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TWI308297B
TWI308297B TW094137815A TW94137815A TWI308297B TW I308297 B TWI308297 B TW I308297B TW 094137815 A TW094137815 A TW 094137815A TW 94137815 A TW94137815 A TW 94137815A TW I308297 B TWI308297 B TW I308297B
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Takashi Yamagajo
Toru Maniwa
Manabu Kai
Shunji Baba
Yuichi Nakanishi
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Fujitsu Ltd
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Description

1308297 九、發明說明： C ^'明所屬技身标領域;3 發明領域 [0001]本發明係有關於射頻辨識(RFID)標籤。在本發 5明說明書中使用之、、RFID標籤"又被稱為 '嵌入式尺幵1)標 籤因為其也可被用來作為'rFID標籤"之一内部架構元 件(嵌入式）。除此之外，、、RFID標藏，，也可被稱為、、射頻積 體電路標籤’’。此外，、、RFID標籤"包含一非接觸式汇卡。 【先前椅J !〇 發明背景 • [_2]近年來，賴彻無線波財接财式交換資 訊之如讀取器/寫入器等之外接裝置以及各《FID標藏已 被揭露。例如-種RFID標籤，—城具有這樣—種架構， 其中用於無線電波通訊之天線樣型及j c晶片被固定於一由 15塑谬或紙形成之基底薄片上，此種架構也已經被揭露。如 • 上所述之此酿™標籤被考量心作為-種模式’其中標 籤被附著在-物品上並且這些物品可經由利用外接裝置: 物品交換資訊被辨識。 20 用 _3]在此種RFID標籤應用模式中，存在著非法使 例士藉由剝下附著於特定物品上的舰〇標藏然後將 此RHD標籤㈣至另—物。藉此控制此外接裝置錯誤地 辨識料合的物品而使得—昂貴物品成為—低價格物品將 有可月匕發± g]此’-種避免如此非法使用之技術係需要 的。 1308297 [〇〇04]基於目㈤之情況，—種用於藉由在剝下RFID標 藏時即產生天線樣型損壞而使通訊失效之技術也已經被揭 露(例如專利文件1 -8)。 [0005]第1圖係說明依據相_ & $ & 5鈿的狀態之正視圖（A)與側視圖（B)。 [〇〇〇6]第1圖所繪示之此RFID標籤1係由在一基底薄 片13上之天線樣型、藉由緩衝凸塊16連接至此天線樣型12 之ic晶片11、以及用覆蓋此天線樣型12與1(：晶片u之黏著 劑15黏著於此基底薄片13上之覆蓋薄片14。 10 [〇〇〇7] KRF][D標籤1係以基底薄片13的側面黏著至一 物品上來使用。黏著劑15之黏著力被設定為小於當基底薄 片13之側面被黏著至—物品上之黏著力。因此，如果kRfid 標籤被一嘗試去實施不法用途之不法使用者剝除，則覆蓋 薄片14會從此基底薄片上剝落。 15 [0008]並且，此天線樣型12會在與基底薄片13之黏著 上相當脆弱之區域内來回地被提供。 [0009] 第2圖係說明依據相關技術在剝除RFID標籤之 後的狀態之正視圖（A)與側視圖（B)。 [0010] 當如第1圖所示之覆蓋薄片14從此基底薄片13 20上被剝除，則此天線樣型12在區域12a處會連同此覆蓋薄片 14一起被剝除，其中區域12a與基底薄片13黏著處是脆弱 的。因此，此天線樣型12喪失其做為通訊天線之功能，而 無法通訊。 [0011] —種用於避免非法使用之技術’ 一種技術已被 1308297 揭示’其中一剝除時即破裂之互斥樣型係除了天線樣型外 被裝设至此RnD標籤上，並且互斥樣型之破裂會被一 1(^晶 片偵測。 [0012] 第3圖係剝除相關技術中其他RFID標籤之前的 5 狀態（A)以及剝除之後的狀態（B)。 [0013] 第3圖所示之RFID標籤2係裝設有一天線樣型 22、連接至此天線樣型22之1C晶片21、以及一由導電油墨 24賦予傳導性的用以破裂之樣型23。此外，雖然並未顯示， 如同第1圖所示，-基底薄片及-覆蓋薄片同樣係、被裝設至 10 此RFID標蕺。 [0014] 在RFID標籤2這範例中，當有試圖非法使用之 非法使用者剝除此RFID標籤2時，此覆蓋薄片將從基底薄片 上被剝除。在此RFID標籤2之範例中，當此覆蓋薄片被剝除 時，此導電油墨24滅散而使此樣型23破裂成一絕緣狀態。 15 同時，此1C晶片21偵測到此用於破裂之樣型23的絕緣狀 態。此外，此樣型之破裂可隨此導電油墨24濺散時被明顯 地破認。 [0015] 在如第3圖所示之RFID標籤2之範例中，甚至在 此覆蓋薄片被剝除後，此天線樣型22及通訊功能仍持續維 持’並且在與外部裝置通訊的同時，此RFID標籤2的剝除被 告知至此外部裝置。 [0016] 類似技術之案例已在下列專利文件中被揭露， 例如美國第2003/075608號專利申請案、美國第6421〇13號 專利、美國第2003-524811號申請案、曰本專利文件汗、第 20 -1308297 2003-173477號、日本專利文件圯_八第2〇〇5_31153號、美國 第2003-517659號專利申請案、曰本專利文件jp_a第 2003-346121號、日本專利文件汴_八第2〇〇2_362613號、以及 曰本專利文件JP-A第2002-150248號。 5 [0017]然而，如上所述之相關技術存在有一問題，當 RHD被剝除以及破壞區域很明顯時，標籤的一部份被破 壞’則將給予一企圖非法使用標籤的人修復此破壞區域動 機或機會，因此排除非法使用之效用將不夠充足。此外， 在習知技術中’當附著至特定物品之5^1〇標籤被剝除時並 10且將其再次貼附至另一物品時，如讀取器/寫入器之讀取器 將被操作成錯誤地辨別此物品資訊。 [0018] 舉例而言，在此假設一非法使用。也就是說， 此寫入具有低價物品資訊之RFID標籤曾被從此物品上剝 除，然後再次貼附至一昂貴物品藉此提供一偽造之價格。 15因此，一種用於避免這樣的非法使用之技術已經被期待。
L 明内 J 發明概要 [0019] 考慮到如上所述之技術背景，本發明之目的是 提供一種可確保在避免非法使用及可獲得天線之較高傳播 20及接收特性的高效率之RFID標籤。 [0020] 根據本發明的第一觀點，具有一天線以及一電 子兀件之RFID標籤，其為達成上述目的更包含，一發射及 接收天線、形成在此天線周圍内之偵測區塊、以及一連接 至此天線與偵測區塊上用於偵測此偵測區塊之破裂的電子 1308297 元件。 _!]根據本發”第二觀點，具有—天線以及 子元件之_^標籤包含—發射及接收天線、形成在此天^ 周圍之_區塊、以及-連接至此天線與_區塊上用^ -半波長非整數倍數之長且此_區塊具有 根據本發明的第三觀點，具有一天線 子兀件之RHD賊包含—發射及接收天線、形成在^ 周圍内之制區塊、以及—連接至此天線與 、、表 0於偵測此偵測區塊之破裂、區鬼上用 由導電材料和雙線迴路所形成。兀件’並且此摘測區塊係 [0023]根據本發明的第四 子元件之RFID_包含1 ；； ’财-天線以及1 周圍内之伯測區塊、以及—連收天線、形成在此天線 ;於侧此須測區塊之破裂的電子至此天線與偵測區塊上用 由迴路内兩線路之間隔狹窄:迴且此谓測區塊係 [_]根據本發明的第五觀:所： 子元件之RFID標籤包含—發 線以及-電 2〇 周圍内之侧區塊、以及1接接收天線、形成在此天線 於彻此伯測區塊之破裂的電子_此天線與相區塊上用 成形為藉由軸祕心:㈣貞測區塊被 [0025]根據本發明的第六 子元件之謂D標鐵包含一發射技’〃—天線以及—電 廣園内之_區塊、以及1挺接收天線、形成在此天線 接至此天線與偵翊區塊上用 1308297 於價測此偵測區塊之破裂的電子元件，並且此偵測區塊被 成形為藉由對折此信號迴路而產生之u字形。 [〇〇26]根據本發明的第七觀點，具有—天線以及—電 子元件之RFID標籤包含一發射及接收天線、形成在此天線 5周圍内之偵測區塊、以及一連接至此天線與偵測區塊上用 於偵測此偵測區塊之破裂的電子元件，並且此偵測區塊係 由銀漿形成以及此天線係由銅形成。 [0027]根據本發明的第八觀點，具有一天線以及一電 子兀件之RFID標籤包含—發射及接收天線、形成在此天線 1〇周圍内之债測區塊、以及—連接至此天線與债測區塊上用 於债測此债測區塊之破裂的電子元件，並且此天線具有一 摺式偶極天線、精細偶極天線、環形天線、精細環形天線、 以及蜿蜒架構。 15 — LU028]根據本發明的第九觀點，具有一天線以及一電 子;τ：件之含—發射及接收天線，形成在此天線 周圍之偵顺塊，以及_連接至此天線與偵麻塊上用於 情測此❹m塊之破裂的t子元件，用㈣定天線、侦測 區塊及電子元件上之第—薄 ^ ^ 噚膜，覆盍此天線、偵測區塊及 電子元件之第二薄膜， 20 二 ^以及設置在外側而在第一薄膜盥第 二薄膜間環繞偵測區塊之令、, 展之〜部分並完全地黏着於第二薄膜 圣壁區塊。 ' 一_9]根據本發明的第十觀點具有—天線以及一電 子兀件之RFIDI籤包含—發射及接收天線，—連接至此天 __區塊上用㈣測⑼測區塊之破裂的電子元件， 10 13082^/ 偵測區塊及 電子 用於固定天線、 天線、偵測區塊及電子元件之★疋件之第一薄膜，覆蓋此 位置而在第—薄膜與第二相，=薄膜’以及設置在外側 完全地黏着第二薄獏之一壁區^衣繞偵測區塊一部分用於 性樹脂形成以及塗有 塊’並且此壁區塊係由熱固 觸的表面上被剝除 此材料可在與第-薄膜接 圖式簡單說明 二、μ帛1係5兒明依據相騎術在剝除肌〇標薇之 刖的狀悲之正視圖(Α)與側視圖(Β)。 10 [〇〇31]弟2圖係說明依據相關技術在剝除rfid標籤後 情況之正視圖（A)與側視圖（B)。 [0032] 第3圖係剝除相關技術中其他rfid標籤之前的 狀態(A)以及剝除之後的狀態(B)。 [0033] 第4圖係說明本發明中RF標籤之第一實施例之 15 示圖。 [0034] 第5圖係說明本發明中RF標籤之第—實施例天 線阻抗之示圖。 [0035] 第6圖係說明本發明中RF標籤之第二實施例之 示圖。 20 [0036]第7圖係說明本發明中RF標籤之第二實施例中 當提供此偵測區塊時之天線阻抗之示圖（A)與當不提供此 偵測區塊時之天線阻抗之示圖（B)。 [0037]第8圖係s兑明本發明中RF標籤之第三實施例之 11 1308297 [0038] 第9圖係藉由本發明中RF標籤之第三實施例 天線說明放射能譜之曲線圖。 [0039] 第10圖係說明在第9圖放射能譜之迴路共振 内之電流分佈曲線圖。 5 [〇〇4〇]第11(A)至(C)圖係說明本發明中尺巧票鐵之第 實施例之示圖。
C實施方式;J
較佳實施例之詳細說明 [0041 ]本發明之較佳實施例將參考附隨圖式來加以說 10明。然而，此等實施例並不限制本發明之技術範圍。 [0042]在本發明較佳實施例中，此用於避免非法使用 之RHD的架構和操作將於下文說明。 [〇〇43]第4圖說明本發明RFID標籤第一實施例之架 構。在此RFID標籤中’操作頻率係假設約為95〇 ，作 I5是也可使選擇其他頻率。此RFID標籤之尺寸係定為12〇_ X 60mm。 [0044] 在此RFID標籤中，此天線以係被構成於薄片^ 上並且一偵測區塊4係被構成於在此天線18之周圍。 [0045] 此外’ —Ic晶片17係以作為橋接天線18與偵測 2〇區塊4之方式被配置。此薄片係以如服_4及ρΕτ(聚對苯二甲 酸乙二醇醋的縮寫）等介電質基材構成。此制區塊4係由 長度約29cm之單一迴路所構成。如第4圖所示此RF標藏在 此薄片3上之天線18周圍配置一作為偵測區塊4之迴路。此 外’此天線18與1C晶>；17等係被依覆蓋薄片所覆蓋(未於圖 ]2 1308297 顯不)。實際上’此RF標藏係於作為黏著表面之薄 用黏著劑或是雙面膠帶等黏著劑而黏著於-物品上。有人 試著非法利用成功地從覆蓋薄片上剝除黏著於低價位物。 上之RF標籤，並且將此RF«再次黏著至高價位物品上以 5做為纽使用。然而，本發明之明錢不健只是提供— 種_樣式，以避免非法使用’並且在天線Μ之周圍形成 用以偵測非法使用之單一迴路，甚至於當此薄片是由任何 方向被剝除時都可偵測。 _6]此外，RF標籤之—會在勤】區塊4迴路 10的一部分因為剝除此薄片以致破裂進而形成開路時，偵測 到此迴路的開路，以及在判斷出有非法使用狀況時，將欲 傳送之物品資訊加上指出產生破裂之資訊（非法使用辨別 資訊)(未於圖中顯示）經由天線18傳送至讀取器或管理褒置 等（未於圖中顯示）。因此，一管理員可判別出此RF標藏處 15於非法使用狀態下。此外，當此Ic晶片17偵測到非法使用 時，則在傳送指示產生破裂之資訊之後此卯標籤可啟動例 如鎖定資料使資料不能從外部寫入、消除寫入資訊、及使 此1C晶片之所有操作失效等避免非法使用之功能。 [0047] 第5圖顯示本發明RF標籤第一實施例的天線阻 20抗。此1^標籤將此1C晶片17從第4圖中之偵測區塊4之樣型 觀察之阻抗設定為5〇ω。此外，從此天線18觀察之1C晶片 17之阻抗被設定為2：=36-j245[n]。 [0048] 因此’此天線阻抗變成等於323+〗192[Ω]。當Ζι 被標稱化為50Ω時，則得到zi = 323/50 + j 192/50 == 13 1308297 6·46+』3.84[Ω]。當Z被標稱化為50Ω時，則得到Z = 36-j245 = 0.72+』4·9[Ω]。第5圖顯示以史密斯圖表繪製之此標稱化阻 抗。操作頻率係設定在950 MHz。 [0049] 由上述解釋係可了解的，此天線阻抗zi即ic晶 5片17之阻抗Ζ=36-〗245[Ω]並未非為共輥關係以及未達到匹 配。第5圖之此天線增益變成等於_5.4dBi。從此事實可知， 這可被認為是在天線與1C晶片間之天線增益與阻抗兩者均 下降。 [0050] 在此使用之dBi被稱為絕對增益。此絕對增益可 10定義為：無線電波以參考功率從一非定向天線向空間發射 時在遠離此非定向天線之區域的無線電波強度，與在與以 此非定向天線測量之相同情況下測量之此所用天線之無線 電波強度的比率。也就是，此絕對增益係指此天線相對於 一非定向天線（等向天線)之增益。 15 [〇〇51]在本發明1^標籤之第一實施例中，此天線之輻 射接收特性由於與IC晶片17之阻抗不匹配而並不令人滿 意。然而’在本發明之第-實施例中，已被顯示的是因為 在天線周圍額外地設置-信號迴路，所以要產生足夠的特 性曲線之無線電波之發射與接收是不可能的。 20 [〇〇52]因此，下述之奸標籤可藉由形成此 構而實現，為了得顧於辨識對管理者或讀取/寫人器非法 使用的發生之足夠的特性曲線，阻抗匹配可在天線舰晶 片間達成。 [0053]第6圖係顯示本發明抨銻 月钻戴之弟二實施例之圖 14 1308297 解。此娜標籤以120mm x 6〇_的尺寸大小所構成其 大小係類同於第-實施例。此RF標藏在結構上係不同於第 -實施例RF標籤之偵測區塊4。其偵測區塊41係由兩導線 (内導線與外導線)組成的迴路所構成。再者，此偵測區塊41 5構成具有狹窄間隔的雙線迴路。另外，此制區塊41係形 成為透過對摺單-迴路所獲得之形狀。在第二實施例之肝 標籤中，天_在薄膜薄片3上形成，以及_區塊Μ係在 天線18之周圍形成。 [0054]再者，IC晶片17被配置以橋接天線18與針測區 1〇塊41。如同第一實施例之殼體，此薄膜薄片係由如职等 或是PET(聚對苯旨的縮寫）等介電質基材構 成。此偵測區塊41具有約58cm之迴路長度。此操作頻率約 為950 MHz之波長為約31_5以及半波長大約變成15如。 此摘測區塊41之迴路長度超出如同第三實施例說明所解釋 15之半波長的整數倍。此即標籤構成一迴路，就像第6圖所示 之在天線18周圍之侧區塊41以及RF標鐵上之天線^及化 晶片17寻係被覆盍薄片（未顯示於圖中）所覆蓋。 [〇〇55]接下來，第七圖顯示當本發明RF標籤的第二實 施例之偵測區塊存在時之天線阻抗(A)，以及當價測區:不 2〇存在時之天線阻抗(B)。第七圖顯示以史密斯圖表緣製之天 線阻抗。 [0056]第7(A)圖顯示第6圖之偵測區塊4 j存在時之阻 抗值。在此範例中，天線阻抗被假設為Z2。在此只];;標籤中， 第6圖之1C晶片17之阻抗z等於36_j245[Q]。此天線阻抗z2 15 1308297 變成等於47+】269Ω。當Z2被標稱化為50Ω時，則得到Z2 = 47/50+』269/50 = 0·94+』5.38Ω。當Z被標稱化為50Ω時，得到 Z = 36-j245 = 0.72-j4.9Q。如第7(A)圖所示此被標稱化阻抗 Z、Z2係以史密斯圖表繪製。操作頻率係設定在950 MHz。 5 此第7(A)圖顯示出Z及Z2幾乎係為並共輛關係以及達到匹 配0 [0057] 第7(B)圖可藉由史密斯圖表繪製出當偵測區塊 41不被提供時之天線阻抗。在這範例中，天線阻抗Z3可等 於44+」236Ω。當Z3被標稱化為50Ω時，則得到 10 Z3=44/50+j236/5〇=0.88+j4.72H ’ 並且此標稱化之Ζ3係由 史密斯圖表繪製。第6圖中之1C晶片17之組抗Z = 36-』245[Ω] 亦同樣由史密斯圖表繪製。 [0058] 於是’可了解的是第7(B)圖之Ζ與Ζ3係比第7圖 (Α)更接近共輛關係’並且獲得足夠的匹配。此外，當第7 15圊（Α)與第7圖（Β)相比較時，甚至不論當偵測區塊41是否被 提供時，此天線阻抗並未有大範圍的改變（與IC晶片17匹配 而未大量的脫離）。如第7(A)所示當偵測區塊41被提供時， 此天線增ϋ變為1.2dBi，而假使如第7(B)圖所示當偵測區塊 41未被提供時，此天線增益變為16dBi，並且其指出此天線 20 增益並未有大量的改變。 [0059] 第8圖顯示本發明尺!；標籤之第三實施例。此RF 標籤具有-幾乎相似於第二實施例之架構，雖然偵測區塊 41之形狀與RF標籤之天線係相異於第二實施例。此偵測區 鬼係由在天線6周圍之内線路和外線路組成之迴路所構 16 1308297 成。不同的是RF標籤内之薄膜薄片之尺寸為60mm X 30mm，其尺寸只有第一及第二實施例的一半。在此第三實 施例之RF標籤中，此天線6係設置在薄膜薄片3上，並且偵 測區塊7係設置於天線6之周圍。 5 [0060]此外，1C晶片17被設置用來橋接在天線6及偵測 區塊7。如第二實施例之殼體，此薄片3被設置此薄膜薄片 係由如FR-4等或是PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯的縮寫）等 介電質基材構成。此偵測區塊7具有長度約34cm之迴路。此 操作頻率約為950 MHz之波長為約31.5以及半波長大約變 10 成15.7cm。此偵測區塊7之迴路長度超出如同第9圖說明所 解釋之半波長的整數倍。 [0061] 第9圖顯示出本發明RF標籤之第三實施例之天 線之放射能譜。[a.u·]在此用來作為一相對單位，並且是一 任意單位的縮寫。在第9圖中，場強度E [a.u.]係被標繪在一 15 垂直軸上，而頻率係被標繪在水平轴上。第9圖顯示出當偵 測區塊未被設置之曲線，也就是此雙重迴路並未被設置， 以及當偵測區塊7被設置之曲線，也就是此雙重迴路並被設 置。在此範例中，其中此雙重迴路被設置（此迴路其中單線 迴路個別地設置在内側與外側），此回路之一共振點（1)可被 20 獲得。此外，此RF標籤内之天線的最大輻射可如（2)被獲 得。假使此偵測區塊7之迴路長度被設定為半波長之整數 倍，則此迴路之共振點（1)將產生以至於與最大輻射（2)匹 酉己 [0062] 然而，這樣的結果是不被希望的，因為此發射 17 -1308297 距離會隨著迴路之連結的發生有無而改變。 _3]因此，在本發明中之RFID標籤中，此 7之迴路長度未被設定為半波長之整數倍。當此迴路長度被 設定成半波長之整數倍時，則會產生一缺點，其中假使此 5迴路被切斷時則發射距離會變短，甚至是當RF檩籤在此迴 路未被切斷之情況下被設定為對從讀取器/接收器通訊之 最大距離。 10 [0064]第10圖顯示出在發生在第9圖輻射能譜之迴路 共振（1)之情況下之電流分佈。在此分佈中’實數部為在電 阻器内之電流分佈，而虛數部為在電抗内之電流分佈。在 第10圖中，電流值被標繪在垂直軸上，以及迴路長度被標 繪在水平轴上。 ’' [0065]第11圖顯示出本發明RF標籤之第三實施例。在 第11(A)圖中’天線6被設置在薄膜薄片3上， M及偵測區塊 5 之外側線路7 2及内側線路71係被設置在薄臈薄片上之天線 • 6之周圍。此外’ ic晶片Π被設置用來橋接在天線⑷貞測 區塊71。此薄膜薄片係由如fr-4等或是pet(聚對苯一甲於 乙一醇®旨的縮寫）等介電質基材構成。此债測區塊(71、72) .係以回路長度約為29cm之兩條迴路（雙重迴路)所組成。此 20 RF標籤係藉由用樹脂或黏著劑來塗抹在偵測區塊7與天線6 上並且用覆蓋薄片（未顯示於圖中）覆蓋在此等元件之上所 構成。一分隔區塊30表示位於偵測區塊之外側線路72與内 側線路72間之分隔位置。舉例而έ，當此覆蓋薄片以一種 切割部設置在匹配於此分隔區瑰30之區域上之架構設置 18 -1308297 N*，則只有偵測區塊之外側線路72可被剝除。 [0066] 第11 (B)圖係—當第丨j圖（A)沿著線(c) (c)、切 割之RF標籤之剖面圖。 10 15 20 [0067] 在第η⑻圖之RF標籤中，薄膜薄片3被黏附在 基底薄片8上’天線6、IC晶片Π、偵測區塊之外側線路72 以及伯測區塊之内測線路71被設置在薄膜薄片3上，壁區塊 9及分隔區塊30進-步被設置，並且覆蓋薄片19也在其上被 設置。此壁區塊9可以是由類似石夕樹脂或黏著劑之樹脂所形 成又或者可以&自如覆蓋⑼之材質所形成。此即標鐵可 利用基底薄片8做為-黏著表面而被黏附至一物品上。或 者，此覆蓋薄片也可被黏著至一物品上。 [0068] 第ii(c)圖係一剖面圖’其中剖面圖之 薄片被剥除。 | 士 [0069]在第11(c)圖中，當RF標籤之覆蓋薄片⑼皮剝除 時’壁區塊叫及外嫩㈣同樣被-起被剝除。 [0070]因此’只有内側線路71被留下來作為在黏附至 2品之RF標籤内之制區塊之線路，彳貞測區塊被留下成為 有著相似於本發明之第—實施例之結構的單-線路。而要 利用天線之發射與接收已不再可能並且非法使用可被避 b此職籤可以此偵職塊侧剝除，甚至是當此覆蓋 缚片19由任何方向被剝除。此外，此天線已不再可被使用， 而不可非法使用。此外，在本發明上述所解釋之任何實施 例中’因為此偵測區塊係由透明導電銀料所形成，而天 線係由銅所形成’在外觀上地要發現此谓測區塊將變得困 19 *1308297 難，以及從避免非法使用的觀點上，此侧區 地被剝除，並且另外從發射及接收特性之觀點上U容易 益天線亦可獲得。 ’教高增 [0071] 此外，任何型式的架構可用來作為 從摺式偶極天線、偶極天線 '精細偶極天線、壤邢線，可 精細環形天線及婉挺架構中選擇。 天線、 [0072] 此本發明之RFID藉由提出如上所述 # l〇 15 2〇 可避免非法使用，以及經由賴天線與包含剝除^構即 之晶片間之匹配’不致造成天線增益之惡化^達—置 之天線之放射與接收特性。 成較高 [0073] 此夕卜，因為剝除偵測裝置係沿著天線 置’所以標籤的剝除可被偵測，因為當此標籤從任:圍设 被剝除時，此剝除偵測裝置亦一同被剝除。 壬何方向 輝]本發明之娜標籤係可用來加強射 域之安全性，因為如在物品上重新黏著標籤之非 被避免。 /吏用可 【圖式4簡專_ ^^明】 第1圖係說明依據相關技術在剝除RFID標籤之护、 態之正視圖（A)與側視圖（B)。 j的狀 第2圖係說明依據相關技術在剝除RFID標錢後俨、 正視圖（A)與側視圖（b) 〇 月兄之 第3圖係制除相關技術中其他RmD標籤之前的狀妒 以及剝除之後的狀態（B)。 、、心（A) 第4圖係說明本發明中R F標籤之第一實施例之示圖 20 1308297 第5圖係說明本發明中R F標籤之第一實施例天線阻抗 之示圖。 第6圖係說明本發明中RF標籤之第二實施例之示圖。 第7圖係說明本發明中RF標籤之第二實施例中當提供 5 此偵測區塊時之天線阻抗之示圖（A)與當不提供此偵測區 塊時之天線阻抗之示圖（B)。 第8圖係說明本發明中RF標籤之第三實施例之示圖。 第9圖係藉由本發明中RF標籤之第三實施例之天線說 明放射能譜之曲線圖。 10 第10圖係說明在第9圖放射能譜之迴路共振（1)内之電 流分佈曲線圖。 第11 (A)至(C)圖係說明本發明中RF標籤之第四實施例 之示圖。 【主要元件符號說明】 1、2.··標籤 4、7、71、72···賴測區塊 η、21... 1C晶片 17…1C晶片
12、12a、22、23···天線樣型 6、18...天線 13...基底薄片 19...覆蓋薄片 14.. .覆蓋薄片 15.. .黏著劑 16.. .缓衝凸塊 24.. .導電油墨 3.. .薄片 Z、Zl、Z2、Z3···阻抗 30.. .分隔區塊 8.. .基底薄片 9.. .壁區塊 21

Claims (1)

1308297 勿π厂 十、申請專利範圍： 第94137815號申請案申請專利範圍修正本 97.12.02. 1. 一種射頻辨識(RFID)標籤，其包含： 一發射與接收天線； 5 形成於在該天線周圍之一偵測區塊；以及 連接至該天線與該偵測區塊之一電子元件，其可操作以 侦測該偵 >則區塊之破裂。 2. 如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該偵測區 ® 塊具有該射頻辨識標籤之一操作頻率之半波長的非整數倍 10 長度。 3. 如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該偵測區 塊係由一導電材料及雙線路迴路所形成。 ^ 4.如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該偵測區 塊係由一些迴路所形成，該等迴路中的兩線路之間隔狹窄。 15 5.如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該偵測區 塊係以藉由對摺一單一迴路所得到之一形狀來形成。 ® 6.如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該偵測區 塊係以藉由對摺單一迴路所得到之一種U型形狀來形成。 7. 如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該偵測區 20 塊係由銀漿形成，而該天線係由銅形成。 8. 如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該天線係 採摺式偶極天線、偶極天線、精細偶極天線、環形天線、 精細環形天線、或蜿蜒結構。 9. 如申請專利範圍第1項之射頻辨識標籤，其中該偵測區 22
1308297 _ - 塊係由導電透明材質構成。 10. —種射頻辨識(RHD)標籤，其包含： 一發射與接收天線； 形成於該天線周圍之一偵測區塊；以及 5 連接至該天線與該偵測區塊之一電子元件，其可操作以 偵測該偵測區塊之破裂； 安裝該天線、偵測區塊及電子元件之一第一薄膜； 覆蓋該天線、偵測區塊及電子元件上之一第二薄膜；以 • 及 1〇 一壁區塊，其被設置在外側以環繞在該第一薄膜與該第 二薄膜間之該偵測區塊的一部分，並且只黏附在該第二薄 膜上。 11. 如申請專利範圍第10項之射頻辨識標籤，其中該壁區塊 係由熱固性樹脂形成，並且被塗覆以一種可在與該第一薄 15 膜接觸之一表面上被剝除的材質。 12. 如申請專利範圍第10項之射頻辨識標籤，其中該偵測 @ 塊係由導電透明材質形成。 13. 如申請專利範圍第10項之射頻辨識標籤，其中該壁區 塊及該第二薄膜係由相同材質形成。 20 14.如申請專利範圍第10項之射頻辨識標籤，其中該第二 薄膜在包括該偵測區塊之一部分的外部周圍上設置有一切 割部分。 15. —種射頻辨識(RFID)標籤，其包含： 一發射與接收天線； 23 1308297
形成於該天線周圍之一偵測區塊； 連接到該天線與該偵測區塊之一電子元件，其可操作以 偵測該偵測區塊之破裂；以及 用於安裝該天線、偵測區塊及電子元件之一基體。 24
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