TWI308847B - A luminescence cell, a luminescence device with the said luminescence cell, and the manufacturing method thereof - Google Patents
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1308847 、九、發明說明： •【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用於有機電致發光顯示裝置的發光元 件，備有該發光元件的發光裝置及其製造方法，特別係有 關於大幅改善發光效率的發光元件，備有該發光元件的發 光裝置及其製造方法。 【先前技術】 有機電致發光（EL)顯不裝置具有薄型、廣角、低電耗、 優異動畫顯不特性等的特色，而被期待作爲下一世代的影 像顯示裝置。有機EL發光元件（以下’記載爲發光元件） 係使用於該等有機EL顯示裝置’且於2個電極間具有至少 一層發光層，藉由施加電壓於電極間來使發光層發光，而 可顯示影像。 以往’在玻璃基板上，一般藉由以其爲陽極之透明電 極、例如由ITO (銦錫氧化物）、以有機物所構成之電荷 輸送層或發光層、最後以A1等金屬所構成之陰極的順序成 膜’製作從底部發光之底部發射構造的發光元件。 近年來’使用具有高操作係數之金屬於陽極，而不使 用從頂部發光之頂部發射構造的發光元件。不是以畫素回 路來限制發光部份面積之底部發射構造的發光元件、而是 頂部發射構造的發光元件，具有所謂發光部份變寬的優 點。在頂部發射構造的發光元件中，於陰極使用LiF/Al/Ag (非專利文獻1 ) 、Ca/Mg (非專利文獻2 ) 、LiF/MgAg 等半透明電極。 1308847 * 於該等發光元件中，在發光層發光之光入射於其他薄 .膜的情況下，以某角度以上入射時，在發光層與其他膜厚 的界面上全反射。因此，僅可利用所發光之光的一部分。 近年來’爲了提升發光效率，提案有在折射率低之半透明 電極的外側，設置折射率高之「外罩（CAP PING)層」的發 光元件（非專利文獻1、2 )。 在頂部發射構造之發光元件中的外罩層效果係顯示於 非專利文獻2。在非專利文獻2中，在使用Ir(pPy)3(fac-三-(2-苯基吡啶鹽）銦）於發光材料的發光元件中，在無外罩 層的情況下，電流效率爲38cd/A，而在使用 ZnSe(膜厚 60nm)於外罩層的發光元件中，爲64 c d/A而約爲1.7倍的 效率。 又，在非專利文獻2中，顯示半透明電極及外罩層之 透過率的極大點與效率的極大點不一定一致，故發光效率 之最大點則顯示隨干渉效果來決定。 【非專利文獻 1】Applied Physics Letters，美國，2001 年、第78卷，544-546頁 【非專利文獻 2】Applied Physics Letters，美國，2003 年、第82卷，466-468頁 【發明內容】 【發明所欲解決之課題】 在外罩層的形成中’雖提案有使用精細度高的金屬遮 罩，但在相關的金屬遮罩中，有所謂因由熱所產生之應力 而導致位置調整精確度變差的問題點。即，於非專利文獻 1308847 ' 2所使用之ZnSe係熔點高達丨1〇(rc以上，以精細度高之遮 -罩則不能蒸鍍於正確位置。無機物多則蒸鍍溫度高，而不 適於精細度高之遮罩的使用，對於發光元件亦有造成損傷 可能性。再者’在以濺鍍法形成的成膜中，由於對於發光 元件造成損傷’故不能使用以無機物爲構成材料之外罩。 在非專利文獻1中，使用三-(8-羥醌鹽）鋁（Alq3)作爲 調整折射率的外罩層，Alq3係已知爲顯示綠色發光的有機 EL材料，如第8圖所示在使用於藍色發光元件之45 Onm附 近具有微弱吸收。還有，第8圖係顯示使用Alq3之外罩層 中之波長與折射率及與消光係數之關係的線圖。圖中，實 線表示折射率，虛線表示消光係數。因此，在藍色發光元 件中，亦有所謂發光效率與色純度之降低一起降低的問題 點。 本發明係用於解決上述課題者，係以提供可在不很高 的溫度下安定而成膜作爲外罩層材料，同時具備由在藍、 綠及紅個別波長範圍不具吸收的材料所構成之外罩層的發 光元件，與具備該發光元件之發光裝置及其製造方法爲目 的。 【用於解決課題的手段】 爲了解決上述課題而達成目的，在本發明之發光元件 中，具備第1電極、以配置於該第1電極上方並包含發光 層所構成之有機層、配置於該有機層上並透過前述發光層 之光的第2電極、與配置於該第2電極上並由比前述第2 電極構成材料之折射率大的材料所構成的外罩層，而構成 1308847 -前述外罩層的材料係以包含選自包含三芳基胺衍生物、咔 .唑衍生物、苯并咪唑衍生物及三唑衍生物之群組中至少1 種爲特徴。 又，在本發明之發光元件中，係以構成前述外罩層之 材料包含能階爲3.2eV以上之材料爲特徴。 又，在本發明之發光元件中，係以構成前述外罩層之 材料包含三苯胺衍生物爲特徴。 又，在本發明之發光元件中，係以構成前述外罩層之 材料包含選自包含4,4’-雙[N-(3 -甲苯基）·Ν-苯胺基]聯苯 (TPD) 、 4,4’，4”-三[(3-甲苯基）苯胺基]三苯胺 (m-MTDATA)、1，3,5-三[>1，>^-雙（2-甲苯基）-胺基]-苯 (o-MTDAB)、 1，3,5-三[N，N-雙（3-甲苯基）-胺基]-苯 (m-MTDAB)、1，3，5 -三[N，N -雙（4 -甲苯基）-胺基]-苯 (p-MTDAB)及4,4’-雙[N，N-雙（3-甲苯基）-胺基]-二苯基甲 烷（BPPM)之群組中至少1種爲特徴。 又，在本發明之發光元件中，係以構成前述外罩層之 材料包含選自包含4,4’-二咔唑-1，1’_聯苯（CBP)、4,4’，4，’-三（N-咔唑）三苯胺（TCTA)、2,2’，2，，-(1，3,5-苯甲苯基）三-[1-苯基-1H -苯并咪唑](TPBI)、及3-(4 -聯苯基）-4 -苯基-5-第三 丁苯基-1，2,4-三唑（TAZ)之群組中至少1種爲特徴。 又’在本發明發光元件中，係以前述外罩層之厚度在 30nm〜120nm的範圍爲特徴。 又’在本發明發光元件中，係以前述外罩層之折射率 在至少透過該外罩層之光的波長在380 nm〜780 nm範圍 1308847 内’爲1·75以上爲特徴。 - 又’本發明發光元件中，係以前述外罩層之消光係數 在至少通過該外罩層之光的波長在3 80nm〜7 8 0nm範圍 内’爲0.12以下爲特徴。 又’本發明發光元件中，係以具備複數個前述發光元 件，且該複數個發光元件至少分類爲第1發光元件、和與 該第1發光元件發成不同色光的第2發光元件、及與前述 第1及第2發光元件發不同色光的第3發光元件，且前述 第1〜第3發光元件之前述外罩層爲膜厚互相不同爲特徴。 又，本發明發光元件中，係以前述第1〜第3發光元 件之前述外罩層由互爲同質之材料所形成爲特徴。 又’本發明發光元件中，係以個別前述第1發光元件 發光成紅色、前述第2發光元件發光成綠色、前述第3發 光元件發光成藍色，且前述第1發光元件之前述外罩層膜 厚dR、前述第2發光元件之前述外罩層膜厚dG、及前述第 3發光元件之前述外罩層膜厚dB滿足dR>dG>dB的關係式爲 特徴。 又’在本發明發光裝置之製造方法中，其爲前述發光 元件的製造方法，係以包含在對應於前述第1及第2發光 元件之前述第2電極上，藉由積層前雄外罩層的構成材 料，個別形成中間層於對應於前述第1發光元件之前述第 2電極上、形成前述外罩層於對應於前述第2發光元件之 前述第2電極上的步驟；與藉由在對應於前述第1發光元 件之前述中間層上、及對應於前述第3發光元件之前述第 -9- 1308847 • 2電極上個別積層前述外罩層的構成材料，而形成前述外 -罩層於對應於前述第1及第3發光元件之前述第2電極上 的步驟，藉而形成前述第1〜第3發光元件的前述外罩層 爲特徴。 又，在本發明發光裝置之製造方法中，係以對應於前 述第2及前述第3發光元件之前述外罩層的厚度和，約略 等於對應於前述第1發光元件之前述外罩層的厚度爲特 徴。 又，在本發明發光裝置之製造方法中，其係在基板上 具有複數個個別具備第1電極、配置於該第1電極上方之 以包含發光層所構成的有機層、配置於該有機層上之透過 前述發光層之光的第2電極、配置於該第2電極上之由比 該第2電極構成材料之折射率大且能階爲3.2eV以上之材 料所構成的外罩層之第1〜第3發光元件的發光裝置製造 方法，以包含在對應於前述第1及第2發光元件之前述第 2電極上，藉由積層前述外罩層的構成材料，個別形成中 間層於對應於前述第1發光元件之前述第2電極上、形成 前述外罩層於對應於前述第2發光元件之前述第2電極上 的步驟，與藉由在對應於前述第1發光元件之前述中間層 上、及對應於前述第3發光元件之前述第2電極上，個別 積層前述外罩層的構成材料，而形成前述外罩層於對應於 前述第2及第3發光元件之前述第2電極上的步驟，藉而 形成前述第1〜第3發光元件的前述外罩層爲特徴。 又’在本發明發光裝置之製造方法中，係以對應於前 -10- 1308847 '述第2及前述第3發光元件之前述外罩層的厚度和，約略 -等於對應於前述第1發光元件之前述外罩層的厚度爲特 徴。 又，在本發明發光裝置之製造方法中，係以個別前述 第1發光元件發光成紅色、前述第2發光元件發光成藍色 及綠色中任一色、前述第3發光元件發光成藍色及綠色中 另一色爲特徴。 又，在本發明發光裝置之製造方法中，係以具有複數 個具備第1電極、配置於該第1電極上方之以包含發光層 所構成的有機層、配置於該有機層上之透過前述發光層之 光的第2電極、配置於該第2電極上之由比該第2電極之 構成材料之折射率大且能階爲3.2eV以上之材料所構成之 外罩層的發光元件，前述複數個發光元件係分類爲發光成 紅色的第1發光元件、發光成綠色的第2發光元件、與發 光成藍色的第3發光元件，且前述第1發光元件之前述外 罩層的膜厚dR、前述第2發光元件之前述外罩層的膜厚 dG、及前述第3發光元件之前述外罩層的膜厚dB互不相同 爲特徴。 又’在本發明之發光元件中，係以前述第1發光元件 之前述外罩層膜厚dR、前述第2發光元件之前述外罩層膜 厚dG、及前述第3發光元件之前述外罩層膜厚dB滿足 dR>dG>dB的關係式爲特徴。 【發明之效果】 根據本發明，由於具有設置於透明或半透明電極之外 -11- 1308847 側，且比半透明電極之折射率高的外罩層’故得到可大幅 -提高發光效率的發光元件。又，藉由使用三芳基胺衍生物 或咔唑衍生物於外罩層，由於可在500 °C以下的溫度成膜’ 故不會對於發光元件造成損傷，又可使用高精細遮罩來最 適化各色之發光效率，同時可較佳地適用於全彩顯示器， 且可顯示色純度良好且鮮明與清楚的影像。 又，根據本發明中之發光裝置，藉由針對複數個發光 元件而以同質材料來形成外罩層，可減低外罩層之成膜步 驟中所需的時間、成本，而可貢獻發光裝置的生産性提升 或成本降低。再者，藉由對應於紅色、藍色、綠色之不同 波長來設定外罩層膜厚，更可提升對應於各色之發光元件 的發光效率。 又，根據本發明中之發光裝置的製造方法，在第1〜 第3發光元件中之外罩層的材質爲相同且膜厚不同的情況 下，比較於以其他步驟形成各個外罩層的情況，可簡化成 膜步驟，並達成所謂可貢獻發光裝置之生産性提升的效果。 【實施方式】 【用於實施發明之最佳態樣】 以下’參照圖式，並詳細地說明相關於本發明之發光 元件'備有該發光元件之發光裝置及其製造方法的實施態 樣及實例。還有，本發明爲不受以下實施之態樣及實例所 限制者。 〔發光元件〕 首先’說明本發明中之發光元件。第1圖係顯示相關 -12- 1308847 '於本發明之實施態樣之發光元件的槪略側截面圖。還有， -各圖中’同樣符號表示同樣或相當部分。於第1圖中，發 光元件1爲頂部發射構造的發光元件，在例如玻璃基板i 〇 的基板上，依次積層作爲由金屬所構成之第1電極的陽極 11、電洞輸送層12、發光層13、電子輸送層14;作爲第2 電極之半透明陰極15、以及外罩層16。 由於發光元件1爲頂部發射構造，玻璃基板1 0亦可不 一定爲透明。電洞輸送層12則實現輸送從陽極11而來的 電洞於發光層13，而電子輸送層14則輸送從半透明陰極 15而來的電子於發光層13的的功能。在發光層13中，藉 由再結合從電洞輸送層12而來的電洞與從電子輸送層14 而來的電子，在發光層13中之有機材料的電子狀態被激發 成單線激發狀態或三重線激發狀態，在從該等激發狀態返 回安定之基態時，個別產生螢光或磷光。 外罩層16係可在不很高的溫度下安定而成膜，並且可 由不會吸收藍色、綠色以及紅色等各別顏色波長範圍之材 料所構成。以下將說明構成外罩層1 6的材料。 上述之陽極11、電洞輸送層12、發光層13、電子輸 送層14及半透明陰極15之膜厚合計爲200 nm〜600 nm左 右。又，外罩層16的膜厚係以例如30nm〜120nm爲佳。 在外罩層1 6爲上述膜厚範圍的情況下’可以得到良好的發 光效率。還有，外罩層16的膜厚可隨所使用的發光元件之 發光材料種類、外罩層16以外的發光元件厚度等，來適宜 地變更。又，半透明陰極15的範例方面’有Ca/Mg、MgAg、 1308847 ' MgAl、ITO、IZO 等。 - 所積層之各層的成膜係從確保膜之緻密性、或良好的 階梯被覆率（step cover rate ;高低平面差異被覆性）的觀點 來看，在成膜方法中則使用 CVD(Chemical Vapor Deposition ;化學蒸氣沉積）法等的化學方法。又，除了 CVD法以外，亦可適用例如真空蒸鎪法等。再者，亦可適 用加熱蒸鍍法、噴墨法或凹版印刷等。 還有，雖在第1圖中說明頂部發射構造的發光元件1， 但本發明係不受其限制者，亦可同樣適用於底部發射構造 的發光元件，或從上部及底部雙向發光的雙重發光構造的 發光元件。在該等情況下，在光從發光元件發出至外部之 方向的電極有爲透明或半透明的必要。 又，雖在第1圖中顯示在形成外罩層16於夾在陽極 11與半透明陰極15間之層由包含電洞輸送層12、發光層 1 3、電子輸送層1 4所構成之3層構造發光元件上的情況作 爲一範例，發光元件之構造係不受該3層構造所限制者， 隨著各種條件，亦可同樣地使用採用追加電洞注入層與電 子注入層的5層構造、4層構造或2層構造或者僅發光層 之1層構造等各種構造的發光元件。 構成外罩層16之材料的折射率係以較所鄰接之電極 的折射率大爲佳。即，藉由外罩層1 6來提升發光元件1的 發光效率，其效果爲除了在外罩層16與接觸於外罩層16 之材料界面的反射率大，因光干渉的效果大而有效。因此， 構成外罩層1 6之材料的折射率係以較鄰接之電極的折射 -14- 1308847 .率大者爲佳，以折射率爲1 · 5以上爲較佳。 . 第2圖係顯示在使用以後述之構造式（7)所示之CBP的 外罩層中之波長與折射率及與消光係數的關係線圖。還 有，在圖中，實線係表示折射率、虛線係表示消光係數。 折射率係表示爲雙折射率的實部値，消光係數係表示雙折 射率的虚部値的意思。折射率及消光係數的測定方法方 面，使用以往熟知的η & k法。如由該圖所得知，在任何波 長之CBP的折射率爲1.75左右以上。又，在使用於藍色發 光元件的45 Onm附近則未引起衰退。又，在其他波長亦同 樣地未引起衰退，外罩層的消光係數，係通過至少該外罩 層的光波長在380nm〜780nm的範圍内，爲0.12以下。因 此，由於在藍色、綠色、紅色各個波長範圍未引起吸收， 故備有外罩層的發光元件亦可較佳地適用於全彩顯示器 等。 構成外罩層1 6之材料能階係以3.2eV以上爲佳。其 中，能階之3.2eV係對應於光波長約3 87nm，而3.1eV對 應於約400nm。因此，由於其可見光部份波長之3 80nm〜 780nm約略全範圍爲透明的，故以構成外罩層16之材料的 能階爲3.2eV以上爲佳。另外，能階未滿3.2eV時，因對 藍色波長造成影響而不佳。 更詳細地說明時，構成外罩層16之材料的能階愈大， 則在轉移能階之電子中的光吸收端移動至愈短波長側。因 此’材料之能階愈大時，由於光吸收端超出可見光部份之 外’故材料之光吸收愈小而變成透明。構成外罩層16的材 -15- 1308847 •料係因希望在可見光部份的約略全範圍中爲透明的，故以 -材料之能階愈大愈佳’若能階爲3 .2eV以上時，則因光吸 收端超出可見光部份而佳。 構成外罩層1 6之材料的能階，可藉由測定材料之光吸 收光譜的長波長側吸收端波長來計算出。 構成外罩層16的材料方面，可使用三芳基胺衍生物。 三芳基胺衍生物方面’舉例有以構造式（1)表示之4,4,_雙 [N-(3-甲苯基）-N-苯胺基]聯苯（以下，記載爲「tPD」）、以 構造式（2)表示之4,4，，4”-三[(3-甲苯基）苯胺基]三苯胺（以 下，記載爲「m-MTDATA」）、以構造式（3)表示之 —[N，N-雙（2-甲苯基）-胺基]-苯（以下，記載爲 「o-MTDAB」）、以構造式（4)表示之1，3,5-三[N，N-雙（3-甲 苯基）-胺基]-苯（以下，記載爲「m_MTDAB」）、以構造式（5) 表不之1，3,5-三[N，N-雙（4-甲苯基）-胺基]-苯（以下，記載爲 「P-MTDAB」）、以構造式（6)表示之4,4，-雙[N，N-雙（3-甲 本基）-胺基]-二苯基甲烷（以下，記載爲r BPPM」）等。該 等材料係可單獨或混合複數種材料來使用。 【化1】
-16- 1308847 【化2】
1308847 【化6】
9H3 HgC
亦可同樣地使用三苯胺衍生物或三芳基衍生物作爲外 罩層1 6。 構成外罩層16的其他材料方面，可使用咔唑衍生物。 味哩衍生物方面，舉例有以構造式（7)表示之4，4，-二咔唑基 -1，！’-聯苯（以下，記載爲「CBP」）、以構造式（8)表示之 4’4，4’’-三（M-咔唑基）三苯胺（以下，記載爲「TCTA」）等。 等 ίΜ*、 Μ料係可單獨或混合複數種材料來使用。 【化7
【化
-18- 1308847 構成外罩層16的其他材料方面，可使用苯并咪唑衍生 物。苯并咪唑衍生物方面，舉例有以構造式（9)表示之 2’2’，2”-(1，3,5-苯甲苯基）三-[1-苯基_;^-苯并咪唑](以下， 記載爲「TPBI」）等。 【化9】
構成外罩層16的其他材料方面，可使用三唑衍生物。 三唑衍生物方面，舉例有以構造式（1〇)表示之3-(4-聯苯 基）-4-苯基-5-第三丁苯基-1，2,4-三唑（以下，記載爲「TAZ」） 等。 【化1 〇】
還有，能階爲3.2eV以上的外罩層16的材料方面，有 TPD (3.2eV)、m-MTDATA(3.2eV)、TAZ(4.0eV)等。能階未 滿3_2eV的外覃層16的材料方面’有A1q3、Almq3、CuPc 等。 [發光裝置] 其次，說明本發明中之發光裝置。第3圖係顯示相關 -19- 1308847 *於本發明之實施態樣之發光裝置的槪略側截面圖。在第3 •圖中，發光裝置50係在同樣的基板1〇上，爲上述之發光 元件’具備有第1發光元件20、第2發光元件30及第3 發光元件40。 第1發光元件20、第2發光元件30及第3發光元件 40係個別具備作爲第1電極的陽極11、電洞輸送層1 2、 發光層13、電子輸送層.14、作爲第2電極的半透明陰極 15A〜15C、及外罩層16A〜16C，該等係可與於第1圖所 説明之發光元件1同樣地來依序積層。 第1發光元件20、第2發光元件3〇及第3發光元件 40係個別發光成紅色、綠色及藍色，外罩層16A〜i6C由 不同異材質的材料所形成，或由相同材質的材料所形成均j 可。在外罩層16A〜16C由相同材質材料所形成的情況下， 可減低在外罩層16A〜16C之成膜步驟中所需要的時間、 成本，可對於發光裝置50的生産性提升或成本下降有貢 獻。 外罩層16A〜16C的膜厚爲相同或不同均可。特別地， 第1發光元件20中之外罩層16A的膜厚爲dR、第2發光 元件30中之外罩層16B的膜厚爲dG'第3發光元件40中 之外罩層1 6C的膜厚爲dB時，以滿足dR>dG>dB的關係式 爲佳。在紅色、藍色、綠色之中’由於發光波長爲紅色最 長，藍色最短，藉由對應於該等發光波長來設定外罩層16A 〜16C的膜厚，可進一步提升對應於各色之第1發光元件 2〇〜第3發光元件40的發光效率。 -20 - 1308847 • 還有’外罩層的材料、膜厚或能階、折射率等上述發 -光元件中之全部的記載’亦可同樣地適用於發光裝置50中 之上述第卜發光元件20、第2發光元件30及第3發光元 件40。又’發光元件個數不限於3個，亦可形成更多數個 發光元件於同樣的基板上，或不同的基板上。 [發光裝置的製造方法] 其次’說明本發明中之發光裝置的製造方法。第4圖 〜第6圖係說明相關於本發明之實施態樣的發光裝置製造 方法的槪略側截面圖。還有，在該等圖式中，爲了使説明 容易了解’簡化從半透明陰極15A〜15C至陽極11間的圖 示。 在第4圖中’發光裝置50係在同樣的基板10上，備 有第1發光元件20、第2發光元件30及第3發光元件40。 第1發光元件20、第2發光元件30及第3發光元件40係 個別具備作爲第1電極的陽極n、電洞輸送層12、發光層 13、電子輸送層14、作爲第2電極的半透明陰極15A〜 15C’該等係可與於第1圖所説明之發光元件1同樣地來依 序積層。 在藉由同質材料以不同膜厚形成外罩層16A〜16C的 情況下’如第5圖所示，首先，在第1發光元件20及第2 發光元件30中之半透明陰極15A及15B上，個別經由黑 影遮罩等之蒸鍍遮罩19A而藉由遮罩蒸鍍來積層外罩層的 構成材料，以膜厚1形成由該構成材料所構成的第1層 17°此時，由形成於第1發光元件20中之半透明陰極15 -21 - l3〇8847 A上之外罩層的構成材料所構成的第1層17，係因在下一 '步驟中積層相同材料於更上層，亦所謂成爲形成作爲外罩 層的中間層17。另外，由第2發光元件30中之半透明陰 極15B上所形成之外罩層的構成材料所構成之層，成爲外 罩層1 6B者。 其次，如第6圖所示，在第1發光元件20中之中間層 17上、與第3發光元件40中之半透明陰極15C上，個別 經由蒸鏟遮罩19B而藉由蒸鏟以膜厚d2形成由外罩層之構 成材料所構成的第2層18。此時，在第1發光元件20，藉 由中間層17上與形成於其上的第2層18，形成外罩層 16A。另外，形成於第3發光元件40中之半透明陰極15C 上的第2層18，成爲外罩層16C者。 由於第1發光元件20中之外罩層16A係由外罩層17 與形成於其上之外罩層18所構成，以dR爲外罩層16A的 膜厚時，dR^di + dz。即，第1發光元件20中之外罩層16A 的膜厚，約略等於第2發光元件30中之外罩層16B的膜厚 di與第3發光元件40中之外罩層16C的膜厚d2的和。但 是，該膜厚之和亦有不是因外罩層的成膜條件等嚴密地加 成計算之和的情況，對於外罩層1 6A的膜厚dR則容許在 10%以内。 因此，由於以2步驟使膜厚不同的外罩層16A〜16C 成膜，故在第1發光元件2 0〜第3發光元件4〇中之外罩 層16A〜16C的材質相同且膜厚不同的情況下，比較於以 其他步驟形成各個外罩層16A〜16C的情況，則可簡化成 -22- 1308847 •膜步驟，可對於發光裝置的生産性提升有貢獻。 . 還有，上述發光元件及發光裝置中之記載，亦可同樣 地適用於基於第4圖〜第6圖所説明之發光裝置的製造方 法。 【實例】 以下，基於實例，更具體說明本發明。接著製作本發 明中之紅色的發光元件。首先，在藉由濺鍍法在基板上成 膜之膜厚100 nrn的Ni陽極上，藉由蒸鍍法使其爲電洞注入 層之膜厚20nm的銅 菁（CuPc)成膜。接著，藉由蒸鍍法使 其爲電洞輸送層之膜厚40nm的N，N’-二（萘-卜醯基）-N，N’-二苯基-苯（NPB)成膜。然後，進行雙源蒸鍍其爲發光層之 Alq3、與4-(二氰基亞甲基）-2-第三丁基-6-(1，1，7,7-四甲基 久洛尼定（Julolidyl)-9-烯基）-4H-吡喃（DCJTB)。Alq3 的膜 厚爲3 0nm，同時蒸鍍體積比例爲1%的DCJTB。 再者，繼續其爲電子輸送層之膜厚40nm的Alq3、與 其爲陰極之膜厚12nm的Ca及膜厚12nm的Mg並藉由蒸 鍍法成膜。最後，在〇nm〜lOOnm的範圍中變更其爲外罩 層的CBP膜厚，並藉由蒸鍍法成膜。還有，本實例說明紅 色畫素形成方法，而對於綠色與藍色畫素雖膜厚及材料不 同，但藉由同樣方法來形成。在紅色、綠色、藍色的畫素 形成中，由於個別選擇位置而形成，針對基板精密地對準 於成膜位置具有開口部份的金屬遮罩，使金屬遮罩密著於· 基板的成膜面側來進行蒸鍍。 針對以不同外罩層膜厚所作製之紅色發光元件，測定 -23 - 1308847 •發光效率。結果示於第7圖。如由第7圖所知，判斷在外 -罩層膜厚爲70nm的情況下，發光效率最高，爲無外罩層之 情況的1 . 9倍。在外罩層膜厚爲5 0〜90nm的情況下，比較 於無外罩層的情況，發光效率被改善成1 . 6倍以上，在外 罩層的膜厚爲60nm〜80nm的情況下，則較大地被改善成 1 . 8倍以上。 【産業上的利用可能性】 以上所述，相關於本發明之發光元件，具備該發光元 件之發光裝置及其製造方法，因具備由可在不很高溫度下 安定而成膜，並且可由不會吸收藍色、綠色以及紅色等各 別顏色波長範圍之材料所構成之外罩層，可適用於全彩顯 示器，適合於欲顯示色純度佳且鮮明之明亮影像的情況。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示相關於本發明之實施態樣之發光元件構 造的槪略截面圖。 第2圖係顯示在使用C B P之外罩層中之波長與折射 率及與消光係數的關係線圖。 第3圖係顯示相關於本發明之實施態樣之發光裝置的 槪略側截面圖。 第4圖係說明相關於本發明之實施態樣之發光裝置製 造方法的槪略側截面圖。 第5圖係說明相關於本發明之實施態樣之發光裝置製 造方法的槪略側截面圖。 第6圖係說明相關於本發明之實施態樣之發光裝置製 -24 - 1308847 ‘造方法的槪略側截面圖。 - 第7圖係顯示實例中之外罩層厚度與發光效率的關係 線圖。 第8圖係顯示習知技術中之使用Alq3之外罩層中的波 長與折射率及與消光係數的關係線圖。 【主要元件符號說明】 1 發光元件 10 玻璃基板 11 陽極（第1電極） 12 電洞輸送層 13 發光層 14 電子輸送層 15、15A~ 15C 半透明陰極（第2電極） 16、16A 〜16C 外罩層 17 第1層、中間層 18 第2層 19A、1 9B 蒸鍍遮罩 20 第1發光元件 30 第2發光元件 40 第3發光元件 50 發光裝置 -25 -
Claims (1)
1308847 /]
,第095110181號「發光元件、備有該發光元件之發光裝置 及其製法」專利案 (2008年8月6日修正） 十、申請專利範圍： 1 一種發光元件，其特徵爲具備第1電極、配置於該第1 電極上方之以包含發光層所構成的有機層、配置於該有 機層上之透過該發光層之光的第2電極、與配置於該第2 電極上之外罩層’該外罩層係由比該第2電極之構成材 料之折射率大的材料所構成’其中構成該外罩層的材料 包含選自包含二方te衍生物、味嗤衍生物、苯并咪哩衍 生物及三唑衍生物之群組中至少1種。 2 .如申請專利範圍第1項之發光元件，其中構成該外罩騰 的材料包含能階爲3.2eV以上的材料。 項之發光元件，其中構成該外罩媵 3.如申請專利範圍第1項之; 的材料包含三苯胺衍生物。 ，其中構成該外罩
3，5-三[N，N-雙 4 .如申請專利範圍第1項之發光元件， 的材料包含選自 聯苯（TPD)、4, (m-MTDATA)、 甲苯基）-胺基卜苯 甲苯基）-胺基]-笨 甲苯基）-胺基]-二苯基甲 (o-MTDAB) ' 1，3，5·三 (m-MTDAB)、 1，3，5-三 (p-MTDAB)及 4,4，-雙[N，N-雙（3-烷（BPPM)之群組中至少1種。 ’其中構成該外罩騰 5·如申請專利範圍第1項之發光元f牛 1308847 ’ 的材料包含選自包含 4,4’，4”-三（1咔唑）三苯胺（1'(：丁人）'2,2，，2，，-(1，3,5-苯甲苯 基）三-Π-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、及3-(4-聯苯基）-4-苯基-5-第三丁苯基-1,2,4 -三唑（TAZ)之群組中至少1種。 6.如申請專利範圍第1〜5項中任一項之發光元件，其中該 外罩層厚度爲30nm〜120nm的範圍。 7 .如申請專利範圍第1〜5項中任一項之發光元件，其中該 外罩層的折射率，在至少透過該外罩層之光波長在380nm 〜780nm的範圍内，爲1.75以上。 8 .如申請專利範圍第1〜5項中任一項之發光元件，其中該 外罩層的消光係數，在至少通過該外罩層之光波長在 380nm〜780nm的範圍内，爲0.12以下。 9. 一種發光裝置，其特徵爲備有複數個如申請專利範菌第1 〜8項中任一項的發光元件，該複數個發光元件至少分類 爲第1發光元件、與該第1發光元件發光成不同色的第2 發光元件、與該第1及第2發光元件發光成不同色的第3 發光元件，而該第1至第3發光元件的該外罩層之膜厚 互不相同。 10.如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該第！至第3 發光元件的該外罩層係由互爲同質的材料所構成。 1 1 _如申請專利範圍第9或1 0項之發光裝置，其中個別地， 該第1發光元件發光成紅色、該第2發光元件發光成綠 色、該第3發光元件發光成藍色，該第1發光元件之該 外罩層膜厚dR、該第2發光元件之該外罩層膜厚、及 1308847 丨怜Μ 日彳li.◎罐j • 該第3發光元件之該外罩層膜厚dB滿足dR>dG>dB的關係 • 式。 1 2 ·—種發光裝置的製造方法，其係用於記載於申請專利範 圍第10項之發光裝置的製造方法，其中包含在對應於該 第1及第2發光元件之該第2電極上，藉由積層該外罩 層的構成材料，個別形成中間層於對應於該第1發光元 件之該第2電極上、該外罩層於對應於該第2發光元件 的該第2電極上的步驟；在對應於該第1發光元件之該 中間層上、及對應於該第3發光元件之該第2電極上， 藉由各別積層該外罩層的構成材料，形成該外罩層於對 應於該第1及第3發光元件之該第2電極上的步驟，因 此’形成該第1至第3發光元件之該外罩層。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之發光裝置的製造方法，其中對 應於該第2及該第3發光元件之該外罩層的厚度和，約 略等於對應於該第1發光元件之該外罩層的厚度。 14. 一種發光裝置的製造方法，其係於基板上具有複數個由 第1電極、配置於該第1電極上方之以包含發光層所構 成的有機層、配置於該有機層上之透過該發光層之光的 第2電極、與配置於該第2電極上之由比該第2電極構 成材料折射率大且能階爲3.2eV以上之材料所構成的外 罩層的第1〜第3發光元件之發光裝置的製造方法，其中 包含在對應於該第1及第2發光元件之該第2電極上， 藉由積層該外罩層的構成材料，個別形成中間層於對應 於該第1發光元件之該第2電極上、形成該外罩層於對 1308847
應於該第2發光元件之該第2電極上的步驟；與在對應 於該第1發光元件之該中間層上、及對應於該第3發光 元件之該第2電極上，藉由各別積層該外罩層之構成材 料，形成該外罩層於對應於該第2及第3發光元件之該 第2電極上的步驟，因此，形成該第1至第3發光元件 之該外罩層。 15.如申請專利範圍第14項之發光裝置的製造方法，其中對 應於該第2及該第3發光元件之該外罩層的厚度和約略 等於於對應於該第1發光元件之該前述外罩層的厚度。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4或1 5項之發光裝置的製造方法， 其中個別地，該第1發光元件發光成紅色、該第2發光 元件發光成藍色及綠色中任一色、該第3發光元件發光 成藍色及綠色之.中任一者的另一·色。 17. —種發光裝置，其中具有複數個發光元件，該等發光元 件備有第1電極，以及配置於該第1電極上方之以含有 發光層所構成的有機層、配置於該有機層上之透過該發 光層之光的第2電極、與配置於該第2電極上之外罩層， 該外罩層係由比該第2電極之構成材料之折射率大且能 階3.2eV以上之材料所構成，而該複數個發光元件分類 爲發光成紅色之第1發光元件、發光成綠色之第2發光 元件、與發光成藍色之第3發光元件，且該第1發光元 件的該外罩層膜厚dR、該第2發光元件的該外罩層.膜厚 dG、及該第3發光元#的該外罩層膜厚dB互不相同。 18. 如申請專利範圍第17項之發光裝置，其中該第1發光元 1308847
J 件的該外罩層膜厚dR、該第2發光元件的該外罩層膜厚 dG、及該第3發光元件的該外罩層膜厚dB滿足dR>dG>dB 的關係式。
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| KR102649300B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2024-03-18 | 삼성전자주식회사 | 전자 소자, 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US11594698B2 (en) | 2016-08-23 | 2023-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electric device and display device comprising quantum dots with improved luminous efficiency |
| JP2018041612A (ja) | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR20180054957A (ko) | 2016-11-14 | 2018-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 |
| JP6807726B2 (ja) | 2016-12-16 | 2021-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP6817807B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2021-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20180254438A1 (en) * | 2017-03-01 | 2018-09-06 | Emagin Corporation | Top Emitting OLEDs with Increased Brightness |
| CN106848080A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-06-13 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 一种白光oled发光器件 |
| EP4286900A3 (en) | 2017-11-06 | 2024-06-12 | Magic Leap, Inc. | Method and system for tunable gradient patterning using a shadow mask |
| CN107946476A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-20 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| WO2019124550A1 (ja) | 2017-12-21 | 2019-06-27 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| CN108417584B (zh) * | 2018-03-12 | 2020-12-15 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| KR102597673B1 (ko) * | 2018-05-16 | 2023-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111341920B (zh) * | 2018-12-18 | 2024-01-30 | 固安鼎材科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| CN109886163B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 具有指纹辨识功能的显示装置及其制造方法 |
| CN110483495B (zh) * | 2019-09-16 | 2020-04-28 | 长春海谱润斯科技有限公司 | 一种杂环化合物及其有机电致发光器件 |
| KR20220037151A (ko) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | (주)피엔에이치테크 | 저굴절 광효율 개선층을 구비한 유기발광소자 |
| KR20220038911A (ko) * | 2020-09-21 | 2022-03-29 | (주)피엔에이치테크 | 복합 굴절률을 갖는 광효율 개선층을 구비한 유기발광소자 |
| CN113178467B (zh) * | 2021-04-14 | 2022-07-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113809267B (zh) * | 2021-09-16 | 2022-08-05 | 北京载诚科技有限公司 | 一种显示面板和车载显示装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
| US6660409B1 (en) * | 1999-09-16 | 2003-12-09 | Panasonic Communications Co., Ltd | Electronic device and process for producing the same |
| JP4040240B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2008-01-30 | パナソニック コミュニケーションズ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US20040054174A1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-03-18 | Tadao Nakaya | Nile-red luminescent compound, process for producing the same, and luminiscent element utilizing the same |
| JP2003257622A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Fuji Electric Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイとその製造方法 |
| US6734625B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-05-11 | Xerox Corporation | Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode |
| US7015639B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes |
| TWI237521B (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Organic electro-luminescent device and method of manufacturing the same |
| KR100542993B1 (ko) * | 2003-07-26 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고효율 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4547599B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2010-09-22 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
| US7019331B2 (en) * | 2004-01-22 | 2006-03-28 | Eastman Kodak Company | Green light-emitting microcavity OLED device using a yellow color filter element |
| US7449831B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having inorganic material containing anode capping layer |
| KR100623696B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고효율 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| JP2008521165A (ja) * | 2004-11-16 | 2008-06-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ |
| KR100700013B1 (ko) * | 2004-11-26 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
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