TWI307803B - Transflective liquid crystal display - Google Patents

Description

1307803 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器，詳言之，係關於一種 半反射液晶顯示器。 【先前技術】

一典型的液晶顯示器（“LCD”）包括一上面板其具有一 共同電極及一陣列的彩色濾光片，及一下面板其具有複數 個像素電極及薄膜電晶體（“TFT”）。一對配向薄膜被塗佈在 該上及下面板上，及一液晶層被置於上及下面扁的配向薄 膜之間。該液晶層的分子方向可藉由調整由介於像素電極 與共同電極之間的電位差所產生的電場來加以改變，這些 電極都被施加了適當的電壓。液晶分子的方向改變可造成 穿過該LCD的光線的透光性被改變，藉此獲得所想要的影 像。

在一傳統的LCD的製造處理期間，雜質離子通常會被 產生及保留在配向薄膜的表面上。在製造出來的LCD使用 過一陣子之後，這些雜質離子會沿著一配向方向移動而聚 集在液晶顯示器的一個角落，該配向方向是藉由摩擦配向 薄膜而產生的。因而，這會造成當顯示暗的影像時，一顯 示區的一個角落會比較亮的缺點。 【發明内容】 本發明的實施例提供具有改進影像品質的液晶顯示 5 1307803 器。 依據本發明的一個實施例，至少一像素電極位在一周 邊區域其是在一顯示區的外圍，及在該周邊區域中的該像 素電極包括一反射電極，其面積比在顯示區域中之該像素 電極的反射電極的面積大。

提供一種液晶顯示器，其包括：一第一絕緣基材其包 括一顯示區及一位在該顯示區外圍的周邊區；複數條訊號 線其被提供在該第一基材上；複數個第一像素電極其電性 連接至該等訊號線並位在該顯示區内，每一第一像素電極 都包括一第一透明電極及一第二反射電極；及複數個第二 像素電極其電性連接至該等訊號線並位在該周邊區内，每 一第二像素電極都包括一第一透明電極及一第二反射電極 其面積大於該第一反射電極的面積。 較佳地，該第二反射電極大體上覆蓋第二透明電極的 整個表面，同時第一反射電極則具有一孔洞將該第二透明 電極的一部分露出來。

該液晶顯示器更包括一第二絕緣基材，其係相對於該 第一基材設置；及一黑矩陣其被提供在該第二基材之上， 該黑矩陣屏蔽該等第二像素電極。 該液晶顯示器更包括一共同電極，其被提供在該第二 基材上，且與第一及第二像素電極相對設置，及第一與第 二像素電極以及共同電極都被提供一較佳具有週期性地反 轉之極性的訊號。 該第一及第二像素電極被安排成一個矩陣，且訊號線 6 1307803 包括複數個閘極線延伸於一列的方向上，及複數條資料線 延伸在一行的方向上，且該液晶顯示器更包含複數個切換 元件其將第一訊號從資料線傳送至第一及第二像素電極以 回應來自於閘極線的第二訊號。

較佳為該液晶顯示器更包含一位在第一基材上的配向 薄膜，且該配向薄膜係於朝向第二像素電極的第一方向上 摩擦（rub)。更佳地，該第一方向係傾斜於該列的方向及該 行的方向。每一閘極線與資料線都具有一端部用來與其它 裝置作訊號溝通，且該第一方向從該端部離開。 【實施方式】

本發明將於下文中參照附圖加以說明，附圖中顯示了 本發明的較佳實施例。然而，本發明可用許多不同的形式 來體現，且不應被解釋為侷限在本文所舉的實施例上。在 附圖中，層及區域的厚度為了清楚起見而被誇大。在所有 圖中相同的標號代表相同的元件。應被瞭解的是，當一元 件，像是一層’薄膜，區域’基材或板，被敛述為在另一 元件”上方（on)”時，其可直接位在該另一元件之上或它們 之間會有中間元件存在。相反地，當一元件被描述為”直接 (directly on)”在另一元件之上時，即無中間元件存在。 接下來，依據本發明的實施例的液晶顯示器將參照附 圖加以說明。 依據本發明的實施例之一液晶顯示器將參照第1至6 圖來加以說明。 7 1307803

第1圖為依據本發明的一實施例之LCD的示意平面 圖；第2圖為沿著第1圖的線π_π’線所取的lcd剖面圖； 第3圖為第1圖的LCD的顯示區中的一像素區及在_ TFT 陣列面板上的一墊區上之示例性放大布局圖；第4圖為第 3圖的TFT陣列面板沿著IV_IV，線所取的剖面圖；第$圖 為在第1圖所示LCD的TFT陣列面板上的一周邊區中的 一像素區的示例性放大布局圖；及第6圖為第5圖的TFT 陣列面板沿著VI-VI，線所取的剖面圖。 〇 如第1圖所示’依據本發明之實施例的LCD包括一液 晶面板組件3 0 〇，一閘極印刷電路板（“ p c b，，）4 5 0，一資料 PCB 550，複數個閘極輸送膠帶封裝體（tCP)400，複數個 資料TCP 5 00，及兩個撓性印刷電路（FPC)薄膜600。閘極 T C P 4 0 0被附著在該面板組件3 0 0與閘極P C B 4 5 0上，且 資料TCP 500被附著在該面板組件3 00與閘極PCB 550 上。FPC薄膜600將面板組件300連接至閘極PCB 450及 將閘極PCB 450連接至資料PCB 550。該閘極PCB 450與 資料P C B 5 5 0分別被設置在面板組件3 0 0的左緣及右緣的 外面。 如第1及第2圖所示的，面板組件300包括一薄膜電 晶體（TFT)陣列面板1及一彩色濾光片面板2，它們兩者彼 此相對。該面板組件3 〇 〇進一步包括一液晶材質的液晶層 3其被設置在面板1及2之間的間隙，及一毯、封材料4其 支撐介於兩面板1及2之間的間隙並將該液晶材料密封起 來。 8 1307803

該TFT陣列面板1被分成一顯示區5，其為使用者所 看到之LCD的螢幕，及一周邊區6其包圍該顯示區5。顯 示區5及周邊區6分別包括複數個像素區A P及D P，它們 都被安排成一矩陣。在顯示區5内的像素區AP是由複數 條延伸在一列方向上的閘極線1 2 1與複數條延伸在行方向 上的一般資料線1 7 1的交會點所界定的，而在周邊區6中 的像素區DP則是由閘極線1 2 1與複數條延伸在行方向上 之仿真（d u m m y)資料線 1 7 2的交會點所界定的。周邊區 6 包括複數個閘極墊區7，閘極線1 2 1及閘極T C P 4 0 0在該 閘極墊區彼此相連接，及複數個資料墊區 8，資料線1 7 1 及1 72與資料TCP 500在該資料墊區彼此相連接。一經由 一 TFT(未示出）而連接至一閘極線1 2 1及一資料線1 7 1的 一像素電極190被提供在顯示區5中之每一像素區AP上， 而經由一 TFT(未示出）而連接至一閘極線1 2 1及一仿真資 料線172的一仿真像素電極195被提供在周邊區6中之每 一像素區DP上。

依據本發明的此實施例的 LCD為一在一透射模式及 在一反射模式下操作的半反射LCD，因此像素電極190及 195包括透明電極與反射電極。在周邊區6中的反射電極 的面積比在顯示區5中的面積大，且最好是，在周邊區6 中的反射電極不具有可將透明電極露出來的孔洞，而在顯 示區中則有此孔洞。 一用於依據本發明的實施例的L C D上的T F T陣列面 板將參照第1 - 6圖作更詳細的說明。 9 1307803 參照第1至4圖，該TFT陣列面板1將被詳細地說明。 多條用來傳輸閘極訊號（或掃描訊號）的閘極線1 2 1被 形成在一絕緣基材1 1 0上。每一閘極線1 2 1大體上延伸在 一橫向的方向上且每一閘極線1 2 1的複數個部分形成複數 個閘極電極1 2 3。每一閘極線1 2 1都包括複數個向下突出 的延長部1 2 7。

閘極線1 2 1包括一低阻值的導電層其最好是由含銀金 屬，像是銀及銀合金，或含鋁金屬，如鋁及鋁合金，所製 成。閘極線121可具有一多層結構其包括一低阻值導電層 及另一層其最好是由帶有其它物質，像是銦錫氧化物（ITO) 及銦鋅氧化物（IZO)之Cr，Ti，Ta，Mo或其它們的合金， 像是具有良好的物理，化學及電接觸特性的 MoW合金所 製成。 閘極線1 2 1的橫向側邊是有斜度的，且其相對於基材 1 0 0的表面的傾斜角度約在3 0 - 8 0度的範圍之間。

一閘極絕緣層140最好是由氮化矽（SiNx)所製成且是 被形成在該等閘極線1 2 1上。 複數條半導體帶1 5 1 (其最好是由氫化的非晶形矽，簡 寫為”a-S i”或複晶矽所製成）被形成在絕緣層1 4 0上。每一 半導體帶1 5 1都延伸在一縱向方向上且具有複數條延長部 154朝向閘極電極123分叉出去。每一半導體帶151的寬 度在接近閘極線1 2 1處會變得比較大，使得半導體帶1 5 1 覆蓋閘極線12 1 —大片面積。 複數個歐姆接點帶及島1 6 1及1 6 5 (其最好是由矽化物 10 1307803 或重摻雜了 η型雜質的n+型氫化的a-Si所製成）被形成在 該等半導體帶151上。每一歐姆接點帶161都具有複數個 延長部1 6 3，且延長部1 6 3與歐姆接點島1 6 5係成對地位 在半導體帶151的延長部154上。 半導體帶1 5 1與歐姆接點1 6 1及1 6 5的橫向側邊都是 有斜度的，且它們的傾斜角度最好是在約3 0 - 8 0度的範圍 之内。

數條一般資料線與仿真資料線1 7 1、1 7 2、數個汲極電 極1 7 5、與數個儲存電容器導體1 7 7則形成在歐姆接點1 6 1 及1 6 5與閘極絕緣層1 4 0上。

用來傳輸資料電壓的資料線1 7 1及1 72大體上延伸在 縱向方向上且與閘極線1 2 1相交會。每一資料線1 7 1及7 1 2 的複數個朝向汲極電極1 7 5延伸的分叉形成複數個源極電 極1 7 3。每一對源極電極1 7 3及汲極電極1 7 5都彼此分隔 開且相對於一閘極電極1 2 3彼此相對。一閘極電極1 2 3， 一源極電極173，及一汲極電極175加上一半導體帶151 的延長部154 —起形成一 TFT，其具有一形成在該延長部 154内的通道，該延長度設在該源極電極173與汲極電極 1 7 5之間。 儲存電容器導體177與閘極線121的延長部127重疊。 資料線1 7 1及1 7 2，汲極電極1 7 5，及儲存電容器導體 1 7 7亦包括一低阻值導電層，且它們可具有一多層的結 構，其包括一低阻值的導電層及另一層其具有良好的物理 與化學接點特性。資料線1 7 1及1 7 2，汲極電極1 7 5，及儲 11 1307803 存電容器導體1 7 7的橫向側邊亦具有斜度，且其相對於基 材1 0 0的表面的傾斜角度約在3 0 - 8 0度的範圍之間。

歐姆接點161及165只設置在底下的半導體條151與 上面的資料線1 7 1與1 7 2及汲極電極1 7 5之間且降低它們 之間的接點電阻。半導體條1 5 1包括多個外露的部分，它 們沒有被資料線1 7 1及1 7 2及汲極電極1 7 5所覆蓋，像是 位在源極電極1 7 3與汲極電極1 7 5之間的部分。雖然半導 體帶1 5 1在大部分地方都比資料線1 7 1及1 72窄，但半導 體條1 5 1的寬度在接近閘極線處變得比較大用以加強介於 閘極線1 2 1與資料線1 7 1及1 72之間的絕緣。 一保護層1 8 0被形成在資料線1 7 1及1 7 2，汲極電極 1 7 5，儲存導體1 7 7，及半導體條1 5 1的外露部分上。保護 層180最好是由具有良好的平坦性的光感有機材質，低介 電絕緣材質，像是以電漿加強化學氣相沉積（PECVD)形成 的a-Si : C ·· Ο及a-Si : Ο : F，或無機材質，像是氮化矽， 所製成。該保護層在其上表面具有不平坦性。

該保護層1 8 0具有複數個接觸窗1 8 5，1 8 7及1 8 9其分 別讓汲極電極1 7 5，儲存導體1 7 7，及資料線1 7 1及1 72 的端部1 7 9露出來。保護層1 8 0及閘極絕緣層1 4 0具有複 數個接觸窗1 8 2其將閘極線1 2 1的端部1 2 5露出來。 複數個一般及仿真像素電極1 9 0及1 9 5及複數個接觸 輔助件9 2及9 7被形成在該保護層1 8 0上。一般像素電極 1 9 0被設置在顯示區5上，而仿真像素電極1 9 5及接觸輔 助件92及97係位在周邊區6上。 12 1307803 像素電極 1 90或1 95中的每一者都包括一最好是由 I TO或IZO製成之低透明度的電極191及一上反射電極192 其具有高反射性，如銀或鋁，且因為該保護層180的不平 坦性而具有隆起（embossment)。如第3及4圖所示的，一 般像素電極190的反射電極192具有一孔T其將透明電極 191露出來而仿真像素電極195的反射電極如第5及6圖 所示不具有孔。

像素電極190及195經由接觸窗185被實體地及電性 地連接至汲極電極175，及經由接觸窗187連接至儲存電 容器導體177，使得像素電極190及195接收來自於汲極 電極1 7 5的資料電壓，並將接收到的資料電壓傳送至儲存 電容器導體177。被供應資料電壓的像素電極190及195 產生電場與在該彩色濾光片陣列面板2上被供應一共同電 壓之共同電極合作，該等電場將介於像素電極1 9 0及1 9 5 與共同電極之間的液晶分子再轉向。 一像素電極190及195及共同電極形成一被稱為一” 液晶電容器”的電容器其在關閉該TFT時會儲存被施加的 電壓。一額外的電容器被稱為一’’儲存電容器”，其被並聯 地連接至該液晶電容器且被提供來加強儲存電壓的容量。 該儲存電容器是藉由將閘極線1 2 1疊在像素電極1 90及 195上來實施的。儲存電容器的電容（即儲存電容）的增加 可藉由在閘極線1 2 1處提供膨脹處1 2 7以增加重疊面積， 及藉由在像素電極190底下提供儲存電容器導體177用以 縮短介於端子之間的距離，其中該儲存電容器導體1 7 7係 13 1307803 連接至像素電極190及195且與膨脹處127重疊 像素電極1 9 0及1 9 5與閘極線1 2 1及資料線 來提高深寬比，但這並非是必要的。 接點輔助件92及97最好是由ITO或IZO製 位在墊區7及8上且分別經由接觸窗182及189 閘極線1 2 1的外露端部1 2 5及資料線1 7 1的外露： 接點輔助件9 2及9 7並非一定要但較佳用以保護 125及179,及作為外露部分125及179與外部裝 的輔助。 一配向薄膜1 1形成該TFT陣列面板1的最 第2圖所示，且配向薄膜11係於第1圖箭頭所示 被摩擦，即從左上角到右下角的方向。 接下來，彩色濾光片面板2將參照第1及2 g 一最好是由有機物質製成的黑矩陣220被形 好是由透明玻璃製成的絕緣基材2 1 0上。該黑矩 圍並界定該顯示區5。該黑矩陣2 2 0與該仿真傾 中的仿真像素電極1 9 5重疊。雖然沒有示出，但黑 將介於一般像素電極1 90之間的邊界屏蔽起來用 素區AP及介於像素區AP之間光漏。紅，綠及藍 (未示出）形成在顯示區5之個別的像素區AP中。 由透明的導電物質製成的共同電極270被形成在 片上且黑矩陣220並涵蓋整個基材210的面積。 膜2 1形成該材色濾光片面板2的最上層，且其摩 TFT陣列面板1的配向膜11的摩擦方向相同。 171重疊 成，分別 而連接至 哉部1 7 9。 外露部分 置之黏附 上層，如 的方向上 3來說明。 成在一最 陣220包 -素區DP 矩陣220 以界定像 色濾光片 一最好是 彩色濾光 一配向薄 擦方向與 14 1307803 如第1及2圖所示的，因為該TFT陣列面板1比彩色 濾光片面板2大，所以墊區7及8係位在彩色滤光片面板 2的外面。密封物質4係位在顯示區5的外部且介於面板1 與2之間。密封物質4與黑矩陣220部分重疊。

閘極PCB 450與資料PCB 550經由其間的FPC薄膜 600而電性地相連接用以傳輸訊號。訊號路徑451 ’ 551及 5 52最好是由用來傳送訊號之導電電線製成立被提供在閘 極PCB 450、5 50與資料PCB 550與介於它們之間的FPC 薄膜600上。一 LCD控制器700被提供在該資料PCB 550 上，但其亦可被提供在閘極PCB 450上。〆驅動電壓產生 器（未示出）亦被提供在該閘極PCB 450上。該驅動電壓產 生器900產生一閘極-on電壓，閘極_〇ff電壓及一共同電 壓。一用來產生多個灰階電壓的灰階電壓產生器（未示出） 被提供在資料PCB 550上。閘極pcb 450與資料PCB 550 中的至少一者可被省略’且相關的電路與訊號路徑可被形 成在該TFT陣列面板1中。 多個閘極驅動積體電路（IC)41〇及資料驅動IC5I0(最 好是作成晶片）被分別安裝在該閘極TCP 400及資料TCP 5 0 0上。連接在閘極驅動IV 4 1 〇與訊號路徑4 5 1之間及閘 極驅動1C與閘極線1 2 1之間的多根導線（未示出）被形成在 閘極TCP 410上。其它複數根連接在資料驅動IC51〇與訊 號路徑5 5 1與5 5 2之間及資料驅動丨c 5丨〇與資料線m與 1 72之間的導線（未不出）被形成在資料tcp 500上。第1 圖中的標號520及521係仿真資料線172用來傳輸訊號的 15 1307803 導線’它們被連接至訊號路徑5 5 2。 至將輿它們 且附著至 12 1及資料 驅動IC5l〇 閘極TCP 4〇〇及資料TCP 500分別被附著 電性地相連接的閘極PCB 450與資料PCB 550 面板细件300 ’以將分別電性地連接至閘極線 線171與172。或者，閘極驅動IC410及/或資料 被安裝在該TFT陣列面板1上，其被稱為在玻璃μ ;工的晶片 (ehip on glass，COG)類型。或者閘極驅動IC410及/式 或貢料 驅動IC5 1 0被形成在該TFT陣列面板1中的驅動 電路所取

代，這些驅動電路是由與閘極線121，資料線171及172 及TFT相同的層所製成的。 該LCD控制器700提供複數個紅，綠及藍色影像訊號 給資料驅動1C 5 10及經由在PCB 450及5 50及FPc薄膜 600上的訊號路徑451，551及5 52提供複數個控制訊號給 驅動1C 4 1 0及5 1 0用來控制驅動ic 4 1 0及5 1 〇。閘極驅動 IC4 10根據來自於驅動電壓產生器900的閘極-〇n電壓及閉 極- off電壓產生掃描訊號，用以經由閘極線的端部丨25施 加至閘極線121上，與來自LCD控制器700的控制訊號同 步。資料驅動1C 510根據來自於LCD控制器700的影像 訊號來從灰階電壓產生器選擇灰階電壓，用以經由資料線 的端部1 79將資料訊號施加至適當的資料線m及1 72， 與來自LCD控制器700的控制訊號同步。 在此LCD中’在配向薄膜n及2 1上的雜質離子沿著 摩擦方向移動並聚集在仿真像素電極1 9 5處，特別是靠近 右下角落處。如上所述的’因為在最右行的仿真像素電極 16 1307803 195與黑矩陣22重疊，所以具有由雜質離子所造成之缺陷 影像的區域會被黑矩陣2 2 0所屏蔽掉。又，沒有透射區的 仿真像素電極1 95會阻擋來自於光源的光線。因此’依據 此實施例的LCD將缺陷保持在仿真像素區DP中。

依據本發明的另一實施例，最右邊的一般像素電極 1 9 0是沿著閘極線1 2 1延長，用以與黑矩陣2 2 0重疊而不 提供仿真像素電極。像素電極1 9 0的延長部分不具有透射 區。 雖然本發明的較佳實施例已於上文中被詳細說明，但 應被清楚地瞭解的是，在本文中所教導的本發明的基本概 念下仍有許多具有其它變化及/或修改之實施例，這些變化 的實施例對於熟悉此技藝者而言是很明顯的。這些實施例 都將落在由以下的申請專利範圍所界定之本發明的精神與 範圍之内。 【圖式簡單說明】 本發明的上述及其它優點可藉由閱讀參照了附圖之較 佳實施例的詳細說明而變得更加明顯，其中： 第1圖為依據本發明一實施例之LC D的示意平面圖； 第2圖為沿著第1圖的線ΙΙ-ΙΓ線所取的LCD剖面圖； 第3圖為第1圖的LCD顯示區中一像素區及在一 TFT 陣列面板上之一墊區上的示例性放大布局圖； 第4圖為第3圖TFT陣列面板沿著IV-IV’線所取的剖 面圖； 17 1307803 第5圖為在第1圖LCD的TFT陣列面板上的一周邊 區中一像素區上的示例性放大布局圖；及 第6圖為第5圖TFT陣列面板沿著VI-VI’線所取的剖 面圖。 【元件代表符號簡單說明】 1 TFT陣列面板 3 液晶層 5 顯示區 7 閘極塾區 11,21 配向層 110,210 基材 123 閘極電極 127 閘極線的延長部 151,154 半導體 171,172 資料線 177 儲存電容導體 180 保護層 1 90,1 95 像素電極 192 反射電極 270 共同電極 400,500 輸送膠帶封裝體

410,510 驅動 IC 45 1,55 1,552 訊號路徑 2 彩色濾光片板 4 密封材料 6 周邊區 8 資料墊區 92,97 接觸輔助 121 閘極線 125 閘極線的端部 140 閘極絕緣層 1 6 1,1 63,1 65 歐姆接點 173 源極電極 179 資料線的端部 1 82,1 85,1 87,1 89 接觸窗 191 透明電極 220 黑矩陣 300 液晶面板組件 (TCP) 450,550 印刷電路板（PCB) 520,52 1 導線

18 1307803 600 撓性印刷電路（FPC)薄膜 700 LCD控制器 AP,DP 像素區 175 汲極電極

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Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： 1. 一種半反射液晶顯示器，其至少包含_· 一第一絕緣基材，其包括一顯示區及一位在該顯示 區外圍的周邊區； 複數條訊號線，其被提供在該第一基材上； 複數個第一像素電極，其電性連接至該等訊號線並 位在該顯示區内，每一第一像素電極都包括一第一透明 電極及一第二反射電極；及 一第二像素電極，其電性連接至該等訊號線並位在 該周邊區内，該第二像素電極包括一第一透明電極及一 第二反射電極其面積大於該第一反射電極的面積。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半反射液晶顯示器，其中 該第二反射電極大體上覆蓋該第二透明電極的整個表 面。 3.如申請專利範圍第2項所述之半反射液晶顯示器，其中 該第一反射電極具有一孔其將該第一透明電極的一部 分露出來。 4.如申請專利範圍第1項所述之半反射液晶顯示器，更包 含： 一第二絕緣基材，其相對於該第一基材設置；及 20 1307803 一黑矩陣，其被提供在該第二基材之上，該黑矩陣 屏蔽該等第二像素電極。 5.如申請專利範圍第4項所述之半反射液晶顯示器，更包 含一共同電極，其被提供在該第二基材上，且與該第一 及第二像素電極相對設置，其中該第一與第二像素電極 以及該共同電極皆被供給一可週期性反轉極性的訊號。

   ^顯示器，其中 且該訊號線包 及複數條延伸 晶顯不益更包 資料線傳送至 些閘極線的第 6 .如申請專利範圍第 該第一及第二像素 括複數條延伸於一 在一行之方向上的 含複數個切換元件 該第一及第二像素 二訊號。 1項所述之半反射液』 電極被安排成一矩陣， 列之方向上的閘極線， 資料線，且該半反射液 其將第一訊號從該些 電極以回應來自於該

   7.如申請專利範圍第6項所述之半反射液晶顯示器，更包 含一在該第一基材上的配向薄膜，其中該配向薄膜係於 一朝向該第二像素電極的第一方向上被摩擦。 8.如申請專利範圍第7項所述之半反射液晶顯示器，其中 該第一方向係傾斜於該列的方向及該行的方向。 21 1307803 9.如申請專利範圍第8項所述之半反射液晶顯示器，其中 該些閘極線與資料線各具有一用來與其它裝置作訊號 溝通的端部，且該第一方向係離開該些端部的方向。

   22 1307803 七、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：第（6)圖。 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 123 閘極電極 127 閘極線的延長部 151,154 半導體 175 汲極電極 180 保護層 1 95,1 96,1 97 像素電極 140 閘極絕緣層 1 6 1,1 63,1 65 歐姆接點 173 源極電極 177 儲存電容導體 185,187 接觸窗 八、本案若有化學式時’請揭不最能顯7F 發明特徵的化學式：