JP4828807B2 - 磁気記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、本願第1の磁気記憶装置にかかる発明および本願第1の磁気記憶装置の製造方法にかかる発明に対応している。以下、図1〜図5を参照しながら、本実施の形態について説明する。尚、これらの図において、同じ符号を用いた部分は同じものであることを示している。
本実施の形態は、本願第3の磁気記憶装置にかかる発明および本願第2の磁気記憶装置の製造方法にかかる発明に対応している。以下、図6〜図10を参照しながら、本実施の形態について説明する。尚、これらの図において、同じ符号を用いた部分は同じものであることを示している。
本実施の形態は、本願第2の磁気記憶装置にかかる発明および本願第3の磁気記憶装置の製造方法にかかる発明に対応している。以下、図11〜図15を参照しながら、本実施の形態について説明する。尚、これらの図において、同じ符号を用いた部分は同じものであることを示している。
本実施の形態は、本願第4の磁気記憶装置の製造方法にかかる発明に対応している。以下、図16〜図19を参照しながら、本実施の形態について説明する。尚、これらの図において、同じ符号を用いた部分は同じものであることを示している。
102,105,107,202,205,207,302,305,307,402,405,407 層間絶縁膜
103,203,303,403 ストラップ配線
104,204,304,404 磁気エレメント
106,206,306,406 接続孔
108 溝部
110,210,310,410 バリアメタル膜
111,211,311,411 銅膜
112,212,312,412 ビットライン配線
1,114,2,214,3,314,414 絶縁膜
113,313 高透磁率膜
209,309,409 第1の高透磁率膜
213,4 第2の高透磁率膜
Claims (15)
- 第1の絶縁膜中に離間して配設された第1および第2の磁気エレメントと、
前記第1の絶縁膜の上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜中に埋め込まれて、前記第1および第2の磁気エレメントにそれぞれ電気的に接続する第1および第2の配線と、
前記第1および第2の配線の側面に設けられた第1の高透磁率膜と、
前記第1および第2の配線および前記第2の絶縁膜の上面を連続して覆うように設けられた第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜の上に設けられた第2の高透磁率膜とを有することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記第1の高透磁率膜は、パーマロイ膜、Fe膜、Co膜、Ni膜、FeSi膜、FeAlSi膜およびFeCoV膜よりなる群から選ばれるいずれか1の膜である請求項1に記載の磁気記憶装置。
- 前記第2の高透磁率膜は、パーマロイ膜、Fe膜、Co膜、Ni膜、FeSi膜、FeAlSi膜およびFeCoV膜よりなる群から選ばれるいずれか1の膜である請求項1または2に記載の磁気記憶装置。
- 前記パーマロイ膜は、NiFe膜およびCoNiFe膜のいずれか一方である請求項1〜3のいずれかに記載の磁気記憶装置。
- 前記高透磁率膜はメモリセル部分にのみ設けられている請求項1〜4のいずれかに記載の磁気記憶装置。
- 前記第1および第2の配線は、前記第1および第2の配線の側面および底面に形成されたバリアメタル膜と、前記バリアメタル膜の内側を埋め込むように形成された銅膜とを含み、
前記第1および第2の配線の上面は、前記第2の絶縁膜の上面と略同一平面を形成する、請求項1〜5のいずれかに記載の磁気記憶装置。 - 前記第2の高透磁率膜は、前記第1および第2の配線を連続して覆うように設けられる、請求項1〜6のいずれかに記載の磁気記憶装置。
- 前記第3の絶縁膜の膜厚は、10nm〜70nmのいずれかの値である、請求項1〜7のいずれかに記載の磁気記憶装置。
- 第1の絶縁膜中に離間して配設された第1および第2の磁気エレメントを備える磁気記憶装置の製造方法であって、
前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に前記第1および第2の磁気エレメントに至る第1および第2の開口部をそれぞれ形成する工程と、
前記第1および第2の開口部の側壁に第1の高透磁率膜を形成する工程と、
前記第1の高透磁率膜が形成された前記第1および第2の開口部の内部に導電層を埋め込んで、前記第1および第2の磁気エレメントにそれぞれ電気的に接続する第1および第2の配線を形成する工程と、
前記第1および第2の配線および前記第2の絶縁膜の上面を連続して覆うように第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜の上に第2の高透磁率膜を形成する工程とを有することを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。 - 前記第2の高透磁率膜は、パーマロイ膜、Fe膜、Co膜、Ni膜、FeSi膜、FeAlSi膜およびFeCoV膜よりなる群から選ばれるいずれか1の膜である請求項9に記載の磁気記憶装置の製造方法。
- 前記第1の高透磁率膜は、パーマロイ膜、Fe膜、Co膜、Ni膜、FeSi膜、FeAlSi膜およびFeCoV膜よりなる群から選ばれるいずれか1の膜である請求項9または10に記載の磁気記憶装置の製造方法。
- 前記パーマロイ膜は、NiFe膜およびCoNiFe膜のいずれか一方である請求項9〜11のいずれかに記載の磁気記憶装置の製造方法。
- 前記第1および第2の配線を形成する工程は、前記導電層として、前記溝内の側面および底面にバリアメタル膜を形成する工程と、前記バリアメタル膜の内側に銅膜を埋め込む工程とをさらに含み、
前記第1および第2の配線の上面は、前記第2の絶縁膜の上面と略同一平面となるように前記銅膜が埋め込まれる、請求項9〜12のいずれかに記載の磁気記憶装置の製造方法。 - 第2の高透磁率膜を形成する工程においては、
前記第2の高透磁率膜は、前記第1および第2の配線を連続して覆うように設けられる、請求項9〜13のいずれかに記載の磁気記憶装置の製造方法。 - 前記第3の絶縁膜の膜厚は、10nm〜70nmのいずれかの値である、請求項9〜14のいずれかに記載の磁気記憶装置の製造方法。
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