裝置）的模式的一部分的剖面圖。 【第2圖】 第2圖的（A)及（B)係爲了說明構成實施 例1的顯示用面板（構成冷陰極電場電子發射顯示裝置的 陽極面板）的製造方法的基板等的模式的一部分的剖面圖 〇 【第3圖】第3圖的（A)及（B)爲繼續第2圖的（B) ’爲了說明構成實施例1的顯示用面板（構成冷陰極電場 電子發射顯示裝置的陽極面板）的製造方法的基板等的模 式的一部分的剖面圖。 -78- (75) (75)1316728 【第4圖】 第4圖係繼續第3圖的（B)，爲了說明 構成實施例1的顯示用面板（構成冷陰極電場電子發射顯 示裝置的陽極面板）的製造方法的基板等的模式的一部分 的剖面圖，爲放大了實施例1的顯示用面板（陽極面板）的 一部分的模式的剖面圖。 【第5圖】 第5圖爲冷陰極電場電子發射顯示裝置 的陰極面板的模式的部分的立體圖。 【第6圖】 第6圖爲模式性表示於構成冷陰極電場 電子發射顯示裝置的陽極面板的隔壁、襯墊及螢光體區 域的配置的配置圖。 【第7圖】第7圖爲模式性表示於構成冷陰極電場 電子發射顯示裝置的陽極面板的隔壁、襯墊及螢光體區 域的配置的配置圖。 【第8圖】 第8圖爲模式性表示於構成冷陰極電場 電子發射顯示裝置的陽極面板的隔壁、襯墊及螢光體區 域的配置的配置圖。 【第9圖】 第9圖爲模式性表示於構成冷陰極電場 電子發射顯示裝置的陽極面板的隔壁、襯墊及螢光體區 域的配置的配置圖。 【第10圖】 第10圖爲模式性表示於構成冷陰極電 場電子發射顯示裝置的陽極面板的隔壁、襯墊及螢光體 區域的配置的配置圖。 【第11圖】第11圖爲模式性表示於構成冷陰極電 場電子發射顯示裝置的陽極面板的隔壁、襯墊及螢光體 -79- (76) (76)1316728 區域的配置的配置圖。 【第12圖】 第12圖的（A)及（B)係爲了說明薄膜 (spindt)型冷陰極電場電子發射元件的製造方法的支撐體 等的模式性一部分剖面圖。 【第13圖】 第13圖的（A)及（B)係繼續第12圖的 (B)，爲了說明薄膜（spindt)型冷陰極電場電子發射元件的 製造方法的支撐體等的模式性一部分剖面圖。 【第14圖】 第14圖爲放大實施例2的顯示用面板 (陽極面板）的一部分的模式性剖面圖。 【第15圖】 第15圖爲放大實施例3的顯示用面板 (陽極面板）的一部分的模式性剖面圖。 【第16圖】 第16圖爲放大實施例3的顯示用面板 (陽極面板）的變形例的一部分的模式性剖面圖。 【第17圖】 第17圖爲放大實施例4的顯示用面板 (陽極面板）的一部分的模式性剖面圖。 【第18圖】 第18圖爲放大實施例4的顯示用面板 (陽極面板）的變形例的一部分的模式性剖面圖。 【第19圖】 第19圖爲放大實施例5的顯示用面板 (陽極面板）的一部分的模式性剖面圖。 【第20圖】第20圖爲放大實施例5的顯示用面板 (陽極面板）的變形例的—部分的模式性剖面圖。 【第21圖】第21圖爲放大實施例5的顯示用面板 (陽極面板）的別的變形例的一部分的模式性剖面圖。 【第22圖】第22圖爲放大實施例6的顯示用面板 -80- (77) (77)1316728 (陽極面板）的一部分的模式性剖面圖。 【第23圖】 第23圖爲放大實施例6的顯示用面板 (陽極面板）的變形例的一部分的模式性剖面圖。 【第24圖】 第24圖爲放大實施例6的顯示用面板 (陽極面板）的別的變形例的一部分的模式性剖面圖。 【第25圖】第25圖爲具有集束電極的薄膜（spindt) 型冷陰極電場電子發射元件的模式性一部分剖面圖。 【第26圖】第26圖爲所謂2電極型的冷陰極電場 電子發射顯示裝置的模式性一部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 AP…陽極面板、CP…陰極面板、1 0…支撐體、1 1… 陰極電極、12…絕緣層、13…閘極電極、14,14A，14B，54 …開口部、15，15A…電子發射部、16…剝離層、17…導 電層、1 8…矩陣' 19…奈米碳管、20…基板、21…黑色 矩陣、22…隔壁、23,23R，23G，23B…螢光體區域、24，124 …電極（陽極電極）、24A,124A…電極單元（陽極電極單元） 、25…玻璃熔塊棒、26…襯墊、27…螢光體保護膜、28 …阻抗體層、3 0…彩色濾光片、3 1…彩色濾光片保護膜 、3 2…中間膜、3 3…導電材料層、4 1…陰極電極控制電 路、42···閘極電極控制電路、43…陽極電極控制電路、 5 2…層間絕緣層、5 3…集束電極 -81 -

Claims (1)

1. p年7月义曰修(更)正本 1316728 十、申請專利範圍 第93 1 403 07號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國98年7月22日修正 1. 一種顯示用面板，係具備形成於基板上的螢光體 區域、和形成於該螢光體區域上的電極，藉由從電子束 源被射出通過電極的電子與螢光體區域衝撞而使螢光體 區域發光，得到所希望的圖像的顯示用面板， 其特徵爲：在基板與螢光體區域之間，從基板側形 成彩色濾光片及彩色濾光片保護膜， 該顯示用面板在還原氣體環境或脫氧環境中加熱， 且該彩色濾光片保護膜保護該彩色濾光片不被氧化。 2. —種顯示用面板，係具備形成於基板上的螢光體 區域、和形成於該螢光體區域上的電極，藉由從電子束 源被射出通過電極的電子與螢光體區域衝撞而使螢光體 區域發光，4辱到所希望的圖像的顯不用面板’ 其特徵爲： 電極由複數的電極單元構成， 電極單元與電極單元係藉由阻抗體層而電氣的連接 在基板與螢光體區域之間’從基板側形成彩色濾光 片及彩色濾光片保護膜， 該顯示用面板在還原氣體環境或脫氧環境中加熱 1316728 且該彩色濾光片保護膜保護該彩色濾光片不被氧化。 3. —種顯示用面板，係具備形成於基板上的螢光體 區域、和電極’藉由從電子束源被射出的電子與螢光體 區域衝撞而使螢光體區域發光，得到所希望的圖像的顯 示用面板， ， 其特徵爲：該電極係被形成於不形成螢光體區域的 基板的部分上’而且，不形成於形成有螢光體區域的基 • 板的部分上， 在基板與螢光體區域之間，從基板側形成有彩色濾 光片及彩色濾光片保護膜， 該顯示用面板在還原氣體環境或脫氧環境中加熱， 且該彩色濾光片保護膜保護該彩色濾光片不被氧化。 4 ·如申請專利範圍第3項所記載的顯示用面板，其 中，至少於營光體區域上形成有螢光體保護膜。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載的顯示用面板，其 • ^ 中，螢光體保護膜係由透明的材料所構成。 6. 如申請專利範圍第4項所記載的顯示用面板，其 中，螢光體保護膜的厚度爲lxl〇_8m〜lxl〇 — 7m。 7. 如申請專利範圍第4項所記載的顯示用面板，其 中，螢光體保護膜係從氮化鋁、氧化鋁、氧化矽、銦錫 氧化物、氧化鉻及氮化鉻構成的群中選擇至少1種的材 料所構成。 8. 如申請專利範圍第3項所記載的顯示用面板，其 中，電極係由複數的電極單元構成，電極單元與電極單 -2 - 1316728 元係藉由阻抗體層而被電氣性連接。 9. 如申請專利範圍第8項所記載的顯示用面板，其 中，至少於螢光體區域上形成有螢光體保護膜。 10. 如申請專利範圍第9項所記載的顯示用面板， 其中，螢光體保護膜的阻抗値爲阻抗體層的阻抗値以上 〇 1 1 _如申請專利範圍第9項所記載的顯示用面板， 其中，螢光體保護膜係由透明的材料所構成。 1 2 .如申請專利範圍第9項所記載的顯示用面板， 其中，螢光體保護膜的厚度爲lxl(T8m〜lXl〇-7m。 1 3 如申請專利範圍第9項所記載的顯示用面板， 其中，螢光體保護膜係從氮化鋁、氧化鋁、氧化矽、氧 化鉻及氮化鉻構成的群中選擇至少1種的材料構成。 14·如申請專利範圍第1項至第1 3項中的任1項所 記載的顯示用面板，其中，彩色濾光片保護膜係從氮化 鋁、氮化鉻、氧化鋁、氧化鉻、氧化矽、氮化矽及氮氧 化矽構成的群中選擇至少1種的材料構成。 1 5 .如申請專利範圍第1項至第1 3項中的任1項所 記載的顯示用面板，其中，顯示用面板係構成冷陰極電 場電子發射顯示裝置的陽極面板、電極係構成於陽極面 板的陽極電極。 1 6 · —種顯示裝置，係 (A) 具備形成於支撐體上的電子束源的陰極面板、及 (B) 具備形成於基板上的螢光體區域、和形成於該螢 -3- ‘1316728 光體區域上的電極，藉由從電子束源被射出通過電極的 電子與螢光體區域衝撞而使螢光體區域發光，得到所希 望的圖像的顯示用面板， 經由真空層而在該些的周緣部接合的顯示裝置， 其特徵爲：在基板與螢光體區域之間，從基板側， 形成彩色濾光片及彩色濾光片保護膜， 該顯示用面板在還原氣體環境或脫氧環境中加熱， • 且該彩色濾光片保護膜保護該彩色濾光片不被氧化。 1 7 .—種顯示裝置，係 (A) 具備形成於支撐體上的電子束源的陰極面板、及 (B) 具備形成於基板上的螢光體區域、和形成於該螢 光體區域上的電極，藉由從電子束源被射出通過電極的 電子與螢光體區域衝撞而使螢光體區域發光，得到到所 希望的圖像的顯示用面板， 經由真空層而在該些的周緣部接合的顯示裝置， ^ 其特徵爲： 電極由複數的電極單元構成， 電極單元與電極單元係藉由阻抗體層而被電氣性連 接， 在基板與螢光體區域之間，從基板側形成彩色濾光 片及彩色濾光片保護膜， 該顯示用面板在還原氣體環境或脫氧環境中加熱， 且該彩色濾光片保護膜保護該彩色濾光片不被氧化。 1 8 . —種顯示裝置，係 -4- 1316728 (A) 具備形成於支撐體上的電子束源的陰極面板、及 (B) 具備形成於基板上的螢光體區域、和電極，藉由 從電子束源被射出的電子與螢光體區域衝撞而使螢光體 區域發光’得到所希望的圖像的顯示用面板， 經由真空層而在該些的周緣部接合的顯示裝置’ 其特徵爲：該電極係被形成於不形成螢光體區域的 基板的部分，而且，不形成於形成有螢光體區域的基板 的部分， 在基板與螢光體區域之間，從基板側形成彩色濾光 片及彩色濾光片保護膜， 該顯示用面板在還原氣體環境或脫氧環境中加熱， 且該彩色濾光片保護膜保護該彩色濾光片不被氧化。 19. 如申請專利範圍第1 8項所記載的顯示裝置，其 中，至少於螢光體區域上形成螢光體保護膜。 20. 如申請專利範圍第19項所記載的顯示裝置，其 中，螢光體保護膜係由透明的材料所構成。 21. 如申請專利範圍第1 9項所記載的顯示裝置，其 中，螢光體保護膜的厚度爲lxl〇-8m〜lxl(T7m。 22. 如申請專利範圍第1 9項所記載的顯示裝置，其 中，螢光體保護膜係從氮化鋁、氧化鋁、氧化矽、銦錫 氧化物、氧化鉻及氮化鉻構成的群中選擇至少1種的材 料所構成。 23 ·如申請專利範圍第1 8項所記載的顯示裝置，其 中，電極係由複數的電極單元構成，電極單元與電極單 -5- 1316728 元係藉由阻抗體層而被電氣性連接。 24·如申請專利範圍第23項所記載的顯示裝置，其 中’至少於螢光體區域上形成有螢光體保護膜。 25. 如申請專利範圍第24項所記載的顯示裝置，其 中’螢光體保護膜的阻抗値爲阻抗體層的阻抗値以上。 26. 如申請專利範圍第24項所記載的顯示裝置，其 中’螢光體保護膜係由透明的材料所構成。 ® 27·如申請專利範圍第24項所記載的顯示裝置，其 中’螢光體保護膜的厚度爲lxl〇-8m〜lxl(T7m。 28.如申請專利範圍第24項所記載的顯示裝置，其 中’螢光體保護膜係從氮化鋁、氧化鋁、氧化矽、氧化 鉻及氮化鉻構成的群中選擇至少1種的材料構成。 2 9 _如申請專利範圍第1 6項至第2 8項中的任1項 所記載的顯示裝置，其中，彩色濾光片保護膜係從氮化 ' 鋁、氮化鉻、氧化鋁、氧化鉻、氧化矽、氮化矽及氮氧 ® 化矽構成的群中選擇至少1種的材料所構成。 3〇_如申請專利範圍第1 6項至第28項中的任1項 所記載的顯示裝置，其中，顯示裝置係構成冷陰極電場 電子發射顯示裝置、電極係構成於陽極面板的陽極電極 -6- 1316728 第93140307號專利申請案 中文圖式修正頁民國96年7月12日修正

   26 一彩一 lai < ?,

   圖 6第 1316728 螢光體區域 22 Qrcoosl ococvl mcoCJ 0CO3aeCSI mcoCNJ acocvl

   idcocvl ococvl ωεζ 0ίε3 mcocsl bjcocvl Qrcoz ococsl acocvlas οε3 mcocvl α:ε<Ν 岡 7 第 1316728

   圖 8 第 1316728 螢光體區域 22

   圖 9 第 1316728 20 螢光體區域 22 QrcoCJ OCOCN mcocvi ids ococvl mCQcvl 0:003 {Itrls } 「d ει<ΝΙ {lols y ^ 0S mlcoll(ΝIj (ICQllcolz {江COICVJI {lolcoICVJ {ιωιει〇s|i {IQ:IS ococsl {QilcolcvlIJ --------------^ (alcolcsl) 第10圖 1316728 20 螢光體區域 22 acoCSJ ids trCQcvl asOJ acocvl ctcocvl αε3 { Dlcolcvl nlolcolcvl (ιοιεζ ) (OS ) {lolICQIl〇slI (oslcvll) (lollcollcvll {ICQICOIOJ (as ) ^glcolosl 「as {ImlICQlcvl f mICQlcvl ^alcolcg 第11圖 1316728 七、指定代表圖 (一） 、本案指定代表圖為：第（1)圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 10…支撐體 11...陰極電極 12 層 13…閘極電極 CP...陰極面板 電子發射部4 1…陰極電極控制電路 閘極電極控制電路 43··.陽極電極拉 路 31…彩色濾光片保護膜 30.j 光片 22…隔壁 24...陽極電極 螢光體區域 AP..·陽極面板20...基 25…玻璃溶塊棒（frit bar) 21··.黑 14八."第丨開口部 14B.··第2開口^ 八、戈，若有化學式時冑揭示帛能顯示發明特徵 絕緣 1 5 ... 42 ... 丨制電 多色濾 23... 板 邑條紋 的化學