KR20220037151A - 저굴절 광효율 개선층을 구비한 유기발광소자 - Google Patents
저굴절 광효율 개선층을 구비한 유기발광소자 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 낮은 굴절률을 갖는 광효율 개선층을 구비하여, 광추출 효율을 향상시켜 구동 전압 감소되어 전력 효율이 향상되고, 전류 효율이 개선된 유기발광소자에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 낮은 굴절률을 갖는 광효율 개선층을 구비하여, 광추출 효율을 향상시켜 구동 전압 감소되어 전력 효율이 향상되고, 전류 효율이 개선된 유기발광소자에 관한 것이다.
유기발광소자 (organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
이러한 유기발광소자의 구동 및 발광 원리는 다음과 같다. 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송층을 통하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송층을 통하여 발광층으로 이동하며 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤 (exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
유기발광소자의 광효율은 통상적으로 내부 발광 효율 (internal liminescnet efficiency)과 외부 발광 효율 (external liminescent efficiency)로 나눌 수 있으며, 내부 발광 효율은 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등과 같은 애노드와 캐소드 사이에 개재되는 유기층에서 얼마나 효율적으로 엑시톤 이 생성되어 광변환이 이루어지는가와 관련 있으며, 한편, 외부 발광 효율 (광추출 효율, light coupling efficiency이라고도 함)이란 유기층에서 생성된 광이 유기발광소자 외부로 추출되는 효율을 의미하는 것으로서 소재 내의 유기층에서 높은 광변환 효율을 달성하더라도 외부 발광 효율이 낮다면 유기발광소자의 전체적인 광효율은 저하될 수 밖에 없다.
이에 따라 본 발명은 유기발광소자의 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 광효율 개선층을 구비한 유기발광소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 기판, 양극, 음극 및 상기 양극 및 음극 사이에 적층되는 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 (A) 다층의 기능층;과 (B) 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer);을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명에 따른 유기발광소자의 (B) 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은,
(ⅰ) 가시광 영역에서 광흡수가 없는 것을 특징으로 한다.
(ⅱ) 하기 [수학식 1]을 만족시키는 굴절률을 갖는 것을 특징으로 한다.
[수학식 1]
상기 [수학식 1]에서, n(λ = X nm)은 파장 X nm에서의 굴절률을 나타낸다.
(ⅲ) 흡광 계수가 파장 430 nm 내지 500 nm 에서 0.1 이하를 만족하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 본 발명에 따른 유기발광소자의 (B) 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은,
(ⅳ) 3 내지 4 eV의 밴드갭 (Band gap)을 갖는 것을 특징으로 한다.
(ⅴ) 파장 470 nm 미만에서 UV 흡수하는 것을 특징으로 하며, UV 흡광도의 최대흡수 범위가 파장 280 내지 330 nm인 것을 특징으로 한다.
(ⅵ) 본 발명의 일 실시예에 의하면, 광효율 개선층 (capping layer)은 박막 두께가 100 nm일 때, 1.3 내지 1.8의 굴절률을 가질 수 있고, 바람직하게는 1.4 내지 1.6의 굴절률을 가질 수 있다.
(ⅶ) 본 발명의 일 실시예에 의하면, 광효율 개선층 (capping layer)은 박막 두께가 40 내지 150 nm일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자의 (A) 다층의 기능층 중에서 발광층은 청색 발광층, 적색 발광층 및 녹색 발광층을 포함하고, 상기 청색 발광층은 PL 스펙트럼의 피크 파장이 430 nm 내지 500 nm인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자는 기판 상에 청색, 적색 및 녹색 화소가 각각 병렬로 배치되고, 광효율 개선층 (capping layer)은 상기 청색, 적색 및 녹색 화소에 공통되게 구비된다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자의 음극은 광 투과율이 파장 430 nm 내지 500 nm에서 30 % 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 추출되는 광효율을 최적화하기 위한 광효율 개선층을 구비하여 색순도가 우수하고, 향상된 광추출 효율과 구동 전압이 감소되어 전력 효율이 향상되고, 전류 효율이 개선된 유기발광소자에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 기판, 양극, 음극, 그리고 상기 양극과 음극 사이에 적층되는 (A) 다층의 기능층과, (B) 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)이 순차적으로 구비된 상면 발광형 유기발광소자에 관한 것으로서, 하기와 같은 구성을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자에 구비되는 (A) 다층의 기능층은 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 것으로서, 상기 발광층은 청색 발광층, 적색 발광층 및 녹색 발광층을 포함한다.
특히, 본 발명에 따른 유기발광소자에서 상기 청색 발광층은, PL (Photoluminescene) 스펙트럼의 피크 파장, 즉 발광 강도가 최대인 피크를 갖는 파장이 430 nm 내지 500 nm가 되도록 하는 화합물로 구성된다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 기판 상에 청색, 적색 및 녹색 화소가 각각 병렬로 배치되고, 광효율 개선층 (capping layer)은 상기 청색, 적색 및 녹색 화소에 공통되게 구비된다.
본 발명에 따른 유기발광소자에 구비되어 (B) 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 가시광 영역, 즉 파장 430 nm 내지 500 nm의 영역에서 광흡수가 없는 것을 특징으로 한다.
또한, 하기 [수학식 1]을 만족시키는 낮은 굴절률을 갖는 것을 특징으로 한다.
[수학식 1]
상기 [수학식 1]에서, n(λ = X nm)은 파장 X nm에서의 굴절률을 나타낸다.
또한, 흡광 계수가 파장 430 nm 내지 500 nm 에서 0.1 이하를 만족하는 화합물로 구성된다.
또한, 3 내지 4 eV의 밴드갭 (Band gap)을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 파장 470 nm 미만에서 UV 흡수하는 것을 특징으로 하며, UV 흡광도의 최대흡수 범위가 파장 280 내지 330 nm인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 광효율 개선층 (capping layer)은 박막 두께가 150 nm 이하인 것이 바람직하고, 바람직하게는 40 내지 150 nm일 수 있으며, 박막 두께가 100 nm일 때, 1.3 내지 1.8의 굴절률을 가질 수 있고, 바람직하게는 1.4 내지 1.6의 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자에 구비되는 음극은 광 투과율이 파장 430 nm 내지 500 nm에서 30 % 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 상술한 특징적 조건의 광효율 개선층, 발광층 및 음극을 구비하는 것을 제외하고는 통상의 소자의 제조 방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자에 구비되는 다층의 기능층 2층 이상의 유기층이 적층된 다층 구조로서 예컨대, 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기층을 포함할 수도 있으며, 본 발명에 따른 바람직한 유기발광소자의 유기층 구조 등에 대해서는 후술하는 실시예에서 상세하게 확인할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자에서, 기판, 양극, 다층의 기능층, 음극 및 광효율 개선층(capping layer)이 구비되고, 상기 광효율 개선층은 상부 (Top emission)에 형성될 수 있다.
음극 상부 (Top emission)에 형성되는 방식은 발광층에서 형성된 빛이 음극 쪽으로 방출되는데 이 때 방출되는 빛이 본 발명에 따른 특징적 굴절률을 갖는 광효율 개선층을 통과하면서 광추출이 향상되고 이에 따라서 광효율이 상승하게 된다.
이하에서는 본 발명에 따른 유기발광소자의 일 실시예에 대하여 보다 상세히 설명하고자 한다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링 (sputtering)이나 전자빔 증발 (e-beam evaporation)과 같은 PVD (physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착하고 광효율 개선층을 구비하여 제조될 수 있다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기발광소자를 만들 수도 있다. 상기 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있다. 또한, 상기 유기층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금, 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하고, 본 발명에 따른 유기발광소자에서는 소자 정면 방향에서 광을 추출하기 위하여 광 투과율이 파장 430 nm 내지 500 nm에서 30% 이상이고, 투명/반투명인 것이 바람직하다. 이러한 음극의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금, LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니며, 전술한 30% 이상의 광 투과율을 달성하기 위하여 두께를 20 nm 이하로 하는 것이 바람직하다.
정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO (highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈 (quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 본 발명에 따른 유기발광 화합물을 이용하여 소자의 저전압 구동 특성, 발광효율 및 수명 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3), 카르바졸 계열 화합물, 이량체화 스티릴 (dimerized styryl) 화합물, BAlq, 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물, 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물, 폴리(p-페닐렌비닐렌) (PPV) 계열의 고분자, 스피로 (spiro) 화합물, 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물, Alq3를 포함한 착물, 유기 라디칼 화합물, 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명에 따른 특징을 만족하는 광효율 개선층 재료를 이용한 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
실험예
본 발명에 따른 실험예에서, 25 mm × 25 mm 크기를 갖는 Quartz glass를 세정하였다. 그 후 진공 챔버에 장착하여 베이스 압력이 1 × 10-6 torr 이상 되면 유리기판 위에 본 발명에 따른 화합물 및 비교 화합물을 각각 증착하여 광학 특성을 측정하였다.
소자 실시예 1 내지 2
본 발명에 따른 유기발광소자를 구현하는 실시예 화합물 1, 2를 유리 기판 위에 각각 60 ~ 100 nm 증착하여 굴절률을 측정하였다.
Quartz glass / 유기물 (60 ~ 100 nm)
비교예 1
비교예 1을 위한 기판은 실시예 화합물 1, 2 대신 α-NPB를 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하여 광학 특성을 측정하였다.
실험예 1 : 실험예 1 내지 2의 광학 특성
상기 실시예에 따라 제작된 기판은 Ellipsometry (Elli-SE)를 이용하여 굴절률을 측정하였다. 청색 (450 nm), 녹색 (520 nm), 적색 (630 nm)의 각 파장 영역에서 굴절률을 측정하였으며 그 결과를 하기 [표 1]에 나타내었다. 또한, 각 색의 파장 영역에서의 굴절률의 차이 (ΔB -G：청색 (450 nm)에서의 굴절률과 녹색 (520 nm)에서의 굴절률 차이; ΔG -R：녹색 (520 nm)에서의 굴절률과 적색 (630 nm)에서의 굴절률 차이; ΔB -R：청색 (450 nm)에서의 굴절률과 적색 (630 nm)에서의 굴절률 차이)를 각각 산출하여 하기 [표 2]에 나타내었다. 마지막으로, 430 nm와 480 nm에서의 굴절률 및 430 nm와 480 nm에서의 굴절률 차이 값을 하기 [표 3]에 나타내었다.
| 구분 | 굴절률 | ||
| 청색 (450 nm) | 녹색 (520 nm) | 적색 (630 nm) | |
| 실시예 1 (화합물 1) | 1.56 | 1.53 | 1.51 |
| 실시예 2 (화합물 2) | 1.62 | 1.60 | 1.57 |
| 비교예 1 (α-NPB) | 1.92 | 1.84 | 1.78 |
| 구분 | 굴절률 차이 | ||
| ΔB -G | ΔG -R | ΔB -R | |
| 실시예 1 (화합물 1) | 0.03 | 0.02 | 0.05 |
| 실시예 2 (화합물 2) | 0.02 | 0.03 | 0.05 |
| 비교예 1 (α-NPB) | 0.09 | 0.06 | 0.14 |
| 구분 | 굴절률 | ||
| n (430 nm) | n (480 nm) | △n (430 nm-480 nm) | |
| 실시예 1 (화합물 1) | 1.57 | 1.54 | 0.03 |
| 실시예 2 (화합물 2) | 1.63 | 1.61 | 0.02 |
| 비교예 1 (α-NPB) | 1.94 | 1.87 | 0.07 |
이와 같이 본 발명에 따른 실시예 화합물은 각 파장대 (450, 520, 630 nm)에서의 굴절률 값이 비교예 (α-NPB) 보다 현저히 낮으며, 각 색의 파장 영역에서의 굴절률 차이 (ΔB - G,ΔG - R,ΔB -R) 값은 모두 0.05 이하이다. 또한, 청색 파장에서의 굴절률 차이 (430-480 nm) 값이 각각 0.03, 0.02로 모두 0.05 이하의 값을 만족한다. 이는 α-NPB가 갖는 굴절률의 차이 (ΔB - G,ΔG - R,ΔB -R)인 0.09, 0.06, 0.14 보다 크게 낮은 값을 갖는다. 낮은 굴절률 값 및 각 파장 영역에서의 굴절률 차이 값이 작으면 광추출 효율 저하의 문제점이 해소되기 때문에 본 발명에 따른 화합물을 광효율 개선층에 채용할 경우 소자의 효율 최적화를 기대할 수 있다.
[화합물 1]
[화합물 2]
[α-NPB]
소자 실시예 3 내지 4
본 발명에 따른 실시예 화합물을 광효율 개선층에 채용하여, 하기와 같은 소자 구조를 갖는 청색 유기발광소자를 제작하여, 발광 효율을 포함한 발광 특성을 측정하였다.
Ag/ITO / 정공주입층 (HAT-CN, 5 nm) / 정공수송층 (TAPC, 100 nm) / 전자저지층 (TCTA, 10 nm) / 발광층 (20 nm) / 전자수송층 (201:Liq, 30 nm) / LiF (1 nm) / Mg:Ag (15 nm) / 광효율 개선층 (70 nm)
유리 기판상에 Ag를 포함하는 ITO 투명 전극에 정공주입층을 형성하기 위해 HAT-CN을 5 nm 두께로 성막하고, 이후 정공수송층은 TAPC를 100 nm로 성막하였다. 전자저지층은 TCTA를 10 nm 두께로 성막하였다. 또한, 발광층에는 호스트 화합물로 BH1, 도펀트 화합물로 BD1을 사용하여 20 nm로 공증착하였다. 추가로 전자 수송층(하기 [201] 화합물 Liq 50% 도핑) 30 nm 및 LiF 1 nm의 두께로 성막하였다. 이어서 Mg:Ag를 1:9 비로 15 nm의 성막하였다. 그리고 광효율 개선층(capping layer) 화합물로는 본 발명에 따른 유기발광소자를 구현할 수 있는 실시예 화합물 1, 2를 70 nm의 두께로 성막하여 유기발광소자를 제작하였다.
비교예 2
소자 비교예 2를 위한 유기발광소자는 상기 실시예 화합물 1, 2를 대신 α-NPB를 광효율 개선층에 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.
실험예 2: 소자 실시예 3 내지 4의 발광 특성
상기 실시예에 따라 제조된 유기발광소자는 Source meter (Model 237, Keithley)와 휘도계 (PR-650, Photo Research)를 이용하여 구동 전압, 전류 효율 및 색좌표를 측정하였고, 1,000 nit 기준의 결과값은 하기 [표 4]와 같다.
| 구분 | 광효율 개선층 | 구동전압 (V) | 발광효율 (cd/A) | 전력효율 (lm/W) | 광추출 효율 |
| 실시예 3 | 화합물 1 | 3.6 | 8.8 | 7.7 | 1.13 |
| 실시예 4 | 화합물 2 | 3.7 | 8.6 | 7.3 | 1.10 |
| 비교예 2 | α-NPB | 4.3 | 7.8 | 5.7 | 1.00 |
상기 [표 4]에 나타낸 결과를 살펴보면, 낮은 굴절률을 갖는 화합물 1, 2를 광효율 개선층으로 소자에 적용한 경우 종래 소자 (비교예 2)에 비해 광추출 효율이 10% 이상 향상된 것을 확인할 수 있다. 또한 구동 전압 감소, 전류 효율이 개선된 것을 알 수 있다. 이것은 굴절률 및 각 색의 파장 영역에서 굴절률의 차이 (ΔB -G,ΔG-R,ΔB-R) 값이 낮기 때문이며 이는 광추출 효율을 향상시켜 소자 특성이 더욱 우수해질 수 있다.
[HAT-CN]
[TAPC]
[BH1]
[BD1]
[201]
[TCTA]
[화합물 1]
[화합물 2]
[α-NPB]
Claims (13)
- 기판, 양극, 음극 및 상기 양극 및 음극 사이에 적층되는 다층의 기능층과 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)을 포함하는 유기발광소자로서,
상기 다층의 기능층은 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하고,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 가시광 영역에서 광흡수가 없는 것을 특징으로 하고, 하기 [수학식 1]을 만족시키는 굴절률을 가지며, 흡광 계수가 파장 450 nm 내지 500 nm 에서 0.1 이하인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자:
[수학식 1]
상기 [수학식 1]에서, n(λ = X nm)은 파장 X nm에서의 굴절률을 나타낸다. - 제1항에서,
상기 광효율 개선층 (capping layer)은 막 두께가 150 nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 발광층에 포함되는 화합물의 PL 스펙트럼의 피크 파장은 430 nm 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극의 광 투과율은 파장 430 nm 내지 500 nm에서 30 % 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 발광층은 청색 발광층이고, 상기 다층의 기능층은 적색 발광층과 녹색 발광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 기판 상에 청색, 적색 및 녹색 화소가 각각 병렬로 배치되고, 상기 광효율 개선층 (capping layer)은 상기 청색, 적색 및 녹색 화소에 공통되게 구비되는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 3 내지 4 eV의 밴드갭 (Band gap)을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 파장 470 nm 미만에서 UV 흡수하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 UV 흡광도의 최대흡수 범위가 파장 280 내지 330 nm인 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 박막 두께가 100 nm일 때, 1.3 내지 1.8의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 박막 두께가 100 nm일 때, 1.4 내지 1.6의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 박막 두께가 40 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 유기발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 음극 상부에 적층되는 광효율 개선층 (capping layer)은 박막 두께가 40 내지 70 nm인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
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