JP2006511956A - 磁気電子デバイスに使用される磁束集中系路を作製するための方法 - Google Patents
磁気電子デバイスに使用される磁束集中系路を作製するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006511956A JP2006511956A JP2004564801A JP2004564801A JP2006511956A JP 2006511956 A JP2006511956 A JP 2006511956A JP 2004564801 A JP2004564801 A JP 2004564801A JP 2004564801 A JP2004564801 A JP 2004564801A JP 2006511956 A JP2006511956 A JP 2006511956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- material layer
- layer
- bit line
- magnetic flux
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 183
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 228
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004078 cryogenic material Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
参照数字が同じ要素を示す添付図面に関連して述べられるであろう。
、第2材料層26が第1材料層24を覆って形成される。第2材料層26が標準的なエッチング技法を受ける時に、第1材料層24がエッチング停止の役を果たすように、第1材料層24及び第2材料層26を選択することができる。たとえば、第1材料層24は、特定のエッチング化学薬品に対して選択性を有する材料でできていてもよく、又は、第1材料層24は、エッチプロセスを停止するか又は減速させる、終端点信号を提供する材料でできていてもよい。第1材料層24を形成するのに適切な低温材料の例は、限定はしないが、プラズマエンハンスト窒化物(PEN)、TEOS、窒化ケイ素(SiN)、窒化アルミニウム(AlN)、炭化ケイ素(SiC)、炭窒化ケイ素(SiCN)、ケイ素酸水素化炭素(SiCOH)、及び酸窒化ケイ素(SiON)などを含む。第1材料層24が第2材料層26と異なる材料でできており、第1材料層24が第2材料層26に対するエッチング停止の役を果たす限り、第2材料層26もまた、これらの材料でできていてもよい。本発明の好ましい実施形態では、第1材料層24は低温のプラズマエンハンスト窒化物から形成され、第2材料層26はTEOSから形成される。
形成される。
のエッチが実施され、次に、第1材料層24のオーバエッチが引き続き実施され、そのオーバエッチは、ビットライン10を露出させない。第1材料層24は、次に、第2材料層50より著しく速く第1材料層24をエッチングするウェットエッチ化学薬品によってエッチングされる。第1材料層24は、ビットライン10が露出するか、又は、第1材料層24の少なくともかなりの量が除去されるまでエッチングされる。任意選択の実施形態では、ビットライン10からの第1材料層24の適切な除去を確保するために、第1材料層24を、深溝52が第1材料層24のアンダーカット54を含むまでオーバエッチングすることができる。第1材料層24の適切な除去を確保するために、任意の適切な量のオーバエッチを実施することができる。オーバエッチのパーセンテ−ジは、第1材料層24の厚みをエッチングするのにかかる時間のパーセンテージとして規定される。たとえば、厚み「y」を有する第1材料層24の層をエッチングするのに「x」秒かかる場合、100%オーバエッチは、さらにx秒を要する、即ち、全体で2x秒のエッチ時間のオーバエッチである。同様に、50%オーバエッチは、さらに0.5x秒を要する、即ち、全体で1.5x秒のエッチ時間のオーバエッチである。1つの例示的な実施形態では、オーバエッチングは約100%であってよい。本発明のより好ましい実施形態では、オーバエッチングは約0%〜約50%であってよい。
参照数字を有する図11〜図15の要素は、対応する図1〜図10の同じ要素である。方法は、ビットライン10を設けることによって始まることができ、ビットライン10は、絶縁材料基板12内に形成される。第1材料層24がビットライン10及び基板12を覆って形成され、第2材料層50が第1材料層24を覆って形成される。
レスデコーダ、及び同様なものなどの、任意の適切な半導体デバイス(図示せず)を含んでもよい。
Claims (3)
- 基板に形成されたビットラインを設ける工程と、
該ビットライン及び前記基板を覆う第1材料層を形成する工程と、
該第1材料層内に深溝を形成するようにエッチングする工程と、
前記深溝内にクラッド層を堆積させる工程と、
該クラッド層を覆うバッファ材料層を形成する工程と、
該バッファ材料層の一部及び前記クラッド層の一部を除去する工程とからなる、磁気電子デバイスに使用される磁束集中系路を作製するための方法。 - 基板に形成されたビットラインを設ける工程と、
該ビットライン及び前記基板を覆う第1材料層を形成する工程と、
該第1材料層を覆う第2材料層を形成する工程と、
深溝を形成するようにドライプラズマエッチによって前記第2材料層をエッチングする工程と、
前記第1材料層が前記第2材料層より著しく速くエッチングするようにさせるウェットエッチ化学薬品を使用して前記第1材料層をエッチングする工程と、
前記深溝内にクラッド層を堆積させる工程と、
該クラッド層を覆うバッファ材料層を形成する工程と、
前記バッファ材料層の一部及び前記クラッド層の一部を除去する工程とからなる、磁気電子デバイスに使用される磁束集中系路を作製するための方法。 - 基板に形成されたビットラインを設ける工程と、
該ビットライン及び前記基板を覆う第1材料層を形成する工程と、
該第1材料層を覆う第2材料層を形成する工程と、
深溝を形成するようにドライプラズマエッチによって前記第2材料層をエッチングする工程と、
前記第1材料層が前記第2材料層より著しく速くエッチングするようにさせ、前記深溝が、前記第2材料に対する前記第1材料層のアンダーカットを含むように前記第1材料層のオーバエッチングを実施するウェットエッチ化学薬品を使用して前記第1材料層をエッチングする工程と、
前記深溝内にクラッド層を堆積させる工程であって、該クラッド層は、前記ビットラインを覆う第1部分及び前記第2材料層を覆う第2部分を含む、堆積させる工程と、
前記深溝内にバッファ材料層を形成する工程であって、該バッファ材料層は、前記クラッド層の少なくとも前記第1部分を覆う、形成する工程と、
前記クラッド層の前記第2部分及び前記バッファ材料層の一部を除去する工程とからなる、磁気電子デバイスに使用される磁束集中系路を作製するための方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/324,716 US6943038B2 (en) | 2002-12-19 | 2002-12-19 | Method for fabricating a flux concentrating system for use in a magnetoelectronics device |
US10/324,716 | 2002-12-19 | ||
PCT/US2003/033247 WO2004061857A1 (en) | 2002-12-19 | 2003-10-20 | A method for fabricating a flux concentrating system for use in a magnetoelectronics device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006511956A true JP2006511956A (ja) | 2006-04-06 |
JP4759268B2 JP4759268B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=32710776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004564801A Expired - Lifetime JP4759268B2 (ja) | 2002-12-19 | 2003-10-20 | 磁気電子デバイスに使用される磁束集中系路を作製するための方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6943038B2 (ja) |
EP (1) | EP1576612A1 (ja) |
JP (1) | JP4759268B2 (ja) |
KR (1) | KR20050085682A (ja) |
CN (1) | CN100490006C (ja) |
AU (1) | AU2003284293A1 (ja) |
TW (1) | TWI313033B (ja) |
WO (1) | WO2004061857A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273969A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-30 | Sony Corp | 磁気記憶装置の製造方法 |
US6798004B1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-09-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetoresistive random access memory devices and methods for fabricating the same |
US7029591B2 (en) * | 2003-04-23 | 2006-04-18 | Lsi Logic Corporation | Planarization with reduced dishing |
JP2005072139A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Sony Corp | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
FR2880474A1 (fr) * | 2004-12-30 | 2006-07-07 | St Microelectronics Rousset | Memoire vive magnetique |
US7456029B2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-11-25 | Magic Technologies, Inc. | Planar flux concentrator for MRAM devices |
TW200905679A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-01 | Ind Tech Res Inst | Structure of magnetic random access memory and fabrication method thereof |
US8169816B2 (en) * | 2009-09-15 | 2012-05-01 | Magic Technologies, Inc. | Fabrication methods of partial cladded write line to enhance write margin for magnetic random access memory |
US8390283B2 (en) | 2009-09-25 | 2013-03-05 | Everspin Technologies, Inc. | Three axis magnetic field sensor |
US8518734B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-27 | Everspin Technologies, Inc. | Process integration of a single chip three axis magnetic field sensor |
US8686522B2 (en) * | 2011-10-13 | 2014-04-01 | International Business Machines Corporation | Semiconductor trench inductors and transformers |
US9390937B2 (en) * | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9905751B2 (en) | 2015-10-20 | 2018-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetic tunnel junction with reduced damage |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299724A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
JP2002334973A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 上部導体にクラッド層を形成するための方法 |
JP2004527123A (ja) * | 2001-02-28 | 2004-09-02 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | Mram電極用保護構造 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3699619A (en) * | 1969-07-30 | 1972-10-24 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method for manufacturing a magnetic thin film memory element |
US5702831A (en) * | 1995-11-06 | 1997-12-30 | Motorola | Ferromagnetic GMR material |
US5659499A (en) * | 1995-11-24 | 1997-08-19 | Motorola | Magnetic memory and method therefor |
US5640343A (en) * | 1996-03-18 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells |
US5861328A (en) * | 1996-10-07 | 1999-01-19 | Motorola, Inc. | Method of fabricating GMR devices |
US5768181A (en) * | 1997-04-07 | 1998-06-16 | Motorola, Inc. | Magnetic device having multi-layer with insulating and conductive layers |
US5956267A (en) * | 1997-12-18 | 1999-09-21 | Honeywell Inc | Self-aligned wordline keeper and method of manufacture therefor |
US5946228A (en) * | 1998-02-10 | 1999-08-31 | International Business Machines Corporation | Limiting magnetic writing fields to a preferred portion of a changeable magnetic region in magnetic devices |
DE19836567C2 (de) * | 1998-08-12 | 2000-12-07 | Siemens Ag | Speicherzellenanordnung mit Speicherelementen mit magnetoresistivem Effekt und Verfahren zu deren Herstellung |
US5940319A (en) * | 1998-08-31 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
US6153443A (en) * | 1998-12-21 | 2000-11-28 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a magnetic random access memory |
JP3854767B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2006-12-06 | ローム株式会社 | 強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法 |
US6211090B1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-04-03 | Motorola, Inc. | Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories |
US6555858B1 (en) * | 2000-11-15 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Self-aligned magnetic clad write line and its method of formation |
US6430085B1 (en) | 2001-08-27 | 2002-08-06 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory having digit lines and bit lines with shape and induced anisotropy ferromagnetic cladding layer and method of manufacture |
US6780653B2 (en) * | 2002-06-06 | 2004-08-24 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming magnetoresistive memory device assemblies |
US7056749B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-06-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Simplified magnetic memory cell |
US6798004B1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-09-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetoresistive random access memory devices and methods for fabricating the same |
-
2002
- 2002-12-19 US US10/324,716 patent/US6943038B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-20 WO PCT/US2003/033247 patent/WO2004061857A1/en not_active Application Discontinuation
- 2003-10-20 CN CNB2003801064674A patent/CN100490006C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-20 AU AU2003284293A patent/AU2003284293A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-20 EP EP03776473A patent/EP1576612A1/en not_active Withdrawn
- 2003-10-20 JP JP2004564801A patent/JP4759268B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-20 KR KR1020057011006A patent/KR20050085682A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-12-19 TW TW092136222A patent/TWI313033B/zh active
-
2005
- 2005-05-09 US US11/125,955 patent/US7279341B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004527123A (ja) * | 2001-02-28 | 2004-09-02 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | Mram電極用保護構造 |
JP2002334973A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 上部導体にクラッド層を形成するための方法 |
JP2002299724A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI313033B (en) | 2009-08-01 |
WO2004061857A1 (en) | 2004-07-22 |
AU2003284293A1 (en) | 2004-07-29 |
US6943038B2 (en) | 2005-09-13 |
CN1726561A (zh) | 2006-01-25 |
US20050164413A1 (en) | 2005-07-28 |
KR20050085682A (ko) | 2005-08-29 |
EP1576612A1 (en) | 2005-09-21 |
JP4759268B2 (ja) | 2011-08-31 |
CN100490006C (zh) | 2009-05-20 |
TW200423252A (en) | 2004-11-01 |
US20050208681A1 (en) | 2005-09-22 |
US7279341B2 (en) | 2007-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7279341B2 (en) | Method for fabricating a flux concentrating system for use in a magnetoelectronics device | |
US7105363B2 (en) | Cladded conductor for use in a magnetoelectronics device and method for fabricating the same | |
US6784510B1 (en) | Magnetoresistive random access memory device structures | |
US6153443A (en) | Method of fabricating a magnetic random access memory | |
US6211090B1 (en) | Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories | |
US6174737B1 (en) | Magnetic random access memory and fabricating method thereof | |
TW519680B (en) | Self-aligned magnetic clad write line and its method of formation | |
US7087972B1 (en) | Magnetoelectronic devices utilizing protective capping layers and methods of fabricating the same | |
US6812040B2 (en) | Method of fabricating a self-aligned via contact for a magnetic memory element | |
US6783994B2 (en) | Method of fabricating a self-aligned magnetic tunneling junction and via contact | |
JP2005150739A (ja) | 薄膜デバイスおよび該薄膜デバイスにおいて熱による補助を実施する方法 | |
US6806127B2 (en) | Method and structure for contacting an overlying electrode for a magnetoelectronics element | |
US7564109B2 (en) | MRAM and method of manufacturing the same | |
JP2005159240A (ja) | 磁気メモリ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061020 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4759268 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |