TWI296040B - Apparatus and method of forming channels in a heat-exchanging device - Google Patents

Description

1296〇4〇 九、發明說明： 相關申請 :、,，本申請在美國共同專利申請序號6_，729，細，3,口提出之標感 為’具有多孔構型之微通道熱交換器敦置及其製造方法，，之％ us.c.]咖 ^宣布優先權。臨_中請錢嶋5,729,2_，17提㈣_,ι 、有多孔構奴製賴交«置及錄造紐”轉考方績入 發明領域 本發明關於熱交換器範圍。特別關於供觀一冷卻材料通過最佳形狀 之通道，及熱交換器中之其他幾何結構之裝置及方法。 發明背景 某些散熱器幫浦將冷卻材料通過位於生熱源上方之散熱器之〆 部分。該冷卻材料魏生熱源所生之熱，餅其_生朗、，因:冷卻 生熱源。誠傳輸冷卻獅通過賴器之幫浦以最錢速作業。 此等散熱器中使用沿通道傳輸之冷卻材料通常受到過度及非均勾之 壓力降之苦。肋循環冷卻材料之幫翻高速將冷卻材料循環而工作過 度，故需要更多能量以克服此等壓力降。 根據美國專利”號碼麵咖，標題為”多位準微通道熱交換器 ”，律師號碼⑺⑽刚，薦，7^提出之散熱轉衫辦導體處理及 組裝步驟。當提供改進之冷卻容量時，此等處理步驟亦增加熱交換器之成 本。故此種處理及組裝步驟提供之利益無法超過製造之增加成本。 準此，所需者為有效製造〜熱交換H之結構及方法，該熱交換器可提 Ί296040 供冷卻材料傳輸時之均勻壓力流動 發明說明 一種熱父換器循環一種冷卻 灕錢％ n 材射自雜源吸收熱並將教戴 #生熱源，因而可冷卻該生熱源。該 ’、、、鸯 如丰導^ …、奐°。因此可用來冷卻各種熱源， 如料體裝置，電池，馬達，處理室之壁及任何生熱之源。 本發明之第-特財，形成—熱姐人 隙之支管# ^ …之方法包含形成定義複數個孔 ;;B成^—❹辦溝道之介面層。每-孔隙配置在窄溝 逗之-侧’因而自第-孔隙定義_ i過乍溝這到第二孔隙。在第一 實施例中，介面層包含-展現各向異性轉性之材料。該材料較佳包含 •方—實施财，形成,層包含__ 刻 <.額之錄板，减生<m>方向定齡溝道—斜壁之表面。或 者’材料為奴任何方向並在各向異性電漿侧中蝴以構成—或多個窄 溝道。在另-實施财，抛說含氫氧化钾(卿)或四曱基氫氧化氨 (THAM)。在另—實施例中，—❹辨溝道域器步驟形成，如磨製， 鑛製’鑽製’ _ ’放電機器製(EDM)，線職，缚造，麟，溶模鑄 过或以上方权組合。或者’—或多個窄溝道由電錢形成，金屬注入模造， LIGA方法，鑄造或以上方式之組合。 在另一實施例中，支管層及介面層由單塊裝置構成。在另一實施例 中，方法尚包含耦合支管層至介面層。耦合支管層至介面層包含將支管層 黏接在介面層上，熱熔合支管層於介面層， 陽極接合支管層至介面層上，共熔接合支管層於介面層。在另一實施 Ί29Ι5040 例中，支管層包含一材料選自包含塑料， ’坡螭，金屬及半導體之一组。 在另一實施例中，支管層之形成包 '' 〆成弟一複數個互聯之空心 部及第二複數個互聯之空心手指部。宽_ > —,/、 — 嚴數個空心手指部提供自一或多 個第二孔隙之流動路徑，第二複數個互处 卩之二心手指部提供自一或多個第 二孔隙之流動路徑。較佳為，第_複數 外之空心手指部與第二複數個 互聯之空心手指部實質上位於一平面中。 在另一實施例中，該方法尚包讀合—幫浦至第-複數個互聯之空心 手指部。在另-實補中，方法包麵介崎之絲面與生體統合 形成。在又-實施例中，生熱源包含—半導體微處理器。在另一實施例中， 方法尚包含引進-冷卻材料至幫浦，俾幫浦可沿第—複數刪部循環冷 卻材料至-或多個第-孔隙，沿—複數個窄溝道至—或多個第二孔隙，及 2第二複數個手指部，因而將生熱源冷卻。在另_實施例中，冷卻材料包 2體如水。在另—實施例中，冷卻材料包含液體/蒸氣混合物。在另— 僧每孔隙位於-單-平面中介面層之底表面平形。在另—實施 4中支g層包括一表面’其延伸進入每一窄溝道中，並實質上與窄溝 之輪廣相符。在另—實施例中，—窄溝道有-深度:寬度之長寬比為10:1。 在另a施例中，該方法尚包含耦合一中間層於支管層與介面層之 門。亥中間層包含複數個開口位於複數個孔隙之上方，由其控制流入路徑 中之冷卻材料。 本毛明之第二特性中，一熱交換器包含定義複數個孔隙之支管層，及 "面層包含複數個窄溝道。每一孔隙位於一窄溝道之上方，因而—路徑 Ί29.6040 自第-孔隙被定義，通過-窄溝道至—第二孔隙。在另—實施例中，該介 面層包含展現各向異性之材料。較佳為該材料包含一<胳 方向石夕基板在另-貫施例中，介面層係由在姓刻劑中钱刻侧>方 向之矽基板以產生一 <ιη> 方向表祕絲«道之—倾。料—實關中，_晚含魏 化卿H)㈣基氫氧化氨(_)。在_實施射，窄溝道由機哭方 法形成，如磨製’健，鑽研，衝壓，购，線麵，轉造，模禱造， 賴鑄造或社她德合。或者，物道罐，她入=， LIGA方法’轉造或任何此等方法之組合。 在-實施例中，支管層及介面層係由單塊裝置形成。在另一實施例 中’支管層輕合至介面層。該支管層可由黏接，絲合，陽極接合或轉 接合鮮至介崎。在另-實_巾，支f層包括—材料，選自包含塑料， 玻㈣，金屬，及一半導體。 在另-實施财，該支管層包括第—複數個互聯空心手指部及第二複 數個互聯空心手指部。第-複數個互聯空心手指部提供流動路徑至一或多 個第-孔隙，第二複數個互歡心手指部自—或多轉二孔隙提供流動路 徑。較佳為第-複數個互啦心手指部及第二複數個互聯空心 上位於單一平面中。 曰夷貝 在另-實施例中’支管層包括-第-層，該層包含一或多個第一孔隙 及-或多個第二空隙，及有m層包含第—複數個互聯手指部及 第二複數個互聯手指部。該第-複數個互聯手指部提供軸路徑至一或多 1296040 個第-孔隙，#複數個互射心手指部提供流動 隙。 次夕個第二孔 a在另—魏射，熱交換器進_步包含—幫翻合至第_後數 部。在另一實施例中， 手才曰 生熱 熱交換器進一步包含—生熱源輛合至介面層。在另一實施例中， 源包含半導體微處理器。 在另-實施例中，生熱源與介面層之底表面一體統合構成。在另〜 施例中，每—孔隙位於舆介面層之下表面平行之單一平面中。在另二實 例中，支管層包含-表面，其向每—溝道延伸並與每—窄溝私=施 付。在另-實關中，至少—複數個f溝道之深度:寬度之長 #相 10:1 〇 ，、、、至少 在另一實施例中，熱交換器進一步包含一中間層位於支管層與介面層 之間。該中間層包含複數個開口位於複數個孔隙之上，因而控制冷卻村料 流動路徑。 圖式簡單說明 圖1A為輕合至生熱源之一介面層及一支管層之一部分之側剖面圖， 其構成本發明之熱交換器。 圖1B為圖1A之熱交換器及生熱源之一侧剖面圖，顯示冷卻材斜之 傳輸路徑。 圖2為耦合至生熱源之介面層及支管層之一部分之侧剖面圖，二者構 成本發明之熱交換器 10 1296040 ’支管層具有底表面延伸進人構成介面層之複數個 溝道中 圖3為耦合至生熱源之介面層愈去笔 广又g層之-部分之侧 成本發明之熱交換器，其中之支管層具有 "圖，共同構 负尾狀曲線底表面延伸谁入 面層之複數個溝道中。 <八構成介 圖4為圖1Α之支官層及介面層之透視圖。 圖5為圖4之支管層之透視圖。 圖’顯示介面層之窄溝道與 圖6Α為圖4之支管層及介面層之τ員部面 手指部對齊及支管層之部分。 圖6Β為圖6Α之支管層及介面層之頂部剖面圖，顯示冷卻材科之流 動路徑。 圖7為圖6Β支管層及介面層之透視圖，顯示流動路徑。 圖8為圖4之支管層之透視圖，及圖4 一中間層及介面層共同構成本 發明之熱交換器。 圖9為圖8之熱交換器之侧剖面圖顯示數個流動略捏。 圖10為圖4之支管層之透視圖，圖4之支管層及介面層共同構成本 發明之熱交換器。 圖11為圖10之熱交換器之侧面圖，顯示一流動路裎。 圖12Α為本發明一貫施例之介面層之頂部剖面圖。 圖12Β為圖12Α之介面層之頂部剖面圖，及本發明一與介面廣對齊 之支管層。 圖12C為12Α之介面層之細節頂視圖。 I29i5040 圖13A-D顯示本發明之用以形成介面層之步驟。 較佳實施例之詳細說明 圖1為耦合至生熱源180之熱交換器11〇之部分剖面圖。熱交換器 包含支管層101及介面層105。支管層·包含具有複數個孔隙1〇1从及 複數個固體部分K)U-M之表面。介面層⑽包含複數個窄溝道1G5A_D， 及麵合至生熱源180之絲面。每_窄溝道由—斜繼，—平面地板，及 第一側壁形成。母—溝道甚窄，因其在溝道之上平面之剖面積較其底平 面之剖面積為大，其實現係以斜側壁達成。如以下所詳述，複數個孔隙 101A-E複數個固體部分101J_M，及窄溝道1〇5a七定義成流動路徑或通 道，其可谷納冷卻材料流動。冷卻材料包含流體，如液體，水，蒸氣，空 氣或其組合。在生熱源18〇上方之溝道中循環冷卻材料可冷卻在窄溝道下 方之生熱源。 圖1B為圖ία之熱交換器11〇及生熱源180之側剖面圖。圖iB進一 步說明一冷卻材料導入孔隙101B及1〇1D，及自孔隙1〇1A，1〇lc，i〇ie 移除。圖1B中之箭頭指示冷卻材料之流動方向。彎曲箭頭顯示自生熱源 180至冷卻材料之熱路徑。如圖1B所說明，作業時，冷卻材料由一耦合至 孔隙101B及i〇iD之幫浦導入孔隙丨01]3及1〇1D。冷卻材料在流動路徑12〇 上被導入孔隙101B後，被分至流動路徑121及122。沿流動路徑121傳輸 之冷卻材料部分自孔隙101B通道至窄溝道105A及至孔隙101A。沿流動路 徑121傳輸之冷卻材料吸收由介面層105自生熱源180傳導至與窄溝道 105A附近之熱。沿流動路徑12丨傳輸之冷卻材料於是被導至孔隙i〇ia， 12 129(5040 載負所吸收之熱離開生熱源18〇，因而將生熱源180在窄溝道1〇5Α附近處 加以冷卻。沿流動路徑122傳輸之冷卻材料之部分自孔隙101B通道至窄溝 道105B及至孔隙101C，於是將窄溝道105B附近之生熱源180冷卻。如圖 1B所說明，沿流動路徑122傳輸之冷卻材料與沿流動路徑131傳輸之冷卻 材料結合，以構成冷卻材料沿流動路徑130流出孔隙101C。 相似情形，沿流動路經135導入孔隙101D之冷卻材料被分至路徑131 及132。沿流動路徑131傳輸之冷卻材料部分自孔隙i〇1D傳輸至窄溝道 105C，及至孔隙101C，因而將生熱源180在距窄溝道1〇5C附近處加以冷 卻。如以上所討論，自流動路徑131之冷卻材料與自流動路徑122之冷卻 材料結合，以構成在流動路徑130在孔隙101C之冷卻材料。沿流動路徑 132傳輸之冷卻材料部分自孔隙101D通道至窄溝道1〇5D，及孔隙1〇m， 因而將生熱源180在距窄溝道i〇5D實質上附近位置加以冷卻。 自孔隙101A，101C及101E移除之冷卻材料可以許多方式處理。例 如，冷卻材料可自熱交換器11〇移除，或再冷卻及再導入孔隙1〇1B及1〇m 中。 如下所詳述，支管層101可有許多形狀，用以提供冷卻材料至孔隙 101B及101D及自孔隙101A，101C及1〇m移除冷卻材料。應瞭解，孔隙 之角色可以反轉或以不同組合指定。例如，孔隙1〇1A，1〇1(：及1〇正可用 以導入冷卻材料進人由窄溝道形成之通道，及孔隙而B及1Q1D可用以自 窄溝道形成之通道移除冷卻材料。同時，圖式僅顯示五個孔隙iqia_e，及 四個窄溝l〇5A-D ’較少或更多之孔隙或窄溝道可根據本發明形成。 13 1296040 體路徑121 介面層奶較佳具有-熱傳導率足夠傳導生熱源⑽所生之熱至沿液 。介面層105較佳具有一熱 矽材料。應瞭解，介面層1〇5 脰峪徑121，122及131，132傳輸之冷卻材料。 傳導率為2〇w/m_K或更大。介面層較佳包含一 可含其他材料，如金屬，及熱傳導率可小於2〇w/m_K。 相4⑷Μ之鱗罐，圓形紐及其他賴直雜猶傳輸之液體 _具有㈣直邊緣之通道紐異。因為斜侧錄直角麵能提供一均句 之液體路徑，沿液體路徑之壓力降較小。 因此，幫浦需要較少之能量以沿通道傳輸冷卻材料，因而構成更有效 之熱父換糸統之'部分。 圖2為本發明之_合至生熱源mo之熱交換器21〇之側剖面圖。熱交 換裔210包含圖1A之介面層105，及一包含複數個孔隙21〇A_E之介面層 及複數個固體部分201J-M。圖2亦說明自孔隙201B之流動路徑220被分 為流動路徑221至孔隙201A，及流動路徑222至孔隙201C。自孔隙201D 之流動路徑235被分為流動路徑231及232。流動路徑231與流動路徑222 組合以構成在孔隙201C之流動路徑230。流動路徑232延伸至孔隙201E。 如圖2說明，構成流動路徑221之一部分之固體部分21〇J之底表面延伸進 入窄溝道205A，並舆窄溝道2〇5A之輪廓相符。固體部分201J之底表面有 一非垂直及圓形表面以構成流動路經221之一部分。此一構型可改進冷卻 材料在窄溝道105A，105B，l〇5C及i〇5D底部之液體流動，因而改進熱移 除及降低壓力降。固體部分201K-M之底表面分別構成流動路徑222，231， 232之一部分，其可有相似輪廓。 14 Ϊ296040 應瞭解分201J_M之底表面構成熱交換器观之流動路徑之 -部分並與窄溝道1〇5八①之輪靡相符，可有其他形狀，如一多角形狀，其 模擬窄溝逞l〇5A-D之形狀。例如，圖3說明本發明之輕合至生熱源测 之熱交換器250之剖面圖。熱交換器25〇包含如上述之介面層1〇5，及具有 孔隙265A-E及固體部分265J_M之支管層施。圖3亦顯示一範例流動路 徑261自孔隙265B至孔隙265A。固體部分265J_M每一有一底表面，延伸 至每-複數個窄溝道K)5A_D。_部分廳為—範例。如圖3說明，固 體部分265 j之底表面以直邊緣形成，如範例直邊緣27〇a_c，延伸進入窄溝鲁 C 105A中如上所述’應瞭解因固體部分265J之底表面延伸進入窄溝道 娜，流動路徑加與對應之流動路徑在其固體部分之底表面不進入窄溝 道時’有-較小剖面積。因此，圖3說明之流動路徑261較圖ib之流動路 徑121之剖面積為小。 此，.、.構有數個優點。例如，、沿範例流動路徑2以（圖幻及加(圖$ 傳輸之冷卻材料在孔隙間傳輪冷卻生熱源時未受到尖銳邊緣，因此壓力降 較小。此等結構亦可降低冷卻材料傳輸通道(流祕徑)之容積。迫使同量之# 冷卻材料沿較小之通道傳輸可增加冷卻材料之速度，其亦增加自生熱源， 將熱載離之速度。精於此技藝人士將_，其具有定義—通道並與窄溝道 形狀相付底表面之支管層之優點。 ^瞭解’上述圖式祝明對稱特性，本發明之溝道及固體部分，熱交換 :口可有非對細寸性。斗寸別疋，在出口有一較大開口較在入口有一較大開口 為佳’以容納與自液體轉換為液體/蒸氣混合物相關之體積膨服。該窄溝道 15 129(5040 l〇5A-D(圖1A)亦可有不同形狀及尺寸。不在一對稱列中對齊，窄溝道可八 攤於任何數目狀間’可輯# ’或以任何方式配置及分布以適合應用。刀 此外’應瞭解圖1A-B，2，3說明有四個窄溝道1〇5A_D之熱交換哭 之-維圖式’應瞭解本發明之熱交換器可有在―，二及三維構型中少於— 或多於四個溝道。 圖4為熱交換器300之透視圖，交換器有複數個窄溝道於二維構 型中用以冷卻-生熱源(未示出Η目信棚大數目之小麵道較糊小數目 之大窄溝道以冷卻生熱源為優。相信小轉道無任何銳懒度，可降低與 傳輸於熱父換$中之冷卻材料_之壓力降，目而需要較少能量將冷卻材 料幫浦通過贼換器。_信，小轉道可增加冷卻材料與生熱源表面之 表面與容積比，因此，if加更有效冷卻該生熱源。 熱交換器3GG包含支f層1()1及介面層1Q5，圖ia指蚊全之三維。 圖1A僅說明支管層1〇1之剖面圖。圖4說明具有頂部一部分之支管層他， 包圍立體之表® 189以曝露出表面189下方之支管層ι〇ι之元件，如下所 ϋ如上所詳述’I面層1〇5包含窄溝道l〇sA七及窄溝道觸A_D及 107A-D。因為窄溝道ι〇6Α七及職_d實施對窄溝道η·相似之任務， 以下討論將限於窄溝道1()_。圖4顯示一平面⑽s,與頂表&⑽垂直 如以下圖7有關之說明。 仍，考圖4支g層1〇1包含第一複數個空心手指部(統稱 1%) ’ 手指部19〇A_c(統稱19〇)，固體部分谢⑽，第一容器 195’第—谷為198’入卩埠19从及197B，出口埠199人及199]5輕合至第 16 Ί296040 Z心空心手指部19〇及觸較佳位於_平面中，與支管層贿之底 订。如下所述，空心手指部190及196為支管層101中之開口，提 s之頂表面與支官層1G1之底表面間之通道路徑。空心手指部 _合至第-容器⑼，俾彼聽合及提供自第—容器⑼至支管層則 之底表面之第—部分之流動路徑(通路）。因此，作業時，冷卻材料可自入口 立A B /瓜至第一谷盗195，至空心手指部196，再通過支管層101之底 人、Μ面層1G5。同理’空心手指部19()_合至第二容器198，俾彼此輕 合及提供自介面層105向上通過支管層皿之底部及至第二容器观之路 役。因此作業時’冷卻材料可自入口淳197Α_Β流過空心手指部⑼，向下 至介面層105，沿窄溝道10犯向上回至支管層1〇1中之空心手指部⑼， 及流至出口埠199A-B。 如圖4說明，空心手指部196與空心手指部19〇為交織，因為空心手 才曰部196與空心手指部19〇為交指形。此外，固體部分與手指部196與手 才曰。M90成間隔狀恕。因此，固體部分ιοίΜ位於空心手指部i9〇A與空心 手指部196A之間，固體部分i〇il位於空心手指部196A與190B之間，固 體部分101K位於空心手指部190B與196B之間，固體部分i〇ij位於空心 手指部196B與190C之間。固體部分101J-M提供支管層1〇之結構。圖5 顯示圖4之支管層101之透視圖，其頂表面189(圖4)完全移除。 應了解本發明所用之支管層可有與所述之不同構型。例如，空心手指 部190A-C不必由容器198彼此耦合，空心手指部196A-B不必由容器195 彼此耦合。複數個空心手指部190不必與複數個空心手指部196交織。具 17 Ί296040 有任何數目及空心手指部組合之支管層亦可使用。根據本發明可用之支管 層之範例，曾揭示於共同美國專利申請序號.1〇/493,635律師號碼 COOL-00301，於2003，5，16提出，標題為”供在生熱裝置冷卻理想熱點 柔性液體傳輸之方法及裝置π，該專利申請以參考方式併入此間。 圖6Α為支管層101在介面層105上對齊之頂部透視圖。當支管層ι〇1 與介面層105對齊時，此二者定義複數個孔隙ι〇1Α-ε，如圖1Α所說明。 例如，如圖6Α及1說明，固定部分l〇ij在窄溝道i〇5d之上並跨越窄溝道 105D之一部分，而定義孔隙101Α及101Β ;固體部分101Κ在窄溝道105Β 之上並跨越窄溝道105Β之一部分而定義孔隙1〇1Β及1〇lc;固體部分 101L在窄溝道105C之上並跨越窄溝道i〇5c之一部分，而定義孔隙me 及101D ;固體部分101M在窄溝道i〇5D之上並跨越窄溝道i〇5D之一部 分，定義孔隙101D及101E。圖6A亦說明圖4所示之虛線段ττ。 圖6B說明圖4中之熱交換器3〇〇，沿圖6入之支管層1〇1之流動路徑。 為簡化此一討論，僅在圖6B說明圖1B之二路徑12〇及121。如圖6B說明， 一冷卻材料由一幫浦(未示出）導入入口埠197A-B。冷卻材料於是流入第一 容器195，再流入空心手指部196B。參考圖1B及6B，冷卻材料沿空心手 指部196B傳輸，在向下沿流體路徑12〇進入孔隙1〇1B。圖6B該”?π記號 指出冷卻漏傳輸進人圖之平面，及再進人·丨_。冷卻材料其次在窄 溝道105A定義之通逗中沿流動路徑121傳輸，及在孔隙1〇1八排出。圖 6B中之流動路徑121之記號”〇”指出冷卻材料排出圖式之平面及進入孔隙 101A，及進入空心手指部190c。應瞭解，，，進入”及”排出"一詞係用來協助 18 1296040 說明與圖式為參考之流動方向，無意限制本發明之範圍。其次，沿空心手 指部190C傳輸之冷卻材料流進容器198，再排出出口埠199A-B。自該處， 冷卻材料可自熱交換器300移除或冷卻及再導進入口埠197A-B。 應瞭解，導入入口埠197A-B之冷卻材料通常除在空心手指部196B 及190C傳輸外，亦沿空心手指部傳輸。本討論僅限於沿空心手指部1%B 及190C傳輸之冷卻材料，以簡化本說明。沿空心手指部196B傳輪，冷卻 材料可被導入孔隙101B以外之孔隙。沿孔隙i〇1B傳輸之冷卻材料，通常 沿流動路徑121以外之路徑傳輸，如圖6B所說明。例如，沿流動路徑ΐ2〇 φ 傳輸之冷卻材料之一部分可被分為沿流動路徑122傳輸，如圖1B所說明。 如以下所詳述，熱父換益300亦包含一中間層，其決定冷卻材料被導入何 一孔隙，因此，可控制生熱源上方之冷卻材料之流動。 圖7說明圖4之熱交換器3〇〇之一部分，其頂表面189被移除。圖7 顯示圖4之熱交換器300之一部分由收，88，所定義及包含第一容器195。平 面RR’SS1與空心手指部I%交叉，空心手指部1%，固體部分及窄 溝這l〇5A-D交叉，如圖4所示。圖7用以說明冷卻材料1〇3之一部分之三籲 維流動路徑。 如圖7中所說明，冷卻材料1〇3沿空心手指部1%A被導入入口埠 職，及導入容器195，再向上進入孔隙101E，及向上通過空心手指部 職。冷卻材料於是以與紙面垂直方向流出。參考圖*，冷卻材料於是流 進第二容器198及流出一或二個出口埠199A及199B。再參考圖7，當沿流 動路132傳輸時，冷卻材料吸收生熱源18〇所生之熱，及由與窄溝道娜 19 1296040 相鄰之介面層105之一部分傳導。冷卻材料將吸收之熱載離生熱源18〇，因 此，冷卻材料將生熱源180在鄰近窄溝道105D之位置加以冷卻。在其他窄 溝運105A-C中循環之冷卻材料以相似方式在接近窄溝道1〇5A-C之位置將 生熱源180冷卻。 應瞭解，本發明之熱交換器1〇3可有許多其他構型。例如，圖8說明 一包含支管層101，介面層105之熱交換器500,與圖4同，有一中間層31〇 位於支管層101與介面層1〇5之間。如圖4 一樣，圖8顯示支管層之頂部 表面189之一部分已切除。中間層310可用來使冷卻材料僅流進熱點上方 之此等通道，並防止冷卻材料流進未位於熱點上方之通道，因此，需要較 少之冷卻材料及幫浦之較少能量循環該冷卻材料。 如圖8所說明，中間層310具有複數個孔隙311A-E，用以控制簍卻 材料自支管層101流至介面層105。圖9說明孔隙311A-E之一列，應瞭解， 中間層310可包含多於一列之孔隙。圖9說明一列孔隙以簡化本討論。本 發明之中間層310之用途將以圖9說明。 圖9為支管層101中間層310及圖8之介面層1〇5之側視剖面圖。如 圖9所說明，孔隙311A位於空心手指部190C與窄溝道1〇5A之間；孔隙 311B位於空心手指部196B與窄溝道1〇5Α之間；孔隙311C位於空心手指 部190B與窄溝道105B之間；孔隙311D位於空心手指部196A與窄溝道 105C及l〇5D之間；空隙311E位於空心手指部19〇a與窄溝道i〇5D之間。 以此方式，沿流動路徑317B傳輸之冷卻材料被導入空心手指部1%B中， 及沿流動路徑316A及316B傳輸。沿流動路徑316A傳輸之冷卻材料通過 20 Ί29.6040 孔隙311A並進入空心手指部190C。沿流動路徑316B傳輸之冷卻材料通過 孔隙311C並進入空心手指部190B。 相似方式’沿流動路徑317D之冷部材料被導入空心手指部196A，及 沿流動路徑316C及316D傳輸。沿流動路徑316C傳輸之冷卻材料通過孔 隙311C，及進入空心手指部19〇B。沿流動路徑316D傳輸之冷卻材料通過 孔隙311E ’並進入空心手指部190A。如下所詳述，以開啟及關閉孔隙 311A-C ’流過熱交換器500之冷卻材料之流動得以控制。 圖10顯示具有圖8之支管層1〇1及介面層1〇5，及一位於支管層1〇1 及介面層105之間之中間層314之熱交換器60◦。中間層314之構型可使冷 卻材料僅沿流動路徑316D(圖流過。如圖4，8 一樣，圖1〇顯示之支管 層101之頂表面189已切除。中間層314具有孔隙3UD及3im，但無如 圖8所示之孔隙311A-C。因此，如圖„所說明，冷卻材料被控制沿流動 路徑316D傳輸，而不沿流動路徑316A_C傳輸。中間層如中間層非常 有用’例如’當麵合至介面層1〇5之底表面之生熱源(未示出)具有不均勾生 熱部分時為然。在-例中，生熱源需要僅在窄溝道1〇5D之下方被冷卻，即 流動路徑316D之下方。如所述之中間層揭示於美國專請序號酬9,635， 律師文«⑺⑽麵，細，5，10獅，_為，，生齡置中冷卻理 想熱點之液體傳輸方法及裝置”，該專利以參考方式併入此間。 圖12A-C用以顯示本發明-實施例之熱交換器79〇 一部分之特性。圖 12A-C分別頒不介面層7〇5之頂部圖，由介面層7〇5及支管層7〇1構成之 熱交換器790之剖面圖，及介面層7〇5之詳細頂視圖。 21 Ί296040 圖12A說明介面層705有一頂表面707及窄溝道705A及705B。如 圖12A所έ兒明’窄溝道7〇5A由一線AA’分界之第一垂直邊緣壁711，及線 ΒΒ’分界之第二垂直邊緣壁712。線顔，將介面層705二等分，其在以下用 以說明介面層705之特性。如下所詳述，圖UC之討論中，窄溝道7〇5Α 包含一斜側壁部分706及710 ,每一側壁部分包含二斜侧壁(7〇9Α及 709BJ10A 及 710Β)。 圖12Β為本發明一實施例之熱交換器790之剖面圖。圖ι2Β說明圖 12Α之介面層705沿線ΜΜ，之剖面圖，及支管層701之剖面圖。支管層7〇1 包含孔隙701Α，其寬度為W1，及孔隙7〇1Β寬度為W2。窄溝道7〇5八有 自窄溝道705Α之頂表面707上一點X至窄溝道705Α之頂表面706上之一 點Y所側之高度Η。剖面圖中顯示，窄溝道7〇5a有一第一斜側壁部分7〇9， 其自X點延伸至γ點。同理，窄溝道705A有一第二斜側壁部分71〇，其 自窄溝迢705A上之一點X，延伸至底表面7〇6上之一點γ，_。 圖12Β進一步說明斜侧壁部分7〇9(如下所述，形成側壁部分之每 -側壁709Α，709Β)舆底表面706自底表面7〇6順時針測量成一角度$ i。側 壁部分710與表Φ 706與底表面706成反時針測量成一 0 2。較佳為，角0 1及角Θ2在0度與90度之間。較佳為01等於们參考圖i2c，斜侧壁部 分709(圖_由斜側壁观及職組成，彼此成_角度。每一斜側壁 709A及7G9B自底表面706順時針測量成一角度$丨。斜側壁7曜ΐ2β) 由二斜侧壁7·及聰組成，並互成_角度。每—側壁丽及薦自 絲面706以反時針方向測量與底表面7〇6成一角度⑽。如目μ所說 22 1296040 明，線二等分熱交換器790，與斜側壁709交叉，斜侧壁7〇9A與侧壁 709B在忒處相遇，斜側壁刀^八在該處與斜侧壁了WE相遇。 仍參考圖12C，窄溝道705A有一寬度G，線AA，與線BB，距離。沿剖 面謝’以線段DD’為分界，底表面7〇6之長度為E。窄溝道705A沿線讀 之頂部寬度，以線段CC，分界之長度為V。 在-較佳實施例中，高度約為lmm，寬度W1AW2均約為2〇〇聰， 見度G约為2〇um，長度E為2um，長度v約為3 4mm。應瞭解，根據本 發明，Η可能大於或小於lum，切及W2可大於或小於綱職，g可大於_ 或小於20um，E可大於或小於2mm。應瞭解，溝道7〇53之尺寸可與溝道7〇5a 不同；二者之尺寸以相似表示僅為便於說明。H較佳選為較大以提供一結 構供熱交換器790，並能承受麵合至熱交換器79〇之生熱源產生之熱。較佳 為Η為夠小，以使熱迅速輻射及有效使交換器79〇中循環之冷卻材料輻射。 在貝她例中，以上各值之選擇以提供窄溝道ι〇:ι或更大之長寬比。應瞭 解’該尺寸亦可選擇以提供深度:寬度小於1〇:1。 圖13A-D說明步驟用以製造本發明一實施例之窄溝道(通道)及支管層· 之一部分。® 13A-D說明一窄溝道之形成，應瞭解利用適當之掩膜，圖 13A-D說明之步驟可用以形成許多本發明之窄溝道。 圖13Α說明-材料8〇5。具有—<110>方向，具有掩膜幻5在才料⑽5 上形成或沉積。掩膜815利用微影方法圖案化以曝露以後定義窄溝道之面 積。材料805展現各向異性蝕刻如下所述。材料8〇5較佳為<11〇>方向矽。 或者，材料8()5為任何方向之料其他材料，或展現各向異健刻之混合 23 Ϊ296040 材料。 材料805於是曝露於飯刻劑中，如濕钱刻劑以曝露<11〇>方向平面(即 側壁811及81¾及底表面813,如目13B所說明之合成窄溝道8〇5a。或者，

材料8〇5在各向兴性電漿中綱。如圖說明，斜側壁川與窄溝道咖A 之底表面順時針測量成—角細，約為54J度。應瞭解，本發明擬想侧壁 可與窄溝道8G5A之底表面成其他角度，角度較佳大於◦度及小於％度。 本發明亦擬想構成有此範圍角度之側壁，以組合塊狀部分以構成角度之側 壁。 較佳為，掩膜815由能抗飯刻劑之材料形成。本發明使用之侧劑包 括但不限於氫氧化卸_)，四甲基氫氧化氨(τ_。根據本發明使用之 掩膜可包含氮，氧化物如Si〇2及金屬。 其次，如圖13D所說明，支管層8_合至介面層8〇5。支管層81 可利用不同技她合至介面層8〇5，包括黏劑接合，聽合，陽極齡，^ 熔接^或其它方式之接合。或者，支管層⑽及介面層可在製造其 2由單塊裝置構成。較佳為，支，1G之構纽純可使合成之細 隹實質上位於單-平面，與轉道之絲面平行。支管層_可自不同材剩 衣成’包括但不限於歸，玻璃，金屬，半導體及混合材料。 盘人其次’介面層805可轉合至生熱源，如半導體聚置。或者，生熱源可 2介面層8〇5之底表面—體統合形成於—或多個半導體裝置製造步驟中。 2浦啦_是可私至支管層_，如上職，心卻材料傳輸通過 熱又換益，因而冷卻生熱源。冷卻材料可包括液體，如水，氣體，空氣， 24 1296040 蒸氣或此專之組合。 或者丨面層8〇5可由金屬製成，如銅，利用標準機器方法以形成窄 溝道。此等機器'方法包括但不限於磨製，鑛製，鑽製，衝壓，贿，線咖， 鑄造’模鑄，溶模鑄造’或此等鑄造之組合。或者，介面層可以立他 方法製造，包括料祕顿，金粒人難，LIGA方法，鑄造或此等方 法之組合。 本發明之触換n提供帽之流細，冷卻·可在其中傳 輸。此種結構可有效作業’ 可降低將冷卻材料傳輪域交換器之幫浦 之負荷。本發明製造熱交換器之方法 為相對價廉。展現各向異性_之材料以化學侧，較佳利用濕化學 餘刻以構成轉道以最佳構錢徑。儀濕鱗_為錢，較其他 裝置製造方法迅速。本發日月可絲贿_交換如冷卻各種裝置，如半 導體裝置，馬達，電池，處理室壁，或其他生熱裝置。 本發明已以猶實關併人細科輯明，以枝瞭解本發明結構及 作業之原理。雜殊實施例之參考及―_本發财請專利範圍之 意。對精於此技藝人士言，可對實施例加以修改以作說明目的，而不致有 悖本發明之範圍與精神。 主要元件符號說明 101支管層 101A-E孔隙 105介面層 105A-D窄溝道 180生熱源 120流動路徑 101J-M固體部分 U0熱交換器 25 Ί296040 12：l、122、130、131、132、135 流動路徑 2(U、210熱交換器210A-E孔隙 201J-M固體部分 220、221、222、23Q、231、232、235、240 流動路徑 280生熱源 250熱交換器 265支管層 265A-E孔隙 265J-Μ固體部分261流動路徑 270A-C直邊緣 300熱交換器 106Α-D、107Α-D 窄溝道 196Α-Β(統稱196)空心手指部 190Α-C(統稱190)空心手指部 195第一容器 198第二容器 199Α-Β出口埠 300熱交換器 500熱交換器 310中間層 317Α-Ε、316Α-D 流動路徑 600熱交換器 790熱交換器 701支管層 707頂表面 711、712垂直邊緣壁 709Α-Β，710Α-Β 斜侧壁 W1、W2寬度 805材料 811、812側壁 813底表面 189表面 197A-B 入口埠 103冷卻材料 、 311A-E孔隙 314中間層 705介面層 705A-B窄溝道 參 706、710側壁部分 701A、701B 孔隙 815掩膜 805A窄溝道 26

Claims (1)

1296040 十、申請專利範圍·· 1. 一種形成一熱交換器之方法，包含· a•形成一定義複數個孔隙之支管層； 匕心成3或多個乍溝道之介面層，每—孔隙位於窄溝道之一 側，藉以定義-自-第―孔隙通過—窄溝道及至—第二孔隙的路 徑；及 C·搞合-中間層’該中間層具有位於該複數個孔隙的複數個開 口。 2·如申請專利範陳項之方法，其中該介面層包含—展現各向異 性钱刻之材料。 <110〉方向之 3.如申請專利翻第2項之方法，其中料包含一 梦基板。 4.如申請專利範圍第3項之方法，盆中并;士、人 以其中形成一介面層包含在蝕刻劑 中侧<110>方向之石夕基板，以產生定義一窄溝道之斜壁之仙〉 方向之表面。 氳氧化鉀 5·如申請補範圍第4項之方法，其巾該_劑包含 ⑽H)。 包含四甲基氫氧化 如申請專利範圍第4項之方法，其中該姓刻劑 氨(TMH)。 7.如申請專職_項之方法，細—或—溝道係由機器 方法形成，方法選自包含磨製、織、雜、_、簡、線麵、 27 1296040 鑄製、模鑄造及共溶容合鑄造之一群組。 8·如申巧專利範圍第1項之方法，其中該一或多個窄溝道係由選自 包含電鍍、金屬注入模製、LIGA方法及鑄造之一群組方法所形成。 9·如申請專利範圍第1項之方法，其中該支管層及介面層係由單塊 裝置所形成。 10·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含耦合支管層至介面 層。 11. 如申請專利範圍第1〇項之方法，其中耦合支管層至介面層包含 黏接接合支管層於介面層上。 12. 如申請專利範圍第1〇項之方法，其中耦合支管層至介面層包含 熱熔合支管層於介面層。 13. 如申請專利範圍第1〇項之方法，其中耦合支管層至介面層包含 陽極接合支管層於介面層。 14·如申請專利範圍第1〇項之方法，其中耦合支管層至介面層包含 共熔接合支管層於介面層。 15·如申請專利範圍第丨項之方法，其中該支管層包含一材料選自 含塑料、玻璃、金屬及半導體之一群組。 16·如申請專利範第1項之方法，其中形成該支管層包含形成第一 複數個互聯空心手指部，及第二複數個互聯空心手指部，第一複 數個互聯空心手指部提供流動路徑至該—或多個第—孔隙，及第 二複數個互聯空心手指部提供流動路徑自該一或多個第二孔隙。 28 1296040 17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該第一複數個互聯空心手 指部及該第二複數個互聯空心手指部實質上位於一單一平面中 18. 如申請專利範圍第16項之方法，進一步包含耦合—幫浦至第一 複數個互聯空心手指部。 19·如申請專利範圍第丨項之方法，進一步包含耦合一生熱源至一 介面層。 20.如申請專利範圍第19項之方法，其中該介面層之底表面與生熱 源一體統合形成。 21 ·如申請專利翻第19項之方法’其巾該生熱源包含—半導體微 處理器。 " 22·如申請專利範圍第18項之方法，進一步包含將冷卻材料導入該 幫浦’使得幫浦可沿該第-複數個互輕心手指職賴冷卻# 料至該-或多個第—孔隙，沿複數辦溝道至該_❹個第二孔 隙，及至該第二複數個互聯空心手指部，藉以將生熱源冷卻。 23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該冷卻材料包含一液體。φ 24. 如申請專利朗雜項之方法，其巾該液體包含水。 ^如申請專利範圍第22項之方法，其中該冷卻材料包含一液體/ 洛氣混合物。 ^如申請專利範圍細之方法，其中該每—孔隙實質上位於— 单一平面’該平面與介面層之下表面平行。 27. 如申請專利範圍第1項之方法 其中該支管層包含一表面向每一 29 Ί296040 窄溝道延伸進人，及實f上與每—窄溝道之輪廊相符。 28. 如申請專利範圍第1項之方法，其中-窄溝道有-深度：寬度之 長寬比至少為1〇:1 〇 29. 如申請專利範圍第㈣之方法，財該一或多溝道的各溝道的 一底表面為一平面。 30·—種熱交換器包含·. a•一定義複數個孔隙之支管層； b. —介面層，包含複數個窄溝道，每一孔隙位於一窄溝道之一 側’藉以定義一自一第一孔隙，通過—窄溝道及至一第二孔隙的 路徑；及 C，中間層，其具有位於該複數個孔隙的複數個開口，該孔隙 位於該支管層與該介面層之間。 31·如申請專利範圍第3〇項之熱交換器，其中該介面層包含一展現 各向異性姓刻之材料。 32,如申請專利範圍第31項之熱交換器，其中該展現各向異性蝕刻 之材料包含一 <110〉方向之石夕基板。 33·如申請專利範圍第32項之熱交換器，其中該介面層係由在侧 劑中蝕刻<11〇>方向之矽基板，以產生<111;>方向之表面以定義窄 溝道之斜壁。 34·如申請專利範圍第33項之熱交換器，其中該蝕刻劑包含一氫氧 化鉀(KOH)。 30 129(5040 35·如申請專利範圍第33項之熱交換器，其中該蝕刻劑包含一四甲 基氫氧化氨(ΤΜΑΗ) 〇 · 36·如申請專利範圍第3〇項之熱交換器，其中該窄溝道係由選自包 含磨製、鋸製、鑽製、衝壓、EDM、線EDM、鑄造、模鑄造、及共 熔鑄造之機器方法所形成。 37·如申請專利範圍第3〇項之熱交換器，其中該窄溝道係由選自包 含電鍍、金屬注入模製、 LIGA方法及鑄造之一群組所形成。 38·如申請專利範圍第3〇項之熱交換器，其中該支管層及介面層為 一單塊裝置形成。 ' 39·如申明專利範圍第30項之熱交換器，其中該支管層耦合至介面 層。 40.如申明專利範圍第3g項之熱交換器，其中該支管層由黏膠接人 而耦合至介面層。 ° 41·如申請專利範圍第39項之熱交換 合至介面層。 器，其中該支管層由熱熔合輕

42·如申请專利範圍第如項之熱交換器、，其中該支管層由陽極 耦合至介面層。 433 U概]j^39項之熱交脑，其巾該支管層由共溶接合 摩馬合至介面層。 44·如申睛專利範圍第3〇項之熱交換器，其中該支管層包括一材料 31 Ί296040 選自包含塑料、玻璃、金屬及半導體之一群組。 45. 如申請專利範圍第30項之熱交換器，其中該支管層包含一第一 複數個互聯空心手指部及一第二複數個互聯空心手指部，該第一 複數個互聯空心手指部提供流動路徑至該一或多個第一孔隙，該 第二複數個互聯空心手指部自該一或多個第二孔隙提供流動路 徑。 46. 如申請專利範圍第45項之熱交換器，其中該第一複數個互聯空 心手指部與第二複數個互聯空心手指部實質上在一單一平面中。 47. 如申請專利範圍第45項之熱交換器，進一步包含一幫浦耦合至 第一複數個互聯空心手指部。 48. 如申請專利範圍第30項之熱交換器，進一步包含耦合至該介面 層之一生熱源。 49. 如申請專利範圍第48項之熱交換器，其中該生熱源包含一半導 體微處理器。 50. 如申請專利範圍第48項之熱交換器，其中該生熱源與介面層之 底表面一體統合形成。 51. 如申請專利範圍第30項之熱交換器，其中該每一孔隙實質上位 於一平面中，其與介面層之下表面平行。 52. 如申請專利範圍第30項之熱交換器，其中該支管層包含一平 面，延伸進入每一窄溝道並與每一窄溝道之輪廓相符。 53. 如申請專利範圍第30項之熱交換器，其中至少一複數個窄溝道 Ϊ296040 之深度··寬度長寬比至少1〇:1。 54.如申請專利範圍·項之熱交換器，其中該一或多溝道的 道的一底表面為一平面。 〆 55· —種形成一熱交換器之方法，包含·· a·形成一定義複數個孔隙之支管層； b.形成含-或多個窄溝道之介面層，每一孔隙位於—窄溝道之 -側，藉以定義-自第-孔隙通過—窄溝道及至—第二孔隙的路 徑；及 C.麵合-中間層於該支管層與該介面層之間，該中間層具键數· 個位於該複數個孔隙上的開口，藉此控制一冷卻材料於該路捏的 流動。 56. —種熱交換器包含： a· —定義複數個孔隙之支管層； b· -介面層，其包含複數個窄溝道，每一孔隙位於—窄溝道之 一側，藉以定義一自一第一孔隙通過—窄溝道及至一第二孔隙的籲 路徑；及 c，一中間層，位於该支管層與该介面層之間，該中間層包括複數 個位於該複數個孔隙的開口，藉此控制一冷卻材料於該路徑的流 動0 33