TWI296965B - Method to control movement of a body for nano-scale manufacturing - Google Patents

Method to control movement of a body for nano-scale manufacturing Download PDF

Info

Publication number
TWI296965B
TWI296965B TW094117822A TW94117822A TWI296965B TW I296965 B TWI296965 B TW I296965B TW 094117822 A TW094117822 A TW 094117822A TW 94117822 A TW94117822 A TW 94117822A TW I296965 B TWI296965 B TW I296965B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
axes
spaced apart
inner frame
template
Prior art date
Application number
TW094117822A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200606010A (en
Inventor
Byung-Jin Choi
Sidlgata V Sreenivasan
Original Assignee
Molecular Imprints Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Molecular Imprints Inc filed Critical Molecular Imprints Inc
Publication of TW200606010A publication Critical patent/TW200606010A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI296965B publication Critical patent/TWI296965B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B29C2043/023—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves
    • B29C2043/025—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves forming a microstructure, i.e. fine patterning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
    • B29C2043/585—Measuring, controlling or regulating detecting defects, e.g. foreign matter between the moulds, inaccurate position, breakage
    • B29C2043/5858—Measuring, controlling or regulating detecting defects, e.g. foreign matter between the moulds, inaccurate position, breakage for preventing tilting of movable mould plate during closing or clamping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T74/00—Machine element or mechanism
    • Y10T74/20—Control lever and linkage systems
    • Y10T74/20207—Multiple controlling elements for single controlled element
    • Y10T74/20341—Power elements as controlling elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T74/00—Machine element or mechanism
    • Y10T74/20—Control lever and linkage systems
    • Y10T74/20207—Multiple controlling elements for single controlled element
    • Y10T74/20341—Power elements as controlling elements
    • Y10T74/20348—Planar surface with orthogonal movement and rotation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T74/00—Machine element or mechanism
    • Y10T74/20—Control lever and linkage systems
    • Y10T74/20207—Multiple controlling elements for single controlled element
    • Y10T74/20341—Power elements as controlling elements
    • Y10T74/20354—Planar surface with orthogonal movement only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Transmission Devices (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

1296965 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明之領域概括性地相關於定向裝置。更特別地， 5本發明是關於適用於壓印微影技術的定向平臺以及其使用 方法。
mf J 發明背景 微製造技術包含極小結構的製造，例如具有微米或更 10小等級的特徵。微製造技術會對其產生很大影響的一個領 域是積體電路加工產業。隨著半導體加工產業持續追求更 大的產能，同時要增加形成於基材上的單位面積電路之際 ，微製造變得日益重要。微製造技術提供更好的製程控制 ’同樣地也容許所形成的結構在其最小特徵尺寸 15 feature dimension)上更為縮小。其他採用微製造技術的發展 領域包括生物技術、光學技術、機械系統以及相同性質的 產業。
一例示性微製造技術通常係指壓印微影技術，並詳述 於許多刊物中，比如美國公開專利申請案第2004/0065976 20 號，發明名稱為 METHOD AND A MOLD TO ARRANGE FEATURES ON A SUBSTRATE TO REPLICATE FEATURES HAVING MINIMAL DIMENSIONAL VARIABILITY ;第 2004/0065252號，發明名稱為METHOD OF FORMING A LAYER ON A SUBSTRATE TO FACILITATE 1296965 FABRICATION OF METROLOGY STANDARDS ；第 2004/0046271號，發明名稱為METHOD AND A MOLD TO ARRANGE FEATURES ON A SUBSTRATE TO REPLICATE FEATURES HAVING MINIMAL DIMENSIONAL 5 VARIABILITY，所有這些專利申請案都已讓與給本發明的 受讓人。如上述公開專利申請案之各案所教示的，一個例 示性壓印微影技術包括在可聚合層中形成一凸現圖案 (relief pattern)，並將該圖案轉印至底層基材，在基材中形 成一凸現圖像。為此，一模板(template)被應用來接觸存在 10 於基材上的可成型液體。該液體經固化形成一固化層，其 中冗錄有一和模板表面形狀相一致的圖案。接著，基材和 固體層經過加工，將一一和固化層中的圖案一致的凸現圖 像轉印至基材中。 所希望的是適當地將模板對準基材，以便獲得基材和 15模板之間的適當定向。為此，典型地係將一定向平臺和壓 印说影系統包括在一起使用。一個例示性定向裝置見於核 發給Bailey等人的美國專利第6,696,22〇號。定向平臺使模板 易於對要被壓印的基材進行對準和定向。定向平臺包含一 個頂部框架（top frame)和一個具有數個導向軸的中間框架 2〇 (middle frame)，該複數導向軸之間設置有複數個滑塊。一 個具有基板的外罩連接在中部框架上，其中該複數個滑塊 沿導向軸移動以便為連接於外罩上的模板提供垂直平移。 複數個傳動裝置連接在基板和一撓曲環之間，其中該傳動 裝置可受控制以達成撓曲環的移動，從而容許撓曲環在垂 !296965 直方向上的移動以便控制模板和基材之間所界定的空隙。 因此’提供一種改良的定向平臺及其使用方法有其需 求。 、 C 明内容】 5 發明概要 本發明是關於-種控制連接於一傳動系統上的基體之 運動的方法和系統，在於，透過相對於兩個隔開的轴在該 傳動系統中傳遞角移動，以使該基體在一延伸平面内平移 運動。明確地說，旋轉運動發生在兩個隔開的平面内，= 10中-個平面是平行於該基體在其中移動的平面而延伸。這 會促成該基體相對於-與其隔開的表面形成適當的定向。 這些和其他的實施例在後文中有更詳細的討論。 圖式簡單說明 第1圖疋依據本發明之一定向平臺的爆炸透視圖，揭示 15 一模板夾具和一模板； 第2圖是第1圖所示的定向平臺之透視圖； 第3圖是依據本發明第一個實施例之包括在第1圖所示 的定向平臺中之被動式順應性裝置，和模板支架與模板的 爆炸透視圖； 2〇 所示的被動式順應性裝置之詳細透視圖； 第5圖是第4圖所示的被動式順應性裝置之側視圖，揭 示被包括在其内的轉動接點的細節； 第6圖疋第4圖所示的被動式順應性裝置之側視圖； 第7圖疋第6圖所示的順應性裝置旋轉90度的側視圖； 1296965 第8圖是第6圖所示的順應性裝置旋轉18〇度的側視圖； 第9圖是第6圖所示的順應性裝置旋轉27〇度後之的側 視圖； 第10圖是依據本發明之另一個實施例的順應性裝置之 5透視圖； 第11圖是第1圖所不的、和基材相重疊的模板之簡化立 面圖，顯示沿一方向上的偏差（misalignment); 第12圖是第11圖所示的模板和基材之俯視圖，顯示沿 兩個橫向上的偏差； 10 第13圖是第11圖所示的模板和基材之俯視圖，顯示角 向偏差（angular misalignment); 第14圖是第1圖所示的、和基材相重疊的模板之簡化立 面圖，顯示角向偏差； 第15圖是第11圖、第12圖、第13圖和第14圖中所示的 15模板和基材之間所希望的對準之簡化立面圖； 第16圖是第1圖、第3圖、第11圖、第12圖、第13圖、 第14圖和第15圖中和基材相重疊的模板的一個實施例之詳 細圖；以及 第17圖是第16圖所示的模板之詳細圖，顯示相對於基 20材所希望的空間配置。 【實施今式】 較佳實施例之詳細說明 蒼看第1圖，圖中揭示一定向平臺10,其具有一内框架 12，配置在鄰w 处一外框架14處，一撓曲環(flexure ring)16 ^296965 和一順應性裝置18。順應性裝置18在後面會有更詳細的討 論。定向平臺10可以由任何合適的材料形成，例如，鋁， 不銹鋼以及類似材料，也可以使用任何合適的方法連結在 一起，例如螺紋緊固件(threaded fastenws)(未示出）。一模 5板夾具20連結在定向平臺10上，在第2圖中顯示的更清楚。 明確地說，模板夾具20連結在順應性裝置18上。模板夾具 20係配置來支承模板22 ’如第1圖所示。一個例示性模板爽 具見於美國公開的專利申請案第2004/0090611，發明名稱 為 “Chuck System for Modulating Shapes of Substrate，，，該專 1〇利申請案已轉讓給本發明的受讓人，且已併入本文中以供 參考。模板夾具20連結在順應性裝置18上，可以使用任何 合適的方式，比如可以使用螺紋緊固件（未示出）把模板夾具 20的四個角部連結到鄰近的順應性裝置18的四個角部。 參看第1圖和第2圖，内框架12具有一個被表面乃環繞 5的中央通道24，而外框架Μ有一個與中央通道24相重疊的 中央開口 26。撓曲環16有一個環形形狀，例如圓形或橢圓 形，並連結至内框架12和外框架14上，且位於中央通道24 和中央開口 26之外。明確地說，撓曲環16和内框架以連結 於。卩位28 ’ 30和32處’和外框架14連結於部位34，36和38 2〇處。部位34配置在部位28和30之間，且與兩者等距；部位 36配置於部位30和32之間，且與兩者等距；而且部位邡配 置於部位28和32之間，並與兩者等距。利用這種方式，撓 曲環16環繞著順應性裝置18，模板爽具2Q和模板22，並把 内框架12固定地連接到外框架14上。順應性裝置18的四個
9 1296965 角部27可使用螺紋緊固件(未示出）固定至表面25上。 定向平量1〇是配置成用於控制模板22的運動，並且把 板板22相對於一個參考平面（未示出）配置成一希望的空間 關係。為此’複數個傳動裝置40，42和44被連接於外框架 5 14和内框架12之間，以便在定向平臺10周圍間隔開來。每 個傳動裝置40，42和44都有一第一端46和一第二端48。傳 動裝置40的第一端46面向外框架14，而第二端⑽面向内框 木12。傳動裝置4〇，42和44，藉由使内框架12沿三個軸义! 、Z2、Zs移動，而使内框架12相對於外框架14呈傾斜。定向 1〇平室10可對軸ζι、心、&提供一個大約± 1·2 mm的移動範圍 。以這種方式，傳動裝置4〇，42和44就會使内框架12傳遞 角運動給順應性裝置18，並從而，使模板22和模板夾具2〇 ’繞著軸乃、I、A的一或多個做角運動。明確地說，藉 減少内框架12和外框架14間沿轴Z2和Z3的距離，並增加其 15間沿Ζι軸的距離的方式，就會在一第一方向上繞著傾斜軸 T2發生角運動。增加内框架12和外框架14之間沿軸z2和z3 的距離，並減少其間沿么轴的距離，則會在和該第一方向 相反的第二方向上繞著傾斜軸乃發生角運動。利用類似的 方式’利用内框架12沿軸Ζ!和Z2以相同方向和幅度的移動 20 ’同時使内框架12沿軸Z3做方向相反於沿著軸Zj〇Z2的方 向，而幅度則為二倍的移動的方式，藉以改變内框架12和 外框架14之間的距離，即可產生繞著軸乃的角運動。相似 地，利用内框架12沿軸ZjnZ3以相同方向和大小運動，同 時使内框架12沿軸Z2做方向相反於沿軸Zja Z3的方向而幅 1296965 度則為二倍的移動的方式，藉以改變内框架12和外框架14 之間的距離，即可產生繞著軸T3的角運動。傳動裝置4〇， 42和 44可有一 ± 200 Ν的最大作用力（maximum operational force)。定向平臺10可對軸乃、T2、A提供大約± 〇·ΐ5。的轉 5 動範圍。 選用傳動裝置40，42和44以使機械零件最小化並且， 因而，使不均勻的機械韋刃性常數(mechanical compliance)，
以及可能會使微粒物質生成的摩擦力最小化。傳動裝置4〇 ，42和44的例子包括音圈傳動裝置，壓電式傳動裝置和線 10性傳動裝置。用於傳動裝置40，42和44的一個實施例可從 美國加州的BEI Technologies 〇f Sylmar公司取得，其商標名 為LA24-20-000A。另外，傳動裝置4〇，42和44連結在内框 架12和外框架14之間，以便於環繞中央通道24和中央開口 26而對稱设置並位於中央通道24和中央開口 ％的外側。以 15這種配置，在外框架14到順應性裝㈣之間形成了 一個無 阻礙通道。另外，對稱設置使得動態振動和不均勻熱漂移 最小化，藉以提供内框架12的精細轉動校正。 20 内框架12、外框架14、撓性環16和傳動裳置4〇，卿 44之結合’提供了職性裝置咖及，因此，模板爽具2〇 和核板20繞著傾斜軸Τι、Τ2、^角運動。但是，所希望 的是平移移動係沿著位在-橫向或垂直地延伸至糾、& 的平面内之幾個軸而傳遞給模板22。此係透過提供給 ;…生裝Ϊ 18-項功能讀著複數個順應軸巾之—或多個 ，表示机' C2的軸，將角運動傳遞至模心上來達成，
11 1296965 當模板、模板夾具和順應性裝置裝配完成以後，該等順應 軸係與傾斜軸几、τ2和τ3隔開來，並存在於模板表面上。 參看第3圖和第4圖，順應性裝置18包括一支撐體50和 一藉複數個撓曲臂54、56、58和60連結在支承基體(support 5 body) 50上的浮接基體(floating body) 52。模板夾具2〇係以 傳統的固定裝置安裝在浮接基體52上，且由夾具使用傳統 方法把模板22固持住。 每個撓曲臂54、56、58和60都包括第一和第二組撓曲 接點62、64、66、和68。為了便於討論，第一和第二組撓 10 曲接點62、64、66、和68只就撓曲臂56進行討論，但是這 些討論和應用於有關撓曲接點54、58和60的幾組撓曲接點 的情形是同樣的。雖非必要，但是順應性裝置18是由剛性 體形成，例如不銹鋼。因此，支承基體50、浮接基體52和 掩曲臂54、56、58和60是整體形成的，而且藉由第一和第 15 一組撓曲接點62、64、66、和68可旋轉地連結在一起。支 承基體50包括一設置於中央的通孔70。浮接基體包括一和 通孔70相重疊的置中孔72。每個撓曲臂54、56、58和60都 包括相對端部74和76。各撓曲臂54、56、58和60的端部76 都藉由撓曲接點66和68連接在支承基體50上。端部76位於 20 通孔70的外側。每個撓曲臂54、56、58和60的端部74都藉 由撓曲接點62和64連接在浮接基體52上。端部74位於孔72 的外側。 參看第4圖和第5圖，透過從鄰近端部74和76的裝置18 ’亦即’在支承基體50或者浮接基體52，與撓曲臂54、56
12 1296965 5
1〇 15
2〇 、58和6G中之-的界面處切除材料的方式，以形成各接點 62、64、66、和68。就此，可利用裝置18的機械加工，鐺 射切削或其他合適的加工來形成撓曲接點62、64、66、和 68。明確地說，接點64和66是由具有兩個相對的表面叫 82的撓曲構件78卿成。每_個表面8()和a各自包括裂口 矛86妓口 84设置成朝著遠離裂口 86的方向，而裂縫％ ，朝著退離裂口 84的方向。縫隙88從裂口 86開始延伸，遠 面80 ’終止於撓曲臂56周緣的一個開口。接點和的 —是由具有兩個相對的表面92和％的撓曲構件崎形成。 個表面92和94各自包括裂口96和98。$口98設置成朝 二面92而裂口 98則朝向遠離表面94的方向。縫隙1〇〇 '攻口96開始延伸’遠離表面92，而縫隙舰從裂口 ％處門 始，。縫隙88、100和1〇2的間隔Si、s々S3分別界定； 動1圍，支承基體50和浮接基體52巾之任—者之間都可能 在這個範圍内產生相對運動。 爹有㈣和㈣，撓曲f56和58的接驗與挽曲構 〇結合使得繞著軸104的轉動變得料，而撓曲臂兄和邱 ☆，占66和L曲構件78的結合使得繞著軸鄕的轉動變得 ^易。撓曲臂54和60的接點62與撓曲構件嶋合使得 的轉動變得容易，而撓曲臂54和_接點的與挽_ 件78的結合使得繞著軸⑽的機變得 ，广與繞曲她的結合使得繞著她的= 二易’而撓曲料和56的接細㈣輯件9⑽結合使得 袖114的轉動變得容易。撓曲臂鄉_接點64與撓曲 13 I296965 構件78的結合使得繞著軸116的轉動變得容易，而撓曲臂58 和60的接點68與撓曲構件90的結合使得繞著軸118的轉動 變得容易。 因此，每一個撓曲臂54、56、58和60都位於該裝置18 5的一個各組轉動軸均重疊於該處的部位。舉例而言，撓曲 臂54的端部74位於軸11〇和114重疊之處，而端部％位於軸 108和112重疊之處。撓曲臂56的端部74位於軸106和114重 且之處，而端部76定位於轴11〇和112重疊之處。挽曲臂58 的端部74位於軸106和118重疊之處，而端部乃定位於軸1〇4 1〇和116重疊之處。同樣地，撓曲臂60的端部74位於軸110和 Π8重疊之處，而端部76定位於軸108和116重疊之處。 由於這種配置形態，各撓曲臂54、56、58和6〇被連接 以提供相對於支承基體50和浮接基體52繞著兩組重疊軸的 相對轉動運動，其中第一組橫向延伸至剩下的一組。這就 15給每個撓曲臂54、56、58和60提供了繞著兩組正交軸的運 動，同時使其台面面積(f00tprint)最小化。裝置18可提供一 大約± 0.04。的傾斜移動範圍，一大約± 〇〇2〇的主動式傾斜 移動範圍，和一位於上述軸之上，大約± 〇 〇〇〇5。的主動0 移動範圍。此外，讓每個撓曲臂、56、58和60的台面面 2〇積縮小，就可以在通孔7〇和孔72之間留下一空間120而不受 各撓曲臂54、56、58和60的阻礙。這使得裝置18適用於壓 微影技術系統，此節將更詳細地討論於后。 參看第4圖、第6圖和第7圖，目前撓曲臂54、56、58和 60相對於支承基體5〇和浮接基體52之組態，使得平行的傳
14 I296965 遞袭置18裏的載荷變得容易。舉例而言，假如一載荷力施 加於支承基體50上，每一個撓曲臂54、56、58和60就會施 加一實質等量的力Fi於浮接基體52上。尤其，這使得當施 加力Fi或力F2的載荷時’裝置18可獲得一所希望的結構勁 5 度（stri^tural stiffness)。針對這點，接點62、64、66和68都 為旋轉接點(revolute joints)，其使撓曲臂和支承基體5〇或浮 接基體52中之一者間的除旋轉運動以外的所有方向上的運 動最小化。明確地說，接點62、64、66和68使得繞著軸104 、106、108、110、112、114、116和118的轉動運動變得容 10 易的同時，會將撓曲臂54、56、58和60之間的平移運動最 小化。 參看第4圖、第5圖、第6圖和第7圖，軸104、106、108 和110的相對位置為浮接基體52提供一第一順應性遙軸 (remote center of compliance，RCC)，其位於一和浮接基體 15 52間隔開的位置122，相對於孔72地對齊中心且距離各軸 104、106、108和 110等距。相似地，軸 112、114、116和 118 的相對位置為浮接基體52提供一第二RCC，其實質接近於 位置122且希望是位於位置122。每一個軸112、114、116和 118都位於距離位置122等距之處。該組軸104、106、108和 2〇 110中之每一軸皆平行於該組軸104、106、108和110中之其 餘的軸而延伸。相似地，該組軸112、114、116和118中之 每一軸皆正交於該組軸112、114、116和118中之其餘的軸 而延伸’而且垂直於各轴104、106、108和110。轴110和車由 108沿一第一方向間隔一距離山，且沿一第二正交方向間隔 15 1296965 一距離1。軸104和軸106沿該第一方向間隔一距離d3，且沿 該第二方向間隔一距離d4。轴112和軸114沿正交於該第一 方向和第二方向的第三方向間隔一距離d5，且沿該第二方 向間隔一距離d6。軸116和轴118沿該第二方向間隔一距離 5 冯，且沿該第三方向間隔一距離d8。距離屯、d4、d6和士實 質相等。距離d2、d3、屯和屯實質相等。 兩組橫向延伸軸可實質地接近至，使得透過適當地建 立距離c^-dyRCC 122就可以被視為是位於兩組橫向延伸軸 的交叉點處。第一組所包括的四軸，如圖示為124、126、 10 128和130。撓曲臂54的接點62和66位於沿軸124的方向上， 而撓曲臂56的接點62和66則是位於沿軸126的方向上。撓曲 臂58的接點62和66位於沿軸128的方向上，而撓曲臂60的接 點62和66位於沿軸130的方向上。第二組所包括的四軸，如 圖示為132、134、136和138。撓曲臂56的接點64和68位於 15 沿軸！32的方向上，撓曲臂58的接點64和68則是位於沿軸 134的方向上。撓曲臂60的接點64和68位於沿軸136的方向 上，且撓曲臂54的接點64和68位於沿軸138的方向上。利用 這種配置形態，浮接基體52相對於RCC 122,繞著該組軸124 、126、128、130、132、134、136和 138 中任何一軸的運動 20 ，會與環繞該組軸 124、126 ' 128、130、132、134、136和 138中其餘的軸的運動分開。這樣就會為浮接基體52相對於 RCC 122的一個類似平衡環(gimbal-like)的運動，提供結構 勁度以抵拒’或防止’浮接基體相對於轴124、126、128、 130、132、134、136和 138的平移運動。 16 1296965 參看第4圖和第10圖，依據本發明之另一個實施例，裝 置18可具有和裝置18 —起顯示的主動式順應性功能。對此 ’複數個活動臂（lever arms) 140、142、146和148結合在浮 接基體52上，並朝支承基體50延伸，終止於鄰近一傳動裝 5置的一個活塞處。如圖所示，活動臂140有一端位於鄰近傳 動裝置150的活塞處，活動臂142有一端位於鄰近傳動裝置 152的活塞處，活動臂146有一端位於鄰近傳動裝置154的活 塞處’且活動臂148的一端位於鄰近活動臂148結合於其上 的傳動裝置156的活塞處。藉啟動適當的傳動裝置集合15〇 1〇 、152、154和156，可以達成浮接基體52相對於支承基體5〇 之相對位置的角定位。傳動裝置15〇、152、154和156的_ 個例示性具體例可以從Calif〇rnia的BEI Technologies 〇f Sylmar公司取得，其商標名為以⑺必⑽仏。 為了提供浮接基體52相對於支承基體50的旋轉運動， 了以啟動傳動裝置15〇、152、154和156。舉例而言，可以 啟動傳動裝置150以使活動臂沿？1方向移動，而操作傳動裝 置154則是沿活動臂14〇移動方向之相反方向使活動臂146 移動。相似地，啟動傳動裝置152和156中之至少一者，以 分別移動活動臂142和148。假如傳動裝置152和156都被啟 2〇動，那麼活動臂14〇、142、146和148之中的每一個活動臂 都被朝向撓曲臂54、56、58和60之中的某一個撓曲臂移動 ’而該撓曲臂不同於活動臂14〇、142、146和148中之其餘 活動臂所移往的撓曲臂54、56、58和6〇。一個例子可包括 ，向撓曲臂54的方向移動活動臂14〇,向撓曲臂56的方向移 17 1296965 動活動臂148，向撓曲臂58的方向移動活動臂146，以及向 撓曲0臂60的方向移動活動臂142。這就傳遞了環繞!；3方向 的旋轉運動。惟需理解，每一個活動臂140、142、146和148 都可朝向相反的方向移動。假如希望防止支承基體50和浮 5接基體52之間沿F3方向的平動位移，而又要傳遞環繞巧方 向的旋轉運動，那麼就要使每個活動臂140、142、146和148 移動相同幅度。但是，假如希望傳遞浮接基體52環繞 F2方向的旋轉運動，則可以使用不同的方法來實現。 因為浮接基體52的旋轉運動是由第一和第二RCC來引 10 導的，故可藉沿F3方向的平移而主動地調整浮接基體52成 相對於於支承基體的二種獨立的角向配置。舉例而言，以 傳動裝置150、152、154和156分別地移動活動臂140、142 、146和148，使量有所不同將會傳遞浮接基體52沿f3方向 的平移，同時傳遞環繞F3方向的角位移。另外，僅僅移動 15 活動臂140、142、146和148中的三者，也會傳遞在F3方向 的平行移動’同時傳遞環繞F3方向的角位移。假如希望在 支承基體50和浮接基體52之間傳遞平移運動而不在其間傳 遞旋轉運動，可以啟動動傳動裝置15〇、152、154和156之 中的兩個以移動活動臂14〇、142、146和148之中的兩個。 20 在一實例中，兩個對置的活動臂，例如140和146，或者142 和148，係沿相同方向被移動相同幅度。如果沿同一方向， 例如，朝向撓曲臂60和58，分別移動活動臂140和146，將 造成浮接基體5 2延伸於撓曲臂5 8和6 0之間的整個側面從與 其重豐的支承基體50的側面起之距離增加，有效地產生浮 18 1296965 接基體52環繞F2方向的旋轉運動。浮接基體52在撓曲臂56 和54之間延伸的側面和與之相重疊的支承基體50的側面之 間的距離則會減少。相反地，沿一相反方向，例如，朝繞 曲臂54和56移動活動臂140和146，會造成浮接基體52在撓 5曲臂58和60之間延伸的整個側面從支承基體50側面起之距 離減少。浮接基體52在撓曲臂58和60之間延伸的側面和與 之相重疊的支承基體50的側面之間的距離會增加。相似地 ，利用活動臂142和148分別藉傳動裝置152和156而產生的 運動’浮接基體52環繞F!方向的旋轉運動可以得到實現， 10 如同上述關於活動臂140和146之運動所討論的。應該理解 的是’前述活動臂運動的任何線性結合都可實施以完成所 希望的移動。 攸釗述可知，浮接基體52¾繞Fi、F2和F3方向的旋轉運 動是彼此正交的。藉調整傳動裝置15〇、152、154和156處 15的每個驅動力的大小或者位置，任何組合或者環繞Fl、f2 和F3方向的旋轉運動都會受到撓曲臂54、56、58和6〇，浮 接基體52和支承基體5〇的結構勁度的限制。 簽看第1圖、11和12，在操作時，定向平臺1〇典型地與 一種壓印微影技術系統(未示出）併用。一個例示性的微影系 20 統可從Molecular Imprints，Inc.取得，商標名為impri〇tm 250，公司所在地為 18〇7_c Braker Lane，suite 1〇〇, Austin， Texas 78758。IMPRIO 100TM的系統說明可見於 ww.molecula^printsxom^且已將其内容併入本文中以供 參考。因此，可採用定向平臺10以使模板22與一和該模板 19 1296965 相重疊的表面，像是基材158的表面對準。因此，基材158 的表面可含有形成基材158的材料，例如具有原生氧化層 (native oxide)的矽，或者可由諸如導電材料、電介質材料以 及類似材料的圖案化層或未圖案化層所組成。 5 模板22和基材158如圖所示，相隔一段距離而於其間界 定出一間隙160。關聯於間隙160的容積取決於多種因素， 包括面向基材的模板22表面和面向模板22的基材158表面 的形態，以及基材的中性軸A相對於基材158的中性軸B之 間的角度關係（angular relationship)。此外，假如前述兩個 10表面的形態都是已經圖案化了，則關聯於間隙160的容積也 取決於模板22和基材158之間對於Z軸的角度關係。有鐾於 所希望之利用壓印微影技術進行的圖案化操作很大程度地 取決於為間隙160提供合適的容積，故精確地使模板22和基 材158對準乃是所期待的。為此，模板22包括有模板對準標 15 諸，其中之一標示為162，而基材158則包括基材對準標誌、 ，其中之一標示為164。 在本例中，假定所希望的模板22和基材158之間的對準 是發生在模板對準標誌162與基材對準標誌164相重疊時。 如圖所示，所希望的模板22和基材158之間的對準並未發生 20 ，而是顯示兩個標誌偏移了一段距離〇。此外，雖然所示之 偏移〇為一個方向上的線性偏移，惟可知，該偏移可能是沿 兩個方向的線性量，如圖所示為h、〇2。除了或不同於前 述一個或兩個方向上的線性偏移以外，模板22和基材158之 間的偏移也可以包括角偏移，如第13圖所示的角Θ。 20 1296965 參看第2圖、第ι〇圖和第14圖，係藉環繞一個或更多個 軸Τι、T2、丁3、F!、F2、F3之結合旋轉運動而獲得所希望的 模板22和基材158之間的對準。具體地說，為了減少線性偏 移，順應性裝置18、模板夾具2〇和模板22繞著一個或多個 5
10 15
20 軸T!、A、A之運動是當作一個單位來進行的。這典型地 導致在中性軸A和B之間產生一個斜角φ。其後，進行模板 22繞著一個或更多個軸匕和^的角運動，以補償角φ並確保 中性軸Α平行於中性軸β而延伸。此外，繞著軸乃、丁2、丁3 、Fi、F2、F3之結合角運動造成模板22的擺動，以完成模板 22在一個平行於中性軸B，而且如果不是垂直於，就是橫斷 軸z〗、Z2和Z3而延伸之平面上的運動。以此方式，模板22 就可以沿著位於平行中性軸B而延伸之平面内的線性軸而 恰當的相對於基材158做對準，如第15圖所示。如果希望減 少或者消除角偏移，則利用傳動裝置15〇、152、154和156 來使模板22繞著軸Fs旋轉，以提供所希望的對準。 在所希望的對準產生之後，操作傳動裝置4〇、42和之 以移動模板22，使其和鄰近基材的一個表面接觸。在本1 中，表面是由設置在基材158上的可聚合壓印材料16_ 成。應該注意的是，-旦做到所希望的對準，就可操作^ 動裳置40、42和44以使形成於中性轴Α#σΒ之間的角度變> 最小化。惟需瞭解，對於中性軸a#ijB而言並不需要完全 為平行地延伸，只要平行度的角偏差在由偏接點 、66和68以及撓曲臂54、56、58輪所界定之碌岸性裝 18的順應公差㈣就可以。以此方式，中性軸人純可以 21 1296965 可能平行地被定向，從而使進入可聚合材料之圖案形成的 清晰度最大化。因此，希望把第一和第二RCC所在之處的 位置122置於模板22和材料的界面。 參看第1圖、第16圖和第17圖，如上所討論的，前述系 5統10對於圖案化基材是有用的，比如採用壓印微影技術的 基材158。為達該目的，模板22典型地包括一在其表面上記 錄有圖案的咼臺170，界定成一模具172。一個例示性模板 22見於美國專利第6，696，220號，其内容已併入本文中以 供簽考。上有圖案的模具172可包含，如圖示，由多個間隔 10開的凹形174和凸起176所形成的多個特徵之光滑表面。凸 起176具有寬度\¥!，凹形174則具有寬度π。多個特徵界定 成一原始圖案，形成了轉移到基材158之一圖案的基礎。 芩看第16圖和第17圖，記錄在材料166上的圖案有部分 是利用材料166和模具172以及基材158的機械接觸產生的 如0所示基材158可以在其上包括一既存層，比如轉移 層178。轉移層178的例示性具體例可從Brewer 以匕 〇f Rolla，MiSS0uri公司取得，其商標名^UV3〇j 6。須知 ，材料166和轉移層178可使用任何已知技術進行沉積，包 括滴下分散(drop dispense)技術和旋塗技術。 20 一旦和材料166相接觸，所希望的是材料166和凸起176 相重疊的部分18G仍保留—厚度til分段部分182保留—厚 度厚度㈣為殘餘厚度。厚度v和“t2，，可依據應用 為所希主的任何厚度。厚度^和。可為1〇 到10 pm範圍 的值。包含材料166的總體積是要能讓某個量的材料166延 22 1296965 伸到基材158和模具172並不相重疊的區域的情形最小化， 或者防止其發生，同時又獲得所希望的厚度tjnt2。為達該 目的，高臺170有一高度1^，該高度實質大於凹形174的深 度hr。以此方式，當^和。達到所希望的厚度時，材料166 5和基材158以及模具172的毛細力（capillary forces)就會限制 材料166延伸超過基材158未與模具172重疊的區域的運動。 系統10所提供的一個優點在於其易於精確控制厚度、 和k。明確地說，就是希望每個厚度ti均實質相等且每個厚 度k均實質相等。如第16圖所示，厚度tl並不均勻一致，同 10樣地厚度。也不均勻一致。模具172相對於基材158這樣的定 位是不佳的。如果利用本系統1〇，就可以得到均勻一致的 厚度^和。，如第π圖所示。因此，可以做到極其希望的對 厚度tj〇t2的精確控制。在本發明中，系統1〇提供了三西格 馬(three sigma)對準精度，其具有一個，例如，大約5〇打瓜 15 甚至更小的最小特徵尺寸。 本發明之上述實施例均是例示性的。因此，對上述的 揭示内容可進行許多變化和修正，但都涵蓋在本發明的範 圍之内。因此，本發明之範圍不應該局限於以上之描述， 而是應該參考隨附的申請專利範圍以及與之等效的所有範 20 圍來轉定。 【圏式簡單說明】 “第1圖是依據本發明之—定向平臺的爆炸透視圖，揭示 一模板夾具和一模板； 第2圖是第1圖所示的定向平臺之透視圖； 23 1296965 第3圖是依據本發明弟一個貫施例之包括在第1圖所示 的定向平堂中之被動式順應性裝置’和模板支架與模板的 爆炸透視圖； 第4圖是第3圖所示的被動式順應性裝置之詳細透視圖； 5 第5圖是第4圖所示的被動式順應性裝置之側視圖，揭 示被包括在其内的轉動接點的細節； 第6圖是第4圖所示的被動式順應性裝置之側視圖； 第7圖是第6圖所示的順應性裝置旋轉9〇度的側視圖； 第8圖是第6圖所示的順應性裝置旋轉18〇度的側視圖； 10 第9圖是第6圖所示的順應性裝置旋轉270度後之的側 視圖， 第10圖是依據本發明之另一個實施例的順應性裝置之 透視圖； 第11圖是第1圖所示的、和基材相重疊的模板之簡化立 15 面圖，顯示沿一方向上的偏差（misalignment); 第12圖是第11圖所示的模板和基材之俯視圖，顯示沿 兩個橫向上的偏差； 第13圖是第11圖所示的模板和基材之俯視圖，顯示角 向偏差（angular misalignment); 2〇 第14圖是第1圖所示的、和基材相重疊的模板之簡化立 面圖，顯示角向偏差； 第15圖是第11圖、第12圖、第13圖和第14圖中所示的 模板和基材之間所希望的對準之簡化立面圖； 第16圖是第1圖、第3圖、第11圖、第12圖、第13圖、
24 1296965 第14圖和第15圖中和基材相重疊的模板的一個實施例之詳 細圖；以及 第17圖是第16圖所示的模板之詳細圖，顯示相對於基
材所希望的空間配置。 【主要元件符號說明】 10…定向平堂 12…内框架 14…外框架 16…撓曲環 18…順應性裝置 20···模板夾具 22…模板 24…中央通道 25…表面 26…中央開口 27…角部 28、30、32、34、36、38···部位 4〇、42、44…傳動裝置 46…傳動裝置的第一端 48···傳動裝置的第二端 50…支承基體 52…浮接基體 54、56、58、60…撓曲臂 62、64、66、68···撓曲接點 70…通孔 72…置中孔 74、76…撓曲臂端部 78…撓曲構件 80、82…撓曲構件78之相對表面 84、86…裂口 88…縫隙 90…撓曲構件 92、94···撓曲構件90之相對面 96、98…裂口 100、102…縫隙 104…轴 106、108、110、112、114、116 、118···轴 120…空間 25 1296965
122…位置 182…分段部分 124、126、128、130···軸 di、山、山、d7…距离隹 132、134、136、138···軸 d2、(¾、(¾、dg…距離 140、142、146、14…活動臂 Fi、F2、F3…力 150、152、154、156···傳動裝置 0…偏移量 158…才 A、B"·中性車由 160…空隙 0!、02…線形量 162…模板對準標誌 0…角偏移 164…基材對準標誌 Φ…斜角 166…可聚合壓印材料 Cl、C2…順應軸 170…高臺 、τ2、tv"傾斜車由 172…模具 Z、Ζι、Z2、Z3 …轴 174…凹形 Si、S2、S3…間隔 176…凸起 hm…高度 178…轉移層 lv"深度 180···材料166和凸起176的重疊 Wi、w2…寬度 部分 ti、t2…厚度
26

Claims (1)

1296965 申請專利範圍： 1. 一種控制連結一傳動系統的一基體之運動的方法，該方 法包含： 在連結於該基體的該傳動系統中，相對於兩個間隔 5 開的軸傳遞角移動，以在一平移平面内造成該基體的平 移移動，而該平移平面係平行於該兩個間隔開的軸當中 之一者而延伸。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括藉由使該基 > 體進行該平移移動，以將該本體相對於一與其間隔分開 10 之參考平面，定位成一所希望的空間關係。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括將該基體相 對於一圖案化的材料層定位成一所希望的空間關係，該 圖案化材料層具有一實質均勻的剩餘厚度。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該兩個間隔分開的 15 軸彼此平行延伸。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該兩個間隔分開的 軸位於不同的平面内。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該兩個間隔分開的 軸互為橫向延伸,。 20 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中傳遞步驟進一步包 括把該基體連結到一内框架，而該内框架則是連接於一 外框架上，以對複數個橫向延伸的傾斜軸形成傾斜，而 該等橫向延伸傾斜軸包括該兩個間隔分開的軸中之一 者。 27 1296965 8·如申請專利範圍第！項之方法，其中傳遞步驟進一步包 括把該基體連結到i «，而_销是連接於二卜 框架上，以改變沿著位於鄰近該内框架之—周緣處的兩 個或更多個平移_平移運動，藉贼該_架呈傾斜 5 並傳遞繞著該兩個間隔分開的轴中之-者的該角移動。 9·如申請專利範圍第！項之方法，其中傳遞步驟進一步包 括連接該基體到連接於-_架上的—撓曲機構，而該 • 繞曲機構促成該基體形成傾斜，以傳遞繞著該兩個間隔 分開的軸中之一者的該角移動。 10 10.如申請專利範圍第1項之方法，其中傳遞步驟進一步包 括連接該基體到連接於-内框架上的—撓曲機構，而該 撓曲機構促成該基㈣成傾斜，以傳遞繞著該_間隔 分開的平行軸中之-者的該角移動，而且不受該兩個間 隔分開的平行軸中剩餘的一個軸的角移動之拘束。 15 U.如申請專利範圍第1項之方法，其中傳遞步驟進一步包 # 括連接該基體到一内框架和一撓曲機構，而該内框架是 連結成用來傳遞傾斜運動到該撓曲機構和該基材上，且 該撓曲機構是連接成用來傳遞傾斜運動到該基體上，而 不受該内框架所傳遞的該傾斜運動所拘束。 28
TW094117822A 2004-06-01 2005-05-31 Method to control movement of a body for nano-scale manufacturing TWI296965B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/858,100 US20050274219A1 (en) 2004-06-01 2004-06-01 Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200606010A TW200606010A (en) 2006-02-16
TWI296965B true TWI296965B (en) 2008-05-21

Family

ID=35459131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094117822A TWI296965B (en) 2004-06-01 2005-05-31 Method to control movement of a body for nano-scale manufacturing

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20050274219A1 (zh)
EP (1) EP1754122B1 (zh)
JP (1) JP4964764B2 (zh)
KR (1) KR20070027617A (zh)
CN (1) CN1997491A (zh)
TW (1) TWI296965B (zh)
WO (1) WO2005119395A2 (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050274219A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US7768624B2 (en) * 2004-06-03 2010-08-03 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for obtaining force combinations for template deformation using nullspace and methods optimization techniques
JP4573873B2 (ja) * 2004-06-03 2010-11-04 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム マイクロリソグラフィにおけるアラインメントとオーバーレイを改善するシステムおよび方法
US7785526B2 (en) * 2004-07-20 2010-08-31 Molecular Imprints, Inc. Imprint alignment method, system, and template
CN104317161A (zh) 2005-12-08 2015-01-28 分子制模股份有限公司 用于衬底双面图案形成的方法和系统
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
US7802978B2 (en) * 2006-04-03 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Imprinting of partial fields at the edge of the wafer
JP5027468B2 (ja) * 2006-09-15 2012-09-19 日本ミクロコーティング株式会社 プローブクリーニング用又はプローブ加工用シート、及びプローブ加工方法
US7837907B2 (en) * 2007-07-20 2010-11-23 Molecular Imprints, Inc. Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process
US8945444B2 (en) * 2007-12-04 2015-02-03 Canon Nanotechnologies, Inc. High throughput imprint based on contact line motion tracking control
US9164375B2 (en) * 2009-06-19 2015-10-20 Canon Nanotechnologies, Inc. Dual zone template chuck
JP5296641B2 (ja) * 2009-09-02 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置
DE102010007970A1 (de) * 2010-02-15 2011-08-18 Suss MicroTec Lithography GmbH, 85748 Verfahren und Vorrichtung zum aktiven Keilfehlerausgleich zwischen zwei im wesentlichen zueinander parallel positionierbaren Gegenständen
CN102059576B (zh) * 2010-11-25 2012-02-08 西安理工大学 双轴直线移动微驱动装置
JP6116937B2 (ja) * 2013-02-28 2017-04-19 公立大学法人大阪府立大学 パターン形成装置およびそれを用いたパターン形成方法
JP6553926B2 (ja) * 2015-04-09 2019-07-31 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR20180023102A (ko) 2016-08-23 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 패턴 및 이의 제조방법
CN110546734B (zh) 2017-03-08 2024-04-02 佳能株式会社 固化物图案的制造方法和光学部件、电路板和石英模具复制品的制造方法以及用于压印预处理的涂覆材料及其固化物
KR102256347B1 (ko) 2017-03-08 2021-05-27 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 및 가공 기판, 광학 부품 및 석영 몰드 레플리카의 제조 방법, 및 임프린트 전처리 코팅 재료 및 그와 임프린트 레지스트와의 세트
US10996560B2 (en) 2017-07-31 2021-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Real-time correction of template deformation in nanoimprint lithography
US10866510B2 (en) 2017-07-31 2020-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Overlay improvement in nanoimprint lithography
US10409178B2 (en) * 2017-12-18 2019-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Alignment control in nanoimprint lithography based on real-time system identification
US10996561B2 (en) 2017-12-26 2021-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Nanoimprint lithography with a six degrees-of-freedom imprint head module
US10444624B1 (en) 2018-11-30 2019-10-15 Canon Kabushiki Kaisha Active metrology frame and thermal frame temperature control in imprint lithography
US11815811B2 (en) 2021-03-23 2023-11-14 Canon Kabushiki Kaisha Magnification ramp scheme to mitigate template slippage
WO2023001802A1 (en) * 2021-07-21 2023-01-26 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus
EP4123375A1 (en) * 2021-07-21 2023-01-25 Koninklijke Philips N.V. Imprinting apparatus

Family Cites Families (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3783520A (en) * 1970-09-28 1974-01-08 Bell Telephone Labor Inc High accuracy alignment procedure utilizing moire patterns
US3807027A (en) * 1972-03-31 1974-04-30 Johns Manville Method of forming the bell end of a bell and spigot joint
US3807029A (en) * 1972-09-05 1974-04-30 Bendix Corp Method of making a flexural pivot
US3811665A (en) * 1972-09-05 1974-05-21 Bendix Corp Flexural pivot with diaphragm means
FR2325018A1 (fr) * 1975-06-23 1977-04-15 Ibm Dispositif de mesure d'intervalle pour definir la distance entre deux faces ou plus
US4155169A (en) * 1978-03-16 1979-05-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Compliant assembly system device
US4201800A (en) * 1978-04-28 1980-05-06 International Business Machines Corp. Hardened photoresist master image mask process
JPS6053675B2 (ja) * 1978-09-20 1985-11-27 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
US4202107A (en) * 1978-10-23 1980-05-13 Watson Paul C Remote axis admittance system
US4326805A (en) * 1980-04-11 1982-04-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method and apparatus for aligning mask and wafer members
EP0091651B1 (en) * 1982-04-12 1988-08-03 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method for forming micropattern
US4440804A (en) * 1982-08-02 1984-04-03 Fairchild Camera & Instrument Corporation Lift-off process for fabricating self-aligned contacts
US4451507A (en) * 1982-10-29 1984-05-29 Rca Corporation Automatic liquid dispensing apparatus for spinning surface of uniform thickness
US4498038A (en) * 1983-02-15 1985-02-05 Malueg Richard M Stabilization system for soft-mounted platform
US4507331A (en) * 1983-12-12 1985-03-26 International Business Machines Corporation Dry process for forming positive tone micro patterns
US4512848A (en) * 1984-02-06 1985-04-23 Exxon Research And Engineering Co. Procedure for fabrication of microstructures over large areas using physical replication
US4908298A (en) * 1985-03-19 1990-03-13 International Business Machines Corporation Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems
US4657845A (en) * 1986-01-14 1987-04-14 International Business Machines Corporation Positive tone oxygen plasma developable photoresist
US4724222A (en) * 1986-04-28 1988-02-09 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Wafer chuck comprising a curved reference surface
US4737425A (en) * 1986-06-10 1988-04-12 International Business Machines Corporation Patterned resist and process
US4929083A (en) * 1986-06-19 1990-05-29 Xerox Corporation Focus and overlay characterization and optimization for photolithographic exposure
EP0255303B1 (en) * 1986-07-25 1989-10-11 Oki Electric Industry Company, Limited Negative resist material, method for its manufacture and method for using it
EP0264147B1 (en) * 1986-09-09 1994-01-12 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Fine positioning device and displacement controller therefor
US5736424A (en) * 1987-02-27 1998-04-07 Lucent Technologies Inc. Device fabrication involving planarization
US4731155A (en) * 1987-04-15 1988-03-15 General Electric Company Process for forming a lithographic mask
US4808511A (en) * 1987-05-19 1989-02-28 International Business Machines Corporation Vapor phase photoresist silylation process
US4891303A (en) * 1988-05-26 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Trilayer microlithographic process using a silicon-based resist as the middle layer
US5108875A (en) * 1988-07-29 1992-04-28 Shipley Company Inc. Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material
US4921778A (en) * 1988-07-29 1990-05-01 Shipley Company Inc. Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material
US5876550A (en) * 1988-10-05 1999-03-02 Helisys, Inc. Laminated object manufacturing apparatus and method
US4999280A (en) * 1989-03-17 1991-03-12 International Business Machines Corporation Spray silylation of photoresist images
US5110514A (en) * 1989-05-01 1992-05-05 Soane Technologies, Inc. Controlled casting of a shrinkable material
US4919748A (en) * 1989-06-30 1990-04-24 At&T Bell Laboratories Method for tapered etching
JP3197010B2 (ja) * 1990-03-05 2001-08-13 株式会社東芝 間隔設定方法及び間隔設定装置
JP2586692B2 (ja) * 1990-05-24 1997-03-05 松下電器産業株式会社 パターン形成材料およびパターン形成方法
US5314772A (en) * 1990-10-09 1994-05-24 Arizona Board Of Regents High resolution, multi-layer resist for microlithography and method therefor
US5212147A (en) * 1991-05-15 1993-05-18 Hewlett-Packard Company Method of forming a patterned in-situ high Tc superconductive film
US5206983A (en) * 1991-06-24 1993-05-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of manufacturing micromechanical devices
US5317386A (en) * 1991-09-06 1994-05-31 Eastman Kodak Company Optical monitor for measuring a gap between two rollers
US5277749A (en) * 1991-10-17 1994-01-11 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for relieving stress and resisting stencil delamination when performing lift-off processes that utilize high stress metals and/or multiple evaporation steps
JP3074579B2 (ja) * 1992-01-31 2000-08-07 キヤノン株式会社 位置ずれ補正方法
US5204739A (en) * 1992-02-07 1993-04-20 Karl Suss America, Inc. Proximity mask alignment using a stored video image
US5601641A (en) * 1992-07-21 1997-02-11 Tse Industries, Inc. Mold release composition with polybutadiene and method of coating a mold core
JPH06183561A (ja) * 1992-12-18 1994-07-05 Canon Inc 移動ステージ装置
US5380474A (en) * 1993-05-20 1995-01-10 Sandia Corporation Methods for patterned deposition on a substrate
US5414514A (en) * 1993-06-01 1995-05-09 Massachusetts Institute Of Technology On-axis interferometric alignment of plates using the spatial phase of interference patterns
JP2837063B2 (ja) * 1993-06-04 1998-12-14 シャープ株式会社 レジストパターンの形成方法
US6180239B1 (en) * 1993-10-04 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Microcontact printing on surfaces and derivative articles
US5512131A (en) * 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US5813287A (en) * 1994-03-02 1998-09-29 Renishaw Plc Coordinate positioning machine
US5534101A (en) * 1994-03-02 1996-07-09 Telecommunication Research Laboratories Method and apparatus for making optical components by direct dispensing of curable liquid
KR0157279B1 (ko) * 1994-03-15 1999-05-01 모리시타 요이찌 노광방법
US5417802A (en) * 1994-03-18 1995-05-23 At&T Corp. Integrated circuit manufacturing
US5670415A (en) * 1994-05-24 1997-09-23 Depositech, Inc. Method and apparatus for vacuum deposition of highly ionized media in an electromagnetic controlled environment
US5515167A (en) * 1994-09-13 1996-05-07 Hughes Aircraft Company Transparent optical chuck incorporating optical monitoring
US5740699A (en) * 1995-04-06 1998-04-21 Spar Aerospace Limited Wrist joint which is longitudinally extendible
US5743998A (en) * 1995-04-19 1998-04-28 Park Scientific Instruments Process for transferring microminiature patterns using spin-on glass resist media
JP3624476B2 (ja) * 1995-07-17 2005-03-02 セイコーエプソン株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
AU6774996A (en) * 1995-08-18 1997-03-12 President And Fellows Of Harvard College Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces
US6518189B1 (en) * 1995-11-15 2003-02-11 Regents Of The University Of Minnesota Method and apparatus for high density nanostructures
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
US20040036201A1 (en) * 2000-07-18 2004-02-26 Princeton University Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography
JP2842362B2 (ja) * 1996-02-29 1999-01-06 日本電気株式会社 重ね合わせ測定方法
US5725788A (en) * 1996-03-04 1998-03-10 Motorola Apparatus and method for patterning a surface
US6355198B1 (en) * 1996-03-15 2002-03-12 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding
US5942443A (en) * 1996-06-28 1999-08-24 Caliper Technologies Corporation High throughput screening assay systems in microscale fluidic devices
US5888650A (en) * 1996-06-03 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Temperature-responsive adhesive article
US6039897A (en) * 1996-08-28 2000-03-21 University Of Washington Multiple patterned structures on a single substrate fabricated by elastomeric micro-molding techniques
JP3234872B2 (ja) * 1996-10-08 2001-12-04 セイコーインスツルメンツ株式会社 アクチュエータおよびその駆動方法、および、その駆動方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びに、そのアクチュエータを用いた小型工作機械
US5895263A (en) * 1996-12-19 1999-04-20 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
US6049373A (en) * 1997-02-28 2000-04-11 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Position detection technique applied to proximity exposure
DE19710420C2 (de) * 1997-03-13 2001-07-12 Helmut Fischer Gmbh & Co Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Dicken dünner Schichten mittels Röntgenfluoreszenz
US6033977A (en) * 1997-06-30 2000-03-07 Siemens Aktiengesellschaft Dual damascene structure
US5877861A (en) * 1997-11-14 1999-03-02 International Business Machines Corporation Method for overlay control system
TW352421B (en) * 1998-04-27 1999-02-11 United Microelectronics Corp Method and process of phase shifting mask
US6713238B1 (en) * 1998-10-09 2004-03-30 Stephen Y. Chou Microscale patterning and articles formed thereby
US6218316B1 (en) * 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
US6204922B1 (en) * 1998-12-11 2001-03-20 Filmetrics, Inc. Rapid and accurate thin film measurement of individual layers in a multi-layered or patterned sample
US6168845B1 (en) * 1999-01-19 2001-01-02 International Business Machines Corporation Patterned magnetic media and method of making the same using selective oxidation
US6334960B1 (en) * 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US6522411B1 (en) * 1999-05-25 2003-02-18 Massachusetts Institute Of Technology Optical gap measuring apparatus and method having two-dimensional grating mark with chirp in one direction
US6188150B1 (en) * 1999-06-16 2001-02-13 Euv, Llc Light weight high-stiffness stage platen
US6255022B1 (en) * 1999-06-17 2001-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Dry development process for a bi-layer resist system utilized to reduce microloading
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
KR100334902B1 (ko) * 1999-12-06 2002-05-04 윤덕용 정밀작업용 6자유도 병렬기구
DE19958966A1 (de) * 1999-12-07 2001-06-13 Infineon Technologies Ag Erzeugung von Resiststrukturen
CN1092092C (zh) * 2000-04-21 2002-10-09 清华大学 两维移动一维转动空间三轴并联机床结构
US7211214B2 (en) * 2000-07-18 2007-05-01 Princeton University Laser assisted direct imprint lithography
US20050274219A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US20060005657A1 (en) * 2004-06-01 2006-01-12 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
AU2001297642A1 (en) * 2000-10-12 2002-09-04 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
US6541360B1 (en) * 2001-04-30 2003-04-01 Advanced Micro Devices, Inc. Bi-layer trim etch process to form integrated circuit gate structures
US6534418B1 (en) * 2001-04-30 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Use of silicon containing imaging layer to define sub-resolution gate structures
US6716767B2 (en) * 2001-10-31 2004-04-06 Brewer Science, Inc. Contact planarization materials that generate no volatile byproducts or residue during curing
US7455955B2 (en) * 2002-02-27 2008-11-25 Brewer Science Inc. Planarization method for multi-layer lithography processing
US6997866B2 (en) * 2002-04-15 2006-02-14 Simon Fraser University Devices for positioning implements about fixed points
JP4799861B2 (ja) * 2002-04-16 2011-10-26 プリンストン ユニバーシティ マイクロ流体とナノ流体間のインターフェース用勾配構造と、その製造方法および使用方法
US6926929B2 (en) * 2002-07-09 2005-08-09 Molecular Imprints, Inc. System and method for dispensing liquids
US6900881B2 (en) * 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
US6908861B2 (en) * 2002-07-11 2005-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography using an electric field
US6932934B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7027156B2 (en) * 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US7070405B2 (en) * 2002-08-01 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Alignment systems for imprint lithography
US6916584B2 (en) * 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US6808344B2 (en) * 2002-12-27 2004-10-26 Jeng-Shyong Chen Multi-axis cartesian guided parallel kinematic machine

Also Published As

Publication number Publication date
TW200606010A (en) 2006-02-16
CN1997491A (zh) 2007-07-11
EP1754122B1 (en) 2012-10-31
WO2005119395A3 (en) 2007-03-08
EP1754122A4 (en) 2009-06-24
JP2008501245A (ja) 2008-01-17
WO2005119395A2 (en) 2005-12-15
EP1754122A2 (en) 2007-02-21
KR20070027617A (ko) 2007-03-09
US8387482B2 (en) 2013-03-05
JP4964764B2 (ja) 2012-07-04
US20110048160A1 (en) 2011-03-03
US20050274219A1 (en) 2005-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI296965B (en) Method to control movement of a body for nano-scale manufacturing
TWI288292B (en) Compliant device for nano-scale manufacturing
KR101679464B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR100621957B1 (ko) 미세 구조물용 제조 시스템
US20090037004A1 (en) Method and System to Control Movement of a Body for Nano-Scale Manufacturing
US7387508B2 (en) Compliant device for nano-scale manufacturing
JP5236484B2 (ja) 固化したインプリンティング材料からモールドを分離する方法
EP2267531B1 (en) Method to vary dimensions of a substrate during nano-scale manufacturing
JP2011029641A (ja) インプリントリソグラフィ
KR100688393B1 (ko) 미세 구조물의 제조 방법 및 그를 위한 제조 시스템
JPH048441A (ja) ロック機構
JPH04349633A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees