CN106920885A - 一种oled结构及其制备方法 - Google Patents

一种oled结构及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106920885A
CN106920885A CN201510999458.7A CN201510999458A CN106920885A CN 106920885 A CN106920885 A CN 106920885A CN 201510999458 A CN201510999458 A CN 201510999458A CN 106920885 A CN106920885 A CN 106920885A
Authority
CN
China
Prior art keywords
coating
display device
light
display
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510999458.7A
Other languages
English (en)
Inventor
吴明轩
沈仕旻
林盈妃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd filed Critical EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN201510999458.7A priority Critical patent/CN106920885A/zh
Publication of CN106920885A publication Critical patent/CN106920885A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED结构及其制备方法,通过FMM于每个显示器件之上均形成覆盖层,且覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。透过不同厚度的覆盖层可调整三色的视角色偏情形,达到更高的色彩正确性,且通过FMM可以将该覆盖层蒸镀成透明半球状,形成出光增强结构,从而有效的提高了OLED结构的出光效率。且在不更改目前蒸镀机构的设计情况之下,即可透过FMM开口的设计,达到半球状有机层的镀膜。

Description

一种OLED结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED结构及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展,消费者对于影音产品的要求越来越高,对显示器厂商而言,生产高分辨率、高画质的显示器是发展方向,而有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)由于其具有自发光、高亮度、广视角、快速反应以及RGB全彩组件皆可制作等特质,已经被广泛应用于显示器中,目前OLED显示面板的应用已经进入实用化阶段,市场上已有汽车音响和移动电话使用OLED显示面板,今后OLED显示面板将广泛应用于行动产品、笔记本电脑、监视器、壁挂电视等轻薄型显示器中,且全彩化的发展将提高OLED产品的竞争力。
现今主流的OLED显示屏技术,均采用顶部发光(TopEmission)的OLED结构,利用微共振腔效应,可大幅增加发光强度,但其视角色偏情形也较为严重,且出光效率不高,这是本领域技术人员所不愿看到的。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开一种OLED结构,包括:
基板,设置有显示区和非显示区;
若干显示器件,位于所述基板的显示区,且任一所述显示器件用以发射单一颜色的光,所述若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;
其中,每个所述显示器件之上均设置有覆盖层(capping layer),且所述覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。
上述的OLED结构,其中,所述覆盖层中间高,两边低。
上述的OLED结构,其中,所述覆盖层的形状为半球形。
上述的OLED结构,其中,所述若干显示器件至少包括分别用以发射不同颜色的光的第一显示器件、第二显示器件和第三显示器件,所述第一显示器件之上设置有第一覆盖层,所述第二显示器件之上设置有第二覆盖层,所述第三显示器件之上设置有第三覆盖层;
其中,所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层的最大厚度均不相同。
上述的OLED结构,其中,所述第一显示器件发射的光的波长大于所述第二显示器件发射的光的波长,所述第二显示器件发射的光的波长大于所述第三显示器件发射的光的波长;
其中,所述第一覆盖层的最大厚度大于所述第二覆盖层的最大厚度,所述第二覆盖层的最大厚度大于所述第三覆盖层的最大厚度。
上述的OLED结构,其中,所述第一显示器件发射红光,所述第二显示器件发射绿光,所述第三显示器件发射蓝光。
上述的OLED结构,其中,所述第一覆盖层的最大厚度范围为85nm~95nm,所述第二覆盖层的最大厚度范围为70nm~80nm,所述第三覆盖层的最大厚度范围为55nm~65nm。
上述的OLED结构,其中,所述第一显示器件包括第一下电极,红色发光层和第一上电极;
所述第二显示器件包括第二下电极,绿色发光层和第二上电极;
所述第三显示器件包括第三下电极,蓝色发光层和第三上电极。
上述的OLED结构,其中,所述第一上电极、第二上电极和第三上电极为共享电极。
上述的OLED结构,其中,所述覆盖层为透明材料。
本发明还公开了一种OLED结构的制备方法,包括如下步骤:
提供一基板,于所述基板上方设置显示区和非显示区;
于所述基板的显示区设置若干显示器件,其中任一所述显示器件用以发射一种颜色的光,所述若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;
于每个所述显示器件之上均形成覆盖层,且所述覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。
上述的OLED结构的制备方法,其中,设置所述覆盖层中间高,两边低。
上述的OLED结构的制备方法,其中,设置所述覆盖层为半球形。
上述的OLED结构的制备方法,其中,所述覆盖层的制作工艺为:采用高精密金属掩模板,对所述显示器件上表面进行蒸镀,形成相背于所述显示器上表面凸起的所述覆盖层。
上述的OLED结构的制备方法,其中,所述若干显示器件的设置步骤至少包括:设置第一显示器件、设置第二显示器件和设置第三显示器件,且所述第一显示器件、所述第二显示器件和所述第三显示器件分别用以发射不同颜色的光;
于每个所述显示器件之上均形成覆盖层的步骤具体为:于所述第一显示器件之上设置第一覆盖层,于所述第二显示器件之上设置第二覆盖层,于所述第三显示器件之上设置第三覆盖层,
其中,所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层的最大厚度均不相同。
上述的OLED结构的制备方法,其中,所述第一显示器件发射的光的波长大于所述第二显示器件发射的光的波长,所述第二显示器件发射的光的波长大于所述第三显示器件发射的光的波长,且所述第一覆盖层的最大厚度大于所述第二覆盖层的最大厚度,所述第二覆盖层的最大厚度大于所述第三覆盖层的最大厚度。
上述的OLED结构的制备方法,其中,制备所述第一显示器件发射红光,制备所述第二显示器件发射绿光,制备所述第三显示器件发射蓝光。
上述的OLED结构的制备方法,其中,所述第一覆盖层最大厚度范围为85nm~95nm,所述第二覆盖层的最大厚度范围为70nm~80nm,所述第三覆盖层的最大厚度范围为55nm~65nm。
上述的OLED结构的制备方法,其中,
制备所述第一显示器件包括第一下电极,红色发光层和第一上电极;
制备所述第二显示器件包括第二下电极,绿色发光层和第二上电极;
制备所述第三显示器件包括第三下电极,蓝色发光层和第三上电极。
上述的OLED结构的制备方法,其中,所述第一上电极、第二上电极和第三上电极为共享电极。
上述的OLED结构的制备方法,其中,采用透明材料制备所述覆盖层。
上述发明具有如下优点或者有益效果:
本发明公开了一种OLED结构及其制备方法,通过FMM(FineMetal Mask,高精密金属掩模板)于每个显示器件(发射红光的第一显示器件、发射绿光的第二显示器件和发射蓝光的第三显示器件)之上均形成覆盖层,且覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。透过不同厚度的覆盖层可调整三色的视角色偏情形,达到更高的色彩正确性,且通过FMM可以将该覆盖层蒸镀成透明半球状,形成出光增强结构,从而有效的提高了OLED结构的出光效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明实施例中OLED结构的示意图;
图2是本发明实施例中OLED结构的制备方法的流程图;
图3是本发明实施例中FMM开口设计的示意图;
图4是图3中A处的局部放大图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明,但是不作为本发明的限定。
目前,根据R/G/B三色的波长不同,需要选择不同的覆盖层厚度,但现在为了量产方便起见,透过模拟,选择了R/G/B组件膜厚所需要的最小公倍数,使用CMM蒸镀覆盖层;但实际上,R/G/B三原色的视角色偏变异程度均不相同,且覆盖层制程膜厚的变异亦会使混合白光的视角色偏变得更为严重,基于上述问题,本发明提供了一种OLED结构的实施例和一种OLED结构的制备方法的实施例以解决目前OLED视角色偏情形较为严重,且出光效率不高的问题
实施例一:
本发明公开了一种OLED结构,包括:设置有显示区和非显示区的基板和位于基板的显示区之上的若干显示器件,且任一显示器件用以发射单一颜色的光,若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;其中,每个显示器件之上均设置有覆盖层,且覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。
在本发明一个优选的实施例中,上述基板为玻璃基板。
在本发明一个优选的实施例中,上述覆盖层中间高,两边低。
在此基础上,进一步的,上述覆盖层的形状为半球形。
在本发明一个优选的实施例中,上述若干显示器件至少包括分别用以发射不同颜色的光的第一显示器件、第二显示器件和第三显示器件,第一显示器件之上设置有第一覆盖层,第二显示器件之上设置有第二覆盖层,第三显示器件之上设置有第三覆盖层;其中,第一覆盖层、第二覆盖层和第三覆盖层的最大厚度均不相同。
在此基础上,进一步的,第一显示器件发射的光的波长大于第二显示器件发射的光的波长,第二显示器件发射的光的波长大于第三显示器件发射的光的波长;其中,第一覆盖层的最大厚度大于第二覆盖层的最大厚度,第二覆盖层的最大厚度大于第三覆盖层的最大厚度。
在本发明一个优选的实施例中,上述第一显示器件发射红光,第二显示器件发射绿光,第三显示器件发射蓝光。
在此基础上,进一步的,上述第一覆盖层的最大厚度范围为85nm~95nm(例如85nm、88nm、90nm或95nm等),上述第二覆盖层的最大厚度范围为70nm~80nm(例如70nm、75nm、78nm或80nm等),上述第三覆盖层的最大厚度范围为55nm~65nm(例如55nm、58nm、60nm或65nm等)。
在本发明一个优选的实施例中,上述第一显示器件包括第一下电极,红色发光层和第一上电极;
第二显示器件包括第二下电极,绿色发光层和第二上电极;
第三显示器件包括第三下电极,蓝色发光层和第三上电极。
在此基础上,进一步的,第一上电极、第二上电极和第三上电极为共享电极。
在本发明一个优选的实施例中,上述覆盖层为透明材料。
下面结合附图对本发明OLED结构作进一步的阐述:
如图1所示,本发明的OLED结构包括设置有显示区和非显示区(图中未示出)的基板1和位于基板1的显示区之上的若干显示器件,其中,任一显示器件用以发射单一颜色的光,若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;其中,每个显示器件之上均设置有覆盖层,且覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配(该显示器件发射的光的波长越长,则位于该显示器件之上的覆盖层越厚),以改善该像素单元的视角色偏情形。
具体的,在本发明的实施例中,上述若干显示器件,包括发射红光的第一显示器件、发射绿光的第二显示器件和发射蓝光的第三显示器件;进一步的,第一显示器件包括第一下电极,红色发光层21和第一上电极;第二显示器件包括第二下电极,绿色发光层22和第二上电极;第三显示器件包括第三下电极,蓝色发光层23和第三上电极(其中的上电极和下电极均未于图中标示出);优选的,第一上电极、第二上电极和第三上电极为共享电极。在本发明的实施例中,位于发射红光的第一显示器件之上设置有第一覆盖层31,位于发射绿光的第二显示器件之上设置有第二覆盖层32,位于发射蓝光的第三显示器件之上设置有第三覆盖层33;其中,第一覆盖层31的最大厚度大于第二覆盖层32,第二覆盖层32的最大厚度大于第三覆盖层33,由于红光波长大于绿光波长,而绿光波长大于蓝光波长,因此设置第一覆盖层31的最大厚度大于第二覆盖层32,第二覆盖层32的最大厚度大于第三覆盖层33使得该OLED结构可以透过不同厚度的覆盖层来调整三色的视角色偏情形,进而达到更高的色彩正确性。且在本发明一个优选的实施例中,上述第一覆盖层31、第二覆盖层32和第三覆盖层33的形状均为半球形,且覆盖层凸起的方向相背显示器件的上表面,同时上述第一覆盖层31、第二覆盖层32和第三覆盖层33均采用透明材料,从而可以有效提高发射红光的第一显示器件、发射绿光的第二显示器件和发射蓝光的第三显示器件的出光效率。
此外,该OLED结构还可包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层等膜层结构,由于这些膜层结构并非本发明改进的重点,在此便不予赘述,且并未于图1中标示出。
实施例二:
如图2所示,本发明还公开了一种OLED结构的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1,提供一基板,于基板上方设置显示区和非显示区,优选的,该基板为玻璃基板。
步骤S2,于基板的显示区设置若干显示器件,其中任一显示器件用以发射一种颜色的光,若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光。
在本发明一个优选的实施例中,具体的,上述若干显示器件的设置步骤至少包括:于基板的显示区制备第一显示器件、制备第二显示器件和制备第三显示器件,且第一显示器件发射的光的波长大于第二显示器件发射的光的波长,第二显示器件发射的光的波长大于第三显示器件发射的光的波长,优选的,制备第一显示器件发射红光,制备第二显示器件发射绿光,制备第三显示器件发射蓝光。
在此基础上,进一步的,制备第一显示器件包括第一下电极,红色发光层和第一上电极;制备第二显示器件包括第二下电极,绿色发光层和第二上电极;制备第三显示器件包括第三下电极,蓝色发光层和第三上电极。
在此基础上,进一步的,第一上电极、第二上电极和第三上电极为共享电极。
步骤S3,于每个显示器件之上均形成覆盖层,且覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配(该显示器件发射的光的波长越长,则位于该显示器件之上的覆盖层越厚)。
在本发明的一个优选的实施例中,具体的,于第一显示器件之上设置第一覆盖层,于第二显示器件之上设置第二覆盖层,于第三显示器件之上设置第三覆盖层,其中,第一覆盖层、第二覆盖层和第三覆盖层的最大厚度均不相同,由于第一显示器件发射的光的波长大于第二显示器件发射的光的波长,第二显示器件发射的光的波长大于第三显示器件发射的光的波长,制备上述第一覆盖层的最大厚度大于第二覆盖层的最大厚度,第二覆盖层的最大厚度大于第三覆盖层的最大厚度。以使得该OLED结构可以透过不同厚度的覆盖层来调整三色的视角色偏情形,进而达到更高的色彩正确性。
在本发明一个优选的实施例中,设置上述覆盖层中间高,两边低。
在此基础上,进一步的,设置上述覆盖层为半球形。
在本发明一个优选的实施例中,上述第一覆盖层的最大厚度范围为85nm~95nm(例如85nm、88nm、90nm或95nm等),上述第二覆盖层的最大厚度范围为70nm~80nm(例如70nm、75nm、78nm或80nm等),上述第三覆盖层的最大厚度范围为55nm~65nm(例如55nm、58nm、60nm或65nm等)。
在本发明一个优选的实施例中,采用透明材料制备覆盖层,从而可以有效提高显示器件的出光效率。
在本发明一个优选的实施例中,上述覆盖层的制作工艺为:采用高精密金属掩模板,对显示器件上表面进行蒸镀,形成相背于显示器上表面凸起的覆盖层。
此外,在本发明的实施例中,透过控制FMM与基板的间距,FMM开口的设计,蒸镀源限制板的蒸镀角等,可控制成膜形貌,形成半球状有机膜层(即形成半球状的覆盖层)。
下面采用具体的实验来说明本发明方案的可行性:
如图3和图4中,d1表示FMM2与玻璃基板1的间距(Glass Gap),d2表示有机膜层3(本实施例中该有机膜层为覆盖层)的膜宽,d3表示有机膜层3的有效膜宽,d4表示FMM2开口的关键尺寸(slotCD),d5表示FMM2阴影高度(shadow height),d6表示FMM2阴影宽度(shadow width),α表示蒸镀角(Taper angle)。其中线蒸镀源1(Host1)(左侧)的蒸镀入射角影响右侧膜宽和左侧有效膜宽,线蒸镀源2(Host2)(右侧)的蒸镀入射角则会影响右侧膜宽和左侧有效膜宽。
由图3和图4可知:
当有机材入射角θ小于α时:
d2=(d1+d5)*tanθ+d4+(d1+d5)*tanθ
当有机材入射角θ大于α时:
d2=(d1*tanθ+d6)+d4+(d1*tanθ+d6)
当有机材入射角θ小于或等于35°时:
d3=d4-(d5+d1)*tanθ-(d5+d1)*tanθ
当有机材入射角θ大于35°时:
d3=d4-2*[(THK+d1)*tanθ-(THK-d5)*tanα]
有效膜宽比例=(膜宽-d7*2)/膜宽
其中,THK表示FMM的厚度,d 7表示阴影效应(shadoweffect)。
具体的,具体参数值如下表:
从而可以得到:膜宽d2=42.52μm,有效膜宽d3=14.21μm,有效膜宽比例=33%。
通过上述实验可知,在不更改目前蒸镀机构的设计情况之下,可透过FMM开口的设计,达到半球状有机层的镀膜。
不难发现,本实施例为与上述OLED结构的实施例相对应的方法实施例,本实施例可与上述OLED结构的实施例互相配合实施。上述OLED结构的实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在上述OLED结构的实施例中。
综上,本发明公开了一种OLED结构及其制备方法,通过FMM于每个显示器件之上均形成覆盖层,且覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。透过不同厚度的覆盖层可调整三色的视角色偏情形,达到更高的色彩正确性,且通过FMM可以将该覆盖层蒸镀成透明半球状,形成出光增强结构,从而有效的提高了OLED结构的出光效率。且在不更改目前蒸镀机构的设计情况之下,即可透过FMM开口的设计,达到半球状有机层的镀膜。
本领域技术人员应该理解,本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例,在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容,在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例,这并不影响本发明的实质内容。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (21)

1.一种OLED结构,其特征在于,包括:
基板,设置有显示区和非显示区;
若干显示器件,位于所述基板的显示区,且任一所述显示器件用以发射单一颜色的光,所述若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;
其中,每个所述显示器件之上均设置有覆盖层,且所述覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。
2.如权利要求1所述的OLED结构,其特征在于,所述覆盖层中间高,两边低。
3.如权利要求2所述的OLED结构,其特征在于,所述覆盖层的形状为半球形。
4.如权利要求1所述的OLED结构,其特征在于,所述若干显示器件至少包括分别用以发射不同颜色的光的第一显示器件、第二显示器件和第三显示器件,所述第一显示器件之上设置有第一覆盖层,所述第二显示器件之上设置有第二覆盖层,所述第三显示器件之上设置有第三覆盖层;
其中,所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层的最大厚度均不相同。
5.如权利要求4所述的OLED结构,其特征在于,所述第一显示器件发射的光的波长大于所述第二显示器件发射的光的波长,所述第二显示器件发射的光的波长大于所述第三显示器件发射的光的波长;
其中,所述第一覆盖层的最大厚度大于所述第二覆盖层的最大厚度,所述第二覆盖层的最大厚度大于所述第三覆盖层的最大厚度。
6.如权利要求5所述的OLED结构,其特征在于,所述第一显示器件发射红光,所述第二显示器件发射绿光,所述第三显示器件发射蓝光。
7.如权利要求6所述的OLED结构,其特征在于,所述第一覆盖层的最大厚度范围为85nm~95nm,所述第二覆盖层的厚度范围为70nm~80nm,所述第三覆盖层的最大厚度范围为55nm~65nm。
8.如权利要求6所述的OLED结构,其特征在于,
所述第一显示器件包括第一下电极,红色发光层和第一上电极;
所述第二显示器件包括第二下电极,绿色发光层和第二上电极;
所述第三显示器件包括第三下电极,蓝色发光层和第三上电极。
9.如权利要求8所述的OLED结构,其特征在于,所述第一上电极、第二上电极和第三上电极为共享电极。
10.如权利要求1所述的OLED结构,其特征在于,所述覆盖层为透明材料。
11.一种OLED结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板,于所述基板上方设置显示区和非显示区;
于所述基板的显示区设置若干显示器件,其中任一所述显示器件用以发射一种颜色的光,所述若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;
于每个所述显示器件之上均形成覆盖层,且所述覆盖层的厚度与该显示器件发射的光的波长相匹配。
12.如权利要求11所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,设置所述覆盖层中间高,两边低。
13.如权利要求12所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,设置所述覆盖层为半球形。
14.如权利要求11所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,所述覆盖层的制作工艺为:采用高精密金属掩模板,对所述显示器件上表面进行蒸镀,形成相背于所述显示器上表面凸起的所述覆盖层。
15.如权利要求11所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,所述若干显示器件的设置步骤至少包括:设置第一显示器件、设置第二显示器件和设置第三显示器件,且所述第一显示器件、所述第二显示器件和所述第三显示器件分别用以发射不同颜色的光;
于每个所述显示器件之上均形成覆盖层的步骤具体为:于所述第一显示器件之上设置第一覆盖层,于所述第二显示器件之上设置第二覆盖层,于所述第三显示器件之上设置第三覆盖层,
其中,所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层的最大厚度均不相同。
16.如权利要求15所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,所述第一显示器件发射的光的波长大于所述第二显示器件发射的光的波长,所述第二显示器件发射的光的波长大于所述第三显示器件发射的光的波长,且所述第一覆盖层的最大厚度大于所述第二覆盖层的最大厚度,所述第二覆盖层的最大厚度大于所述第三覆盖层的最大厚度。
17.如权利要求16所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,制备所述第一显示器件发射红光,制备所述第二显示器件发射绿光,制备所述第三显示器件发射蓝光。
18.如权利要求17所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,所述第一覆盖层最大厚度范围为85nm~95nm,所述第二覆盖层的最大厚度范围为70nm~80nm,所述第三覆盖层的最大厚度范围为55nm~65nm。
19.如权利要求17所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,
制备所述第一显示器件包括第一下电极,红色发光层和第一上电极;
制备所述第二显示器件包括第二下电极,绿色发光层和第二上电极;
制备所述第三显示器件包括第三下电极,蓝色发光层和第三上电极。
20.如权利要求19所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,所述第一上电极、第二上电极和第三上电极为共享电极。
21.如权利要求11所述的OLED结构的制备方法,其特征在于,采用透明材料制备所述覆盖层。
CN201510999458.7A 2015-12-25 2015-12-25 一种oled结构及其制备方法 Pending CN106920885A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510999458.7A CN106920885A (zh) 2015-12-25 2015-12-25 一种oled结构及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510999458.7A CN106920885A (zh) 2015-12-25 2015-12-25 一种oled结构及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106920885A true CN106920885A (zh) 2017-07-04

Family

ID=59455187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510999458.7A Pending CN106920885A (zh) 2015-12-25 2015-12-25 一种oled结构及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106920885A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108281465A (zh) * 2018-01-03 2018-07-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和显示装置
CN110444687A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法
CN110534664A (zh) * 2019-09-11 2019-12-03 昆山国显光电有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置
WO2021051836A1 (zh) * 2019-09-20 2021-03-25 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101133504A (zh) * 2005-03-24 2008-02-27 京瓷株式会社 发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法
CN102044555A (zh) * 2009-10-09 2011-05-04 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
US20130001609A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
CN203159698U (zh) * 2013-03-19 2013-08-28 昆山允升吉光电科技有限公司 一种用于制造有机发光显示器的掩模板
US20140374705A1 (en) * 2013-06-21 2014-12-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101133504A (zh) * 2005-03-24 2008-02-27 京瓷株式会社 发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法
CN102044555A (zh) * 2009-10-09 2011-05-04 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
US20130001609A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
CN203159698U (zh) * 2013-03-19 2013-08-28 昆山允升吉光电科技有限公司 一种用于制造有机发光显示器的掩模板
US20140374705A1 (en) * 2013-06-21 2014-12-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108281465A (zh) * 2018-01-03 2018-07-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和显示装置
CN110444687A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法
CN110534664A (zh) * 2019-09-11 2019-12-03 昆山国显光电有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置
WO2021051836A1 (zh) * 2019-09-20 2021-03-25 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107579171B (zh) 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
CN107887423B (zh) 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN104900684B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2016169387A1 (zh) 像素结构、掩膜板、有机电致发光显示面板及显示装置
CN206564254U (zh) 一种oled阵列基板和显示装置
CN106920885A (zh) 一种oled结构及其制备方法
CN110164938A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN105097830B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN109273621A (zh) 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
US9660000B2 (en) Organic light emitting diode (OLED) array substrate and fabricating method thereof, display device
CN106097900A (zh) 微发光二极管显示面板
CN108258018A (zh) 一种有机发光显示面板及其显示装置
US20180322832A1 (en) Image displaying methods and display devices
CN106371242B (zh) 一种显示基板、显示面板、显示装置及制作方法
CN107154415A (zh) 一种oled显示装置
CN105895663B (zh) 一种电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
CN105552104A (zh) Oled像素阵列、制备oled像素阵列的方法、oled显示面板和显示装置
CN104898369B (zh) 显示基板及其制作方法以及显示基板制作系统和显示装置
CN108878472A (zh) 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置
WO2020237432A1 (zh) 有机电致发光显示面板、色偏改善及制备方法、显示装置
CN110277434A (zh) 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN106803511A (zh) Oled显示面板
CN107864369B (zh) Led显示屏复合显示采集方法
CN107359283B (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置
CN109326630A (zh) 显示基板、显示装置及掩模板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170704

RJ01 Rejection of invention patent application after publication