JP2006133315A - 平坦化材料、反射防止膜形成材料、及びこれらを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 露光に伴って発生する酸性物質との反応により、露光部が現像液に可溶(あるいは、不溶)となる化学増幅型レジスト膜の形成面の平坦化を行う平坦化材料、または、前記化学増幅型レジスト膜の直下に塗布される反射防止膜形成材料の少なくとも一方に、光酸発生剤または熱酸発生剤を含有する材料を使用する。前記材料が光酸発生剤を含有する場合は、化学増幅レジスト膜の形成前に全面露光を行い、また、前記材料が熱酸発生剤を含有する場合は、化学増幅レジスト膜の露光前に加熱を行うことで、酸性物質を発生させる。これにより、下層の炭素含有シリコン酸化膜等の低誘電率膜からなる第2の絶縁膜4等の中に存在する窒素に起因した塩基性物質を、当該材料の酸性物質で除去し、化学増幅型レジスト膜に拡散することを防止する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明に係る平坦化材料を使用した半導体装置の製造プロセスを示す断面図である。
図2は、他の平坦化材料を使用した本発明の係る半導体装置の製造プロセスを示す断面図である。
2 第1の金属配線(銅配線)
2a バリアメタル層
2b 銅
3 エッチングストッパ膜
4 第2の絶縁膜
5 キャップ膜
6 反射防止膜
7 化学増幅型レジスト膜
8 スルーホール
9 平坦化材料
10 配線トレンチパターン
11 第2の金屬配線(銅配線)
20 基板
21 第1の配線層
22 第2の配線層
Claims (14)
- 化学増幅型レジスト膜からなるレジストパターンをマスクとしてエッチング加工がなされる加工対象の凹部に充填される平坦化材料において、
前記化学増幅型レジスト膜よりもエッチングレートが高く、且つ、光酸発生剤または熱酸発生剤を含有することを特徴とする平坦化材料。 - 前記光酸発生剤が、オニオム塩化合物、スルホン酸エステル化合物、ハロゲン系化合物、スルホン系化合物の中から選択された少なくともいずれか1つを含有する請求項1に記載の平坦化材料。
- 前記熱酸発生剤が、少なくともスルホン酸エステル化合物を含有する請求項1に記載の平坦化材料。
- 前記光酸発生剤または前記熱酸発生剤が、前記平坦化材料の主成分であるベースポリマに対して、0.1〜10重量%の割合で含有される請求項2または3に記載の平坦化材料。
- 化学増幅型レジスト膜の直下に塗布される反射防止膜形成材料において、
前記化学増幅型レジスト膜よりもエッチングレートが高く、且つ、光酸発生剤または熱酸発生剤を含有することを特徴とする反射防止膜形成材料。 - 前記光酸発生剤が、オニオム塩化合物、スルホン酸エステル化合物、ハロゲン系化合物、スルホン系化合物の中から選択された少なくともいずれか1つを含有する請求項5に記載の反射防止膜形成材料。
- 前記熱酸発生剤が、少なくともスルホン酸エステル化合物を含有する請求項6に記載の反射防止膜形成材料。
- 前記光酸発生剤または前記熱酸発生剤が、前記反射防止膜形成材料の主成分であるベースポリマに対して、0.1〜10重量%の割合で含有される請求項6または7に記載の反射防止膜形成材料。
- 加工対象の凹部に平坦化材料を充填し、化学増幅型レジスト膜からなるレジストパターンをマスクとして前記加工対象の前記凹部を含む所望部のエッチング加工を行う半導体装置の製造方法において、
前記凹部に、前記化学増幅型レジスト膜よりもエッチングレートが高く、且つ、酸発生剤を含有する前記平坦化材料を充填するステップと、
当該充填された平坦化材料に対して酸発生処理を行うステップと、
前記化学増幅型レジスト膜を形成するステップと、
当該化学増幅型レジスト膜の露光現像を行うステップと
前記露光現像によって形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチング加工を行うステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸発生剤が光酸発生剤であり、前記酸発生処理が平坦化材料を露光することで酸性物質を発生させる処理である請求能9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸発生剤が熱酸発生剤であり、前記酸発生処理が平坦化材料を加熱することで酸性物質を発生させる処理である請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 加工対象に反射防止膜を形成し、当該反射防止膜上に形成された化学増幅型レジスト膜からなるレジストパターンをマスクとして前記加工対象のエッチング加工を行う半導体装置の製造方法において、
前記加工対象に、前記化学増幅型レジスト膜よりもエッチングレートが高く、且つ、酸発生剤を含有する反射防止膜形成材料からなる前記反射防止膜を形成するステップと、
当該形成された反射防止膜に対して酸発生処理を行うステップと、
前記化学増幅型レジスト膜を形成するステップと、
当該化学増幅レジスト膜の露光現像を行うステップと、
当該露光現像により形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチング加工を行うステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸発生剤が光酸発生剤であり、前記酸発生処理が反射防止膜を露光することで酸性物質を発生させる処理である請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸発生剤が熱酸発生剤であり、前記酸発生処理が反射防止膜を加熱することで酸性物質を発生させる処理である請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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