TWI308671B

TWI308671B -

Info

Publication number: TWI308671B
Application number: TW091123333A
Authority: TW
Inventors: Satoshi Takei; Ken-Ichi Mizusawa
Original assignee: Nissan Chemical Ind Ltd
Priority date: 2001-10-10
Filing date: 2002-10-09
Publication date: 2009-04-11
Also published as: CN1273870C; JPWO2003034152A1; US7425347B2; KR20050033528A; JP3918942B2; US20050008964A1; KR100903153B1; WO2003034152A1; CN1564968A

Description

1308671 Α7 Β7 五、發明説明（1 ) 本發明係有關新穎之抗反射膜材料用組成物，更詳細者係有關穿孔、溝道等凹凸基板上具良好塗佈控制，高度抗反射光效果，不引起與光阻層之摻混，可取得良好光阻圖案，相較於光阻，具較大之乾蝕刻速度之形成微影成像用抗反射膜者，特別是爲縮小半導體裝置之配線延緩所使用之做爲配線材料之爲導入Cu (銅）之雙波形花紋工程用抗反射膜者。先行技術中，半導體裝置之製造中，藉由使用光阻組成物之微影成像進行微細加工者。該微細加工係於聚矽氧晶圓上形成光阻組成物之薄膜，其上介著描繪半導體裝置之圖案之遮蓋圖案後，照射紫外線等活性光線、顯像後，所取得之光阻圖案做成保護膜，使聚矽氧晶圓進行蝕刻處理之加工方法者。惟，近年來半導體裝置之高集成化進步神速，所使用之活性光線亦由i線（3 65nm)往KrF激元雷射（248nm)、及ArF激元雷射（193nm)之短波長化傾向者。伴隨此由活性光線之基板之亂反射、駐波影響造成極大問題。因此，設定抗反射膜（Bottom Anti - Reflective Caating、BARC)於光阻與基板間之方法被廣泛硏討之。做爲抗反射膜者公知者有二氧化鈦、氮化鈦、氧化鉻、碳、α -聚矽氧等無機抗反射膜與吸光性物質與高分子化合物所成之有機抗反射用者。相較於前者於膜形成時務必具有真空蒸鍍裝置、CVD裝置、濺射裝置等設備，而後者則無需特別設備較佔優勢亦被加以硏討之。如：美國專利第5 9 1 9 5 9 9號明細書所載之同一分子內具有交聯反應基之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 1308671 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7 五、發明説明（2 ) 羥基與吸光基之丙烯樹脂型抗反射膜、美國專利第569369 1 號明細書所載之同一分子內具有交聯反應基之羥基與吸光基之漆用酚醛樹脂型抗反射膜等例。做爲理想之有機系抗反射膜用材料之物性者爲對於光、放射線具有大吸光度者，不會引起與光阻層之摻混者（不溶於光阻溶劑者）、塗佈時或加熱乾燥時不致由抗反射膜材料往外塗層光阻中之低分子擴散物者，相較於光阻具有較大乾鈾刻速度者等，此等示例亦載於Proc、SPIE, Vol. 3678, 800 — 809 、 Vol. 3678, 174 - 185 (1999) ， Proc 、 SPIE, Vol. 2 1 95, 225 - 229 ( 1 994)。惟，具0.1 3 // m以下微細度之LSI圖案規則時，配線延緩大之影響LSI之高速化，欲藉由現狀之LSI工程技術，發展LSI之高性能化者極爲不易。爲縮小配線延緩所使用之材料爲配線材Cu與低誘電率之層間絕緣膜者。而配線材爲由目前之A1 (鋁）變更爲Cu所導入之技術爲雙波形花紋工程。雙波形花紋工程中，相較於先前配線材A1之基板上於形態比（凹凸）較大之基板上使用抗反射膜者。做爲雙波形花紋工程用抗反射膜所要求之物性者係於穿孔周邊底層基板中可控制抗反射膜之塗佈形狀者。穿孔周邊底層基板有關控制抗反射膜之塗佈形狀爲以下2種方法、及抗反射膜者。該方法之一者爲全滿（Full - fill)型者，抗反射膜爲完全埋入穿孔，以平坦化基板之方法下可使用抗反射膜。此以接近1 〇〇%塡充抗反射膜於穿孔者宜。此法有利於微本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-5- 1308671 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（3 ) 影成像步驟。惟，不利於蝕刻步驟者。另一方法爲局部滿（Partial - fill)型者，抗反射膜爲埋入部份穿孔、覆蓋穿孔底部與穿孔周邊緣上部之表層的方法下使用抗反射膜之方法者。其中穿孔之塡充率以接近20〜80%者宜。此方法之優點因其抗反射膜材料之穿孔塡充量爲20〜80%，相較於接近1 00%之塡充量其蝕刻去除抗反射膜之步驟可於短時間內進行之利於半導體生產者。惟，該缺點係具有穿孔之基板未完全呈平坦化，因此，於抗反射效果上不利微影成像步驟。惟，相較於全滿型之抗反射膜使用主要於配線寬度 0.2 以下之集成度高之基板部份被使用者，而局部滿型之抗反射膜於配線寬度0.2 /Z m以下之集成度高之基板部份使用，無須倂用其他抗反射膜，因此，通常使用配線寬度爲0.3 // m以上低集成度之基板者。做爲該局部滿型所使用抗反射膜形成材料之要求特性者，其重點在於以一定膜厚塗佈抗反射膜時，必具有以下性能者。 (1) 塡入穿孔之抗反射膜的塡充量爲該穿孔容積之20〜 80%者宜，較佳者爲30〜70% 。 (2) 於塡入穿孔之抗反射膜中不具空氣之空隙、間隙者。 (3) 抗反射膜未附著於穿孔側壁。 (4) 藉由抗反射膜被覆穿孔邊緣上部。 (5) 無關基板上穿孔之疏密、抗反射膜之膜厚爲一定本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ~~ -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1308671 A7 __ B7 五、發明説明（4 ) 者。 (6)不引起光阻盤旋狀態。更滿足此等6個功能之抗反射膜爲必要者。特別是，以一定膜厚塗佈抗反射膜時，穿？L巾抗；s _ 膜之塡充率爲20〜80%者宜，較佳者爲30〜7〇%者，穿孔中無空氣之空隙、間隙者，以及無關基板上穿孔之疏密、抗反射膜之膜厚爲一定的抗反射膜用材料者爲必要條件做爲使用局部滿型被使用之先前抗反射膜形成材料之例者如：特開2000 - 294504號公報係於具有局部成像基體上形成光阻浮凸影像之方法者，基本上適用（a)具有約 8000以下分子量聚合物所含有之抗反射組成物層、（b)適用光阻組成物層於該抗反射組成物層、以及（c)藉由活化放射線使光阻層曝光後，形成含有顯像曝光之光阻層之光阻浮凸影像的方法被揭示之。其中，做爲理想形態者，其抗反射膜形成材料藉由聚矽氧之局部氧化後被形成後，爲具有0.8 //m寬及2 # m之中間點深度之錐狀階段約爲〇.5以上之平坦度所示方法者。惟，該公報未提及有關局部滿型使用抗反射膜形成材料時重點之塗佈抗反射膜時妨礙其效果形成空氣之空隙等者，更未記載無關基板上穿孔之疏密度而抗反射膜之膜厚爲一定者。本發明之目的係爲提供一種以一定膜厚塗佈抗反射膜時，穿孔中抗反射膜之塡充率爲20〜80%者，穿孔中未具空氣之空隙、間隙，且，無關基板上穿孔之疏密、抗反射本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

1308671 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（5 ) 膜之膜厚爲一定者，高度抗反射光效果，不與光阻層相互摻混，可取得良好之光阻圖案，相較於光阻具有較大之乾蝕刻速度之微影成像用抗反射膜者，以及提供一種形成該抗反射膜組成物用之光阻圖案形成方法者。亦即，本發明所揭示之聚合物及使用其之形成抗反射膜組成物相較適用於完全塡入用於配線寬度較狹窄基板上之穿孔後平坦化後，爲求取高度抗反射能所使用之全滿型抗反射膜者，其適用於配線寬度較寬之抗反射能同時爲求取高度乾蝕刻速度所使用之局部滿型之抗反射膜的適用爲更理想者。本發明第1觀點係含有（A)具有5000以下重量平均分子量之聚合物及（B)具有20000以上重量平均分子量之聚合物的抗反射膜形成組成物。第2觀點係聚合物（A)爲具有700〜5 000重量平均分子量之齒化雙酚A型樹脂之第1觀點所載抗反射膜形成組成物、做爲第3觀點之鹵化雙酚A型樹脂係至少由式（1): [化4] (X1) η 3

o-ch2-ch- OH

式（1) [式中，X1代表鹵原子、η爲重覆單位數1〜50整數、n2 及η3爲對於苯環之取代基幻之數者分別代表i〜3之整數本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

•ΙΊ . -8 - 1308671 Α7 Β7 式（2) 五、發明説明（6 ) ' Y爲式（2) [化5]

CH2-CH-CH2— (T )— (P) — (Μ) OH

[式中，T1代表2價之連接基、p爲碳數6 ~ 14個〇4+1) 價之芳香環基、Μ爲電子供予性基、n4爲對P之取代基Μ數之〇〜3之整數、η4爲2或3時，取代基Μ可分別爲相同或相異者。）所不之基]所代表之聚合物所成之第2觀點所載之抗反射膜形成組成物、第4觀點之聚合物（Α)爲具有600〜5 000之重量平均分子量之含鹵漆用酚醛樹脂之第1觀點所載抗反射膜形成組成物、第5觀點之含鹵漆用酚醛樹脂係至少由式（3): [化6] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

式（3) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ΟΗ (式中，Τ2代表2價之連接基、X2代表氯原子、溴原子、 η5爲重覆單位數、η6爲對於苯環之取代基X2數之1〜3整數者，Ρ爲碳數6〜14之（η7+1)價之芳香環基、Μ代表電子供予性基、η7爲0〜3之整數者、η7爲2〜3時，Μ分別爲相同或相異均可。）之具有重覆單位之聚合物的第4觀點所載抗反本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -9- 1308671 A7 B7 五、發明説明（7 ) 射膜形成組成物、第6觀點之聚合物（B)爲具有2〇〇〇〇〜200000重量平均分子量之聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯之第丨觀點至第5 觀點中任一項所載之抗反射膜形成組成物、第7觀點之聚合物（B)爲具有20000〜200000重量平均分子量之聚苯乙烯或其衍生物之第1觀點至第5觀點中任一項所載抗反射膜形成組成物、第8觀點之聚合物（A)含33.7〜83.2重量％之比例及聚合物（B)含66.3〜16.8重量％之比例之第1觀點至第7 觀點中任一項之抗反射膜形成組成物、第9觀點更含有至少具2個交聯形成官能基之交聯劑的第1觀點至第8觀點中任一項抗反射膜形成組成物、第1 〇觀點者係於高度/直徑所示形態比爲具有1以上穿？L之基板上利用被覆光阻之微影成像步驟，藉由將影像複製於基板之方法被用於半導體裝置之製造，爲局部塡充被覆光阻前之該基板穿孔所使用之第1觀點至第9觀點中任一項所載之抗反射膜形成組成物、第1 1觀點之塡充於基板上穿孔爲該穿孔容積的20〜 80%之第1 0觀點所載抗反射膜形成組成物、及第I2觀點之下記（I)步驟、（II)步驟、及（III)步驟： (I)步驟：於高度/直徑所示形態比爲具有1以上穿孔之基板上，塗佈第1觀點至第9觀點中任一項之抗反射膜形成組成物後，乾燥之後，以抗反射膜塡充該基板上穿孔本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1308671 A7 B7 五、發明説明（8 ) 容積之2 0 ~ 8 0 %的步驟、 (II) 步驟：塗佈光阻後進行乾燥之步驟，及 (III) 步驟：曝光、顯像、及蝕刻步驟所形成之基板上形成複製影像之集成電路元素之半導體裝置製造方丨去#。 [發明實施之形態] 本發明係用於含有具有5000以下重量平均分子量之聚合物（A)與具有20000以上重量平均分子量之聚合物（b) 的半導體裝置製造之微影成像步驟中之抗反射膜形成組$ 物者。該聚合物可有效用於鹵原子於主鏈者。本發明形成抗反射膜之分子量5000以下聚合物（a) f衣其所使用塗佈溶劑、溶液粘度、膜形狀等進行變動，通常以漆用酚醛樹脂、雙酚A型樹脂、聚酯樹脂、及聚酯樹脂等爲理想使用者。本發明形成抗反射膜之分子量20000以上聚合物（B) 依其所使用之塗佈溶劑、溶液粘度、膜形狀等進行變動，通常可使用丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯苯酚樹脂、及聚亞胺樹脂等。其中又以由做爲該聚合物之含鹵漆用酚醛樹脂及/或其衍生物、以及丙烯樹脂及/或其衍生物所成者爲更理想者 σ 所取得抗反射膜中之聚合物重量比例其分子量5 000以下之聚合物（A)爲33.7〜83.2重量％與分子量20000以上之聚合物（B)爲16.8〜66.3重量％者宜，較佳者爲分子本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 1308671 A7 B7 五、發明説明（9 ) 量5〇00以下聚合物（A)以500〜75.0重量％與分子量 20000以上之聚合物（B)以25.0〜50.0重量％者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明抗反射膜形成組成物係含有該聚合物與溶媒後，更可含有交聯劑、其他添加劑等者。本發明抗反射膜形成組成物之固形份爲1 ~ 5〇重量％者。做爲該聚合物含量者爲總組成物100重量份之0.1〜50重量份者宜，更佳者爲1〜 3〇重量份者。本發明之聚合物可爲無規共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物均可。本發明形成抗反射膜聚合物可藉由原子團聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等方法進行合成之。其形態可以溶液聚合、懸浮聚合、乳化聚合、塊狀聚合等各種方法。聚合物（A)可使用具有7〇0〜5000重量平均分子量之鹵化雙酚A型樹脂者。鹵化雙酚A型樹脂以至少以式（1)所示之聚合物者爲宜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製鹵化雙酚A型樹脂可藉由鹵化雙酚A與環氧氯丙烷相互縮聚後可合成之。鹵化雙酚A如：四溴雙酚A、四氯雙酚A 例，做爲市販品例者如：鹵含量爲46〜52% 、環氧基當量爲3 3 0〜700g /eq者可輕易取得。鹵化雙酚A型樹脂之末端有環氧基，該環氧基至少一方可使與環氧基反應之化合物進行反應者。做爲此鹵化雙酚A型樹脂之末端結構者以具有吸光部份之式（2)結構爲理想者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 1308671 A7 — ____B7 五、發明説明（10 ) 又，式（1)中，X1代表溴原子、氯原子等鹵原子者。 nl代表重覆單位數者，1〜5〇者宜，較佳者爲1〜10者。n2 及η3爲對於苯環爲鹵原子之取代者，n2及π3分別爲1〜3之數者，較佳者之η2及η3爲2者。又：式（2)中，Ρ代表碳數6〜14個（η4+1)價之芳香環基。如：苯環、萘環、蒽環等吸光性基例者。又，Μ代表電子供予性基。μ爲-OH、 - OR2、 - R2 、N (R3) (R4)或-SR4等取代基例者、R2代表碳數1〜20 個羥基、R3、R4分別爲相同或相異均可，爲氫原子或碳數1 〜20個羥基者。該Μ示例如：甲基、乙基、丁基、氫氧基、甲氧基、乙氧基、烯丙基、乙烯基及胺基等例。η4爲針對Ρ 之Μ取代數者。η4爲0〜3之整數。ιι4爲2 ~ 3時，Μ分別爲相同或相異均可。鹵化雙酚Α型樹脂兩末端之環氧基中至少一端環氧基係藉由與芳香族有機酸、芳香族胺、芳香族醇等芳香族系化合物相互反應後，務必於式（1)之Y中取得式（2)結構者。做爲此等芳香族系化合物例者可使用1種或2種以上於苯環、萘環、蒽環等芳香族環中被羧基、磺酸基、胺基、氫氧基等官能基取代之結構化合物者，此等於紫外部具有吸光性之芳香族系化合物者如：苯甲酸、苯磺酸、苯胺、苄胺、苯酚、萘羧酸、萘醋酸、萘磺酸、萘胺、萘酚、蒽羧酸、蒽磺酸、胺基蒽、羥蒽、及其衍生物例者。此等芳香族系化合物與鹵化雙酚A型樹脂相互反應後，Y部份取得式 (2)所示結構者，2價連結基之（T1)爲-O-CO-、-S02-0 ' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 1308671 A7 B7 五、發明説明（11 ) -NH-、-0-、等結構者。該芳香族系化合物中又以9 -蒽羧酸爲特別理想者，使用9 -蒽羧酸者，式（2)中（T1)代表-〇 - C0 -、 (P)代表蒽基者。鹵化雙酚A型樹脂兩末端之環氧基中一端之環氧基可與脂肪族有機酸、脂肪族醇、脂肪族胺或與水反應者。此等藉由反應後，由式（4): [化7]

中取得Υ爲式（6)：

ο-γ 式（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼ 訂 8 化 -2 c

Η ΗCIO

H2 CIZ 6 ---、式

之結構。式（6)中Z爲RC00 - 、RO

RNH H0

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製等之取代基者。唯，R代表被取代亦可之烴基者。而，藉由反應條件於鹵化雙酚A型樹脂之兩末端環氧基之任一端環氧基亦被認爲以未反應之狀態存在之。此時，式（4)中Y爲式（5): [化9] CH2~CH—CH〇\。/ 式（5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -14- 1308671 A7 B7 五、發明説明（12 ) 之結構者。因此，本發明所使用之鹵化雙酚A型樹脂於式（4)中其兩末端之Y具有式（2)、式（5)及式（6)之結構者。此等Y中，以式（2):式（5):式（6)之値做爲成式（2) 、式（5)及式（6)之重覆單位總莫耳數爲1時其分別重覆單位之莫耳數爲0.5〜1.0: 0〜0.5: 0〜0.5之範圍者宜，較佳者爲0.8〜1.0: 〇〜0.2: 0〜0.2者。本發明所使用之鹵化雙酚A型樹脂係其兩末端環氧基藉由與9 -蒽羧酸相互反應後取得具式（7): [化 10] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製結構之樹脂者宜。又，相同的亦可使用式（8) [化 11] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - 1308671 A7 B7 五、發明説明（13 )

Ο C=0 式（8) 結構之樹脂者。該鹵化雙酚A型樹脂之結構中其氫氧基與交聯劑中之交聯形成官能基相互反應後，可於抗反射膜中形成交聯結構〇於存在於鹵化雙酚A型樹脂之末端環氧基藉由反應具有吸光性之芳香族系化合物後，至少1端Y務必取得式（2)之結構。而，兩末端之Y取得式（2)結構時，一端Y爲式（2) 、另一端Y爲式（5)者，以及一端Y爲式（2)、另端γ爲式（6)者。本發明原子量大之鹵原子，特別是含有溴原子後形成抗反射膜時，雖具有高度蝕刻速度，而，形成抗反射膜材料之單位重量吸光基比例大，因此，鹵化雙酣A型樹脂中其γ 部份式（2)比例大者爲較佳者。鹵化雙酚A型樹脂係藉由四溴雙酚A等鹵化雙酚A與環氧氯丙烷等氯甲基環氧乙烷相互聚合後取得。又，聚合物（A)亦可使用具有700〜5000重量平均分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 1308671 Α7 Β7 五、發明説明（14 ) 子量之含鹵漆用酚醛樹脂者。該含鹵漆用酣醒樹脂係至少具有式（3)之重覆單位聚合物者。該含鹵漆用酚醛樹脂係於式（3)中更追加式（9): [化 12](X2) η 6 -UH2H~' 式（9)

V ? π 8 CH2~CH—CH' \〇/ ‘ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 及式（10): [化 13] 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (X2) η 6

式（1 0) (式中，X2爲氯原子、溴原子、116爲針對苯環之取代基 X2之數者、η6爲1 ~ 3之整數、ζ爲RCOO - 、RO -、 RN Η - 、ΗΟ.-等之取代基、η8、η9及η5代表式（3)、 (9)及（10)之重覆單位總莫耳數者，nS、μ及μ之和爲1 、η8爲0〜0.8、119爲0〜0.8、及η5爲0.2〜1者。）之重覆單位者。本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）

-17 - 1308671 A7 B7 五、發明説明（Ί5 ) 該含鹵漆用酣酸樹脂係準備具有式（9)所示之環氧基之鹵含有漆用酚醛樹脂後，於此使與環氧基反應之化合物進行附加反應後，變更具有式（3)及式（1〇)之重覆單位部份之方法後可輕易製造之。此等，使與環氧基反應之化合物至少使用1種生成具有式（3)及式（10)之重覆單位的樹脂者。式（3)之重覆單位爲結合吸光性物質之部份者，於式 (9)之樹脂中使吸光性物質進行附加反應後取得式（3)之重覆單位。做爲此吸光性物質者爲苯環、萘環、蒽環、芘環中被1種或2種以上羧基、磺酸基、胺基、氫氧基等官能基取代者例。又，此等更以-OR2、 - N (R3) (R4)或 -SR4 (其中R2代表1 ~ 20個烴基、R3、R4分別爲相同或相異均可、氫原子或碳數1〜20個之烴基者。）所取代亦可者〇此等吸光性物質與式（9)之環氧基相反應時，2價連結基之（T2)代表-〇 - CO - 、 - S02 - 0 - 、 - NH - 、-0 -等結構者。此吸光性物質具有羧基或可變更呈羧基之官能基者，與式（9)之環氧基反應後被連結者。此羧基或可變更呈羧基之官能基者係於存在於式（9)樹脂中之環氧基進行附加後，生成具有式（3)重覆單位之樹脂者。特別理想之吸光性物質例者如：9 -蒽羧酸例，如式（1 1): [化 14] 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

.1T

經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -18- 1308671 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（16) 1 6 式（1 1) η 1 2—civo-c 2 II 0 (惟，nl〇、nil及η12代表使構成樹脂之重覆單位總莫耳數做爲1時之各個重覆單位莫耳數者，nlO、nil及η12之總和爲 1者。nl〇爲〇 ~ 0.8、nil爲 0 〜0.8 且 η12爲 0.2 〜1.0者、π6 爲針對苯環之溴原子取代數者，爲1〜3之整數者。）所代表之樹脂者。使用9-蒽羧酸時，式（3)結構中（Τ2)代表 -0 - CO - 、（Ρ)代表蒽基者。具有式（9)之重覆單位樹脂中其具有羧基或變更呈羧基之官能基的吸光性物質進行附加反應後，生成具有式 (3)重覆單位之樹脂。此時，具有式（9)重覆單位之樹脂殘存環氧基引起水解後，亦可生成附加氫氧基之式（10) (Z= - ΟΗ)之重覆單位者。又，式（3)及式（10)之重覆單位亦爲結合交聯反應基（氫氧基）之部份。式（3 )及式（1 0)之重覆單位具有光吸光性結構單位之同時可控制與交聯劑之交聯反應速度者。亦即，變更重覆單位總莫耳數做爲1時之式（3)及式（1 0)分別重覆單位之莫耳數後，可控制交聯反應速度。式（3)、式（9)及式（1〇)中代表式（3)、式（9)

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -s

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -19· A7 1308671 _ B7 五、發明説明（17 ) 、式（10)重覆單位總莫耳數做爲1時各個重覆單位之莫耳數後，n8: n9: n5 =.0 〜0.8: 0 ~ 0.8: 0.2 ~ 1 之莫耳比、較佳者爲η8: η9: η5 = 0〜0.2: 0 ~ 0.2: 0.8〜1之吴耳比、更佳者爲η8: η9: η5 = 0 ~ 0.1: 〇〜0.1: 0.9 ~ 1之莫耳比含有者之n8 + n9 + n5 = 1之結構者。式（1 1)中爲構成樹脂重覆單位之總莫耳數爲1時之各個重覆單位莫耳數時，nlO: nil: η12 = 0〜0.8〜0〜0.8: 0.2 〜1莫耳比、較佳者爲nl〇: nil: η12 = 0〜0.2〜0〜0.2: 0.8 〜1莫耳比、更佳者爲nl〇: nil: η12 = 0〜0.1〜0〜0.1: 0.9 〜1莫耳比含有者之具有nio + nil + nl2 = 1之結構者。於具有式（9)所示環氧基之含鹵漆用酚醛樹脂中使吸光性物質進行附加反應，式（3)之重覆單位爲需要者，惟， .吸光性物質完全經過式（9)環氧基之附加反應後，式（9) 之重覆單位爲〇。由式（3)、式（9)及式（1〇)所成之結構單位係式（3)、式（9)及式（10)之重覆單位總莫耳數爲1時，即代表構成所生成樹脂之各單體重覆單位總莫耳數做成1時分別重覆單位所佔比例者。本發明中爲使用原子量大的鹵原子，特別是含溴原子之樹脂，進行塗佈含其樹脂之形成抗反射膜材料時，形成抗反射膜材料之單位重量吸光基比例大，因此，式（3)重覆單位之結構中務必大量含有之。式（9)之樹脂環氧基全部或部份附加吸光性物質後，變更呈式（3)之重覆單位之式（12)樹脂可做爲理想使用者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1308671 A7 B7 五、發明説明（18 ) [化 1 5 ] (X 2) n 6 (X 2x~^CH2hr^cH：式（1 2) η 1 4

CH2-CH-^CH2 CH2-CH-CH2-〇-C-(p)(m] 〇 OH 〇 N 7 (式中，X2爲氯原子、溴原子、n6爲針對苯環之取代基 X2取代之數者，n6爲1〜3之整數、p爲碳數6〜14個（n7 + U價之芳香環基、Μ代表電子供予性基' !!7爲〇 ~ 3之整數、η·7爲2〜3時、Μ分別爲相同或相異均可、η I3及nl 4係以構成樹脂之單體重覆單位總莫耳數做爲1時之各個單體重覆單位莫耳數。nl3&ni4之和爲！時，nl3爲0〜0.8、nl4爲0.2 〜1.0者。）又，式（12)樹脂中，於未產生水解之條件下製造後取得之式（13)樹脂者爲理想使用者。 [式 16] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

本’嫌尺度適用中_家標準（CNS )从祕（2丨公瘦〉 -21 - 1308671 Α7 Β7 五、發明説明（19) n8、n9及η5係生成樹脂中所佔式（9)、式（1〇)及式 (3)分別重覆單位比例者，不僅以-式（9)重覆單位-式（10)重覆單位-式（3)重覆單位所成結構存在之，亦可任意組合-式（9)重覆單位-式（3)重覆單位一式（10)重覆單位所成結構、-式（9)重覆單位-式（3) 重覆單位-式（3)重覆單位—式（10)重覆單位-所成結構、-式(9)重覆單位-式（3)重覆單位-式（3) 重覆單位所成結構，-式（9)重覆單位 -(3)重覆單位 -式（3)重覆單位所成結構者，而，總樹脂中，η8: η9: η5 = 0〜0.8: 0〜0.8: 0.2〜1之莫耳比存在時，任何結構均許可〇該式（3)樹脂係於丙二醇單甲醇、或丙二醇單甲醚醋酸酯等溶媒中使式（9)樹脂與吸光性物質使用苄基三乙銨氯化物、或四甲銨羥基等觸媒後，於100〜13CTC，常壓下，進行反應12〜48小時後被合成之。本發明所使用之聚合物（Β)爲具有20000以上重量平均分子量者。聚合物（Β)可結合相當於該Ρ之吸光性物質者，如於具有縮水甘油基結構單位上進行附加相當於該Ρ之吸光性物質反應後可做成具有吸光性部位之聚合物（Β)者。惟，聚合物（Β)未必一定具有吸光部位者。聚合物（Β)務必具有氫氧基等交聯形成官能基者，藉由具氫氧基之單體聚合，藉由反應後聚合具有生成氫氧基之官能基單體後可取得。聚合物（Β)可使用具有20000〜200000重量平均分子本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 1308671 A7 B7 五、發明説明（20 ) 量之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 聚合物（B)之聚（甲基）丙烯酸酯例可使用具有羥基烷基之聚（甲基）丙烯酸酯，具環氧基之聚（甲基）丙烯酸酯者。如：單獨聚合羥甲基丙烯酸甲酯、羥甲基丙烯酸乙酯、羥甲基丙烯酸丙酯、羥甲基丙烯酸丁酯、羥甲基丙烯酸戊酯、羥基甲基丙烯酸苯酯、羥丙基丙烯酸酯、縮水甘油基丙烯酸酯、縮水甘油基甲基丙烯酸酯等者，共聚此等2種以上單體者而取得之。又，本發明所使用之聚合物（B)爲具有20000〜 200000之重量平均分子量之聚苯乙烯或其衍生物例。此等樹脂中可使用具有可形成交聯劑與交聯結合之氫氧基等官能基之聚羥基苯乙烯等者。

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製聚合物（B)亦可共聚此以外之單體，藉由此進行交聯反應速度、乾蝕刻速度、反射率等之微調整。做爲此共聚單體者如下例。如：具有1個選自丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、延胡索酸、丙烯酸酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯醯胺類、烯丙基化合物、乙烯醚類、乙嫌酯類、苯乙烯類、巴豆酸酯類等附加聚合性不飽和鍵之化合物。做爲丙烯酸酯類者如：烷基碳原子數爲1〜10之院基丙烯酸酯例。做爲甲基丙烯酸酯類者如：烷基碳原子數爲1〜10之院基甲基丙烯酸酯例者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -23- 1308671 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（21 ) 做爲丙烯醯胺類之例者如：丙烯醯胺、N-烷基丙烯醯胺、N-芳基丙烯醯胺、N, N-二烷基丙烯醯基、N，N-芳基丙烯醯胺、N-甲基-N-苯基丙烯醯胺、N-2 -乙醯胺乙基— N-乙醯丙烯醯胺等例。做爲甲基丙烯醯胺類之例者如：甲基丙烯醯胺、N-烷基甲基丙烯醯胺、N-芳基甲基丙烯醯胺、Ν,Ν-二烷基甲基丙烯醯胺、Ν，Ν-二芳基甲基丙烯醯胺'Ν-甲基-Ν-苯基甲基丙烯醯胺、Ν-乙基-Ν-苯基甲基丙烯醯胺等例。做爲乙烯醚類之例者如：烷基乙烯醚、乙烯芳基醚之例者。做爲乙烯酯類之例者如：乙烯丁酸酯、乙烯異丁酸酯、乙烯三甲基乙酸酯例者。做爲苯乙烯類之例者如：苯乙烯、烷基苯乙烯、烷氧基苯乙烯、鹵化苯乙烯、羧基苯乙烯例者。做爲巴豆酸酯類之例者如：巴豆酸丁酯、巴豆酸己醋、甘油單巴豆酸酯等巴豆酸烷酯例者。又，如：衣康酸二烷酯類、馬來酸或延胡索酸之二院酯類或單烷酯類、馬來酸酐縮亞胺、丙烯腈、甲基丙烯腈、馬來醯腈等例。此外，通常只要附加聚合性不飽和化合物即可使用之。本發明之形成抗反射膜組成物可含有至少具2個交聯形成官能基之交聯劑者。做爲該交聯劑者如：蜜胺系 '取代尿素系、環氧基含有之聚合物系等例者。較佳者爲甲氧基甲基化二醇尿基、或甲氧基甲基化蜜胺等化合物，特別埋 :本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） "~~· ~~^ -24- (請先闖讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂

1308671 A7 _________B7 _ 五 '發明説明（22 ) 想者爲四甲氧基甲基二醇尿基、或六甲氧基甲基蜜胺。交聯劑之添加量依其所使用塗佈溶劑，所使用底層基板，所要求溶液粘度，所要求膜形狀等而變動，而，通常爲100重量份總組成物之0.001〜20重量份者，較佳者爲0.01〜10重量份，更佳者爲0.1〜5.0重量份。本發明抗反射膜組成物中做爲促進交聯反應之觸媒例者可配合P-甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸、吡啶鐵p -甲苯磺酸、水楊酸、磺基水楊酸、檸檬酸、苯甲酸、羥基苯甲酸等酸性化合物或/及、2,4,4,6 -四溴環己二烯酮、苯偶因對甲苯磺醯酸酯、2 -硝基苄基對甲苯磺醯酸酯等熱酸產生劑者。配合量爲1〇〇重量份固形份之〇.〇2〜10重量份，較佳者爲0.04〜5重量份者。本發明形成抗反射膜組成物中，除上記，必要時更可添加吸光劑、液流性調整劑、粘合補助劑、界面活性劑等者。更做爲吸光劑之例者如：「工業用色素之技術與市場」（CMC出版）、「染料便覽」（有機合成化學協會編）所載之市販吸光劑，如：C. I. Disperse Yellow 1，3，4, 5, 7, 8, 1 3, 23, 3 1, 49, 50, 5 1, 54, 60, 64, 66, 68, 79, 82, 88, 90, 93，102，114及 124; C. I. Disperse Orange 1，5，13，25，.29，30, 31，44，57，72及 73; C. I. Disperse Red 1，5，7，13，17，19，43, 50，54，58，65，72, 73，88，117，137，143，199及210;已1· Disperse Violet 43; C. I. Disperse Blue 96; C. I. Fluorescent Brightening Agent 112，135及 163; C. I. Solvent Orenge 2及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25 - 1308671 A7 __B7 五、發明説明（23 ) 45; C. I. Solvent Red 1， 3， 8， 23， 24， 25， 27及 49; C. I. Pigment Green 10; C· I. Pigment Brown 2等可適用之。該吸 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 光劑通常爲1 00重量份總組成物之1 0重量份以下，較佳者爲5 重量份以下之比例進行配合之。液流性調整劑主要爲提昇形成抗反射膜組成物之流動性，特別是於烘烤步驟中，爲提昇對於穿孔內部形成抗反射膜組成物之塡充性目的下所添加者。具體例如：二甲基丁酸酯、二乙基丁酸酯、二異丁基丁酸酯、二己基丁酸酯、丁基異癸基丁酸酯等酞酸衍生物、二正丁基己二酸酯、二異丁基己二酸酯、二異辛基己二酸酯、辛基癸基己二酸酯等之己二酸衍生物、二正丁基馬來酸酯、二乙基馬來酸酯、二壬基馬來酸酯等馬來酸衍生物、甲基油酸酯、丁基油酸酯、四氫糠基油酸酯等油酸衍生物、或正丁基硬脂酸酯、甘油基硬脂酸酯等硬脂酸衍生物例。此等液流性調整劑通常爲100重量份微影成像用抗反射膜總組成物之30重量份以下之比例進行配合之。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製粘著補助劑主要提昇基板或光阻與形成抗反射膜組成物相互之密合性，特別是於顯像中爲使光阻不剝離之目的下所添加者。具體例如：三甲基氯矽烷、二甲基乙烯氯矽烷、甲基二苯基氯矽烷、氯甲基二甲基氯矽烷等氯矽烷類、三甲基甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、二甲基乙烯乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等烷氧基矽烷類、六甲基二矽氨烷、N, Ν’ -雙（三甲基矽烷基）尿、二甲基三甲基矽烷基胺、三本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -26- 1308671 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（24 ) 甲基砂院基咪π坐等Ϊ夕氨院類、乙烯二氯砂院、T -氯丙基三甲氧基矽烷、r -胺基丙基三乙氧基矽烷、r -環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷等矽烷類、苯並三唑、苯並咪唑、吲唑、咪唑、2 -氫硫基苯咪唑、2 -氫硫基苯並噻唑、2 -氫硫基苯並噁唑、尿唑、硫代脲嘧啶、氫硫基咪唑、氫硫基嘧啶等之複環狀化合物、1，1 -二硫代脲、1, 3 -二甲基脲等尿素、或硫代脲化合物例者。此等粘著補助劑爲 1 〇〇重量份微影成像用抗反射膜總組成物之5重量份以下，較佳者爲2重量份以下之比例進行配合之。本發明形成抗反射膜組成物中，爲不產生穿孔、衝擊等提昇對表面斑點之塗佈性，可配合界面活性劑使用之。做爲界面活性劑例者如：聚環氧乙烷月桂醚、聚環氧乙烷硬脂醚、聚環氧乙烷鯨蠘醚、聚環氧乙烷油醚等聚環氧乙烷醚類、聚環氧乙烷辛基苯酚醚、聚環氧乙烷壬基苯酚醚等聚環氧乙烷烷基烯丙醚類、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷嵌段共聚物類、山梨聚糖單月桂酸酯、山梨聚糖單棕櫚酸酯、山梨聚糖單硬脂酸酯、山梨聚糖單油酸酯、山梨聚糖三油酸酯、山梨聚糖三硬脂酸酯等山梨聚糖脂肪酸酯類、聚環氧乙烷山梨聚糖單月桂酸酯、聚環氧乙烷山梨聚糖單棕櫚酸酯、聚環氧乙烷山梨聚糖單硬脂酸酯、聚環氧乙烷山梨聚糖三油酸酯、聚環氧乙烷山梨聚糖三硬脂酸酯等聚環氧乙院山梨聚糖脂肪酸酯等非離子系界面活性劑、F Top EF 301、EF 3 03、EF 3 52 ((股份）tokemproducts製）、 megafatuk R〇8、R30、LS - 14 (大日本油墨化學（股份） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼ 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29<7公釐） -27- 1308671 A7 B7 五、發明説明（25 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 製）、flowlade FC 43 0、FC 431 (住友 3M (股份）製）、 Asahi gade AG 710、Suflon S - 382、SC 101、SC 102、SC 103、SC 104、SC 105、SC 106 (旭硝子（股份）製）等氟系界面活性劑、有機矽氧烷聚合物KP 34 1 (信越化學工業（股份）製）等例。此等界面活性劑之配合量爲本發明1 00重量份總組成物之1重量份以下者宜，較佳者爲〇. 5重量份以下。此等界面活性劑可單獨進行添加，亦可以2種以上組合進行添加之。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明做爲溶解該樹脂之溶劑者可使用乙二醇單甲醚、乙二醚單乙醚、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、丁酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基醋酸乙酯、羥基醋酸乙酯、2-羥基 -3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3 -乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯，等者。此等有機溶劑可以單獨使用，亦可以2種以上組合使用之。更可混合丙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚乙酸酯等高沸點溶劑後使用之。此等溶劑中又以丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、及環己酮對於提昇橋味性爲較佳者。本發明中做爲塗佈於抗反射膜層之光阻可使用負型、本紙張尺度顧t顚家辦^ ( CNS ) A视格（210X297公釐）一 -28- 1308671 A7 B7 五、發明説明（26 ) 正型之任意者，有漆用酚醛樹脂與1, 2 -萘醌二疊氮磺酸所成之正型光阻，藉由光酸產生劑與酸分解後，具有提昇鹼溶解速度之基的粘合劑所成之化學增幅型光阻、鹼可溶性粘合劑與光酸產生劑與酸分解後提昇光阻之鹼溶解速度之低分子化合物所成之化學增幅型光阻、光酸產生劑與酸分解後具有提昇鹼溶解速度之基的粘合劑與酸分解後提昇光阻之鹼溶解速度的低分子化合物所成化學增幅型光阻等者，如：Shiply公司製，商品名APEX- E例者。做爲本發明具有使用形成抗反射膜組成物所形成之形成微影成像用抗反射膜之正型光阻顯像液者可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、甲基矽酸鈉、氨水等無機鹼類、乙胺、正-丙胺等之伯胺類、二乙胺、正-正丁胺等之仲胺類、三乙胺、甲基二乙胺等之叔胺類、二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺類、四甲銨氫氧化物、四乙銨氫氧化物、膽鹼等季銨鹽、吡略、六氫化吡啶等環狀胺類等之鹼類水溶液。更可於該鹼類水溶液中適量添加異丙醇等醇類、非離子系等界面活性劑後使用之。其中又以季胺鹽爲理想之顯像液，更佳者爲四甲銨氫氧化物、及膽鹼者〇使用本發明抗反射膜材料之半導體裝置製造方法爲以下（I)步驟、（II)步驟及（III)步驟： (I)步驟：於高度/直徑所示形態比爲具有1以上穿孔之基板上進行塗佈該形成抗反射膜組成物，乾燥後，以抗反射膜進行塡充該基板上穿孔容積之20〜80%，較佳者本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 2的公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- 1308671 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（27 ) 爲30〜70之步驟、 (II) 步驟：塗佈光阻後，進行乾燥之步驟，以及 (III) 步驟：進行曝光、顯像、及蝕刻之步驟，更於基板上複製影像後形成集成電路元素之步驟者。做爲塗佈抗反射膜組成物後之烘烤條件者爲8 0〜2 5 01：下進行1〜1 2 0分鐘者。如上述，本發明形成抗反射膜材料其高度/直徑所示形態比爲1以上，通常於具有1〜5 0之形態比穿孔之基板上被覆光阻後利用微影成像步驟後於基板上藉由複製影像之方法後，於半導體裝置之製造中被使用之，爲使被覆光阻前該基板之穿孔進行部份塡充時使用之。又，本發明形成抗反射膜組成物係於交聯反應基之羥基附近藉由附加具較大原子體積之鹵素後，可控制交聯反應速度。以交聯反應速度變小之芳香族烴基取代鹵原子附加於交聯反應基附近之形成抗反射膜組成物相較於光阻其欲取得較大乾蝕刻速度者較爲困難。使用該含鹵樹脂之形成抗反射膜組成物可控制交聯反應速度，取得高度平坦性之同時更可減少組成物中碳原子濃度，因此，相較於光阻，具有可取得較大乾蝕刻速度之特性。又，本發明形成抗反射膜組成物其吸光部連結於高分子樹脂側鏈，因此，加熱乾燥時無往光阻之擴散物，且其吸光部具有極大吸光係數，抗反射光效果大，更且，含於吸光部之芳香環等環狀碳之含有率（重量分率）小，進而提高吸光度，吸光部添加量再多亦不致降低乾鈾刻速度。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格ΰΐ〇Χ29<7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-30- 1308671 A7 B7 五、發明説明（28 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 更且，本發明形成抗反射膜組成物藉由步騾條件，可做爲具有抗光反射之功能，更用於防止基板與光阻相互作用或用於光阻之材料或對光阻曝光時所產生之物質具有防止對於基板不良影響之功能的膜者。又，本發明抗反射膜塗佈性做爲更具良好平坦化性之膜使用時，稍降低光吸收性聚合物之玻璃轉移溫度（Tg) 後，烘烤時引起些許流動，完全固化後對於光阻溶劑呈不溶之方法例者。因此，藉由光吸光性聚合物之熱後被考量稍降低交聯機能者。達成此平坦化機能時，可考量光吸收性聚合物聚合度、組成物中之光吸收性聚合物濃度、重覆單位取代基之選擇、及共聚用單體之選擇，添加成份之選擇等各種方法。 [實施例] 以下藉由本發明進行本發明更詳細說明° [合成例1] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製準備含有鹵素之漆用酚醛樹脂（日本化藥（股份）製、商品名BreN-3 04)。重量平均分子量爲900、結構爲式（1 4 )所示者。 [化 17] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 五、發明説明（29

CH2-CH—ch2 ch ch_ch ch ch__ch 1308671 A7 B7 式（1 4) v V V ‘ 將100. Og該含鹵素漆用酚醛樹脂溶於251.3g之丙二醇單甲醚後，添加67.6g 9 -蒽羧酸及1.05g苄基三乙銨氯化物。於100°C下進行反應24小時。進行取得聚合物之GPC 分析後，以標準聚苯乙烯換算後，重量平均分子量爲1900者。取得樹脂之結構爲式（1 5)所示者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) [化 18]

CH2-CH—CH \〇/ 式（1 5) CH2-CH-CH2-〇-c OH δ

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製式（15)中，總聚合物中之η8: η5莫耳比爲5: 95者。而，η6之値爲1.7者。 [合成例2] 將26g甲基丙烯酸縮水甘油酯單體與57g之羥丙基甲基丙烯酸酯溶於331g之丙二醇單甲醚後，於反應液中使氮進行流動30分鐘。將該反應液保持於70t下，同時添加0.8g 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X；297公釐） -32- 1308671 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（30 ) 做爲聚合啓發劑之偶氮雙異丁腈AIBN與做爲鏈轉移劑之〇.3g之1 -月桂硫酸後，於氮氣氛下進行攪拌。攪拌24小時後，進行添加0.1 g之做爲聚合停止劑之4 -甲氧基苯酚。進行取得樹脂之GPC分析後，以標準聚苯乙烯換算下重量平均分子量爲36400者。溶液中固形份爲20%者。所取得樹脂之結構爲相當於式（1 6)之甲基丙烯酸縮水甘油酯與羥丙基甲基丙烯酸酯之共聚物者，m: η = 35: 65 之莫耳比者。 [化 19]

於64g之具6.4g該取得樹脂之反應液中進行添加6.8g 9 -蒽羧酸與0.19g苄基三乙銨氯化物後，於105 t下進行反應24小時。進行取得聚合物之GPC分析後，以標準聚苯乙烯換算下重量平均分子量爲53000者。取得樹脂之結構爲式 (17)所示者。

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-33- 1308671 A7 B7 五、發明説明（31 ) [合成例3] 丙二醇中以20重量％之固形份濃度使溶解P -羥基苯乙烯單體之聚合物溶液（LANCASTER公司製）300g做爲反應液。於該反應液中使氮進行流動30分鐘。反應液保持於 70 °C下，同時進行O.lg做爲聚合啓發劑之偶氮雙異丁腈 AIBN，於氮氣氛下進行攪拌之。反應物於U蒸餾水中藉由再沈澱後過濾取得之沈澱物、乾燥之後取得粉體。進行取得聚合物之GPC分析後，以標準聚苯乙烯換算下，重量平均分子量爲2 1 000者。所取得聚合物之結構相當於式（18)之聚Ρ -乙烯苯酚。 [化 21 ] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [合成例4] 準備溴化雙酚Α型環氧基樹脂（東都化成（股份）製品 ,商品名YDB - 400)。重量平均分子量爲1200，結構爲式 (19)所示。 [化 22] 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34-

CICIC

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1308671 A7 B7 五、發明説明（32 )

式（1 9 ) 將60.0g該溴化雙酚A型環氧基樹脂溶於137.〇g丙二醇單甲醚後，進行添加31.5g之9 -蒽竣酸與i.ig爷基三乙銨氯化物。於10(TC下進行反應24小時。進行取得聚合物之GPC分析後，以標準聚苯乙烯換算下，重量平均分子量爲 Π00者。所取得樹脂結構爲式（20)所示。 [化 23]

[實施例1 ] 於35.〇g具有l3.6g該合成例〖取得漆用酚醛樹脂之溶液中混合33.9.g具有6.8g該合成例2取得之丙烯樹脂溶液， 4.5g做爲交聯劑之六甲氧基甲基蜜胺，與〇.138g做爲硬化劑之吼啶鑷P -甲苯磺酸、〇 . 3 0g做爲界面活性劑之r — 3〇 (大日本油墨化學工業股份公司製），溶於292 2g溶媒本紙ίί尺度適用中關家"( CNS ) A4規格（21()><297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-35- 1308671 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（33 ) 之乳酸乙酯、137.6g丙二醇單甲醇、及53.1g環己酮後做成4.5 %溶液，之後，利用孔徑0.1 〇 # m之聚乙烯製微濾器進行過濾後，之後再利用孔徑0.05 # m之聚乙烯製微濾器進行過濾後，調製形成抗反射膜組成物。再利用旋轉器將此溶液塗佈於聚矽氧晶圓上。於熱壓板上205 °C下進行加熱 1分鐘，形成抗反射膜（膜厚0.080 // m)。所取得抗反射膜聚合物由重量平均分子量5000以下之漆用酚醛樹脂66.7重量％與重量平均分子量20000以上丙烯樹脂33.3重量％所成之比例者。以分光偏振光橢圓計進行測定此抗反射膜後，結果於248nm之折射率η爲1.61、光學吸收係數k爲0.51者。 [實施例2] 於35.0g具有13.6g該合成例4取得雙酚A型樹脂之溶液中混合33.9g具有6.8g該合成例2取得丙烯樹脂之溶液、4.5g做爲交聯劑之六甲氧基甲基蜜胺、與〇.138g之做爲硬化劑之吡啶鑰P -甲苯磺酸、〇 . 3 〇g做爲界面活性劑之 R - 30後，溶於292.2g溶媒之乳酸乙酯、137.6g丙二醇單甲醚及53.lg之環己酮後，做成4.5%溶液，利用孔徑0.10 // m之聚乙烯製微濾器，進行過濾，再利用孔徑〇.〇5 # m之聚乙烯製微濾器過濾後，調製形成抗反射膜組成物。利用旋轉器將此溶液塗佈於聚矽氧晶圓。於熱壓板上2〇5 °C下進行加熱1分鐘後，形成抗反射膜（膜厚0.080 # m) ° 所取得抗反射膜聚合物由重量平均分子量5 〇〇〇以下之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

二一5

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36- 1308671 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（34 ) 雙酚A型樹脂66.7重量％與重量平均分子量20000以上之丙烯樹脂3 3.3重量％所成之比例者。以分光偏振光橢圓計進行測定此抗反射膜後結果2 4 8 n m之折射率η爲1. 5 9、光學吸收係數k爲0.49者。 [實施例3] 於35.0g具有13.6g該合成例1取得之漆用酚醛樹脂之溶液中進行混合33.3g具6.7g該合成例3取得聚乙烯苯酚樹脂之溶液，4.5 g做爲交聯劑之六甲氧基蜜胺、〇 . 1 3 8 g做爲硬化劑之吡啶鑰P -甲苯磺酸、0.3 0g做爲界面活性劑之R - 30後：溶於292.2g溶媒之乳酸乙酯、137.6g丙二醇單甲醚、及53.lg環己酮後，做成4.5%溶液，利用孔徑〇.1〇 //m之聚乙烯製微濾器進行過濾，再利用孔徑0.05 //m之聚乙烯製微濾器進行過濾後，調製形成抗反射膜組成物。利用旋轉器將此溶液塗佈於聚矽氧晶圓上。於熱壓板上205°C下進行加熱1分鐘後，形成抗反射膜（膜厚0.080 // m)。所取得抗反射膜聚合物由重量平均分子量5000以下之漆用酚醛樹脂66.7重量％與重量平均分子量20000以上之聚乙烯苯酚樹脂33.3重量％所成者。以分光偏振光橢圓計進行測定此抗反射膜後，結果於248nm之折射率η爲1.54、光學吸收係數k爲0.35者。 [實施例4] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

衣. 、11

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格_( 210X297公釐） -37- 1308671 A7 ____B7 五、發明説明（35 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於3 5.0g具有13.6g該合成例4取得雙酚A型樹脂之溶液中，進行混合3 3 . 3 g具有該合成例3取得之6.7g聚乙烯苯酚樹脂之溶液、4.5g做爲交聯劑之六甲氧基甲基蜜胺、〇. 13 8g做爲硬化劑之吡啶鎗p -甲苯磺酸、〇.3 Og做爲界面活性劑之R - 30後，溶於292.2g溶媒之乳酸乙酯' 137.6g之丙二醇單甲醚及53.lg之環己酮後，做成4.5 % 溶液，利用孔徑〇 . 1 0 // m之聚乙烯製微瀘器過濾後，再利用孔徑0.〇5 // m之聚乙烯製微濾器進行過瀘後，調製形成抗反射膜組成物。使用旋轉器將此溶液塗佈於聚矽氧晶圓上。於熱壓板以2〇^C進行加熱1分鐘，形成抗反射膜（膜厚 0.080 /im)。所取得抗反射膜聚合物由重量平均分子量5000以下之 66.7重量％雙酚A型樹脂與重量平均分子量20000以上之 3 3 . 3重量％聚乙烯苯酚樹脂所成之比例者。以分光偏振光橢圓計進行測定抗反射膜後，結果248nm之折射率η爲1.51、光學吸收係數k爲0.3 1者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [比較例1] 於29.7g之具有11.9g該合成例丨取得之樹脂溶液中進行混合2.76g做爲交聯劑之六甲氧基甲基蜜胺、與做爲硬化劑之0. 193g吡啶鏡P —甲苯磺酸、0.060g做爲界面活性劑之R - 3〇後，溶於".Sg溶媒之乳酸乙醑、42.8g乳酸丁酯、67.8g丙二醇單甲醚、及57.0g環己酮後，做成5.0%溶液，利用孔徑〇.1〇 // m之聚乙烯製微濾器進行 _本紙張尺度適用中"^國家標準（0阳）八4規格（210父297公着） -38- 1308671 A7 B7 五、發明説明（36 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 過濾，再利用孔徑〇.〇5 // m之聚乙烯製微濾器進行過濾後，調製形成抗反射膜組成物。使用旋轉器將此溶液塗佈於聚矽氧晶圓上。於熱壓板上，20 5 °C下進行加熱1分鐘後，形成抗反射膜（膜厚〇 · 〇 8 0 // m)。取得抗反射膜之聚合物由重量平均分子量5 〇〇〇以下之漆用酚醛樹脂1 00%所成者。以分光偏振光橢圓計進行測定此抗反射膜後結果2 4 8 n m之折射率η爲1.6 5、光學吸收係數k爲0.53者。 [比較例2] 於lOg之具有該合成例2取得樹脂2.0g之反應液中，進行混合〇.264g做爲交聯劑之六甲氧基甲基蜜胺與O.OlOg 做爲硬化劑之P-甲苯磺酸後，溶於14.48g溶媒之丙二醇單甲醚醋酸酯、及25.79g之丙二醇單甲醚後，做成4.5% 溶液之後，利用孔徑〇. 1 〇 # m之聚乙烯製微濾器過瀘後，再利用孔徑〇 . 〇 5 /2 m之聚乙烯製微濾器進行過濾之後，調經濟部智慧財產局員工消費合作社印製製形成抗反射膜組成物。利用旋轉器將此溶液塗佈於聚矽氧晶圓上。於熱板上205 °C下進行加熱1分鐘，形成抗反射膜（膜厚 0.080 //m)。取得抗反射膜聚合物由重量平均分子量20000以上之丙稀樹脂10 0 %所成者。以分光偏振光橢圓計進行測定此抗反射膜之結果，248nm之折射率η爲1.50'光學吸收係數k爲0.48 者。 [比較例3] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- 1308671 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（37 ) 於15.0g具有6.lg該合成例1取得漆用酚醛樹脂之溶液中，混合71. Og具有該合成例2取得之14.2g丙烯樹脂溶液，4.5 g做爲交聯劑之六甲氧基甲基蜜胺、〇 . 1 3 8g做爲硬化劑之吡啶嗡P -甲苯磺酸、以及0.3 Og做爲界面活性劑之R - 30後，溶於292.2g溶媒之乳酸乙酯、122.6g之丙二醇單甲醚、及53. lg環己酮後，做成4.5%溶液，利用孔徑〇.1〇 // m之聚乙烯製微濾器過濾後，再以孔徑0.05 β m 聚乙烯製微濾器進行過瀘後，調製形成抗反射膜組成物。以旋轉器塗佈此溶液於聚矽氧晶圓上。於熱壓板，205 °C下進行加熱1分鐘後，形成抗反射膜（膜厚0.080 /z m)。取得抗反射膜聚合物由重量平均分子量5 〇〇〇以下之漆用酚醛樹脂30重量％與重量平均分子量20000以上之丙烯樹脂70重量％所成者。以分光偏振光橢圓計測定此抗反射膜之結果。248nm之折射率η爲1.61、光學吸收係數k爲0.51 者。 [比較例4 ] 於45.Og之具18.〇g該合成例1取得之漆用酚醛樹脂溶液中混合14.7g具2.93g該合成例2取得之丙烯樹脂溶液、4.5g做爲交聯劑之六甲氧基甲基蜜胺與0.1 38g之做爲硬化劑吡啶嗡P -甲苯磺酸' 〇 . 3 0 g做爲界面活性劑之R - 30後，溶於292.2g溶媒之乳酸乙酯、146.6g丙二醇單甲醚及5 3 . 1 g環己酮後，做成4.5 %溶液之後，以孔徑0.10 之聚乙烯製微濾器進行過濾，再以孔徑0.05 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-40- 1308671 A7 B7 五、發明説明（38 ) // m之聚乙烯製微濾器進行過濾後調製形成抗反射膜之組成物。利用旋轉器將此溶液塗佈於聚矽氧晶圓。於熱壓板 20 5 °C下進行加熱1分鐘，形成抗反射膜（膜厚0.080 m) 〇所取得抗反射膜之聚合物由重量平均分子量5000以下之漆用酚醛樹脂86.0重量％與重量平均分子量20000以上之丙烯樹脂14.0重量％所成者。以分光偏振光橢圓計測定此抗反射膜之結果，248nm之折射率η爲1.61、光學吸收係數k 爲0.51者。藉由旋轉器將實施例1〜4、比較例1〜4取得之溶液塗佈於聚矽氧晶圓上。於熱壓板205 °C下進行加熱1分鐘後，形成抗反射膜（膜厚0.080 /zm)。將此抗反射膜浸漬於用於光阻之溶劑，如乳酸乙酯、及丙二醇單甲醚後，確定爲不溶於該溶劑者。藉由旋轉器將實施例1〜4、比較例1 ~ 4取得之溶液塗佈於聚矽氧晶圓上。於熱壓板205 °C下進行加熱1分鐘後，形成抗反射膜（膜厚0.080 // m)，測定其膜厚。於此微影成像用抗反射膜之上層藉由旋轉器進行塗佈市販之光阻溶液（shiply公司製，商品名APEX - E等）。於熱壓板上90°C 下進行加熱1分鐘，使光阻曝光後，90°C下進行1_5分鐘後曝光烘烤。使光阻顯像後，測定抗反射膜之膜厚，確定未引起實施例1 ~ 4、比較例1〜4取得微影成像用抗反射膜與光阻層相互摻混。使用旋轉器將該取得形成抗反射膜組成物溶液，塗佈本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 - 1308671 A7 B7 五、發明説明（39 ) 於具有穿孔（直徑0.20 /zm、深度1.0 #m)之聚矽氧晶圓上。於熱壓板205 t下進行加熱1分鐘，形成抗反射膜（膜厚約0.080 β m)。利用掃描型電子顯微鏡（SEM)進行觀察具有塗佈該抗反射膜穿孔之聚矽氧晶圓基板之截面形狀後，評定抗反射膜穿孔基板塗佈性。穿孔基板塗佈性係針對以下所示項目進行評定之。試驗號碼（1)係穿孔中抗反射膜塡充率（容積％ )之試驗者。評定基準爲◎ : 30 ~ 70%者、〇：20 ~ 30%及70 〜80者、X:上述以外之範圍者（亦即，未會聚於該範圍：0 〜20% 及 80 〜100% )。試驗號碼（2)於穿孔中確定是否有空氣之空隙、間隙。評定基準爲◎:無空隙、間隙、X :有空隙、間隙。試驗號碼（3)係測定附著於穿孔側壁之抗反射膜膜厚。評定基準爲◎: 20nm以下、〇：20 ~ 40nm以下、X : 40nm 以上者。試驗號碼（4)係測定穿孔邊緣上部之抗反射膜膜厚。評定基準爲◎: 40nm以下、〇：20 ~ 40nm以下' X : 20nm以下。試驗號碼（5)係測定基板上穿孔之DENSE部與ISO部中抗反射膜之膜厚差。評定基準爲◎: 40nm以下、〇：4〇〜 60nm以下' X : 60nm以上者。塡充率係依下式求取之。可使基板上穿孔完全呈平坦化時之塡充率爲100%者。塡充率=[1—(穿孔中心部之抗反射膜凹深度a)/ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -42- 1308671 A7 |---____ 五、發明説明（40 ) (穿孔之深度b)]x 100 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 所使用基板爲圖1所不之具穿孔的ISO與Dense圖案之聚矽氧晶圓基板者。ISO圖案係由穿孔中心至隔壁穿孔中心之間隔爲該穿孔直徑之3倍的圖案者。又，Dense圖案係由穿孔中心至隔壁穿孔中心之間隔爲該穿孔直徑之1倍的圖案者。穿孔深度爲1·0 # m、穿孔直徑爲0.20 // m者。 .[表 1]__—__ 試驗號碼 1 2 3 4 5 實施例1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例2 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇實施例3 ◎ ◎ ◎ 〇〇實施例4 ◎ ◎ ◎ 〇〇比較例1 X ◎ ◎ X X 比較例2 〇 X X ◎ ◎ 比較例3 〇 X 〇〇 ◎ 比較例4 X ◎ 〇 X 〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製試驗號碼1中，比較例1、及比較例4爲塡充率（容積％ )8 0〜1 0 0 %者，比較例2、及比較例3爲塡充率（容積％ ) 20〜30%者。實施例1 ~ 4被證明比比較例1〜4較能滿足要求特性者。此乃，相較於比較例1〜4之形成抗反射膜組成物其實施例1〜4之形成抗反射膜組成物之基劑聚合物爲具有特定比本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " ' -43- 1308671 A7 B7 五、發明説明（41) 率之分子量5000以下高分子與分子量20000以上高分子之混合聚合物者。 [發明效果] 本發明係以穿孔基板上之控制塗佈性做爲目的之形成抗反射膜組成物者。所取得抗反射膜不僅具基板之抗反射效果，更於鈾刻步驟、打磨步驟中可有效保護穿孔底層之材料者。本發明係提供一種具穿孔、溝道等凹凸之基板上具良好段差被覆性、相較於光阻較具大的乾蝕刻速度、高度抗反射光效果、更不與光阻產生摻混、加熱乾燥時無往光阻之擴散物、具良好高解像力及光阻膜厚依存性之抗反射膜材料用組成物、及良好形成光阻圖案之方法者。 [圖面之簡單說明] [圖1 ] 圖1係代表於具穿孔之基板上塗佈形成抗反射膜組成物狀態之截面圖者。 [符號說明] a 代表穿孔中心之抗反射膜的凹深度（// m)者。 b 代表所使用基板中最初穿孔之深度（# m)者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-口

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -44 -

Claims

(X1)

六、申請專利範圍第9 1 1 23 3 3 3號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國97年12月18日修正 1. 一種半導體裝置製造之形成微影成像用抗反射膜組成物，其特徵係含有’具有700〜重量平均分子量且至少由式（1): [化1]

式（1) [式中，X1代表鹵原子、nl爲重覆單位之數、1〜50之整數、n2及η3爲針對於苯環之取代基X1之數，分別爲1 ~ 3之整數、且，Υ爲式（2) I.----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •tT [it 2] -CH2_CH—CH2— (T 1) (Ρ) 一 (Μ) OH 式（2) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [式中，Τ1代表2價之連結基、Ρ爲碳數6〜14個（η4 + 1) 價之芳香環、Μ爲電子供予性基、η4爲針對Ρ之取代基Μ數之數者、〇〜3之整數、π4爲2或3時，取代基Μ可分別爲相同或相異者均可，]]所代表之基]所示聚合物所成之鹵化雙酚Α型樹脂或具有700〜5000重量平均分子量且至少爲具有式（3): 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A8 B8 C8 D8

1308671 六、申請專利範園 [化3] (X2) η 6 _ 式（3) η 5 CH2—CH-CH2一(T 2)—(·ρ)^Μ) OH n 7 (式中，T2代表2價之連結基、X2代表氯原子、溴原子、 n5爲重覆單位之數、n6爲針對於苯環之取代基X2之數、1 ~ 3之整數，P爲碳數6〜14個〇7 + 1)價之芳香環基、Μ爲電子供予性基、η7爲0〜3之整數、ix7爲2 ~ 3時，Μ分別爲相同或相異均可，）之重覆單位的聚合物之含鹵素之漆用酚醛樹脂所成之聚合物（Α)，與具有20000〜200000重量平均分子量且含有吸光部位、羥基烷基、或環氧基之聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯或者具有20000〜200 00 0重量平均分子量之聚羥基苯乙烯所成之聚合物（Β);其中，聚合物（Α)以 33.7〜83.2重量％及聚合物（Β)以66.3 ~ 16.8重量％的比例含有者。 2·如申請專利範圍第丨項之形成抗反射膜組成物，其中該聚合物（Α)爲具有600 ~ 5000之重量平均分子量之含鹵化漆用酚醛樹脂者。 3 .如申請專利範圍第1項之形成抗反射膜組成物，其中該組成物進一步含有具有至少2個形成交聯之官能基的交聯劑。 4.如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之形成抗反射膜組成物，其中組成物係於具有高度/直徑所示形態比本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐）_ 2 - 一 —I----------Φ------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1308671 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍爲1以上穿孔之基板上被覆光阻後利用微影成像步驟後將影像複製於基板之方法被利用於半導體裝置之製造，用於爲部份塡充被覆光阻前之該基板穿孔者。 5. 如申請專利範圍第4項之形成抗反射膜組成物，其中該對於基板上穿孔之塡充爲該穿孔容積之20 ~ 80%者。 6. —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲於下記（1) 步驟、（II)步驟及（III)步驟所成之基板上複製影像後形成集成電路元素者， (I) 步驟：於具有高度/直徑所示形態比爲1以上穿孔之基板上進行塗佈如申請專利範圍第1項至第3項中任一項形成抗反射膜組成物後，乾燥之後以抗反射膜進行塡充該基板上穿孔容積之2 0 ~ 8 0 %的步驟、 (II) 步驟：塗佈光阻後，進行乾燥之步驟， (III) 步驟：曝光、顯像、及蝕刻之步驟。 (請先閔请背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐）