TWI313033B - A method for fabricating a flux concentrating system for use in a magnetoelectronics device - Google Patents

Description

l3l3〇33 故、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明概言之係關於電磁裝 電磁裝置的通量集中系統之方法。特別是關於製造用於 【先前技術】 電磁裝置、自旋電子裝置及自旋 由電子自旋所造成效應的裝置 ·均為主要是使用 於許多資訊裝置中，且提供了無=詞;:磁效應被用 及南密度資料儲存及擷取。為數眾多之電磁:t幸田射， 但不限於磁隨機存取記憶器 胃°衣置包括 讀寫磁頭。 ㈣測盗及用於磁碟驅動之 資訊裝置是以形成於亦可包括例如氧化金屬場 :…各種半導體裝置之—基板中的—陣列電磁元件 ('!如巨大磁阻元件或磁随道結元件）所構成。該等電磁元件 破從電流承載導體所造成之磁場加以程式化。一形成於電 “件（數位線）下面及—形成為重疊於電磁元件（位元線） 之兩個電流承載導體被安排成交又點矩陣以 將電磁元件程式化之磁場。 /、 一先進之半導體加工時常以金屬互接做為電流纟載導體。 種心成位7L線金屬i接之方法是以金屬鎮嵌或插入加工 而於其中形成一槽圖案並將之蝕刻入一介質層中，接下來 在槽内沉積一金屬層。在金屬互接近處常形成一些通量集 中系統。通量集中系統通常利用形成一些重疊金屬互接之 頂部敷層來集中朝著該磁通量電磁元件互接之磁通量。該

O:\89\89344 DOC 1313033 寺系統也常利用形成於金屬互接 焦於下面之電磁元件。若益“丨之敷層將磁通量聚 之磁m 件右無敷層則需要高電流來達到欲有 之磁％強度。此等高電流會對一 人有 而使之無法被程式化。 ％磁70件有不良影響 但提供_重4於位元線上之頂部敷 並不理想。該等 S之先刖方法被証明 邱掛思 ^線金屬層之粗糙而對頂 錢層之橋頑磁性有不良影響。其他 位 ::與金屬層間造成-「磁間隔」，亦即敷層與位=: =距離大得足以損及敷層之性能。另一些方法 4顯示出與㈣存在之側邊敷層有害磁交互作用 面式頂部敷層。 卞 【發明内容】 么因此，希望能提供一種製造用於電磁裝置的通量集中系 統之改進方法。從後面之說明及所附之申請專利範圍連同 所附之圖-式即可看出本發明欲有之其他特性及特徵。 【實施方式】 下面之詳細％明僅為範例而已，i非對本發日月或本發明 之士用及使用加以限制。而下面之說明則是對本發明範例 之f施提供方便之解說。在不脫離申請專利範圍所定本發 明乾圍之情形下對所述實施例中之功能及元件配置可有各 種改變。此外，亦不受本發明任何範例前述背景中所提任 何理論之約束。 參看圖1-5,所示為按照本發明製造用於電磁裝置的通量 集中系統一個範例之方法。參看圖1，該方法之開始是提供

O:\89\89344.DOC 1313033 一位元線1 ο，此— 位元線被形成為重疊住一個或多個

材料所形成介質材料之任何適當 磁輕合至位元線1 〇之一電流 一 '纟巴緣材料基板1 2中，該基 石夕酸鹽、氮化矽或其他低溫 當絕緣材料。本文所稱之「低 /皿材t係指在不高於約25Gt溫度所形成之任何材料。高 於此酿度則對構成位元線10材料之磁特性有不良影響。 可匕括個或多個磁耦合至位元線1 〇之電磁元件。 —Λ 10可用半導體業界所熟知之任何適當金屬鑲嵌加 :形成於絕緣材料板12中。在本發明一範例中，位元線12 σ匕括由銅、鋁、金 '銀等或彼等之合金所形成之導線 22 °導線22最好是以銅形成。 在本發明另一範例中，位元線丨2更包括敷層2〇，敷層2〇 位於第表面4及第二表面ό之附近，諸如位於導線22之側 邊而使來自導線22之磁通量可聚焦於在下面之電磁元件。 敷層20可用半導體業界所熟知之傳統方法形成。在本發明 一實施例中’敷層20包括一通量集中層16。通量集中層16 可含有具有集中由流於導線22中電流所產生磁通量特性之 任何適當材料。通量集中層16為具有高導磁係數之電導磁 材料’諸如有任何適當比例之鎳鐵或具有足夠高之導磁係 數而將磁通量集中於欲有區域並且可與該材料結構在冶金 上相容之任何適當材料。通量集中層16沿導線22之表面 4 ’ 6延伸。在本發明另一實施例中，敷層2〇可包括一第一 障壁層14。在一較佳實施例中，第一障壁層14沿導線22之

O:\89\89344 DOC 1313033 側邊4，6及底表面8延伸俾防止或減小將導線22形成於基板 12中的金屬之擴散。障壁層丨斗可含鈷鐵、鈕、氮化鈕或其 他適田材料。在本發明又—實施例中，敷層可包括位於 ‘線22之表面4，6，8附近並且用做在導線22與通量集中層 16間障壁之第二障壁層丨8。第二障壁層丨8可用鉈、氮化 鉈、氮化组矽或其他類似材料。 翏看圖2 ’形成一重疊位元線10及基板12之第一材料層24 及重豐第一材料層24之第二材料層26。第一材料層24及第 一材料層26可選擇成當對第二材料層26施行標準之蝕刻技 術犄苐材料層24可用做姓刻之止點。例如，第一材料層 24可用對蝕刻化學劑有選擇性之材料形成，或第一材料層 24可用能為停止或放慢蝕刻加工提供停止信號之材料形 成。適於形成第一材料層24之低溫材料包括但不限於電漿 加強氮化物、四乙正矽酸鹽、氮化矽、氮化鋁、碳化矽、 氮化夕奴、氫氧化石夕碳、氮氧化石夕等。第二材料層2 6亦可 用此等材料形成，只要第一材料層24是以不同於第二材料 層26之材料形成而且第一材料層24被用做對第二材料層％ 之蝕刻止點即可。在本發明一較佳實施例中，第一材料層 24疋以低溫電漿加強氮化物形成而第二材料層％則是以四 乙正矽酸鹽形成。 參看圖3 ’第二材料層26之一部分可用傳統技術加以圖案 化並加以姓刻而移除以便在第二材料層26中形成一槽28。 槽28應與位元線1〇至少同寬以便將位元線1〇之磁通量聚焦 於一在其下面之電磁元件（未示出）。可用任何標準蝕刻技術

0\89\89344.DOC 1313033 來蝕刻第二材料層26,但最好是用在電漿中之乾蝕刻。第 二材料層26可姓刻至使蝕刻被第一材料層“所阻止：如前 文所述第-材料層24為並不順從姓刻第二材料層^所用姓 刻t工所形成之一材料層，或為顯示出因—止點偵測信號 而停止蝕刻之材料改變。 如圖3所示，可於槽28内形成-敷層3〇。敷層30可用任何 適當沉積加工形成，諸如電^乞相沉積、鐵束沉積、原子 層沉積、電鍍或無電鑛。敷層30可用與形成敷層2〇相同之 材料形錢用不同之材料。在本發明一範例中，敷層他 括一通量集中層34。通量集中層34之特性為將流於導線22 中電流所產生之磁通量導向位於位元線1〇下面之電磁元 件。通量集中層34類似於通量集中㈣亦應為諸如錄鐵之 具有高導磁係數之電導磁材料，或具有足夠高之導磁係數 而將磁通量集中於欲有區域内並在冶金學上與材料結構相 容之任何適當材料。在本發明另-範例中，敷層30亦可包 括-形成於通量集中層34之下並且接觸到槽Μ表面，亦即 重疊住第-及第二材料層24’ 26之第—障壁層M。第一障 壁層32用做在通量集中層16與導線22材料間之擴散障壁。 第-障壁層32可含有錄、始鐵、㉖、氮化组或其他適當材 料。在本發明又-範例中，敷層3〇亦可包括一沉積成重疊 住通量集中層34之第二障壁層36。第二障壁層勒止或減 小通量集令層16材料之擴散。第二障壁層％可用组 '氣化 钽、氮化鈕矽或其他類似材料形成。 參看圖4 ’緩衝材料層38可形成為重疊住敷層30。緩衝材

O:\89\89344.DOC -10 - 1313033 料層38可用任㈣#之心# 物、四乙正㈣鹽、二氧 /成，诸如電聚加強氮化 氮切碳、氣氧化二氛化銘， 施例中，緩衝材料層38是 h '在本發明-較佳實 Μ乙切酸鹽形成。 如圖5所示，敷層3〇之任 二材料層26頂部之敷層材料：广，f如形成為蓋住第 ； 及任何超量之緩衝材料声3 8 則以半導體業界熟知之任何 釘材料層38 興媸钟r工 十 加移除，諸如化 予機械平面化或電化學機械平面化或諸如飯刻之任何盆他 適當移除加工。敷層3〇及緩衝材料層38之適當部分一 移除後’敷㈣之-部分仍留下來形成—在位元㈣上面 之頂部敷層40。視所實施平面化之量而定，頂部敷層的可 以是也可以不是平面。於是即可用上述之本發明範例形成 一包括有重疊於第一材料層24上的頂部敷層4〇之通量集中 系統42。此外，通量集中系統42亦可包括位元線…之敷層 20。 - θ 圖6 -1 〇所示為本發明另一範例。圖6 _ 1 〇中具有與圖1 $中 相同代表符號之元件也同樣相當於圖丨_5中之元件。該方法 之開始是提供形成於絕緣材料基板12中之位元線1〇。第— 材料層24及第二材料層50可選擇成當第二材料層5〇被施加 乾電漿蝕刻時第一材料層24被用做蝕刻之止點。例如，第 一材料層24可用對乾電漿蝕刻具選擇性之材料形成或用對 蝕刻加工之停止或變慢提供一止點信號之材料形成。此 外，第一材料層24及第二材料層50最好選為當施加特定之 濕蝕刻時使濕蝕刻化學對第一材料層24之蝕刻大為快於對

O:\89\89344.DOC 1313033 弟二材料層50之钱刻。此處所說之钱刻「大為快於」係指 蝕刻至少約快兩倍。因此’濕蝕刻化學對第一材料層24之 钱刻至少快於對第二材料層50之兩倍。在本發明—較佳實 Η中d刻化學對第—材料層24之敍刻較第二材料層 5〇之钱刻約快十倍。適於形成第—材料層24之低溫材料包 括但不限於電漿加強氮化物、四乙正石夕酸鹽、氮化石夕、氮 化鋁石反化石夕、氮化石夕碳、氫氧化石夕碳、氮氧化石夕等。第 二材料層亦可用此等材料形成，只要第一材料層Μ在乾 電聚令用做對第二材料層5〇之_姓刻止點並且只要第_材 料層24之㈣刻大為快於第二材料層50之㈣即可。在本 發明另-較佳實施例t，第—材料層24是以低溫電聚加強 氮化物形成=第二材料層5〇是以四乙正石夕酸鹽形成。 參看圖7’第二材料層50及第-材料層24之一部分可用傳 統技術加以圖幸化；^ w & *丨π ^ 系化亚以蝕刻移除而在第二材料層50及第一 材料層24中形成槽52。槽52應與位元線⑺至少同寬而使下 文所述隨後沉積之敷層可將位元線1〇之磁通量聚焦至一在 ^面之電磁元件（未示出）。第二材料層50最好以半導體業界 沾知之電聚中乾钱刻加以钱刻。在本發明—範例中，第二 材料層50之㈣可_至被第—材料層24所阻止，如前文 所述被形成為-並不順從乾银刻加工之材料層或顯示出為 口止點偵測號而停止银刻之材料改變。在本發明另 貝a例中實•第二材料層5Q之姓刻，接著為對第一 材料層24之超里姓刻’該超量钱刻並不使位元線1〇曝露。 然後第-材料層24被以濕银刻化學加以蚀刻而對第一材料

0\89\89344.DOC ' 12- 1313033 層2 4之姓刻大為快於第一材料層5 0者。第一材料層2 4被姓 刻直至疼出位元線1 〇或直至至少第一材料層2 4有相當大之 量被移除為止。在一選擇性之實施例中，為確保從位元線 10移除足夠之第一材料層24，對第一材料層24可超量蝕刻 直至槽52包括第一材料層24之一底割54 ^可施行任何適當 量之超量钱刻以確保有足夠之第—材料層24被移除。超量 蝕刻之百分比被界定為蝕刻第一材料層24厚度所需時間之 百分比。例如，若需"X”秒蝕刻”y"厚度之第一材料層24時， 100%之超量蝕刻即是另一 x秒之蝕刻或2><秒數之整個蝕刻 時間。同樣地，50%之超量蝕刻即是另一〇·5χ秒數之超量蝕 刻或1 5 X秒數之整個蝕刻時間。 在本發明另-範例中’可實施預先沉積賤射㈣從位元 線1 〇之一表面6 4移除天然氧化物而使位元線丨〇之表面6 4平 滑。可用半導體業界熟知之任何傳統技術實施預先沉積濺 射Ί虫刻。- 麥看圖8 ’然後可用任何適當沉積加工，諸如電漿汔相沉 積、離子束沉積、原子層沉積、電鑛或非電鑛，在槽训 形成-敷層56。敷層56可用圖3所述組成敷層％之所有材料 及層來形成。 在本發明另—實施例中，暫時參看圖Π，於沉積敷層56 前可於槽52中形成—絕緣障壁層66。絕緣障壁層％可㈣ =小^肖除下文中所述隨後形成之頂部敷層與敷層加間有 害之交互作用。絕緣障壁層66可用任何適當之低溫材料步 成，包括用以形成第—及第二材料層24,5〇之任何材料。

〇:\8 屮 89344.DOC -13- 1313033 絕緣障壁層66最好以電漿加強氮化物形成。 參看圖9’然後可在槽52中形成一緩衝材料層㈣疊住敷 層56。緩衝材料層58可用圖4所述構成緩衝材料層38之任何 材料形成。 如圖10所示，然後可用半導體業界熟知之任何適當平面 化加工’諸如化學機械平面化或電化學機械平面化或諸如 蝕刻之任何其他適當移除加工將敷層56及緩衝材料層“之 任何超量部分移除。敷層56及緩衝材料層58之適當部分一 旦被移除後，敷層30之一部分仍被保留而在位元線1〇上方 形成-頂部敷層60。視所實施平面化之量而定，頂部敷層 60實質上可以是也可以不是平面。因此，可用上述本發明 之範例形成一包括有頂部敷層6〇之通量集中系統62。除頂 部敷層60外，通量集中系統62亦可包括位元線1〇之敷層汕。 圖11 1 5示出本發明又一範例。圖丨丨_丨5中具有與圖1 _ 1 〇 中相同代-表符號之元件與圖1-1〇中之對應元件同。該方法 開始時是提供一形成於絕緣材料基板12中之位元線1〇。第 一材料層24被形成為重疊於位元線1〇及基板12之上而第二 材料層50則形成為重疊於第一材料層％之上。 參看圖1 2，可用傳統技術加以圖案化及姓刻移除第二材 料層50及第-材料層24之_部分而在第二材料層5〇及第一 材料層24中形成-槽7〇。槽7〇至少應與位元線1〇同寬而使 下文中洋述之隨後 >儿積之敫層可將位元線1 〇之磁通量聚焦 至在下面之一電4元件（未*出）。第三材料層50最好用半導 體業界熟知之在電漿中之乾蝕刻加以蝕刻。在本發明一實

〇；'89\89344.DOC -14- 1313033 施例中，蝕刻第二材料層 阻止，第—材好〜 ^刻破第—材料層24所 力工層h文所述是形成為並不順從乾钱刻 加工之材料層，或顯示出因一 材料改…。 止』偵測信號而停止蝕刻之 之I二"4明另一實施例中，實施對第二材料層5。 對第—材料層24進行超Μ刻，該超量钱刻 使位凡線Η)露出。然後以濕鞋刻化學來飯刻第一材料 曰24而使對第—材料層24之_較之對第二材料層^者快 很多。第-材料層24被钱刻直至露出位元㈣為止並且被 :量㈣直至槽70包括一第一材料層24之底割…在此一 乾例中’實施超量蝕刻俾產生一足夠之底割72而如下文所 述使得在隨後沉積一敷層時獲得一不連續之敷層。 如圖13所示，然後可用諸如電漿泛相沉積、離子束沉積、 原子層 >儿積或非電鍍等沉積加工在槽7〇内形成一敷層Μ。 敷層74可用如圖3所述組成敷層3〇之所有材料及層來形 成。如上所述，至少一部分是由於第一材料層24之底割72 之關係，敷層74最好為不連續者而形成一重疊於位元線1〇 上之頂部敷層76及重疊於第二材料層5〇上之副敷層78。 參看圖14 ’在槽7〇中形成一緩衝材料層8〇而重疊於頂部 敷層76及副敷層78上。緩衝材料層80可用圖4所述組成緩衝 材料層38之任何材料形成。 如圖1 5所示’然後可用半導體業界熟知之任何平面化加 工’諸如化學機械平面化、電化學機械平面化及類似方法， 移除第二材料層5〇及副敷層78。於是即形成一重疊於位元 線10上之包括頂部敷層76之通量集中系統82。通量集中系

O:\89\89344.DOC -15- 1313033 統8 2亦可含有位元線1 〇之敷層2 〇。 圖1 6所不為按照本發明另一範例所形成隨機存取記憶裝 置90之放大透視圖。圖16中具有與圓μ〇相同代表符號之 元件與圖10中之對應元件同。隨機存取記憶裝置9〇包括複 數個磁記憶單元92。磁記憶單元92可為大磁阻元件或磁隨 道結元件。磁記憶單元92可形成於可能包括任何適當半導 體裝置（未示出），諸如電晶體、資料線、輸入/輸出電路、 資料/位址解碼器及類似零件之任何適當半導體基板料上 或其t。 每個磁記憶單元92均磁耦合至—位元線1〇而使位元線 所造成之磁場可用以對該等複數個磁記憶單元％規劃程 式。位元線_造成之磁場可藉—通量集n統％朝著記憶 單元92聚焦。在—範例中，#圖16所示該通量集中系㈣ 包括敷層20及頂部敷層60。但通量集中系統％可含有本文所 述頂部Μ之任何其他範例並且僅可包括—個頂部敷層。 於是即按照本發明提供—種製造用於電磁裝置的通量集 中系統之方法。雖然本發明已藉特定實施例加以說明，但 本發明亚不限於所述之實施例。例如上述本發明方法之實 施例包括形成$疊於位元線上之兩㈣’但該方法亦可包 括形成重疊於位元線上之單一層， 必早層加以蝕刻而 形成-槽並在槽中沉積—敷層。然後在槽 枓層重疊於該敷層之上而該敷層及緩衝層之住何多餘部分 可如上述力:以移除。本發明之此—範例可造成類似圖二 所示之通量集中系統。同樣地本發明之方法 / 、 / 包括形成三

O:\89\89344.DOC •16- 1313033 個或更多重疊於位元 、之層。此外，敷層並不限於一個 通置集中層而可舍杯 ^括頜外之通量集中層。再者，敷層可 括除第一及第二障辟厗々k .、 "'層外之陣壁層。熟於此項技術者會知 、 不脫離本發明精神情 — > ^ a卜°亥寻貫知例可有各種變化與 修改。因此，在所附申々 ’、 甲明專利乾圍内之所有該等修改與變 化均包括在本發明中。 上面對關於特定會t,, 答案均已說明。作: = ?=、其他優點及解決問題之 ^ 4利益、其他優點及解決問題之答案 及顯現或變為更明海夕叮、 '、 "" 可化成任何利益、優點及答荦之 任何元件並非任何或全。案之 甲專利範圍之重要，需要或必 有之特性或元件。本 ._ y 中斤％之包括」、「含有」或此等 名柯之任何其他變化 σβ Μ盍非獨佔性之包含而使包括一元 1千》月单之加工、方、土 A.L. t\ λ 3 去、物件或裝置並非僅包括該等元件而 疋可匕括未列明於該清 马4寺加工 '方法、物件或 裝置所固-有之其他元件。 【圖式簡單說明】 下面所述顯示特定眘#加—㈤ 貫把例之圖式並不限制本發明之範圍 而疋出來幫助有正確 ..„ 〇 θ ^ 瞭解。各圖式並非按照比例尺製 作亚且是與上面之 ^ _ . ^ ° 、、，°兄月連用。附圖中相同代表符號指 不相同兀件’附圖中： = 所:：按照本發明一模範實施例製造用於電磁裝 置的通罝集中系統方法之斷面圖； 圖6 -10所示為按昭 ^ . ,g θ ^ ，、，、本么月另—模範實施例製造用於電磁 裝置的通里集中系統方法之斷面圖；

O:\89\89344 DOC -17· 1313033 圖11 -1 5所不為按照本發明又一模範實施例製造用於電 磁裝置的通量集中系統方法之斷面圖； 圖1 6為按知、本發明一模範實施例所形成隨機存取記憶穿 置一部分之放大透視圖；及 圖1 7所不為按照本發明再一模範實施例製造用於電磁壯 置的通量草φ $ y '、中尔統方法之斷面圖。 【圖式代表符號說明 4，

10，22 12 14， 18， 32， 36 16， 34 20， 30， 56， 74 24， 26， 5〇 28， 52， 7〇 38， 58， 8〇 40， 60， 76 42， 62， 82， 96 54 > 72 66 78 90 92 94 表面 線 基板 障壁層 通量集中層 敷層 材料層 槽 續衝材料層 頂部敷層 通量集中系統 底割 絕緣體障壁層 副敷層 記憶裝置 磁記憶單元 半導體基板

O:\89\89344 DOC -18·

Claims (1)

1313^)¾¾36222號專利申請案 中文申晴專利範圍替換本(95年11月）拾、申請專利範圍：

2. 3. 4. 5. 一種製造用於電磁裝置的通量集中系統之方法，該方法 包括之步驟為： / 提供-形成於-基板中之位元線，其中該位元線重疊海 於-電磁元件或一磁記憶單元上並磁輕合至該電磁元件， 或該磁記憶單元； 詞 形成一重疊於該位元線及該基板上之第一材料層；+ 蝕刻而在該第一材料層中形成一槽； $ 在該槽内沉積一敷層； f , 後 形成一重疊於該敷層上之緩衝材料層；及 ^ 移除該緩衝材料層之—部分及該敷層之—部八 ^ 如申請專利範圍第丨項之方法，其中形成該二料層之| 步驟包括以電衆加強氮化％、四乙切酸鹽、氮化石夕、7 氮化紹、碳化石夕 '氮化石夕碳、氫氧化石夕碳及氮氧化石夕中 之至少一個形成該第一材料層。 如申請專利範圍第1項之方法，更包括在形成該第-材料 層之步驟前形成一重叠該位元線及該基板之第二材料声 之步驟。 曰 如申請專利範圍第W之方法，該钱刻步驟包括以乾電聚 姑刻進行餘刻。 -種製造用於電磁裝置的通量集中系統之方法，該方法 包括之步驟為： 提供一形成於一基板中之位元線； 形成一重疊於該位元線及該基板上之第—材料層； O:\89\89344-951124.DOC 1313033 形成一重疊於該第一材料層上之第二材料層； :乾電漿蝕刻法蝕刻該第二材料層而形成一槽； :濕電漿蝕刻法蝕刻該第一材料層而使對該第—材剩 曰蝕刻大為快於對該第二材料層之蝕刻； 在該槽内沉積一敷層； 形成—重疊於該敷層上之緩衝材料層；及 移除該緩衝材料層之-部分及該敷層之一部分。 步驟：I利乾圍弟5項之方法，其中形成該第-材料層之 驟：：以電聚加強氮化物形成該第—材料層而形成該 I:材料層之步驟包括以四乙正梦酸鹽形成該第二材料 7. 8. 月專利軌圍第5項之方法’更包括在沉積—敷層之 驟則於該槽内形成一絕緣障壁層之步驟。 二製造用於電磁褒置料量集中系統之方法 包括之步驟為_· 去 提供-形成於-基板中之位元線； 形成-重疊於該位元線及該基板上之第一材料層； 形成-重疊於該第一材料層上之第二材料層； 以乾電漿钱刻法钱刻該第二材料層而形成一槽； 以錢刻化學#刻該第—材料層使得該第—材料 蝕刻大為快於該第二材料層之蝕刻並且實施對該第 ㈣之超量㈣而使該槽包括—㈣於該第二材料切 第一材料層之底割； / 在該槽内沉積-敷層，該敷層包括—重疊於該位 0:\89\89344·951124.DOC 1313033 上之第一部分及重疊於該第二材料層上之第二部分； 在該櫓内形成一缓衝材料層，該缓衝材料層至少重疊 住該敷層之第一部分；及 移除該敷層之該第二部分及該緩衝材料層之一部分。 9'如申請專利範圍第8項之方法，其中形成該第一材料層之 步驟包括以電漿加強氮化物形成該第一材料層而形成該 第一材料層之步驟包括以四乙正矽酸鹽形成該第二材料 層0 如申請專利範圍第8項 、 -小。π <刀沄，琢沉檟一敷層之穸 沉積一A Β -4- η Μ八足夠高導磁係數而將磁通量集中至 區域之電導磁材料之通量集中層。 O:\89\89344-951124.DOC