TWI305377B - Method of grinding multilayer body and method of manufacturing solid state image pickup device - Google Patents

Method of grinding multilayer body and method of manufacturing solid state image pickup device Download PDF

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TWI305377B
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Yoshihisa Negishi
Hiroshi Maeda
Hitoshi Shimamura
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Fujifilm Corp
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Description

1305377 .九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ' 本發明爲有關於一種硏磨多層體之方法與一種製造固 態影像拾取裝置之方法’且特別爲有關於一種硏磨多層體之 方法與一種製造固態影像拾取裝置之方法，其係硏磨與切割 具有一中空結構之多層體，將它分割成以晶圓程度集體製造 之一些晶片尺寸封裝（CSP)型式固態影像拾取裝置或相類物 之個別固態影像拾取裝置與相類物。 ® 【先前技術】 小巧性（compactness)對由CCD與CMOS組成之固態影 像拾取裝置有日益增加之需求，CCD與CMOS係用於數位相 機與行動電話，因此，近來正進行一種傳統大型之封裝變 遷，其將所有固態影像拾取元件晶片密封於陶磁封裝或相類 物成晶片尺寸封裝型式，其係大體上與固態影像拾取元件晶 片之尺寸相等。 在此等情形下，提供固態影像拾取裝置之一結構’在此 ® 結構中由具備一框架零件（間隔片（spacer))—體形成於其下 面邊緣部分之透明材料所製成之密封構件（透明玻璃板）被 設置用於僅固態影像拾取元件晶片之光接收區域，且用以從 外部執行佈線之電極（墊片（p a d))係被設置於該框架部份（間 隔片）之外側，（例如，參照日本專利申請公開案號碼 07-202152) ° 當曰本專利申請公開案號碼0 7 - 2 0 2 1 5 2所述之固態影像 拾取裝置以晶圓程度集體製造時，首先一些固態影像拾取元 ⑧ 1305377 w • t Ψ . 件被形成於晶圓（半導體基板）上。同時，一些框架零件（間隔 v 片）’包圍固態影像拾取元件之光接收區域，係一體地形成 於由透明材料構成之密封構件（透明玻璃板）上。 其次，將該密封構件（透明玻璃板）經由框架零件（間隔 片）連接至晶圓以密封每一個固態影像拾取元件之光接收區 域以製造一多層體，許多固態影像拾取元件以晶圓程度被形 成其上。其次，多層體被分成個別固態影像拾取元件，及藉 此’在日本專利申請公開案號碼0 7 - 2 0 2 1 5 2所揭示之固態影 ^像拾取元件即可獲得。 然而，在前述日本專利申請公開案號碼0 7 - 2 0 2 1 5 2中， 對將許多固態影像拾取元件以晶圓程度形成其上之多層體 分割成個別固態影像拾取元件之方法並無提及。 此外，提供一種用以將透明玻璃板與晶圓分開成個別固 態影像拾取元件之方法，其係藉形成一間隔片於一透明玻璃 板上以對應一包圍每一個形成於晶圓（半導體基板）上之許 多固態影像拾取元件之光接收部分之位置，於鄰接間隔片間 ^ 形成分離凹槽，同時於晶圓上相鄰晶片間形成分離凹槽，在 間隔片部分將透明玻璃板黏接至晶圓，以於透明玻璃板與晶 圓間形成一間隙部分’其後’以化學機械硏磨法拋光該透明 玻璃板與晶圓直至達到分離凹槽以將透明玻璃板與晶圓分 離成個別的固態影像拾取元件。至於透明玻璃板之分離凹槽 之寬度，選取所需用以曝露形成於固態影像拾取元件之光接 收部分之外側之墊片表面之寬度’用以從外部實施佈線與相 類物，（例如，見日本專利申請公開案號碼2004-6834)。 1305377 • 然而，於日本專利申請公開案號碼2004-6 8 34所描述之 ' 技藝，在透明玻璃板與晶圓二者中形成分離凹槽之製程步驟 ' 爲必須的，且進而透明玻璃板與晶圓以化學機械拋光法拋光 以減低該厚度直至達到分離凹槽，因此會有造成分離之所花 之時間長之問題。 【發明內容】 爲解決此等問題，硏磨與切割透明玻璃板之方法使得一 磨石之最低點在該墊片之一頂端部分通過形成於晶圓與透 • 明玻離板間之一間隙部分，.其係使用具有需要寬度之一碟形 磨石（切塊刀片）用以曝露晶圓之一墊片表面，其係藉由，例 如，一切塊裝置或類同裝置，爲可想到的。 然而，於使用此等磨石用以硏磨與切割之方法情形中， 當形成於晶圓與透明玻璃板間之間隙部分高度爲極小到，例 如，約1 ΟΟμίΏ，當發生於透明玻璃板1 2之硏磨與切割中之 一玻璃破片12Α被排出如第10Α圖中所示，且第10Β圖顯 示第1 〇 Α圖之Α至A ’切面與一部分放大視圖，其會卡於磨 • 石5 2與晶圓1 1間之一空間、激起與極度地被拖曳，由此引 起損害該晶圓1 1之一嚴重問題。 本發明有鑒於以上情形被製成，且其目的爲提供一種硏 磨多層體之方法，其可避免基板受到因發生於硏磨與切割中 平面物質之破片的損傷，於硏磨與切割一多層體之平面物質 中，該多層體係由彼此相連具有極窄之間隙部分之基板與平 面物質所建構，例如，一固態影像拾取元件。 又’本發明亦有一目的爲提供一種硏磨固態影像拾取元 1305377
颺 I # 件群，其能避免於硏磨與切割期間因透明玻璃板之一破片對 晶圓造成損害’於硏磨與切割由晶圓構成之固態影像拾取元 件群之透明玻璃板中’固態影像拾取元件與透明玻璃板以具 有一非常窄的間隙部分被彼此接合，及以高產出製造固態影 像拾取元件之方法。 爲達以上所述目的，本發明之第一觀點爲一種硏磨多層 體之方法用以硏磨與以一磨石用於多層體將一平面物質切 成一間隙部分’其中該平面物質與一基板經由形成於平面物 # 質上之一突出部分或——間隔片被接合一起，且一間隙部分被 設置於前述基板與前述平面物質間，其特徵爲包括以預先將 一保護材料配置於前述間隙部分形成該前述基板之一保護 層。 依據第一觀點該基板之保護層於平面物質被硏磨與切 割前預先被形成於間隙部分中，且因此，該基板不會被破片 所損傷，其係發生於甚至具有極窄的間隙部分之平面物質的 硏磨與切割中。 # 本發明之第二觀點爲，第一觀點中，其中該前述保護層 藉將一流體材料塡入該間隙部分而形成。依據第二觀點，流 體材料被塡入於間隙部分，且因此，甚至是具有極窄的間隙 部分，該保護層可被輕易地完成。 本發明之第三觀點爲，於第二觀點中’其中該前述流體 材料於減壓環境下被塡入前述間隙部分。依據第二觀點’該 流體材料於該減壓環境下被塡入間隙部分’且因此，甚至具 有極窄間隙部分，流體材料可被輕易·地塡入。 1305377 本發明之第四觀點爲，於第二或第三觀點中，其中於前 述硏磨前，塡充於前述間隙部分中之該前述流體材料被冷卻 與固化。依據第四觀點，流體材料於硏磨前被冷卻與固化’ 及因此，其作爲有利的保護層，且該基板不會受到平面物質 之硏磨與切割中所發生破片之損傷。 本發明之第五觀點，於第四觀點中，前述硏磨是於前述 流體材料之融點溫度或以下之環境下實施。依據第五觀點 硏磨於流體材料之融點溫度或以下之環境下實施，及因此’ • 該固化流體材料於保持該固化狀態被硏磨，因此有利地維持 作爲保護層之機能。 本發明之第六觀點爲，於第五觀點中，該前述硏磨藉將 該前述多層體置於一具有冷卻功能之臺上被執行。依據第六 觀點，該多層體所置放之臺具有冷卻功能，且因此，硏磨可 於溫度環境維持在該流體材料之融點或以下時被實施。 本發明之第七觀點爲，於第五觀點或第六觀點中，其中 於前述該硏磨中，一混有抗結冰液之硏磨液被使用。依據第 ® 七觀點，抗結冰液被混於硏磨液中，且因此，硏磨液於低溫 環境下不會凝固，因此使它能執行較佳的硏磨。 本發明之第八觀點爲，於第二觀點或第三觀點中，其中 前述該硏磨於一狀態中被執行，其中該前述多層體被浸入於 該前述流體材料中。依據第八觀點，硏磨於一狀態中被執 行，其中多層體被覆埋於流體材料中，及因此，該流體材料 於硏磨中不會流出該間隙部分，因此使它能維持作爲保護層 之功能。 ⑧ 1305377 • 本發明之第九觀點爲’於第~觀點中，其中於該前述平 面物質被接合至該前述基板前，該前述保護材料被覆鍍至一 側上該前述平面物質之一表面上，該側爲前述間隙部分被形 成處。依據第九觀點，保護材料先被覆鍍至一側之該平面物 質之表面上，於該側該間隙部分於該平面物質被接合至該基 板前被形成’及因此，甚至具有極窄的間隙部分該保護層 可被輕易地形成。 此外’爲達上述目的’一種依據本發明第十觀點製造固 • 態影像拾取元件方法，包括步驟：於一晶圓之表面上形成一 些固態影像拾取元件，形成預定厚度之框架形間隔片，其形 狀爲圍繞該個別固態影像拾取元件，在對應一透明平板之下 表面上該前述固態影像拾取元件之點，該透明平板被接合至 該前述晶圓，於前述透明平板之下表面上之前述間隔片間形 成具預定深度之凹槽，定位該前述晶圓與該前述透明平板且 經由該前述間隔片接合它們，對該前述透明平板實施硏磨且 切割該透明平板以對應個別固態影像拾取元件。 • 依據第十觀點，包含於前述透明平板之下表面上之前述 間隔片間形成具預定深度之凹槽之步驟，磨石與晶圓表面間 之間隙於硏磨與切割該透明平板時被充分得到。因此因硏磨 所生之透明平板之破片輕易地被排出，且破片對晶圓表面造 成之損害得以免除。 本發明之第十一觀點爲，於第十觀點中，其中切割該前 述透明平板之該前述步驟中，該透明平板以一碟形磨石硏磨 與切割，該磨石具有較該前述透明平板之凹槽的寬度爲大的 -1 0 - ⑧ 1305377 * _ t ♦ 厚度。 依據第^ 觀點’該硏磨與切割凹槽之寬度爲較大於該 凹槽寬度，該凹槽爲先前形成於該透明平板上，及因此，該 碟形磨石之軸承部分被形成於透明平板中。因此使該透明平 板之一大的破片難以發生，因此’免除對晶圓表面之損害。 本發明之第十一觀點，於第十觀點或—觀點中，其中 切割前述透明平板之前述步驟中包含形成前述晶圓之一保 護層之步驟，其係藉塡充一流體材料於一間隙部分中，該間 Φ 隙包括前述透明平板之凹槽與凹槽底下前述間隔片間之一 空間。 依據第十二觀點，晶圓之保護層藉塡充流體材料於該透 明平板之硏磨與切割部份下之間隙部分被形成，及因此，防 止由硏磨產生之透明平板破片對晶圓表面之損害。 如上所述，依據本發明硏磨多層體之方法於硏磨及切割 多層體之平面物質中，其中平面物質與基板以所提供之間隙 覆層’硏磨與切割於該基板之保護層被事先形成於間隙部份 ® 後被執行，及因此，甚至具有極窄間隙部分，該基板不會被 該平面物質硏磨與切割中所生之破片所損壞。 此外，依據本發明製造固態影像拾取元件之方法，硏磨 與切割由固態影像拾取元件所構成之固態影像拾取元件群 之透明玻璃板中，晶圓與透明玻璃板以極窄間隙部分連接其 間，間隙部分之高度因形成凹槽於透明玻璃板之硏磨與切割 部分中而增加，因此，於硏磨與切割中所生之透明玻璃板破 片輕易地被排出，因破片對晶圓之損害可被避免，及得到高 -1 1 - ⑧ • 1305377 < ' '產出之製造固態影像拾取元件方法。 【實施方式】 以下，依據本發明硏磨一多層體方法之一較佳實施例與 製造一固態影像拾取元件方法將參考附圖被詳細描述’注意 每一圖示之相同構件被賦予相同參考編號與字母。 首先，硏磨多層體之方法之實施例將被描述，於此實施 例中，對一 c S P型式之固態影像拾取元件之製造過程之應用 例子將被描述。 Φ 於該說明前，C S P型式之固態影像拾取元件之製造過程 大綱，其係使用於本發明之硏磨方法將予以描述。第1A至 1D圖爲說明性圖示，顯示CSP型式之固態影像拾取元件之 製造過程。如第1 B圖所示，許多固態影像拾取元件1 1 A被 形成於一半導體基板（晶圓）1 1上（對應本發明之基板）。 一通常半導體元件製造過程被施加於固態影像拾取元 件1 1 A之製造，且固態影像拾取元件1 1 A具有結構其中由 光二極體所構成之微小元件，光二極體爲形成於晶圓1 1上 ® 之光接收元件，一轉移電極其轉移激發電壓至一外部，一具 有開口之光遮膜’一中間層絕緣膜，一形成於中間層絕緣膜 之頂部上之一內透鏡，經由一中間層設置於該內透鏡頂部之 彩色濾光透鏡，與經由一中間層與相類物被設置於該彩色濾 光透鏡之頂部之一微透鏡片以平面陣列型式被設置。 因爲’固態影像拾取元件1 1 A如以上所述被建構，從外 部之入射光以該微透鏡與內透鏡被收集，且發射至光二極 體’使得有效的孔徑比（aperture ratio)被提升。 .1305377 ’此外’墊片11B，1 1B用以實施佈線至外部被形成於固 態影像拾取元件u A之外部，如第1 B圖所示。 顯示於第1A至1D圖之製程顯示黏貼—透明玻璃板12 至晶圓1 1上之製程（對應—平板形物體），該前述之固態影 像拾取元件1 1 A被形成以密封固態影像拾取元件U A之光 接收零件，且接著將晶圓11切割成個別的固態影像拾取元 件21。 首先，如第1 A圖所示，由矽構成之間隔片1 3被形成於 # 透明玻璃板1 2上。間隔片1 3之形成以覆鍍一黏著劑1 3 A至 該透明玻璃板1 2 ’其中一矽板被黏結。其次一需要形狀之間 隔片1 3藉使用光蝕刻與乾蝕刻技術被形成且最後一黏著劑 1 3 B被轉移至僅一間隔片1 3部分。 其次，如上所述在全部表面上設有間隔片1 3之透明玻 璃板1 2經由間隔片1 3被黏接至晶圓1 1。藉此’如第1B圖 所示，一多層體2 0其中具有一結構之一些固態影像拾取元 件2 1，其中在晶圓程度製造下固態影像拾取元件1 1 A之光 ® 接收部分被密封於晶圓1 1與透明玻璃板1 2間，具有—間隙 部分〗4被形成。 其次，僅多層體20之透明玻璃板1 2被硏磨與切割’其 係以一磨石約0.6至1.2mm厚切成間隙部分14以分割透明 玻璃板12與曝露晶圓11上墊片11B, 11B(第1C圖其次 晶圓1 1之墊片1 1 B與墊片1 1 B間之每一部分以磨石被硏磨 與切割以將多層體20分割成個別固態影像拾取元件21(第 1 D 圖）。 -13- ⑧ 1305377 因爲單晶矽晶圓通常被用作爲晶圓1丨，且間隔片〗3之 材料被需求爲一材料類似晶圓1 1與透明玻璃板1 2之物理特 性如熱膨脹係數與相類物，間隔片1 3之材料較佳爲多晶矽。 於第1 C圖所示之透明玻璃板1 2之硏磨與切割製程中， 介於晶圓1 1與透明玻璃板1 2間之間隙部分1 4之一間隙約 爲100 μιη且由於固態影像拾取元件21A之薄化而爲極窄， 及因此’如前述第1 〇 Α與1 0Β圖所示，於透明玻璃板1 2之 硏磨與切割製程中所發生之玻璃破片1 2A被卡於磨石52與 ® 晶圓1 1間之間隙’激起或拖曳而損壞晶圓1 1。因此，本發 明之硏磨方法較佳地使用於透明玻璃板1 2之硏磨與切割製 程中。 第2與3A與3B圖爲示意圖說明本發明，在第2與3A 與3B圖，多層體20爲於晶圓程度真正被製造，但於圖示中， 僅被硏磨之一部分爲簡明緣故被例示，相同之情況亦應用於 以下或第4圖。 於本發明中，保護晶圓1 1之保護層1 5之一流體材料（包 鲁 含凝膠材料）被塡入多層體2 0之間隙部分1 4。爲此目的，多 層體20被浸入於充滿保護層15之流體材料之盤81A中，其 被保存於一真空室81’該真空室以一真空泵82被減解一預 定時間。藉此’空氣在多層體2〇之間隙部分1 4被排出且保 護層1 5之流體材料輕易地塡入間隙部分1 4。 其次’如第3A與3B圖所示多層體20被固定於—切 塊（dicing)裝置之晶圓臺51上，且切塊刀片52(磨石）之刀片 最下端被設於一位置，其中它係稍微地進入間隙部分1 4以 ⑧ -14- .1305377 •硏磨與切割透明玻璃板1 2。此時’雖然一玻璃破片1 2 A發 生於透明玻璃板1 2之硏磨與切割中，晶圓1 1因爲保護層1 5 存於間隙部分1 4中而不會被損壞。 第3A圖顯示垂直硏磨與切割方向之—斷面圖，且第3B 圖顯示第3A圖中沿A至A’取出之斷面圖。 其次，晶圓11部分以另一薄切塊刀片完全切割，且最 後，一潔淨流體以一旋轉清潔器被注入以移除保護層1 5。應 注意者，多層體20以一切塊薄片硏磨與切割，該切塊薄片 # 未顯示及在晶圓1 1之背面。因此’雖然多層體2〇被分割成 個別固態影像拾取元件2 1，其並未掉落成碎片。 其次，例如，保護層15由於切塊刀片52之旋轉力免於 被耗盡，硏磨液與相類物之注入，且有效地作用爲晶圓11 之保護層，當硏磨與切割對多層體2 0執行時，該硏磨體係 被建構成具有透明玻璃板12之厚度H1尺寸= 5 00 μηι，間隔 片13之厚度Η2 = 100μιη，具有切塊刀片52之切割深度從透 明玻璃板12之頂面爲530μιη (即是，介於切塊刀片52之刀 • 片之最低端與晶圓頂面之餘隙爲70μπ〇將被描述。 如以下範例之通常事物，真空室81之真空程度當保護 層1 5之流體材料被充滿於間隙部分1 4時爲約5至80kPa ’ 且至於切塊刀片5 2，金屬黏接刀片其係以黏接晶粒大小8 至4 0 μ m之鑽石硏磨晶粒與鎳，且約1 0 0 m m直徑與1 . 0 m m 厚被使用，旋轉頻率被設成約4000至6000rpm ’晶圓臺51 之進給速度被設成約〇·2至1 .〇mm/sec。 至於切塊刀片5 2，一樹脂黏結刀片係黏結鑽石硏磨晶粒 -15- • 1305377 . * ' 與酚樹脂或相類物製造在該硏磨晶粒之自生作用中更活躍 且切割性能上更佳。然而，該樹脂黏結刀片磨耗快速，且確 保切割涂度，它需要經常調整高度。因此，樹脂黏結刀片被 使用於範例中。 (範例1) 多層體2 0被浸入於流體材料中其係作爲保護層I 5，且 該流體材料藉使用真空室8 1塡滿間隙部分1 4，所使用的流 體材料爲含有明膠（gelatin)或瓊脂（agar)之溶液，且該材 #料’甚至一旦它在低溫被冷卻與固化當它回復至常溫環境時 爲難以流體化被使用。 於流體材料被塡入間隙部分1 4後，多層體2 0被冷卻於 冰箱中（約攝氏4至8度）且流體材料被固化成布丁形式且 形成保護層1 5。 其次’多層體20被置於切塊裝置，透明玻璃板1 2於室 溫環境下被硏磨與切割，且墊片11 B與11B被曝露，當多 層體2 0經加工後使用設於切塊裝置中之觀測光學系統被觀 ^ 測於監視器螢幕上’對由於玻璃破片1 2 A晶圓1 1表面上之 缺陷’一缺陷其係大且夠深以打斷電路佈線未被發現，與至 於缺陷尺寸1 〇 μ m或更小之缺陷數目，可發現每晶片約1 〇 個缺陷，其仍在可允許範圍內。 (範例2) 多層體20被浸入於流體材料中，其係作爲保護層〗5且 該流體材料藉使用真空室81塡滿間隙部分1 4所使用的流 體材料爲水或油。於加工中，切塊裝置之晶圓臺51之周圍 -1 6 - ⑧ 1305377 水或油充滿於堰（weir)內部，且多層體20被浸入與固定其中 接著當它在室溫以下環境被浸入於水或油中，透明玻璃板i 2 被硏磨與切割，且墊片11B與11B被曝露。 當多層體20經加工後被觀測於監視器螢幕上，—缺陷 其係大且夠深以打斷電路佈線未被發現，至於晶圓1 1表面 上之缺陷，雖然一個或二個缺陷超過尺寸10 μιη存在，缺陷 數目在ΙΟμιη或以下爲每晶片約1〇個，其仍在可允許範圍內。 (範例3) i 當作爲保護層1 5之流體材料，砂油系統之聚合物溶液 其在1 〇°C凝固被使用，多層體20被浸入於溶液中，且流體 材料藉使用真空室81被塡入間隙部分I4,多層體20被儲存 於冰箱中（約〇至6°C )’於此狀態該溶液凝固與固化且形成 保護層。 多層體20藉使用具有冷卻功能如冷凍拋離臺（桌表面溫 度約〇至6°C )作爲切塊裝置之晶圓臺51，多層體20及其周 圍藉供應冷卻至約〇至6 °C之硏磨水被保持於此液體之融點 >或更低之狀態。 當多層體20經加工被觀測於監視器螢幕上，對晶圓1 ! 之表面上之缺陷，未發現超過尺寸ΙΟμιυ之缺陷，且至於缺 陷尺寸1 Ομηι或以下，每晶片僅有2至3個缺陷散置，其係 有利的。 至於充塡的流體材料，在室溫或以下固化之流體材料爲 較佳的，且當該材料在室溫低於零度以下被固化如使用水， 甚至在溫度零度以下結冰被避免，且液體狀態藉將非結冰溶 -17- •l3〇5377 t . 液之乙二醇混入硏磨水被保持。 (範例4) 不像前述之範例1至3 ’於此範例中’作爲保護層1 5 之流體材料先被覆鍍於作爲透明玻璃板]2之間隙部分1 4， 其係在間隔片形成於透明玻璃板1 2上前被黏結至晶圓1 1如 第4圖所示，而非在真空室81內塡充形成保護層15之流體 材料進入間隙部分1 4。 至於此情形之流體材料，一由矽組成之表面活化劑或由 ^ 該類材料（silitect)之表面保護介質，或一光阻被使用，且具 有高黏度之流體材料被採用，人工覆鍍可與採用，但爲均句 地覆鍍非常少量，使用配量器爲較佳的。 其後，透明玻璃板1 2被黏結至晶圓1 1，而被作成多層 體20，接著，多層體20被置於切塊裝置，透明玻璃板12 在室溫下被硏磨與切割，且墊片11B，11B被曝露。 當多層體20經加工後被觀測於監視器螢幕上，對於晶 圓1 1表面上之缺陷一缺陷其係大且夠深以打斷電路佈線未 ® 被發現，且每晶片缺陷尺寸1 〇 μ m或更小之缺陷數目爲1 〇 個或更少，其足以在可允許範圍內。 如上所述，依據本發明硏磨多層體之方法，進入間隙部 分14之塡充物作爲晶圓11表面之保護層15,且因此，因硏 磨與切割中由玻璃破片1 2 A對晶圓1 1表面之損害降低被達 成。 此外，塡充物存在於將加工之透明玻璃板1 2下，且藉 此，塡充物在硏磨時對透明玻璃板1 2同時執行作爲支持物 .1305377 . * ^ 之功能。因此’玻璃破片1 2 A出現本身被抑制，其導致減低 對晶圓表面Π之損害。 於本發明中’保護層1 5之材料其係被充塡於多層體2〇 之間隙部分中未限於前述範例1至4使用之材料，各種具有 類似物理特性之材料可被使用。 多層體20其中透明玻璃板（平面物質）1 2經由間隔片i 3 被接合至晶圓（基板）ll被描述，但本發明亦極有效地應用至 多層體2〇其中一突出部分藉蝕刻或相類物形成在透明玻璃 Φ 板（平面物質）1 2上，而非使用間隔片1 3且間隙部分1 4藉接 合透明玻璃板（平面物質）1 2至具有突出部分之晶圓（基 板）11，類似接合至多層體20其中間隔片13係介於其中。 其次，依據本發明製造固態影像拾取元件方法之一實施 例將被描述，第5 A至5E圖爲說明性觀點顯示一 CSP型式 固態影像拾取元件之製造過程，如第5 C圖所示，一些固態 影像拾取元件1 1 A被形成在半導體基板（晶圓）1 1上。 一通常半導體元件製造過程被使用於固態影像拾取元 ® 件1 1 A之製造，且固態影像拾取元件1 1 A具有結構其中由 一光二極體所建構之微小元件，一轉移電極其轉移激態電壓 至外部，具有一開口之一光屏障薄膜，一中間層薄膜，一彩 色濾光透鏡經由一中間層設置在內透鏡之頂部，一微透鏡其 經由一中間層與相類物被設置於彩色濾光透鏡之頂部係以 平面陣列形式被設置。 因爲固態影像拾取元件1 1 A如上述被構建，從外部之入 射光以微透鏡與內透鏡收集且發射至光二極體，使得有效孔 1305377 徑比提升。 此外，墊片1 1 B，1 1 B用以執行佈線至外部被形成於固 態影像拾取元件1 1 A外部如第5 C圖所示。 第5 A至5 E所示之製程槪要地顯示黏貼一玻璃透明板 12(對應一透明平板）至晶圓1 1，前述固態影像拾取元件1 1 A 被形成於上以密封固態影像拾取元件1 1 A之光接收部分，且 接著，將晶圓1 1與玻璃板1 2分割成個別固態影像拾取元件 21 ° • 首先，如第5 A圖所示，由矽組成之間隔片1 3每一個爲 包圍個別固態影像拾取元件1 1 A之框架形狀，且每一個具有 預定厚度被形成於透明玻離板1 2上。間隔片1 3之形成可藉 覆鍍一黏著劑I 3 A至透明玻璃板1 2被實施，其中一矽板被 黏貼。其次，每一間隔片1 3係在必須之形狀藉使用光微影 術與乾蝕刻技術被形成。 其次，如第5 B圖所示，一凹槽1 2B被形成於前述框架-形狀間隔片1 3之每一者與該間隔片1 3之每一者間。凹槽1 2B ® 之形成可藉硏磨被執行或可藉蝕刻被執行。其次，一黏著劑 1 3 B被傳送至間隔片1 3之每一終端表面部份。注意該凹槽 1 2B之形成於矽板被黏接至透明玻璃板1 2前可被執行。 其次’將如上所述設有間隔片1 3於整個表面上之透明 玻璃板1 2面對晶圓1 1，且藉此相對於晶圓丨丨定位被執行。 定位藉事先分別在晶圓1 1與透明玻璃板1 2設置對齊記號， 且藉賦加透明玻璃板1 2之對齊記號至晶圓1 1之對齊記號 上。 1305377 其次，相對於晶圓11定位之透明玻璃板12經由間隔片 1 3與黏著劑1 3 B被黏結至晶圓11。由此’如第5 C圖所示， 多層體20其中一些固態影像拾取元件21其每一個具有結 構，該結構具有介於晶圓1 1與透明玻璃板1 2間之間隙部分 1 4，其中固態影像拾取元件Π A之光接收部分被密封以晶圓 程度被形成而製造。 應注意者，一形成有凹槽1 2B之空間部分於固態影像拾 取元件1 1 A間形成一間隙部分1 4 A，其係較高於間隙部分 # 14凹槽12B程度。 其次，僅多層體20之透明玻璃板12藉以約0.6至1.2mm 厚度磨石切割成間隙部分1 4 A被硏磨與切割以分割透明玻 璃板12，且晶圓上墊片11B與11B被曝露（第5d圖）。 其次，在晶圓1 1之墊片1 1 B與1 1 B間之每一部分以另 一薄磨石硏磨與切割，且晶圓1 1被切割成個別影像拾取元 件21(第5E圖）。應注意者，多層體20以未顯示黏附在晶圓 11背面之切塊薄片硏磨與切割，因此，雖然多層體2〇被分 Φ 割成個別固態影像拾取元件2 1，它不會掉成碎片。 因爲單晶矽晶圓通常被使用爲晶圓u，間隔片1 3之材 料且爲多晶砂因爲間隔片1 3之材料需要爲材料類似於晶圓 1 1與透明玻璃板1 2之物理特性上如熱膨脹係數與相類物之 材料。 如第5D圖中所示之透明玻璃板1 2之硏磨與切割製程 中，晶圓11與透明玻璃板之間間隙部分14之高度爲約 ΙΟΟμιη且由於固態影像拾取元件21之薄化爲極窄，且因此，
-21- 1305377 當凹槽12B未形成於透明玻璃板中，發生於透明玻璃片硏磨 與切割中之玻璃破片1 2 A被卡於磨石5 2與晶圓1 1間之間隙 激起或拖曳且損害晶圓1 1側，如前述第1 〇 A與第1 0 B所說 明。 於本發明中’凹槽1 2B被形成於透明玻璃板1 2上，且 透明玻璃板1 2與晶圓1 1間之間隙部分1 4 A於硏磨與切割部 分中爲形成較大的，且因此，玻璃破片12A容易被排出及不 會損害晶圓1 1。 ® 其次，關於透明玻璃板1 2之硏磨與切割，其一例子將 參考第6A至6C圖被描述。首先，寬度900μηι之凹槽12B 及深度Ι2 = 300μιη先被形成於厚度IfSOOpm之透明玻璃板 1 2中，且透明玻璃板1 2經由厚度I3 = 1 00 μπι之間隔片1 3黏 貼於晶圓1 1上，由此多層體20其係一群固態影像拾取元件 21在晶圓程度下被形成。（第6Α圖） 多層體20被浸入且置放切塊裝置之晶圓臺51上，且設 於位置切塊刀片（磨石）5 2之刀片之最低點進入間隙部分 ® 5〇μηι且透明玻璃板12被硏磨與切割，由此墊片11Β與11Β 被曝露，注意，第6Β圖顯示垂直於硏磨與切割方向之部分， 且第6C圖顯示沿第6Β圖中線Α至Α’取出之部分。 切塊刀片52爲金屬黏結刀片其係以黏結晶粒尺寸8至 4〇μιη之鑽石硏磨晶粒與鎳’且具有直徑l〇0mm與厚度 1.0mm之金屬結合刀片被使用，旋轉頻率被設成約4000至 6〇0〇rpm，此外，晶圓臺51之進給速度被δ又成約〇.2至 1 . 〇mm/sec ° ⑧ -22 - 1305377 藉使用切塊刀片52硏磨與切割透明玻璃板1 2，該刀片 具有較形成於透明玻璃板1 2上之凹槽1 2 B之寬度（9 0 0 μ m) 爲大的厚度（1〇〇〇μπ〇，切塊刀片52之收納部分被形成於透 明玻璃板中，且收納硏磨阻抗，及因此大破片透明玻璃板1 2 於硏磨切割時幾乎不產生。 注意至於切塊刀片52,由黏結鑽石硏磨晶粒與酚樹脂或 相類物製成之樹脂結合刀片在該硏磨晶粒之自生作用中更 活躍且切割性能上更佳，然而，它磨耗快速，且爲確保切割 • 深度’它需要經常調整局度’且因此’金屬結合刀片被使用 於範例中。 當多層體20經加工後使用設於切塊裝置中之觀測光學 系統以監視器螢幕被觀察，一缺陷其係大且夠深以打斷電路 佈線未被發現，雖然對晶圓11表面上之缺陷於每一晶片中 散置有一個或二個超過尺寸ΙΟμιη之缺陷，每一晶片缺陷尺 寸ΙΟμηι或更小之數目約20至30個，其仍在可允許範圍內。 其次，本發明固態影像拾取元件之製造方法之另一實施 ® 例將參考第7與8Α, 8Β圖予以描述。於此實施例中，在晶 圓1 1之表面形成一保護層於間隙部分中之製程被加至前述 實施例。應注意者，第7圖中之多層體5 2 0以晶圓程度被確 實製造，但於圖示中爲簡明故，僅一硏磨部分被說明。 首先，如第7圖所示，用以保護晶圓1 1之保護層1 5之 流體材料（含有膠狀材料）被塡入多層體20之間隙部分 1 4A，其中凹槽1 2Β被形成於透明玻璃板1 2中，爲此目的， 多層體2 0被置於充滿保護層1 5之流體材料之盤8 1 A中，其 1305377 •被保持於真空室8 1內部以真空泵82減壓一預定時間。結 果，在多層體20之間隙部分1 4A內部之空氣被排出，且保 護層之流體材料輕易被塡入間隙部分I 4 A。 其次，如第8A與8B圖所示，多層體20被固定於一切 塊裝置之晶圓臺51上，且設於一位置係切塊刀片（磨石）52 之刀片最下端稍微地進入間隙部分1 4 A以硏磨與切割透明 玻璃板1 2。雖然，該玻璃破片1 2 A發生於進行透明玻璃板 1 2之硏磨與切割時，晶圓1 1因爲間隙部分1 4 A之間隙爲大 # 的且保護層1 5存於間隙部分1 4 A中而未被損壞。 第8A圖顯示垂直硏磨與切割方向之一剖面圖，且第8B 圖顯示第8A圖中沿A至A’取出之剖面圖。 其次，晶圓11部分以另一薄切塊刀片完全切割，且最 後，該保護層1 5以旋轉清潔器注入潔淨流體被移除。 其次，於此另一實施例之透明玻璃板1 2之硏磨與切割 具體例子將被描述。多層體20被浸入於作爲保護層1 5之流 體材料中’且流體材料藉使用真空室8 1被塡入間隙部分 鲁 14A。使用的流體材料爲水或油，真空室81之真空程度在充 塡時設定約5至80kPa。 切塊刀片52爲金屬黏結刀片其係以結合晶粒大小8至 4 Ομιη之鑽石硏磨晶粒與鎳，且金屬黏結刀片具有直徑 10 0mm與厚度1.0mm被使用。金屬黏結刀片之旋轉頻率被 設定約4000至6000rpm。晶圓臺5 1之進給速度被設定約0.2 至 l.Omm/sec ° 於加工中’切塊裝置之晶圓臺51之周圍被圍繞有堰與 ⑧ -24- 1305377 » · 水或油。多層體20被浸入與固定其中，且當它在室溫以下 環境被保持浸入，透明玻璃板1 2被硏磨與切割，由此墊片 ' 1 1 B與1 1 B被曝露。 當多層體20經加工後被觀測於監視器螢幕上，對於晶 圓1 1表面上之缺陷，一缺陷其係大且夠深以打斷電路佈線 未被發現，且每晶片缺陷尺寸1 Ομηι或更小之數目爲1 0個或 更少，其係在可允許範圍內。 應予注意者，於溫度在室溫或以下被固化之流體材料可 φ 被塡入多層體20之間隙部分中，於此狀態多層體20可被儲 存於冰箱中，且流體材料可被固化以形成保護層1 5。透明玻 璃板1 2於此狀態被硏磨與切割，於此情形，硏磨水被使用 以降低硏磨水之溫度至該塡充與固化材料之熔點或以下。 例如，當矽油系統之聚合物溶液其在1 0°C凝固被使用爲 在室溫或以下被固化之流體材料，溶液被塡入多層體20之 間隙部分14A’其後，多層體20被儲存於冰箱中（約0至6°C ) 以凝固與固化該溶液。於此狀態，多層體2 0藉使用具有冷 # 卻功能如冷凍拋離臺（桌表面溫度約0至6 °C )作爲切塊裝置 之晶圓臺5 1。 此外，多層體20及在其周圍之溶液藉供應冷卻至約〇 至6°C之硏磨水被保持於此溶液之融點或更低之狀態，且透 明玻璃板1 2於此狀態被硏磨與切割。 應注意者’當在溫度低於零度被固化之流體材料如水被 用作爲將塡充之流體材料，甚至在溫度零度以下結冰被避 免’且液體狀態藉將抗結冰溶液之乙二醇混入硏磨水被保 ⑧ -25 - 1305377
I 持。 此外，當作爲保護層1 5之流體材料，一材料其係含有 明膠、瓊脂或相類物之溶液，且甚至一旦它在低溫被冷卻與 固化當它回復至常溫環境時爲難以流體化，被使用爲作爲保 護層1 5之流體材料’且流體材料被塡入間隙部分丨4A後， 多層體2 0於冰箱中（約4至8 °C )被冷卻，由此流體材料被固 化成布丁形式且保護層1 5可被形成。 於任何情形中，流體材料被塡入間隙部分1 4 A以形成保 Φ 護層1 5 ’此外間隙部分1 4 A之高度因凹槽1 2 B而增加，且 因此’雖然玻璃破片12A發生於透明玻璃板12之硏磨與切 割中，它是輕易地被排出，因此抑制對晶圓1 1之損害。 此外’於透明玻璃板1 2之硏磨與切割中，當超音波振 動被加至一硏磨液，其係從一硏磨液噴嘴5 5以一超音波振 動器供應時如第9圖所示，硏磨與切割被執行，由此該振動 被傳送至玻璃破片1 2 A本身，且玻璃破片1 2 A平順地被排 出，因此，因玻璃破片1 2 A所致之晶圓表面損害進而被免除。 I 此情形之一範例爲：當振憑器，例如，型號：由M e g a s ο n i c 系統公司所製造之MSG-331或相類物被使用，且振盪器56 之振盪頻率宜爲約1.5至3.0MHz且超音波功率宜爲1〇至 40W。 此外，於即時從硏磨液噴嘴排出前，超音波能爲最有效 地添加至該硏磨液，且因此，它是適於將硏磨液噴嘴5 5之 超音波振動器與超音波振動器儘可能倂入靠近噴嘴尖端之 一部分。 ⑧ -26 - .1305377 (產業應用性） 如上所述，依據本發明固態影像拾取元件之製造方法， 於硏磨與切割由固態影像拾取元件與透明玻璃板所構建之 固態影像拾取元件群之透明玻璃板中，其中固態影像拾取元 件與透明玻璃板係以約1 00 μπι極窄間隙部分連接，該硏磨與 切割區域之間隙部分之高度因先前在透明玻璃板中形成凹 槽而增加，且因此，因硏磨與切割中透明玻璃板之破片對晶 圓之損害可被避免，使其能獲得提升產出之固態影像拾取元 • 件之製造方法。 【圖式簡單說明】 第1 Α至1 D圖爲顯示一固態影像拾取元件之組裝製程 之說明圖示，該元件爲依據本發明硏磨一多層體方法之一應 用標的例示。 第2圖爲一保護膜形成步驟之一示意圖，說明依據本發 明硏磨一多層體方法之一實施例。 第3A與3B圖爲硏磨與切割製程步驟之一示意圖’說明 • 依據本發明硏磨一多層體方法之一實施例。 第4圖爲保護膜形成製程步驟之一示意圖，說明依據本 發明硏磨一多層體方法之一實施例。 第5 A至5 E圖爲顯示一組裝製程之一示意圖，說明依據 本發明硏磨一多層體方法之一實施例。 第6A至6C圖爲硏磨與切割製程步驟之一示意圖，說明 依據本發明硏磨一多層體方法之一實施例。 第7圖爲保護膜形成製程之一示意圖，說明依據本發明 ⑧ -27 - 1305377 製造固態影像拾取元件方法之另一實施例。 第8A至8B圖爲硏磨切割製程步驟之一示意圖，說明依 據本發明製造固態影像拾取元件方法之另一實施例。 第9圖爲一示意圖說明以超音波振動加至一硏磨液之硏 磨與切割。 第1 0A與1 0B圖爲示意圖說明習知硏磨與切割。 【主要元件符號說明】
11 晶 圓 1 1 A 固 態 影 像 拾 取 元 件 1 1 B 墊 片 13 透 明 玻 璃 板 1 2 A 玻 璃 破 片 1 2B 凹 槽 13 間 隔 片 13A, 1 3B 黏 著 劑 14, 14A 間 隙 部 分 15 保 護 層 20 多 層 體 2 1 固 態 影 像 拾 取 元 件 5 1 晶 圓 臺 52 切 塊 刀 片 55 硏 磨 液 噴 嘴 56 振 盪 器 81, 82 真 空 室 8 1 A 盤 -28 -

Claims (1)

1305377 * > T/年丨月ίΓΕ]修(Μ正本 第94 1 33634號「硏磨多層體的方法及製造固態影像拾取 裝置的方法」專利申請案 (200δ年)_1月15旧修正） 十、申請專利範圍： 1 ·—種硏磨多層體的方法，係以多層體使用一磨石切入 一間隙部分來硏磨與切割一平面物質，其中該平面物 質與一基板經由形成在該平面物質上之—突出部或 —間隔片被接在一起，且一間隙部分設置於該基板與 該平面物質間，包栝一步驟： 藉由預先在該間隙部分配置一保護材料，以形成 該基板之一保護層，並且硏磨與切割該平面物質， 在只有透明平板的平面物質被加工之情況下，在 加工後除去作用成保護材料的充塡物。 2 ·如申請專利範圍第1項之硏磨多層體的方法，其中該 保護層藉由將一流體材料塡入該間隙部分而形成。 3. 如申請專利範圍第2項之硏磨多層體的方法，其中將 該流體材料於一減低壓力環境下塡入該間隙部分。 4. 如申請專利範圍第2或3項之硏磨多層體的方法，其 中於該硏磨前，將該塡入該間隙部分之該流體材料冷 卻與固化。 5 ·如申請專利範圍第4項之硏磨多層體的方法，其中該 硏磨係在該流體材料之融點溫度或以下之環境執行。 6.如申請專利範圍第5項之硏磨多層體的方法，其中該 硏磨爲藉由將該多層體置於具有冷卻功能之臺座上 1305377 - 執行。 . 7.如申請專利範圍第5項之硏磨多層體的方法，其中於 該硏磨中，使用混有抗結冰液之硏磨液。 8. 如申請專利範圍第6項之硏磨多層體的方法，其中於 該硏磨中，使用混有抗結冰液之硏磨液。 9. 如申請專利範圍第2或3項之硏磨多層體的方法，其 中該硏磨於該多層體被浸於該流體材料中之狀態下 φ 被執行。 1 0.如申請專利範圍第1項之硏磨多層體的方法，其中 於該平面物質被接合至該基板前，在形成該間隙部分 之一側上’將該保護材料覆鑛至該平面物質之表面 上。 1 1.一種製造固態影像拾取裝置之方法，包括步驟： 在一晶圓表面上形成複數固態影像拾取元件； 在接合至該晶圓之一透明平板之下表面上，對應該 • 固態影像拾取元件之點上’以包圍個別固態影像拾取 元件之形狀形成預定厚度之框形間隔片； 在該透明平板之下表面上，於各該間隔片之間預形 成具有預定深度之凹槽； 定位該晶圓與該透明平板，且經由該等間隔片接合 它們； 對該透明平板以磨石執行硏磨且將該透明平板分 割以對應該固態影像拾取元件當分割該透明平板 時’該_石之最低點係設定在凹槽的範圍內；以及 1305377 分割該晶圓以對應該個別的固態影像拾取元件° 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之製造固態影像拾取裝置之 方法，其中在分割該透明平板之該步驟中，以具有較 該透明平板之凹槽的寬度尺寸爲大的厚度尺寸的碟 形磨石，來硏磨切割該透明平板。 1 3 .如申請專利範圍第1 1或1 2項之製造固態影像拾.取 之方法’其中分割該透明平板之該步驟，包含藉 塡入一流體材料於一間隙部分內而形成該晶圓之一 保層之步驟’該間隙部分包括該透明平板之凹槽與 在凹槽下該等間隔片間之空間。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194469A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US20070236591A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Tam Samuel W Method for mounting protective covers over image capture devices and devices manufactured thereby
JP4490406B2 (ja) 2006-10-11 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP5080804B2 (ja) * 2006-12-28 2012-11-21 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
US8456560B2 (en) 2007-01-26 2013-06-04 Digitaloptics Corporation Wafer level camera module and method of manufacture
JP5091066B2 (ja) * 2008-09-11 2012-12-05 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
US9419032B2 (en) 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
JP5775707B2 (ja) * 2011-03-01 2015-09-09 オリンパス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR20160032221A (ko) * 2013-07-18 2016-03-23 코닌클리케 필립스 엔.브이. 발광 디바이스들의 웨이퍼의 다이싱
KR102185061B1 (ko) 2015-08-27 2020-12-01 삼성전기주식회사 이미지 센서 조립체와 그 제조 방법, 및 카메라 모듈
CN110126107B (zh) * 2018-02-09 2024-02-23 天通日进精密技术有限公司 硅棒转换装置、硅棒开方设备及硅棒开方方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4882008A (en) * 1988-07-08 1989-11-21 Texas Instruments Incorporated Dry development of photoresist
US5632667A (en) * 1995-06-29 1997-05-27 Delco Electronics Corporation No coat backside wafer grinding process
US6245595B1 (en) * 1999-07-22 2001-06-12 National Semiconductor Corporation Techniques for wafer level molding of underfill encapsulant
IL133453A0 (en) * 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US7022546B2 (en) * 2000-12-05 2006-04-04 Analog Devices, Inc. Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
JP4846910B2 (ja) 2001-02-06 2011-12-28 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP2003007652A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体チップの製造方法
US7074638B2 (en) * 2002-04-22 2006-07-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
JP4241160B2 (ja) * 2002-04-22 2009-03-18 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
EP1369929B1 (en) * 2002-05-27 2016-08-03 STMicroelectronics Srl A process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process
US7008803B2 (en) * 2002-10-24 2006-03-07 International Business Machines Corporation Method of reworking structures incorporating low-k dielectric materials
US20040161871A1 (en) * 2002-11-27 2004-08-19 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment
JP3827310B2 (ja) 2003-02-13 2006-09-27 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法

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