KR20070103463A - 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
트리아릴 아민 유도체나 카르바졸 유도체 등을 함유하는 캡핑층을 형성함으로써, 광의 인출 효율을 대폭 향상한 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 발광 소자(1)는, 톱 에미션 구조의 발광 소자이며, 유리 기판(10) 상에 금속으로 이루어지는 양극(11), 정공수송층(12), 발광층(13), 전자수송층(14), 반투명음극(15), 및 캡핑층(16)이 순차적으로 적층되어 있다. 반투명음극(15) 보다도 굴절률이 큰 캡핑층(16)을 가지므로, 광의 인출 효율을 대폭 향상할 수 있다. 또한 캡핑층을 그다지 높지 않은 온도에서 막형성할 수 있으므로, 발광 소자에 손상을 주지 않는다.
발광 소자, 발광 장치, 제조 방법
Description
본 발명은 유기 전자발광 표시장치에 사용되는 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 광의 인출효율이 대폭 개선된 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전자발광(ＥＬ) 표시장치는, 박형, 넓은 시야각, 저소비전력, 뛰어난 동영상표시 특성 등의 특색을 가지고, 차세대의 화상표시장치로서 기대되고 있다. 유기 ＥＬ 발광 소자(이하, 발광 소자로 기재한다)는 이러한 유기 ＥＬ 표시장치에 사용되어, 2개의 전극의 사이에 하나 이상의 발광층을 갖고, 전극간에 전압을 인가함으로써 발광층이 발광하고, 화상을 표시할 수 있다.
종래는, 유리 기판 상에, 양극인 투명전극, 예를 들면 ＩＴＯ(인듐 주석 산화물), 유기물로 이루어지는 전하 수송층이나 발광층, 최후에 Ａｌ등의 금속으로 이루어지는 음극의 순서로 막을 형성함으로써, 저부에서 발광하는 보텀 에미션(bottom emission)구조의 발광 소자가 일반적으로 제작되고 있었다.
최근, 높은 일함수를 가진 금속을 양극으로 사용하고, 상부에서 발광하는 톱 에미션(top emission) 구조의 발광 소자를 사용할 수 있게 되었다. 화소회로에 의해 발광부의 면적이 제한되는 보텀 에미션 구조의 발광 소자와는 다르게, 톱 에미션 구조의 발광 소자에서는, 발광부를 넓게 할 수 있는 이점이 있다. 톱 에미션 구조의 발광 소자에서는, 음극에 ＬｉＦ/Ａｌ/Ａｇ(비특허문헌1), Ｃａ/Ｍｇ(비특허문헌2), ＬｉＦ/ＭｇＡｇ등의 반투명전극을 사용할 수 있다.
이러한 발광 소자는, 발광층에서 발광한 광이 다른 막에 입사할 경우에, 어떤 각도 이상으로 입사하면, 발광층과 다른 막두께의 계면에서 전반사되어버린다. 이 때문에, 발광한 광의 일부밖에 이용 되지 않는다. 최근, 광의 인출효율을 향상시키기 위해, 굴절률이 낮은 반투명전극의 외측에, 굴절률이 높은 「캡핑층」을 설치한 발광 소자가 제안되고 있다(비특허문헌1,2).
톱 에미션 구조의 발광 소자에 있어서의 캡핑층의 효과는, 비특허문헌 2에 나타나 있다. 비특허문헌 2에 있어서, Ｉｒ(ｐｐｙ)3(fac-트리스-(2-페닐피리디네이트)인듐)을 발광 재료로 사용한 발광 소자로, 캡핑층이 없는 경우에는 전류효율이 38ｃｄ/A이었지만, ＺｎＳｅ(막두께60ｎｍ)을 캡핑층으로 사용한 발광 소자에서는, 64ｃｄ/A로 약1.7배의 효율이었다.
또한, 비특허문헌 2에 있어서, 반투명전극과 캡핑층의 투과율의 극대점과 효율의 극대점이 반드시 일치하지 않는 것이 나타나 있어, 광의 인출 효율의 최대점은 간섭 효과에 의해 결정할 수 있는 것이 나타나 있다.
비특허문헌1 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ, 미국, 2001년, 제78권, 544-546쪽
비특허문헌2 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ, 미국, 2003년, 제82권, 466-468쪽
캡핑층의 형성에는, 세밀도가 높은 금속 마스크를 사용하는 것이 제안되고 있지만, 이러한 금속 마스크는, 열에 의한 비뚤어짐에 의해 위치맞춤 정밀도가 나빠진다고 하는 문제점이 있었다. 즉, 비특허문헌 2에 사용되고 있는 ＺｎＳｅ는, 융점이 1100℃ 이상으로 높고, 세밀도가 높은 마스크는 정확한 위치에 증착할 수 없다. 무기물의 대부분은 증착 온도가 높고, 세밀도가 높은 마스크의 사용에는 적당하지 않고, 발광 소자 그 자체에도 손상을 줄 가능성이 있다. 또한, 스퍼터법에 의한 막형성으로는, 발광 소자에 손상을 주어버리기 때문에, 무기물을 구성 재료로 하는 캡핑층은 사용할 수 없다.
비특허문헌 1에서는, 굴절률을 조정하는 캡핑층으로서, 트리스-(8-히드록시키놀리네이트)알루미늄(Ａｌｑ3)이 사용되어 있지만, Ａｌｑ3은 녹색의 발광을 나타내는 유기ＥＬ재료로서 알려져 있고, 도 8에 나타낸 바와 같이 청색발광 소자로 사용되고 450ｎｍ부근에 약하게 흡수한다. 또, 도8은 Ａｌｑ3을 사용한 캡핑층에 있어서의 파장과 굴절률, 및 소멸계수의 관계를 나타내는 선도이다. 도면 중, 실선은 굴절률을 나타내고, 파선은 소멸계수를 나타낸다. 그 때문에, 청색발광 소자에서는, 색순도의 저하와, 광의 인출 효율이 같이 저하한다고 하는 문제점도 있었다.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위해 이루어지는 것으로서, 캡핑층 재료로서, 그다지 높지 않은 온도에서 안정하게 막형성할 수 있는 동시에, 청색, 녹색 및 적색 각각의 파장영역에서 흡수하지 않는 재료로 구성되는 캡핑층을 구비한 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 상방에 배치되고 발광층을 포함해서 구성되는 유기층, 상기 유기층 상에 배치되고 상기 발광층의 광을 투과하는 제 2 전극, 상기 제 2 전극 상에 배치되고 상기 제 2 전극의 구성 재료 보다도 굴절률이 큰 재료로 이루어지는 캡핑층을 구비하고, 상기 캡핑층을 구성하는 재료는, 트리아릴 아민 유도체, 카르바졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체 및 트리아졸 유도체로 이루어지 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 캡핑층을 구성하는 재료는, 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상인 재료를 함유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 캡핑층을 구성하는 재료가 트리페닐아민 유도체를 함유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 캡핑층을 구성하는 재료가 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐 아미노]비페닐(ＴＰＤ), 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐 아미노]트리페닐아민(m-ＭＴＤＡＴＡ), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-ＭＴＤＡＢ), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-ＭＴＤＡＢ), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-ＭＴＤＡＢ) 및 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(ＢＰＰＭ)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 캡핑층을 구성하는 재료가, 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(ＣＢＰ), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(ＴＣＴＡ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸](ＴＰＢＩ), 및 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(ＴＡＺ)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 캡핑층의 두께가, 30ｎｍ∼120ｎｍ의 범위인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 캡핑층의 굴절률이, 적어도 상기 캡핑층을 투과하는 광의 파장이 380ｎｍ∼780ｎｍ의 범위내에 있어서, 1.75 이상인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 캡핑층의 소멸계수가, 적어도 상기 캡핑층을 통과하는 광의 파장이 380ｎｍ∼780ｎｍ의 범위내에 있어서, 0.12이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치에 있어서는, 상기 발광 소자를 복수개 구비하고, 상기 복수개의 발광 소자는, 제 1 발광 소자, 상기 제 1 발광 소자와는 다른 색으로 발광하는 제 2 발광 소자, 상기 제 1 및 제 2 발광 소자와는 다른 색으로 발광하는 제 3 발광 소자로 적어도 분류되고, 상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층은 서로 막두께가 다른 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치에 있어서는, 상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층이, 서로 동질의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치에 있어서는, 상기 제 1 발광 소자는 적색으로, 상기 제 2 발광 소자는 녹색으로, 상기 제 3 발광 소자는 청색으로 각각 발광하고, 상기 제 1 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dR, 상기 제 2 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dG, 및 상기 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dB는 dR>dG>dB의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 발광 장치의 제조 방법으로, 상기 제 1 및 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 적층함으로써, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 중간층을, 상기 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 각각 형성하는 공정과, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 중간층 상, 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 각각 적층함으로써, 상기 제 1 및 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 형성하는 공정을 포함하고, 이에 따라 상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 제 2 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께의 합이, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께와 대략 같은 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 상방에 배치되고 발광층을 포함해서 구성되는 유기층, 상기 유기층 상에 배치되고 상기 발광층의 광을 투과하는 제 2 전극, 상기 제 2 전극 상에 배치되고 상기 제 2 전극의 구성 재료 보다도 굴절률이 크고, 또한, 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상의 재료로 이루어지는 캡핑층을 각각 구비한 제 1 내지 제 3 발광 소자를 기판 상에 복수개 갖는 발광 장치의 제조 방법이며, 상기 제 1 및 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 적층함으로써, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 중간층을, 상기 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 각각 형성하는 공정과, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 중간층 상, 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 각각 적층함으로써, 상기 제 2 및 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 형성하는 공정을 포함하고, 이에 따라 상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 제 2 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께의 합이, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께와 대략 같은 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 제 1 발광 소자는 적색으로, 상기 제 2 발광 소자는 청색 및 녹색 중 어느 한 쪽의 색으로, 상기 제 3 발광 소자는 청색 및 녹색 중 어느 다른 쪽의 색으로, 각각 발광하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 상방에 배치되고 발광층을 포함해서 구성되는 유기층, 상기 유기층 상에 배치되고 상기 발광층의 광을 투과하는 제 2 전극, 상기 제 2 전극 상에 배치되고 상기 제 2 전극의 구성 재료 보다도 굴절률이 크고, 또한, 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상인 재료로 이루어지는 캡핑층을 구비한 발광 소자를 복수개 갖고, 상기 복수개의 발광 소자는, 적색으로 발광하는 제 1 발광 소자, 녹색으로 발광하는 제 2 발광 소자, 청색으로 발광하는 제 3 발광 소자로 분류되고, 상기 제 1 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dR, 상기 제 2 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dG, 및 상기 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dB은 서로 다른 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 발광 소자에 있어서는, 상기 제 1 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dR, 상기 제 2 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dG, 및 상기 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dB가 dR>dG>dB의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 한다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 투명 또는 반투명전극의 외측에 설치한, 반투명전극 보다도 굴절률이 큰 캡핑층을 갖음으로써, 광의 인출 효율을 대폭 향상할 수 있는 발광 소자를 얻을 수 있다. 또한, 캡핑층에 트리아릴 아민 유도체나 카르바졸 유도체 등을 사용함으로써, 500℃ 이하의 온도에서 막형성할 수 있으므로, 발광 소자에 손상을 주지 않고, 또 고정세(高精細) 마스크를 이용하여 각 색의 광인출 효율을 최적화할 수 있는 동시에, 풀칼라 디스플레이에 바람직하게 적용할 수 있고, 색순도가 양호하게 선명해서 밝은 화상을 표시할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 발광 장치에 의하면, 복수개의 발광 소자에 대하여 동질의 재료에 의해 캡핑층을 형성함으로써, 캡핑층의 막형성 공정에 필요한 시간, 비용을 저감할 수 있고, 발광 장치의 생산성 향상이나 비용 절감에 기여하는 것이 가능해 진다. 또한, 적색, 청색, 녹색의 다른 파장에 대응시켜서 캡핑층의 막두께를 설정함으로써, 각 색에 대응하는 발광 소자의 광의 인출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 제 1 내지 제 3 발광 소자에 있어서의 캡핑층의 재질이 동일하고 막두께가 다른 경우에, 각각의 캡핑층을 다른 공정으로 형성하는 경우에 비해, 막형성 공정을 간략화할 수 있고, 발광 장치의 생산성 향상에 기여하는 것이 가능하게 된다는 효과를 가져온다.
도1은 본 발명의 실시형태에 따른 발광 소자의 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도2는 ＣＢＰ을 사용한 캡핑층에 있어서의 파장과 굴절률, 및 소멸계수의 관계를 나타내는 선도이다.
도3은 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치를 나타내는 개략적인 측단면도이다.
도4는 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명하는 개략적인 측단면도이다.
도5는 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명하는 개략적인 측단면도이다.
도6은 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명하는 개략적인 측단면도이다.
도7은 실시예에 있어서의 캡핑층의 두께와 광의 인출 효율의 관계를 나타내는 선도이다.
도8은 종래 기술에 있어서의 Ａｌｑ3을 사용한 캡핑층에 있어서의 파장과 굴절률, 및 소멸계수의 관계를 나타내는 선도이다.
(부호의 설명)
1:발광 소자 10:유리 기판
11:양극(제 1 전극) 12:정공수송층
13:발광층 14:전자수송층
15, 15A∼15C:반투명음극(제 2 전극) 16, 16A∼16C:캡핑층
17:제 1 층, 중간층 18:제 2 층
19A,19B:증착 마스크 20:제 1 발광 소자
30:제 2 발광 소자 40:제 3 발광 소자
50:발광 장치
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
이하, 도면을 참조하여, 본발명에 따른 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조 방법의 실시형태 및 실시예를 상세하게 설명한다. 또, 이하의 실시형태 및 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
〔발광 소자〕
우선, 본 발명에 의한 발광 소자에 관하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 개략적인 측단면도이다. 또, 각 도면 중, 동일한 부호는 동일하거나 상당하는 부분을 나타낸다. 도 1에 있어서, 발광 소자(1)은 톱 에미션 구조의 발광 소자이며, 기판, 예를 들면 유리 기판(10) 상에, 금속으로 이루어지는 제 1 전극으로서의 양극(11), 정공수송층(12), 발광층(13), 전자수송층(14), 제 2 전극으로서의 반투명음극(15), 및 캡핑층(16)이 순차적으로 적층되어 있다.
발광 소자(1)는 톱 에미션 구조이기 때문에, 유리 기판(10)은 반드시 투명하지 않아도 좋다. 정공수송층(12)은 양극(11)으로부터의 정공을 발광층(13)으로 수송하고, 전자수송층(14)은 반투명음극(15)으로부터의 전자를 발광층(13)으로 수송하는 역활을 한다. 발광층(13)에서는, 정공수송층(12)으로부터의 정공과, 전자수송층(14)으로부터의 전자가 재결합함으로써, 발광층(13)중에 유기재료의 전자상태가 일중항 여기상태 또는 삼중항 여기상태로 여기되어, 이것들의 여기상태로부터 안정한 기저상태로 되돌아올 때에, 형광 또는 인광을 각각 발생한다.
캡핑층(16)은 그다지 높지 않은 온도에서 안정하게 막형성할 수 있는 동시에, 청색, 녹색 및 적색 각각의 색의 파장영역에서 흡수하지 않는 재료로 구성된다. 캡핑층(16)을 구성하는 재료에 대해서는, 후술한다.
이상과 같은 양극(11), 정공수송층(12), 발광층(13), 전자수송층(14) 및 반투명음극(15)에 있어서의 막두께의 합계는, 200ｎｍ∼600ｎｍ정도이다. 또한, 캡핑층(16)의 막두께는, 예를 들면 30ｎｍ∼120ｎｍ가 바람직하다. 캡핑층(16)이 상기의 막두께의 범위일 경우, 양호한 광인출 효율을 얻을 수 있다. 또, 캡핑층(16)의 막두께는, 발광 소자로 사용하는 발광 재료의 종류, 캡핑층(16) 이외의 발광 소자의 두께 등에 따라, 적당하게 변경할 수 있다. 또한, 반투명음극(15)의 예로서는, Ｃａ/Ｍｇ, ＭｇＡｇ, ＭｇＡｌ, ＩＴＯ, ＩＺＯ 등이 있다.
적층하는 각 층의 막형성은 막의 치밀성이나, 양호한 스텝커버리지(step coverage)(단차피복성)을 확보하는 관점에서, 막형성 방법에는 ＣＶＤ(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)법 등의 화학적 방법을 사용할 수 있다. 또한, ＣＶＤ법 이외에도, 예를 들면 진공증착법 등을 적용하는 것도 가능하다. 또한, 가열 증착법, 잉크젯법이나 그라비아인쇄 등을 적용해도 좋다.
또, 도 1에서는, 톱 에미션 구조의 발광 소자(1)에 관하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 보텀 에미션 구조의 발광 소자나, 상부 및 저부의 양방향에서 발광하는 듀얼 에미션(dual emission) 구조의 발광 소자에 관해 서도, 마찬가지로 적용할 수 있다. 이것들의 경우, 광이 발광 소자로부터 외부로 인출하는 방향에 있는 전극은 투명 또는 반투명한 필요가 있다.
또한, 도 1에서는 양극(11)과 반투명음극(15)의 사이에 끼워져 있는 층이 정공수송층(12), 발광층(13), 전자수송층(14)으로 이루어지는 3층 구조의 발광 소자에 캡핑층(16)을 형성했을 경우를 일례로서 나타내고 있지만, 발광 소자의 구조는, 이 3층 구조에 한정되는 것은 아니고, 여러가지 조건에 따라, 정공주입층과 전자주입층을 추가한 5층 구조, 4층 구조나 2층 구조 혹은 발광층만의 1층 구조 등, 여러가지인 구조를 채용한 발광 소자도 동일하게 사용할 수 있다.
캡핑층(16)을 구성하는 재료의 굴절률은 인접하는 전극의 굴절률 보다도 큰 것이 바람직하다. 즉, 캡핑층(16)에 의해, 발광 소자(1)의 광인출 효율은 향상하지만, 그 효과는, 캡핑층(16)과, 캡핑층(16)에 접하고 있는 재료의 계면에서 반사율이 높은 편이 광간섭의 효과가 크기 때문에 유효하다. 그 때문에 캡핑층(16)을 구성하는 재료의 굴절률은 인접하는 전극의 굴절률 보다도 큰 편이 바람직하고, 굴절률이 1.5 이상이면 보다 바람직하다.
도 2는 후술하는 구조식(7)으로 나타내지는 ＣＢＰ을 사용한 캡핑층에 있어서의 파장과 굴절률, 및 소멸계수의 관계를 나타내는 선도이다. 또, 도면 중, 실선은 굴절률을 나타내고, 파선은 소멸계수를 나타낸다. 굴절률은 복소굴절률의 실부의 값이며, 소멸계수는 복소굴절률의 허부의 값을 의미하고 있다. 굴절률 및 소멸계수의 측정 방법으로서는, 종래 주지의 ｎ&ｋ법을 사용한다. 이 도면으로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 어느 파장에 있어서도 ＣＢＰ의 굴절률은 1.75정도 이상이다. 또한, 청색발광 소자에 사용되는 450ｎｍ부근에서 소멸이 일어나지 않는다. 또한, 다른 파장에 있어서도 마찬가지로 소멸이 일어나지 않고, 캡핑층의 소멸계수는, 적어도 해당 캡핑층을 통과하는 광의 파장이 380ｎｍ∼780ｎｍ의 범위내에 있어서, 0.12이하이다. 따라서, 청색, 녹색, 적색 각각의 파장영역에서 흡수가 일어나지 않기 때문에, 캡핑층을 구비한 발광 소자는, 풀칼라 디스플레이 등에도 바람직하게 사용할 수 있다.
캡핑층(16)을 구성하는 재료의 밴드갭은 3.2ｅＶ 이상인 것이 바람직하다. 여기에서, 밴드갭의 3.2ｅＶ는, 광의 파장의 약387ｎｍ에 대응하고, 3.1ｅＶ는 약400ｎｍ에 대응한다. 따라서, 가시부의 파장인 380ｎｍ∼780ｎｍ의 거의 전역이 투명하기 때문에, 캡핑층(16)을 구성하는 재료의 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상인 것이 바람직하다. 한편, 밴드갭이 3.2ｅＶ 미만이면, 청색의 파장에 영향을 주기 때문에 바람직하지 못하다.
또한, 상세하게 설명하면 캡핑층(16)을 구성하는 재료의 밴드갭이 클수록, 밴드갭을 천이하는 전자에 의한 광흡수끝은 단파장측으로 이동한다. 따라서, 재료의 밴드갭이 클수록, 광흡수끝이 가시부에서 벗어나가기 때문에, 재료의 광흡수가 작아져 투명하게 된다. 캡핑층(16)을 구성하는 재료는, 가시부의 거의 전역에서 투명한 것이 바람직하기 때문에, 재료의 밴드갭이 클수록 바람직하고, 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상이면, 광흡수끝이 가시부에서 벗어나기 때문에 보다 바람직하다.
캡핑층(16)을 구성하는 재료의 밴드갭은 재료의 광흡수스펙트럼의 장파장측 흡수단파장을 측정함으로써 산출할 수 있다.
캡핑층(16)을 구성하는 재료로서는, 트리아릴 아민 유도체를 사용할 수 있다. 트리아릴 아민 유도체로서는, 예를 들면 구조식(1)으로 나타내지는 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐 아미노]비페닐(이하, 「ＴＰＤ」로 기재한다), 구조식(2)으로 표현되는 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐 아미노]트리페닐아민(이하, 「m-ＭＴＤＡＴＡ」로 기재한다), 구조식(3)으로 나타내지는 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(이하, 「o-ＭＴＤＡＢ」로 기재한다), 구조식(4)으로 나타내지는 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(이하, 「m-ＭＴＤＡＢ」로 기재한다), 구조식(5)으로 나타내지는 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(이하, 「p-ＭＴＤＡＢ」로 기재한다), 구조식(6)으로 나타내지는 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(이하, 「ＢＰＰＭ」로 기재한다) 등을 들 수 있다. 이것들의 재료는, 단독, 또는 복수개의 재료를 혼합해서 사용할 수 있다.
캡핑층(16)으로서 트리페닐아민 유도체도 트리아릴 유도체와 같이 더 사용할 수 있다.
캡핑층(16)을 구성하는 기타 재료로서는, 카르바졸 유도체를 사용할 수 있다. 카르바졸 유도체로서는, 예를 들면 구조식(7)으로 나타내지는 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(이하, 「ＣＢＰ」로 기재한다), 구조식(8)으로 표현되는 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(이하, 「ＴＣＴＡ」로 기재한다) 등을 들 수 있다. 이것들의 재료는, 단독, 또는 복수개의 재료를 혼합해서 사용할 수 있다.
캡핑층(16)을 구성하는 기타 재료로서는, 벤조이미다졸 유도체를 사용할 수 있다. 벤조이미다졸 유도체로서는, 예를 들면 구조식(9)으로 표현되는 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸](이하, 「ＴＰＢＩ」로 기재한다) 등을 들 수 있다.
캡핑층(16)을 구성하는 기타 재료로서는, 트리아졸 유도체를 사용할 수 있다. 트리아졸 유도체로서는, 예를 들면 구조식(10)으로 나타내지는 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(이하, 「ＴＡＺ」라고 기재한다) 등을 들 수 있다.
또, 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상의 캡핑층(16)의 재료로서는, ＴＰＤ(3.2ｅＶ), m-ＭＴＤＡＴＡ(3.2ｅＶ), ＴＡＺ(4.0ｅＶ) 등이 있다. 밴드갭이 3.2ｅＶ미만의 캡핑층(16)의 재료로서는, Ａｌｑ3, Ａｌｍｑ3, ＣｕＰｃ등이 있다.
〔발광 장치〕
다음에 본 발명에 의한 발광 장치에 관하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치를 나타내는 개략적인 측단면도이다. 도 3에 있어서, 발광 장치(50)는 동일한 기판(10) 상에, 상술한 발광 소자로서, 제 1 발광 소자(20), 제 2 발광 소자(30) 및 제 3 발광 소자(40)을 구비하고 있다.
제 1 발광 소자(20), 제 2 발광 소자(30) 및 제 3 발광 소자(40)은 각각 제 1 전극으로서의 양극(11), 정공수송층(12), 발광층(13), 전자수송층(14), 제 2 전극으로서의 반투명음극(15A∼15C), 및 캡핑층(16A∼16C)을 구비하고 있고, 이것들은 도1에서 설명한 발광 소자(1)와 같은 방법으로 순차적으로 적층할 수 있다.
제 1 발광 소자(20), 제 2 발광 소자(30) 및 제 3 발광 소자(40)은 각각 적색, 녹색 및 청색으로 발광하고, 캡핑층(16A∼16C)은 다른 재질의 재료로 형성되어 있어도, 또는 같은 재질의 재료로 형성되어 있어도 좋다. 캡핑층(16A∼16C)이 같은 재질의 재료로 형성되어 있을 경우에는, 캡핑층(16A∼16C)의 막형성 공정에 필요한 시간, 비용을 절감할 수 있고, 발광 장치(50)의 생산성 향상이나 비용 절감에 기여 하는 것이 가능해 진다.
캡핑층(16A∼16C)의 막두께는, 동일하여도 달라도 좋다. 특히, 제 1 발광 소자(20)에 있어서의 캡핑층(16A)의 막두께를 dR, 제 2 발광 소자(30)에 있어서의 캡핑층(16A∼16C)의 막두께를 dG, 제 3 발광 소자(40)에 있어서의 캡핑층(16C)의 막두께를 dB 라고 하면, dR>dG>dB의 관계식을 만족하는 것이 바람직하다. 적색, 청색, 녹색 중에서, 발광 파장은 적색이 가장 길고, 청색이 가장 짧기 때문에, 이것들의 발광 파장에 대응시켜서 캡핑층(16A∼16C)의 막두께를 설정함으로써, 각 색에 대응하는 제 1 발광 소자(20)∼제 3 발광 소자(40)의 광의 인출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 캡핑층의 재료, 막두께나 밴드갭, 굴절률 등 상술한 발광 소자에 있어서의 모든 기재는, 발광 장치(50)에 있어서의 상기 제 1 발광 소자(20), 제 2 발광 소자(30) 및 제 3 발광 소자(40)에 대해서도 동일하게 적용할 수 있다. 또한, 발광 소자의 개수는 3개로 한정되지 않고, 또한, 다수의 발광 소자를 동일한 기판 상에 형성할 수 있고, 또는 다른 기판 상에 형성하는 것도 가능하다.
〔발광 장치의 제조 방법〕
다음에 본 발명에 의한 발광 장치의 제조 방법에 관하여 설명한다. 도 4∼도6은 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명하는 개략적인 측단면도이다. 또, 이것들의 도면에 있어서, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 반투명음극(15A∼15C)으로부터 양극(11)까지의 사이의 도시를 간략화한다.
도 4에 있어서, 발광 장치(50)은 동일한 기판(10) 상에, 제 1 발광 소자(20), 제 2 발광 소자(30) 및 제 3 발광 소자(40)을 구비하고 있다. 제 1 발광 소자(20), 제 2 발광 소자(30) 및 제 3 발광 소자(40)은 각각 제 1 전극으로서의 양극(11), 정공수송층(12), 발광층(13), 전자수송층(14), 제 2 전극으로서의 반투명음극(15A∼15C)을 구비하고 있고, 이것들은 도 1에서 설명한 발광 소자(1)와 같은 방법으로 순차적으로 적층할 수 있다.
캡핑층(16A∼16C)을 동질의 재료에 의해 다른 막두께로 형성하는 경우, 도 5에 나타나 있는 바와 같이, 우선, 제 1 발광 소자(20) 및 제 2 발광 소자(30)에 있어서의 반투명음극(15A 및 15A∼15C) 상에, 각각 캡핑층의 구성 재료를 쉐도우 마스크(shadow mask)등의 증착 마스크(19A)를 거쳐서 마스크 증착에 의해 적층하고, 상기 구성 재료로 이루어지는 제 1 층(17)을 막두께 d1으로 형성한다. 이 때, 제 1 발광 소자(20)에 있어서의 반투명음극(15A) 상에 형성된 캡핑층의 구성 재료로 이루어지는 제 1 층(17)은 다음 공정에서 윗면에 같은 재료가 더 적층되므로, 말하자면, 캡핑층의 중간층(17)으로서 형성되어 있게 된다. 한편, 제 2 발광 소자(30)에 있어서의 반투명음극(15A∼15C) 상에 형성된 캡핑층의 구성 재료로 이루어지는 층은 캡핑층(16A∼16C) 바로 그것이 된다.
다음에 도 6에 나타나 있는 바와 같이, 제 1 발광 소자(20)에 있어서의 중간층(17) 상, 및 제 3 발광 소자(40)에 있어서의 반투명음극(15C) 상에 각각 캡핑층의 구성 재료로 이루어지는 제 2 층(18)을 증착 마스크(19B)를 거쳐서 마스크 증착 에 의해 막두께 d2로 형성한다. 이 때, 제 1 발광 소자(20)에서는, 중간층(17) 상에서와 그 위에 형성된 제 2 층(18)에 의해 캡핑층(16A)이 형성된다. 한편, 제 3 발광 소자(40)에 있어서의 반투명음극(15C) 상에 형성된 제 2 층(18)은 캡핑층(16C) 바로 그것이 된다.
제 1 발광 소자(20)에 있어서의 캡핑층(16A)은, 캡핑층(17)과 그 위에 형성되는 캡핑층(18)으로 구성되므로, 캡핑층(16A)의 막두께를 dR 라고 하면, dR=d1+d2이 된다. 즉, 제 1 발광 소자(20)에 있어서의 캡핑층(16A)의 막두께는, 제 2 발광 소자(30)에 있어서의 캡핑층(16A∼16C)의 막두께 d1과, 제 3 발광 소자(40)에 있어서의 캡핑층(16C)의 막두께 d2의 합이 대략 동일하다. 단, 이 막두께의 합은 캡핑층의 막형성 조건 등에 의해 엄밀하게는 가산한 합이 되지 않을 경우도 있지만, 캡핑층(16A)의 막두께 dR에 대하여 10%이내까지 허용된다.
이렇게, 막두께가 다른 캡핑층(16A∼16C)을 2공정으로 막형성하고 있으므로, 제 1 발광 소자(20)∼제 3 발광 소자(40)에 있어서의 캡핑층(16A∼16C)의 재질이 동일하고 막두께가 다른 경우에, 각각의 캡핑층(16A∼16C)을 다른 공정으로 형성하는 경우에 비해, 막형성 공정을 간략화할 수 있고, 발광 장치의 생산성 향상에 기여하는 것이 가능해 진다.
또, 상술한 발광 소자 및 발광 장치에 있어서의 기재는, 도 4∼도6에 기초하여 설명한 발광 장치의 제조 방법에 관해서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 본 발명에 의한 적색의 발광 소자를, 다음과 같이 해서 제작했다. 우선, 스퍼터링법에 의해 기판 상에 막형성된 막두께 100ｎｍ의 Ｎｉ양극 상에, 정공주입층인 막두께 20ｎｍ의 동 프탈로시아닌(ＣｕＰｃ)을 증착법에 의해 막형성했다. 계속해서, 정공수송층인 막두께 40ｎｍ의 Ｎ, N'－디(나프탈렌-1-일)-N,N'－디페닐-벤지딘(ＮＰＢ)을 증착법에 의해 막형성했다. 그리고, 발광층인 Ａｌｑ3과, 4-(디시아노메틸렌)-2-t-부틸-6-(1,1,7,7,-테트라메틸주롤리딜-9-에닐)-4H-피란(ＤＣＪＴＢ)를 2원 증착했다. Ａｌｑ3의 막두께는 30ｎｍ이며, 체적비율에서 1%의 ＤＣＪＴＢ을 동시에 증착했다.
또한, 전자수송층인 막두께 40ｎｍ의 Ａｌｑ3과, 음극인 막두께 12ｎｍ의 Ｃａ와 막두께 12ｎｍ의 Ｍｇ을 계속해서 증착법에 의해 막형성했다. 최후에, 캡핑층인 ＣＢＰ의 막두께를 0ｎｍ∼100ｎｍ의 범위로 변경하고, 증착법에 의해 막형성했다. 또, 본 실시예는, 적색 화소형성 방법에 대해서 말하고 있지만, 녹색과 청색의 화소에 관해서는 막두께 및 재료는 다르지만, 같은 방법으로 형성한다. 적색, 녹색, 청색의 화소의 형성에 있어서는, 각각 위치를 선택해서 형성하기 때문에, 막형성 위치에 개구부를 갖는 금속 마스크를 기판에 대하여 정밀하게 위치 맞춤하고, 기판의 막형성면측에 금속 마스크를 밀착시켜서, 증착을 행하고 있다.
다른 캡핑층 막두께로 제작한 적색의 발광 소자에 대해서, 광의 인출 효율을 측정했다. 결과를 도 7에 나타낸다. 도 7로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 캡핑층의 막두께가 70ｎｍ의 경우에 가장 광인출 효율이 높고, 캡핑층이 없을 경우의 1.9배가 되었다. 캡핑층의 막두께가 50∼90ｎｍ의 경우에는, 캡핑층이 없을 경우에 비해, 광인출 효율이 1.6배 이상으로 개선하고 있고, 캡핑층의 막두께가 60ｎｍ∼80ｎｍ의 경우에는, 1.8배 이상 보다 크게 개선하고 있는 것을 알았다.
이상과 같이, 이 발명에 따른 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조 방법은 캡핑층 재료로서, 그다지 높지 않은 온도에서 안정하게 막형성할 수 있는 동시에, 청색, 녹색 및 적색 각각의 파장영역에서 흡수하지 않는 재료로 구성된 캡핑층을 구비하므로, 풀칼라 디스플레이에 적용할 수 있고, 색순도가 양호하게 선명해서 밝은 화상을 표시하고 싶은 경우에 바람직하다.
Claims (18)
- 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 상방에 배치되고 발광층을 포함해서 구성되는 유기층, 상기 유기층 상에 배치되고 상기 발광층의 광을 투과하는 제 2 전극, 상기 제 2 전극 상에 배치되고 상기 제 2 전극의 구성 재료 보다도 굴절률이 큰 재료로 이루어지는 캡핑층을 구비하고;상기 캡핑층을 구성하는 재료는 트리아릴 아민 유도체, 카르바졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체 및 트리아졸 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층을 구성하는 재료는 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상인 재료를 함유하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층을 구성하는 재료는 트리페닐아민 유도체를 함유하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층을 구성하는 재료는 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐 아미노]비페닐(ＴＰＤ), 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐 아미노]트리페닐아민(m-ＭＴＤＡＴＡ), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-ＭＴＤＡＢ), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-ＭＴＤＡＢ), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-ＭＴＤＡＢ) 및 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(ＢＰＰＭ)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층을 구성하는 재료는 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(ＣＢＰ), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(ＴＣＴＡ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸](ＴＰＢＩ), 및 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(ＴＡＺ)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캡핑층의 두께는 30ｎｍ∼120ｎｍ의 범위인 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캡핑층의 굴절률은 적어도 상기 캡핑층을 투과하는 광의 파장이 380ｎｍ∼780ｎｍ의 범위내에 있어서, 1.75 이상인 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캡핑층의 소멸계수는 적어도 상기 캡핑층을 통과하는 광의 파장이 380ｎｍ∼780ｎｍ의 범위내에 있어서, 0.12이하인 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 복수개 구비하고;상기 복수개의 발광 소자는, 제 1 발광 소자, 상기 제 1 발광 소자와는 다른 색으로 발광하는 제 2 발광 소자, 상기 제 1 및 제 2 발광 소자와는 다른 색으로 발광하는 제 3 발광 소자로 적어도 분류되고;상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층은 서로 막두께가 다른 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층은 서로 동질의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 발광 소자는 적색으로, 상기 제 2 발광 소자는 녹색으로, 상기 제 3 발광 소자는 청색으로 각각 발광하고, 상기 제 1 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dR, 상기 제 2 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dG, 및 상기 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dB는 dR>dG>dB의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 10 항에 기재된 발광장치의 제조방법으로서:상기 제 1 및 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 적층함으로써, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 중간층을, 상기 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 각각 형성하는 공정;상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 중간층 상, 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 각각 적층함으로써, 상기 제 1 및 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 형성하는 공정을 포함하고;이에 따라 상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께의 합은 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께와 대략 같은 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
- 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 상방에 배치되고 발광층을 포함해서 구성되는 유기층, 상기 유기층 상에 배치되고 상기 발광층의 광을 투과하는 제 2 전극, 상기 제 2 전극 상에 배치되고 상기 제 2 전극의 구성 재료 보다도 굴절률이 크고, 또한, 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상의 재료로 이루어지는 캡핑층을 각각 구비한 제 1 내지 제 3 발광 소자를 기판 상에 복수개 갖는 발광 장치의 제조 방법으로서:상기 제 1 및 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 적층함으로써, 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 중간층을, 상기 제 2 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 각각 형성하는 공정과;상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 중간층 상에, 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에, 상기 캡핑층의 구성 재료를 각각 적층함으로써, 상기 제 2 및 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 제 2 전극 상에 상기 캡핑층을 형성하는 공정을 포함하고;이에 따라 상기 제 1 내지 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 및 상기 제 3 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께의 합은 상기 제 1 발광 소자에 대응하는 상기 캡핑층의 두께와 대략 같은 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 발광 소자는 적색으로, 상기 제 2 발광 소자는 청색 및 녹색 중 어느 한 쪽의 색으로, 상기 제 3 발광 소자는 청색 및 녹색 중 어느 다른 쪽의 색으로, 각각 발광하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
- 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 상방에 배치되고 발광층을 포함해서 구성되는 유기층, 상기 유기층 상에 배치되고 상기 발광층의 광을 투과하는 제 2 전극, 상기 제 2 전극 상에 배치되고 상기 제 2 전극의 구성 재료 보다도 굴절률이 크고, 또한, 밴드갭이 3.2ｅＶ 이상인 재료로 이루어지는 캡핑층을 구비한 발광 소자를 복수개 갖고;상기 복수개의 발광 소자는, 적색으로 발광하는 제 1 발광 소자, 녹색으로 발광하는 제 2 발광 소자, 청색으로 발광하는 제 3 발광 소자로 분류되고;상기 제 1 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dR, 상기 제 2 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dG, 및 상기 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dB은 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dR, 상기 제 2 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dG, 및 상기 제 3 발광 소자의 상기 캡핑층의 막두께dB는 dR>dG>dB의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
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