TWI301121B - Niobium powder, sintered compact obtained by using the same and capacitor obtained by using the same - Google Patents

Description

1301121 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於，可安定製造每單位質量之電容大， 耐熱性良好之電容器的鈮粉，使用其之燒，結體及使用其 之電容器。 【先前技術】 用於行動電話、個人電腦等電子設備之電容器，有體 積小而電谷大之需求。如此之電谷器中，鉬電容器因隨宜 愈大電容愈大’且性能良好’而多受採用。該鉬電容器之 陽極體一般係用鉅粉之燒結體。爲提升這些钽電容器之容 量’須增大燒結體質量’或使用將鉅粉微細化以增加表面 積之燒結體。 增加燒結體質量’必然加大電容器之體積，無法滿足 小型化之要求。另一方面，將鉬粉微細化以增加表面積， 則鉅燒結體之細孔徑變小，且於燒結階段多有閉塞孔，後 續的陰極劑之浸滲困難。解決這些缺失的手段之一，應係 使用介電率大於鉅之材料的燒結體之電容器。介電率高之 材料已知有鈮。另一方面鈮與鉬因係同屬，鈮中有鉅雜質 之存在。 日本專利特開平13_3 07963號公報揭示，純化鈮粉， 得鉬含量7⑽質量PPm以下之鈮粉，用以製作燒結體及電 容器，則無CV値或電容之下降。然而，於製程中有純化 過程，則鈮粉之製造時間加長，並致使收率下降。 1301121

【發明內容】 本發明所欲解決之課題係提供，每單位質量之電容大 ’耐熱性良好之電容器，其所用之燒結體，以及其所用之 鈮粉。 本發明人等精心探討結果發現，調整鈮粉之組成於未 必須作鈮粉之純化的特定範圍，即可解決上述課題。 亦即，本發明係關於以下發明。 (1) 其特徵爲：Mg及Z含量各50至400質量ppm，W 含量20至200質量ppm，Ta含量3 0 0至3 000質量ppm，氧、 氮、氫、Mg、Zr、W及Ta以外元素之含量50質量ppm以下 之鈮粉。 (2) 前項1之鈮粉，其中氧含量係4000至100000質量 ppm 〇 (3) 前項1或2之鈮粉，其中氮含量係20至200000質 量 ppm ° (4) 前項1或3之鈮粉，其中氫含量係5至200質量ppm 〇 (5) 前項1或4之鈮粉，其中一次粉之平均粒徑在0.1 至5微米。 (6 )前項5之鈮粉，其中一次粉造粒後之二次粉的平 均粒徑爲50至3 00微米。 (7)前項1或6之鈮粉，其BET比表面積在0.5平方米 /克以上40平方米/克以下。 (3) 1301121 (8 )前項1或7之鈮粉，其CV値爲80000至200000微法 拉伏特/克。 (9 )使用前項1至8中任一項之鈮粉的燒結體。 (1 0 )前項9之燒結體，其比表面積爲〇 · 5平方米/克至 7平方米/克。 (1 1 )由前項9或1 0的鈮燒結體之其一電極，形成於 該燒結體表面之介電質，以及設於上述介電質上之另一電 極構成的電容器。 (12) 前項11之電容器，其中介電質之主要成分係氧 化鈮。 (13) 前項11之電容器，其中另一電極係選自電解液 、有機半導體及無機半導體所成群之至少1種材料。 (14) 前項13之電容器，其中另一電極係有機半導體 ’該半導體係選自苯并吡咯啉四聚物與氯醌所成之有機半 導體’四硫代丁省爲主要成分之有機半導體，四氰奎諾二 甲烷爲主要成分之有機半導體及高導電性高分子所成群之 至少1種材料。 (1 5 )則項1 4之電容器，其中導電性高分子係選自聚 吼略、聚噻吩、聚苯胺及此等之取 (⑷前項μ電容器，其中導電性高分子係含下述 一般式（1)或一般式（2) 1301121

(1) ⑵ (式中R1至R4各自獨立，表選自氫原子、碳原子數1Ml〇 之直鏈或分枝飽和或不飽和烷基、烷氧基或烷酯基、或鹵 素原子、硝基、氰基、一級、二級或三級胺、C F 3基、苯 基及取代苯基所成群之一價基。亦可R1與R2、R3與R4之烴 鏈互相於任意位置結合，連同該基所取代之碳原子形成1 以上之3至7飽和或不飽和烴環形成二價鏈。上述環狀結合 鏈可於任意位置含鑛基、醚、酯、醯胺、硫醚、亞磺醯、 磺醯、亞胺基。X表氧、硫或氮原子，R5僅於X係氮原子 時存在，獨立表氫或碳原子數1至10之直鏈或分枝飽和或 不飽和烷基。）之重複單元的聚合物，以摻質摻雜之導電 性高分子。 (17)前項16之電容器，其中導電性高分子係含下述 一般式（3 )

(式中R6及R7各自獨立，表氫原子、碳原子數1至6之直鏈 或分枝飽和或不飽和烷基，或該烷基互相於任意位置結合 -8 - (5) 1301121 ，形成含2氧元素之至少1以上的5至7員飽和烴環之取代基 。並包含，上述環具有亦可係經取代之亞乙烯結合者，亦 可係經取代之亞乙烯構造物。）之重複單元的導電性高分 子。 (1 8 )前項1 4之電容器，其中導電性高分子係，以摻 質摻雜於聚（3，4 -乙二氧噻吩）之導電性高分子。 (19) 前項11之電容器，其中另一電極係由至少一部 份有層狀構造之材料所成。 (20) 前項11之電容器，其中另一電極係含摻質有機 磺酸陰離子之材料。 (21) 使用前項11至20中任一之電容器的電子電路。 (22) 使用前項11至20中任一之電容器的電子設備。 【實施方式】 茲說明製得本發明的鈮粉之一形態。 本發明之鈮粉的製造，可用一般可得之鈮原料。例如 ’藉鹵化鈮以鎂、鈉還原，氟化鈮酸紳以鈉還原，氟化鈮酸 鉀往鎳陰極上之熔鹽（NaCl + KCl)電解，鈮之五氧化物以 驗金屬、鹼土金屬、碳或氫還原，以氫導入鈮塊後粉碎· 脫水等可得。 本發明之鈮粉，鉬含量在300質量ppm至3000質量ppm 以下（通常，多於700質量ppm，在3000質量ppm以下，亦 可係3 00質量ppm至700質量ppm。）。 管控後敘特定元素含量於特定範圍，如特開平13- -9- (6) 1301121 307963號公報之記載，鉅含量未必在700質量ppm以下，使 用該鈮粉之燒結體及電容器的CV値或電容不下降。更佳者 係，使用該鈮粉之電容器的高溫負荷試驗呈示良好値。 本發明之鈮粉各含Mg及Zr各50至400質量ppm，W在 20至200質量ppm。而氧、氮、氫、Mg、Zi*、W及Ta以外元 素之含量，各在50質量PPm以下。這些元素之含量超出這 些範圍時，難以維持所有上述CV値、電容、高溫負荷試驗 値良好。 本發明之含上述含量的Mg、Zr及W元素之鈮粉，可例 如混合含各元素之化合物，或元素於上述鈮粉而得。一般 希於所得鈮粉中含Mg及Zr各400質量％以上，W 200質量 ppm以上，Ta 3000質量ppm以上，且氧、氮、氫' Mg、Zr 、\^及丁8以外之元素50質量ppm以上，爲得本發明之鈮粉 ，可添加Mg、Zr及W，未必須純化鈮粉。因此，可高收率 、省時製造鈮粉。 於鈮粉添加這些元素之時機，可係製作鈮粉以後或製 作之任意階段，最好事先以預備實驗決定較佳混合時機。 亦可將用以製得上述鈮粉的裝置之至少其一設計成，材質 含上述特定元素，製作鈮粉時藉與裝置的磨損，該元素以 特定量混合於鈮粉。 如此製得之鈮粉通常含氫及碳各5至200質量ppm。本 發明之鈮粉在空氣中於室溫形成自然氧化皮膜。此時含氧 量雖隨鈮粉粒徑而異，通常在4000至1 000 00質量ppm。亦 可用鎂、鈣、氫等還原劑，還原鈮之自然氧化皮膜，降低 -10- (7) 1301121 含氧量。例如，可將含氧量8000質量ppm之鈮粉、80000質 量Ppm之鈮粉還原成各爲5 000質量ppm之鈮粉。 本發明中亦可將上述鈮粉及/或後敘之二次粉部份氮 化使用。鈮粉之部份氮化可係例如，將鈮粉於氮氣環境中 氮化而得。此時氮量以20至200000質量ppm爲佳。更爲所 製作之電容器的漏電流値之良好，以100至30000質量ppm 爲特佳。在此，氮化量非指吸附於鈮粉，而係化學結合之 氮量。 鈮粉之氮化方法可用液體氮化、離子氮化、氣體氮化 等之任一或其組合。以氮氣環境作氮化處理因裝置簡便、 操作容易而較佳。例如用氮環境氣之氣體氮化方法，係以 將上述鈮粉放置於氮氣環境中達成。用於氮化之環境氣體 溫度係2000 °C以下，放置數小時以內即可得目標氮化量 之鈮粉。以更高溫處理可更縮短處理時間。上述鈮粉之氮 化量可依被氮化物之氮化溫度及氮化時間以預備實驗等確 認之條件管控。 本發明粉體之平均粒徑係0.1微米以上不及5微米，以 0 · 2微米以上不及2微米爲佳。平均粒徑在5微米以上時， 製成之燒結體本身CV値小，難以製作電容大之電容器故 不佳。若不及〇 · 1微米，則難作另一電極材料之浸滲，且 電容下降故不佳。該平均粒徑範圍之本發明的粉體比表面 積在0.5平方米/克以上40平方米/克以下。本發明之電容器 用粉體亦可造粒成特定大小之二次粉使用。 造粒可用習知方法。有例如，放置粉體於5 0 0 t至 (8) 1301121 2 000 °C之高溫真空下後，以濕式或乾式粉碎方法’混合 壓克力樹脂、聚乙烯醇等適當粘結劑及粉體後粉碎之方法 ，與壓克力樹脂、樟腦等適當化合物混合後放置於高溫真 空下，然後作濕式或乾式粉碎之方法等。依造粒及粉碎之 程度，造粉之粒徑可任意變更，通常係用平均粒徑50微米 至3 0 0微米者。亦可於造粒•粉碎後篩分使用。又，造粒 後適量混合造粒前之粉體使用亦可。如此製作之造粒粉的 BET比表面積通常在0.4至20平方米/克。 ^ 又本發明之鈮粉，如後敘以該鈮粉製作燒結體後， 0.1%磷酸水溶液中於80 °c，特定電壓下形成3 00分鐘， CV値爲80000至200000微法拉伏特/克（硫酸30%水溶液中 室溫下120赫1.5伏特偏壓30秒之値）。 本發明之燒結體可燒結上述粉體而製造。製造燒結體 的方法之一例如下。但燒結體之製造方法不限於這些例。 例如，將粉體加壓成型爲特定形狀後，於1CT1至10_4帕， 數分鐘至數小時，500至2000 °C加熱而得。本發明燒結 體之比表面積通常在0.5平方米/克至7平方米/克。 並可準備適當形狀•長度之鈮、鉅等閥作用金屬所成 之導線，上述粉體之加壓成型時以該導線之一部份插入成 型體內部一體成型，以該導線作爲上述燒結體之外接導線 〇 可製造，以上述燒結體作爲其一電極，與介於另一電 極（對電極）間之介電質所成之電容器。電容器之介電質 有，以氧化鈮及氧化鉅爲主要成分之介電質。例如，以氧 -12- (9) 1301121 化鈮爲主要成分之介電質，可將另一電極鈮燒結體於電解 液中形成而得。鈮電極之於電解液中形成，通常係用質子 酸水溶液，例如0.1 %乙酸水溶液或硫酸水溶液進行。於電 解液中形成鈮電極，可得主成分係氧化鈮之介電質。本發 明之電容器係電解電容器，鈮側爲陽極。 另一方面，本發明電容器之另一電極，有選自有機半 導體及無機半導體的至少1種化合物。有機半導體之具體 例有，苯并吡咯啉四聚物與氯醌所成之有機半導體，四硫 代丁省爲主要成分之有機半導體，四氰奎諾二甲烷爲主要 成分之有機半導體，以含下述一般式（1)或（2)之重複 單元的高分子摻雜摻質之導電性高分子爲主要成分的有機 半導體。

式（1)及（2)中，R1至R4表氫、碳原子數1至6之烷 基或碳原子數1至6之烷氧基，這些可係相同或不同，X表 氧、硫或氮原子，R5表僅當X爲氮原子時存在之氫或碳原 子數1至6之烷基，R1與R2及R3與R4亦可互相結合成環。 本發明中，含上述一般式（1)之重複單元的導電性 局分子，較佳者有含下述一般式（3)之構造單兀件爲重 複單元的導電性高分子。 -13- (10) 1301121

(3) 式中R6及R7各自獨立，表氫原子、碳原子數1至6之直 鍵或分枝飽和或不飽和烷基，或該烷基於任意位置互相結 合形成含2氧元素之至少1以上的5.員至7員飽和烴環。又， 亦包含_h述環有亦可係經取代之亞乙烯結合者，亦可係經 取代之亞乙燦構造者。含如此化學構造之導電性高分子荷 電’並以摻質摻雜。摻質無限制，可用習知摻質。 含式（1)至（3)之重複單元的高分子有例如，聚苯 胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚噻吩、聚呋喃、聚吡咯、聚甲 基哏咯、及這些之取代衍生物、共聚物等。其中以聚吡咯 、聚噻吩及這些的取代衍生物（例如聚（3，4-乙二氧噻 吩）等）爲佳。 無機半導體之具體例有，以二氧化給或二氧化猛爲主 要成分之無機半導體，四氧化三鐵所成之無機半導體等。 如此之半導體可單獨或組合2種以上使用。 上述有機半導體及無機半導體當係使用導電度10_2至 1〇3西門/公分範圍者時，所製作的電容器之阻抗値可爲更 小，高頻時之電容更大。 又當另~*電極係固體時^爲改善與其上部拉出之導線 (例如導線架）的電接觸，可設導電體層。導電體層可由 導電糊之固化、電鍍、金屬蒸鍍、形成耐熱性之導電樹脂 -14- (11) 1301121 膜等形成。導電糊以銀糊、銅糊、鋁糊、碳糊、鎳糊等爲 佳，這些可用1種或2種以上。使用2種以上時，可予混合， 亦可個別成層重疊。施用導電糊後，可放置於空氣中，或 加熱固化。電鍍有鍍鎳、鍍銅、鍍銀、鍍鋁等。蒸鍍金屬 有鋁、鎳、銅、銀等。 具體而言，例如，於另一電極上依序層合碳糊、銀糊 ，以環氧樹脂等材料封裝，構成電容器。該電容器可有與 上述燒結體一體燒結成型，或之後焊接的鈮或鉬導線。 如上構成的本發明之電容器，以樹脂模塑、樹脂殼、 金屬外殻、樹脂浸沾、層合膜之外包裝等包裝，可成各種 用途之電容器製品。 實施例 以下舉本發明之具體例更詳細說明。 本發明粉體之氮化量係用LEKO公司製之氮•氧分析儀 求出。燒結體之CV値係由0.1 %磷酸水溶液中施加20伏特， 於80 °C，3 00分鐘形成後，於30%硫酸中測定之電容，與形 成電壓20伏特之積求出。鈮粉中氧、氮以外元素之含量， Si及P係由ICP-AES、C及S由高頻燃燒/IR，其它元素由 ICP-AES求出。電容器之高溫負荷試驗値係將製作之電容 器放置於85 °C，4伏特1 000小時之電容，以超過原始値的 ± 2 %者之個數表示。該個數愈小則高溫負荷試驗値愈佳。 用以求出CV値，使用該鈮粉的電容器之高溫負荷試驗値 之試樣數，係各例均爲3〇個。 -15- (12) 1301121 實施例1至5、比較例1至3

Ta含量1 20 0質量ppm之鈮塊氫化後濕式粉碎，得平 均粒徑〇·78微米，比表面積4.6平方米/克之鈮粉。添加鎂 、氧化鉻、鎢酸銨至Mg、Zr、W各含量成表1之量。然後 ，該粉體於1 200 °C真空加熱後取出，粉碎後篩分得平均 粒徑90微米，比表面積1.5平方米/克之造粒粉（亦稱二次 粉）。將之放置於400 °C氮氣流中3小時，得部份氮化之 鈮粉。該鈮粉各元素含量係，氮25 00質量ppm、氧32000質 量ppm、氫100質量ppm、氧、氮、氫、Mg、Zr、W及Ta以 外元素之含量40質量ppm以下。將該造粒粉成型爲1.8 X 3.5 X4.0毫米大小（5直徑0.3毫米之鈮線一倂成型作爲導 線）後，於1 3 00 °C，7 X 1 (Γ5帕之減壓下燒結，得比表 面積0.8平方米/克之燒結體。（該燒結體之CV値列於表1 。）該燒結體於0.1%磷酸水溶液中，以80 °C、20伏特於 3 00分鐘形成。其次，燒結體內部之細孔及表面，以過硫 酸銨爲氧化劑、蒽醌磺酸鈉爲摻質，於摻質之存在下，重 複吡咯與氧化劑之反應析出聚吡咯，形成另一電極。更依 序層合以碳糊、銀糊後，用環氧樹脂封裝製成電容器。各 實施例及比較例之測定値列於表1。 實施例6至14、比較例4至12 使用鉬含量各如表1之鈮塊，另一電極以二氧化鉛9 8 質量％，燒結體細孔中以乙酸鉛水溶液及過硫酸銨水溶液 -16- (13) 1301121 重複反應，形成二氧化鉛與硫酸鉛混合物之另一電極。除 此以外如同實施例1至3、比較例1、3製作電容器。而比較 例i 〇、1 1、1 2之Mg、Zr、W的添加’係各以如同實施例1 、2、3之含量爲目標作添加。 實施例1 5至1 9、比較例1 3至1 5 如同實施例1至5、比較例1至3施行。惟鈮粉係以鎂還 原混有五氯化鉬0 · 5 %之五氯化鈮製作。又’氮化係放置於 4 5 0 °C之氮氣流中3小時爲之。 所得鈮粉，平均粒徑在〇 · 5 3至0 · 7 8微米，比表面積7 · 1 平方米/克。所得造粒粉、平均粒徑120微米、比表面積I·7 平方米/克。且氮量8 5 00質量PPm、氧量9000質量ppm、氫 量140質量ppm、氧、氮、氫、Mg、Zr、W及Ta以外元素之 含量在40質量ppm以下。燒結體之比表面積爲} .3平方米/ 克。用之如同實施例1至5、比較例1至3製作電容器。 -17- (14)1301121 [表1] 鈮粉中之元素含量 CV値 微法拉伏 特/克 電容器 電容 微法拉 高溫負荷 試驗値 個 Ta Mg Zr W 實施例1 1200 50 50 25 86000 300 0/30 實施例2 1200 190 150 59 87000 310 0/30 實施例3 1200 220 190 90 86000 305 0/30 實施例4 1200 340 220 190 86000 300 0/30 實施例5 1200 190 380 80 85000 305 0/30 比較例1 1200 420 190 120 86000 295 4/30 比較例2 1200 160 410 30 86000 290 2/30 比較例3 1200 220 160 220 85000 290 6/30 實施例6 350 55 50 30 84000 300 0/30 實施例7 350 200 150 65 85000 305 0/30 實施例8 350 220 180 90 86000 310 0/30 比較例4 350 430 190 120 84000 300 3/30 比較例5 350 230 160 220 84000 3100 2/30 實施例9 2200 60 60 30 86000 310 0/30 實施例10 2200 190 160 60 85000 300 0/30 實施例11 2200 230 210 90 84000 310 0/30 比較例6 2200 430 180 110 86000 300 3/30 比較例7 2200 230 160 220 85000 295 4/30 實施例12 2900 55 55 30 86000 315 0/30 實施例13 2900 200 160 65 86000 315 0/30 實施例14 2900 230 180 90 86000 315 0/30 比較例8 2900 440 180 130 85000 295 3/30 比較例9 2900 230 160 230 86000 295 4/30 比較例10 3300 60 55 30 77000 260 3/30 比較例11 3300 210 170 70 76000 255 3/30 比較例12 220 240 180 100 86000 260 5/30 實施例15 1300 53 57 28 138000 475 0/30 實施例16 1300 190 160 65 135000 475 0/30 實施例17 1300 245 190 90 136000 480 0/30 實施例18 1300 330 210 189 137000 480 0/30 實施例19 1300 185 390 85 138000 470 0/30 比較例13 1300 410 140 110 137000 460 2/30 比較例14 1300 180 430 90 138000 465 3/30 比較例15 1300 220 160 225 137000 460 3/30

-18- (15) 1301121 實施例1至5與比較例1至3，實施例6至8與比較例4、5 、實施例9至1 1與比較例6、7、實施例1 2至1 4與比較例8、 9、實施例1 5至1 9與比較例1 3至1 5、比較例1 0至1 2各作比 較知，如上控制特定金屬之含量於特定量之鈮粉，以之製 作的燒結體及電容器，C V値、電容及高溫負荷試驗値（ 即耐熱性）良好。 發明之效果 本發明提供，收率高，可省時製造電容器之鈮粉，以 該粉體用於電容器，可製造出每單位質量之電容大，耐熱 性佳之電容器。 ·

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Claims (1)

1. 第92 1 09760號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國97年6月1〇日修正 種鈮粉，其特徵爲，Mg及Zr含量各在50至400質 量ppm，W含量在20至200質量ppm，Ta含量在300至3000 質量Ppm，氧、氮、氫、Mg、Z;r、W及Ta以外元素含量在 50質量ppm以下。 2·如申請專利範圍第1項之鈮粉，其中氧含量在4000至 1 00000質量 ppm。 3·如申請專利範圍第1或2項之鈮粉，其中氮含量在20至 200000質量 ppm。 4·如申請專利範圍第丨或2項之鈮粉，其中氫含量在5至 200 質量 ppm。 5·如申請專利範圍第1或2項之鈮粉，其中一次粉之平均 粒徑係〇. 1至5 // m。 6 ·如申請專利範圍第5項之鈮粉，其一次粉造粒成之二 次粉的平均粒徑在50至300// m。 7 ·如申請專利範圍第1或2項之鈮粉，其BET比表面積 在〇·5平方米/g以上40平方米/克以下。 8·如申請專利範圍第1或2項之鈮粉，其CV値在80000至 2 0 0 0 0 0 // F V / g。 9·一種燒結體，其特徵爲，使用如申請專利範圍第1至 8項中任一項之鈮粉 (S ) 1301121 1 0 ·如申I靑專利範圍第9項之燒結體，其比表面積爲〇 · 5 平方米/克至7平方米/克。 1 1 · 一種電容器，其特徵爲，以如申請專利範圍第9或1 0 項之鈮燒結體作爲其一電極，形成於其燒結體表面上之介 電質，及設於上述介電質上的另一電極所構成。 12.如申請專利範圍第11項之電容器，其中介電質之主 要成分係氧化銅。

   1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之電容器，其中另一電極係 選自電解液、有機半導體及無機半導體所成群之至少1種材 料。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之電容器，其中另一電極係 有機半導體，而該有機半導體係選自苯并吡咯啉四聚物與 氯醌所成的有機半導體，以四硫代丁省爲主要成分之有機 半導體，四氰奎諾二甲烷爲主要成分之有機半導體及導電 性高分子所成群之至少1種材料。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之電容器，其中導電性高分 子係選自聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺及該等取代衍生物之至 少1種。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之電容器，其中導電性高分 子係含下述一般式（1)或一般式（2) •1301121

   (1) (2) (式中R1至R4各自獨立，表選自氫原子、碳原子數1至1〇之 直鏈或分枝之飽和或不飽和烷基、烷氧基或烷酯基，或鹵 素原子、硝基、氛基、一'級、一級或二級胺基、C F 3基、苯 基及取代苯基所成群之一價基；R1與R2及R3與R4之烴鏈互相 於任意位置結合，與該基所取代之碳原子一倂形成至少1個 以上之3員、4員、5員、6員或7員環之飽和或不飽和烴的環 狀構造之二價鏈亦可；上述環狀結合鏈亦可於任意位置含羰 基、醚、酯、醯胺、硫醚、亞磺醯、磺醯、亞胺之結合；X表 氧、硫或氮原子，R5係僅於X爲氮原子時存在，獨立表氫或 碳原子數1至10之直鏈或分枝之飽和或不飽和烷基）所示 重複單元之聚合物，爲摻質作摻雜之導電性高分子。 17.如申請專利範圍第16項之電容器，其中導電性高分 子含下述一般式（3)

   (式中R6及R7係各自獨立，表氫原子、碳原子數1至6之直 鏈或分枝之飽和或不飽和烷基，或該烷基互相於任意位置 結合，形成含2個氧元素之至少1個以上5員、6員或7員的飽 -3- 1301121 和烴之環狀構造的取代基；另外，上述環狀構造包含，可經 取代之具亞乙结結合者’可經取代之亞乙嫌構造者）所示 重複單元。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之電容器，其中導電性高分 子係以聚（3 ’ 4-乙二氧噻吩）爲摻質作摻雜之導電性高分 子。 1 9 .如申請專利範圍第1 1項之電容器，其中另一電極係 由至少一部份有層狀構造之材料所成。 2 0.如申請專利範圍第1 1項之電容器，其中另一電極係 含有機·磺酸陰離子作爲摻質之材料。 2 1.如申請專利範圍第1 1至20項中任一項之電容器，其 爲使用於電子電路。 22·如申請專利範圍第11至20項中任一項之電容器，其 爲使用於電子設備。

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