TWI301565B - Lithographic apparatus and lithographic product produced thereby - Google Patents

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1301565 九、發明說明： [相關申請案之交叉參考] 本申請案係2〇〇5年4月8曰提出申請之第^"01631號美 國申請案之部分接續申請案。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種多級微影裝置及一種用於使用該多級 微影裝置製造一器件之方法。 【先前技術】 微影裝置係一種可將一合意圖案施加至一基板上（通常 施加至該基板之一目標部分上）之機器。微影裝置可用於（例 如）積體電路（1C)之製造中。在彼情形下，可使用一亦可稱 作光罩（mask)或主光罩（reticle)之圖案化器件來產生一欲 形成於該1C之一個別層上之電路圖案。此圖案可轉移至一 基板（例如一矽晶圓）上之一目標部分（例如，包含一或數個 晶粒之部分）上。圖案之轉移通常藉由成像至設置於基板上 之輻射感應材料（抗蝕劑）來達成。一般而言，一單個基板將 包合一由相鄰可依次圖案化之目標部分構成之網絡。習知 之微影褒置包括：所謂步進機，其中藉由一次性將整個圖 光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂掃描 機，复Φ盆丄 . ”安_曰 輻射光束沿一既定方向（「掃描」方向）掃描 =木且同時沿平行或反平行於該方向同步掃描基板來照射 母一目標部分。亦可藉由將圖案印刻至基板上來將圖案自 圖案化器件轉移至基板上。 。 在改良當前微影裝置中存在一正進行之發展。由此，一 111376.doc 1301565 態樣係增加產量（產量係與一微參 做〜裝置在某一時間内可處 理基板量相關）。例如，雙級微影桊 做〜表置通常具有一比單級裝 罝大之產量，此乃因可在一声吾^ 仕度里站内1測一第—基板級上 之基板而同時根據先前在該度量站 又里粘内所罝測之資料在一曝 光站内曝光一第二基板級上之另一其 乃基板。另一態樣係改良 试影裝置之能力以便將具有較小結構（但具有—既定品質） 之圖案轉移至基板上。例如，與非浸沒微職置相比（參見 實例EP 1486827，其以引用的方式倂

八倂入本文中），一浸沒微 影裝置能夠轉移具有較小結構之圖案。 US 5,969,441 (其以引用的方式倂入本文中)中闡述了一 種雙級《彡裝置’該雙級微f彡裝£設£❹则於基板級 (基板夾具11、13)之「H-驅動器」（參見圖4、5之實例：相 應之X-致動器105及107連接至相應組之對置孓致動器 109、111及113、115)。所述之雙級提供一相對高產量但其 一缺點係该專基板級需要一「級交換（stage_SWap)」（根據圖 4與圖5之間的躍遷，其中基板夾具丨丨與單元25分離而耦接 至單元27且其中基板夾具13與單元27分離而耦接至單元 25)以便在該度量站與該曝光站（行16，線47-52)之間移動時 相互穿過。該裝置具有該級交換耗費時間之缺點，因此提 供一減小之產量。 US 6,341，007 (其以引用的方式併入本文中）（特定而言， 參見圖2、3、4)中闡述了一種雙級微影裝置，該雙級微影 裝置設置有一個位於兩個度量站之間的曝光站。在該曝光 站内曝光之前，在該度量站内交替量測該批次内之基板。 111376.doc 1301565 在該等度量站盘琴奚 /、μ +先站之間移動時該等級不能相互穿過 多見圖3)此微影裝置之_缺點係其需要兩個度量站。因 :在提ί、雙基板輸送路徑之需要。該額外度量站 ^亥額外輸运路技提供_昂貴之微影裝置。此外，該系統 置佔用卫薇内相當多（地面）空間（大佔用®積）。一進一步 缺點係此概念提供具有一後勤性質之問題。此外，該微影 $置不適於α α微影應用以致其不能將相對小結構投影於 基板上。 【發明内容】 -。之b开^/係，至少部分地減輕所述缺點中之一者。特 定而言，本發明之一態樣係提供一種具有相對高產量及將 具有相對小結構之圖案轉移至基板上之能力的微影裝置。 為滿足該期望，本發明提出一種微影裝置，其包括： 一支撐件，其經構造以支撐一圖案化器件，該圖案化器 件能夠在一輻射光束截面上賦予一圖案以形成一經圖案化 之幸S射光束； 一 1測系統，其用於量測該裝置之一度量站内之基板特 徵； 一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影於 該裝置之一曝光站内之一基板上； 一液體限制系統，其用於將液體限制於該投影系統之一 最終元件與該基板之間； 疋位糸統及至少兩個經構造以固持基板之基板級，其 中該定位系統經構造用於使該等級在該度量站與該曝光站 H1376.doc 1301565 ^且其中该定位系統經構造用於根據至少一個彼 二反所量測之特徵將曝光期間固持—基板的該等級中之一 者定位於該曝光站内；

中該等級μ構造並被佈置成相互協作以實施—聯合掃 制：t Γ便將該微影裝置自一第-情形(其中該液體被限 之間一由t該等級之第—級㈣持之第—基板與該最終元件 至第一情形（其中該液體被限制於一由該等兩 固級：第二級所固持之第二基板與該最終元件之間)，以便 么：％ 口掃描移動期間將該液體實質上限制於相對於該最 件之工間μ。與其中使用—單獨封閉盤將液體限制於 /第it形與该第二情形之間轉換的習用浸沒微影裝置 相比，該聯合掃描移動提供一增力口之產量。 為滿足該期望’本發明提出一種微影裝置，其包括： &支揮件’其經構造以支撐一圖案化器件，該圖案化器 夠在輻射光束截面上賦予一圖案以形成一經圖案化 之幸δ射光束； 里測系、统，其用於量測該裝i之一度量站内之基板特 徵； 一投影系統， 於該裝置之一曝 其經組態以將該經圖案化之輻射光束投影 光站内之一基板上； 疋位系統’其用於定位至少兩個該微影裝置之基板 級，其中該等級經構造以固持基板； -機器框架’該機器框架設置有與該等相應級内一平面 馬達之相應第二部分協作的該平面馬達之一第一部分，其

-9- _565 ::定位系統經構造及佈置以控制該平面馬達在該度量站 :、二光站之間移動該等級且根據該級上該基板之至少一 :所！測特徵以六個自由度在該曝光站内移動該等級之每 旦及’、巾錢$框架經構造及佈置以允許該等級在該度 :站與㈣光站之間移動時相互穿過。由於該等級可相互 :過’因此不需要—「級交換」。以此方式，—裝置經設置 :有-相當高產量，同時僅具有一個度量站及僅一個曝光

，且其中該裝置具有一相對小之「佔用面積」。 為滿足4期望，本發明提出一種微影裝置，其包括： 支律件，其經構造以支撑一圖案化器件，該圖案化器 牛能夠在—輕射光束截面上賦予一圖案以形成一經圖案化 之輪射光束； 徵； 量測系統’其用於量測該裝置之—度量站内之基板特

又5V系、’’充，其經組態以將該經圖案化之輻射光束投影 於該裝置之一曝光站内之一基板上； —一定位系統及至少兩個經構造以固持基板之級，其中該 疋位系統經構造以使該等級在該度量站與該曝光站之間移 動旦且其中該定位系統經構造用於根據該基板之至少一個 所里測特彳玫將在曝光期間固持一基板的該等級中之一者定 位於該曝光站内， 一機器框架，其具有兩個沿一水平平面内之第一方向延 申之只貝上並行導軌，其中每一導執皆耦接至一可藉助一 馬達沿该導軌移動之元件，且其中每一元件皆藉助一馬達 111376.doc 1301565 耦接至一級以使該級沿一定向於該水平平面内且垂直於該 第-方向之第二方向移動’丨中該定位系統經構造及佈置 以控制該等烏達以使該等級在該平面内移動，其中該機器 框架經構造及佈置以允許㈣級在該度量站與該曝光站之 間移動時相互穿過。由於該等級可相互穿㉟，因此不需要 一「級交換」。以此方式，一裝置經設置具有一相當高產量， 同時僅具有一個度量站及僅一個曝光站，且其中該裝置具 有一相當小之「佔用面積」。 為滿足該期望，本發明提出一種微影裝置，其包括： -支撐件’其經構造以支撐一圖案化器件，該圖案化器 件能夠在-輻射光束戴面上賦予一圖案以形成一經圖案化 之輻射光束； 一量測系統，其用於量測該裝置之一度量站内之基板特 徵； 一投影系統，其經組態以將該經圖案化之輻射光束投影 於該裝置之一曝光站内之一基板上； 一定位系統及至少兩個經構造以固持基板之級，其中該 定位系統經構造以使該等級在該度量站與該曝光站之間移 動，且其中該定位系統經構造以根據該基板之至少一個所 量測特徵將在曝光期間固持一基板的該等級中之一者定位 於該曝光站内， “載一度里框架之基礎框架，該度量框架支撐該量測 系統及該投影系統，其中該度量框架與該基礎框架動態隔 、、’邑，且其中该罝測系統包括一沿該度量站及該曝光站兩者 111376.doc • 11 - 1301565 延伸之編碼器系統，以量測該等級之位置。例如，該編碼 器系統會減少頻繁之TIS對準需要（一方面使光罩/主光罩與 基板對準，另一方面藉由諸如闡述於EP 1510870(其以引用 的方式倂入本文中）中之透射影像感測器來實施該對準，特 別參見圖8A、8B)。頻繁之TIS對準需要之減少會增加該微 影裝置之產量。 【實施方式】 圖1A不意性繪示一根據本發明之一實施例之微影裝置。 該裝置包括： < !構造以調節一輻射光束4(例 統（照明器）2 _ 一支撐結構（例如，一光罩平臺）6，其經構造以支撐一 圖案化器件（例如，-光罩）8並輕接至—經組態以根據特定 參數準確定位該圖案化器件之第一定位器1〇 ; --基板平臺(例如’一晶圓平臺)WT，其經構造以固持 -基板（例如，-塗覆有抗㈣之晶圓）14並輕接（藉由 區塊MB)至一經組態以根據特定參數準確定位該基板 二定位器16 ;及 乐 --投影系統（例如折射式投影透㈣統）丨8，盆 態以藉由圖案化器件8將一被賦予輻射光束4之圖案^ 基板14的一目標部分c(例如，包括一或一個以上晶::至 該照明系統可包括各種類型的用於引導、成批)。 射的光學組件，例如折射”控制輻 類型之光學組件，或其任一組合。 静電或其匕 111376.doc ⑧ -12- 1301565 曰該支撐結構支撐圖案化料，亦即承載圖案化器件之重 里4支撐、、、“冓固持圖案化器件之方式取決於圖案化器件 之定向、微影裳置之設計及諸如圖案化器件是否固持於一 真空環境中等其它條件。支撐結構可使用機械、真空、靜 電或W夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可係⑼如) 一框架或平臺，且可根據需要為固定式或可移動式。支撐 π構可保a圖案化器件位於—（例如）相對於投影系統之合 意位置處。本文所使用術語「主光罩」或「光罩」皆應視 為與更通用之術語「圖案化器件」具有相同含義。 本文所用術圖案化器件」應廣義解釋為係指可用於 在一輻射光束截面上賦予一圖案以（例如）在基板之一目標 部分上形成一圖案之任一組件。應注意，賦予輻射光束之 圖案可能不完全對應於基板之目標部分上之合意圖案，例 如若圖案包括移相形貌或所謂的輔助形貌時即如此。一 般而言，賦予輻射光束之圖案將對應於一形成於該目標部 分中之器件（例如，一積體電路）中的一特定功能層。 圖案化器件可為透射型或反射型，圖案化器件之實例包 括光罩、可程式化鏡陣列及可程式化LCD面板。光罩在微 衫術中已眾所習知，其包括諸如二進製、交替移相、衰減 移相等光罩類型及各種混合光罩類型。可程式化鏡陣列之 實例採用一小鏡矩陣佈置，其中每一小鏡皆可單獨傾斜 以沿不同方向反射一入射輻射光束。此等傾斜鏡可賦予_ 自鏡矩陣反射之輻射光束一圖案。 本文所用術語「圖案化器件」應廣義解釋為囊括任一類 111376.doc -13- 1301565 型的投影系統，包括適合於所用曝光輻射或諸如浸沒液體 之使用或真空之使用等其它因素的折射、反射、反折射、 磁、電磁及靜電光學系統，或其任一組合。本文所用術語 「投影透鏡」應視為與更通用之術語「投影系統」具有相 同含義。 ' 如本文所述，該裝置係一透射型裝置（例如，使用一透射 光罩）。另一選擇為，該裝置可係一反射型裝置（例如，使用 一上文所述類型之可程式化鏡陣列，或使用一反射光罩）。 鲁 微影裝置可為一種具有兩個（雙級）或兩個以上基板平臺 (及/或兩個或兩個光罩平臺）之類型。在該等機器中，可並 打使用其它平臺，或者在一或一個以上平臺正用於曝光之 同時，可在一或一個以上其它平臺上實施準備步驟。 微影裝置亦可為此一類型：其中基板之至少一部分被一 具有相對高折射率之液體（例如水）所覆蓋，以填充投影系統 與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之 # 丨他空間中’例如光罩與投影系統之間的空間中。用於提 高投影系統之數值隸之浸沒技術在此項技術巾眾所習 知。本文中所用術語「浸沒」並非意味著一結構（例如，一 基板)必需浸沒於液體中，而是僅意味著在曝光期間該液體 位於投影系統與基板之間。 、參照圖1A’照明器2自輕射源接收-輻射光束。該輻射 源與投影裝置可為單獨實體，例如當輕射源係一準分子激 =時即如此。在此等情形中，輕射源不應視為構成微影 —部分且輻射光束藉助一包含適當導向鏡及/或一 111376.doc -14· 1301565 光束擴張器之光束遞送系統22自輻射源20傳送至照明器 2。在其它情形中，輻射源可係微影裝置之一組成部分，例 如當輻射源係一汞燈時即如此。輻射源20及照明器2連同光 束遞送系統22(若需要）可統稱作一輻射系統。 該照明器2可包含一用於調節輻射光束之角度強度分佈 的調節器24。一般而言，可調節至少照明器光瞳平面内強 度分佈之外及/或内徑向範圍（通常分別稱為σ_外部及…内 部）。此外’照明器2可包含各種其它組件，例如一積分器 26及一聚光器28。可使用照明器來調節輻射光束，以在輻 射光束橫截面中具有一合意之均勻度及強度分佈。 輻射光束4入射至固持於支撐結構（例如，光罩平臺幻上 的圖案化器件（例如，光罩8)並被圖案化器件圖案化。在橫 穿過光罩8之後，輻射光束4穿過投影系統18，該投影系統 18將光束聚焦於基板14的一目標部分c上。藉助於第二定位 器16及位置感測器3〇(例如，—干涉量測器件、線性編碼器 或電容感測n)，可準確地移動—晶圓級st之基板平臺资， 以便(例如)將不同M票部分c定位於輻射光束4之路徑中。 為此’可使用習知的具有回饋及/或前饋迴路之量測&控制 演算法。同樣，亦可在(例如)自-光罩庫進行機械掏取之後 或在掃描期間使用第位器1Q及另—位置感測器（圖Μ 中未明確繪示)來相對於輕射光束4之路徑準確地定位光罩 8。-般而言，可藉助於構成第一定位器狀一部分 行程模組（粗定位）及一短行程模組（精定位）來達成光㈠ 堂6之移動。同樣，可使用構成第二定位器此—部分的一 111376.doc (¾) -15 - 1301565 長行程模組及一短行程模組來達成基板平臺WT之移動。偏 若係一步進機（不同於一掃描器），則光罩平臺6僅可連接至 一短行程致動器，或者可固定。光罩8及基板14可使用光罩 對準標記Ml、M2及基板對準標記p丨、p2來實施對準。儘管 如圖所示基板對準標記佔用了專用目標部分，但基板對準 標記可位於目標部分之間的空間内（此等對準標記稱作劃 線對準標記）。同樣，在光罩8上設置有一個以上晶粒之情 形中’光罩對準標記可位於各個晶粒之間。 > 圖1B顯示一用於根據圖1A之微影裝置之基板級以（亦稱 作基板卡盤）。該級St包括：第二定位器丨6之非靜止部分、 一鏡區塊MB、及安裝至該鏡區塊MB上之基板平臺WT。於 此實例中，鏡區塊MB設置有經佈置用於與干涉儀協作以量 測該鏡區塊MB位置之干涉儀_鏡。 第二定位器16經佈置用於定位鏡區塊MB及基板平臺 WT。第二定位器16包括短行程模組（其設置有一短行程馬 > 達S h Μ)及長行程模組（其設置有長行程馬達L 〇 M)。 長行程馬達LoM包括一可安裝至一靜止框架或一平衡塊 (未顯示）之靜止部分LMS及一可相對於該靜止部分偏移之 非靜止部分LMM。該短行程馬達ShM包括一第一非靜止部 刀SMS (其可安裝至該長行程馬達之非靜止部分1撾撾）及一 第二非靜止部分SMM (其可安裝至該鏡區塊％…。 應注意，光罩平臺6及第一定位器1〇 (參見圖1A)可具有一 如圖1B中所繪示之類似結構。 如所述，一所謂雙級（多級）機器可配備有兩個（或兩個以 111376.doc -16 - 1301565 上）、、及。每一級皆可設置有一物件平臺（例如，基板平臺 资）。於此一佈置中，諸如量測設置於該等物件平臺其中 個上之基板n度映射圖的準備步驟可與曝光設置於另一 物件平至上之基板並行實施。為曝光先前已量測之基板， β等級可自ϊ測位置改變至曝光位置（且反之亦然）。作為— 替代方案，可將該等級自一個級移動至另一個級。 u 、如下模式中之至少一者使用圖1Α中所繪示裝置：

☆在乂進模式中，使光罩平臺6及基板平臺實質上保 持靜止:同時將_料輻射光束之完整圖案—次性投影（亦 單靜止曝光）至一目標部分C上。爾後，於x及/或¥ 方向上移動基板平臺WT，以便可曝光—不同之目標部分 在v進杈式中，曝光區域之最大尺寸會限制在一單一靜 止曝光中成像之目標部分C之尺寸。 /·在掃描模式中，對光罩平臺6及基板平臺WT實施同步 f為、同時將—賦予輕射光束之圖案投影（亦即，—單—動 態曝光）至一目標部分C上。投影系統18之放大率（縮小率） 及圖像反轉特徵可決定基板平臺WT相對於光罩平臺6之速 =方向。在掃描模式中，曝光區域之最大尺寸會限制一 =中目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描 長度會決定目標部分之高度（在掃描方向上）。 •17- 1301565 5或在―掃描期間於接續輻射脈動之間更新該可程式化 圖案化器件。& % ^ 、 運作模式可容易地應用於使用可程式化圖 案化器件（例*如一上 上文所k及類型的可程式化鏡陣列）的無 光罩微影中。 亦可使用上述使用模式之組合及/或變型或完全不同之 使用模式。 圖4係圖1 A中示意性所示之微影裝置的一驅動器與級

、、且L之m施例之示意性俯視圖。該部分係藉助線由圖lA 中所繪示之平面所界定。該微影裝置包括：一第一度量站 32·ι、一第二度量站32·2及一曝光站34，其位於度量站 32·1、32.2之間。 於圖2中，提供一度量站32之示意性側視圖。該度量站係 由一攜載有度量框架38之基礎框架36所支撐。基礎框架36 可直接置放於工廠地面上。基礎框架36及度量框架38係藉 由隔絕構件40動態地隔絕（隔絕構件4〇可係被動隔絕構件 (例如，空氣夹架（airmounts))、主動隔絕構件（例如，氣動 活塞）或其組合）。由於該動態隔絕，故可防止將該基礎框架 内之振動或其他擾動移動傳送至該度量框架内（至少可將 該等擾動降低一相當大的量）。該度量框架及連接至其的元 件有時亦稱作「無聲世界」。 圖2亦顯示一固持基板14之（基板）級42及一包括一高度 量測感測器46及位置感測器30之量測系統44。於此實例 中，位置感測器30能夠以六個自由度來量測級42之位置。 量測系統44係由該度量框架所攜載且因此成為該無聲世界 111376.doc -18 - 1301565 之部分。感測器46、30可用於量測由級42固持之基板14之 一特徵（高度映射圖）。可在隨後的曝光期間，在曝光站34 中使用纟亥冋虔映射圖〇 用於量測級42位置之位置感測器3〇可係一干涉儀感測器 48.1，其能夠將干涉儀量測光束5〇引導至附裝至級42之干 涉儀鏡52。作為一替代方案，該位置感測器可係一用於量 測級42位置之編碼器系統48·2。然而，此處應注意，亦可 採用干涉儀與編碼器之組合，藉此該干涉儀系統量測不同 於編碼器之參數。 於圖2所提供之實例中，編碼器系統48.2係一附裝至度量 框架38之編碼器板。級42設置有能夠與編碼器板48 2協作 以便量測級42位置之編碼器頭54。應注意，該編碼器板設 置有一缺口以使高度量測感測器46引導一光量測光束穿過 基板8表面上之缺口以便量測該基板表面之高度。較佳地， 級42上表面之每一拐角（在或靠近每一拐角處）設置有一編 碼器頭54。可使用編碼器系統48 2在該缺口以下的任一位 置處量測該級之位置。 圖3係一曝光站34之示意性側視圖。該曝光站34係由基礎 框架36所支撐。該基礎框架攜載度量框架％。度量框架38 係藉由隔絕構件40與基礎框架3 6動態隔絕。度量框架38藉 由支撐桿56支撐投影系統18(支撐桿％亦可係動態隔絕構 件）。於此實例中，度量框架38攜載定位感測器30 (—干涉 儀後1及/或一編碼器系統後2,藉此應注意，編碼器系統 48.2設置有一用於投影系統18之缺口）。然而，應注意，定 111376.doc -19- ㊈ 13〇1565 位感測器30亦可由投影系統18來攜載（或者，等效地，由 附裝至投影系統丨8之框架攜載）。 若定位感測器30係一編碼器板48.2，則該編碼器板可沿 曝光站34及度量站32兩者延伸。於一先進實施例中，僅^ 在一個完全自度量站32延伸至曝光站34之編碼器板。 一主光罩級或光罩級6位於投影系統丨8以上。該主光罩級 之位置及該光罩/主光罩之位置皆由量测系統6。來量測。： 測系統60與位置感測器3〇協作以使該光罩/主光罩在投影 系統18以下與基板14對準。使光罩/主光罩與基板對準 係根據零點感測器及tis對準技術（參見Ep 151〇87〇說明）來 實施。對於應用TIS-對準，需要知曉該基板相對於基礎框 架36曰之位置是否介於某一準確度範圍内(約指示為用於精 τ I s篁測之開始點），以使該基板處於該τ Γ s感測器之捕獲範 圍内。 般而g ，干涉儀感測器量測相對位置（藉由計數條 紋）。為藉由該干涉儀感測器獲得絕對位置量測值，可藉助 所謂歸零運作使該等干涉儀感測II歸零，此意味著界定— 參考點以獲得輯位置量測值。界定此—參考點對多級裝 置特別重要’此乃因於此一裝置中，會頻繁發生一個級遮 掩另-個級從而導致損失一已界定之參考點之;見象。若發 生此現象則可犯有必要界定一必需界定的新參考點（根據 :新歸零運作h從而耗費時間且降低產量。然而，該編碼 器板之應用可提供一絕對量測系統，該絕對量測系統會降 低或甚至消除必需之歸零運作且有益於產量。另外，若該 111376.doc -20- 1301565 編碼器板具有一高準確度，則會減少或甚至消除抓-對準 自身之頻繁私度（至少部分地由編碼器量測所替代），以便進 一步增加該對應裝置之產量。 如圖4中所不，该等固持基板之級可在度量站32.1、 2(作為#面）與曝光站34(作為另一方面）之間互換。此 :在後文中予以更詳細闡述。圖4示意性繪示兩個沿一水平 平面内之第一方向(X-方向)延伸之導軌62.卜62.2。導軌62 可附裝至基礎框架36，但較佳將導軌^附裝至一與基礎框 架36、度量框架38及投影透鏡呢全分離（因此無動態耗 之機器框架。 > V軌62白搞接至可藉助該定位系統之—馬達在該第 ^ (X方向)上沿導軌62移動之元件64。於圖4之組態 中每、’及42」、42.2皆耦接至兩個元件64。每一級皆可藉 件64内之馬達沿γ_方向(其實質上垂直於該第一方向） :該水平平面内移動。於一較佳實施例中，導軌⑽或元 “馬達與平衡塊協作以減小作用力效應。基礎框架 由-空氣軸承來支撐⑽卜化，該空氣轴承提 =礎框架26與級42.卜42.2之—動態隔絕。應注意 所述驅動組態之-替代方案，可應用—平面馬達組態。 :之組態中’該等級不可相互穿過。因此，隸屬於該 組恶的微影裝置$ τ从& μ, 下。藉由一第一基板輸送路 ▲、及42,1上的基板14.1提供至第一度量站32.1。然 Λ Χ平平面内進行掃描（為此，級42.1在該水平平面 動）之同時，在度量站321中量测該基板（參見圖^，量 111376.doc -21 - 1301565 測系統44’ 一高度映射圖之產生）。於圖4之實例中，級π」、 :2·2之位置係藉由__干涉儀系統48 ι所量測。接下來，將該 級傳送至曝先站34以曝光由級421固持之基板ΐ4ι。該曝光 . ^ ;所里測的基板14.1之㊄度映射圖，其中該定位系統 定位固持該基板之級42」。（然而，應注意，該等馬達能夠 ' 纟—有限範圍内以六個自由度將該較位於投影系統18以 下）同時，置測處於第二度量站32.2内且固持基板14.2之 另-級42.2。基板14.2係藉由—第二基板傳輸路徑所提供。 j實2曝光基板14.遵，將帶有經曝光基板之級421移至第 I度量站32.1’該經曝光基板141係藉由該第一基板傳輸路 咎所傳輸，且#由該第一基板傳輸路徑將一欲量測之新基 板载入級42.1上。同時，曝光由級42 2固持之基板142。以 此方式繼續該序列。顯然該組態需要一雙基板傳輸路徑。 應注意，該等干涉儀之光束有時必需在附裝至該級的干 涉儀系統與干涉儀鏡之間橋接相當大距離（參見圖4，沿χ_ φ 方向之干涉儀光束）。此會降低在該方向上之量測準確度， 乃因空氣中之壓力變化會擾動干涉度量測光束（此效應 著一增加之距離而增大）。所討論之編碼器系統Μ』之應 用會減輕此缺點且可提供較高之量測準確度。 圖6以一由圖丨中之線LL所界定之俯視圖示意性繪示另一 雙級概念。於此概念中，帶有基板421、42 2之級可在度量 站32與曝光站34之間互換。該概念設置有兩個沿一水平平 面内之第一方向（χ_方向）延伸之導軌Μ」、Μ』。導軌Μ可 附裝至基礎框架36，但較佳將導軌62附裝至一與基礎框架 111376.doc •22- 1301565 36、度量框架38及投影透鏡18完全分離（因此，無動態耦接） 之機器框架。每一導執62皆攜載一可藉助一馬達（其係該定 位系統之部分且由其控制）在該第一方向（χ_方向）上沿導軌 62移動之το件64。於此實例中，該等元件64皆係所謂「τ_ 驅動器」之部分的τ-元件。每一級42」、42·2皆耦接至一個 Τ-το件64，其中Τ-元件64可藉由一可存在於元件64内之馬 達使其所耦接之級沿Υ-方向移動。該馬達較佳係該定位系 統之部分且由其控制。於一較佳實施例中，導執62内及/或 凡件64内之馬達與平衡塊協作以減小作用力效應。應注 忍，基礎框架3 6可藉由一動態隔絕空氣軸承來支撐級 42.1 、 42.2 。 根據圖6之雙級概念允許級42」與42 2在度量站32與曝光 站34之間移動時相互穿過。此基於該等丁_驅動器之概念不 需要-級交換（此與US 5,969,441中所述之Η_驅動器概念相 反）。因此，可達成一相對高之產量，此乃因可達成該等級 之一連續傳送移動而不會因一交換而停止。 作為所繪示之「Τ_驅動器系統」（圖6中之導軌621、62 2 及Τ-元件64)之一替代方案，可使用一平面馬達組態。根據 該平面馬達組態’該微影裝置設置有一機器框架，該機器 框架具有用於與該等級42」、42.2内之磁鐵及/或線圈（該平 面馬達之該等相應第二部分）協作之線圈及/或磁鐵（該平面 馬達之第一部分）’以便該定位系統可使該等級421、芯.2 之每一級在度量站32與曝光站34之間移動。此一平面馬達 亦可用於以六個自由度將該等級定位於曝光站34内。可係 111376.doc -23- 1301565 基礎框架36之部分（其:欠線圈及/或磁鐵）的機器框架係整合 於基礎框架36内，或該機器框架與基礎框架36分離（動態隔 絕）。該平面烏達在該定位系統控制之下。 根據本發明之微影裝置之一實施例，在投影系统Μ之一 最終光學（透鏡）元件與基板14之一目標部分之間提供一種 浸沒液體66(圖3)。與沒有浸沒液體之系統相比，浸沒液體 之應用提供在曝光期間可將較小結構之圖案自主光罩或光 罩轉移至基板14之優點。該微影裝置具有—用於將液體限 制於該投影系統之-最終元件與該基板之間的液體限制系 統。該液體限制系統包括—所謂浸沒罩68(參見圖9)。該浸 沒罩68可使該浸沒液體在照明期間保持在適當位置。浸沒 罩68可包括-機械接觸密封件及/或亦可包括—其運作係 基於將一壓力-氣體-流引導至欲限制之流體之無接觸密封 件（該兩種密封件之組合亦可能）。 在曝光基板後，固持該基板之級必需（例如）朝向一度 量站離I由於將浸沒液體66保持在投影“ 18之最終元 件以下的空間内係合意’因此在該級可自其在浸沒液體“ 之空間以下的位置離開前必需採取特殊措施。一種可能性 係使用一在底部處封閉該空間之單獨封閉盤或一單獨小封 閉級（不能固持-基板），直到—固持—欲曝光基板之級替代 該封閉盤或封閉級為止。 然而，忒封閉盤/封閉級提供額外之接收運作，此耗費寶 貴時間且似乎會明顯減少該微影裝置之產量。 因此，本發明之一態樣係防止一封閉盤（或封閉級）之必 111376.doc -24- 1301565 2 14且提供一種微影裝置，在該微影裝置中，該等級經構 少μ佈置以相互協作來實施一聯合掃描移動，以便將該微 二扁置自一第一情形（其中該液體被限制於一由該等級之 第、、及所固持之第一基板與該最終元件之間）引導至一第 古Ν形（其中该液體被限制於一由該等兩個級之第二級所 持之第一基板與該最終元件之間），以便在該聯合掃描移 動期間將該液體實質上限制於相對於該最終元件之空間 内0

〇等、、及42.1與42.2之聯合掃描移動示意性圖解闡釋於圖9 :(箭頭指示該等級相對於投影系統18之移動方向）。實施 筇。掃描移動以使液體66保持限制於最終透鏡元件7〇以 下的工間内。在該空間底部處，該等級42.1、限制液體 66。在該等側面處，係該浸沒罩(其較佳保持於一相對於投 影系統18的實質上固定之位置内）限制液體66。 於一先進實施例中，相應之第一級421及第二級42 2且有 各自的浸沒交又邊緣72172.2(其位於相關級之一側處或 附近’參見圖9)，丨中該等浸沒交又邊緣經構造及佈置以 在該聯合掃描移動期間相互協作。較佳地，每一浸沒交又 邊緣72皆包括一個或一個以上的實質上呈平面且平滑之表 面。因此，可能以-在不同浸沒交又邊緣之平面表: 獲得-經良好界定之空間（例如’由該等並行表面所界定 一空間）的方法來實施該聯合掃描移動。圖9中提供 例，其中該等級之協作浸沒交叉邊緣在該聯合婦描移Z 間以一相互距離D界定一空間。 ’ 111376.doc -25- 1301565 該等浸沒交叉邊緣72」、72.2之一不同形狀顯示於圖⑺ 中。於圖10中，級42]顯示一相應具有一垂直平面A、一水 平平面B A垂直平面c之浸沒交叉邊緣。此等平面經構造 以與次沒交叉邊緣72.2之相應平面D、E、F協作。 根據本發明之微影裝置可包括一控制系統（其使用一回 饋及/或前饋迴路），可給該控制系統饋送該等級（可由量测 系統44實施該等量測）之位置量測值（實際上，術語位置量测 值可包括位置、速度、加速度及/或急停（jerk)量測值），以 便計算該等相關馬達之設定點信號。在該等級之聯合掃插 移動期間，該定位系統根據該等設定點信號控制該等馬 達，以使该專相應浸沒交又邊緣之平面之間的相互恆定距 離D對應於一預定功能。可選擇該預定功能以使該等浸沒交 叉邊緣之間的空間起到一液體通道角色之作用（參見以下 進一步說明）。 根據微影裝置之一實施例，該定位系統經構造及佈置以 控制用於移動該等級之馬達，以便在該聯合掃描移動期間 使級42.1緩和地推動級42.2。由此，給該定位系統之一控制 系統（其使用一回饋及/或一前饋迴路）饋送該等級（由量測 系統44實施）之位置量測值（實際上，術語位置量測值可包括 位置、速度、加速度及/或急停量測值）並使其計算用於該等 相關馬達之設定點信號。接下來，該定位系統根據該等設 定點信號來控制馬達以使該等相應浸沒交又邊緣之平面之 間的相互恆定距離D實質上係零。 根據該微影裝置之一較佳實施例，該定位系統經構造及 111376.doc -26- 1301565 佈置以控制用於移動該等級之馬達，以使在該聯合掃描移 動期間該相互距離D大於零但小於i毫米…合適之相互距 離D似乎介於〇·05與〇·2毫米之間。若該等級中之一者設置 有連通該/叉》又父叉邊緣之一開口之通道系統74，則此距 離靶圍内之距離D實質上係合適，其中通道系統74經構造及 佈置用於在該聯合掃描移動期間沿該浸沒交叉邊緣產生一 氣體及/或液體流。該流之產生對減少在浸沒液體66内產生 氣泡（氣泡會毀壞該基板上之圖案投影）之機會係重要。一穩 定且受到良好控制之距離D導致一穩定且完全合適之流，藉 此避免在該聯合掃描移動期間在該浸沒液體内產生氣泡。 通道系統74之應用可提供（在該聯合掃描移動期間）一 來自該等級42下方之氣流（參見具有指示〇之圖n實例)及 一來自該等級上方之液體流（參見具有指示[之圖丨丨實 例）。然後，將藉由通道系統74排出氣體與液體之一混合物 (參見指不L/G)。可將撓性管連接至該級之通道系統74供用 於進一步輸送混合物L/G。 於圖11之實例中，每一級（分別為421、42·2)皆具有一通 道系統（分別為74.1、74.2)，其中每一通道系統皆連通至該 浸沒交又邊緣（分別為72·；!、72·2)之一平面表面内之開口。 於圖10之實例中，僅級42.2設置有一通道系統74，其中通 道系統74具有三個位於浸沒交又邊緣72·2之表面ε内之開 口 通道糸統74内之小前頭顯示該聯合掃描移動期間該流 之方向。 圖10、13、14顯示一其中該等級42.1、42.2皆設置有位於 111376.doc -27- 1301565 浸沒交叉邊緣72.i、72.2下方的水槽、76·2之組態。該 水槽能夠接住在該聯合掃描移動之前、期間及之後可能沿 該浸沒交又邊緣滴落之液體。原理上，僅將一個水槽附裝 至僅該等財之―粒應㈣^接録該聯合掃描移動 期間之液體。 該干涉儀“48」使用附裝至該等級之干涉儀鏡來進行 位於圖4之實例中’干涉儀系統481於該等級上該 等❹又乂又邊緣之側面處具有干涉儀鏡”係毫無意義。缺 而，對於圖6中之㈣器與級之組態，在料浸沒交叉邊緣 之側面處將干涉儀鏡52置於該等級處可能係有利（對於具 有相對短距離之干涉儀光束，此通常提供相對高之量測: 確度）。此亦適用於圖8之組態，例如，於此情形中，級Mi 訪問曝光站34(該浸沒交又邊緣處於正^方向之側，而在左 X;方向上係一相對長之干涉儀光束路徑)。於此等情形中， 車乂^土之情形係，該等級在該浸沒交又邊緣處設置有一干冰 ^二應注意，在該聯合掃描移動期間之污染（液體流） 曰或因其所致之損壞大於該等其他干涉儀鏡。因此， 情形係如圖12令所指示使該干涉儀鏡相對於該浸沒 開。作為-替代方案，將干涉儀鏡52置放於該 干、、牛儀二位置内’如圖13中所指示。另一替代方案係將 ^義兄52置放於接住液體（及可能之污染物）之水槽^下 方。圖Η顯示所述措施之一組合之實例，藉此該等二 鏡=與浸沒交又邊緣72錯開亦可被置放於水槽76以‘ 一水平面處。以此方式’該等干涉儀保持清潔且不會受到 111376.doc -28 -

並非侷限於光學微影。於壓印微影中 一圖案化器件之構 该圖案化器件之構形可被 1301565 損壞，從而提供該量測系統之一可靠效能。 儘管在本文中可能僅具體提及微影裝置在製造IC中之用 途’但應瞭解，本文所述微影裝置可具有其他應用，例如， 製造整合式光學系統、用於磁性域記憶體之導光及偵測圖 案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟悉此 項技術者將瞭解，在此等替代應用之背景中，可將本文中 所用術語「晶圓」或「晶粒」分別考慮為與更常用術語「基 板」或「目標部分」具有相同意義。可在曝光之前或之後， 在（例如）一執道（track)(—通常用於將一層抗蝕劑施加於一 基板上並使已曝光之抗蝕劑顯影之工具）、一度量工具及/ 或一檢驗工具中對本文所述之基板進行處理。當可行時， 本文所揭示内容可應用於此等及其他基板處理工具。此 外，可將基板處理多於一次，（舉例而言）藉以形成一多層式 1C，因而本文所用術語基板亦可指一已含有多個經處理之 層之基板。 儘官上文可能僅具體提及了本發明實施例在光學微影背 景中之用途，但熟悉此項技術者將瞭解，本發明可用於其 他應用t，例士口，壓印微影，1若該上下文料，本發明 形界定形成於一基板上之圖案 壓入一施加至該基板之抗蝕劑層内，在該基板上係藉由電 磁輻射、#、壓力或其組合來固化該抗_。在該^兹劑 固化後’即可將該圖案化器件移出該抗㈣而僅在其中留 下一圖案。 、 111376.doc -29- 1301565 本文所用術# ‘輻射’及‘光束，囊括所有類型之電磁輻 L括紫外線（UV)輻射（例如約具有365、355、248、193、 或6不来波長之紫外線輻射）及極遠紫外線（EUv)輻射 (,’’、有"於5·20奈米範圍内波長之極遠紫外線輕射）、及 粒子光束，例如離子束或電子束。 ' 下文各許時，術語「透鏡」可指任一光學組件或多 種光予組件之組合，包括折射、反射、磁、電磁計靜電光 學組件。 雖然上文已闡述本發明之具體實施例，但應瞭解，可以 不同於本文所述之方式來實踐本發明。舉例而言，本發明 了採用如下开）式··一包含描述一上文所揭示方法之一或一 個以上機器可讀指令序列之電腦程式，或一儲存有此一電 腦程式之資料儲存媒體（例如，半導體記憶體、磁碟或光碟）。 上文所述内容旨在進行闡釋而非限制。因此，熟習此項 技術者易於瞭解，可對所述本發明進行修改而不背離下文 > 所述申請專利範圍之範疇。 【圖式簡單說明】 上文參照示意性附圖僅以實例方式闡述了本發明之各實 施例，附圖中對應之參考符號指示對應之部件，附圖如下： 圖1A以一側視圖示意性繪示一根據本發明之一實施例之 微影裝置； 圖1B顯示根據圖1 a之微影裝置之一級； 圖2係一根據本發明之微影裝置之一度量站之示意性側 視圖； 111376.doc -30- 1301565 曝光站之示意性側 圖3係一根據本發明之微影裝置之 視圖； 圖4係一根據圖1A之雙級浸沒微 咕 〜展置的驅動器與級組 悲之一第一實施例之示意性俯視圖； 置之示意性俯視 圖5係一顯示一聯合掃描移動的圖4之裴 圖； 圖6係一根據圖1 a之雙級浸沒微吾彡驻 At 芰，又，又倣衫裝置的驅動器與級組

怨之一第二實施例之示意性俯視圖； 性俯視 圖7係一顯示一聯合掃描移動的圖6之裝置之示意 %圖^—根據圖1A之雙級浸沒微影裝置的驅動器與級組 想之-第三實施例之示意性俯視圖，#中該微影裝置實施 一聯合掃描移動。 圖9係一以一垂直剖視圖顯示兩個基板級之示意性側視 圖，其中該等級實施一聯合掃描移動，· 圖10係一圖9中該等級之一第一實施例之示意性垂直剖 視圖， 圖11係圖9中該等級之一第二實施例之示意性垂直剖 視圖； 圖12係圖9中該等級之一第三實施例之示意性垂直剖 視圖， 囷13係圖9中该等級之一第四實施例之示意性垂直剖 視圖， 圖14係圖9中該等級之一第五實施例之示意性垂直剖 111376.doc •31· 1301565 視圖； 【主要元件符號說明】 2 煦明系統（照明器） 4 輻射光束 6 支撐結構（光罩平臺、光罩級） 8 圖案化器件（光罩、基板） 10 第一定位器 WT 基板平臺（晶圓平臺）

14 基板（塗覆有抗蝕劑之晶圓） 14.1 基板 14.2 基板 MB 鏡區塊 16 第二定位器 18 投影系統（折射式投影透鏡系統、投影透鏡） C 目標部分 20 輻射源 22 光束遞送系統 24 調節器 26 積分器 28 聚光器 30 位置感測器

Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 P1 基板對準標記 111376.doc -32 1301565 P2 基板對準標記 St 基板級 ShM 短行程馬達 LoM 長行程馬達 LMS 靜止部分 LMM 非靜止部分 SMS 第一非靜止部分 SMM 第二非靜止部分 LL 線 32 度量站 32.1 第一度量站 32.2 第二度量站 34 曝光站 36 基礎框架 38 度量框架 40 隔絕構件 42 級 42.1 級 42.2 級 44 量測系統 46 高度量測感測器 48 干涉儀感測器 48.1 干涉儀（干涉儀系統） 48.2 編碼器系統（編碼器板） 111376.doc -33- 1301565 50 52 54 56 60 ' 62 62.1 62.2 • 64 66 68 70 71 72 72.1 72.2 • 74 74.1 74.2 76 76.1 76.2 干涉度量測光束 干涉儀鏡 鎬碼器頭 支撐桿 量測系統 導軌 導軌 導執 元件 浸沒液體 浸沒罩 最終透鏡元件 箭頭 浸沒交叉邊緣 浸沒交叉邊緣 浸沒交叉邊緣 通道系統 通道系統 通道系統 水槽 水槽 水槽 111376.doc - 34 -

Claims (1)

13 0 18436號專利申請案 " 中文申請專利範圍替換本@7年1月） 十、申請專利範圍： 1· 一種微影裝置，其包括： 支撐件，其經構造以支撐一圖案化器件，該圖案化 器件能夠在一輻射光束截面上賦予一圖案以形成一經圖 案化之輪射光束； -買測系統，其用於量測該裝置之一度量站内之基板 特徵；

一投影系統’其經組態以將該經圖案化之輻射光束投 影於該裝置之一曝光站内之一基板上； -液體限制系統，其用於將液體限制於該投影系統之 一最終元件與該基板之間； 一疋位系統及至少兩個經構造以固持基板之基板級； 其中該定位系統經構造用於使該等級在該度量站與該_ 光站之間移動’且其中該定位系統經構造用於根據一邊 板，至少-個所量測之特徵將在曝光期間固持彼基板合 该等級中之一者定位於該曝光站内； 其中該等級經構造及佈置以便相互協作來實施一聯名 掃描移動，以便將該微影褒置自—第一情形引導至一筹 二情形’以便在該聯合掃描移動期間將該液體實質上阳 制於相對於該最終元件之該空間内，在該第一情形中， 該液體被限制於一由該等級之該第'級所固持之第一基 板與該最終元件之間，在該第二情形巾，該液體被限制 於一由該等兩個級之該第二級所固持之第二基板與該最 終元件之間。 111376-970117.doc 1301565 m修正j l年月曰補充 2. t請求項1之微影裝置，其中該^1^級之每一級 白具有一位於或靠近該級之一側處之浸沒交又邊緣，該 浸沒交又邊緣經構造及佈置以在該聯合掃描移動期間^ 另一級之一浸沒交又邊緣協作。 3. 如請求項2之微影裝置，其中每一浸沒交又邊緣包括_呈 實質平面之表面。 4. 如請求項2或3之微影裝置，其中該定㈣統經構造及佈 置用於在該等相應、級之聯合掃描移動 級，以使該等相應級之各自浸沒交叉邊緣的該等 持在-實質上相互恆定之距離處，藉此該距離介於零直 到1毫米的範圍内，其中一較佳距離約為〇1毫米。 5. 如請求項2或3之微影裝置，其中該等級中之至少一者設 置有一通道系統，該通道系統具有一位於該級之該浸沒 交叉邊緣之-表面内的開口 ’其中該通道系統經構造及 佈置用於在該聯合掃描移動期間沿該《曼沒交X邊緣產生 一氣體及/或液體流。 6. 如請求項2或3之微影裝置，其中該等級中之至少一者設 置有一位於其浸沒交叉邊緣以下之水槽，其中該水槽能 夠接住可能沿該浸沒交叉邊緣滴落之液體。 7·如請求項2或3之微影裝置，其中該等兩個級中之至少一 者設置有一靠近該浸沒交又邊緣之干涉儀鏡，其中該干 涉儀鏡係相對於該浸沒交又邊緣錯開且較佳被置放於該 級之一適當位置内以保護該干涉儀鏡免受污染及/或損 壞0 111376-970117.doc 1301565 8.如請求項2或3之微影裝置 W7修£ 平月日*4； 補尤 者設 其中該等級中之至少 置有一靠近該浸沒交又邊緣之干涉儀鏡，其中該干涉儀 鏡被置放於一低於該水槽之該水平面之水平面處以保護 該干涉儀鏡免受污染。 9·如請求項1、2或3之微影裝置，其具有一個位於一第一度 量站與一第二度量站之間的曝光站，以便可將藉由該第 一度量站所量測之基板及藉由該第二度量站所量測之基 板交替饋送至該曝光站。 1〇·如請求項1、2或3之微影裝置，其具有一攜載一支撐該量 測系統及該投影系統之度量框架之基礎框架，其中該度 蓋框架與該基礎框架動態地隔絕，且其中該量測系統包 括至少一個用於與一編碼器頭協作之編碼器板，該編碼 器頭被置放於該等級中之一者處以便量測彼級之該位 置。 11·如請求項10之微影裝置，其中該至少一個編碼器板延伸 於該曝光站及該度量站内。 12·如請求項10之微影裝置，其中該微影裝置設置有一較佳 與該基礎框架分離之機器框架，其中該機器框架設置有 一平面馬達之第一部分以用於與該等相應級内該平面馬 達之相應第二部分協作，其中該定位系統經構造及佈置 以控制該平面馬達以便以六個自由度將該等級定位於該 度量站與該曝光站之間。 13.如請求項1〇之微影裝置，其中該微影裝置設置有一較佳 與該基礎框架分離之機器框架，其中該機器框架具有兩 111376-970117.doc 1301565 : 冰補疗· 個沿一水平平面内之一第一方向延伸之導 執，其中每一導執皆耦接至可藉助一馬達沿該導執移動 之元件，且其中母一元件皆藉助一馬達耦接至一級以使 該級沿一定向於該水平平面内且垂直於該第一方向之第 一方向移動，其中該定位系統經構造及佈置用於控制該 等馬達以使該等級在該平面内移動。 14· 一種微影裝置，其包括： 支撐件，其經構造以支撐一圖案化器件，該圖案化 器件能夠在一輻射光束截面上賦予一圖案以形成一經圖 案化之輻射光束； 一1測系統，其用於量測該装置之一度量站内之基板 特徵； 一投影系統，其經組態以將該經圖案化之輻射光束投 衫於该裝置之一曝光站内之一基板上； 疋位系統及至少兩個經構造以固持基板之級，其中 忒疋位系統經構造用於使該等級在該度量站與該曝光站 之間移動，且其中該定位系統經構造用於根據一基板之 至 > 一個所量測之特徵將在曝光期間固持該基板的該等 級中之一者定位於該曝光站内； 攜栽一支撐該量測系統及該投影系統之度量框架之 土楚杧架，其中該度量框架與該基礎框架動態地隔絕， 且/、中4 Ϊ測系統包括一沿該度量站及該曝光站兩者延 伸以便里測該等級之該位置之編碼器系統。 15.如明求項14之微影裝置，其中該編碼器系統包括至少一 111376-970117.doc •4· 1301565 广！ 广 ；_ * | 個連接至該度量框架或該投影系ϋ編^，其中該 至少一個編碼器板經構造及佈置用⑨與一置放於該等級 中之-者處之編碼器頭協作以便量測彼級之該位置。 16· —種微影裝置，其包括： ，撐件’其經構造以支撐一圖案化器件，該圖案化 益件能夠在—輻射光束截面上賦予—圖案以形成-經圖 案化之輕射光束； 一量測系統’其用於量測該裝置之—度量站内之基板 特徵； /一投影系統，其經組態以將該經圖案化之輻射光束投 影於該裝置之一曝光站内之一基板上； 一定位系統，其用於定位該微影裝置之至少兩個基板 級，其中該等級經構造以固持基板； 機器框架

17. 設置有一平面馬達之第一部分以用；ί 與，等相應級内該平面馬達之相應第二部分協作，其^ 该定位系統經構造及佈置以控制該平面馬達以在該度』 ’、“光站之間移動該等級且根據該級上之該基板自 至f一個所量測之特徵以六個自由度在該曝光站内移ί §亥荨級之每一級，#中該機器框架經構造及佈置以允, 該等級在該度量站與該曝光站之間移動時相互穿過。 一種微影裝置，其包括： 抑 小丨U1卞，綠 器件能夠在一幸畐射光克截而卜时、工 町尤禾戳面上賦予一圖案以形成 案化之輻射光束； 111376-970H7.doc 1301565 特徵 。7修正月3補充| 量測系統，其用於量測該裝置之—度量了内之基板 投影系統’其經組態以將該經圖案化之輻射光束投 影於該裝置之一曝光站内之一基板上； =疋位系統及至少兩個經構造以固持基板之級，其中 該定位系統經構造用於使該等級在該度量站與該曝光站 之：移動，且其中該定位系統經構造用於根據一基板之

少個所里測特徵將在曝光期間固持該基板的該等級 中之一者定位於該曝光站内， 助一馬達耗接至-級以使該級m㈣水平平面内 且垂直於該第一方向之第二方向移動，其中該定位系統 經構造及佈置詩㈣”馬心使該等級在該平面内 -機器框架，其具有兩個沿一水平平面内之一第一方 :乙伸的實質上並行之導軌，其中每一導軌皆耦接至可 精助-馬達沿該導軌移動之元件，且其中每一元件皆藉 移動’其中該機器框架經構造及佈置以允許該等級在該 度量站與該曝光站之間移動時相互穿過。 111376-970117.doc 6-