TWI307803B - Transflective liquid crystal display - Google Patents
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Description
1307803 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器,詳言之,係關於一種 半反射液晶顯示器。 【先前技術】
一典型的液晶顯示器(“LCD”)包括一上面板其具有一 共同電極及一陣列的彩色濾光片,及一下面板其具有複數 個像素電極及薄膜電晶體(“TFT”)。一對配向薄膜被塗佈在 該上及下面板上,及一液晶層被置於上及下面扁的配向薄 膜之間。該液晶層的分子方向可藉由調整由介於像素電極 與共同電極之間的電位差所產生的電場來加以改變,這些 電極都被施加了適當的電壓。液晶分子的方向改變可造成 穿過該LCD的光線的透光性被改變,藉此獲得所想要的影 像。
在一傳統的LCD的製造處理期間,雜質離子通常會被 產生及保留在配向薄膜的表面上。在製造出來的LCD使用 過一陣子之後,這些雜質離子會沿著一配向方向移動而聚 集在液晶顯示器的一個角落,該配向方向是藉由摩擦配向 薄膜而產生的。因而,這會造成當顯示暗的影像時,一顯 示區的一個角落會比較亮的缺點。 【發明内容】 本發明的實施例提供具有改進影像品質的液晶顯示 5 1307803 器。 依據本發明的一個實施例,至少一像素電極位在一周 邊區域其是在一顯示區的外圍,及在該周邊區域中的該像 素電極包括一反射電極,其面積比在顯示區域中之該像素 電極的反射電極的面積大。
提供一種液晶顯示器,其包括:一第一絕緣基材其包 括一顯示區及一位在該顯示區外圍的周邊區;複數條訊號 線其被提供在該第一基材上;複數個第一像素電極其電性 連接至該等訊號線並位在該顯示區内,每一第一像素電極 都包括一第一透明電極及一第二反射電極;及複數個第二 像素電極其電性連接至該等訊號線並位在該周邊區内,每 一第二像素電極都包括一第一透明電極及一第二反射電極 其面積大於該第一反射電極的面積。 較佳地,該第二反射電極大體上覆蓋第二透明電極的 整個表面,同時第一反射電極則具有一孔洞將該第二透明 電極的一部分露出來。
該液晶顯示器更包括一第二絕緣基材,其係相對於該 第一基材設置;及一黑矩陣其被提供在該第二基材之上, 該黑矩陣屏蔽該等第二像素電極。 該液晶顯示器更包括一共同電極,其被提供在該第二 基材上,且與第一及第二像素電極相對設置,及第一與第 二像素電極以及共同電極都被提供一較佳具有週期性地反 轉之極性的訊號。 該第一及第二像素電極被安排成一個矩陣,且訊號線 6 1307803 包括複數個閘極線延伸於一列的方向上,及複數條資料線 延伸在一行的方向上,且該液晶顯示器更包含複數個切換 元件其將第一訊號從資料線傳送至第一及第二像素電極以 回應來自於閘極線的第二訊號。
較佳為該液晶顯示器更包含一位在第一基材上的配向 薄膜,且該配向薄膜係於朝向第二像素電極的第一方向上 摩擦(rub)。更佳地,該第一方向係傾斜於該列的方向及該 行的方向。每一閘極線與資料線都具有一端部用來與其它 裝置作訊號溝通,且該第一方向從該端部離開。 【實施方式】
本發明將於下文中參照附圖加以說明,附圖中顯示了 本發明的較佳實施例。然而,本發明可用許多不同的形式 來體現,且不應被解釋為侷限在本文所舉的實施例上。在 附圖中,層及區域的厚度為了清楚起見而被誇大。在所有 圖中相同的標號代表相同的元件。應被瞭解的是,當一元 件,像是一層’薄膜,區域’基材或板,被敛述為在另一 元件”上方(on)”時,其可直接位在該另一元件之上或它們 之間會有中間元件存在。相反地,當一元件被描述為”直接 (directly on)”在另一元件之上時,即無中間元件存在。 接下來,依據本發明的實施例的液晶顯示器將參照附 圖加以說明。 依據本發明的實施例之一液晶顯示器將參照第1至6 圖來加以說明。 7 1307803
第1圖為依據本發明的一實施例之LCD的示意平面 圖;第2圖為沿著第1圖的線π_π’線所取的lcd剖面圖; 第3圖為第1圖的LCD的顯示區中的一像素區及在_ TFT 陣列面板上的一墊區上之示例性放大布局圖;第4圖為第 3圖的TFT陣列面板沿著IV_IV,線所取的剖面圖;第$圖 為在第1圖所示LCD的TFT陣列面板上的一周邊區中的 一像素區的示例性放大布局圖;及第6圖為第5圖的TFT 陣列面板沿著VI-VI,線所取的剖面圖。 〇 如第1圖所示’依據本發明之實施例的LCD包括一液 晶面板組件3 0 〇,一閘極印刷電路板(“ p c b,,)4 5 0,一資料 PCB 550,複數個閘極輸送膠帶封裝體(tCP)400,複數個 資料TCP 5 00,及兩個撓性印刷電路(FPC)薄膜600。閘極 T C P 4 0 0被附著在該面板組件3 0 0與閘極P C B 4 5 0上,且 資料TCP 500被附著在該面板組件3 00與閘極PCB 550 上。FPC薄膜600將面板組件300連接至閘極PCB 450及 將閘極PCB 450連接至資料PCB 550。該閘極PCB 450與 資料P C B 5 5 0分別被設置在面板組件3 0 0的左緣及右緣的 外面。 如第1及第2圖所示的,面板組件300包括一薄膜電 晶體(TFT)陣列面板1及一彩色濾光片面板2,它們兩者彼 此相對。該面板組件3 〇 〇進一步包括一液晶材質的液晶層 3其被設置在面板1及2之間的間隙,及一毯、封材料4其 支撐介於兩面板1及2之間的間隙並將該液晶材料密封起 來。 8 1307803
該TFT陣列面板1被分成一顯示區5,其為使用者所 看到之LCD的螢幕,及一周邊區6其包圍該顯示區5。顯 示區5及周邊區6分別包括複數個像素區A P及D P,它們 都被安排成一矩陣。在顯示區5内的像素區AP是由複數 條延伸在一列方向上的閘極線1 2 1與複數條延伸在行方向 上的一般資料線1 7 1的交會點所界定的,而在周邊區6中 的像素區DP則是由閘極線1 2 1與複數條延伸在行方向上 之仿真(d u m m y)資料線 1 7 2的交會點所界定的。周邊區 6 包括複數個閘極墊區7,閘極線1 2 1及閘極T C P 4 0 0在該 閘極墊區彼此相連接,及複數個資料墊區 8,資料線1 7 1 及1 72與資料TCP 500在該資料墊區彼此相連接。一經由 一 TFT(未示出)而連接至一閘極線1 2 1及一資料線1 7 1的 一像素電極190被提供在顯示區5中之每一像素區AP上, 而經由一 TFT(未示出)而連接至一閘極線1 2 1及一仿真資 料線172的一仿真像素電極195被提供在周邊區6中之每 一像素區DP上。
依據本發明的此實施例的 LCD為一在一透射模式及 在一反射模式下操作的半反射LCD,因此像素電極190及 195包括透明電極與反射電極。在周邊區6中的反射電極 的面積比在顯示區5中的面積大,且最好是,在周邊區6 中的反射電極不具有可將透明電極露出來的孔洞,而在顯 示區中則有此孔洞。 一用於依據本發明的實施例的L C D上的T F T陣列面 板將參照第1 - 6圖作更詳細的說明。 9 1307803 參照第1至4圖,該TFT陣列面板1將被詳細地說明。 多條用來傳輸閘極訊號(或掃描訊號)的閘極線1 2 1被 形成在一絕緣基材1 1 0上。每一閘極線1 2 1大體上延伸在 一橫向的方向上且每一閘極線1 2 1的複數個部分形成複數 個閘極電極1 2 3。每一閘極線1 2 1都包括複數個向下突出 的延長部1 2 7。
閘極線1 2 1包括一低阻值的導電層其最好是由含銀金 屬,像是銀及銀合金,或含鋁金屬,如鋁及鋁合金,所製 成。閘極線121可具有一多層結構其包括一低阻值導電層 及另一層其最好是由帶有其它物質,像是銦錫氧化物(ITO) 及銦鋅氧化物(IZO)之Cr,Ti,Ta,Mo或其它們的合金, 像是具有良好的物理,化學及電接觸特性的 MoW合金所 製成。 閘極線1 2 1的橫向側邊是有斜度的,且其相對於基材 1 0 0的表面的傾斜角度約在3 0 - 8 0度的範圍之間。
一閘極絕緣層140最好是由氮化矽(SiNx)所製成且是 被形成在該等閘極線1 2 1上。 複數條半導體帶1 5 1 (其最好是由氫化的非晶形矽,簡 寫為”a-S i”或複晶矽所製成)被形成在絕緣層1 4 0上。每一 半導體帶1 5 1都延伸在一縱向方向上且具有複數條延長部 154朝向閘極電極123分叉出去。每一半導體帶151的寬 度在接近閘極線1 2 1處會變得比較大,使得半導體帶1 5 1 覆蓋閘極線12 1 —大片面積。 複數個歐姆接點帶及島1 6 1及1 6 5 (其最好是由矽化物 10 1307803 或重摻雜了 η型雜質的n+型氫化的a-Si所製成)被形成在 該等半導體帶151上。每一歐姆接點帶161都具有複數個 延長部1 6 3,且延長部1 6 3與歐姆接點島1 6 5係成對地位 在半導體帶151的延長部154上。 半導體帶1 5 1與歐姆接點1 6 1及1 6 5的橫向側邊都是 有斜度的,且它們的傾斜角度最好是在約3 0 - 8 0度的範圍 之内。
數條一般資料線與仿真資料線1 7 1、1 7 2、數個汲極電 極1 7 5、與數個儲存電容器導體1 7 7則形成在歐姆接點1 6 1 及1 6 5與閘極絕緣層1 4 0上。
用來傳輸資料電壓的資料線1 7 1及1 72大體上延伸在 縱向方向上且與閘極線1 2 1相交會。每一資料線1 7 1及7 1 2 的複數個朝向汲極電極1 7 5延伸的分叉形成複數個源極電 極1 7 3。每一對源極電極1 7 3及汲極電極1 7 5都彼此分隔 開且相對於一閘極電極1 2 3彼此相對。一閘極電極1 2 3, 一源極電極173,及一汲極電極175加上一半導體帶151 的延長部154 —起形成一 TFT,其具有一形成在該延長部 154内的通道,該延長度設在該源極電極173與汲極電極 1 7 5之間。 儲存電容器導體177與閘極線121的延長部127重疊。 資料線1 7 1及1 7 2,汲極電極1 7 5,及儲存電容器導體 1 7 7亦包括一低阻值導電層,且它們可具有一多層的結 構,其包括一低阻值的導電層及另一層其具有良好的物理 與化學接點特性。資料線1 7 1及1 7 2,汲極電極1 7 5,及儲 11 1307803 存電容器導體1 7 7的橫向側邊亦具有斜度,且其相對於基 材1 0 0的表面的傾斜角度約在3 0 - 8 0度的範圍之間。
歐姆接點161及165只設置在底下的半導體條151與 上面的資料線1 7 1與1 7 2及汲極電極1 7 5之間且降低它們 之間的接點電阻。半導體條1 5 1包括多個外露的部分,它 們沒有被資料線1 7 1及1 7 2及汲極電極1 7 5所覆蓋,像是 位在源極電極1 7 3與汲極電極1 7 5之間的部分。雖然半導 體帶1 5 1在大部分地方都比資料線1 7 1及1 72窄,但半導 體條1 5 1的寬度在接近閘極線處變得比較大用以加強介於 閘極線1 2 1與資料線1 7 1及1 72之間的絕緣。 一保護層1 8 0被形成在資料線1 7 1及1 7 2,汲極電極 1 7 5,儲存導體1 7 7,及半導體條1 5 1的外露部分上。保護 層180最好是由具有良好的平坦性的光感有機材質,低介 電絕緣材質,像是以電漿加強化學氣相沉積(PECVD)形成 的a-Si : C ·· Ο及a-Si : Ο : F,或無機材質,像是氮化矽, 所製成。該保護層在其上表面具有不平坦性。
該保護層1 8 0具有複數個接觸窗1 8 5,1 8 7及1 8 9其分 別讓汲極電極1 7 5,儲存導體1 7 7,及資料線1 7 1及1 72 的端部1 7 9露出來。保護層1 8 0及閘極絕緣層1 4 0具有複 數個接觸窗1 8 2其將閘極線1 2 1的端部1 2 5露出來。 複數個一般及仿真像素電極1 9 0及1 9 5及複數個接觸 輔助件9 2及9 7被形成在該保護層1 8 0上。一般像素電極 1 9 0被設置在顯示區5上,而仿真像素電極1 9 5及接觸輔 助件92及97係位在周邊區6上。 12 1307803 像素電極 1 90或1 95中的每一者都包括一最好是由 I TO或IZO製成之低透明度的電極191及一上反射電極192 其具有高反射性,如銀或鋁,且因為該保護層180的不平 坦性而具有隆起(embossment)。如第3及4圖所示的,一 般像素電極190的反射電極192具有一孔T其將透明電極 191露出來而仿真像素電極195的反射電極如第5及6圖 所示不具有孔。
像素電極190及195經由接觸窗185被實體地及電性 地連接至汲極電極175,及經由接觸窗187連接至儲存電 容器導體177,使得像素電極190及195接收來自於汲極 電極1 7 5的資料電壓,並將接收到的資料電壓傳送至儲存 電容器導體177。被供應資料電壓的像素電極190及195 產生電場與在該彩色濾光片陣列面板2上被供應一共同電 壓之共同電極合作,該等電場將介於像素電極1 9 0及1 9 5 與共同電極之間的液晶分子再轉向。 一像素電極190及195及共同電極形成一被稱為一” 液晶電容器”的電容器其在關閉該TFT時會儲存被施加的 電壓。一額外的電容器被稱為一’’儲存電容器”,其被並聯 地連接至該液晶電容器且被提供來加強儲存電壓的容量。 該儲存電容器是藉由將閘極線1 2 1疊在像素電極1 90及 195上來實施的。儲存電容器的電容(即儲存電容)的增加 可藉由在閘極線1 2 1處提供膨脹處1 2 7以增加重疊面積, 及藉由在像素電極190底下提供儲存電容器導體177用以 縮短介於端子之間的距離,其中該儲存電容器導體1 7 7係 13 1307803 連接至像素電極190及195且與膨脹處127重疊 像素電極1 9 0及1 9 5與閘極線1 2 1及資料線 來提高深寬比,但這並非是必要的。 接點輔助件92及97最好是由ITO或IZO製 位在墊區7及8上且分別經由接觸窗182及189 閘極線1 2 1的外露端部1 2 5及資料線1 7 1的外露: 接點輔助件9 2及9 7並非一定要但較佳用以保護 125及179,及作為外露部分125及179與外部裝 的輔助。 一配向薄膜1 1形成該TFT陣列面板1的最 第2圖所示,且配向薄膜11係於第1圖箭頭所示 被摩擦,即從左上角到右下角的方向。 接下來,彩色濾光片面板2將參照第1及2 g 一最好是由有機物質製成的黑矩陣220被形 好是由透明玻璃製成的絕緣基材2 1 0上。該黑矩 圍並界定該顯示區5。該黑矩陣2 2 0與該仿真傾 中的仿真像素電極1 9 5重疊。雖然沒有示出,但黑 將介於一般像素電極1 90之間的邊界屏蔽起來用 素區AP及介於像素區AP之間光漏。紅,綠及藍 (未示出)形成在顯示區5之個別的像素區AP中。 由透明的導電物質製成的共同電極270被形成在 片上且黑矩陣220並涵蓋整個基材210的面積。 膜2 1形成該材色濾光片面板2的最上層,且其摩 TFT陣列面板1的配向膜11的摩擦方向相同。 171重疊 成,分別 而連接至 哉部1 7 9。 外露部分 置之黏附 上層,如 的方向上 3來說明。 成在一最 陣220包 -素區DP 矩陣220 以界定像 色濾光片 一最好是 彩色濾光 一配向薄 擦方向與 14 1307803 如第1及2圖所示的,因為該TFT陣列面板1比彩色 濾光片面板2大,所以墊區7及8係位在彩色滤光片面板 2的外面。密封物質4係位在顯示區5的外部且介於面板1 與2之間。密封物質4與黑矩陣220部分重疊。
閘極PCB 450與資料PCB 550經由其間的FPC薄膜 600而電性地相連接用以傳輸訊號。訊號路徑451 ’ 551及 5 52最好是由用來傳送訊號之導電電線製成立被提供在閘 極PCB 450、5 50與資料PCB 550與介於它們之間的FPC 薄膜600上。一 LCD控制器700被提供在該資料PCB 550 上,但其亦可被提供在閘極PCB 450上。〆驅動電壓產生 器(未示出)亦被提供在該閘極PCB 450上。該驅動電壓產 生器900產生一閘極-on電壓,閘極_〇ff電壓及一共同電 壓。一用來產生多個灰階電壓的灰階電壓產生器(未示出) 被提供在資料PCB 550上。閘極pcb 450與資料PCB 550 中的至少一者可被省略’且相關的電路與訊號路徑可被形 成在該TFT陣列面板1中。 多個閘極驅動積體電路(IC)41〇及資料驅動IC5I0(最 好是作成晶片)被分別安裝在該閘極TCP 400及資料TCP 5 0 0上。連接在閘極驅動IV 4 1 〇與訊號路徑4 5 1之間及閘 極驅動1C與閘極線1 2 1之間的多根導線(未示出)被形成在 閘極TCP 410上。其它複數根連接在資料驅動IC51〇與訊 號路徑5 5 1與5 5 2之間及資料驅動丨c 5丨〇與資料線m與 1 72之間的導線(未不出)被形成在資料tcp 500上。第1 圖中的標號520及521係仿真資料線172用來傳輸訊號的 15 1307803 導線’它們被連接至訊號路徑5 5 2。 至將輿它們 且附著至 12 1及資料 驅動IC5l〇 閘極TCP 4〇〇及資料TCP 500分別被附著 電性地相連接的閘極PCB 450與資料PCB 550 面板细件300 ’以將分別電性地連接至閘極線 線171與172。或者,閘極驅動IC410及/或資料 被安裝在該TFT陣列面板1上,其被稱為在玻璃μ ;工的晶片 (ehip on glass,COG)類型。或者閘極驅動IC410及/式 或貢料 驅動IC5 1 0被形成在該TFT陣列面板1中的驅動 電路所取
代,這些驅動電路是由與閘極線121,資料線171及172 及TFT相同的層所製成的。 該LCD控制器700提供複數個紅,綠及藍色影像訊號 給資料驅動1C 5 10及經由在PCB 450及5 50及FPc薄膜 600上的訊號路徑451,551及5 52提供複數個控制訊號給 驅動1C 4 1 0及5 1 0用來控制驅動ic 4 1 0及5 1 〇。閘極驅動 IC4 10根據來自於驅動電壓產生器900的閘極-〇n電壓及閉 極- off電壓產生掃描訊號,用以經由閘極線的端部丨25施 加至閘極線121上,與來自LCD控制器700的控制訊號同 步。資料驅動1C 510根據來自於LCD控制器700的影像 訊號來從灰階電壓產生器選擇灰階電壓,用以經由資料線 的端部1 79將資料訊號施加至適當的資料線m及1 72, 與來自LCD控制器700的控制訊號同步。 在此LCD中’在配向薄膜n及2 1上的雜質離子沿著 摩擦方向移動並聚集在仿真像素電極1 9 5處,特別是靠近 右下角落處。如上所述的’因為在最右行的仿真像素電極 16 1307803 195與黑矩陣22重疊,所以具有由雜質離子所造成之缺陷 影像的區域會被黑矩陣2 2 0所屏蔽掉。又,沒有透射區的 仿真像素電極1 95會阻擋來自於光源的光線。因此’依據 此實施例的LCD將缺陷保持在仿真像素區DP中。
依據本發明的另一實施例,最右邊的一般像素電極 1 9 0是沿著閘極線1 2 1延長,用以與黑矩陣2 2 0重疊而不 提供仿真像素電極。像素電極1 9 0的延長部分不具有透射 區。 雖然本發明的較佳實施例已於上文中被詳細說明,但 應被清楚地瞭解的是,在本文中所教導的本發明的基本概 念下仍有許多具有其它變化及/或修改之實施例,這些變化 的實施例對於熟悉此技藝者而言是很明顯的。這些實施例 都將落在由以下的申請專利範圍所界定之本發明的精神與 範圍之内。 【圖式簡單說明】 本發明的上述及其它優點可藉由閱讀參照了附圖之較 佳實施例的詳細說明而變得更加明顯,其中: 第1圖為依據本發明一實施例之LC D的示意平面圖; 第2圖為沿著第1圖的線ΙΙ-ΙΓ線所取的LCD剖面圖; 第3圖為第1圖的LCD顯示區中一像素區及在一 TFT 陣列面板上之一墊區上的示例性放大布局圖; 第4圖為第3圖TFT陣列面板沿著IV-IV’線所取的剖 面圖; 17 1307803 第5圖為在第1圖LCD的TFT陣列面板上的一周邊 區中一像素區上的示例性放大布局圖;及 第6圖為第5圖TFT陣列面板沿著VI-VI’線所取的剖 面圖。 【元件代表符號簡單說明】 1 TFT陣列面板 3 液晶層 5 顯示區 7 閘極塾區 11,21 配向層 110,210 基材 123 閘極電極 127 閘極線的延長部 151,154 半導體 171,172 資料線 177 儲存電容導體 180 保護層 1 90,1 95 像素電極 192 反射電極 270 共同電極 400,500 輸送膠帶封裝體
410,510 驅動 IC 45 1,55 1,552 訊號路徑 2 彩色濾光片板 4 密封材料 6 周邊區 8 資料墊區 92,97 接觸輔助 121 閘極線 125 閘極線的端部 140 閘極絕緣層 1 6 1,1 63,1 65 歐姆接點 173 源極電極 179 資料線的端部 1 82,1 85,1 87,1 89 接觸窗 191 透明電極 220 黑矩陣 300 液晶面板組件 (TCP) 450,550 印刷電路板(PCB) 520,52 1 導線
18 1307803 600 撓性印刷電路(FPC)薄膜 700 LCD控制器 AP,DP 像素區 175 汲極電極
19
Claims (1)
- 十、申請專利範圍: 1. 一種半反射液晶顯示器,其至少包含_· 一第一絕緣基材,其包括一顯示區及一位在該顯示 區外圍的周邊區; 複數條訊號線,其被提供在該第一基材上; 複數個第一像素電極,其電性連接至該等訊號線並 位在該顯示區内,每一第一像素電極都包括一第一透明 電極及一第二反射電極;及 一第二像素電極,其電性連接至該等訊號線並位在 該周邊區内,該第二像素電極包括一第一透明電極及一 第二反射電極其面積大於該第一反射電極的面積。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半反射液晶顯示器,其中 該第二反射電極大體上覆蓋該第二透明電極的整個表 面。 3.如申請專利範圍第2項所述之半反射液晶顯示器,其中 該第一反射電極具有一孔其將該第一透明電極的一部 分露出來。 4.如申請專利範圍第1項所述之半反射液晶顯示器,更包 含: 一第二絕緣基材,其相對於該第一基材設置;及 20 1307803 一黑矩陣,其被提供在該第二基材之上,該黑矩陣 屏蔽該等第二像素電極。 5.如申請專利範圍第4項所述之半反射液晶顯示器,更包 含一共同電極,其被提供在該第二基材上,且與該第一 及第二像素電極相對設置,其中該第一與第二像素電極 以及該共同電極皆被供給一可週期性反轉極性的訊號。^顯示器,其中 且該訊號線包 及複數條延伸 晶顯不益更包 資料線傳送至 些閘極線的第 6 .如申請專利範圍第 該第一及第二像素 括複數條延伸於一 在一行之方向上的 含複數個切換元件 該第一及第二像素 二訊號。 1項所述之半反射液』 電極被安排成一矩陣, 列之方向上的閘極線, 資料線,且該半反射液 其將第一訊號從該些 電極以回應來自於該7.如申請專利範圍第6項所述之半反射液晶顯示器,更包 含一在該第一基材上的配向薄膜,其中該配向薄膜係於 一朝向該第二像素電極的第一方向上被摩擦。 8.如申請專利範圍第7項所述之半反射液晶顯示器,其中 該第一方向係傾斜於該列的方向及該行的方向。 21 1307803 9.如申請專利範圍第8項所述之半反射液晶顯示器,其中 該些閘極線與資料線各具有一用來與其它裝置作訊號 溝通的端部,且該第一方向係離開該些端部的方向。22 1307803 七、指定代表圖: (一) 、本案指定代表圖為:第(6)圖。 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 123 閘極電極 127 閘極線的延長部 151,154 半導體 175 汲極電極 180 保護層 1 95,1 96,1 97 像素電極 140 閘極絕緣層 1 6 1,1 63,1 65 歐姆接點 173 源極電極 177 儲存電容導體 185,187 接觸窗 八、本案若有化學式時’請揭不最能顯7F 發明特徵的化學式:
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