TWI297144B - - Google Patents

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TWI297144B
TWI297144B TW094110695A TW94110695A TWI297144B TW I297144 B TWI297144 B TW I297144B TW 094110695 A TW094110695 A TW 094110695A TW 94110695 A TW94110695 A TW 94110695A TW I297144 B TWI297144 B TW I297144B
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Description

1297144 九、發明說明： .【發明所屬之技術領域】 • 本發明係關於一種對應數據信號以控制供給至有機 、EL几件之驅動電流的有機EL像素電路。 ^ 【先前技術】 將屬於自％光元件之電場發光（Eiectr〇iuminescence : 以下％ EL)兀件作為發光元件使用在各像素之E]L顯示裝 g ^除具有自發光型之優點外，並具有較薄且消耗電力較小 等優點，故正以作為一種取代液晶顯示裝置（LCD)及crt 荨顯示裝置之顯示裝置受到矚目。 而在將個別控制EL元件之薄膜電晶體（TFT)等開關元 件設置於各像素，且依每像素控制EL元件之主動矩陣型 ㈣㈣matnx type)EL顯示裝置中，{能進行高精細的顯 不 〇 在此主動矩陣型EL顯示I置中，係在基板上向列（卿， 水平）方向延伸有複數條閘極線，並向行（c〇lumn，垂直）方’ 向延伸有複數條數據線及電源線，而各像素係具備有機el 元件、選擇TFT、驅動用TFT及保持電容。藉由選擇問極 線以使選擇TFT導通_)，並將數據線上的數據電壓（電 壓視頻_e。）信號）充電至保持電容，且以該電壓使驅動 TFT導通以使來自電源線的電力流通於有機虹元件。 然而’在此種像素電路中，當配置成矩陣狀的像辛恭 路之驅動TFT的閾值電壓(―v〇hage)不均時，；：
即變成不均，而有顯示品質降低的問題。 X ^ 就構成整 316946 5 1297144 體颁示面板之像素電路的TFT而丄 甘知 而難以防卜m 難以使其特性相同， 、 /、¥通切斷（ON OFF)的閾值不均之情彤 於是，希望防止在驅動TFT中閾值的 ^ 成的影響。 了、頌不造 H在有防止對於TFT之閾 影響的電路方面，以彳主p古夂插AA 4日也 〕又動之 2002-514320號公報）。 日本锊表 二而’在此提案中，必須要有用以 路0因此，#爾从絲+ a丄 又初曰3包
Λ B „ @路4 ’即會有像素電路之元件數iM 二，：：：變广的問題。而且，在追加供補償之用的‘ 題了 ’、曰必須變更用以驅動像素電路之周邊電路的問 【發明内容】 ::明係提供一種能夠有效補償驅動電晶 壓之變動的像素電路。 依據本發明’係在使選擇電晶體導通的狀態下，藉 使短路電晶體導0 1 曰 士 p可將驅動電晶體之控制端電壓設定 數據電壓及驅動電晶體之閾值電壓對應之電壓。因 2不須驅動電晶體之閾值電壓的變動，即可將與數據電 堡對應之驅動電流供給至有機肛元件。 據书 ,包位亡制電晶體之一端係連接於發光設定線。 光设疋線係被設定來自預定電源之電壓，因此該電 t二上不會受到流動於有機EL元件之電流等的影響而 王穩定。於是，pD 7 ^ 、 卩可將驅動電晶體之控制端電壓予以正確 316946 6 1297144 地設定。 並且，由於將驅動電晶體設定成n通道電曰娜，田 電晶體的特性優異，而電B M 日日因此 以形成。再者’即使將電：:插入藉由非晶啊 胆之&制立而之間，仍可利用與將習知之選日 接於Ρ通道驅動電晶體的 日日虹直接連 【實施方式】 ’“一相同極性的數據信號。 以下根據圖式說明本發明之實施形離。 係向實電路之構成。數據、心 (數據電厂堅V邮供給至顯示輝度之數據信號 行的像素設置"条，且:序=二 至垂直方向的像素。 …、數據电屋Vsig供給 在此數據線DL係連接“通道的選擇電晶m 二二擇電晶體T1之源極則係連接於電容：Cs: 立而。廷擇電晶體T1的 合CS的一 極線GL。而在此閘極線GL則連接^ 2平方向延伸之閘 路之選擇電晶體^之閘極。纟有水平方向之各像素電 在此閘極線GL係連接有 之閘極。因此，在選擇電 =电位控制電晶體T2 制電晶體了2即切斷_)= 導通⑽）時’電位控 電位控制電晶體T2即導通。命=電晶體T1為切斷時， 連接於電源線(正電源)PVdd，'空制電晶體T2之源極係 與選擇電晶體Ti之源極。；/則連接於電容器Cs 另外，電源線PVdd亦向垂直方 1297144 向延::將電源電塵™供給至垂直方向的各像素。 電容器Cs的另—俨在、串4立 人曰7 σ像水 之閘極。而,日^ 4、方^通道之驅動電晶體T4 ，連接於η;ζ:之源極則連接於電源線觸， 控制電晶體Τ5 制電晶體T5之祕。驅動 电日曰版Τ5之源極係連接於 而聞極則連接於向水平方向延伸n之_ ’ 有機扯元件扯的陰極係連接^T而且， 源）CV。 廷接於低电壓的陰極電源（負電 再者5在驅ί 1 H Γ·ρ / 路電晶體了3之=:接“通道之短 驅動電S_T4 η ^路“體1"3之源極係連接於 電"τ4’而閘極則連接於閘極線GLe 如此’在本實施形能中 沉、電源線PVdd，且;：；；方=垂/古方向配置有數據線 設定線ES。 白水千方向配置有閉極線GL、發光 其次，說明此像素電路之動作。 定喷IT 1圖所不’此像素電路係與閘極線GL、發光設 =泉ES之㈣（高（H)位準、球)㈣則，具有⑴放電
^訂㈣⑴1^位準，ES=高位準）、（π)重設（reSet)(GL=H 立準’ es=l位準）、(lil)電位固定（gl=l位準，es吐位準）、 (叫發以GL=L位準，ES=H位準）等4個狀態，且重複此* 個狀態。換言之，在使數據線DL之數據有效的狀態下， ⑴進行放電’之後’⑻藉由重設（rese〇,決定電容器& =充電電壓，在㈣將閘極電壓Vg Μ，（ιν)並以與被固 疋之閘極電壓對應之驅動電流使有機EL元件el發光。 316946 1297144 並且，在數據線DL之數據係如圖所示，在（i)放電步 驟之前為有效’在（iii)固定步驟之後為無效。因此5從（i) 放電步驟起至（iii)固定步驟為止係於數據線設定有效的數 據0 以下說明個別的狀態。另外，在第3至第6圖中係以 虛線表示切斷（OFF)之電晶體。 ⑴放電（GL=H位準，ES=H位準）
首先，在對於數據線DL供給數據電壓Vsig的狀態 下，將閘極線GL、發光設定線ES兩方設為Η位準（高位 準）。藉此，選擇電晶體Τ1、驅動控制電晶體Τ5、短路電 晶體Τ3即導通，而電位控制電晶體Τ2即切斷。因此，如 第3圖所示，在電容器Cs之選擇電晶體Τ1侧之電壓 Vn=Vsig的狀態下，來自電源線PVdd之電流即經由驅動 電晶體T4、驅動控制電晶體T5、有機EL元件EL流通於 陰極電源C V 5且措此使保持在驅動電晶體T 4之閘極的電 荷被汲出。藉此，驅動電晶體T4之閘極電壓Vg即成為預 定的低電壓。 (ii)重設（GL=H位準，ES=L位準） 從上述放電的狀態，將發光設定線ES變更為L位準 (低位準）。藉此，如第4圖所示，驅動控制電晶體T5即切 斷，被重設為驅動電晶體T4之閘極電壓Vg=VgO=PVdd 一 I Vtp |。在此，該Vtp係為驅動電晶體T4之閾值電壓。 亦即，驅動電晶體T4係在源極連接於電源PVdd的狀態 下，藉由短路電晶體T3，使閘極汲極間短路，因此該驅動 9 316946 1297144 電晶體T4之閘極電壓係被重設為較電源PVdd僅低驅動電 晶體T4之閾值電壓| Vtp |的電壓後被切斷。此時電容器 Cs之選擇電晶體T1侧的電位Vn=Vsig，至於電容器Cs 則對其予以充電I Vsig—(PVdd— | Vtp | ) |之電壓。 (iii) 電位固定（閘極線GL=L位準，ES=L位準） 其次，將閘極線GL設為L位準，使選擇電晶體T1、 短路電晶體T3切斷（off)，且使電位控制電晶體T2導通 (on)。藉此，如第5圖所示，驅動電晶體T4之閘極即從汲 極被切離。然後，由於電位控制電晶體T2導通，而成為 Vn=PVdd。因此，驅動電晶體T4之閘極電位Vg，係與Vn 的變化對應而位移。另外，在驅動電晶體T4之閘極與源 極之間，由於存在有寄生電容Cp，因此閘極電位Vg會受 到該寄生電容Cp的影響。 (iv) 發光（GL=L位準，ES=H位準） 接著，如第6圖所示，藉由將發光設定線ES設為Η 位準，使驅動控制電晶體Τ5導通，且藉此使來自驅動電 晶體Τ4之驅動電流流通於有機EL元件EL。此時的驅動 電流雖會成為由驅動電晶體Τ4之閘極電壓所決定之驅動 電晶體Τ4的汲極電流，然而此汲極電流與驅動電晶體Τ4 的閾值電壓Vtp將變成無關，而可抑制隨閾值電廢之變動 所產生發光量的變動。 茲根據第7圖說明此情況。 如上所述，（ii)重設後，如圖中〇所示，Vn(二Vsig)係 為Vsig(max)至Vsig(min)之間的值，Vg係從PVdd僅減去 ]〇 3]6946 1297144 驅動電晶體T4之閾值電壓Vtp之電壓VgO。亦即， Vg^VgO^PVdd + Vtp(Vtp < 0) n Vn=Vsig ° 再者，進入（iii)的電位固定時，Vn係從Vsig變化至 PVdd，因此該變化量△ Vg係考慮Cs、Cp的電容，而表示 成△ Vg=PVdd+ Cs(PVdd—Vsig)/(Cs+ Cp)。 因此，Vn、Vg係如圖中籲所示，為Vn=PVdd，Vg=Vtp + Vtp+ Cs(PVdd— Vsig)/(Cs+ Cp)。
在此，由於 Vgs=Vg — PVdd，因此 Vgs=Vtp+ Cs(PVdd —Vsig)/(Cs + Cp) 0 另一方面，汲極電流I係表示成1=(1/2) /5 (Vgs — Vtp)2，將上式代入，汲極電流I即以下式表示。 1-(1/2)/5 {Vtp+ Cs(PVdd-Vsig)/(Cs+ Cp)-Vtp}2 =(1/2)/3 {Cs(PVdd-Vsig)/(Cs+Cp)}2 -(1/2)/3 a (Vsig-PVdd)2 在此，a ={Cs/(Cs+ Cp)}2，冷係為驅動電晶體T4放 魯大率，且石=// ε Gw/Gl， //係為載子的移動度，£為介電常數，Gw為閘極寬 度，G1為閘極長度。 如此，在没極電流I的式中，不包括Vtp，而與Vsig 一 PVdd的2乘方成比例。因此，可排除驅動電晶體T4之 閾值電壓之不均的影響，而達成與數據電壓Vsig對應的發 光。 在上述說明中，僅說明關於1像素的動作。實際上， 顯示面板係將像素配置成矩陣狀，且供給數據電壓Vsig π 316946 1297144 以使各有機EL元件發光，其中該數 … 該等各像素對應之輝度 & l S1 g係與關於 ^ A 泥對應。亦即，如第8圖所干， 頒不面板係設有水平開關電路二 州，藉由該等電路之輪出以控制數ϋ開關電路 其他發光設定線ES等狀態。尤豕水 ^極夂線GL、 係使1條閘極線GL與1❹，而^^方向的各像素， 吉對應而该閘極線GL·係藉由φ 直開關電路VSR而-個一個地依序活性化 = 閘極線GL活性化的bjc平期 “ ’在1條
而腺叙祕+ 間猎由水平開關電路HSR 壓依照點順序供給至所有的數據線 輯寫入1水平線分之像素電路。然後，在各像素; 光。即冒有與寫入到丨垂直期間後之數據電壓對應的發 其次，根據第9圖說明對於！ 數據的順序。 琢π舄入 首先，在用以表示1水平细鬥—日日^ , ϋχΤΏ , &十期間之開始的致能(enable) 白勺“立準之後，依照點順序將數據電壓Vsig寫 入所有的數據線D L。亦即，數據線D L係連接有電容等”、 二由設定/壓信號，以使該數據電壓Vsig保持於數據線 。於疋’藉由將關於各行像素之數據電壓Vsig設定於 依序對應的數據線DL，而將數據電壓Vsig設定 的 數據線DL。
' 然後，在該數據的設定結束的階段，將Hout設為H --位準’並將閘極線GL設為Η位準而使之活性化，且針對 上述1水平方向的各像素進行動作，以進行各像素的數據 316946 12 1297144 寫入、發光。 入數”i d/可依序將通常的視頻信號（數據電壓、）寫 =二且將該信號設定於像素電路㈣
Henb//⑦1G圖說明另—方式。在此例巾，係在致 L位準的期間，將發光設定㈣設為L位準， 升起位準時將閘極線GL設為^位 據喰DL ”此狀恶下’依序將數據電壓㈣設定於數 據線DL。然後，在將數櫨帝 D L時，將發光設定& F ς <二S1 g以於所有的數據線 、'7 S叹為咼位準，以進行上述的放電， 盘，之後將發光設定線Es恢復成L位準。閘極線GL係
^㈣ENB的下降同步恢復成L位準，而在致能線ENB 4 則將致能線ENB恢復為Η位準。藉此，以進 仃人上述之例同樣的動作。 接著說明各種變形例。 (Α)變形例1 第11圖為表示變形例i的構成。在此變形例]中係將 =電曰曰版T1、紐路電晶體T3設為p通道，且將電位 :電晶體Τ2設為η通道。在此種構成中，藉由將間極線 每广Η位準、L位準設成與上述實施形態相反，而使與 貫施形態同樣的動作為可能。 ^ /此又形例1中的閘極線GL、與發光設定線ES之控 ^對X之l擇i晶體T1、驅動控制電晶體之導通與切 斷（〇n5 off)如第12圖所示，係與上述的第2圖所示者相 同。 316946 13 1297144 (B) 變形例2
第13圖為表示變形例2之構成。在此變形例2中，相 較於實施形態的像素電路，係設有專用的控制線CS作為 控制電位控制電晶體T2之用。因此，可藉由控制線CS而 獨立控制電位控制電晶體T2。於是，如第14圖所示，可 藉由控制線CS，於選擇電晶體T1導通之前，使電位控制 電晶體T2切斷，且於選擇電晶體T1切斷之後，與驅動控 制電晶體T5 —同使電位控制電晶體T2導通。 依據此種構成，水平方向的線雖將增加，然而可於最 適當的時序使電位控制電晶體T2導通切斷。亦即，可確 實將短路電晶體T3與電位控制電晶體T2之同時導通的期 間予以消除，且可予以正確的固定閘極電位，而使修正精 確度提升。 另外，第1 5圖係相對於第13圖將電位控制電晶體T2 設為η通道之例，第16圖係將選擇電晶體T1、短路電晶 體Τ3設為ρ通道，將電位控制電晶體Τ2設為η通道之例， 第17圖係將選擇電晶體Τ1、短路電晶體Τ3、電位控制電 晶體Τ2均設為ρ通道之例。 (C) 變形例3 第18圖為另一變形例，係將選擇電晶體Τ1、電位控 制電晶體Τ2連接於閘極線GL，且設置專用的設定線 RST，並將此設定線RST連接於短路電晶體Τ3。在此構成 中，如第19圖所示，係可藉由設定線RST，在選擇電晶 體Τ1的切斷及驅動控制電晶體Τ5的導通之前，先使短路 14 316946 1297144 電晶體T3切斷。 因此，可與變形例2同樣，將電位控制電晶體Τ2、短 路電晶體Τ3之同時導通期間予以消除。藉由此種構成， 配置於閘極線GL附近的電晶體，只要選擇電晶體Τ1.、電 位控制電晶體Τ2兩個即可，而電晶體在像素電路中的佈 局（layout)即變得容易。然而，此時選擇電晶體Τ1、短路 電晶體T3的切斷時序將偏移，而有可能於此時在Vg產生
雜訊。 (D)變形例4 第20圖為又一變形例。在此例中，係將選擇電晶體 T1、電位控制電晶體T2連接於閘極線GL，且將短路電晶 體T3、驅動控制電晶體T5連接於發光設定線ES。在此例 中，係如第21圖所示，從發光狀態起，閘極線GL成為Η 位準，電位控制電晶體Τ2成為切斷，選擇電晶體Τ1成為 導通，而將數據電壓Vsig供給至電容器Cs的一端。此際 短路電晶體T3即切斷，而驅動控制電晶體T5成呈導通。 接下來，發光設定線ES成為L位準，短路電晶體T3成為 導通，驅動控制電晶體T5成為切斷。直到之前瞬間電流 均流動於有機EL元件EL，而驅動電晶體T4之汲極成為 較低的電壓，藉由短路電晶體T3導通，而進行於Vg設定 成PVdd+Vtp的值的重設。之後，發光設定線ES即成為 Η位準，而於短路電晶體T3切斷，驅動控制電晶體T5導 通的階段，閘極線GL即成為Η位準，進行電位的固定及 發光。 316946 1297144
依據此變形例4，藉由在閘極線GL的附近配置選擇 電晶體T1、電位控制電晶體T2，且於發光設定線ES的附 近配置短路電晶體T3、驅動控制電晶體T5，配線的繞線 即變得非常容易。因此，像素電路的佈局即變得容易。然 而，由於選擇電晶體T1與短路電晶體T3的時序偏移，因 此亦有雜訊容易隨之產生的缺點。再者，由於無法設置如 其他構成例的放電步驟，因此亦會有無法充分進行關於驅 動電晶體T4之閘極的電荷的釋放。 (E)變形例5 第22圖為又一變形例。在此例中，係將電位控制電晶 體T2連接於發光設定線ES而非電源PVdd。亦即，在上 述實施形態中，雖係藉由電位控制電晶體T2將電容Cs的 選擇電晶體T1侧與電源PVdd作連接，然而在此例中則是 將電容Cs的選擇電晶體T1侧連揍於發光設定線ES。此 發光設定線ES係於L位準之際設定為VVBB，且於Η位 準之際設定為PVdd。於是，在此電路中，亦可獲得與上述 電路同樣的動作。另外，為了達成上述的動作，由電位控 制電晶體T2所連接之電容Cs的選擇電晶體T1側的對象， 並不以電源PVdd為限。亦即，針對驅動電晶體T4，只要 可獲得適當的位移量，亦可為其他電壓的電源。 以下說明此變形例5的各狀態。 ⑴放電（GL=H，ES=H) 首先，在對於數據線DL供給數據電壓Vsig的狀態 下，將閘極線GL、發光設定線ES兩方設為Η位準（高位 16 316946 1297144 準）。藉此，選擇電晶體ΤΙ、驅動控制電晶體Τ5、短路電 晶體Τ3即導通，而電位控制電晶體Τ2即切斷。因此，如 第23圖所示，在電容器Cs之選擇電晶體Τ1側之電壓 Vn=Vsig的狀態下，來自電源線PVdd之電流即經由驅動 電晶體T4、驅動控制電晶體T5、有機EL元件EL流通至 陰極電源C V ’且猎此使保持在驅動電晶體T 4之閘極的電 荷被汲出。藉此，驅動電晶體T4之閘極電壓Vg即成為預
定的低電壓。 (ii)重設（reset)(GL=H，ES=L) 從上述放電的狀態，將發光設定線ES變更為L位準 (低位準）。藉此，如第24圖所示，驅動控制電晶體T5即 切斷，被重設為驅動電晶體T4之閘極電壓Vg=VgO = PVdd 一 | Vtp |。在此，該Vtp係為驅動電晶體T4之閾值電壓。 亦即，驅動電晶體T4係在源極連接於電源PVdd的狀態 下，藉由短路電晶體T3，使閘極汲極間短路，因此該驅動 |電晶體T4之閘極電壓被重設為較電源PVdd僅低驅動電晶 體T4之閾值電壓| Vtp |之電壓後被切斷。此時電容器Cs 之選擇電晶體T1側的電位Vn=Vsig，至於電容器Cs則對 其予以充電I Vsig—(PVdd— | Vtp | ) |之電壓。 (iii)電位固定（GL=L，ES=L) 其次，將閘極線GL設為L位準，使選擇電晶體ΤΙ、 ' 短路電晶體Τ3切斷(不導通），且使電位控制電晶體Τ2導 -_通。此時’發光設定線ES的電壓為L位準，係設定成與 閘極線GL之L位準之電壓VVBB相同的電壓。因此，Vsig 17 316946 1297144 >Vn>VVBB，如果選擇電晶體T1未成為切斷（不導通）， 則電位控制電晶體T2不會導通。如此，在選擇電晶體T1 切斷之後，由於電位控制電晶體T2導通，因此充電至電 容器Cs之電壓即被維持，而數據電壓不會被破壞。 然後，藉由選擇電晶體T1切斷，電位控制電晶體T2 導通，如第2 5圖所示，驅動電晶體T 4的閘極即從沒極被 切離，且藉由一方電位控制電晶體T2導通，Vn即成為發
光設定線 ES=VVBB+ | VtpT2 | 。 (iv)發光（GL=L，ES=H) 其次，如第26圖所示，藉由將發光設定線ES設為Η 位準，使驅動控制電晶體Τ5導通。而且，藉由將發光設 定線E S的電位設定為Ρ V d d 5驅動電晶體Τ 4的問極電位 即僅位移PVdd — VVBB+ | VtpT2 | 。另夕卜，此時的電壓位 移量會受到驅動電晶體T4的閘極電容Cp的影響。 如此，電壓即位移，且由於驅動控制電晶體T5導通 而使來自驅動電晶體T4的驅動電流流動於有機EL元件 E L。此時的驅動電流雖會成為由驅動電晶體T 4之閘極電 壓所決定之驅動電晶體T4的汲極電流，然而此汲極電流 與驅動電晶體T4的閾值電壓Vtp將變成無關，而可抑制 隨閾值電壓之變動所產生發光量的變動。 並且，電位控制電晶體T2之汲極係連接於發光設定 '線ES。此發光設定線ES雖係於Η位準之際設定為電源電 ·_壓PVdd，然而此發光設定線ES係與用以將電流供給至有 機EL元件EL之電源供給線PVdd各自獨立地接收電源電 18 316946 1297144 壓PVdd的供給。因此，由於各像素之有機EL元件EL的 驅動電流，而使發光設定線E S的電壓幾乎不會變動。因 此，可防止經由電位控制電晶體T2供給至電容器Cs之一 端之位移用的電壓變動而使顯示被擾亂之情況。
例如，電壓位移量△ V g如後述所示，係表示成△ Vg=CS(Vsig-PVdd)/(Cs+Cp)，包括有 PVdd。因此，當 PVdd變動時，△ Vg雖變化，然而在本實施形態中會使該 變化受到抑制。尤其在像素數增加時，該PVdd的變化， 雖會成為串音（crosstalk)或輝度斜率產生的原因，然而依據 本實施形態，可抑制對於該等顯示所造成的影響。 (F) 變形例6 第27圖為表示變形例6的構成。此例基本上雖與變形 .例5相同，然而係將選擇電晶體T1、短路電晶體T3設為 p通道，且將電位控制電晶體T2設為η通道。在此種構成 中，係藉由將閘極線GL之Η、L設成與上述變形例5相 反，而使與實施形態同樣的動作為可能。
(G) 第28圖為表示變形例7的構成。在此變形例7中， 係將電容設定線CS連接於電位控制電晶體Τ2的閘極。再 者，在此例中，係將電位控制電晶體Τ2設為η通道電晶 體。如此，具有作為導通切斷電位控制電晶體Τ2之用之 專用線的電容設定線CS。然後，如第29圖所示，將該電 容設定線CS設為Η位準=VVDD、L位準二VVBB。可防止 電壓Vn位準之一度下降。亦即在第22圖等的實施形態 中，由於閘極線GL與電容設定線CS為共用，發光線ES 19 316946 1297144 非以L位準之時序閉合（close)閘極線GL不可，而電壓Vn 則依 Vsig— VVBB+ | VtpT2 | — PVDD 之方式變化。 在變形例7中，由於可將閘極線GL與電容設定線CS 與發.光線ES之時序個別設定，如第29圖所示，若在發光 線ES成為Η位準後使電容設定線CS導通，電壓Vn不會 一度下降而直接變化成PVDD，可進行更穩定之動作。
另外，在上述實施形態中，各種的電壓最好設定成如 下所示。亦即可將電源線P Vdd設定為P Vdd，發光設定線 ES設定為Η位準=PVdd，L位準=VVBB，閘極線GL設定 為Η位準=VVDD，L位準=VVBB，電容設定線Cs設定為 Η位準=VVDD，L位準=VVBB，陰極電源CV=CV， PVdd=8V，VVDD=10V，VVBB=-2V、CV=-2V 程度。 (H)變形例8 在此變形例8中，如第30圖所示，係採用η通道電晶 體作為驅動電晶體Τ 4。再者’此驅動電晶體Τ 4之源極係 連接於有機EL元件EL的陽極，而汲極則連接於η通道之 驅動控制電晶體Τ 5之源極’該驅動控制電晶體Τ 5之汲極 係連接於電源PVdd。 並且，與閘極線GL同樣設有向水平方向延伸之電容 設定線CS，而於該電容設定線CS係連接有η通道之電位 控制電晶體Τ2。 另外，其他構成基本上係與第1圖的電路相同。 其次說明該像素電路的動作。 如第3 1圖所示，此像素電路（包括數據線DL)，係在1 20 316946 1297144 .,間與閘極線Gl、發光設定線ES、電容設定線CS :之狀態（Η、L)對應，具有⑴數據設定（gl=h，es=l，cs喝、 ' 預充電（GL=H，ES=H，CS=L)、（111)重設（GL=H，ES=L， • (1V)電位固定（〇卜1^，丑3=£，〇3=1〇十）發先（〇1^卜 二cs Η)等5個狀態，且重複此5個狀態。 急並且在數據線DL之數據係如圖所示，在選擇寫入 妒之、、泉的階段中依序將數據設定於該水平線之各行的數 暑# 亦即，係依照每-像素的點順序而將數據對數 二L作輸出。再者，在將數據設定於所有的數據線1)]^ P將及數據（數據電壓）取入各像素電路。 M下說明寫入的動作。 (1)數據設定（GL=H，ES=L，CS=L) :t °又疋务光δ又疋線ES=L位準，將來自電源線PVdd 摆ΓΓ适斷’同時設定電容設定線cs=l位準’以降低選 擇毛晶體T1與電宏Γς夕、_ 4立^ t % /、 之連接”沾的電壓。然後，在此狀態 飞將間極線GT抑i u “ 欠綠本 °又為位準，依序將與數據線DL·對應之 谷像素的數據電壓子以# 妒夕予广 电土于以5又疋。因此，將數據線DL·設定數 據之電麼施加於雷交Γ m & .、 。另外，對於數據線DL·雖依照點 川貞序將數據電壓對於勃摅# ητ
俜遠尨古予 f方、數據線D L作设定’然而各數據線D L 係連接有電容，而使暫時被施加的數_被保持。 ⑻預充電（GL=H，ES=H，CS=L) :定線對於各數據線DL的數據設定之後，將發光設 接方…二’、’…立準。藉&，由於驅動電晶體τ4的汲極連 接方；電源線PVdd，且短路 ，峪电日日肢T3成為導通，因此驅動 3]6946 21 1297144 電晶體T4的閘極即被充電到電源電位PVdd。 (iii) 重設（GL=H，ES = L，CS=L)
之後，將發光設定線E S恢復為L位準，且將驅動電 晶體T4從電源PVdd予以切離。藉此，驅動電晶體T4的 閘極電位即從該源極電位下降到僅施加有閾值電壓Vtn之 補償（offset)的電位。另一方面，由於成為有機EL元件EL 的閾值電壓Ve，因此成為驅動電晶體T4的閘極電壓Vg=Ve + Vtn。而且，此時的電容器Cs的數據線DL侧即成為數 據線DL之數據電壓Vsig。 (iv) 電位固定（GL=L，ES=L，CS=L) 接著，將閘極線GL設定為L位準，且使選擇電晶體 T1、短路電晶體T3切斷。藉此，如第32圖所示，即固定 為驅動電晶體T4之閘極電壓Vg=Ve + Vtn。此時，電容器 Cs之相反側的電壓係為Vsig，至於電容器CS，則對其進 行充電 Vsig—Vg=Vsig—(Ve+Vtn)的電壓。 (v) 發光（GL=L，ES=H，CS=H)
在電位被固定之後，將發光設定線ES及電容設定線 CS設為Η位準。藉此，如第30圖所示，電容器Cs的選 擇電晶體T1侧之電壓即成為PVdd，因此驅動電晶體T4 的閘極電壓Vg=PVdd—Vsig+Ve+Vtn。然後，由於驅動 控制電晶體T 5亦成為導通’因此驅動電晶體T 4即使與該 閘極源極間電壓Vgs對應的電流流通，且將該電流供給至 有機EL元件EL。在此，驅動電晶體T4之源極電位Vs=Ve + I · R。在此，I係流動於有機EL元件EL之電流值，R 22 316946 1297144 機EL兀件EL之導通電阻。因此’驅動電晶體丁4之 源極間電壓VWdd-Vsig+vtn_ r · R。 '的而：機肛兀件弘之導通電阻R可藉由將有機EL元件 得極有機ei^件的有機層變薄’而使其變 β(ν 由於驅動電晶體Τ4的汲極電流I係由1=(1/2) =將… T4。另’豕电[Vsig對應之電流流通至驅動電晶體 卜，/5為驅動電晶體了 GWGi係载子的方文大羊^表不成 寬度，⑺係閘極長度…^係介電常數，Gw係閘極 =其驅動電晶體T4之閘 數據電壓Vsig從pVd ]电k Vgs係根據將 壓％可利用與直接_二^座而決定。因此’數據電 數據電壓VSlg相同者 、迢之驅動電晶體之閘極的 電路作成與習知相同的構成可將用以驅動數據線沉之 接著，根據第34圖却 數據的順序。 ” 1水平線内之各像素寫入 f A，在用以多-
的L之後，依照點；^ ㈣之開始的致能信號ENB DL。亦即，數據崎m 笔壓㈣寫入所有的數據線 號，以使該m ^連接有電容等’藉由設定電厂堅信 將關於各行像素之呆持於數據線DL。於是，藉由 線DL· ,而將數據 电垒Vs]g設定於依序對應的數據 然後，在4; g設定於所有的數據線DL。 束该數據的設定的階段，將發光設定線別 316946 23 1297144 設為Η位準進行預右帝 •為L位準以進行重#^於之後將發光設定線ES恢復
位準，固定像辛-二 错由將閘極線GL恢復為L 口疋像素电路内之電容器Cs的充電電麼， 後稭由將電容設定線cs設 、 的F甲1 Μ π 4夕、 為 位準而使驅動電晶體Τ4 夕’以於該水平線的所有像素中進行發光。 如此，即可依序將通常的視 入數據、線DLUm—⑷。號（數據電昼Vs社寫 ° 又疋於像素電路而使其發光。 如乐3 0圖所示，最好 (薄膜電㈣：m&n s使射：像素電路之電晶體 之特性係較P通道電晶&為；1：4運電晶^通道電晶雜 動層設為非晶石夕，亦可充二因即使將電晶體之主 即可不須予以多U 1 °〜L主動層方面， 、， 夕日日矽化之處理而改善良率。 即使在選擇電晶體丁1與驅動電晶體T4之 之間插入電交哭+ 私电日日μ之閘極 連接於P通、首Γ ’’、可利用與將習知之選擇電晶體直接 號。〈之驅動電晶體之控制端時相同極性的數據信 (I)變形例9 第35圖為表示變形例9之 中，電位控制電曰辦山素電路之構成，在此例 邱而非電^二 （沒極）係連接於發光設定線 例相同的作用。而且，以電 亦〜與弟1圖之 PVdd，铁而筱土 源而έ雖係連接於相同的 …、而兔光設定線Es係與電 相較於對於有機EL元件E -pVdd為個別的線， 會有電壓變動 / L|e動供給之電源線PVdd，不 動，而可獲得穩定的動作。亦即，在設定藉由 316946 24 I297l44 不會有受到電源線 兔位控制電晶體T2之電壓Vn之際，
Vdd之電壓降之影響的情況。 【圖式簡單說明】 :1圖為表示實施形態之像素電路之構成圖。 第2圖為說明動作之條圖。 第3圖為說明放電（(jiscllarge)步驟之圖 第4圖為說明重設（reset)步驟之圖。
第5圖為說明電位固定步驟之圖。 第6圖為說明發光步驟之圖。 第7 的狀態圖 圖為說明自重設起在電位固定步驟中之電位變化 第8圖為表示面板的整體構成圖。 第9圖為表示數據設定之時序例圖。 弟1 〇 Q為表示數據設置之另一時序例圖。 第11圖為說明變形例1之構成圖。 第12圖為表示變形例1之驅動狀態圖。 第13圖為說明變形例2之構成圖。 第14圖為表示變形例2之驅動狀態圖。 第1 5圖為表示變形例2之另一構成圖。 第16圖為表示變形例2之又一構成圖。 第1 7圖為表示變形例2之再一構成圖。 第1 8圖為表示實施例3之構成圖。 第1 9圖為表示變形例3之驅動狀態圖。 第20圖為表示變形例4之構成圖。 316946 25 祕 1297144 第21圖為表示變形例4之驅動狀態圖。 - 第22圖為表示實施例5之像素電路之構成圖。 . 第23圖為說明變形例5之放電步驟圖。 - 第24圖為說明變形例5之重設步驟圖。 第25圖為說明變形例5之電位固定步驟圖。 第26圖為說明變形例5之發光步驟圖。 第27圖為說明變形例6之構成圖。 ^ 第2 8圖為表示變形例7之像素電路之構成圖。 第29圖為說明變形例7之動作條圖。 第30圖為表示變形例8之像素電路之構成圖。 第31圖為說明變形例8之動作條圖。 第32圖為說明變形例8之數據的寫入圖。 第33圖為說明變形例8在發光時的圖。 〇 第34圖為表示變形例8之數據設定之時序例圖 第35圖為表示變形例9之像素電路之構成圖。 %【主要元件符號說明】
Cp CS CV EL ES G1 HSR PVdd 電容器 數據線 致能（enable)信號 閘極線 閘極寬度 寄生電容 Cs
控制線、電容設定線 陰極電源（負電源）DL 有機EL元件 ENB
發光設定線 GL 閉極長度 Gw 水平開關電路 電源線（正電源）、電源電壓、電源電位 316946 26 1297144
RST 重設線 Τ1 選擇電晶體 T2 電位控制電晶體 Τ3 短路電晶體 T4 驅動電晶體 Τ5 驅動控制電晶體 TFT 薄膜電晶體 Ve 閾值電壓 Vg 閘極電壓、閘極電位 Vgs 閘極源極間電壓 Vn 選擇電晶體 T1 側之電壓 VSR 垂直開關電路 Vs 源極電位 Vsig 數據電壓 Vtn 閾值電壓 Vtp 閾值電壓 β 載子的移動度 ε 介電常數
27 316946

Claims (1)

  1. 1297144 十、申請專利範圍 1 · 一種用於有機EL面板之像素電路，係具有·· 將與控制端之電位對應之驅動電流供給至有機el 元件之驅動電晶體； 插入配置於預定之電源與前述有機EL元件之間， 且使前述驅動電流導通或切斷（0n-0ff)之驅動控制電曰 體； 曰曰 用以控制是否使前述驅動電晶體為二極體連接之 短路電晶體； 、、用以控制是否將來自數據線之數據信號供給至前 述驅動電晶體之控制端之選擇電晶體； 插入配置於該選擇電晶體與前述驅 制端之間的電容；以及 ^ 刪容之前述選擇電晶體侧與前述預定之電源 γ的連接予以導通或切斷之電位控制電晶 (修正本)316946 28 1297144 λ 第94110695號專利申請案 .如申請專利範圍第2項之沐 （96年！2月Μ曰3 路，其中， ；有機EL面板之像素電 t述驅動電晶體係為？通 •如申請專利範圍第】項 " 路，其中， 用於有機EL·面板之像素電 前述=2晶體係將2個被控制端之-端連接於 = 制電晶體’而將另—端連接於前述有機EL 6.如申請專利範圍第5項 路，其中， 唄之用於有機EL·面板之像素電 前述電位控制電晶體孫祐二 ㈣容之前述選擇電 7如由〇 之間的連接予以導通或切斷。 申印專利範圍第5項之用於古 路，其中， 唄之用於有機EL面板之像素電 8 __電晶體係為n通道電晶體。 .:申：:利範圍第1項之用於有機EL面板之像素電 路，其中， 係具有連接於前述選擇電晶體之控制端，且用以控 制则擇電晶體之導通切斷之控制線， I 乂而^制線亦連接有前述短路電晶體之控制端，並 斷。1 擇电日日體與前述短路電晶體係同時導通或切 申明專利範圍第丨項之用於有機el面板 '路，其中， (修正本)316946 29 1297144 係具有連接於前摆曰 （96年12月19T: 制今、+、^ + 込擇電晶體之控制端，且用以控 制别述侧晶體之導通或切斷之控制線， 而該控制線亦遠接古& 端，並且二、十、、$/ j述電位控制電晶體之控制 細，並且别述選擇電晶體盥 方道、s π士口 體〃、剛述電位控制電晶體係在一 方導通時另一方即切斷。 你 1〇.:=利範圍第1項之用於有…板之像素電 制前擇電晶體之控制端，且_ &擇電日日體之導通或切斷之控制線， =控制線亦連接有前述短路電晶體及前 控制電晶體之控制端， ^剷迟&擇书晶體與前述短路電晶體係同時導 通切畊，而前述選擇雷S舻 ‘ 、 一 禪冤日日體與則述電位控制電晶體係在 —方V通時另一方即切斷。 範圍第1項之用於有機EL面板之像素電 路，其中， +前述驅動控制電晶體係藉由發光設定線控制導通 切斷， 曰别述電位控制電晶體係使前述電容之前述選擇電 二體與刖述發光設定線之間的連接導通或切斷。 申明專利範圍第U項之用於有機仙面板之像素電 路，其中， =具有·連接於前述選擇電晶體之控制端，且用以 二制刚述選擇電晶體之導通切斷之控制線， (修正本)316946 30 1297144 在此控制線亦連接有前、十、φ y (96年12月19曰） ^，亚且前述選擇電晶體盥 利 今从撞χ ^ ，、剛述電位控制電晶體係互補 式地導通或切斷。 铺 13·如申請專利範圍第u項 路，其中， 貝之用於有機EL面板之像素電 係具有：連接於前述選擇電晶體之控制端，且用以 "巧述選擇電晶體之導通切斷的控制線， 剛述係在藉由前m線使選擇電晶 -¥通之後，設定成使發紐制電晶體切斷之電壓，並 在藉由前述控職使選擇電晶體切斷之後，設定成使驅 動控制電晶體導通之電壓。 μ·如申請專職圍第12項之用於有機EL面板之像素電 路，其中， 前述控制線亦連接有前述短路電晶體之控制端，並 且前述選擇電晶體與前述短路電晶體係同時導通切斷。 15· 一種有機EL面板之像素電路之驅動方法，其中， 前述像素電路係包括： 將與控制端之電位對應之驅動電流供給至有機EL 元件之驅動電晶體； 插入配置於預定之電源與前述有機EL元件之間， 且使别述驅動電流導通切斷之驅動控制電晶體； 用以控制是否使前述驅動電晶體為二極體連接之 短路電晶體； 用以控制是否將來自數據線之數據信號供給至前 (修正本)316946 31 ,1297144 第94110695號專利申請案 、、 （96 年 12 月 19 曰） 述驅動電晶體之控制端之選擇電晶體； 插入配置於該選擇電晶體與前述驅動電晶體之控 i 制端之間的電容；以及 - 使該電容之前述選擇電晶體側與前述預定之電源 之間的連接導通切斷之電位控制電晶體， 前述驅動方法係具有： 使選擇電晶體及短路電晶體導通，並使電位控制電 曰曰體切k/f同日守在將前述電容之選擇電晶體側之電壓設 — 為數據信號之電壓的狀態下，相對於驅動電晶體之被控 . 制端之一方的電壓’將驅動電晶體之控制端電壓設定成 差異有相當於驅動電晶體之閾值電壓的電壓之重設步 驟，以及 使選擇電晶體、短路電晶體切斷，並使電位控制電 晶體導通，以將驅動電晶體之控制端電壓設定成數據信 號之電壓以及與驅動電晶體之閾值電壓對應的電壓，且 使驅動控制電晶體導通，以使來自驅動電晶體之驅動電 流流通於有機EL元件之發光步驟。 16·如申睛專利範圍第15項之有機EL面板之像素電路之 驅動方法，其中， 作為則述重設步驟之前步驟，係將前述選擇電晶體 及短路電晶體設為導通，電位控制電晶體設為切斷，前 ^述驅動電晶體設為導通，以使前述驅動電晶體之控制端 • 的電荷釋出之放電步驟。 32 (修正本)316946
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413964B (zh) * 2008-05-30 2013-11-01 Sony Corp 電子電路及具有其之面板

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4036209B2 (ja) * 2004-04-22 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
KR100590068B1 (ko) * 2004-07-28 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치와, 그 표시 패널 및 화소 회로
JP2006106141A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ画素回路
US8629819B2 (en) * 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR100624137B1 (ko) * 2005-08-22 2006-09-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법
EP1777689B1 (en) * 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
JP5013697B2 (ja) * 2005-10-19 2012-08-29 三洋電機株式会社 表示装置
JP2007148222A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
US8325118B2 (en) * 2006-05-30 2012-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha Electric current driving type display device
JP4984715B2 (ja) * 2006-07-27 2012-07-25 ソニー株式会社 表示装置の駆動方法、及び、表示素子の駆動方法
JP4259592B2 (ja) * 2006-09-13 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR101295876B1 (ko) * 2007-01-17 2013-08-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
KR100858618B1 (ko) * 2007-04-10 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR100873078B1 (ko) * 2007-04-10 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 및 그의구동방법
JP5330232B2 (ja) * 2007-04-27 2013-10-30 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 画像表示装置およびその駆動方法
KR101472124B1 (ko) * 2007-08-10 2014-12-15 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 화소, 그를 포함한 전계 발광 패널, 그 전계발광 패널을 구동하는 구동 장치 및 방법
KR100922071B1 (ko) 2008-03-10 2009-10-16 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
JP5214384B2 (ja) * 2008-09-26 2013-06-19 株式会社東芝 表示装置及びその駆動方法
KR101509113B1 (ko) 2008-12-05 2015-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
US9370075B2 (en) * 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
EP2453432B1 (en) * 2009-07-10 2017-02-15 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR101058107B1 (ko) * 2009-09-14 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치
KR101030002B1 (ko) * 2009-10-08 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로 및 이를 이용한 유기전계발광 표시 장치
TWI433111B (zh) * 2010-12-22 2014-04-01 Univ Nat Taiwan Science Tech 有機發光二極體的畫素單元及具有其之顯示面板
CN102651191A (zh) * 2011-06-02 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 补偿电路、显示驱动装置和amoled显示装置
CN102654972B (zh) * 2011-06-21 2015-08-12 京东方科技集团股份有限公司 有源矩阵有机发光二极体面板及其驱动电路与方法
TWI455105B (zh) * 2012-01-16 2014-10-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 顯示面板
CN102456319A (zh) * 2012-02-15 2012-05-16 福州华映视讯有限公司 画素电路及其驱动方法
CN102651198B (zh) * 2012-03-19 2015-04-01 京东方科技集团股份有限公司 Amoled驱动电路、方法和amoled显示装置
CN102682705B (zh) * 2012-06-06 2014-05-28 四川虹视显示技术有限公司 Amoled像素驱动电路
CN102682706B (zh) * 2012-06-06 2014-07-09 四川虹视显示技术有限公司 一种amoled像素驱动电路
KR101411619B1 (ko) * 2012-09-27 2014-06-25 엘지디스플레이 주식회사 화소 회로와 그 구동 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN103336397B (zh) * 2013-07-01 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
JP6187039B2 (ja) * 2013-08-29 2017-08-30 ソニー株式会社 表示パネル、その駆動方法、および電子機器
CN104575369B (zh) * 2013-10-21 2017-07-25 上海和辉光电有限公司 像素驱动电路及显示装置
CN103700342B (zh) * 2013-12-12 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 Oled像素电路及驱动方法、显示装置
CN103714780B (zh) 2013-12-24 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 栅极驱动电路、方法、阵列基板行驱动电路和显示装置
CN103730089B (zh) 2013-12-26 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 栅极驱动电路、方法、阵列基板行驱动电路和显示装置
CN103714781B (zh) * 2013-12-30 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 栅极驱动电路、方法、阵列基板行驱动电路和显示装置
CN104157234A (zh) * 2014-01-17 2014-11-19 北京京东方光电科技有限公司 像素单元驱动电路及方法、显示装置
CN104036729B (zh) 2014-06-09 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN104050917B (zh) * 2014-06-09 2018-02-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN105225636B (zh) * 2014-06-13 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
CN104575378B (zh) * 2014-12-23 2017-07-28 北京大学深圳研究生院 像素电路、显示装置及显示驱动方法
CN104751798B (zh) 2015-04-10 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、显示装置和像素驱动方法
CN106486051B (zh) * 2015-08-25 2020-07-31 群创光电股份有限公司 像素结构
CN106782339A (zh) * 2017-02-28 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN107507567B (zh) 2017-10-18 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种像素补偿电路、其驱动方法及显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229506B1 (en) 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
EP0978114A4 (en) 1997-04-23 2003-03-19 Sarnoff Corp PIXEL STRUCTURE WITH LIGHT EMITTING DIODE AND ACTIVE MATRIX AND METHOD
JP4300635B2 (ja) 1999-07-22 2009-07-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 固体撮像装置
CN1658266A (zh) 2000-07-07 2005-08-24 精工爱普生株式会社 驱动电流驱动元件的驱动电路及其方法
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
JP2002351401A (ja) * 2001-03-21 2002-12-06 Mitsubishi Electric Corp 自発光型表示装置
KR100923353B1 (ko) * 2002-12-27 2009-10-22 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시장치 및 그 구동방법
US7145455B2 (en) * 2004-08-18 2006-12-05 Honeywell International, Inc. MEMS based space safety infrared sensor apparatus and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413964B (zh) * 2008-05-30 2013-11-01 Sony Corp 電子電路及具有其之面板

Also Published As

Publication number Publication date
US7339562B2 (en) 2008-03-04
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CN100593185C (zh) 2010-03-03
US20050243036A1 (en) 2005-11-03

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