TWI295789B - - Google Patents

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TWI295789B
TWI295789B TW094103689A TW94103689A TWI295789B TW I295789 B TWI295789 B TW I295789B TW 094103689 A TW094103689 A TW 094103689A TW 94103689 A TW94103689 A TW 94103689A TW I295789 B TWI295789 B TW I295789B
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TW
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circuit
base substrate
layer
circuit layer
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TW094103689A
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Kouji Tasaki
Hironori Ishizaka
Masahito Shibutani
Kousuke Tanaka
Masahisa Shinzawa
Hidehiko Tonotsuka
Katsuya Iwata
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

1295789 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關裝載1C元件之非接觸式個別識別裝置 搬之電子裝置,詳細上係有關得到廉價、高生產性且優良 之通訊特性之電子裝置。 【先前技術】 近年來,使用 RFID ( Radio Frequency Identificatin 無線頻率識別)標籤之非接觸式個體識別系統,係做爲整 體管理物品生命流程之系統,而於製造、物流、販賣之所 有產業受到重視。尤其是使用2.45GHz之微波的電波方式 RFID標籤,可以於1C元件外部加裝天線之構造,使通訊 距離達到數公尺之特徵特別受到注目,目前正以大量商品 之物流及物品管理或製造物品履歷管理等爲目的,而硏發 系統構築。 使用上述微波之電波方式RFID標籤,例如已知的日 本日立製作所有限公司和日本Renesas科技有限公司所開 發之TCP (Tape Carrier Package帶狀載體封裝)型安裝 器。 又,其他之安裝器構造,例如日本日立製作所有限公 司之宇佐美所發明,使1C元件之電極在互相對向1組之 各自之面一個個形成的1C元件中,各自之面所形成之各 電極連接於偶極天線之玻璃二極體封裝構造(日本特開 2002-269520號公報)。更且由宇佐美等人,開發有將上 (2) 1295789
~ 述2個電極在1C元件互相對向1組之各自之面一個個形 成的1C元件,安裝於激振細縫型偶極天線時,以天線將 上述1C元件中在互相對向1組之各自之面一個個形成的 ' 外部電極加以包夾,而成爲一種三明治天線構造(ISSCC
Digest of Technical Papers, pp.398-399, 2003 年)〇 具有 激振細縫之偶極天線構造,可藉由調整此細縫之寬度及長 度,來整合天線之阻抗及上述1C元件之輸入阻抗,故可 Φ 提高通訊距離。 【發明內容】 爲了以使用RFID標籤之非接觸式個體識別系統,來 實現大量商品之物流及物品管理,必須對每個商品加裝 RFID標籤,故必須大量且廉價的生產RFID標籤。 然而,將訊號輸入輸出用之2個電極形成於同一面中 的1C元件,有必要1C元件上之電極,和天線電路加以高 φ 精確度的對準。尤其於得到良好通訊特性之發振型偶極天 線構造中,1C元件之2個電極以跨越發振細縫而連接於天 線來形成共振電路,故於同一面上形成所有外部電極之1C : 元件,有必要將訊號輸入用之2個外部電極’和細縫加以 :高精確度的對準。故先前雖使用 TAB ( Tape Automated Bonding)製法將1C元件一個個安裝於天線基板,但先前 的TAB製法,係對於每一個於同一面上形成所有外部電 極之1C元件,皆以真空吸附器自切片薄膜吸附或搬運於 同一面上形成所有外部電極之1C元件,將其配置並對準 -6- (3) 1295789 於天線基板,更且加熱壓著,以樹脂密封等工程;故各 程之接觸時間難以縮短至1秒左右或1秒以下,而對大 生產性具有大問題。 又,接觸時間越長人事費用也越多,將妨礙低成本 之外,爲了以金-錫或金-銲錫黏著,來連接於同一面上 成所有外部電極之I c元件和天線基板,故基板材料必 使用將聚亞胺薄膜貼在銅箔上之高價的帶狀基材,而難 生產廉價之安裝器。 若使用以上述天線將2個外部電極在互相對向丨組 各自之面一個個形成的1C元件,其中在各自之面一個 形成之外部電極加以包夾的三明治天線構造,則不需要 激振細縫和上述I C元件中在各自之面一個個形成之各 部電極加以高精確度對準,而有將電極形成於1C元件 兩面的必要。此等之電極,先前多使用電性阻抗小、耐 化性佳的金,而妨礙低成本化。 本發明係有鑑於上述者,以提供一種廉價並具優良 產性,且可得良好通訊特性之電子裝置。 爲解決上述課題,本發明之電子裝置,係包含1C 件,和第1及第2電路層的電子裝置;其中上述1C 件,係具有矽所構成之基底基板,和於上述基底基板之 方之面形成半導體電路的半導體電路層,和形成於上述 導體電路層上的電極;分別將上述第1電路層電性連接 上述基底基板之其他方面或上述電極之任一方,將上述 2電路層電性連接於上述基底基板之其他方面或上述電 工 量 化 形 須 以 之 個 將 外 之 氧 生 元 元 半 於 第 極 (4) 1295789 - 之剩下的一方。 上述第1及第2電路層之最少一個以上之層,係以具 有送訊、收訊或送收訊功能者爲佳。 "此電子裝置,係包含1C元件,和做爲送收訊天線而 動作的第1及第2電路層,其中上述1C元件,係具有矽 所構成之基底基板,和於基底基板之一方之面形成半導體 電路的半導體電路層,和形成於半導體電路層上的電極; g 而定位於面對之1組其各自之面的上述基底基板面之其他 方面,及上述電極,其任一方係電性連接於上述第1電路 層,而剩下一方電性連接於上述第2電路層爲佳。 此電子裝置,係包含1C元件,和形成有細縫且做爲 送收訊天線而動作的第1電路層,和電性連接於上述IC 元件與上述天線且做爲短路板而動作的第2電路層的,電 子裝置;其中上述1C元件,係具有矽所構成之基底基 板,和於基底基板之一方之面形成半導體電路的半導體電 φ 路層,和形成於半導體電路層上的電極;而定位於面對之 1組其各自之面的上述基底基板面之其他方面,及上述電 極’其中任一方係電性連接於上述第1電路層,而剩下一 ^ 方電性連接於上述第2電路層爲佳。 最少於上述基底基板之其他方面,經由導電性黏著劑 而被連接有上述第1或第2導電層者爲佳。 上述導電性黏著劑係由熱硬化性之矩陣樹脂,和粒狀 或鱗片狀或針狀之金屬片,所構成者爲佳。 最少於上述基底基板之其他方面,經由異向導電性黏 1295789 、 (5) * 著劑而被連接有上述第1或第2導電層者爲佳。 上述異向導電性黏著劑,係包含矩陣樹脂,和金屬粒 子或表面形成金屬層之有機樹脂粒子所構成的導電性粒子 者爲佳。 上述1C元件,係以上述異向導電性樹脂的矩陣樹脂 所密封者爲佳。 上述第1及第2電路層之至少一方,係包含鋁或銅所 g 構成之導電層者爲佳。 上述第1及第2金屬箔之最少一方,係由有機樹脂之 基底材所支撐;上述有機樹脂,係由聚氯乙烯樹脂 (PVC )、苯乙烯(ABS )、聚對苯二甲酸乙二酯 (PET )、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙二酯(PETG )、聚 萘乙烯(PEN )、聚碳酸鹽樹脂(PC ) 、2軸延伸聚酯 (0-ΡΕΤ),聚亞胺樹脂等所選擇者爲佳。 上述第1或第2電路層之最少一方,係由紙所構成之 φ 基底基材所支撐者爲佳。 若依本發明,則可實現廉價、高生產性且得有優良之 通訊特性之電子裝置。 【實施方式】 以下,使用圖示詳細說明本發明之實施方式。 本發明之電子裝置,係包含一面形成有電極,而另一 面爲矽所構成之基底基板1C元件;和最少任一個被做爲 送收訊天線而動作的第1及第2電路層。 -9- 1295789 * (6) 弟1 Η係本貫施方式之電子裝置,亦即RFID標鑛用 安裝器之一例;係表示於偶極天線安裝了 I C元件之安裝 器的槪略圖。第1圖(a )係由上方看的槪略圖,第1圖 * ( b)係A-A’部之剖面槪略圖。上述ic元件10,係分別 形成有矽所構成之基底基板1 1,和形成於基底基板1 1面 之方面的半導體電路層1 2,和形成於此半導體電路層1 2 上的電極13。上述1C元件10係藉由電極13,經由異向 φ 導電性黏著劑層4 0所包含之導電粒子4 1,而連接於做爲 天線來動作的第1電路層2 0。又,上述IC元件1 0係藉由 基底基板1 1的另外方面,經由異向導電性黏著劑層4 0所 包含之導電粒子4 1,而連接於同樣做爲天線來動作的第2 電路層3 0。1C元件1 0,分別以電極1 3電性連接於第1電 路層2 0,而以基底基板1 1連接於第2電路層3 0。 又,本發明之電子裝置,係包含一面形成有電極13, 其相對面爲矽所構成之基底基板1 1的1C元件1 0,和形成 φ 有細縫且做爲送收訊天線而動作的第1電路層,和電性連 接於上述1C元件與上述第1電路層20且做爲短路板而動 作的第2電路層者。 具有激振天線之偶極天線構造,可以調整此細縫之寬 。度極長度,而整合天線之阻抗和上述1C元件1 〇之輸入阻 抗,進而爲得到良好通訊特性的理想構造。 第2圖係本實施方式之電子裝置亦即RFID標籤用安 裝器的一例,其表示於激振細縫型偶極天線安裝1C元件 1 〇,而具有此三明治天線構造的安裝器之例。第2圖 -10- 1295789 ^ (7) ' (a )係由上面看此安裝器之槪略圖,第2圖(b )係第2 圖(a)之B-B’部之剖面槪略圖。使用第2圖,簡單說明 ’一 上述安裝器之構造。 ~ 1C元件1 〇,係和第1圖(b )所示之例相同,分別形 成有矽所構成之基底基板11,和形成於基底基板11面之 方面的半導體電路層1 2,和形成於此半導體電路層1 2上 的電極13。上述1C元件10係藉由電極13,經由異向導 φ 電性黏著劑層40所包含之導電粒子41,而以第1連接部 20連接於基底基材22極天線電路21所構成之第1電路層 20。同樣的,經由異向導電性黏著劑層40所包含之導電 粒子41,分別以第2連接部3,連接上述1C元件1 〇之基 底基板1 1和基底基材3 2極導電層3 1所構成之第2電路 層;又,以第3連接部4,連接第2電路層3 0和第1電路 層2 0。上述IC元件1 0之基底基板1 1的第2連接部3, 和第1電路層20上之第3連接部4,係跨越形成於第1電 φ 路層20之細縫1而連接的構造。亦即,上述1C元件1 〇 之電極1 3和基底基板1 1,係經由第i連接部2、天線電 路21、第3連接部4、第2電路層30之導電層30及第2 U 連接部3,而電性連接。又,第1電路層2 0和第2電路層 3 0之空隙,係以異向導電性黏著劑層40之矩陣樹脂42所 密封。另外,第2圖中IC元件1 〇,雖表示基底基板1 1連 接於第2電路層3 0之導電層3 1,電極1 3連接於天線電路 2 1之構造,但即使將1C元件1 0之基底基板1 1和電極i 3 反轉的構造,亦不會改變做爲安裝器之功能。 -11 - (8) 1295789 - 其次,對具有三明治天線構造之RFID標籤用安裝器 的製造方法,舉例說明。 本發明中上述電子裝置之製造方法之第1例,係最少 _ 具有使用金屬箔構成天線電路之工程,及藉由於基底基材 上設置上述天線電路而形成第1電路層之工程,或是由基 底基材上設置之金屬箔來設置天線電路以形成第1電路層 之工程;於上述天線電路上之1C元件裝載部,及與第2 g 電路層之連接部,形成第1導電性黏著劑層或異向導電性 黏著劑層的工程;於上述第1電路層之天線電路上,定位 IC元件並暫時固定的工程;於上述IC元件上,形成第2 導電性黏著劑層或異向導電性黏著劑層的工程;使其與被 暫時固定之上述1C元件及上述第1電路層上之特定位置 可電性連接地,對準形成有導電層之第2電路層的工程; 於上述1C元件及第1電路層上,經由第2導電性黏著劑 層或異向導電性黏著劑層,將第2電路層加以一同加熱壓 φ 縮之工程者。 又,本發明中上述電子裝置之製造方法的第2例,係 最少具有使用金屬箔構成天線電路之工程,及藉由於基底 ^ 基材上設置上述天線電路而形成第1電路層之工程,或是 •由基底基材上設置之金屬箔來設置天線電路以形成第1電 路層之工程;於上述第1電路層之天線電路上之IC元件 裝載部,形成第1導電性黏著劑層或異向導電性黏著劑層 的工程;於上述第1電路層之天線電路上,定位IC元件 並暫時固定的工程;於上述IC元件上,形成第2導電性 -12- 1295789 、 (9) ' 黏著劑層或異向導電性黏著劑層的工程;使其與被暫時固 定之上述1C元件及上述第1電路層上之特定位置可電性 連接地,對準形成有導電層之第2電路層的工程;於上述 ~ 1C元件上,經由第2導電性黏著劑層或異向導電性黏著劑 層,將第2電路層加以一同加熱壓縮之工程;於上述第1 電路層之天線電路之特定位置,施加超音波而壓合上述第 2電路層的工程者。 φ 又,本發明中上述電子裝置之製造方法之第3例,係 最少具有使用金屬箔構成天線電路之工程,及藉由於基底 基材上設置上述天線電路而形成第1電路層之工程,或是 由基底基材上設置之金屬箔來設置天線電路以形成第1電 路層之工程;於上述天線電路上之1C元件裝載部,形成 第1導電性黏著劑層或異向導電性黏著劑層的工程;於上 述第1電路層之天線電路上,定位1C元件並暫時固定的 工程;於上述1C元件上,形成第2導電性黏著劑層或異 φ 向導電性黏著劑層的工程;使其與被暫時固定之上述1C 元件及上述第1電路層上之特定位置可電性連接地,對準 形成有導電層之第2電路層的工程;於上述1C元件上, '經由第2導電性黏著劑層或異向導電性黏著劑層,將第2 電路層加以一同加熱壓縮之工程;將上述第2電路層,於 上述第1電路層之天線電路的特定位置,以具有複數針狀 突起之治具,加以機械式壓接的工程者。 上述第1例〜第3例中,即使將1C元件之電極及基底 基扳中任一方連接於第1電路層,或是將電極及基底基板 -13- (10) 1295789 ' 之面方向反轉,皆不會改變作爲電子裝置 I c元件不需排列於特定方向,故本發明之 生產上係爲理想。 上述第1例〜第3例中,最少ic元件 接部,係經由導電黏著劑或異向導電性黏 上述導電性黏著劑係包含熱硬化性之矩陣 鱗片狀或針狀的金屬片。又,上述異向導 φ 含矩陣樹脂,和金屬粒子或表面形成金屬 子所構成的導電性粒子者。將1C元件和! 層加熱壓合時,矩陣樹脂中所包含的金j 子,會以密合於1C元件之矽所構成的基 而被固定,故可得良好之電性連接。 經由異向導電性黏著劑層進行連接時 加熱壓合於第1及第2電路層來進行電性 第1及第2電路層之空隙。此時,異向導 φ 厚度合計,最少爲上述1C元件之厚度的 者,係可得到第1及第2電路層之密封性 靠度之點爲理想。 '上述第1例〜第3例中,形成第1電 的金屬箔,及形成第2電路層的導電層, 或銅。 上述第1例〜第3例中,第1及第2 方係由有機樹脂或紙所構成之基底基材來 樹脂,係由聚氯乙烯樹脂(PVC )、苯乙 之性能;因上述 構造於實現大量 之基底基板之連 著劑而被形成。 樹脂,和粒狀或 電性黏著劑係包 層之有機樹脂粒 I 1及第2電路 隱片或導電性粒 底基板之狀態, ,係將1C元件 連接,並可密封 電性黏著劑層之 2分之1以上 ,而以實現高可 路層之天線電路 係至少一方爲鋁 金屬箔之最少一 支撐。上述有機 烯(ABS )、聚 -14- 1295789 ' (11) - 對苯二甲酸乙二酯(PET )、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙 二酯(PETG )、聚萘乙烯(PEN )、聚碳酸鹽樹脂 (PC ) 、2軸延伸聚酯(0-ΡΕΤ ),聚亞胺樹脂等所選 擇。 上述第1例〜第3例中,做爲第1電路層之形成方 法’例如使用金屬箔形成天線電路後設置於基底基材上, 來形成第1電路層之方法;及於基底基材上設置金屬箔 φ 後,以蝕刻等形成天線電路,來形成第1電路層之方法。 上述第1例〜第3例中,做爲用以形成第2導電層而 將導電層設置於基底基材上的方法,係例如有將金屬箔單 純黏貼在上述基底基材上之方法;因沒有對上述金屬箔進 行蝕刻等處理之必要,故於低成本化之點爲理想。 上述第1例〜第3例中,以第1圖之A-A,方向做爲寬 度方向時,第2電路層必須有跨越細縫而到達上述IC元 件左右的長度,而以具有與天線電路之寬度約相等的長度 φ 者,在安裝器整體之外觀上爲理想。 上述第1例〜第3例中,經過上述各工程,而可得本 發明之電子裝置亦即安裝器構造。 ' 對上述安裝器來說,以RFID型態使用時,於安裝器 、 之上下設置覆蓋板,可保護電路並防止短路而爲理想。 上述第1例〜第3例中,藉由使用上述ic元件和第2 電路層,做爲跨越細縫之連接構造,則不需高精密度的將 上述1C元件和天線電路上的激振細縫加以對準;故即使 使用篩子或模具來整列複數上述1C元件般的粗糙位置準 -15- (12) 1295789 確度,亦可將第1電路層一起良好的安裝’亦即,比起一 個個安裝上述I C元件的情況,可實現更優良之生產性。 藉由提高生產性,可縮短每1個安裝器之接觸時間。 上述第1例〜第3例中’因使用上述I c元件和第2電 路層,做爲跨越細縫之連接構造,又因經由導電性黏著劑 或異向導電性黏著劑而進行連接,故不需於上述1C元件 之矽所構成之基底基板上用金等形成電極’而可實現低成 本化。 上述第1例〜第3例中,上述1C元件與第1及第2電 路層之電性連接,係經由導電性黏著劑或異方導電性黏著 劑層來進行;又第1及第2電路層之電性連接,係經由導 電性黏著劑或異方導電性黏著劑層來連接’或施加超音波 而連接,或以具有複數針狀突起之治具加以機械式壓接; 故不需要天線電路上之表面電鍍,且亦不需要爲了金屬黏 合而可承受200 °C以上高溫之打線的高耐熱性基底基材, 故可使用廉價之基底基材及天線電路’而實現低成本化。 例如比起先前以金-錫黏合等之連接,必須使用高耐 熱性之聚亞胺做爲第1電路層之基底基材,係例如可使用 廉價之聚對苯二甲酸乙二酯等。又,上述連接部於天線電 路上之表面,不需施加鍍錫等,故可使用電鍍性對錫或銲 錫等爲差的便宜的鋁,來做爲天線電路之材料。從而,例 如於聚對苯二甲酸乙二酯基底基材,以鋁形成天線電路而 得到的第1電路層,係用以製造廉價RFID安裝器的理想 部件。 •16- (13) 1295789 亦即,本發明之電子裝置,係包含1C元件,和形成 有細縫且做爲送收訊天線而動作的第1電路層,和電性連 接於上述1C元件與上述天線且做爲短路板而動作的第2 電路層的,電子裝置;其中上述1C元件,係具有矽所構 成之基底基板,和於基底基板上形成半導體電路的半導體 電路層,和形成於半導體電路層上的電極;而定位於面對 之1組其各自之面的上述基底基板面之電極(基底基板之 一方面)及上述基底基板面(基底基板之其他方面),其 中任一方係電性連接於上述第1電路層,而剩下一方電性 連接於上述第2電路層。 如上述第1例〜第3例所說明,最少將上述1C元件中 矽所構成之基底基板面,和第1及第2電路層,其間之電 性連接部經由導電性黏著劑或異向導電性黏著劑來進行, 則可低成本的生產安裝器,而大幅度提高其生產性。 φ 實施例 以下,雖使用圖示更加詳細說明本發明之理想實施 例,但本發明並非限定於此等實施例者。 <第1實施方式> 以下使用第3圖,說明第1實施方式。 首先如第3圖(a )所示,於厚度5 0// m之聚對苯二 甲酸乙二酯基底基材22上,以黏著劑貼上厚度9 // m之鋁 箔而成爲膠帶狀基材;於其鋁箔面,以網版印刷形成蝕刻 -17- (14) 1295789 阻劑後,使用鐵鹽水溶液做爲蝕刻液,連續形成天線電路 21,而做成第1電路層1 〇。於此,使天線電路21之天線 寬度爲2.5mm,細縫寬度〇.5mm。圖示係包含以下工程, 而表示以第2圖之B-B’切斷時的剖面。 其次如第3圖(b )所示,於天線電路2 1上之特定位 置,將寬2mm之異向導電黏著薄膜(AC-2052P-45 (日立 化成工業有限公司)製造)以80 °C壓疊,剝除分隔膜而形 g 成之異向導電黏著劑層40。 其次如第3圖(c )所示,將IC元件1 〇定位於天線 電路21上之特定位置,並暫時固定。圖中雖表示電極1 3 與天線電路2 1面相對,但將其上下反轉而使基板1 1相對 於天線電路2 1面並暫時固定,亦無差別。 其次如第3圖(d)所示,於厚50μιη之聚對苯二甲酸 乙二酯基底基材3 2上,以黏著劑貼上厚度9 μπι之鋁箔而 成爲寬2mm之膠帶狀基材;於其鋁箔面上,將與上述膠 φ 帶狀基材同寬度之上述異向導電性黏著薄膜4 0 0以8 0 °C壓 疊,剝除分隔膜,而形成附加異向導電性黏著劑層4 0之 第2電路層3 0後,將上述異向導電性黏著劑層4 0以面對 ' 1C元件1 〇之方向,和第1電路層20定位於特定位置,並 暫時固定。 其次如第3圖(e )所示,由附加異向導電性黏著劑 層4 0之第2電路層3 0側降下壓著頭,以壓力1 2 P a,溫度 1 8 0 °C,加熱時間1 5秒之條件,將附加異向導電性黏著劑 層40之第2電路層30 ’對第1電路層20之上述1C元件 -18- (15) 1295789 1 〇及天線電路2 1,於特定位置一同加熱壓著,同時密封 第1電路層20和第2電路層30之間的空隙。在壓著頭 上,係可連接上述1C元件1〇和第1電路層20及第2電 路層30,並同時連接第1電路層20及第2電路層30地, 於特定位置形成上述1C元件10之厚度份量的突起。 使用以上工程,可得到第2圖及第3圖(e )所示形 狀之安裝器。又,進行通訊實驗的結果,並無通訊不良。 若使用本工程,則無須於1C元件1 0中矽所構成基底 基板1 1 (上述其他方面)上形成電極,故可以低成本實現 具有良好通訊特性之安裝器。 <第2實施方式> 以下,使用第4圖說明第2實施方式。 首先如第4圖(a )所示,到第3圖(c )爲止使用與 第1實施方式相同之工程,進行上述第1電路層20之加 φ 工,將上述異向導電性黏著薄膜壓疊於天線電路上而形成 異向導電性黏著劑層40,然後於天線電路2 1上之特定位 置,暫時固定上述1C元件10。 '其次如第4圖(b )所示,於上述1C元件1 0中,與 面對天線電路2 1之面成反對的面上,塗佈含有銀塡充物 之導電性黏著劑5 0。 其次如第4圖(c )所示,於厚5 0 μηι之聚對苯二甲酸 乙二酯基底基材3 2上,以黏著劑貼上厚度9 μηι之鋁箔做 爲導電層31,而成爲寬2mm之膠帶狀的第2電路層30 -19- 1295789 (16) — 後,將上述鋁箔所造成之導電層31以相對於1C元^ 的方向,與第丨電路層20定位於特定位置’並暫 定。 * 其次如第4圖(d )所示,由第2電路層3 0側降 著頭,以壓力12Pa,溫度18〇°C ’加熱時間15秒 件,將上述第2電路層30,對第1電路層2〇之上述 件1 0及天線電路2 1,於特定位置一同加熱壓著’同 φ 封第1電路層20和第2電路層30之間的空隙。在壓 上,係可連接上述1C元件10和第1電路層20及第 路層30,並同時連接第1電路層20及第2電路層30 於特定位置形成上述1C元件1 0之厚度份量的突起。 使用以上工程,可得到第2圖及第4圖(d )所 狀之安裝器。又,進行通訊實驗的結果’並無通訊不 若使用本工程,則無須於IC元件1 〇中矽所構成 基板1 1 (上述其他方面)上形成電極,故可以低成本 Φ 具有良好通訊特性之安裝器。 <第3實施方式> ' 以下使用第5圖說明第3實施方式。 首先如第5圖(a )所示,到第3圖(c )爲止使 第1實施方式相同之工程,進行上述第1電路層20 工,將上述異向導電性黏著薄膜壓疊於天線電路21 1C元件10之安裝位置附近的特定位置,而形成異向 性黏著劑層40 ;然後於天線電路2丨上之特定位置, 牛 1 0 時固 下壓 之條 1C元 時密 著頭 2電 地, 示形 良。 基底 實現 用與 之加 上, 導電 暫時 - 20- 1295789 ' (17) ’ 固定上述1C元件10。 其次如第5圖(b )所示,使用與第3圖(d )相同之 工程’將1C元件丨〇之連接位置附近的特定位置形成有異 向導電性黏著劑層的附加異向導電性黏著劑層4 0之第2 電路層3 0 ’加以準備之後,將上述異向導電性黏著劑層 4 0以面對IC元件1 〇之方向,與第1電路層2 0定位於特 定位置,並暫時固定。 φ 其次如第5圖(c )所示,由第2電路層3 0側降下壓 著頭,以壓力12Pa,溫度1 8 0 °C,加熱時間1 5秒之條 件,將上述第2電路層30,對第1電路層20之上述1C元 件1 〇,於特定位置一同加熱壓著,同時密封第1電路層 2 0和第2電路層3 0之間的1C元件1 〇附近。 其次如第5圖(d)所示,於第2電路層30和第1電 路層20的連接部,自第2電路層30側降下超音波黏合頭 1 1 〇,以壓力1 2 P a,溫度1 8 0 °C,施加時間1秒之條件來 φ 施加輸出1 W的超音波振動,而進行超音波黏合。 使用以上工程,可得到第2圖及第5圖(d )所示形 狀之安裝器。又,進行通訊實驗的結果,並無通訊不良。 _ 若使用本工程,則與第1及第2實施方式相同,無須 於IC元件1 0中矽所構成基底基板1 1 (上述其他方面)上 形成電極,故可以低成本實現具有良好通訊特性之安裝 器。 <第4實施方式> -21 - (18) 1295789 以下使用第6圖說明第4實施方式。 首先如第6圖(a )所示,到第5圖(c )爲止使用與 第3實施方式相同之工程,依序進行第1電路層20的加 工’異向導電性黏著劑層40的形成,對天線電路21上之 特定位置之1C元件1 0的暫時固定,附加異向導電性黏著 劑層40之第2電路層30的準備,及其對第1電路層20 的暫時固定,和第2電路層3 0之加熱壓著。 其次如第6圖(b )所示,將第1電路層20和第2電 路層3 0的連接部,以具有多數針狀凹凸之一組咬合治具 120,來進行壓合。第1電路層20和第2電路層30之鋁 箔群之間因壓合而產生塑造變形,以機械性接觸狀態而被 固定,進而得到電性連接。亦即,第1電路層20之天線 電路2 1,和第2電路層3 0之導電層3 1,係電性連接。 使用以上工程,可得到第2圖及第6圖所示形狀之安 裝器。又,進行通訊實驗的結果,並無通訊不良。 若使用本工程,則與第1〜第3實施方式相同,無須 於1C元件1 〇中矽所構成基底基板1 1 (上述其他方面)上 形成電極,故可以低成本實現具有良好通訊特性之安裝 器。 統合以上實施例之結果,以第1表表示之。 -22- (19) 1295789 [第1表] 實施方式 通訊不良(不 良數/總數) 最大通訊距離 平均値(mm) 最大通訊距離 最小値(mm) 第1實施方式 0/40 252 247 第2實施方式 0/40 25 1 245 第3實施方式 0/40 25 1 246 第4實施方式 0/40 252 246 【圖式簡單說明】 [第1圖]第1圖,係表示由上面看本發明之安裝器 之構造的圖。 [第2圖]第2圖,係表示本發明之三明治天線構造 之安裝器,由上面看之構造和剖面構造的圖。 [第3圖]第3圖,係用以說明本發明第1實施方式 之製造工程圖。 ^ [第4圖]第4圖,係用以說明本發明第2實施方式 之製造工程圖。 一 [第5圖]第5圖,係用以說明本發明第3實施方式 之製造工程圖。 [第6圖]第6圖,係用以說明本發明第4實施方式 之製造工程圖。 【主要元件符號說明】 1 細縫 -23- (20) 1295789 2 第1連接部 3 第2連接部 4 第3連接部 10 1C元件 11 基底基板 12 半導體電路層 13 電極
第1電路層 天線電路 22 基底基材 30 第2電路層 3 1 導電層 32 40 41
基底基材 異向導電性黏著劑層 導電粒子 矩陣樹脂 導電性黏著劑 -24-

Claims (1)

  1. 年月曰修(更)正替換頁 ^ 1295789 十、申請專利範圍 第94 1 03 6 89號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年10月22日修正 1· 一種電子裝置,係包含1C元件,和第1及第2電 路層的電子裝置,其特徵係
    上述1C元件,係具有矽所構成之基底基板,和於上 述基底基板之一方之面形成半導體電路的半導體電路層, 和形成於上述半導體電路層上的電極, 分別將上述第1電路層電性連接於上述基底基板之其 他方面或上述電極之任一方,將上述第2電路層電性連接 於上述基底基板之其他方面或上述電極之剩下的一方。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置,其 中,最少於上述基底基板之其他方面,經由導電性黏著劑 而被連接有上述第1或第2導電層者。 3.如申請專利範圍第2項所記載之電子裝置,其 中,上述導電性黏著劑係由熱硬化性之矩陣樹脂,和粒狀 或鱗片狀或針狀之金屬片,所構成者。 4.如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置,其 中,最少於上述基底基板之其他方面,經由異向導電性黏 著劑而被連接有上述第1或第2導電層者。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載之電子裝置,其 中,上述異向導電性黏著劑,係包含矩陣樹脂,和金屬粒 子或表面形成金屬層之有機樹脂粒子所構成的導電性粒子
    1295789 者。 6 ·如申請專利範圍第4項或第5項所記載之電子裝 置,其中’上述1C元件,係以上述異向導電性樹脂的矩 陣樹脂所密封者。 7·如申請專利範圍第1項至第5項之任一項所記載 之電子裝置,其中,上述第1及第2電路層之至少一方, 係包含鋁或銅所構成之導電層者。
    8 ·如申請專利範圍第6項所記載之電子裝置,其 中’上述第1及第2電路層之至少一方,係包含鋁或銅所 構成之導電層者。 9 ·如申請專利範圍第1項至第5項之任一項所記載 之電子裝置,其中,上述第1及第2電路層之最少一方, 係由有機樹脂之基底材所支撐;上述有機樹脂,係由聚氯 乙烯樹脂(PVC)、苯乙烯(ABS)、聚對苯二甲酸乙二 酯(PET)、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙二酯(pETG)、 聚萘乙烯(PEN)、聚碳酸鹽樹脂(PC) 、2軸延伸聚酯 (0-ΡΕΤ),聚亞胺樹脂等所選擇。 1 〇 ·如申請專利範圍第6項所記載之電子裝置,其 中’上述第1及第2電路層之最少一方,係由有機樹脂之 基底材所支撐;上述有機樹脂,係由聚氯乙烯樹脂 (PVC)、苯乙烯(ABS)、聚對苯二甲酸乙二酯 (PET )、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙二酯(PETG )、聚 萘乙烯(PEN)、聚碳酸鹽樹脂(PC) 、2軸延伸聚酯 (0-ΡΕΤ ),聚亞胺樹脂等所選擇。 -2 - 1295789 年
    1 1 ·如申請專利範圍第7項所記載之電子裝置,其 中’上述第1及第2電路層之最少一方,係由有機樹脂之 基底材所支撐;上述有機樹脂,係由聚氯乙烯樹脂 (PVC )、苯乙烯(ABS )、聚對苯二甲酸乙二酯 (PET)、乙二醇變性聚對苯二甲酸乙二酯(pETG)、聚 萘乙烯(PEN)、聚碳酸鹽樹脂(PC) 、2軸延伸聚酯 (Ο-PET ),聚亞胺樹脂等所選擇。
    1 2 ·如申請專利範圍第i項至第5項之任一項所記載 之電子裝置,其中,上述第1或第2電路層之最少一方, 係由紙所構成之基底基材所支撐。 1 3 ·如申請專利範圍第6項所記載之電子裝置,其 中’上述第1或第2電路層之最少一方,係由紙所構成之 基底基材所支撐。 1 4_如申請專利範圍第7項所記載之電子裝置,其 中,上述第1或第2電路層之最少一方,係由紙所構成之 φ 基底基材所支撐。 -3-
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