WO2023228661A1 - 薬液耐性保護膜 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 150
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 146
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 133
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- -1 imidazole compound Chemical class 0.000 claims description 224
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 207
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 55
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 47
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 32
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 27
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 27
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 26
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 21
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 21
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 claims description 15
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 15
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 15
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 claims description 14
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 claims description 12
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005415 substituted alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 6
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 53
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 24
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 16
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 9
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 7
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 4
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- DCGUVLMWGIPVDP-UHFFFAOYSA-N 1,3-dipyridin-2-ylpropane-1,3-dione Chemical compound C=1C=CC=NC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=N1 DCGUVLMWGIPVDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical group CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004976 cyclobutylene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004979 cyclopentylene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 3
- 125000004980 cyclopropylene group Chemical group 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 3
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006433 1-ethyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000006438 1-i-propyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000006432 1-methyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000006439 1-n-propyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QDFXRVAOBHEBGJ-UHFFFAOYSA-N 3-(cyclononen-1-yl)-4,5,6,7,8,9-hexahydro-1h-diazonine Chemical compound C1CCCCCCC=C1C1=NNCCCCCC1 QDFXRVAOBHEBGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWAVZAMMNJMAEM-UHFFFAOYSA-N 5-ethenyl-1,3-benzodioxole Chemical compound C=CC1=CC=C2OCOC2=C1 VWAVZAMMNJMAEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNEFYCZVKIDDMS-UHFFFAOYSA-N avobenzone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)CC(=O)C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 XNEFYCZVKIDDMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960005193 avobenzone Drugs 0.000 description 2
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,4-triol Chemical compound OC1=CC=C(O)C(O)=C1 GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMHDGJOMLMDPJN-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2,2'-diol Chemical group OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1O IMHDGJOMLMDPJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N dibenzoylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YQMYTLCSAKKMDB-UHFFFAOYSA-N dodeca-3,8-diene Chemical compound CCCC=CCCCC=CCC YQMYTLCSAKKMDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,3-diol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC(O)=C21 XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-diol Chemical compound OC1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,7-diol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=CC(O)=CC=C21 ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OENHRRVNRZBNNS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,8-diol Chemical compound C1=CC(O)=C2C(O)=CC=CC2=C1 OENHRRVNRZBNNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N (3ar,4s,7r,7as)-rel-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methanoisobenzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)[C@@H]2[C@H]1[C@]1([H])C=C[C@@]2([H])C1 KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- CTSQZGJZQUVGBQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrachloro-3,6-dimethylbenzene Chemical group CC1=C(Cl)C(Cl)=C(C)C(Cl)=C1Cl CTSQZGJZQUVGBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-1,2-ethanediol Chemical compound OCC(O)C1=CC=CC=C1 PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004066 1-hydroxyethyl group Chemical group [H]OC([H])([*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CVBUKMMMRLOKQR-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbutane-1,3-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 CVBUKMMMRLOKQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAHPQISAXRFLCL-UHFFFAOYSA-N 2,4-Diaminoanisole Chemical compound COC1=CC=C(N)C=C1N BAHPQISAXRFLCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CN YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPSDMAXHNMFLRZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethanol;propan-1-amine Chemical compound CCCN.CCCN.OCCOCCO GPSDMAXHNMFLRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMRIWYPVRWEWRG-UHFFFAOYSA-N 2-(6-oxobenzo[c][2,1]benzoxaphosphinin-6-yl)benzene-1,4-diol Chemical compound OC1=CC=C(O)C(P2(=O)C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3O2)=C1 KMRIWYPVRWEWRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)CCN(CCO)CCO BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- HJXPGCTYMKCLTR-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-9,9-diethylfluorene Chemical compound C1=C(Br)C=C2C(CC)(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 HJXPGCTYMKCLTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004182 2-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(Cl)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004198 2-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(F)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- RKOOOVKGLHCLTP-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoic acid;propane-1,2,3-triol Chemical compound CC(=C)C(O)=O.OCC(O)CO RKOOOVKGLHCLTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- UCCGHLMDDOUWAF-UHFFFAOYSA-N 2-phenylimidazole-1-carbonitrile Chemical compound N#CN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 UCCGHLMDDOUWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHPBKUJGDFXDRM-UHFFFAOYSA-N 3,4-diethyl-5-(2-phenylpropan-2-yl)benzene-1,2-diamine Chemical compound CCC1=C(N)C(N)=CC(C(C)(C)C=2C=CC=CC=2)=C1CC OHPBKUJGDFXDRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBWYRMCXWROJMP-UHFFFAOYSA-N 3-(1-aminoethyl)aniline Chemical compound CC(N)C1=CC=CC(N)=C1 MBWYRMCXWROJMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDBWYUOUYNQZBM-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)aniline Chemical compound NCC1=CC=CC(N)=C1 ZDBWYUOUYNQZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 3-[(e)-dodec-1-enyl]oxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C\C1CC(=O)OC1=O WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- ANOPCGQVRXJHHD-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecan-9-yl]propan-1-amine Chemical compound C1OC(CCCN)OCC21COC(CCCN)OC2 ANOPCGQVRXJHHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018563 3-aminophenol Drugs 0.000 description 1
- 125000004179 3-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(Cl)=C1[H] 0.000 description 1
- XYUINKARGUCCQJ-UHFFFAOYSA-N 3-imino-n-propylpropan-1-amine Chemical compound CCCNCCC=N XYUINKARGUCCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLDXMFHIZNCHIB-UHFFFAOYSA-N 3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione 7a-methyl-4,5-dihydro-3aH-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1(C2C(C(=O)O1)CCC=C2)=O.CC21C(=O)OC(C2CCC=C1)=O OLDXMFHIZNCHIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Dihydroxybenzophenone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 4,4'-thiodiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=C(O)C=C1 VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFGDOQVDCBRDDP-UHFFFAOYSA-N 4-(benzenesulfonyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound NC1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 XFGDOQVDCBRDDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXEPRLUGFAULQX-UHFFFAOYSA-N 4-[2,5-di(propan-2-yl)phenyl]aniline Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(C)C)C(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 KXEPRLUGFAULQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHNUHZHQLCGZDA-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)ethyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CCC1=CC=C(N)C=C1 UHNUHZHQLCGZDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJLPIPXJJJUBIV-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-hydroxyphenoxy)phenoxy]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(O)=CC=2)=C1 CJLPIPXJJJUBIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLSMYIFSFZLJQZ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-hydroxyphenoxy)phenoxy]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 RLSMYIFSFZLJQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016467 AlCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMYVTOQOOLQHP-UHFFFAOYSA-N Malondialdehyde Chemical compound O=CCC=O WSMYVTOQOOLQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N Tert-Butylhydroquinone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=CC=C1O BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZAHJRZBUWYCBM-UHFFFAOYSA-N [1-(aminomethyl)cyclohexyl]methanamine Chemical compound NCC1(CN)CCCCC1 XZAHJRZBUWYCBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N [C].[C] Chemical group [C].[C] IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 125000002078 anthracen-1-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([*])=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000748 anthracen-2-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([H])=C([*])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N bis(hexamethylene)triamine Chemical compound NCCCCCCNCCCCCCN MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 1
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 1
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical group C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)OCC CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N isobutyronitrile Chemical compound CC(C)C#N LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005525 methide group Chemical group 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCN LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N n,n',n'-trimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound CNCCCCCCN(C)C ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N n-[2-(2-hydroxyethylamino)ethyl]-2-[[1-[2-(2-hydroxyethylamino)ethylamino]-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCNCCO QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylmethanamine Chemical compound CNCC1=CC=CC=C1 RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006609 n-nonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-diol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=C(O)C2=C1 PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3-diol Chemical compound C1=CC=C2C=C(O)C(O)=CC2=C1 JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC2=CC(O)=CC=C21 DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- 125000000636 p-nitrophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)[N+]([O-])=O 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- YWVYZMVYXAVAKS-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F YWVYZMVYXAVAKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003567 thiocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Definitions
- the present invention relates to a composition for forming a protective film that is particularly resistant to wet etching solutions for semiconductors in a lithography process in semiconductor manufacturing.
- the present invention also relates to a protective film formed from the composition, a method of manufacturing a resist patterned substrate using the protective film, and a method of manufacturing a semiconductor device.
- Patent Document 1 discloses a resist underlayer film material having resistance to alkaline hydrogen peroxide.
- the protective film When forming a protective film on a semiconductor substrate using a composition for forming a protective film and processing the underlying substrate by wet etching using the protective film as an etching mask, the protective film has a good masking function (In other words, there is a need for a method in which the masked portion can protect the substrate.
- the protective film used for the above purpose is expected to have a function as a resist underlayer film to solve problems (defects in shape, etc.) during so-called resist pattern formation.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and is a composition for forming a protective film that can form a protective film having excellent resistance to a wet etching solution for semiconductors, and the present invention provides a composition for forming a resist underlayer film. It is an object of the present invention to provide a composition that can be effectively used as a composition for.
- the present inventors conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, the inventors of the present invention contained a compound or polymer having a reactive group capable of crosslinking in the presence of a curing agent, a curing agent, and a ⁇ -dicarbonyl compound.
- the present invention was completed based on the discovery that a film obtained from a composition for forming a protective film has excellent chemical resistance.
- the present invention includes the following aspects.
- Curing agent: (C) ⁇ -dicarbonyl compound: and (D) solvent A composition for forming a protective film against a wet etching solution for semiconductors, comprising: [2] The composition for forming a protective film according to [1], further comprising (E) a compound or polymer having a phenolic hydroxy group. [3] The composition for forming a protective film according to [1] or [2], wherein the curing agent is a base.
- composition for forming a protective film according to [3], wherein the base is an imidazole compound.
- base is represented by the following formula (B1).
- R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an optionally substituted aryl group, or a bond from an optionally substituted triazine ring to a carbon atom of the triazine ring.
- R 2 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
- R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 17 carbon atoms, or an optionally substituted aryl group
- R 4 represents a hydrogen atom, a formyl group, or an optionally substituted aryl group having 1 to 17 carbon atoms.
- R A and R B are each independently an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, , an optionally substituted aryl group having 5 to 18 carbon atoms, an optionally substituted aralkyl group having 5 to 18 carbon atoms, or an optionally substituted aryloxy group having 5 to 18 carbon atoms
- R C and R D each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and an optionally substituted alkyl group having 5 to 18 carbon atoms.
- the compound (A) is a compound having no repeating structural unit, Contains a terminal group (A1), a polyvalent group (A2), and a linking group (A3),
- the terminal group (A1) is bonded only to the linking group (A3)
- the polyvalent group (A2) binds only to the linking group (A3)
- the linking group (A3) is bonded on the one hand to the terminal group (A1) and on the other hand to the polyvalent group (A2), and may optionally be bonded to another linking group (A3)
- the terminal group (A1) has any of the structures of the following formula (I), (In formula (I), * indicates a bonding site with the linking group (A3).
- the polyvalent group (A2) is -O-, aliphatic hydrocarbon group, 2 to 4 selected from the group consisting of a combination of an aromatic hydrocarbon group having less than 10 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon group, and a combination of an aromatic hydrocarbon group having 10 or more carbon atoms and -O- is the basis of valence
- the linking group (A3) represents an aromatic hydrocarbon group,
- Z 1 and Z 2 are each independently (In formula (I), * indicates a bonding site with Y 1 or Y 2 .
- Y 1 and Y 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group
- X 1 and X 2 each independently represent -Y 1 -Z 1 or -Y 2 -Z 2
- n1 and n2 each independently represent an integer from 0 to 4, provided that either one is 1 or more
- m1 defined as (X 1 )m1 represents 0 or 1
- m2 defined as (X 2 )m2 represents 0 or 1
- Q is -O-, an aliphatic hydrocarbon group, a combination of an aromatic hydrocarbon group having less than 10 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group having 10 or more carbon atoms and -O- represents a (n1+n2)-valent group selected from the group consisting of a combination of ) [11]
- Ar represents a benzene ring, naphthalene ring, or anthracene ring.
- the polymer (A) is a polymer having a unit structure represented by the following formula (1-1).
- Ar represents a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring
- R 1 is a hydroxy group, a mercapto group that may be protected with a methyl group, or an amino group that may be protected with a methyl group.
- n1 represents an integer of 0 to 3
- L 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms
- n2 represents 1 or 2
- E represents a group having an epoxy group or a group having an oxetanyl group
- composition for forming a protective film according to any one of [2] to [13], wherein the compound or polymer having a phenolic hydroxy group (E) is represented by the following formula (2-1).
- R 2 is each independently a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, Represents an amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a hydroxy group or a halogeno group.
- a 1 and A 2 are Each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a divalent organic group derived from a bicyclocyclic compound, a biphenylene group, or a divalent organic group represented by -C(T 2 )(T 3 )-; T2 is a combination thereof, and T2 is a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
- T 3 is a hydrogen atom or a formula (2-1-a) (represents a monovalent group represented by )
- * in formula (2-1-a) represents the bonding site with the carbon atom to which T 3 is bonded
- R 2 has the same meaning as R 2 in formula (2-1).
- a is 1 to represents an integer of 6.
- n3 to n5 each independently represents an integer of 0 to 2.
- r2 represents an integer of 0 to 3.
- m1 and m2 each independently represent a number of 0 to 10,000,000.
- R 3 is a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, or a carbon number 1 to 3 represents an amino group which may be substituted with an alkyl group, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a hydroxy group or a halogeno group.
- Q 1 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom , represents a sulfonyl group, a carbonyl group, an imino group, an arylene group having 6 to 40 carbon atoms, or an alkylene group
- a is an integer of 1 to 6; (n6 represents an integer from 0 to 2. r3 represents an integer from 0 to 3.) [16] Any one of [2] to [13], wherein the compound or polymer having a phenolic hydroxy group (E) is a polymer containing a unit structure represented by the following formula (3-1).
- T 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a halogeno group.
- R 4 represents a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group) substituted with a group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, an amino group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a hydroxy group or a halogeno group represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, which may be substituted.
- r4 represents an integer of 0 to 3.
- n7 represents an integer of 0 to 2.
- a protective film for a semiconductor wet etching solution which is a fired product of a coating film made of the composition for forming a protective film according to any one of [1] to [16].
- a composition for forming a resist underlayer film comprising: [19] The composition for forming a resist underlayer film according to [18], further comprising (E) a compound or polymer having a phenolic hydroxy group.
- R 2 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
- R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 17 carbon atoms, or an optionally substituted aryl group
- R 4 represents a hydrogen atom, a formyl group, or an optionally substituted aryl group having 1 to 17 carbon atoms.
- R A and R B are each independently an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, , an optionally substituted aryl group having 5 to 18 carbon atoms, an optionally substituted aralkyl group having 5 to 18 carbon atoms, or an optionally substituted aryloxy group having 5 to 18 carbon atoms
- R C and R D each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and an optionally substituted alkyl group having 5 to 18 carbon atoms.
- R A and R C together represent ( May form a ring structure.)
- the compound or polymer of (A) is a compound or polymer containing a cyclic ether having a 3-membered ring structure or a 4-membered ring structure, according to any one of [18] to [24].
- a resist underlayer film which is a fired product of a coating film comprising the composition for forming a resist underlayer film according to any one of [18] to [25].
- Use for manufacturing a semiconductor including a step of applying the composition for forming a protective film according to any one of [1] to [16] onto a semiconductor substrate having a step and baking it to form a protective film.
- a method for manufacturing a substrate with a protective film characterized in that: [28] Coating the composition for forming a protective film according to any one of [1] to [16] or the composition for forming a resist underlayer film according to any one of [18] to [25] onto a semiconductor substrate.
- It includes a step of baking and forming a protective film as a resist underlayer film, and a step of forming a resist film on the protective film, and then exposing and developing it to form a resist pattern, and is suitable for use in semiconductor manufacturing.
- a method for manufacturing a substrate with a characteristic resist pattern [29] Forming a protective film using the composition for forming a protective film according to any one of [1] to [16] on a semiconductor substrate which may have an inorganic film formed on the surface, Forming a resist pattern thereon, dry etching the protective film using the resist pattern as a mask, exposing the surface of the inorganic film or the semiconductor substrate, and using the dry etched protective film as a mask to perform wet etching for semiconductors.
- a method for manufacturing a semiconductor device including a step of wet etching and cleaning the inorganic film or the semiconductor substrate using a liquid.
- [30] Form a resist underlayer film using the composition for forming a resist underlayer film according to any one of [18] to [25] on a semiconductor substrate which may have an inorganic film formed on its surface, and forming a resist pattern on a resist underlayer film, dry etching the resist underlayer film using the resist pattern as a mask, exposing the surface of the inorganic film or the semiconductor substrate, and using the resist underlayer film after dry etching as a mask; .
- a method for manufacturing a semiconductor device including a step of etching the inorganic film or the semiconductor substrate.
- the present invention provides a composition for forming a protective film that can form a protective film with excellent resistance to wet etching solutions for semiconductors, and can also be effectively used as a composition for forming a resist underlayer film.
- a composition that can be used can be provided.
- the composition for forming a protective film of the present invention is required to have, for example, the following properties in a well-balanced manner in a lithography process in semiconductor manufacturing. (1) It has a good masking function against wet etching liquid when processing the underlying substrate, (2) It also has a low dry etching speed to reduce damage to the protective film or resist underlayer film during substrate processing, and (3) Step differences. (4) Excellent ability to embed in fine trench pattern substrates. By having these performances (1) to (4) in a well-balanced manner, microfabrication of semiconductor substrates can be easily performed.
- composition for forming a protective film against wet etching solution for semiconductors includes: (A) Compound or polymer having a reactive group capable of crosslinking reaction in the presence of a curing agent: (B) Curing agent: (C) a ⁇ -dicarbonyl compound: and (D) a solvent.
- the composition for forming a protective film of the present invention may further include (E) a compound or polymer having a phenolic hydroxy group.
- a protective film-forming composition comprising (A) a compound or polymer having a reactive group capable of crosslinking in the presence of a curing agent, (B) a curing agent, and (D) a solvent further comprises: It has been discovered that by including (C) a ⁇ -dicarbonyl compound, a protective film with better resistance to semiconductor wet etching solutions can be formed, leading to the completion of the present invention.
- the compound or polymer (A) used in the present invention is not particularly limited as long as it has a reactive group capable of crosslinking in the presence of a curing agent, and is appropriately selected depending on the purpose, but for example, It is preferable that the compound or polymer contains a cyclic ether having a 3-membered ring structure or a 4-membered ring structure.
- the cyclic ether having a three-membered ring structure includes, for example, an epoxy group.
- examples of the cyclic ether having a four-membered ring structure include an oxetanyl group. More preferable embodiments of the compound or polymer (A) include the compound shown in the first aspect below or the polymer shown in the second aspect.
- Examples of the compound (A) used in the present invention include the following compounds.
- Such a compound (hereinafter also referred to as a compound in the first embodiment) is a compound that does not have a repeating structural unit, Contains a terminal group (A1), a polyvalent group (A2), and a linking group (A3),
- the terminal group (A1) is bonded only to the linking group (A3)
- the polyvalent group (A2) binds only to the linking group (A3)
- the linking group (A3) is bonded on the one hand to the terminal group (A1) and on the other hand to the polyvalent group (A2), and may optionally be bonded to another linking group (A3)
- the terminal group (A1) has any of the structures of the following formula (I), (In formula (I), * indicates a bonding site with the linking group (A3).
- the polyvalent group (A2) is -O-, aliphatic hydrocarbon group, 2 to 4 selected from the group consisting of a combination of an aromatic hydrocarbon group having less than 10 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon group, and a combination of an aromatic hydrocarbon group having 10 or more carbon atoms and -O- is the basis of valence
- the linking group (A3) represents an aromatic hydrocarbon group, It is a compound.
- “Not having a repeating structural unit” means excluding so-called polymers having a repeating structural unit, such as polyolefin, polyester, polyamide, poly(meth)acrylate, etc.
- the weight average molecular weight of the compound (A) is 300 or more and 1,500 or less.
- the "bond” between the terminal group (A1), the polyvalent group (A2), and the linking group (A3) means a chemical bond, usually a covalent bond, but this does not preclude it from being an ionic bond. do not have.
- the polyvalent group (A2) is a divalent to tetravalent group.
- the aliphatic hydrocarbon group in the definition of the polyvalent group (A2) is a divalent to tetravalent aliphatic hydrocarbon group.
- divalent aliphatic hydrocarbon groups include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, cyclopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, and s-butylene group.
- t-butylene group cyclobutylene group, 1-methyl-cyclopropylene group, 2-methyl-cyclopropylene group, n-pentylene group, 1-methyl-n-butylene group, 2-methyl-n-butylene group, 3 -Methyl-n-butylene group, 1,1-dimethyl-n-propylene group, 1,2-dimethyl-n-propylene group, 2,2-dimethyl-n-propylene, 1-ethyl-n-propylene group, cyclo Pentylene group, 1-methyl-cyclobutylene group, 2-methyl-cyclobutylene group, 3-methyl-cyclobutylene group, 1,2-dimethyl-cyclopropylene group, 2,3-dimethyl-cyclopropylene group, 1- Ethyl-cyclopropylene group, 2-ethyl-cyclopropylene group, n-hexylene group, 1-methyl-n-pentylene group, 2-methyl-n-pentylene group,
- Trivalent and tetravalent groups are derived by removing hydrogen from arbitrary sites from these groups and converting them into bonds.
- Examples of the aromatic hydrocarbon group having less than 10 carbon atoms in the definition of the polyvalent group (A2) include benzene, toluene, xylene, mesitylene, cumene, styrene, indene, and the like.
- Examples of aliphatic hydrocarbon groups that can be combined with aromatic hydrocarbon groups having less than 10 carbon atoms include the above-mentioned alkylene groups, as well as methyl groups, ethyl groups, n-propyl groups, i-propyl groups, cyclopropyl groups, n- Butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, cyclobutyl group, 1-methyl-cyclopropyl group, 2-methyl-cyclopropyl group, n-pentyl group, 1-methyl-n-butyl group , 2-methyl-n-butyl group, 3-methyl-n-butyl group, 1,1-dimethyl-n-propyl group, 1,2-dimethyl-n-propyl group, 2,2-dimethyl-n-propyl group group, 1-ethyl-n-propyl group, cyclopentyl group, 1-methyl-cyclobutyl group, 2-methyl-cyclo
- Any of the aromatic hydrocarbon group and aliphatic hydrocarbon group having less than 10 carbon atoms in the definition of the polyvalent group (A2) may be bonded to the linking group (A3).
- Examples of the aromatic hydrocarbon group having 10 or more carbon atoms in the definition of the polyvalent group (A2) include naphthalene, azulene, anthracene, phenanthrene, naphthacene, triphenylene, pyrene, chrysene, and the like.
- the aromatic hydrocarbon group having 10 or more carbon atoms in the definition of the polyvalent group (A2) is preferably bonded to the linking group (A3) via -O-.
- Examples of the aromatic hydrocarbon group in the definition of the linking group (A3) include the above aromatic hydrocarbon group having less than 10 carbon atoms and the above aromatic hydrocarbon group having 10 or more carbon atoms.
- compound (A) has two or more linking groups (A3).
- the compound in the first aspect is preferably represented by, for example, the following formula (II).
- Z 1 and Z 2 are each independently (In formula (I), * indicates a bonding site with Y 1 or Y 2 .
- Y 1 and Y 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group
- X 1 and X 2 each independently represent -Y 1 -Z 1 or -Y 2 -Z 2
- n1 and n2 each independently represent an integer from 0 to 4, provided that either one is 1 or more
- m1 defined as (X 1 )m1 represents 0 or 1
- m2 defined as (X 2 )m2 represents 0 or 1
- Q is -O-, an aliphatic hydrocarbon group, a combination of an aromatic hydrocarbon group having less than 10 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group having 10 or more carbon atoms and -O- represents a (n1+n2)-valent group selected from the group consisting of a combination of ) Q is preferably a divalent to tetravalent group.
- Z 1 and Z 2 correspond to the terminal group (A1)
- Q corresponds to the polyvalent group (A2)
- Y 1 and Y 2 correspond to the linking group (A3).
- the compound in the first aspect preferably includes, for example, a partial structure represented by the following formula (III).
- Ar represents a benzene ring, naphthalene ring, or anthracene ring.
- Examples of the compound in the first embodiment include the following compounds.
- Examples of the polymer (A) used in the present invention include the following polymers.
- Such a polymer (hereinafter also referred to as a polymer in the second embodiment) is a polymer having a unit structure represented by the following formula (1-1): (In formula (1-1), Ar represents a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and R 1 is a hydroxy group, a mercapto group that may be protected with a methyl group, or an amino group that may be protected with a methyl group.
- n1 represents an integer of 0 to 3
- L 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms
- n2 represents 1 or 2
- E represents a group having an epoxy group or a group having an oxetanyl group
- alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group.
- alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, cyclopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, s-butylene group, t-butylene group, cyclo Butylene group, 1-methyl-cyclopropylene group, 2-methyl-cyclopropylene group, n-pentylene group, 1-methyl-n-butylene group, 2-methyl-n-butylene group, 3-methyl-n-butylene group , 1,1-dimethyl-n-propylene group, 1,2-dimethyl-n-propylene group, 2,2-dimethyl-n-propylene, 1-ethyl-n-propylene group, cyclopentylene group, 1-methyl -Cyclobutylene group, 2-methyl-cyclobutylene group, 3-methyl-cyclobutylene group, 1,2-dimethyl-cyclopropylene group, 2,3-d
- C1-C10 alkyl group substituted or interrupted by a heteroatom in R 1 is a C1-C10 alkoxy group.
- alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms examples include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, s-butoxy group, t-butoxy group, n- Pentoxy group, 1-methyl-n-butoxy group, 2-methyl-n-butoxy group, 3-methyl-n-butoxy group, 1,1-dimethyl-n-propoxy group, 1,2-dimethyl-n-propoxy group, 2,2-dimethyl-n-propoxy group, 1-ethyl-n-propoxy group, n-hexyloxy group, 1-methyl-n-pentyloxy group, 2-methyl-n-pentyloxy group, 3- Methyl-n-pentyloxy group, 4-methyl-n-pentyloxy group, 1,1-dimethyl-n-butoxy group, 1,2-dimethyl-n-butoxy group, 1,3-dimethyl-n-butoxy group , 2, 2,
- the unit structure represented by formula (1-1) may be one type or a combination of two or more types.
- it may be a copolymer having a plurality of unit structures in which Ar is the same type, or a copolymer in which the types of Ar are different, such as a unit structure in which Ar has a unit structure containing a benzene ring and a unit structure containing a naphthalene ring.
- copolymers having a plurality of unit structures are not excluded from the technical scope of the present application.
- any carbon-carbon atom in the alkylene group shown on the left may be a heteroatom (i.e., in the case of oxygen, an ether bond,
- any carbon-carbon atom in the alkylene group shown on the left may be a heteroatom (i.e., in the case of oxygen, an ether bond
- sulfur it is interrupted by a sulfide bond), ester bond, or amide bond
- 1 carbon atom i.e., methylene group
- heteroatom i.e., in the case of oxygen
- T 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an ether bond, ester bond or amide bond, but a combination of an ether bond and a methylene group ( That is, when "-T 1 -(E)n2" in formula (1-1) is a glycidyl ether group), a combination of an ester bond and a methylene group, or a combination of an amide bond and a methylene group is preferable.
- An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that may be substituted with a hetero atom means that one or more hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are substituted with a hetero atom (preferably a halogeno group). It means that something is being done.
- L 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and the following formula (1-2):
- R 2 and R 3 are independently hydrogen atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, i- represents a butyl group, s-butyl group, t-butyl group, or cyclobutyl group, and R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms).
- R 2 and R 3 are hydrogen atoms (ie, -(CR 2 R 3 )- is a methylene group).
- halogeno group refers to halogen-X (F, Cl, Br, I) substituted with hydrogen.
- E in formula (1-1) is more preferably a group having an epoxy group.
- the polymer in the second embodiment is not particularly limited as long as it satisfies the unit structure of formula (1-1), for example. It may be manufactured by a method known per se. Commercially available products may be used. Commercially available products include heat-resistant epoxy novolac resin EOCN (registered trademark) series (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), epoxy novolac resin D.E.N (registered trademark) series (manufactured by Dow Chemical Japan Co., Ltd.), etc. Can be mentioned.
- EOCN registered trademark
- D.E.N registered trademark
- the weight average molecular weight of the polymer in the second embodiment is 100 or more, 500 to 200,000, 600 to 50,000, or 700 to 10,000.
- Examples of the polymer in the second embodiment include those having the following unit structure. Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.
- Component (B) used in the present invention is a curing agent.
- the curing agent is not particularly limited as long as it can cause a crosslinking reaction to occur in the crosslinkable reactive group of component (A), but examples include bases, thermal acid generators, phenolic curing agents, amide curing agents, Amine curing agents, imidazoles, acid anhydride curing agents, organic phosphines, mercaptan curing agents, tertiary amines, phosphonium salts, tetraphenylboron salts, organic acid dihydrazides, halogenated boron amine complexes, isocyanate curing and blocked isocyanate-based curing agents.
- 2-phenylimidazole is both a base and an imidazole.
- a composition for forming a protective film that can form a protective film with excellent resistance to a wet etching solution for semiconductors the composition comprising: a composition for forming a resist underlayer film;
- a composition for forming a resist underlayer film We have found that it is a composition that can be effectively used and have filed an application (Japanese Patent Application No. 2021-183272 and its priority application PCT/JP2022/37571).
- Japanese Patent Application No. 2021-183272 and PCT/JP2022/37571 are incorporated herein to the same extent as if expressly set forth in their entirety.
- the present inventors have confirmed that even when the composition for forming a protective film further contains (C) a ⁇ -dicarbonyl compound, it is possible to form a protective film with better resistance to a semiconductor wet etching solution. ing.
- Examples of the base include imidazole compounds, piperidine compounds, amide compounds, amine compounds, diazabicycloundecene (DBU) compounds, diazabicyclononene (DBN) compounds, phosphonium compounds, and urea compounds. ) etc.
- imidazole compounds are preferred from the viewpoint of storage stability.
- the base used in the present invention may also include a salt with an acid.
- a salt with an acid For example, an explanation will be given below using an imidazole compound as an example.
- Examples of the base of component (B) in the present invention include (i) an imidazole compound represented by the following formula (B1), and (ii) a combination of an imidazole compound represented by the formula (B1) and an acid. or (iii) a quaternary salt containing a cation represented by the following formula (B2).
- R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an optionally substituted aryl group, or a bond from an optionally substituted triazine ring to a carbon atom of the triazine ring.
- R 2 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
- R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 17 carbon atoms, or an optionally substituted aryl group
- R 4 represents a hydrogen atom, a formyl group, or an optionally substituted aryl group having 1 to 17 carbon atoms.
- R 5 is a hydrogen atom, a formyl group, an optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an optionally substituted alkoxyalkyl group having 4 or less carbon atoms, and n represents 0 or 1.
- Examples of the substituent in the optionally substituted aryl group and the optionally substituted triazine ring include an amino group and a hydroxy group.
- the alkyl group may be linear or branched.
- Examples of the aryl group include phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, and anthryl group.
- examples of the substituent in the optionally substituted alkyl group and the optionally substituted alkoxyalkyl group include a hydroxy group and a cyano group.
- R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an optionally substituted aryl group, or a bond from an optionally substituted triazine ring to a carbon atom of the triazine ring.
- R 2 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
- R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 17 carbon atoms, or an optionally substituted aryl group
- R 4 represents a hydrogen atom, a formyl group, or an optionally substituted aryl group having 1 to 17 carbon atoms.
- R 5 is a hydrogen atom, a formyl group, an optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an optionally substituted alkoxyalkyl group having 4 or less carbon atoms
- R 6 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
- R 7 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or represents an optionally substituted aryl group
- m represents 0 or 1
- n represents 0 or 1.
- R 1 to R 5 are the same as in formula (B1).
- examples of the substituent in the optionally substituted aryl group of R 7 include an amino group and a hydroxy group. Specific examples of the aryl group for R 7 include those mentioned above.
- the paired anion is not particularly limited, but examples include imide, halogen, carboxylate, Sulfates, sulfonates, thiocyanates, aluminates, borates, phosphates, phosphinates, amides, antimonates and methides, more specifically (CF 3 SO 2 ) 2 N ⁇ , (CF 3 SO 2 ) (FSO 2 )N ⁇ , (FSO 2 ) 2 N ⁇ , (CF 3 CF 2 SO 2 ) 2 N ⁇ , (CN) 2 N ⁇ , OH ⁇ , Cl ⁇ , Br ⁇ , I ⁇ , NO 3 ⁇ , CH 3 COO - , CF 3 COO - , CF 3 CF 2 CF 2 COO - , CF 3 SO 3 - , CF 3 CF 2 SO 3 - , CF 3 CF 2 SO 3 - , CF 3 CF 2 SO 3 - , CF 3 CF 2
- R 40 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
- thermal acid generator examples include pyridinium-p-toluenesulfonate, pyridinium-trifluoromethanesulfonate, pyrinidium-p-phenolsulfonate, K-PURE (registered trademark) CXC-1612, CXC-1614, and TAG. -2172, TAG-2179, TAG-2678, TAG2689 (manufactured by King Industries), and SI-45, SI-60, SI-80, SI-100, SI-110, SI-150 (manufactured by King Industries), , manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.).
- phenolic curing agent examples include bisphenol A, bisphenol F, 4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-bis(4-hydroxyphenoxy)benzene, and 1,3-bis( 4-hydroxyphenoxy)benzene, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfide, 4,4'-dihydroxydiphenyl ketone, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone, 4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-dihydroxybiphenyl, 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10H-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, phenol novolak, bisphenol A novolak, o-cresol novolak, m-cresol novolak, p-cresol novolak , xylenol novolac, poly-p-hydroxyst
- amine curing agent examples include aliphatic amines, polyether amines, alicyclic amines, and aromatic amines.
- aliphatic amines include ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminopropane, hexamethylenediamine, 2,5-dimethylhexamethylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, diethylenetriamine, iminobispropylamine, Examples include bis(hexamethylene)triamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, N-hydroxyethylethylenediamine, and tetra(hydroxyethyl)ethylenediamine.
- polyetheramines examples include triethylene glycol diamine, tetraethylene glycol diamine, diethylene glycol bis(propylamine), polyoxypropylene diamine, and polyoxypropylene triamine.
- alicyclic amines include isophorone diamine, methacene diamine, N-aminoethylpiperazine, bis(4-amino-3-methyldicyclohexyl)methane, bis(aminomethyl)cyclohexane, 3,9-bis(3 -aminopropyl)-2,4,8,10-tetraoxaspiro(5,5)undecane, norbornenediamine, and the like.
- aromatic amines include tetrachloro-p-xylene diamine, m-xylene diamine, p-xylene diamine, m-phenylene diamine, o-phenylene diamine, p-phenylene diamine, 2,4-diaminoanisole, 2 , 4-toluenediamine, 2,4-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane, 2,4-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenyl Sulfone, m-aminophenol, m-aminobenzylamine, benzyldimethylamine, 2-dimethylaminomethyl)phenol, triethanolamine, methylbenzylamine, ⁇ -(m-aminophenyl)ethylamine, ⁇ -(p-aminophen
- imidazoles examples include 2-phenylimidazole, 2-ethyl-4(5)-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, and 1-benzyl-2-phenylimidazole.
- 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole 1-cyano-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4- Diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl -s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4 , 5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-
- acid anhydride curing agents include acid anhydrides and modified products of acid anhydrides.
- acid anhydrides include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetra Carboxylic anhydride, dodecenylsuccinic anhydride, polyadipic anhydride, polyazelaic anhydride, polysebacic anhydride, poly(ethyl octadecanedioic acid) anhydride, poly(phenylhexadecanedioic acid) anhydride, tetrahydrophthalic anhydride methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhimic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methylcyclohe
- modified acid anhydrides include those obtained by modifying the above acid anhydrides with glycol.
- glycols that can be used for modification include alkylene glycols such as ethylene glycol, propylene glycol, and neopentyl glycol; polyether glycols such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene ether glycol; can be mentioned.
- a copolymerized polyether glycol of two or more types of glycols and/or polyether glycols can also be used.
- Organic phosphines examples include tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, triphenylphosphine, diphenylphosphine, and phenylphosphine.
- phosphonium salt examples include tetraphenylphosphonium/tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium/ethyltriphenylborate, and tetrabutylphosphonium/tetrabutylborate.
- tetraphenylboron salt examples include 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate and N-methylmorpholine tetraphenylborate.
- the lower limit of the content is usually 0.0001 mass based on the total solid content of the composition for forming a protective film. %, preferably 0.01% by mass, more preferably 0.1% by mass, and the upper limit of its content is usually 50% by mass, preferably 40% by mass, based on the total solid content of the composition for forming a protective film. % by mass, more preferably 30% by mass.
- Component (C) used in the present invention is a ⁇ -dicarbonyl compound (hereinafter sometimes referred to as "compound (C)").
- the number of carbon atoms in compound (C) is, for example, 5 to 30.
- R A and R B are each independently an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an optionally substituted alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, , an optionally substituted aryl group having 5 to 18 carbon atoms, an optionally substituted aralkyl group having 5 to 18 carbon atoms, or an optionally substituted aryloxy group having 5 to 18 carbon atoms
- R C and R D each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and an optionally substituted alkyl group having 5 to 18 carbon atoms.
- the number of carbon atoms of the optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in R A , R B , R C and R D may be, for example, 1 to 10, or 1 to 6. There may be.
- Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in R A , R B , R C and R D include the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms exemplified in the explanation of R 1 in formula (1-1). Specific examples of the alkyl group are listed.
- the alkyl group may be linear, branched, cyclic, or a combination thereof.
- the number of carbon atoms in the optionally substituted alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms in R A and R B may be, for example, 1 to 10 or 1 to 6.
- Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms in R A and R B include, for example, the specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms exemplified in the explanation of R 1 in formula (1-1). Can be mentioned.
- the alkyl group in the alkoxy group may be linear, branched, cyclic, or a combination thereof.
- the aryl group of the optionally substituted aryl group having 5 to 18 carbon atoms in R A , R B , R C and R D may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. It may be.
- the aromatic hydrocarbon ring in the aromatic hydrocarbon group include a benzene ring and a naphthalene ring.
- the aromatic heterocycle in the aromatic heterocyclic group include a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a quinoline ring, an indole ring, a benzofuran ring, and a benzothiophene ring.
- a benzene ring, a furan ring, a thiophene ring, and a pyridine ring are preferred.
- the aryl group of the optionally substituted aralkyl group having 5 to 18 carbon atoms in R A , R B , R C and R D may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. It may be.
- the aromatic hydrocarbon ring in the aromatic hydrocarbon group include a benzene ring and a naphthalene ring.
- the aromatic heterocycle in the aromatic heterocyclic group include a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a quinoline ring, an indole ring, a benzofuran ring, and a benzothiophene ring.
- a benzene ring, a furan ring, a thiophene ring, and a pyridine ring are preferred.
- the aralkyl group having 5 to 18 carbon atoms in R A and R B include a benzyl group and a phenethyl group.
- the aryl group of the optionally substituted aryloxy group having 5 to 18 carbon atoms in R A and R B may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.
- the aromatic hydrocarbon ring in the aromatic hydrocarbon group include a benzene ring and a naphthalene ring.
- the aromatic heterocycle in the aromatic heterocyclic group include a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a quinoline ring, an indole ring, a benzofuran ring, and a benzothiophene ring.
- a benzene ring, a furan ring, a thiophene ring, and a pyridine ring are preferred.
- substituents in the optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and the optionally substituted alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms include a halogen atom, an alkoxy group, and an acyl group.
- substituents in the optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and the optionally substituted alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms include a halogen atom, an alkoxy group, and an acyl group.
- the acyl group include acyl groups having 2 to 5 carbon atoms.
- examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
- Substitution in an optionally substituted aryl group having 5 to 18 carbon atoms, an optionally substituted aralkyl group having 5 to 18 carbon atoms, and an optionally substituted aryloxy group having 5 to 18 carbon atoms examples include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and an acyl group having 2 to 5 carbon atoms.
- Examples of the substituent on the optionally substituted acyl group having 2 to 6 carbon atoms in R C and R D include a halogen atom.
- R A and R C may be combined to form a ring structure.
- the number of members of the ring structure formed is, for example, 5 to 7.
- Examples of the ring structure formed include a lactone ring.
- the atoms constituting the ring structure may include a heteroatom.
- the bond forming the ring structure may have a carbon-carbon double bond.
- an optionally substituted aryl group having 5 to 18 carbon atoms an optionally substituted aralkyl group having 5 to 18 carbon atoms, and an optionally substituted aryloxy group having 5 to 18 carbon atoms
- the substituent include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom.
- Examples of the compound (C) include the following compounds.
- the content of the (C) compound in the composition for forming a protective film of the present invention is not particularly limited, but the lower limit of the content is preferably 0.5% by mass based on the (A) compound or polymer. , more preferably 1% by mass, particularly preferably 5% by mass, and the upper limit of its content is preferably 50% by mass, more preferably 30% by mass, particularly preferably is 20% by mass.
- the content of the compound (C) in the composition for forming a protective film of the present invention is not particularly limited, but the lower limit of the content is preferably 0.0001% by mass, more preferably 0.0001% by mass based on the solvent (D). is 0.005% by mass, particularly preferably 0.001% by mass, and the upper limit of its content is preferably 50% by mass, more preferably 30% by mass, particularly preferably 20% by mass, based on the solvent (D). Mass%.
- composition for forming a protective film of the present invention can be prepared by dissolving each of the above-mentioned components in a solvent, preferably an organic solvent, and is used in a uniform solution state.
- a solvent preferably an organic solvent
- the (D) solvent is different from the (C) compound.
- the organic solvent of the composition for forming a protective film according to the present invention may be any organic solvent capable of dissolving solid components such as the above-mentioned (A) compound or polymer, the above-mentioned (B) curing agent, and other optional solid components. It can be used without any particular restrictions. In particular, since the composition for forming a protective film according to the present invention is used in a uniform solution state, in consideration of its coating performance, it is recommended to use an organic solvent commonly used in lithography processes. Ru.
- organic solvents examples include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene Glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, 4-methyl-2-pentanol, ethyl ethoxy acetate, 2-hydroxyethyl acetate, Methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate,
- propylene glycol monomethyl ether propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, etc. are preferred. Particularly preferred are propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate.
- the solid content of the composition for forming a protective film according to the present invention is usually 0.1 to 70% by mass, preferably 0.1 to 60% by mass.
- the solid content is the content of all components in the composition for forming a protective film excluding the solvent.
- the proportion of the compound or polymer (A) in the solid content is preferably 1 to 100% by mass, more preferably 1 to 99.9% by mass, even more preferably 50 to 99.9% by mass, and 50 to 95% by mass. % is even more preferred, and 50 to 90% by weight is particularly preferred.
- the composition for forming a protective film of the present invention may further include (E) a compound or polymer having a phenolic hydroxy group.
- the compound or polymer having a phenolic hydroxy group is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention. Needless to say, the (E) compound or polymer having a phenolic hydroxy group is different from the above-mentioned (A) compound or polymer.
- the weight average molecular weight of (E) the compound or polymer having a phenolic hydroxy group (hereinafter also referred to as (E) compound or polymer) is not particularly limited, but is, for example, 300 to 50,000.
- the compound or polymer preferably has two or more phenolic hydroxy groups. More preferable embodiments of the compound or polymer (E) include, for example, the compounds or polymers shown in the third to fifth aspects below.
- Examples of the compound or polymer (E) used in the present invention include a compound or polymer represented by formula (2-1).
- R 2 is each independently a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, Represents an amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a hydroxy group or a halogeno group.
- a 1 and A 2 are Each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a divalent organic group derived from a bicyclocyclic compound, a biphenylene group, or a divalent organic group represented by -C(T 2 )(T 3 )-; T2 is a combination thereof, and T2 is a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
- R 2 has the same meaning as R 2 in formula (2-1).
- a is 1 to represents an integer of 6.
- n3 to n5 each independently represent an integer of 0 to 2.
- r2 represents an integer of 0 to 3.
- m1 and m2 each independently represent an integer of 0 to 10,000,000. )
- m1, n3 to n5 and r2 are 0, and m2 is 1.
- bicyclo ring compound dicyclopentadiene, substituted dicyclopentadiene, tetracyclo[4.4.0.12,5.17,10]dodeca-3,8-diene, or substituted tetracyclo[4.4.0.12 , 5.17,10] dodeca-3,8-diene.
- substitution refers to a bicyclocyclic compound in which one or more hydrogen atoms are each independently substituted with a halogeno group, nitro group, amino group, or hydroxy group, or a carbon atom number of 1 to 10, or a group thereof. is substituted with an alkyl group or an aryl group having 6 to 40 carbon atoms.
- the divalent organic group derived from a bicyclocyclic compound refers to a group having two bonds, which is derived by removing any two hydrogen atoms from a bicyclocyclic compound.
- phenyl group As the aryl group having 6 to 40 carbon atoms, phenyl group, o-methylphenyl group, m-methylphenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, m-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group , o-fluorophenyl group, p-fluorophenyl group, o-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, p-nitrophenyl group, p-cyanophenyl group, ⁇ -naphthyl group, ⁇ -naphthyl group, o-biphenylyl group, m-biphenylyl group, p-biphenylyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group and
- Examples of the compound or polymer (E) used in the present invention include a compound represented by formula (2-2).
- R 3 is a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, or a carbon number 1 to 3 represents an amino group which may be substituted with an alkyl group, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a hydroxy group or a halogeno group.
- Q 1 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom , represents a sulfonyl group, a carbonyl group, an imino group, an arylene group having 6 to 40 carbon atoms, or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a halogeno group.
- a is
- alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, cyclopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, s-butylene group, t-butylene group, cyclo Butylene group, 1-methyl-cyclopropylene group, 2-methyl-cyclopropylene group, n-pentylene group, 1-methyl-n-butylene group, 2-methyl-n-butylene group, 3-methyl-n-butylene group , 1,1-dimethyl-n-propylene group, 1,2-dimethyl-n-propylene group, 2,2-dimethyl-n-propylene, 1-ethyl-n-propylene group, cyclopentylene group, 1-methyl -Cyclobutylene group, 2-methyl-cyclobutylene group, 3-methyl-cyclobutylene group, 1,2-dimethyl-cyclopropylene group, 2,3-d
- the compound represented by formula (2-2) include the compounds described below.
- the compound (E) may be a compound represented by the following formula (4-1).
- R 5 is a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, or a carbon atom number of 1 to 9.
- n8 is 4, 5, 6, or represents an integer of 8.
- the compound (E) may be a compound represented by the following formula (5-1) or formula (5-1-a).
- n9 and n10 each represent an integer of 0 or 1
- R 6 is a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, and a carbon atom number of 1 to 9.
- a is 1 ⁇ 6 represents an integer.
- n11 represents an integer of 1 or 2.
- r5 represents an integer of 0 ⁇ 3.
- * represents the structure represented by formula (5-1) and the formula (5-1-a ) represents the binding site with the structure represented by ). The above terms are explained above.
- the compound may be a compound shown below.
- the (E) compound or polymer used in the present invention is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention.
- the (E) polymer preferably has at least three or more repeating unit structures. has.
- the weight average molecular weight of the polymer (E) is not particularly limited, but is, for example, 1,000 to 50,000.
- the polymer includes a unit structure represented by the following (Formula 3-1).
- T 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a halogeno group.
- R 4 represents a halogeno group, a carboxy group, a nitro group, a cyano group) substituted with a group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms, an amino group optionally substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a hydroxy group or a halogeno group (r4 represents an integer of 0 to 3.
- n7 represents an integer of 0 to 2.
- a represents an integer of 1 to 6.
- the halogeno group, alkyl group and alkoxy group are as described above.
- the polymer represented by formula (3-1) may be a polymer containing one type of unit structure represented by formula (3-1), or may be a copolymer containing two or more types.
- (E) polymer represented by formula (3-1) include polymers containing the unit structures described below. (In the above formula, m and n written next to the repeating unit represent the molar ratio of copolymerization.
- composition for forming a resist underlayer film of the present invention includes: (A) Compound or polymer having a reactive group capable of crosslinking reaction in the presence of a curing agent: (B) a curing agent; (C) a ⁇ -dicarbonyl compound; and (D) a solvent.
- the above-described composition for forming a protective film of the present invention not only exhibits excellent resistance to a wet etching solution for semiconductors, but also can be effectively used as a composition for forming a resist underlayer film. Explanations of terms related to the composition for forming a resist underlayer film of the present invention are the same as those for the above-mentioned composition for forming a protective film.
- the protective film of the present invention is a fired product of a coating film made of the composition for forming a protective film of the present invention.
- the resist underlayer film of the present invention is a baked product of a coating film of the composition for forming a resist underlayer film of the present invention.
- the method for manufacturing a substrate with a protective film of the present invention includes a step of applying the composition for forming a protective film of the present invention onto a semiconductor substrate having a step and baking it to form a protective film.
- the method for manufacturing a substrate with a protective film is used for manufacturing semiconductors.
- the method for producing a resist patterned substrate of the present invention includes applying the composition for forming a protective film of the present invention or the composition for forming a resist underlayer film of the present invention onto a semiconductor substrate and baking it to form a protective film as a resist underlayer film. and forming a resist film on the protective film, followed by exposure and development to form a resist pattern.
- the method for manufacturing a resist patterned substrate is used for manufacturing semiconductors.
- a protective film is formed using the composition for forming a protective film of the present invention on a semiconductor substrate which may have an inorganic film formed on the surface, and A resist pattern is formed on the film, the protective film is dry-etched using the resist pattern as a mask, the surface of the inorganic film or the semiconductor substrate is exposed, and the dry-etched protective film is used as a mask to dry-etch the protective film.
- the method includes wet etching and cleaning the inorganic film or the semiconductor substrate using an etching solution.
- One embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is to form a resist underlayer film using the composition for forming a resist underlayer film of the present invention on a semiconductor substrate which may have an inorganic film formed on the surface, forming a resist pattern on the resist underlayer film, dry etching the resist underlayer film using the resist pattern as a mask, exposing the surface of the inorganic film or the semiconductor substrate, and masking the resist underlayer film after dry etching.
- the method includes a step of etching the inorganic film or the semiconductor substrate.
- the resist patterned substrate according to the present invention can be manufactured by applying the above-mentioned protective film forming composition (resist underlayer film forming composition) onto a semiconductor substrate and baking it.
- Semiconductor substrates to which the protective film forming composition (resist underlayer film forming composition) of the present invention is applied include, for example, silicon wafers, germanium wafers, gallium arsenide, indium phosphide, gallium nitride, indium nitride, Examples include compound semiconductor wafers such as aluminum nitride.
- the inorganic film can be formed by, for example, an ALD (atomic layer deposition) method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a reactive sputtering method, an ion plating method, or a vacuum evaporation method. method, spin coating method (spin-on-glass: SOG).
- the inorganic film examples include a polysilicon film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, a BPSG (Boro-Phospho Silicate Glass) film, a titanium nitride film, a titanium oxynitride film, a tungsten nitride film, and a gallium nitride film. , and gallium arsenide films.
- the semiconductor substrate may be a stepped substrate in which so-called vias (holes), trenches (grooves), etc. are formed.
- a via has a substantially circular shape when viewed from the top, and the diameter of the substantially circular circle is, for example, 2 nm to 20 nm, and the depth is 50 nm to 500 nm, and the trench is, for example, a groove (a recess in the substrate) with a width of 2 nm to 20 nm, and a depth of 2 nm to 20 nm. is 50 nm to 500 nm.
- the composition for forming a protective film (composition for forming a resist underlayer film) of the present invention has a small weight average molecular weight and average particle size of the compound contained in the composition, it can be used to form voids (gaps) even on stepped substrates as described above.
- the composition can be implanted without defects such as ).
- the absence of defects such as voids is an important characteristic for the next steps in semiconductor manufacturing (wet etching/dry etching of semiconductor substrates, resist pattern formation).
- the composition for forming a protective film (composition for forming a resist underlayer film) of the present invention is applied using an appropriate coating method such as a spinner or a coater. Thereafter, a protective film (resist underlayer film) is formed by baking using a heating means such as a hot plate.
- the baking conditions are appropriately selected from baking temperatures of 100° C. to 400° C. and baking times of 0.3 minutes to 60 minutes.
- the baking temperature is 120°C to 350°C and the baking time is 0.5 to 30 minutes, more preferably the baking temperature is 150°C to 300°C, and the baking time is 0.8 to 10 minutes.
- the thickness of the protective film formed is, for example, 0.001 ⁇ m to 10 ⁇ m, preferably 0.002 ⁇ m to 1 ⁇ m, and more preferably 0.005 ⁇ m to 0.5 ⁇ m. If the temperature during baking is lower than the above range, crosslinking will be insufficient, and the formed protective film ((resist underlayer film) may be difficult to obtain resistance to resist solvents or basic hydrogen peroxide aqueous solutions. On the other hand, if the baking temperature is higher than the above range, the protective film (resist underlayer film) may be decomposed by heat.
- a resist film is formed on the protective film formed as described above, and then exposed and developed to form a resist pattern. Exposure is performed through a mask (reticle) for forming a predetermined pattern, and uses, for example, i-ray, KrF excimer laser, ArF excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), or EB (electron beam).
- An alkaline developer is used for development, and the development temperature is appropriately selected from 5° C. to 50° C. and the developing time is 10 seconds to 300 seconds.
- alkaline developers include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, Secondary amines such as di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline, etc.
- inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia
- primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine
- Secondary amines such as di-n-butylamine
- Aqueous solutions of alkalis such as quaternary ammonium salts, pyrrole, cyclic amines such as piperidine, etc. can be used.
- an appropriate amount of an alcohol such as isopropyl alcohol or a nonionic surfactant may be added to the aqueous solution of the alkali.
- preferred developers are quaternary ammonium salts, more preferably tetramethylammonium hydroxide and choline.
- surfactants and the like can also be added to these developers. It is also possible to use a method in which the photoresist is developed with an organic solvent such as butyl acetate instead of the alkaline developer, and the portions of the photoresist where the alkali dissolution rate has not been improved are developed.
- the protective film (resist underlayer film) is dry-etched using the formed resist pattern as a mask. At that time, if the inorganic film is formed on the surface of the semiconductor substrate used, the surface of the inorganic film is exposed, and if the inorganic film is not formed on the surface of the semiconductor substrate used, the surface of the inorganic film is exposed. expose the surface.
- wet etching is performed using a wet etching solution for semiconductors.
- a desired pattern is formed by etching.
- wet etching liquid for semiconductors general chemical solutions for etching semiconductor wafers can be used, and for example, both acidic substances and basic substances can be used.
- acidic substances include hydrogen peroxide, hydrofluoric acid, ammonium fluoride, acidic ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride, buffered hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture thereof.
- Examples of basic substances include ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium cyanide, potassium cyanide, triethanolamine, and other organic amines mixed with aqueous hydrogen peroxide to make the pH basic.
- Hydrogen peroxide can be mentioned.
- a specific example is SC-1 (ammonia-hydrogen peroxide solution).
- SC-1 ammonia-hydrogen peroxide solution.
- Other substances that can make the pH basic such as those that mix urea and hydrogen peroxide and generate ammonia by causing thermal decomposition of the urea by heating, ultimately making the pH basic. It can also be used as a wet etching chemical.
- acidic hydrogen peroxide solution or basic hydrogen peroxide solution is preferable.
- These chemical solutions may contain additives such as surfactants.
- the operating temperature of the wet etching solution for semiconductors is preferably 25°C to 90°C, more preferably 40°C to 80°C.
- the wet etching time is preferably 0.5 minutes to 30 minutes, more preferably 1 minute to 20 minutes.
- the weight average molecular weights of the compounds synthesized in the following examples of this specification are the results of measurements by gel permeation chromatography (hereinafter abbreviated as GPC).
- GPC gel permeation chromatography
- PGME Propylene glycol monomethyl ether
- PGMEA Propylene glycol monomethyl ether acetate
- Epoxy novolac resin EOCN-104S (Nippon Kayaku Co., Ltd. product, equivalent to formula (a-1)) 3.16 g (30% by mass PGMEA solution, weight average molecular weight 3100), VP-2500 (Nippon Soda Co., Ltd.) Product, equivalent to formula (a-3), weight average molecular weight 3687) 0.24 g, 1B2PZ (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
- Epoxy novolac resin EOCN-104S (Nippon Kayaku Co., Ltd. product, equivalent to formula (a-1)) 3.16 g (30% by mass PGMEA solution, weight average molecular weight 3100), VP-2500 (Nippon Soda Co., Ltd.) Product, equivalent to formula (a-3), weight average molecular weight 3687) 0.24 g, 1B2MZ (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
- dipivaloylmethane (0.095 g of Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 0.0009 g of R-40-LM (DIC Corporation), 17.95 g of PGMEA, and 8.64 g of PGME were mixed to form a solution with a solid content of 4.0% by mass.
- the solution was filtered using a polytetrafluoroethylene microfilter with a pore size of 0.2 ⁇ m to prepare a composition for forming a protective film.
- the amount of dipivaloylmethane with respect to the epoxy novolak resin EOCN-104S is 10% by mass.
- Epoxy novolac resin EOCN-104S (Nippon Kayaku Co., Ltd. product, equivalent to formula (a-1)) 3.16 g (30% by mass PGMEA solution, weight average molecular weight 3100), VP-2500 (Nippon Soda Co., Ltd.) Product, equivalent to formula (a-3), weight average molecular weight 3687) 0.24 g, 1B2PZ (Shikoku Kasei Co., Ltd. product, equivalent to formula (b-3)) 0.014 g, trifluoroacetylacetone (Tokyo Kasei Co., Ltd.
- Epoxy novolac resin EOCN-104S (Nippon Kayaku Co., Ltd. product, equivalent to formula (a-1)) 3.16 g (30% by mass PGMEA solution, weight average molecular weight 3100), VP-2500 (Nippon Soda Co., Ltd.) Product, equivalent to formula (a-3), weight average molecular weight is 3687) 0.24 g, 1B2PZ (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
- Epoxy novolac resin EOCN-104S (Nippon Kayaku Co., Ltd. product, equivalent to formula (a-1)) 3.16 g (30% by mass PGMEA solution, weight average molecular weight 3100), VP-2500 (Nippon Soda Co., Ltd.) Product, equivalent to formula (a-3), weight average molecular weight 3687) 0.24 g, 1B2PZ (product of Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., equivalent to formula (b-3)) 0.014 g, avobenzone (Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) Co., Ltd.), 0.0009 g of R-40-LM (DIC Co., Ltd.), 17.95 g of PGMEA, and 8.64 g of PGME were mixed to form a solution with a solid content of 4.0% by mass.
- the solution was filtered using a polytetrafluoroethylene microfilter with a pore size of 0.2 ⁇ m to prepare a composition for forming a protective film.
- the amount of avobenzone with respect to the epoxy novolac resin EOCN-104S is 10% by mass.
- Epoxy novolac resin EOCN-104S (Nippon Kayaku Co., Ltd. product, equivalent to formula (a-1)) 3.16 g (30% by mass PGMEA solution, weight average molecular weight 3100), VP-2500 (Nippon Soda Co., Ltd.) Product, equivalent to formula (a-3), weight average molecular weight is 3687) 0.24 g, 1B2PZ (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
- Epoxy novolac resin EOCN-104S (Nippon Kayaku Co., Ltd. product, equivalent to formula (a-1)) 3.16 g (30% by mass PGMEA solution, weight average molecular weight 3100), VP-2500 (Nippon Soda Co., Ltd.) Product, equivalent to formula (a-3), weight average molecular weight 3687) 0.24 g, 1B2PZ (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
- Each of the protective film forming compositions prepared in Examples 1 to 7 and the protective film forming compositions prepared in Comparative Examples 1 to 2 was applied onto a silicon substrate on which a titanium nitride film was formed.
- a coating film with a thickness of 100 nm was prepared by applying by spin coating and baking at 250° C. for 60 seconds.
- the protective film forming compositions prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 2 were each applied onto a silicon wafer using a spinner. It was baked on a hot plate at 250° C. for 1 minute to form a resist underlayer film (thickness: 50 nm). Then, using a spectroscopic ellipsometer (J.A. Woollam Co., VUV-VASE VU-302) for these films, the n value (refractive index) and k value (attenuation coefficient or extinction coefficient) at a wavelength of 193 nm and a wavelength of 248 nm were determined. was measured. The results are shown in Table 3.
- the composition for forming a protective film according to the present invention has excellent resistance when a wet etching solution is applied to substrate processing, and thus provides a protective film that causes less damage to the protective film during substrate processing.
- the composition for forming a resist underlayer film according to the present invention has excellent resistance when a wet etching solution is applied to substrate processing.
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Abstract
(A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体: (B)硬化剤: (C)β-ジカルボニル化合物:及び (D)溶剤、 を含む、半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成用組成物。
Description
本発明は、半導体製造におけるリソグラフィープロセスにおいて、特に半導体用ウエットエッチング液に対する耐性に優れた保護膜を形成するための組成物に関する。また、前記組成物から形成される保護膜とその保護膜を適用したレジストパターン付き基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体製造において、基板とその上に形成されるレジスト膜との間にレジスト下層膜を設け、所望の形状のレジストパターンを形成するリソグラフィープロセスは広く知られている。レジストパターンを形成した後に基板の加工を行うが、その工程としてはドライエッチングが主に用いられるが、基板種によってはウエットエッチングが用いられる場合がある。特許文献1には、アルカリ性過酸化水素水耐性を有するレジスト下層膜材料が開示されている。
保護膜形成用組成物を用いて半導体基板の保護膜を形成し、保護膜をエッチングマスクとして下地基板の加工をウエットエッチングで行う場合、保護膜には半導体用ウエットエッチング液に対する良好なマスク機能(すなわち、マスクされている部分は基板を保護できる)が求められている。
さらには、いわゆる段差基板に対しても被覆性が良好で、埋め込み後の膜厚差が小さく、平坦な膜を形成し得る保護膜形成用組成物も求められている。
従来、ウエットエッチング薬液の一種であるSC-1(アンモニア-過酸化水素溶液)に対する耐性を発現させるためには、低分子化合物(例えば没食子酸)を添加剤として適用する手法が用いられていたが、上記の課題を解決するには限界があった。
さらに上記目的で用いられる保護膜は、いわゆるレジストパターン形成時のトラブル(形状不良等)を解決するためのレジスト下層膜としての機能を有することが期待される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、半導体用ウエットエッチング液に対し耐性に優れた保護膜を形成することができる保護膜形成用の組成物であって、レジスト下層膜形成用の組成物としても有効に使用することができる組成物を提供することを目的とする。
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討を行った結果、硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体と硬化剤とβ-ジカルボニル化合物とを含有させた保護膜形成用の組成物から得られる膜が、薬液耐性に優れていること見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は以下の態様を包含するものである。
[1] (A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、
を含む、半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成用組成物。
[2] さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含む、[1]に記載の保護膜形成用組成物。
[3] 前記硬化剤が、塩基である、[1]又は[2]に記載の保護膜形成用組成物。
[4] 前記塩基が、イミダゾール系化合物である、[3]に記載の保護膜形成用組成物。
[5] 前記塩基が、下記式(B1)で表される、[4]に記載の保護膜形成用組成物。
(式(B1)中、R1は、水素原子、炭素原子数1~4のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいトリアジン環から該トリアジン環の炭素原子に結合する水素原子を除いた1価の基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、ビニル基、アクリロイルオキシ基、またはメタクリロイルオキシ基を表し、R2は、炭素原子数1~4のアルキレン基を表し、R3は、水素原子、炭素原子数1~17のアルキル基、または置換されていてもよいアリール基を表し、R4は、水素原子、ホルミル基、置換されていてもよい炭素原子数1~4のアルキル基、または置換されていてもよい炭素原子数4以下のアルコキシアルキル基を表し、R5は、水素原子、ホルミル基、置換されていてもよい炭素原子数1~4のアルキル基、または置換されていてもよい炭素原子数4以下のアルコキシアルキル基を表し、nは0または1を表す。)
[6] 前記化合物(C)が、下記式(C)で表される化合物である、[1]~[5]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
(式(C)中、RA及びRBは、それぞれ独立して、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルコキシ基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、又は置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリールオキシ基を表す。RC及びRDは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、又は置換されていてもよい炭素原子数2~6のアシル基を表す。RAとRCとは、一緒になって環構造を形成していてもよい。)
[7] 前記化合物(C)の含有量が、前記(A)の化合物又は重合体に対して、1~30質量%である、[1]~[6]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[8] 前記(A)の化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体である、[1]~[7]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[9] 前記(A)の化合物が、繰り返し構造単位を有しない化合物であって、
末端基(A1)、多価基(A2)、及び連結基(A3)を含み、
末端基(A1)は連結基(A3)のみと結合し、
多価基(A2)は連結基(A3)のみと結合し、
連結基(A3)は一方で末端基(A1)と、他方で多価基(A2)と結合し、任意選択的に別の連結基(A3)と結合してもよく、
末端基(A1)は下記式(I)の構造のいずれかであり、
(式(I)中、*は連結基(A3)との結合部位を示す。
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
多価基(A2)は、
-O-、
脂肪族炭化水素基、
炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び
炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せ
からなる群より選択される2~4価の基であり、
連結基(A3)は芳香族炭化水素基を表す、
化合物である、[8]に記載の保護膜形成用組成物。
[10] 前記(A)の化合物が、下記式(II)で表される化合物である、[9]に記載の保護膜形成用組成物。
(式(II)中、
Z1、及びZ2はそれぞれ独立に
(式(I)中、*はY1、又はY2との結合部位を示す。
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
を表し、
Y1、及びY2はそれぞれ独立に芳香族炭化水素基を表し、
X1、及びX2はそれぞれ独立に-Y1-Z1又は-Y2-Z2を表し、
n1、及びn2はそれぞれ独立に0~4の整数を表し、但しいずれかは1以上であり、
(X1)m1で規定するm1は0又は1を表し、
(X2)m2で規定するm2は0又は1を表し、
Qは-O-、脂肪族炭化水素基、炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せからなる群より選択される(n1+n2)価の基を表す。)
[11] 前記(A)の化合物が、下記式(III)で表される部分構造を含む化合物である、[9]に記載の保護膜形成用組成物。
(式(III)中、Arはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表す。Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
[12] 前記(A)の重合体が、下記式(1-1)で表される単位構造を有する重合体である、[8]に記載の保護膜形成用組成物。
(式(1-1)中、Arはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表し、R1はヒドロキシ基、メチル基で保護されていてもよいメルカプト基、メチル基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲノ基又は、ヘテロ原子で置換若しくは中断されていてもよくヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表し、n1は0~3の整数を表し、L1は単結合又は炭素原子数1~10のアルキレン基を表し、n2は、1又は2を表し、Eはエポキシ基を有する基、またはオキセタニル基を有する基を表し、T1はn2=1のとき、単結合、エーテル結合、又はエステル結合若しくはアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1~10のアルキレン基を表し、T1はn2=2のとき、窒素原子又はアミド結合を表す。)
[13] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、2以上のフェノール性ヒドロキシ基を有する、[2]~[12]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[14] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(2-1)で表される、[2]~[13]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
(式(2-1)中、R2は各々独立して、ハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。A1とA2は各々独立して、炭素原子数1~10のアルキレン基、ビシクロ環化合物由来の2価の有機基、ビフェニレン基若しくは-C(T2)(T3)-で表される2価の有機基又はそれらの組み合わせであり、T2はハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表し、T3は水素原子又は式(2-1-a)で表される1価の基を表す。)
(式(2-1-a)中の*は、T3が結合する炭素原子との結合部位を表し、R2は式(2-1)中のR2と同義である。aは1~6の整数を表す。n3~n5は各々独立して0~2の整数を表す。r2は0~3の整数を表す。m1とm2は各々独立して0~10,000,000の数を表す。)
[15] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(2-2)で表される化合物である、[2]~[13]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
(式(2-2)中、R3はハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。Q1は単結合、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、イミノ基、炭素原子数6~40のアリーレン基、又はハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキレン基を表す。aは1~6の整数を表す。n6は0~2の整数を表す。r3は0~3の整数を表す。)
[16] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(3-1)で表される単位構造を含む重合体である、[2]~[13]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
(式(3-1)中、T4は水素原子、またはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。R4はハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。r4は0~3の整数を表す。n7は0~2の整数を表す。aは1~6の整数を表す。)
[17] [1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とする半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜。
[18] (A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、
を含む、レジスト下層膜形成用組成物。
[19] さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含む、[18]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[20] 前記硬化剤が、塩基である、[18]又は[19]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[21] 前記塩基が、イミダゾール系化合物である、[20]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[22] 前記塩基が、下記式(B1)で表される、[21]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
(式(B1)中、R1は、水素原子、炭素原子数1~4のアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいトリアジン環から該トリアジン環の炭素原子に結合する水素原子を除いた1価の基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、ビニル基、アクリロイルオキシ基、またはメタクリロイルオキシ基を表し、R2は、炭素原子数1~4のアルキレン基を表し、R3は、水素原子、炭素原子数1~17のアルキル基、または置換されていてもよいアリール基を表し、R4は、水素原子、ホルミル基、置換されていてもよい炭素原子数1~4のアルキル基、または置換されていてもよい炭素原子数4以下のアルコキシアルキル基を表し、R5は、水素原子、ホルミル基、置換されていてもよい炭素原子数1~4のアルキル基、または置換されていてもよい炭素原子数4以下のアルコキシアルキル基を表し、nは0または1を表す。)
[23] 前記化合物(C)が、下記式(C)で表される化合物である、[18]~[22]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
(式(C)中、RA及びRBは、それぞれ独立して、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルコキシ基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、又は置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリールオキシ基を表す。RC及びRDは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、又は置換されていてもよい炭素原子数2~6のアシル基を表す。RAとRCとは、一緒になって環構造を形成していてもよい。)
[24] 前記化合物(C)の含有量が、前記(A)の化合物又は重合体に対して、1~30質量%である、[18]~[23]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[25] 前記(A)の化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体である、[18]~[24]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[26] [18]~[25]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
[27] [1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物を、段差を有する半導体基板上に塗布し焼成して保護膜を形成する工程を含む、半導体の製造に用いることを特徴とする保護膜付き基板の製造方法。
[28] [1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物、又は[18]~[25]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜としての保護膜を形成する工程、及び該保護膜上にレジスト膜を形成し、次いで露光、現像してレジストパターンを形成する工程を含み、半導体の製造に用いることを特徴とするレジストパターン付き基板の製造方法。
[29] 表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、[1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成し、前記保護膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記保護膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記保護膜をマスクとして、半導体用ウエットエッチング液を用いて前記無機膜又は前記半導体基板をウエットエッチング及び洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法。
[30] 表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、[18]~[25]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記レジスト下層膜をマスクとして、前記無機膜又は前記半導体基板をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法。
[1] (A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、
を含む、半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成用組成物。
[2] さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含む、[1]に記載の保護膜形成用組成物。
[3] 前記硬化剤が、塩基である、[1]又は[2]に記載の保護膜形成用組成物。
[4] 前記塩基が、イミダゾール系化合物である、[3]に記載の保護膜形成用組成物。
[5] 前記塩基が、下記式(B1)で表される、[4]に記載の保護膜形成用組成物。
[6] 前記化合物(C)が、下記式(C)で表される化合物である、[1]~[5]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[7] 前記化合物(C)の含有量が、前記(A)の化合物又は重合体に対して、1~30質量%である、[1]~[6]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[8] 前記(A)の化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体である、[1]~[7]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[9] 前記(A)の化合物が、繰り返し構造単位を有しない化合物であって、
末端基(A1)、多価基(A2)、及び連結基(A3)を含み、
末端基(A1)は連結基(A3)のみと結合し、
多価基(A2)は連結基(A3)のみと結合し、
連結基(A3)は一方で末端基(A1)と、他方で多価基(A2)と結合し、任意選択的に別の連結基(A3)と結合してもよく、
末端基(A1)は下記式(I)の構造のいずれかであり、
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
多価基(A2)は、
-O-、
脂肪族炭化水素基、
炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び
炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せ
からなる群より選択される2~4価の基であり、
連結基(A3)は芳香族炭化水素基を表す、
化合物である、[8]に記載の保護膜形成用組成物。
[10] 前記(A)の化合物が、下記式(II)で表される化合物である、[9]に記載の保護膜形成用組成物。
Z1、及びZ2はそれぞれ独立に
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
を表し、
Y1、及びY2はそれぞれ独立に芳香族炭化水素基を表し、
X1、及びX2はそれぞれ独立に-Y1-Z1又は-Y2-Z2を表し、
n1、及びn2はそれぞれ独立に0~4の整数を表し、但しいずれかは1以上であり、
(X1)m1で規定するm1は0又は1を表し、
(X2)m2で規定するm2は0又は1を表し、
Qは-O-、脂肪族炭化水素基、炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せからなる群より選択される(n1+n2)価の基を表す。)
[11] 前記(A)の化合物が、下記式(III)で表される部分構造を含む化合物である、[9]に記載の保護膜形成用組成物。
[12] 前記(A)の重合体が、下記式(1-1)で表される単位構造を有する重合体である、[8]に記載の保護膜形成用組成物。
[13] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、2以上のフェノール性ヒドロキシ基を有する、[2]~[12]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[14] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(2-1)で表される、[2]~[13]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[15] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(2-2)で表される化合物である、[2]~[13]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[16] 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(3-1)で表される単位構造を含む重合体である、[2]~[13]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物。
[17] [1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とする半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜。
[18] (A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、
を含む、レジスト下層膜形成用組成物。
[19] さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含む、[18]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[20] 前記硬化剤が、塩基である、[18]又は[19]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[21] 前記塩基が、イミダゾール系化合物である、[20]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[22] 前記塩基が、下記式(B1)で表される、[21]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[23] 前記化合物(C)が、下記式(C)で表される化合物である、[18]~[22]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[24] 前記化合物(C)の含有量が、前記(A)の化合物又は重合体に対して、1~30質量%である、[18]~[23]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[25] 前記(A)の化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体である、[18]~[24]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[26] [18]~[25]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
[27] [1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物を、段差を有する半導体基板上に塗布し焼成して保護膜を形成する工程を含む、半導体の製造に用いることを特徴とする保護膜付き基板の製造方法。
[28] [1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物、又は[18]~[25]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜としての保護膜を形成する工程、及び該保護膜上にレジスト膜を形成し、次いで露光、現像してレジストパターンを形成する工程を含み、半導体の製造に用いることを特徴とするレジストパターン付き基板の製造方法。
[29] 表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、[1]~[16]のいずれかに記載の保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成し、前記保護膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記保護膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記保護膜をマスクとして、半導体用ウエットエッチング液を用いて前記無機膜又は前記半導体基板をウエットエッチング及び洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法。
[30] 表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、[18]~[25]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記レジスト下層膜をマスクとして、前記無機膜又は前記半導体基板をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法。
本発明により、半導体用ウエットエッチング液に対し耐性に優れた保護膜を形成することができる保護膜形成用の組成物であって、レジスト下層膜形成用の組成物としても有効に使用することができる組成物を提供することができる。
本発明の保護膜形成用組成物は、半導体製造におけるリソグラフィープロセスにおいて、例えば下記の特性をバランス良く有していることが要求される。(1)下地基板加工時にウエットエッチング液に対する良好なマスク機能を有すること、(2)さらに低ドライエッチング速度により基板加工時の保護膜又はレジスト下層膜へのダメージを低減すること、(3)段差基板の平坦化性に優れること、(4)微細なトレンチパターン基板への埋め込み性に優れること。そして、これら(1)~(4)の性能をバランスよく有することで、半導体基板の微細加工を容易に行うことができる。
本発明の保護膜形成用組成物は、半導体製造におけるリソグラフィープロセスにおいて、例えば下記の特性をバランス良く有していることが要求される。(1)下地基板加工時にウエットエッチング液に対する良好なマスク機能を有すること、(2)さらに低ドライエッチング速度により基板加工時の保護膜又はレジスト下層膜へのダメージを低減すること、(3)段差基板の平坦化性に優れること、(4)微細なトレンチパターン基板への埋め込み性に優れること。そして、これら(1)~(4)の性能をバランスよく有することで、半導体基板の微細加工を容易に行うことができる。
以下、本発明について詳細に説明する。なお、以下に記載する構成要件の説明は、本発明を説明するための例示であり、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。
(半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成用組成物)
本発明の半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成用組成物は、
(A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、を含む。
本発明の保護膜形成用組成物は、さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含んでもよい。
本発明の半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成用組成物は、
(A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、を含む。
本発明の保護膜形成用組成物は、さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含んでもよい。
本発明者らは、(A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体、(B)硬化剤、及び(D)溶剤を含む保護膜形成用組成物が、更に(C)β-ジカルボニル化合物を含むことにより、半導体用ウエットエッチング液に対する耐性がより優れた保護膜を形成することができることを見出し、本発明の完成に至った。
耐性がより優れた保護膜を形成する理由は明らかではないものの、本発明者らは、保護膜中の(C)β-ジカルボニル化合物が、保護対象(例えば、無機膜)と反応(例えば、キレート化)することによって、保護膜の半導体用ウエットエッチング液に対する耐性がより向上するものと考えている。
耐性がより優れた保護膜を形成する理由は明らかではないものの、本発明者らは、保護膜中の(C)β-ジカルボニル化合物が、保護対象(例えば、無機膜)と反応(例えば、キレート化)することによって、保護膜の半導体用ウエットエッチング液に対する耐性がより向上するものと考えている。
<(A)化合物又は重合体>
本発明で使用される(A)化合物又は重合体は、硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有していれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体であることが好ましい。
ここで、3員環構造を持つ環状エーテルとしては例えば、エポキシ基が挙げられる。また、4員環構造を持つ環状エーテルとしては、例えば、オキセタニル基が挙げられる。
(A)化合物又は重合体のより好ましい実施態様としては、下記第1の態様で示される化合物、あるいは第2の態様で示される重合体などが挙げられる。
本発明で使用される(A)化合物又は重合体は、硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有していれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体であることが好ましい。
ここで、3員環構造を持つ環状エーテルとしては例えば、エポキシ基が挙げられる。また、4員環構造を持つ環状エーテルとしては、例えば、オキセタニル基が挙げられる。
(A)化合物又は重合体のより好ましい実施態様としては、下記第1の態様で示される化合物、あるいは第2の態様で示される重合体などが挙げられる。
<<第1の態様>>
本発明で使用される(A)化合物として、例えば、以下の化合物が挙げられる。
係る化合物(以下、第1の態様における化合物ともいう)は、繰り返し構造単位を有しない化合物であって、
末端基(A1)、多価基(A2)、及び連結基(A3)を含み、
末端基(A1)は連結基(A3)のみと結合し、
多価基(A2)は連結基(A3)のみと結合し、
連結基(A3)は一方で末端基(A1)と、他方で多価基(A2)と結合し、任意選択的に別の連結基(A3)と結合してもよく、
末端基(A1)は下記式(I)の構造のいずれかであり、
(式(I)中、*は連結基(A3)との結合部位を示す。
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
多価基(A2)は、
-O-、
脂肪族炭化水素基、
炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び
炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せ
からなる群より選択される2~4価の基であり、
連結基(A3)は芳香族炭化水素基を表す、
化合物である。
本発明で使用される(A)化合物として、例えば、以下の化合物が挙げられる。
係る化合物(以下、第1の態様における化合物ともいう)は、繰り返し構造単位を有しない化合物であって、
末端基(A1)、多価基(A2)、及び連結基(A3)を含み、
末端基(A1)は連結基(A3)のみと結合し、
多価基(A2)は連結基(A3)のみと結合し、
連結基(A3)は一方で末端基(A1)と、他方で多価基(A2)と結合し、任意選択的に別の連結基(A3)と結合してもよく、
末端基(A1)は下記式(I)の構造のいずれかであり、
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
多価基(A2)は、
-O-、
脂肪族炭化水素基、
炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び
炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せ
からなる群より選択される2~4価の基であり、
連結基(A3)は芳香族炭化水素基を表す、
化合物である。
「繰り返し構造単位を有しない」とは、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリ(メタ)アクリレート等の、繰り返し構造単位を有する、いわゆるポリマーを除く趣旨である。好ましくは、(A)化合物の重量平均分子量は、300以上、1,500以下である。
末端基(A1)、多価基(A2)、及び連結基(A3)の間の「結合」は化学結合を意味し、通常は共有結合を意味するが、イオン結合であることを妨げるものではない。
多価基(A2)は2~4価の基である。
したがって、多価基(A2)の定義における脂肪族炭化水素基は、2~4価の脂肪族炭化水素基である。
非限定的な例として、2価の脂肪族炭化水素基を例示すると、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、s-ブチレン基、t-ブチレン基、シクロブチレン基、1-メチル-シクロプロピレン基、2-メチル-シクロプロピレン基、n-ペンチレン基、1-メチル-n-ブチレン基、2-メチル-n-ブチレン基、3-メチル-n-ブチレン基、1,1-ジメチル-n-プロピレン基、1,2-ジメチル-n-プロピレン基、2,2-ジメチル-n-プロピレン、1-エチル-n-プロピレン基、シクロペンチレン基、1-メチル-シクロブチレン基、2-メチル-シクロブチレン基、3-メチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロプロピレン基、2,3-ジメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-シクロプロピレン基、2-エチル-シクロプロピレン基、n-ヘキシレン基、1-メチル-n-ペンチレン基、2-メチル-n-ペンチレン基、3-メチル-n-ペンチレン基、4-メチル-n-ペンチレン基、1,1-ジメチル-n-ブチレン基、1,2-ジメチル-n-ブチレン基、1,3-ジメチル-n-ブチレン基、2,2-ジメチル-n-ブチレン基、2,3-ジメチル-n-ブチレン基、3,3-ジメチル-n-ブチレン基、1-エチル-n-ブチレン基、2-エチル-n-ブチレン基、1,1,2-トリメチル-n-プロピレン基、1,2,2-トリメチル-n-プロピレン基、1-エチル-1-メチル-n-プロピレン基、1-エチル-2-メチル-n-プロピレン基、シクロヘキシレン基、1-メチル-シクロペンチレン基、2-メチル-シクロペンチレン基、3-メチル-シクロペンチレン基、1-エチル-シクロブチレン基、2-エチル-シクロブチレン基、3-エチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロブチレン基、1,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,2-ジメチル-シクロブチレン基、2,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,4-ジメチル-シクロブチレン基、3,3-ジメチル-シクロブチレン基、1-n-プロピル-シクロプロピレン基、2-n-プロピル-シクロプロピレン基、1-イソプロピル-シクロプロピレン基、2-イソプロピル-シクロプロピレン基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピレン基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピレン基、n-ヘプチレン基、n-オクチレン基、n-ノニレン基又はn-デカニレン基のアルキレン基が挙げられる。
非限定的な例として、2価の脂肪族炭化水素基を例示すると、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、s-ブチレン基、t-ブチレン基、シクロブチレン基、1-メチル-シクロプロピレン基、2-メチル-シクロプロピレン基、n-ペンチレン基、1-メチル-n-ブチレン基、2-メチル-n-ブチレン基、3-メチル-n-ブチレン基、1,1-ジメチル-n-プロピレン基、1,2-ジメチル-n-プロピレン基、2,2-ジメチル-n-プロピレン、1-エチル-n-プロピレン基、シクロペンチレン基、1-メチル-シクロブチレン基、2-メチル-シクロブチレン基、3-メチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロプロピレン基、2,3-ジメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-シクロプロピレン基、2-エチル-シクロプロピレン基、n-ヘキシレン基、1-メチル-n-ペンチレン基、2-メチル-n-ペンチレン基、3-メチル-n-ペンチレン基、4-メチル-n-ペンチレン基、1,1-ジメチル-n-ブチレン基、1,2-ジメチル-n-ブチレン基、1,3-ジメチル-n-ブチレン基、2,2-ジメチル-n-ブチレン基、2,3-ジメチル-n-ブチレン基、3,3-ジメチル-n-ブチレン基、1-エチル-n-ブチレン基、2-エチル-n-ブチレン基、1,1,2-トリメチル-n-プロピレン基、1,2,2-トリメチル-n-プロピレン基、1-エチル-1-メチル-n-プロピレン基、1-エチル-2-メチル-n-プロピレン基、シクロヘキシレン基、1-メチル-シクロペンチレン基、2-メチル-シクロペンチレン基、3-メチル-シクロペンチレン基、1-エチル-シクロブチレン基、2-エチル-シクロブチレン基、3-エチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロブチレン基、1,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,2-ジメチル-シクロブチレン基、2,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,4-ジメチル-シクロブチレン基、3,3-ジメチル-シクロブチレン基、1-n-プロピル-シクロプロピレン基、2-n-プロピル-シクロプロピレン基、1-イソプロピル-シクロプロピレン基、2-イソプロピル-シクロプロピレン基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピレン基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピレン基、n-ヘプチレン基、n-オクチレン基、n-ノニレン基又はn-デカニレン基のアルキレン基が挙げられる。
これらの基から任意の部位の水素が取り去られ、結合手に変えられることにより、3価、4価の基が誘導される。
多価基(A2)の定義における炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、スチレン、インデン等が挙げられる。
炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と組合せられる脂肪族炭化水素基としては、上記アルキレン基のほか、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、1,1-ジメチル-n-プロピル基、1,2-ジメチル-n-プロピル基、2,2-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロプロピル基、2,3-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、1,1-ジメチル-n-ブチル基、1,2-ジメチル-n-ブチル基、1,3-ジメチル-n-ブチル基、2,2-ジメチル-n-ブチル基、2,3-ジメチル-n-ブチル基、3,3-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、1,1,2-トリメチル-n-プロピル基、1,2,2-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロブチル基、1,3-ジメチル-シクロブチル基、2,2-ジメチル-シクロブチル基、2,3-ジメチル-シクロブチル基、2,4-ジメチル-シクロブチル基、3,3-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピル基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基、デシル基等のアルキル基が挙げられる。
多価基(A2)の定義における炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基とは、いずれが連結基(A3)と結合していてもよい。
多価基(A2)の定義における炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基としては、ナフタレン、アズレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、トリフェニレン、ピレン、クリセン等が挙げられる。
多価基(A2)の定義における炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基は-O-を介して連結基(A3)と結合していることが好ましい。
連結基(A3)の定義における芳香族炭化水素基としては、上記炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基、及び上記炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基が例示される。
好ましくは、化合物(A)は連結基(A3)を2個以上有する。
第1の態様における化合物は、好ましくは、例えば、下記式(II)で表される。
(式(II)中、
Z1、及びZ2はそれぞれ独立に
(式(I)中、*はY1、又はY2との結合部位を示す。
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
を表し、
Y1、及びY2はそれぞれ独立に芳香族炭化水素基を表し、
X1、及びX2はそれぞれ独立に-Y1-Z1又は-Y2-Z2を表し、
n1、及びn2はそれぞれ独立に0~4の整数を表し、但しいずれかは1以上であり、
(X1)m1で規定するm1は0又は1を表し、
(X2)m2で規定するm2は0又は1を表し、
Qは-O-、脂肪族炭化水素基、炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せからなる群より選択される(n1+n2)価の基を表す。)
Qは、2~4価の基であることが好ましい。
Z1、及びZ2はそれぞれ独立に
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
を表し、
Y1、及びY2はそれぞれ独立に芳香族炭化水素基を表し、
X1、及びX2はそれぞれ独立に-Y1-Z1又は-Y2-Z2を表し、
n1、及びn2はそれぞれ独立に0~4の整数を表し、但しいずれかは1以上であり、
(X1)m1で規定するm1は0又は1を表し、
(X2)m2で規定するm2は0又は1を表し、
Qは-O-、脂肪族炭化水素基、炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せからなる群より選択される(n1+n2)価の基を表す。)
Qは、2~4価の基であることが好ましい。
式(II)において、Z1、及びZ2は上記末端基(A1)に、Qは上記多価基(A2)に、Y1、及びY2は上記連結基(A3)にそれぞれ相当するものであり、それらについての説明、例示等は上述したとおりである。
第1の態様における化合物は、好ましくは、例えば、下記式(III)で表される部分構造を含む。
(式(III)中、Arはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表す。Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
<<第2の態様>>
本発明で使用される(A)重合体として、例えば、以下の重合体が挙げられる。
係る重合体(以下、第2の態様における重合体ともいう)は、下記式(1-1)で表される単位構造を有する重合体である:
(式(1-1)中、Arはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表し、R1はヒドロキシ基、メチル基で保護されていてもよいメルカプト基、メチル基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲノ基又は、ヘテロ原子で置換若しくは中断されていてもよくヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表し、n1は0~3の整数を表し、L1は単結合又は炭素原子数1~10のアルキレン基を表し、n2は、1又は2を表し、Eはエポキシ基を有する基、またはオキセタニル基を有する基を表し、T1はn2=1のとき、単結合、又はエーテル結合、エステル結合若しくはアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1~10のアルキレン基を表し、T1はn2=2のとき、窒素原子又はアミド結合を表す。)
本発明で使用される(A)重合体として、例えば、以下の重合体が挙げられる。
係る重合体(以下、第2の態様における重合体ともいう)は、下記式(1-1)で表される単位構造を有する重合体である:
炭素原子数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、1,1-ジメチル-n-プロピル基、1,2-ジメチル-n-プロピル基、2,2-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロプロピル基、2,3-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、1,1-ジメチル-n-ブチル基、1,2-ジメチル-n-ブチル基、1,3-ジメチル-n-ブチル基、2,2-ジメチル-n-ブチル基、2,3-ジメチル-n-ブチル基、3,3-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、1,1,2-トリメチル-n-プロピル基、1,2,2-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロブチル基、1,3-ジメチル-シクロブチル基、2,2-ジメチル-シクロブチル基、2,3-ジメチル-シクロブチル基、2,4-ジメチル-シクロブチル基、3,3-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピル基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基、デシル基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アミノメチル基、1-アミノエチル基、2-アミノエチル基、メチルチオ基、エチルチオ基、メルカプトメチル基、1-メルカプトエチル基、2-メルカプトエチル基、等が挙げられる。
炭素原子数1~10のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、s-ブチレン基、t-ブチレン基、シクロブチレン基、1-メチル-シクロプロピレン基、2-メチル-シクロプロピレン基、n-ペンチレン基、1-メチル-n-ブチレン基、2-メチル-n-ブチレン基、3-メチル-n-ブチレン基、1,1-ジメチル-n-プロピレン基、1,2-ジメチル-n-プロピレン基、2,2-ジメチル-n-プロピレン、1-エチル-n-プロピレン基、シクロペンチレン基、1-メチル-シクロブチレン基、2-メチル-シクロブチレン基、3-メチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロプロピレン基、2,3-ジメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-シクロプロピレン基、2-エチル-シクロプロピレン基、n-ヘキシレン基、1-メチル-n-ペンチレン基、2-メチル-n-ペンチレン基、3-メチル-n-ペンチレン基、4-メチル-n-ペンチレン基、1,1-ジメチル-n-ブチレン基、1,2-ジメチル-n-ブチレン基、1,3-ジメチル-n-ブチレン基、2,2-ジメチル-n-ブチレン基、2,3-ジメチル-n-ブチレン基、3,3-ジメチル-n-ブチレン基、1-エチル-n-ブチレン基、2-エチル-n-ブチレン基、1,1,2-トリメチル-n-プロピレン基、1,2,2-トリメチル-n-プロピレン基、1-エチル-1-メチル-n-プロピレン基、1-エチル-2-メチル-n-プロピレン基、シクロヘキシレン基、1-メチル-シクロペンチレン基、2-メチル-シクロペンチレン基、3-メチル-シクロペンチレン基、1-エチル-シクロブチレン基、2-エチル-シクロブチレン基、3-エチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロブチレン基、1,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,2-ジメチル-シクロブチレン基、2,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,4-ジメチル-シクロブチレン基、3,3-ジメチル-シクロブチレン基、1-n-プロピル-シクロプロピレン基、2-n-プロピル-シクロプロピレン基、1-イソプロピル-シクロプロピレン基、2-イソプロピル-シクロプロピレン基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピレン基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピレン基、n-ヘプチレン基、n-オクチレン基、n-ノニレン基又はn-デカニレン基が挙げられる。
R1におけるヘテロ原子で置換若しくは中断されている炭素原子数1~10のアルキル基の一例は、炭素原子数1~10のアルコキシ基である。
炭素原子数1~10のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、1-メチル-n-ブトキシ基、2-メチル-n-ブトキシ基、3-メチル-n-ブトキシ基、1,1-ジメチル-n-プロポキシ基、1,2-ジメチル-n-プロポキシ基、2,2-ジメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-n-プロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、1-メチル-n-ペンチルオキシ基、2-メチル-n-ペンチルオキシ基、3-メチル-n-ペンチルオキシ基、4-メチル-n-ペンチルオキシ基、1,1-ジメチル-n-ブトキシ基、1,2-ジメチル-n-ブトキシ基、1,3-ジメチル-n-ブトキシ基、2,2-ジメチル-n-ブトキシ基、2,3-ジメチル-n-ブトキシ基、3,3-ジメチル-n-ブトキシ基、1-エチル-n-ブトキシ基、2-エチル-n-ブトキシ基、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1,2,2,-トリメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-1-メチル-n-プロポキシ基、1-エチル-2-メチル-n-プロポキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基及びn-ノニルオキシ基等が挙げられる。
式(1-1)で表される単位構造は、1種類でも2種以上の組み合わせでもよい。例えばArが同一種類である複数の単位構造を有する共重合体であってもよく、例えばArがベンゼン環を含む単位構造と、ナフタレン環とを有する単位構造を有するような、Arの種類が異なる、複数の単位構造を有する共重合体も本願の技術範囲から排除されない。
上記「中断されていてもよい」、とは、炭素原子数2~10のアルキレン基の場合、左記アルキレン基中の何れかの炭素―炭素原子間がヘテロ原子(すなわち酸素の場合はエーテル結合、硫黄の場合はスルフィド結合)、エステル結合若しくはアミド結合で中断されていることを言い、炭素原子数1(すなわちメチレン基)では、メチレン基の炭素のどちらか一方にヘテロ原子(すなわち酸素の場合はエーテル結合、硫黄の場合はスルフィド結合)、エステル結合若しくはアミド結合を有することを言う。
T1はn2=1のとき、単結合、又はエーテル結合、エステル結合若しくはアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1~10のアルキレン基を表すが、エーテル結合とメチレン基との組み合わせ(すなわち式(1-1)の「-T1-(E)n2」がグリシジルエーテル基の場合)、エステル結合とメチレン基との組み合わせ、又はアミド結合とメチレン基との組み合わせであることが好ましい。
ヘテロ原子で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基とは、炭素原子数1~10のアルキル基が有する1つ以上の水素原子が、ヘテロ原子(好ましくはハロゲノ基)で置換されていることをいう。
L1は単結合又は炭素原子数1~10のアルキレン基を表すが、下記式(1-2):
(式(1-2)中、R2、R3は、互いに独立して水素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基を表し、R2、R3は互いに結合して炭素原子数3~6の環を形成してもよい)で表されることが好ましい。これらの中でもR2、R3いずれも水素原子(すなわち-(CR2R3)-がメチレン基)であることが好ましい。
ハロゲノ基とは、水素と置換したハロゲン-X(F、Cl、Br、I)をいう。
式(1-1)中のEは、エポキシ基を有する基であることがより好ましい。
第2の態様における重合体は、例えば、式(1-1)の単位構造を満たすものであれば、特に制限されない。自体公知の方法で製造されたものでよい。市販品を使用してもよい。市販品としては、耐熱性エポキシノボラック樹脂EOCN(登録商標)シリーズ(日本化薬(株)製、エポキシノボラック樹脂D.E.N(登録商標)シリーズ(ダウ・ケミカル日本(株)製)等が挙げられる。
第2の態様における重合体の重量平均分子量としては100以上であり、500~200,000であり、600~50,000であり、又は700~10,000である。
<(B)硬化剤>
本発明で使用される(B)成分は硬化剤である。
硬化剤としては、(A)成分が有する架橋反応可能な反応基を架橋反応させることができる限り、特に制限されないが、例えば、塩基、熱酸発生剤、フェノール系硬化剤、アミド系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール類、酸無水物系硬化剤、有機ホスフィン類、メルカプタン系硬化剤、第3級アミン、ホスホニウム塩、テトラフェニルボロン塩、有機酸ジヒドラジド、ハロゲン化ホウ素アミン錯体、イソシアネート系硬化剤、ブロックイソシアネート系硬化剤などが挙げられる。
なお、例えば、2-フェニルイミダゾールは、塩基であり、かつイミダゾール類でもある。このように、本発明においては、上記で例示した硬化剤の下位概念の複数種類に属する具体例がある場合がある。
本発明で使用される(B)成分は硬化剤である。
硬化剤としては、(A)成分が有する架橋反応可能な反応基を架橋反応させることができる限り、特に制限されないが、例えば、塩基、熱酸発生剤、フェノール系硬化剤、アミド系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール類、酸無水物系硬化剤、有機ホスフィン類、メルカプタン系硬化剤、第3級アミン、ホスホニウム塩、テトラフェニルボロン塩、有機酸ジヒドラジド、ハロゲン化ホウ素アミン錯体、イソシアネート系硬化剤、ブロックイソシアネート系硬化剤などが挙げられる。
なお、例えば、2-フェニルイミダゾールは、塩基であり、かつイミダゾール類でもある。このように、本発明においては、上記で例示した硬化剤の下位概念の複数種類に属する具体例がある場合がある。
<<塩基>>
本発明者らは、
(A’)塩基の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B’)塩基:及び
(D)溶剤、
を含む、保護膜形成用組成物が、半導体用ウエットエッチング液に対し耐性に優れた保護膜を形成することができる保護膜形成用の組成物であって、レジスト下層膜形成用の組成物としても有効に使用することができる組成物であることを見出し、出願をしている(特願2021-183272及びその優先権主張出願であるPCT/JP2022/37571)。特願2021-183272及びPCT/JP2022/37571は、全てが明示されたと同程度に本明細書に組み込まれるものである。
本発明者らは、当該保護膜形成用組成物が更に(C)β-ジカルボニル化合物を含む場合でも、半導体用ウエットエッチング液に対する耐性がより優れた保護膜を形成することができることを確認している。
本発明者らは、
(A’)塩基の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B’)塩基:及び
(D)溶剤、
を含む、保護膜形成用組成物が、半導体用ウエットエッチング液に対し耐性に優れた保護膜を形成することができる保護膜形成用の組成物であって、レジスト下層膜形成用の組成物としても有効に使用することができる組成物であることを見出し、出願をしている(特願2021-183272及びその優先権主張出願であるPCT/JP2022/37571)。特願2021-183272及びPCT/JP2022/37571は、全てが明示されたと同程度に本明細書に組み込まれるものである。
本発明者らは、当該保護膜形成用組成物が更に(C)β-ジカルボニル化合物を含む場合でも、半導体用ウエットエッチング液に対する耐性がより優れた保護膜を形成することができることを確認している。
塩基としては、例えば、イミダゾール系化合物、(ピペリジン化合物、アミド系化合物、アミン系化合物、ジアザビシクロウンデセン(DBU)系化合物、ジアザビシクロノネン(DBN)系化合物、ホスホニウム系化合物、ウレア系化合物)等が挙げられる。中でも、保存安定性の観点から、イミダゾール系化合物が好ましい。
本発明で使用される塩基には、酸との塩を構成した態様も含み得る。
例えば、イミダゾール系化合物を例に以下説明する。
本発明でいう(B)成分の塩基としては、例えば、(i)下記式(B1)で表されるイミダゾール系化合物や、(ii)該式(B1)で表されるイミダゾール系化合物と酸との塩や、あるいは、(iii)下記式(B2)で表されるカチオンを含む4級塩が挙げられる。
例えば、イミダゾール系化合物を例に以下説明する。
本発明でいう(B)成分の塩基としては、例えば、(i)下記式(B1)で表されるイミダゾール系化合物や、(ii)該式(B1)で表されるイミダゾール系化合物と酸との塩や、あるいは、(iii)下記式(B2)で表されるカチオンを含む4級塩が挙げられる。
置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいトリアジン環でいう置換基としては、アミノ基又はヒドロキシ基が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状あるいは分岐鎖状のいずれであってもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基などが挙げられる。
R4またはR5において、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシアルキル基でいう置換基としては、ヒドロキシ基又はシアノ基が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状あるいは分岐鎖状のいずれであってもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基などが挙げられる。
R4またはR5において、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシアルキル基でいう置換基としては、ヒドロキシ基又はシアノ基が挙げられる。
式(B2)中、R1~R5の説明は、式(B1)と同様である。また、式(B2)中、R7の置換されていてもよいアリール基でいう置換基としては、アミノ基又はヒドロキシ基が挙げられる。R7のアリール基の具体例としては上述したものと同じものが挙げられる。
本発明でいう(B)成分の塩基が、上述したように対のアニオンと塩を形成する場合、対のアニオンとしては、特に限定されるものではないが、例えば、イミド、ハロゲン、カルボキシラート、スルファート、スルホナート、チオシアナート、アルミナート、ボラート、ホスファート、ホスフィナート、アミド、アンチモナート及びメチドが挙げられ、より具体的には、(CF3SO2)2N-、(CF3SO2)(FSO2)N-、(FSO2)2N-、(CF3CF2SO2)2N-、(CN)2N-、OH-、Cl-、Br-、I-、NO3
-、CH3COO-、CF3COO-、CF3CF2CF2COO-、CF3SO3
-、CF3CF2SO3
-、CF3CF2CF2CF2SO3
-、SbF6
-、AlCl4
-、SCN-、PF6
-、BF4
-、[CF3OCF2CF2BF3
-]、[(CpF2p+1)BF3]-(pは1、2、3、又は4の整数を表す)等が挙げられる。
さらに例えば、下記で表されるアニオンが挙げられる。
さらに例えば、下記で表されるアニオンが挙げられる。
本発明で使用される塩基を、イミダゾール系化合物を例に具体的に以下に示すが、これらに限定されるものではない。
<<熱酸発生剤>>
熱酸発生剤としては、例えば、ピリジニウム-p-トルエンスルホナート、ピリジニウム-トリフルオロメタンスルホナート、ピリニジウム-p-フェノールスルホナート、K-PURE〔登録商標〕CXC-1612、同CXC-1614、同TAG-2172、同TAG-2179、同TAG-2678、同TAG2689(以上、King Industries社製)、及びSI-45、SI-60、SI-80、SI-100、SI-110、SI-150(以上、三新化学工業株式会社製)が挙げられる。
熱酸発生剤としては、例えば、ピリジニウム-p-トルエンスルホナート、ピリジニウム-トリフルオロメタンスルホナート、ピリニジウム-p-フェノールスルホナート、K-PURE〔登録商標〕CXC-1612、同CXC-1614、同TAG-2172、同TAG-2179、同TAG-2678、同TAG2689(以上、King Industries社製)、及びSI-45、SI-60、SI-80、SI-100、SI-110、SI-150(以上、三新化学工業株式会社製)が挙げられる。
<<フェノール系硬化剤>>
フェノール系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、4,4’-ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,4-ビス(4-ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’-ジヒドロキシジフェニルケトン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’-ジヒドロキシビフェニル、2,2’-ジヒドロキシビフェニル、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10H-9-オキサ-10-ホスファフェナンスレン-10-オキサイド、フェノールノボラック、ビスフェノールAノボラック、o-クレゾールノボラック、m-クレゾールノボラック、p-クレゾールノボラック、キシレノールノボラック、ポリ-p-ヒドロキシスチレン、ハイドロキノン、レゾルシン、カテコール、t-ブチルカテコール、t-ブチルハイドロキノン、フルオログリシノール、ピロガロール、t-ブチルピロガロール、アリル化ピロガロール、ポリアリル化ピロガロール、1,2,4-ベンゼントリオール、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、1,2-ジヒドロキシナフタレン、1,3-ジヒドロキシナフタレン、1,4-ジヒドロキシナフタレン、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、1,8-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,4-ジヒドロキシナフタレン、2,5-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン、2,8-ジヒドロキシナフタレン、上記ジヒドロキシナフタレンのアリル化物又はポリアリル化物、アリル化ビスフェノールA、アリル化ビスフェノールF、アリル化フェノールノボラック、アリル化ピロガロール等が挙げられる。
フェノール系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、4,4’-ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,4-ビス(4-ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4’-ジヒドロキシジフェニルケトン、4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’-ジヒドロキシビフェニル、2,2’-ジヒドロキシビフェニル、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10H-9-オキサ-10-ホスファフェナンスレン-10-オキサイド、フェノールノボラック、ビスフェノールAノボラック、o-クレゾールノボラック、m-クレゾールノボラック、p-クレゾールノボラック、キシレノールノボラック、ポリ-p-ヒドロキシスチレン、ハイドロキノン、レゾルシン、カテコール、t-ブチルカテコール、t-ブチルハイドロキノン、フルオログリシノール、ピロガロール、t-ブチルピロガロール、アリル化ピロガロール、ポリアリル化ピロガロール、1,2,4-ベンゼントリオール、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、1,2-ジヒドロキシナフタレン、1,3-ジヒドロキシナフタレン、1,4-ジヒドロキシナフタレン、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、1,8-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,4-ジヒドロキシナフタレン、2,5-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン、2,8-ジヒドロキシナフタレン、上記ジヒドロキシナフタレンのアリル化物又はポリアリル化物、アリル化ビスフェノールA、アリル化ビスフェノールF、アリル化フェノールノボラック、アリル化ピロガロール等が挙げられる。
<<アミン系硬化剤>>
アミン系硬化剤としては、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類などが挙げられる。
脂肪族アミン類としては、例えば、エチレンジアミン、1,3-ジアミノプロパン、1,4-ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミン、2,5-ジメチルヘキサメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、イミノビスプロピルアミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、N-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、テトラ(ヒドロキシエチル)エチレンジアミン等が挙げられる。
ポリエーテルアミン類としては、例えば、トリエチレングリコールジアミン、テトラエチレングリコールジアミン、ジエチレングリコールビス(プロピルアミン)、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン類等が挙げられる。
脂環式アミン類としては、例えば、イソホロンジアミン、メタセンジアミン、N-アミノエチルピペラジン、ビス(4-アミノ-3-メチルジシクロヘキシル)メタン、ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、3,9-ビス(3-アミノプロピル)-2,4,8,10-テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン、ノルボルネンジアミン等が挙げられる。
芳香族アミン類としては、例えば、テトラクロロ-p-キシレンジアミン、m-キシレンジアミン、p-キシレンジアミン、m-フェニレンジアミン、o-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノアニソール、2,4-トルエンジアミン、2,4-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、2,4-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、m-アミノフェノール、m-アミノベンジルアミン、ベンジルジメチルアミン、2-ジメチルアミノメチル)フェノール、トリエタノールアミン、メチルベンジルアミン、α-(m-アミノフェニル)エチルアミン、α-(p-アミノフェニル)エチルアミン、ジアミノジエチルジメチルジフェニルメタン、α,α’-ビス(4-アミノフェニル)-p-ジイソプロピルベンゼン等が挙げられる。
アミン系硬化剤としては、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類などが挙げられる。
脂肪族アミン類としては、例えば、エチレンジアミン、1,3-ジアミノプロパン、1,4-ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミン、2,5-ジメチルヘキサメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、イミノビスプロピルアミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、N-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、テトラ(ヒドロキシエチル)エチレンジアミン等が挙げられる。
ポリエーテルアミン類としては、例えば、トリエチレングリコールジアミン、テトラエチレングリコールジアミン、ジエチレングリコールビス(プロピルアミン)、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン類等が挙げられる。
脂環式アミン類としては、例えば、イソホロンジアミン、メタセンジアミン、N-アミノエチルピペラジン、ビス(4-アミノ-3-メチルジシクロヘキシル)メタン、ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、3,9-ビス(3-アミノプロピル)-2,4,8,10-テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン、ノルボルネンジアミン等が挙げられる。
芳香族アミン類としては、例えば、テトラクロロ-p-キシレンジアミン、m-キシレンジアミン、p-キシレンジアミン、m-フェニレンジアミン、o-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノアニソール、2,4-トルエンジアミン、2,4-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、2,4-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、m-アミノフェノール、m-アミノベンジルアミン、ベンジルジメチルアミン、2-ジメチルアミノメチル)フェノール、トリエタノールアミン、メチルベンジルアミン、α-(m-アミノフェニル)エチルアミン、α-(p-アミノフェニル)エチルアミン、ジアミノジエチルジメチルジフェニルメタン、α,α’-ビス(4-アミノフェニル)-p-ジイソプロピルベンゼン等が挙げられる。
<<イミダゾール類>>
イミダゾール類としては、例えば、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4(5)-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノ-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加体、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、及びエポキシ樹脂と上記イミダゾール類との付加体等が挙げられる。
イミダゾール類としては、例えば、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4(5)-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノ-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加体、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、及びエポキシ樹脂と上記イミダゾール類との付加体等が挙げられる。
<<酸無水物系硬化剤>>
酸無水物系硬化剤としては、酸無水物、酸無水物の変性物等が挙げられる
酸無水物としては、例えば、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ポリ(エチルオクタデカン二酸)無水物、ポリ(フェニルヘキサデカン二酸)無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、トリアルキルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート二無水物、ヘット酸無水物、ナジック酸無水物、メチルナジック酸無水物、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-3-シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸無水物、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物、1-メチル-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物等が挙げられる。
酸無水物の変性物としては、例えば、上記の酸無水物をグリコールで変性したもの等が挙げられる。ここで、変性に用いることのできるグリコールの例としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール等のアルキレングリコール類;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等のポリエーテルグリコール類等が挙げられる。更には、これらのうちの2種類以上のグリコール及び/又はポリエーテルグリコールの共重合ポリエーテルグリコールを用いることもできる。なお、酸無水物の変性物においては、酸無水物1モルに対してグリコール0.4モル以下で変性させることが好ましい。
酸無水物系硬化剤としては、酸無水物、酸無水物の変性物等が挙げられる
酸無水物としては、例えば、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ポリ(エチルオクタデカン二酸)無水物、ポリ(フェニルヘキサデカン二酸)無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルハイミック酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、トリアルキルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート二無水物、ヘット酸無水物、ナジック酸無水物、メチルナジック酸無水物、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-3-シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸無水物、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物、1-メチル-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物等が挙げられる。
酸無水物の変性物としては、例えば、上記の酸無水物をグリコールで変性したもの等が挙げられる。ここで、変性に用いることのできるグリコールの例としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール等のアルキレングリコール類;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等のポリエーテルグリコール類等が挙げられる。更には、これらのうちの2種類以上のグリコール及び/又はポリエーテルグリコールの共重合ポリエーテルグリコールを用いることもできる。なお、酸無水物の変性物においては、酸無水物1モルに対してグリコール0.4モル以下で変性させることが好ましい。
<<有機ホスフィン類>>
有機ホスフィン類としては、例えば、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフイン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等が挙げられる。
有機ホスフィン類としては、例えば、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフイン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等が挙げられる。
<<ホスホニウム塩>>
ホスホニウム塩としては、例えば、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボレート等が挙げられる。
ホスホニウム塩としては、例えば、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボレート等が挙げられる。
<<テトラフェニルボロン塩>>
テトラフェニルボロン塩としては、例えば、2-エチル-4-メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、N-メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等が挙げられる。
テトラフェニルボロン塩としては、例えば、2-エチル-4-メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、N-メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等が挙げられる。
本発明の保護膜形成用組成物における、(B)硬化剤の含有量としては、例えば、その含有量の下限は、保護膜形成用組成物の全固形分に対して、通常0.0001質量%、好ましくは0.01質量%、さらに好ましくは0.1質量%であり、その含有量の上限は、保護膜形成用組成物の全固形分に対して、通常50質量%、好ましくは40質量%、さらに好ましくは30質量%である。
<(C)β-ジカルボニル化合物>
本発明で使用される(C)成分は、β-ジカルボニル化合物(以下、「化合物(C)」と称することがある。)である。β-ジカルボニル化合物とは、-C(=O)-CRXRY-C(=O)-(RX及びRYはそれぞれ独立して水素原子又は1価の基を表す。)で表される構造を有する化合物である。
本発明で使用される(C)成分は、β-ジカルボニル化合物(以下、「化合物(C)」と称することがある。)である。β-ジカルボニル化合物とは、-C(=O)-CRXRY-C(=O)-(RX及びRYはそれぞれ独立して水素原子又は1価の基を表す。)で表される構造を有する化合物である。
化合物(C)の炭素数としては、例えば、5~30が挙げられる。
化合物(C)としては、下記式(C)で表される化合物が好ましい。
(式(C)中、RA及びRBは、それぞれ独立して、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルコキシ基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、又は置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリールオキシ基を表す。RC及びRDは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、又は置換されていてもよい炭素原子数2~6のアシル基を表す。RAとRCとは、一緒になって環構造を形成していてもよい。)
RA、RB、RC及びRDにおける置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基の炭素原子数としては、例えば、1~10であってもよいし、1~6であってもよい。
RA、RB、RC及びRDにおける炭素原子数1~10のアルキル基の具体例としては、例えば、式(1-1)のR1の説明において例示した炭素原子数1~10のアルキル基の具体例が挙げられる。アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよいし、環状であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。
RA、RB、RC及びRDにおける炭素原子数1~10のアルキル基の具体例としては、例えば、式(1-1)のR1の説明において例示した炭素原子数1~10のアルキル基の具体例が挙げられる。アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよいし、環状であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。
RA及びRBにおける置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルコキシ基の炭素原子数としては、例えば、1~10であってもよいし、1~6であってもよい。
RA及びRBにおける炭素原子数1~10のアルコキシ基の具体例としては、例えば、式(1-1)のR1の説明において例示した炭素原子数1~10のアルコキシ基の具体例が挙げられる。アルコキシ基におけるアルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよいし、環状であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。
RA及びRBにおける炭素原子数1~10のアルコキシ基の具体例としては、例えば、式(1-1)のR1の説明において例示した炭素原子数1~10のアルコキシ基の具体例が挙げられる。アルコキシ基におけるアルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよいし、環状であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。
RA、RB、RC及びRDにおける置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基のアリール基としては、芳香族炭化水素基であってもよいし、芳香族複素環基であってもよい。芳香族炭化水素基においける芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。芳香族複素環基における芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環などが挙げられる。これらの中でも、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましい。
RA、RB、RC及びRDにおける置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基のアリール基としては、芳香族炭化水素基であってもよいし、芳香族複素環基であってもよい。芳香族炭化水素基における芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。芳香族複素環基における芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環などが挙げられる。これらの中でも、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましい。
RA及びRBにおける炭素原子数5~18のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
RA及びRBにおける炭素原子数5~18のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
RA及びRBにおける置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリールオキシ基のアリール基としては、芳香族炭化水素基であってもよいし、芳香族複素環基であってもよい。芳香族炭化水素基における芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。芳香族複素環基における芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環などが挙げられる。これらの中でも、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましい。
置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、及び置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルコキシ基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基などが挙げられる。アシル基としては、例えば、炭素原子数2~5のアシル基が挙げられる。
本発明においてハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
本発明においてハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリールオキシ基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数2~5のアシル基などが挙げられる。
RC及びRDにおける置換されていてもよい炭素原子数2~6のアシル基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子が挙げられる。
RAとRCとは、一緒になって環構造を形成していてもよい。形成される環構造の員環数としては、例えば、5~7が挙げられる。形成される環構造は、例えば、ラクトン環が挙げられる。環構造を構成する原子には、ヘテロ原子が含まれていてもよい。環構造を形成する結合には、炭素-炭素二重結合を有していてもよい。
置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリール基、置換されていてもよい炭素原子数5~18のアラルキル基、及び置換されていてもよい炭素原子数5~18のアリールオキシ基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数1~6のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数1~6のアルコキシ基が挙げられる。
本発明の保護膜形成用組成物における(C)化合物の含有量としては、特に制限されないが、その含有量の下限は、(A)化合物又は重合体に対して、好ましくは0.5質量%、より好ましくは1質量%、特に好ましくは5質量%であり、その含有量の上限は、(A)化合物又は重合体に対して、好ましくは50質量%、より好ましくは30質量%、特に好ましくは20質量%である。
本発明の保護膜形成用組成物における(C)化合物の含有量としては、特に制限されないが、その含有量の下限は、(D)溶剤に対して、好ましくは0.0001質量%、より好ましくは0.005質量%、特に好ましくは0.001質量%であり、その含有量の上限は、(D)溶剤に対して、好ましくは50質量%、より好ましくは30質量%、特に好ましくは20質量%である。
<(D)溶剤>
本発明の保護膜形成用組成物は、上述した各成分を、溶剤、好ましくは有機溶剤に溶解させることによって調製でき、均一な溶液状態で用いられる。なお、本発明において、(D)溶剤は、(C)化合物とは異なる。
本発明の保護膜形成用組成物は、上述した各成分を、溶剤、好ましくは有機溶剤に溶解させることによって調製でき、均一な溶液状態で用いられる。なお、本発明において、(D)溶剤は、(C)化合物とは異なる。
本発明に係る保護膜形成用組成物の有機溶剤としては、上記(A)化合物又は重合体、上記(B)硬化剤、その他任意選択的な固形成分等の固形成分を溶解できる有機溶剤であれば、特に制限なく使用することができる。特に、本発明に係る保護膜形成用組成物は均一な溶液状態で用いられるものであるため、その塗布性能を考慮すると、リソグラフィー工程に一般的に使用される有機溶剤を併用することが推奨される。
有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、4-メチル-2-ペンタノール、エトキシ酢酸エチル、酢酸2-ヒドロキシエチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、2-ヘプタノン、メトキシシクロペンタン、アニソール、γ-ブチロラクトン、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、及びN,N-ジメチルアセトアミドが挙げられる。これらの溶剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの溶媒の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びシクロヘキサノン等が好ましい。特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
本発明に係る保護膜形成用組成物の固形分は通常0.1~70質量%、好ましくは0.1~60質量%とする。固形分は保護膜形成用組成物から溶剤を除いた全成分の含有割合である。固形分中における上記(A)化合物又は重合体の割合は、1~100質量%が好ましく、1~99.9質量%がより好ましく、50~99.9質量%がさらに好ましく、50~95質量%がさらにより好ましく、50~90質量%が特に好ましい。
<(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体>
本発明の保護膜形成用組成物は、さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含んでもよい。
(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体は、本願発明の効果を損ねない化合物又は重合体であれば特に限定されない。言うまでもなく、該(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体は上記(A)化合物又は重合体とは異なる。
本発明の保護膜形成用組成物は、さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含んでもよい。
(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体は、本願発明の効果を損ねない化合物又は重合体であれば特に限定されない。言うまでもなく、該(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体は上記(A)化合物又は重合体とは異なる。
(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体(以下、(E)化合物又は重合体ともいう)の重量平均分子量も特に制限されないが、例えば300~50,000である。
(E)化合物又は重合体は、2以上のフェノール性ヒドロキシ基を有することが好ましい。
(E)化合物又は重合体のより好ましい実施態様としては、例えば、下記第3の態様~第5の態様で示される化合物又は重合体が挙げられる。
(E)化合物又は重合体のより好ましい実施態様としては、例えば、下記第3の態様~第5の態様で示される化合物又は重合体が挙げられる。
<<第3の態様>>
本発明で使用される(E)化合物又は重合体として、例えば、式(2-1)で表される化合物又は重合体が挙げられる。
本発明で使用される(E)化合物又は重合体として、例えば、式(2-1)で表される化合物又は重合体が挙げられる。
前記m1、n3~n5及びr2が0であり、m2が1であることが好ましい。
式(2-1)に係るハロゲノ基、アルコキシ基及びアルキル基の説明は、上述した通りである。
ビシクロ環化合物としては、ジシクロペンタジエン、置換ジシクロペンタジエン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3,8-ジエン、又は置換テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3,8-ジエンが挙げられる。置換とは、ビシクロ環化合物の1つ又は2つ以上の水素原子が、それぞれ独立にハロゲノ基、ニトロ基、アミノ基若しくはヒドロキシ基又はそれらの基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基若しくは炭素原子数6~40のアリール基で置換されていることをいう。ビシクロ環化合物由来の2価の有機基とは、ビシクロ環化合物から任意の2つの水素原子を取り去ることによって誘導される、結合手を2つ有する基をいう。
炭素原子数6~40のアリール基としては、フェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、o-クロルフェニル基、m-クロルフェニル基、p-クロルフェニル基、o-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-シアノフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基及び9-フェナントリル基が挙げられる。
<<第4の態様>>
本発明で使用される(E)化合物又は重合体として、例えば、式(2-2)で表される化合物が挙げられる。
(式(2-2)中、R3はハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。Q1は単結合、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、イミノ基、炭素原子数6~40のアリーレン基、又はハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキレン基を表す。aは1~6の整数を表す。n6は0~2の整数を表す。r3は0~3の整数を表す。)
式(2-2)のアルコキシ基、アルキル基及びハロゲノ基の説明は上述した通りである。
本発明で使用される(E)化合物又は重合体として、例えば、式(2-2)で表される化合物が挙げられる。
式(2-2)のアルコキシ基、アルキル基及びハロゲノ基の説明は上述した通りである。
炭素原子数6~40のアリーレン基としては、フェニレン基、o-メチルフェニレン基、m-メチルフェニレン基、p-メチルフェニレン基、o-クロルフェニレン基、m-クロルフェニレン基、p-クロルフェニレン基、o-フルオロフェニレン基、p-フルオロフェニレン基、o-メトキシフェニレン基、p-メトキシフェニレン基、p-ニトロフェニレン基、p-シアノフェニレン基、α-ナフチレン基、β-ナフチレン基、o-ビフェニリレン基、m-ビフェニリレン基、p-ビフェニリレン基、1-アントリレン基、2-アントリレン基、9-アントリレン基、1-フェナントリレン基、2-フェナントリレン基、3-フェナントリレン基、4-フェナントリレン基及び9-フェナントリレン基が挙げられる。
炭素原子数1~10のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、s-ブチレン基、t-ブチレン基、シクロブチレン基、1-メチル-シクロプロピレン基、2-メチル-シクロプロピレン基、n-ペンチレン基、1-メチル-n-ブチレン基、2-メチル-n-ブチレン基、3-メチル-n-ブチレン基、1,1-ジメチル-n-プロピレン基、1,2-ジメチル-n-プロピレン基、2,2-ジメチル-n-プロピレン、1-エチル-n-プロピレン基、シクロペンチレン基、1-メチル-シクロブチレン基、2-メチル-シクロブチレン基、3-メチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロプロピレン基、2,3-ジメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-シクロプロピレン基、2-エチル-シクロプロピレン基、n-ヘキシレン基、1-メチル-n-ペンチレン基、2-メチル-n-ペンチレン基、3-メチル-n-ペンチレン基、4-メチル-n-ペンチレン基、1,1-ジメチル-n-ブチレン基、1,2-ジメチル-n-ブチレン基、1,3-ジメチル-n-ブチレン基、2,2-ジメチル-n-ブチレン基、2,3-ジメチル-n-ブチレン基、3,3-ジメチル-n-ブチレン基、1-エチル-n-ブチレン基、2-エチル-n-ブチレン基、1,1,2-トリメチル-n-プロピレン基、1,2,2-トリメチル-n-プロピレン基、1-エチル-1-メチル-n-プロピレン基、1-エチル-2-メチル-n-プロピレン基、シクロヘキシレン基、1-メチル-シクロペンチレン基、2-メチル-シクロペンチレン基、3-メチル-シクロペンチレン基、1-エチル-シクロブチレン基、2-エチル-シクロブチレン基、3-エチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロブチレン基、1,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,2-ジメチル-シクロブチレン基、2,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,4-ジメチル-シクロブチレン基、3,3-ジメチル-シクロブチレン基、1-n-プロピル-シクロプロピレン基、2-n-プロピル-シクロプロピレン基、1-イソプロピル-シクロプロピレン基、2-イソプロピル-シクロプロピレン基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピレン基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピレン基、n-ヘプチレン基、n-オクチレン基、n-ノニレン基又はn-デカニレン基が挙げられる。
式(2-2)で表される化合物の具体例としては、以下に記載の化合物が挙げられる。
(E)化合物は、下記式(4-1)で表される化合物であってもよい。
(式(4-1)中、R5はハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。式中、n8は4、5、6、又は8の整数を表す。)
上記用語の説明は、上述した通りである。
上記用語の説明は、上述した通りである。
式(4-1)で表される化合物の具体例を以下に示す。
(E)化合物は、下記式(5-1)及び式(5-1-a)で表される化合物であってよい。
(式中、n9及びn10はそれぞれ0又は1の整数を表し、R6はハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。aは1~6の整数を表す。n11は1又は2の整数を表す。r5は0~3の整数を表す。*は、式(5-1)で表される構造と、式(5-1-a)で表される構造との結合部位を表す。)
上記用語の説明は、上述した通りである。
上記用語の説明は、上述した通りである。
<<第5の態様>>
本発明で使用される(E)化合物又は重合体として、本願発明の効果を損ねない重合体であれば特に限定されず、例えば、(E)重合体は、好ましくは少なくとも3以上の繰り返し単位構造を有する。
本発明で使用される(E)化合物又は重合体として、本願発明の効果を損ねない重合体であれば特に限定されず、例えば、(E)重合体は、好ましくは少なくとも3以上の繰り返し単位構造を有する。
(E)重合体の重量平均分子量は、特に制限がないが、例えば1,000~50,000である。
(E)重合体が、下記(式3-1)で表される単位構造を含むことが好ましい。
(式(3-1)中、T4は水素原子、またはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。R4はハロゲノ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、炭素原子数1~9のアルコキシ基、炭素原子数1~3のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、又はヒドロキシ基若しくはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表す。r4は0~3の整数を表す。n7は0~2の整数を表す。aは1~6の整数を表す。)
ハロゲノ基、アルキル基及びアルコキシ基の説明は上述した通りである。
ハロゲノ基、アルキル基及びアルコキシ基の説明は上述した通りである。
式(3-1)で表させる重合体は、式(3-1)で表される単位構造を1種含む重合体でもよく、2種以上含む共重合体であってよい。
(レジスト下層膜形成用組成物)
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、
(A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:及び
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、を含む。
上述した本発明の保護膜形成用組成物は、半導体用ウエットエッチング液に対し優れた耐性を示すだけでなく、レジスト下層膜形成用の組成物としても有効に使用することができる。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物に係る用語の説明は、上記保護膜形成用組成物での説明内容と同一である。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、
(A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:及び
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、を含む。
上述した本発明の保護膜形成用組成物は、半導体用ウエットエッチング液に対し優れた耐性を示すだけでなく、レジスト下層膜形成用の組成物としても有効に使用することができる。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物に係る用語の説明は、上記保護膜形成用組成物での説明内容と同一である。
(保護膜、レジスト下層膜、レジストパターン付き基板及び半導体装置の製造方法など)
以下、本発明に係る保護膜形成用組成物(レジスト下層膜形成用組成物)を用いたレジストパターン付き基板の製造方法及び半導体装置の製造方法について説明する。
以下、本発明に係る保護膜形成用組成物(レジスト下層膜形成用組成物)を用いたレジストパターン付き基板の製造方法及び半導体装置の製造方法について説明する。
本発明の保護膜は、本発明の保護膜形成用組成物からなる塗布膜の焼成物である。
本発明のレジスト下層膜は、本発明のレジスト下層膜形成用組成物の塗布膜の焼成物である。
本発明の保護膜付き基板の製造方法は、本発明の保護膜形成用組成物を、段差を有する半導体基板上に塗布し焼成して保護膜を形成する工程を含む。保護膜付き基板の製造方法は半導体の製造に用いる。
本発明のレジストパターン付き基板の製造方法は、本発明の保護膜形成用組成物、又は本発明のレジスト下層膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜としての保護膜を形成する工程、及び該保護膜上にレジスト膜を形成し、次いで露光、現像してレジストパターンを形成する工程を含む。レジストパターン付き基板の製造方法は半導体の製造に用いる。
本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態は、表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、本発明の保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成し、前記保護膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記保護膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記保護膜をマスクとして、半導体用ウエットエッチング液を用いて前記無機膜又は前記半導体基板をウエットエッチング及び洗浄する工程を含む。
本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態は、表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記レジスト下層膜をマスクとして、前記無機膜又は前記半導体基板をエッチングする工程を含む。
本発明のレジスト下層膜は、本発明のレジスト下層膜形成用組成物の塗布膜の焼成物である。
本発明の保護膜付き基板の製造方法は、本発明の保護膜形成用組成物を、段差を有する半導体基板上に塗布し焼成して保護膜を形成する工程を含む。保護膜付き基板の製造方法は半導体の製造に用いる。
本発明のレジストパターン付き基板の製造方法は、本発明の保護膜形成用組成物、又は本発明のレジスト下層膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜としての保護膜を形成する工程、及び該保護膜上にレジスト膜を形成し、次いで露光、現像してレジストパターンを形成する工程を含む。レジストパターン付き基板の製造方法は半導体の製造に用いる。
本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態は、表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、本発明の保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成し、前記保護膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記保護膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記保護膜をマスクとして、半導体用ウエットエッチング液を用いて前記無機膜又は前記半導体基板をウエットエッチング及び洗浄する工程を含む。
本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態は、表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記レジスト下層膜をマスクとして、前記無機膜又は前記半導体基板をエッチングする工程を含む。
本発明に係るレジストパターン付き基板は、上述した保護膜形成用組成物(レジスト下層膜形成用組成物)を半導体基板上に塗布し、焼成することにより製造することができる。
本発明の保護膜形成用組成物(レジスト下層膜形成用組成物)が塗布される半導体基板としては、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、及びヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム等の化合物半導体ウエハが挙げられる。
表面に無機膜が形成された半導体基板を用いる場合、当該無機膜は、例えば、ALD(原子層堆積)法、CVD(化学気相堆積)法、反応性スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコーティング法(スピンオングラス:SOG)により形成される。上記無機膜として、例えば、ポリシリコン膜、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜、BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)膜、窒化チタン膜、酸窒化チタン膜、窒化タングステン膜、窒化ガリウム膜、及びヒ化ガリウム膜が挙げられる。上記半導体基板は、いわゆるビア(穴)、トレンチ(溝)等が形成された段差基板であってもよい。例えばビアは、上面から見ると略円形の形状であり、略円の直径は例えば2nm~20nm、深さは50nm~500nm、トレンチは例えば溝(基板の凹部)の幅が2nm~20nm、深さは50nm~500nmである。本発明の保護膜形成用組成物(レジスト下層膜形成用組成物)は組成物中に含まれる化合物の重量平均分子量及び平均粒径が小さいため、上記のような段差基板にも、ボイド(空隙)等の欠陥なく、該組成物を埋め込むことができる。半導体製造の次工程(半導体基板のウエットエッチング/ドライエッチング、レジストパターン形成)のために、ボイド等の欠陥が無いのは重要な特性である。
このような半導体基板上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明の保護膜形成用組成物(レジスト下層膜形成用組成物)を塗布する。その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークすることにより保護膜(レジスト下層膜)を形成する。ベーク条件としては、ベーク温度100℃~400℃、ベーク時間0.3分~60分間の中から適宜、選択される。好ましくは、ベーク温度120℃~350℃、ベーク時間0.5分~30分間、より好ましくは、ベーク温度150℃~300℃、ベーク時間0.8分~10分間である。形成される保護膜の膜厚としては、例えば0.001μm~10μm、好ましくは0.002μm~1μm、より好ましくは0.005μm~0.5μmである。ベーク時の温度が、上記範囲より低い場合には架橋が不十分となり、形成される保護膜((レジスト下層膜)の、レジスト溶剤又は塩基性過酸化水素水溶液に対する耐性が得られにくくなることがある。一方、ベーク時の温度が前記範囲より高い場合は、保護膜(レジスト下層膜)が熱によって分解してしまうことがある。
上記のように形成した該保護膜上にレジスト膜を形成し、次いで露光、現像してレジストパターンを形成する。
露光は、所定のパターンを形成するためのマスク(レチクル)を通して行われ、例えば、i線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV(極端紫外線)またはEB(電子線)が使用される。現像にはアルカリ現像液が用いられ、現像温度5℃~50℃、現像時間10秒~300秒から適宜選択される。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。アルカリ現像液に代えて、酢酸ブチル等の有機溶媒で現像を行い、フォトレジストのアルカリ溶解速度が向上していない部分を現像する方法を用いることもできる。
露光は、所定のパターンを形成するためのマスク(レチクル)を通して行われ、例えば、i線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV(極端紫外線)またはEB(電子線)が使用される。現像にはアルカリ現像液が用いられ、現像温度5℃~50℃、現像時間10秒~300秒から適宜選択される。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。アルカリ現像液に代えて、酢酸ブチル等の有機溶媒で現像を行い、フォトレジストのアルカリ溶解速度が向上していない部分を現像する方法を用いることもできる。
次いで、形成したレジストパターンをマスクとして、保護膜(レジスト下層膜)をドライエッチングする。その際、用いた半導体基板の表面に上記無機膜が形成されている場合、その無機膜の表面を露出させ、用いた半導体基板の表面に上記無機膜が形成されていない場合、その半導体基板の表面を露出させる。
さらに、ドライエッチング後の保護膜(レジスト下層膜)(その保護膜/レジスト下層膜上にレジストパターンが残存している場合、そのレジストパターンも)をマスクとして、半導体用ウエットエッチング液を用いてウエットエッチングすることにより、所望のパターンが形成される。
半導体用ウエットエッチング液としては、半導体用ウエハをエッチング加工するための一般的な薬液を使用することが出来、例えば酸性を示す物質、塩基性を示す物質何れも使用することができる。
酸性を示す物質としては、例えば過酸化水素、フッ酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、バッファードフッ酸、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸又はこれらの混合液が挙げられる。
塩基性を示す物質としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム、トリエタノールアミン等の有機アミンと過酸化水素水とを混合し、pHを塩基性にした、塩基性過酸化水素水を挙げることができる。具体例としては、SC-1(アンモニア-過酸化水素溶液)が挙げられる。その他、pHを塩基性にすることができるもの、例えば、尿素と過酸化水素水を混合し、加熱により尿素の熱分解を引き起こすことでアンモニアを発生させ、最終的にpHを塩基性にするものも、ウエットエッチングの薬液として使用できる。
これらの中でも、酸性過酸化水素水又は塩基性過酸化水素水であることが好ましい。
これらの薬液は、界面活性剤等の添加剤が含まれていてもよい。
半導体用ウエットエッチング液の使用温度は25℃~90℃であることが望ましく、40℃~80℃であることがさらに望ましい。ウエットエッチング時間としては、0.5分~30分であることが望ましく、1分~20分であることがさらに望ましい。
以下、本発明の内容および効果を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるわけではない。
本明細書の下記実施例で合成された化合物の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、GPCと略称する)による測定結果である。測定には東ソー(株)製GPC装置を用い、測定条件等は次のとおりである。
GPCカラム
カラム温度:40℃
溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
流量:1.0ml/分
標準試料:ポリスチレン(東ソー(株)製)
カラム温度:40℃
溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
流量:1.0ml/分
標準試料:ポリスチレン(東ソー(株)製)
<用語の説明>
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
<実施例1>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、アセチルアセトン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、アセチルアセトンの量は、10質量%である。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、アセチルアセトン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、アセチルアセトンの量は、10質量%である。
<実施例2>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2MZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、ジピバロイルメタン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、ジピバロイルメタンの量は、10質量%である。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2MZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、ジピバロイルメタン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、ジピバロイルメタンの量は、10質量%である。
<実施例3>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、トリフルオロアセチルアセトン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、トリフルオロアセチルアセトンの量は、10質量%である。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、トリフルオロアセチルアセトン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、トリフルオロアセチルアセトンの量は、10質量%である。
<実施例4>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、1-フェニル-1,3-ブタンジオン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、1-フェニル-1,3-ブタンジオンの量は、10質量%である。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、1-フェニル-1,3-ブタンジオン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、1-フェニル-1,3-ブタンジオンの量は、10質量%である。
<実施例5>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、アボベンゾン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、アボベンゾンの量は、10質量%である。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、アボベンゾン(東京化成工業(株))0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、アボベンゾンの量は、10質量%である。
<実施例6>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、1,3-ジ(2-ピリジル)-1,3-プロパンジオン(東京化成工業(株)、ジピコリノイルメタン)0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、1,3-ジ(2-ピリジル)-1,3-プロパンジオンの量は、10質量%である。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、1,3-ジ(2-ピリジル)-1,3-プロパンジオン(東京化成工業(株)、ジピコリノイルメタン)0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、1,3-ジ(2-ピリジル)-1,3-プロパンジオンの量は、10質量%である。
<実施例7>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオン(東京化成工業(株)、ジベンゾイルメタン)0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオンの量は、10質量%である。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオン(東京化成工業(株)、ジベンゾイルメタン)0.095g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
なお、エポキシノボラック樹脂EOCN-104Sに対する、1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオンの量は、10質量%である。
<比較例1>
<<合成例1>>
グリセリンモノメタクリレート(製品名:ブレンマーGLM、日油(株)製)5.50g、5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソール(Cool Pharm LTD.製)5.09g、2,2’-アゾビス(イソブチロニトリル)(東京化成工業(株)製)0.66g、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル35.99gの溶液を滴下ロートに加え、プロピレングリコールモノメチルエーテル9.00gを加えた反応フラスコ中に窒素雰囲気下、100℃で滴下させ、17時間加熱撹拌した。得られた溶液に陽イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))11g、陰イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))11gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離することで、式(F)に相当する樹脂溶液が得られ、GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量(Mw)は10,800であった。
<<合成例1>>
グリセリンモノメタクリレート(製品名:ブレンマーGLM、日油(株)製)5.50g、5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソール(Cool Pharm LTD.製)5.09g、2,2’-アゾビス(イソブチロニトリル)(東京化成工業(株)製)0.66g、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル35.99gの溶液を滴下ロートに加え、プロピレングリコールモノメチルエーテル9.00gを加えた反応フラスコ中に窒素雰囲気下、100℃で滴下させ、17時間加熱撹拌した。得られた溶液に陽イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))11g、陰イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))11gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離することで、式(F)に相当する樹脂溶液が得られ、GPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量(Mw)は10,800であった。
<<保護膜形成用組成物の調製>>
合成例1で得られた樹脂溶液(固形分は17.4重量%)6.6gに、架橋酸触媒としてピリニジウムトリフルオロメタンスルホン酸((株)ADEKA製)0.06g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R-40、フッ素系界面活性剤)0.001g、PGME11.5g、及びPGMEA1.9gを加え、保護膜形成用組成物の溶液を調製した。
合成例1で得られた樹脂溶液(固形分は17.4重量%)6.6gに、架橋酸触媒としてピリニジウムトリフルオロメタンスルホン酸((株)ADEKA製)0.06g、界面活性剤(DIC(株)製、品名:メガファック〔商品名〕R-40、フッ素系界面活性剤)0.001g、PGME11.5g、及びPGMEA1.9gを加え、保護膜形成用組成物の溶液を調製した。
<比較例2>
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
エポキシノボラック樹脂EOCN-104S(日本化薬(株)製品、式(a-1)に相当)3.16g(30質量%PGMEA溶液、重量平均分子量は3100)、VP-2500(日本曹達(株)製品、式(a-3)に相当、重量平均分子量は3687)0.24g、1B2PZ(四国化成工業(株)製品、式(b-3)に相当)0.014g、R-40-LM(DIC(株))0.0009g、PGMEA17.95gおよびPGME8.64gを混合し、固形分4.0質量%溶液とした。その溶液を、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルタを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を調製した。
(塗膜の形成)
窒化チタン膜が表面に形成されたシリコン基板上に、実施例1~実施例7で調製した保護膜形成用組成物及び比較例1~比較例2で調製した保護膜形成用組成物の各々をスピンコートにて塗布し、250℃で60秒ベークすることで、100nmの膜厚の塗膜を作製した。
窒化チタン膜が表面に形成されたシリコン基板上に、実施例1~実施例7で調製した保護膜形成用組成物及び比較例1~比較例2で調製した保護膜形成用組成物の各々をスピンコートにて塗布し、250℃で60秒ベークすることで、100nmの膜厚の塗膜を作製した。
(塩基性過酸化水素水溶液への耐性試験)
実施例1~実施例7で調製した保護膜形成用組成物及び比較例1~比較例2で調製した保護膜形成用組成物の各々を用いて窒化チタン膜が表面に形成されたシリコン基板上に作製した塗膜を、下記表1で示した組成の塩基性過酸化水素水溶液に、同表に示す温度で4分間浸し、その後水洗、乾燥後の塗膜の状態を目視で観察した。その結果を下記表2に示す。「×」は膜が剥がれた状態を示し、「△」は一部剥がれが見られた状態を示し、一方で「〇」は膜が剥がれなかった状態を示す。
実施例1~実施例7で調製した保護膜形成用組成物及び比較例1~比較例2で調製した保護膜形成用組成物の各々を用いて窒化チタン膜が表面に形成されたシリコン基板上に作製した塗膜を、下記表1で示した組成の塩基性過酸化水素水溶液に、同表に示す温度で4分間浸し、その後水洗、乾燥後の塗膜の状態を目視で観察した。その結果を下記表2に示す。「×」は膜が剥がれた状態を示し、「△」は一部剥がれが見られた状態を示し、一方で「〇」は膜が剥がれなかった状態を示す。
上記表2の結果より、実施例1~実施例7で調製した保護膜形成用組成物を用いて作製した塗膜は、比較例1及び比較例2と比較して、塩基性過酸化水素水溶液に対して耐性が向上することがわかった。
なお、比較例1よりも比較例2の方が良好な結果であったが、それよりも実施例1~実施例7の方がより良好な結果であった。
なお、比較例1よりも比較例2の方が良好な結果であったが、それよりも実施例1~実施例7の方がより良好な結果であった。
(光学パラメーターの試験)
実施例1~7及び比較例1~2で調製された保護膜形成用組成物を、それぞれスピナーによりシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上、250℃で1分間ベークし、レジスト下層膜(膜厚50nm)を形成した。そして、これらの膜について分光エリプソメーター(J.A.Woollam社、VUV-VASE VU-302)を用い、波長193nm及び波長248nmでのn値(屈折率)及びk値(減衰係数又は吸光係数)を測定した。その結果を表3に示す。
実施例1~7及び比較例1~2で調製された保護膜形成用組成物を、それぞれスピナーによりシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上、250℃で1分間ベークし、レジスト下層膜(膜厚50nm)を形成した。そして、これらの膜について分光エリプソメーター(J.A.Woollam社、VUV-VASE VU-302)を用い、波長193nm及び波長248nmでのn値(屈折率)及びk値(減衰係数又は吸光係数)を測定した。その結果を表3に示す。
本発明に係る保護膜形成用組成物は、基板加工にウエットエッチング液を適用する際に耐性に優れるため、基板加工の際の保護膜へのダメージが低い保護膜を提供するものである。本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、基板加工にウエットエッチング液を適用する際に耐性に優れる。
Claims (30)
- (A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、
を含む、半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成用組成物。 - さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含む、請求項1に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記硬化剤が、塩基である、請求項1に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記塩基が、イミダゾール系化合物である、請求項3に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記塩基が、下記式(B1)で表される、請求項4に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記化合物(C)が、下記式(C)で表される化合物である、請求項1に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記化合物(C)の含有量が、前記(A)の化合物又は重合体に対して、1~30質量%である、請求項1に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記(A)の化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体である、請求項1に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記(A)の化合物が、繰り返し構造単位を有しない化合物であって、
末端基(A1)、多価基(A2)、及び連結基(A3)を含み、
末端基(A1)は連結基(A3)のみと結合し、
多価基(A2)は連結基(A3)のみと結合し、
連結基(A3)は一方で末端基(A1)と、他方で多価基(A2)と結合し、任意選択的に別の連結基(A3)と結合してもよく、
末端基(A1)は下記式(I)の構造のいずれかであり、
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
多価基(A2)は、
-O-、
脂肪族炭化水素基、
炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び
炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せ
からなる群より選択される2~4価の基であり、
連結基(A3)は芳香族炭化水素基を表す、
化合物である、請求項8に記載の保護膜形成用組成物。 - 前記(A)の化合物が、下記式(II)で表される化合物である、請求項9に記載の保護膜形成用組成物。
Z1、及びZ2はそれぞれ独立に
Xはエーテル結合、エステル結合又は窒素原子を表し、Xがエーテル結合又はエステル結合のときn=1であり、Xが窒素原子のときn=2である。)
を表し、
Y1、及びY2はそれぞれ独立に芳香族炭化水素基を表し、
X1、及びX2はそれぞれ独立に-Y1-Z1又は-Y2-Z2を表し、
n1、及びn2はそれぞれ独立に0~4の整数を表し、但しいずれかは1以上であり、
(X1)m1で規定するm1は0又は1を表し、
(X2)m2で規定するm2は0又は1を表し、
Qは-O-、脂肪族炭化水素基、炭素原子数10未満の芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組合せ、及び炭素原子数10以上の芳香族炭化水素基と-O-との組合せからなる群より選択される(n1+n2)価の基を表す。) - 前記(A)の化合物が、下記式(III)で表される部分構造を含む化合物である、請求項9に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記(A)の重合体が、下記式(1-1)で表される単位構造を有する重合体である、請求項8に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、2以上のフェノール性ヒドロキシ基を有する、請求項2に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(2-1)で表される、請求項2に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(2-2)で表される化合物である、請求項2に記載の保護膜形成用組成物。
- 前記(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体が、下記式(3-1)で表される単位構造を含む重合体である、請求項2に記載の保護膜形成用組成物。
- 請求項1~16のいずれかに記載の保護膜形成用組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とする半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜。
- (A)硬化剤の存在下で架橋反応可能な反応基を有する化合物又は重合体:
(B)硬化剤:
(C)β-ジカルボニル化合物:及び
(D)溶剤、
を含む、レジスト下層膜形成用組成物。 - さらに、(E)フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体を含む、請求項18に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記硬化剤が、塩基である、請求項18に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記塩基が、イミダゾール系化合物である、請求項20に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記塩基が、下記式(B1)で表される、請求項21に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記化合物(C)が、下記式(C)で表される化合物である、請求項18に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記化合物(C)の含有量が、前記(A)の化合物又は重合体に対して、1~30質量%である、請求項18に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記(A)の化合物又は重合体が、3員環構造もしくは4員環構造を持つ環状エーテルを含む、化合物又は重合体である、請求項18に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 請求項18に記載のレジスト下層膜形成用組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
- 請求項1~16のいずれかに記載の保護膜形成用組成物を、段差を有する半導体基板上に塗布し焼成して保護膜を形成する工程を含む、半導体の製造に用いることを特徴とする保護膜付き基板の製造方法。
- 請求項1~16のいずれかに記載の保護膜形成用組成物、又は請求項18~25のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜としての保護膜を形成する工程、及び該保護膜上にレジスト膜を形成し、次いで露光、現像してレジストパターンを形成する工程を含み、半導体の製造に用いることを特徴とするレジストパターン付き基板の製造方法。
- 表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、請求項1~16のいずれかに記載の保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成し、前記保護膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記保護膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記保護膜をマスクとして、半導体用ウエットエッチング液を用いて前記無機膜又は前記半導体基板をウエットエッチング及び洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、請求項18~25のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させ、ドライエッチング後の前記レジスト下層膜をマスクとして、前記無機膜又は前記半導体基板をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-084620 | 2022-05-24 | ||
JP2022084620 | 2022-05-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2023228661A1 true WO2023228661A1 (ja) | 2023-11-30 |
Family
ID=88918920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2023/016195 WO2023228661A1 (ja) | 2022-05-24 | 2023-04-25 | 薬液耐性保護膜 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW202346401A (ja) |
WO (1) | WO2023228661A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3918942B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2007-05-23 | 日産化学工業株式会社 | リソグラフィー用反射防止膜形成組成物 |
WO2013012068A1 (ja) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | 日産化学工業株式会社 | チタン及びシリコン含有リソグラフィー用薄膜形成組成物 |
JP6035418B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2016-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、有機el表示装置または液晶表示装置の製造方法、および硬化膜 |
JP6096202B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-03-15 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、これを用いたパターンの製造方法 |
JP6995865B2 (ja) * | 2017-08-28 | 2022-01-17 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料の製造方法、及び、回路配線の製造方法 |
WO2022054853A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 日産化学株式会社 | 薬液耐性保護膜 |
-
2023
- 2023-04-25 WO PCT/JP2023/016195 patent/WO2023228661A1/ja unknown
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Patent Citations (6)
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JP3918942B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2007-05-23 | 日産化学工業株式会社 | リソグラフィー用反射防止膜形成組成物 |
WO2013012068A1 (ja) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | 日産化学工業株式会社 | チタン及びシリコン含有リソグラフィー用薄膜形成組成物 |
JP6096202B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-03-15 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、これを用いたパターンの製造方法 |
JP6035418B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2016-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、有機el表示装置または液晶表示装置の製造方法、および硬化膜 |
JP6995865B2 (ja) * | 2017-08-28 | 2022-01-17 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料の製造方法、及び、回路配線の製造方法 |
WO2022054853A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 日産化学株式会社 | 薬液耐性保護膜 |
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