TWI300952B - Bonding method and bonding apparatus - Google Patents

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TWI300952B
TWI300952B TW095100917A TW95100917A TWI300952B TW I300952 B TWI300952 B TW I300952B TW 095100917 A TW095100917 A TW 095100917A TW 95100917 A TW95100917 A TW 95100917A TW I300952 B TWI300952 B TW I300952B
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bump
heating element
heating wire
semiconductor wafer
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Inventor
Hisashi Kaneko
Mie Matsuo
Hirokazu Ezawa
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Toshiba Kk
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1300952 η 九、發明說明： 相關申請案之交叉參考 本申請案係基於並主張在2005年3月15曰提出申請之前 曰本專利申請案第2005_072651號之優先權，該案之全部内 容以引用之方式併入本文中。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種連接方法及一種連接裝置。 【先前技術】 近年來，一種藉由凸塊來連接一半導體晶片與一封裝基 板之方法作為將半導體晶片以高密度安裝於封裝基板上之 方法而備受人們的關注。當使用上述方法來製作半導體器 • 件時，係藉由（例如）將上面形成有凸塊之半導體晶片與封裝 基板對置地設置於該封裝基板上並藉由加熱該半導體晶片 及該封裝基板而熔化該等凸塊，來藉由凸塊連接一半導體 晶片與一封裝基板。 > 同時，具有一 LSI(其在小型化時非常精密）之半導體晶片 具有一多層式導線結構，且一具有低介電常數之層間絕緣 膜和（例如）銅製低電阻金屬導線係用於半導體晶片。然而， 該具有低介電常數之層間絕緣膜與習用之Si氧化膜相比偏 軟一其機械強度（彈性模量）為1/1〇或以下，且在與另一絕緣 膜材料或金屬材料之黏著性方面不良。 因此，當使用上述方法藉由凸塊將一具有高效能LSI之半 導體晶片連接至一封裝基板時，則存在如下問題·凸塊基 部及其周邊處會出現高熱變形且該膜會由於多層導線而出 107836-970402.doc 1300952 現裂紋或剝落。 , 尤其是’―具有小於4.G之比電容率之低介電常數層間絕 緣膜材料在黏著性方面亦偏差，且考慮到環境問題，將構 • &該等凸塊之金屬自以錯㈣為主之材料改變成以錫（Sn) 為主之材料，以致凸塊材料之熔點自12(rc增加至225它， 因而往往出現上述問題。 因此，在使一具有包含一低介電常數層間絕緣膜之多層 導線之半導體晶片與一封裝基板相連接時必需減小熱變 形。亦存在-種已知的連接方法，其藉由將上面形成有凸 塊之半導體晶片置放於經過加熱的封裝基板上以熔化凸 塊’而藉由凸塊連接半導體晶片與封裝基板。然而，其並 • 不能提供有效措施來減小熱變形，此乃因上述大的熱變形 係由於封裝基板冷卻過程中之收縮而在凸塊基部及其周邊 處產生。 亦揭示一種連接方法，其藉由用紅外射線或例如雷射光 • 束等光加熱凸塊與封裝基板之間之接觸部分以熔化凸塊、 同時防止由半導體晶片加熱器件所產生之熱逸散至該封裝 基板，而藉由凸塊連接半導體晶片與封裝基板。然而，此 方法具有一問題：由於光變得難以抵達至半導體晶片中 心，故該方法很大程度上相依於凸塊之佈局。 【發明内容】 根據本發明之一態樣，提供一種連接方法，其包括：在 一第一物體上設置一第二物體，其中一凸塊置於其間，·且 藉由使一加熱元件穿過該第一物體與該第二物體之間以藉 107836-970402.doc !3〇〇952 由忒加熱7〇件熔化該凸塊而藉由該凸塊以電及機械方式連
接該第一與該第二物體，該加熱元件被加熱至構成該凸塊 之材料之熔點或以上。 A 根據本發明之另一態樣，提供一種連接裝置，其包括： 一加熱7G件，其經成為用以熔化一置於待一連接之第一物 ，與-待連接之第二物M之間之凸％;及一移動機構，其
經成為用以移動該加熱元件以使該加熱元件穿過該第一物 體與該第二物體之間。 【實施方式】 (第一實施例） 下文將闡述本發明之—第—實施例。圖K卜根據該實施 例之連接裝置之示意性侧視圖，圖2係—根據該實施例之連 接裝置之示意性平面圖，圖3A係一示意性地顯示根據該實 施例之凸塊之一排列狀態之平面圖’且圖3B係一示意二 示一加熱絲之移動速度與所施加功率之曲線圖。 如圖1及圖2中所示，一連接裝置！係由一固持機構2、加 熱/冷卻機構3、4、一作為一加熱元件之加熱絲5、一張緊 機構6、一移動機構7及一控制器8構成。 ” 固持機構2將凸塊固持於一待連接之第一物體與一待連 接之第二物體之間。於該實施例中，將閣述—使用一封農 基板ιοί作為該第一物體並使用—半導體晶片1〇2作為該第 二物體之實例。該第一物體可係一半導體晶片，而該第二 物體可係一半導體晶片。且該第一物體可係一實裝基板： 而該第二物體可係一封裝基板。 107836-970402.doc -8 - 1300952 封裝基板101係由一玻璃環氧樹脂或AIN形成，且一電極 塾（未顯示）形成於封裝基板1〇1之表面上的一規定位置處。 半導體晶片102係由（例如）一 Si晶片構造而成且具有一多 層式導線結構’該多層式導線結構包括一具有一小於4.0之 比電容率之低介電常數層間絕緣膜及由銅或類似物製成之 低電阻金屬導線。半導體晶片1〇2具有一電極墊（未顯示）及 至少一個凸塊’且在該實施例中有複數個凸塊形成於該電 極塾上。凸塊1 〇3係由諸如以Sn為主之銲料等無鉛銲料形 成’且形成為（例如）一大致球形或一圓柱形。圖1及圖2顯示 具有一大致球形之凸塊1〇3。 凸塊103可形成於封裝基板1 〇丨上或可獨立於封裝基板 101及半導體晶片102而形成。若凸塊1〇3係獨立於封裝基板 101及半導體晶片1〇2而形成，則合意的情形係在封裝基板 101之電極墊上及半導體晶片102之電極墊上實施預處理 (例如’銲藥塗覆），以改善在熔化該等凸塊時之潤濕性。 當半導體晶片102之凸塊1〇3與封裝基板101之電極墊接 觸時’封裝基板101與半導體晶片1〇2之間之距離近似於凸 塊103之鬲度，例如，約100 μιη。 固持機構2係由一用於固持封裝基板101之固持構件2Α及 一固持構件2Β構成，固持構件2Β設置成與固持構件2Α對置 且藉由吸持來固持半導體晶片1〇2。固持構件2Β構造成可垂 直地移動且能夠透過凸塊1〇3抵靠封裝基板1〇1按壓半導體 晶片102。 加熱/冷卻機構3、4分別加熱或冷卻封裝基板1〇1與半導 107836-970402.doc 1300952 體晶片102。加熱/冷卻機構3加熱或冷卻封裝基板ι〇ι且設 置於固持構件2A上。加熱/冷卻機構4加熱或冷卻半導體晶 片102且設置於固持構件窈上。加熱/冷卻機構3、4係由一 加熱機構（例如，一加熱器）及一冷卻機構（例如，一珀爾帖 (peltier)器件）構造而成。 加熱絲5係用來熔化凸塊1〇3且經成為用以在施加功率時 產生熱。具體而言，加熱絲5係由金屬絲或類似物製成，例 . 如為一 W絲。於該實施例巾，闡述一將加熱絲5用作加熱元 件之實例，然而亦可使用一加熱板替代加熱絲5。使用加熱 板具有以下優點：其具有-利於固持之大面積且可容易地 平行移動。 • 可將加熱絲5加熱至構成凸塊103之材料（凸塊材料）之熔 • 點或以上。較佳地，將加熱絲5加熱至一高於凸塊材料熔點 約l〇°C或更高之溫度，但需要考量例如凸塊材料之熔點、 比熱、凸塊數量及類似因素，以平穩地熔化凸塊103。因此， > 合意的情形係，藉由（例如）使用以上事項作為因素實施一實 驗或模擬來確定加熱絲5之最佳溫度。為將加熱絲5設定至 一明顯高於凸塊材料熔點之溫度以減小處理時間，合意的 清^/係，考慮到由於熱輕射而引起的封裝晶片1 〇 1及半導體 晶片102溫度升高及在熔化凸塊時由於凸塊1〇3的溫度大大 升高而產生的凸塊材料蒸氣，對封裝基板1〇1及半導體晶片 102進行冷卻。 施加至加熱絲5之功率可係Dc功率或AC功率，但較佳使 加熱絲5受功率控制。此乃因存在由於在反覆實施該製程時 107836-970402.doc -10- 1300952 加熱絲5的拉伸及加熱絲5與凸塊丨〇3之合金化而使加熱絲$ ， 之電阻值顯著變化的可能性，但功率卻係為熔化凸塊1〇3 所必需的。 • 合意的情形係，加熱絲5具有一 30 μπι或更小的直徑以抑 制加熱絲5接觸封裝基板101或半導體晶片1〇2，此乃因封裝 基板101與半導體晶片1〇2之間之距離約係1〇〇 μιη。更加合 思的情形係，加熱絲5具有一 1〇 ^1111或以上且3〇μιη或以下之 直徑，以方便將功率施加至加熱絲5。若使用加熱板作為加 熱凡件，合意的情形則係，加熱板之厚度為3〇 ^瓜或以下， 且由於上述同樣原因較佳地為1〇 μηι或以上且3〇 或以 下。且合意的情形係，考慮到凸塊1〇3係在熔化後立即固 • 化，該加熱板應之寬度小於各凸塊103之間之距離。換言 之，該加熱板之尺寸使在加熱板移動時加熱板不會延伸超 過兩列凸塊103。 加熱絲5較佳具有抗氧化性，此乃因若加熱絲5被氧化， # 職可能會折斷°具有抗氧化性之加熱絲5之實例包括鍵有
Au之W絲及由Ni合金形成之絲。若加熱絲5不具有抗氧化 性，則合意的情形係在一惰性或還原性氣體氛圍中連接封 震基板1〇1與半導體晶片102。即使當加熱絲5具有抗氧化性 時，亦可在-惰性或還原性氣體氛圍中連接封裝基板ι〇ι 與半導體晶片102。 若加熱絲5對於凸塊材料具有高的潤漏性，則存在隨加軌 絲5移動而熔化之凸塊1〇3會膨脹來跟隨加熱絲以移動的 可能性，因此加熱絲5較佳地係由一對於凸塊材料具有低的 107836-970402.doc -11 - 1300952 潤濕性之材料構造而成。出於同一原因，加熱絲5可由（例 如）一核心W絲或類似物塗佈以一潤濕性低於芯線之材料構 造而成。若該芯線係由（例如）w形成，則可使用TiN、siN、 SiC及類似物作為潤濕性低於芯線之材料。亦可使用其他絕 緣材料一若其潤濕性低於芯線。 張緊機構6拉動加熱絲5之兩端以將適當之張力施加至加 熱絲5。因此，可基本完全地消除加熱絲5之下垂。若使用 .一加熱板作為加熱元件，則不需要設置張緊機構6。 移動機構7使加熱絲5移動，以使加熱絲5穿過封裝基板 1〇1與半導體晶片102之間。移動機構7經成為用以使加熱絲 5大致平行地移動經過封裝基板1〇1與半導體晶片1〇2之間 • 之空間。 * 需要考量（例如）凸塊材料之熔點及比熱與凸塊103之數 量來確定加熱絲5之移動速度。因此，合意的情形係，藉由 (例如）使用以上事項作為因素實施一實驗或模擬來確定加 I 熱絲5之最佳移動速度。 控制器8電連接至加熱/冷卻機構3、4及移動機構7且控制 加熱/冷卻機構3、4及移動機構7，以使封裝基板1〇1及半導 體晶片102具有一合意之溫度且使加熱絲5具有一合意之移 動速度。控制器8經成為用以控制加熱/冷卻機構3、4及機 構7並亦控制整個連接裝置1之運作。 此處，若如圖3A中所示，凸塊103之排列密度因位置而不 同，則合意的情形係，加熱絲5之移動速度或施加至加熱絲 5之功率依據所排列密度而改變。具體而言，如圖3B中所 107836-970402.doc -12- 1300952 示，在凸塊1〇3之排列密度較高之位置冑，降低加熱絲化 ·· 移動速度或增加施加至加熱絲5之功率。且在凸塊1〇3之排 繼較低之位置處’提高加熱絲之移動速度或減小施加 至加熱絲5之功率。 控制器8設置有-輸入部分8A及一儲存部分犯且經成為 用以根據輸人至輸人部分8A之資訊來控制加熱/冷卻機構 3、4及移動機構7。輸入部分犯經成為用以允許輸入封裝基 _ 板101及半導體晶片102之溫度、加熱絲5之移動速度、加熱 絲5之溫度、施加至加熱絲5之功率及凸塊ι〇3之佈局。 儲存部分8B儲存使凸塊103之不同佈局與加熱絲5之移動 速度或施加至加熱絲5的功率相關聯之資訊。具體而言，預 • 先藉由一實驗或模擬來確定適用於每一凸塊103佈局之加 • 熱、冻5移動速度或施加至加熱絲5的功率，且將所獲得之資 訊儲存於儲存部分8B内。由於將所獲得資訊儲存於儲存部 刀8B中，因此將凸塊1〇3之佈局輸入至輸入部分8A，自儲 • 存部分8 B讀取加熱絲5之移動速度或施加至適用於凸塊 1〇3之輸入佈局的加熱絲5之功率，且控制器8可根據所讀取 之移動速度或所施加功率來控制移動機構7及施加至加熱 絲5之功率。即使如上所述凸塊103之排列密度存在位置差 異，亦可在具有凸塊103之排列密度差別之配置及加熱絲5 之移動速度及施加至加熱絲5之功率（其相依於排列密度而 變化）皆儲存於儲存部分8B中時，藉由僅輸入凸塊1〇3之佈 局而依據凸塊1 〇3之排列密度來改變加熱絲5之移動速度及 加加至加熱絲5之功率。 107836-970402.doc -13- 1300952 下文將詳細闡述封裝基板101與半導體晶片ι〇2之連接。 圖4及圖4Β係示意性地顯示根據該實施例連接一封裝基板 與一半導體晶片之狀態的圖式。 首先，將封裝基板101及半導體晶片1〇2之溫度及類似狀 態輸入至輸入部分8Α。於該實施例中，將闡述將封裝基板 101與半導體晶片1〇2在連接時被冷卻至的溫度輸入至輸入 邛为8 Α之實例。當將其輸入至輸入部分8 a時，加熱/冷卻機 • 構3、4冷卻封裝基板101及半導體晶片1〇2，且在控制器8 根據該輸入資訊之控制下將加熱絲5加熱至一合意之溫度。 然後’固持構件2A固持封裝基板ιοί，且固持構件⑼吸 持及固持上面形成有凸塊1 〇3之半導體晶片丨〇2。對齊半導 . 體晶片102以使凸塊1〇3設置於封裝基板101之電極墊上，降 低固持構件2B以使凸塊1 〇3接觸封裝基板1 〇 1之電極墊。由 此’將半導體晶片1 〇2置放於封裝基板1 〇丨上且使凸塊！ 〇3 介於其間。 丨然後，如圖4A中所示，使加熱絲5移動穿過封裝基板ιοί 與半導體基板102之間，其中加熱絲5藉由張緊機構6適當地 張緊。此處，加熱絲5之移動速度係由控制器8來控制。當 加熱絲5與凸塊103接觸時，由加熱絲5所產生之熱加熱並熔 化凸塊103。由於在熔化凸塊1〇3時使加熱絲5移動，故加熱 絲5移動過凸塊1〇3。因此，凸塊103之溫度急劇下降，以致 凸塊103立即固化，且封裝基板1〇1與半導體晶片102藉由凸 塊103相互連接。且各凸塊103接連地熔化並固化，以使封 裝基板101與半導體晶片102藉由凸塊103連接成一個整體。 107836-970402.doc -14- 1300952 於該實施例中’被加熱至構成凸塊1 〇 3之材料之溶點或以 上之加熱絲5穿過封裝基板101與半導體晶片1〇2之間，以由 加熱絲5熔化凸塊103。因此，無論凸塊ι〇3之佈局如何，皆 可熔化凸塊103。且，可在不加熱封裝基板1 〇 1及半導體晶 片102的情形下以電及機械方式使封裝基板1 〇丨與半導體晶 片102猎由凸塊103連接。因此，可減小在連接時產生於凸 塊103内及凸塊103附近之熱變形，且可提供一高度可靠之 半導體器件。 於該實施例中，使加熱絲5穿過封裝基板101與半導體晶 片102之間，同時冷卻封裝基板ι〇1及半導體晶片1〇2，以便 可抑制由於熱輕射而引起的封裝基板1 〇丨與半導體晶片1 之溫度升高。當加熱絲5之移動速度偏低或施加至加熱絲5 之功率偏高時，往往容易發生由於熱輻射而使封裝基板1〇1 及半‘體a曰片1 02之溫度升高。於該實施例中，即使在此一 情形下，亦可藉由冷卻封裝基板1〇1及半導體晶片1〇2來抑 制封裝基板101及半導體晶片102之溫度升高。 於忒實施例中’加熱絲5在被施加適當張力之情形下通過 封裝基板101與半導體晶片1〇2之間之空間。因此，可防止 加熱絲5接觸封裝基板1〇1或半導體晶片1〇2。因此，可防止 由於加熱絲5接觸到封裝基板101或半導體晶片102而使封 裝基板101與半導體晶片102之溫度升高。 於該實施例中，彳藉由如下方式來達成連# :根據凸塊 103之排列密度而至少改變加熱絲5的移動速度或施加至加 熱絲5的功率，以便即使凸塊103之排列密度因位置而存在 107836-970402.doc -15- 1300952 差別時亦可對所有凸塊103均勻地施加適當之熱量。換言 之，若加熱絲5之移動速度恆定或施加至加熱絲5之功率恆 定，則在凸塊103之排列密度較高之位置處施加至一個凸塊 之熱量減少’難以使凸塊1〇3之溫度升高，且難以熔化凸塊 103。同時，在凸塊103之排列密度較低之位置處施加至一 個凸塊之熱量變高，且凸塊1〇3之溫度急劇升高，從而導致 產生凸塊材料蒸氣之可能性。同時，於該實施例中，在凸 塊103之排列密度較高之位置處，可減小加熱絲5之移動速 度或可增加施加至加熱絲5之功率，以便可增加施加至一個 凸塊之熱量。且，在凸塊103之排列密度較低之位置處，可 增大加熱絲5之移動速度或可減小施加至加熱絲5之功率， 以便可減小施加至一個凸塊之熱量。因此，可對所有凸塊 103均勻地施加適當之熱量。 (第二實施例） 下文將闡述一第二實施例。於該實施例中，將闡述一使 一加熱絲穿過一封裝基板與一半導體晶片之間、同時使該 封裝基板及該半導體晶片保持處於半導體晶片運作時之溫 度之實例。 首先，將封裝基板101及半導體晶片1〇2之溫度輸入至輸 入部分8A。此處，所輸入封襞基板1〇1之溫度介於6〇至7〇艽之 範圍内，此乃因在半導體晶片1〇2運作時封裝基板ι〇ι具有 一 60至70°C之溫度。所輪入半導體晶片1〇2之溫度介於85 至15(TC之範圍内’此乃因在半導體晶片ι〇2運作時半導體 晶片1〇2具有-85至150。。之溫度。當將此等溫度輸入至輸 107836-970402.doc -16 - 1300952 入部分8A時，控制器8根據該輸入資訊控制加熱/冷卻機構 3、4，將封裝基板1〇1保持在6〇至7〇。〇，並將半導體晶片ι〇2 保持在85至150°C。 然後，在上述條件下，以一與在上述實施例中相同之方 式對齊半導體晶片102，且將半導體晶片1〇2置放於封裝基 板101上並使凸塊103介於其間。 然後’在張緊機構6對加熱絲5施加一規定程度之張力情 .況下移動加熱絲5，以藉由使其穿過半導體晶片ι〇2與封裝 基板101之間來熔化凸塊1 〇3。 於該實施例中，使加熱絲5穿過封裝基板1 〇 1與半導體晶 片102之間、同時使封裝基板ι〇1與半導體晶片ι〇2保持處於 * 半導體晶片1〇2運作時之溫度，以便可減小在半導體晶片 102運作時產生於凸塊103中與凸塊103附近之熱變形。 應注意，本發明並非侷限於所述實施例，且可適當地改 變及修改各個構件及類似物之結構、材料、配置，此並不 _ 为離本發明之範圍。於該第一實施例中，加熱絲5係穿過封 裝基板101與半導體晶片102之間、同時冷卻封裝基板1〇1 及半導體晶片102，但也可不冷卻封裝基板1〇1及半導體晶 片 102。 【圖式簡單說明】 圖1係一根據一第一實施例之連接裝置之示意性側視圖。 圖2係一根據該第一實施例之連接裝置之示意性平面圖。 圖3 A係一平面圖，其示意性地顯示根據該第一實施例之 凸塊之一排列狀態，且圖⑼係一示意性地顯示一加熱絲之 107836-970402.doc -17- 1300952 移動速度與所施加功率之曲線圖。 圖4A及圖4B係示意性地顯示根據該第一實施例連接一 封裝基板與一半導體晶片之狀態之圖式。 【主要元件符號說明】
1 連接裝置 2 固持機構 2A 固持構件 2B 固持構件 3 加熱/冷卻構件 4 加熱/冷卻構件 5 加熱絲 6 張緊機構 7 移動機構 8 控制器 8A 輸入部分 8B 儲存部分 101 封裝基板 102 半導體晶片 103 凸塊 107836-970402.doc -18 -

Claims (1)

1300952 十、申請專利範圍： i 一種連接方法，其包括： 在第物體上5又置一第二物體，其中凸塊介於其間；及 藉由使一加熱元件穿過該第一物體與該第二物體之間 以由該加熱元件熔化該凸塊，藉由該凸塊以電及機械方 式連接該第一物體與該第二物體’該加熱元件被加熱至 構成該凸塊之材料之熔點或以上。 _ 2·如請求項1之連接方法， 其中當冷卻該第一物體及該第^物體時，_凸塊以電 及機械方式連接該第一物體與該第二物體。 3·如請求項1之連接方法， - 其中至少該第一物體或該第二物體係一半導體晶片， • I當使該第-物體及胃第二物體保持在上述半導體晶片 運:之各自之溫度範圍時，該凸塊以電及機械方式連接 該第一物體與該第二物體。 I 4·如請求項1之連接方法， 其中使該加熱元件形成為具有線性形狀，且當對該加 熱元件施加張力時’該凸塊以電及機械方式連接該第一 物體與該第二物體。 5·如請求項1之連接方法， 其中在施加功率時該加熱元件產生熱，且當根據該等 凸塊之排列松度而改變至少該加熱元件之移動速度或施 加至該加熱元件之該功率時，該等凸塊以電及機械方式 連接該第一物體與該第二物體。 107836-970402.doc 1300952 I 6·如請求項1之連接方法， 其中該第一物體係封裝基板且該第二物體係半導體邊 片，或該第一物體與該第二物體兩者皆係半導體晶片， 或該第一物體係實裝基板且該第二物體係封裝基板。 7 ·如請求項1之連接方法， 其中將該凸塊設置於該第一物體上或獨立於該第一物 體與該第二物體而設置。 8.如請求項1之連接方法， 其中將該加熱元件加熱至高於構成該凸塊之材料之該 熔點10°C或以上之溫度。 ^ 9·如請求項1之連接方法， 其中該加熱元件係加熱絲或加熱板。 10. 如請求項9之連接方法， 其中該加熱絲之直徑或該加熱板之厚度係3〇 pm或更 小〇 11. 如清求項1〇之連接方法， 其中該加熱絲之直徑或該加熱板之厚度係10 μπι或更 大。 12·如請求項9之連接方法， 八中忒加熱絲係由芯線及一材料構成，該材料塗佈於 4心線上並對於構成該凸塊之該材料具有較對於該芯線 之潤濕性為低之潤濕性。 13·如請求項9之連接方法， 其中該加熱絲具有抗氧化性。 107836-970402.doc 1300952 14.如睛求項1之連接方法， 、/、中在^ n或還原性氣體氛圍中藉由該凸塊以電及機 械方式連接該第一物體與該第二物體。 15· —種連接裝置，其包括： 力…、元件其構成為用以熔化介於待連接第一物體與 待連接第二物體之間之凸塊； 一移動機構，其構成為用以移動該加熱元件以使該加熱 凡件穿過該第-物體與該第二物體之間，·及 加熱/冷卻機構，該加熱/冷卻機構係構成為用以獨立地 加熱或冷卻該第一物體與該第二物體。 16.如請求項15之連接裝置， 其進-步包括一控制胃，該第一及該第二物體之溫 度、該加熱元件之一移動速度、該加熱元件之一溫度、 施加至該加熱元件之功率及該等凸塊之一佈局中之至少 任何-者皆可輸人至該控制器，且該控制器根據上述輸 入資訊控制該加熱元件、該移動機構及該加熱/冷卻機構 中之至少任何一者。 17.如請求項15之連接裝置， 其進一步包括固持機構，該固持機構包括構成為用以 固持4第一物體之固持構件及構成為用以固持該第二物 體且可透過該凸塊將該第二物體按壓至該第—物體之固 持構件。 18·如請求項15之連接裝置， 其中該加熱元件加熱至高於構成該凸塊之材料之熔點 107836-970402.doc 1300952 10°C或以上之溫度。 19.如請求項15之連接裝置， 其中該加熱元件係加熱絲或加熱板。
107836-970402.doc 4- 1300952 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：
1 連接裝置 2 固持機構 2A 固持構件 2B 固持構件 3 加熱/冷卻構件 4 加熱/冷卻構件 5 加熱絲 6 張緊機構 7 移動機構 8 控制器 8A 輸入部分 8B 儲存部分 101 封裝基板 102 半導體晶片 103 凸塊 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 107836-970402.doc
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