1292358 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、本發明係關於一用於精確研磨製程之研磨用研漿之製造方 ^，尤有關於-用於半導體基板之化學機械研磨之研顧^之 製造方法。 【先前技術】 —=====長導 之曝光光束以減少圖樣間之間距。結果， 分财的凹凸斜，料鶴 月^致圖樣之形成失敗。由於CMP方法在平面化之優 1使用於需要更佳地平面化以精確地形成所需圖樣之半導體基板 個牛Ξ c^p方法亦做為形成半導體積體電路之金屬線之盆中-別是，—金屬薄膜被形成使得其填人謂半導板 金槽凹部及連接孔内，接著除了在凹處之ΐ之 ==電，”一層導電圈樣在具有電連二上 咖方法為ί:之==需被最佳平面化故亦再被施于以 近來’為了增加半導體積體電路萝 膜為^文…方法，㈡導體s 成之研磨用研漿以二 =步uc劑及研磨劑組 其上之半導體基板域料轉H轉半: 1292358 方法”理為在半導縣板上之_膜絲化劑之化學 聚包ί研磨薄臈被研磨劑機械地移除。該研磨用研 等。研磨獻化予樂品’例如氧化劑，酸驗調整劑、抗氧化劑
、…，想上，用於CMP方法之研磨用贿具有大量之研磨粒子， 整為數奈米’且在使用時均勻地散佈。然而，在研磨 過程中，較大的及結塊之粒子，雖然很微量，S 於丨用r裝中°目前相信當此研磨用研漿被用 半導ϋ I’ = 之好及結狀好稍研磨後之 ^體基板上之刮痕，麟刮痕導致例如降低之電子特性 此導致半導體基板之低良率。為解決朗題，較大之粒子 ίϊί=子在研剌研雜程之最後或在使祕研磨之前以一 用』如1 日本專利申請案號2001_9706號中揭露一用於過滤研磨 7水之s又備，目的在於在將研磨用研漿使用於CMP裝置時 =^粒子。該設備包含-供應導管，用於供應研磨用研聚二 SiLI於使研磨用研錄心；—過濾器，用於過_離心 漿排出用研水，及一排出導官’用於將被過遽器過滤之研磨用研 研磨用研f:在其製造過程最後或在此研磨用研紐使用 、，孔之過濾H過濾、以除去較A之粒子，此法雖然可以有效地 大粒子的數量，但該過綠很容易阻塞。因此，過濟哭必 =常更換新品，導致產崎低。在日本專射請銳2綱了^ 為了解決此問題’提出藉由在韻之前將研磨用研漿離心 以移除研磨用研漿中部分較大的粒子，使得該過濾器較 而延長過濾器之壽命。 土 當較小網孔之過濾器被使用時，或如日本專利申 ^01-9706所述在過濾之前執行離心分離，較大量的較大的粒^ 仗研磨用研襞中移除。然而’雖然較大量的較大的粒子可從研磨 1292358 用研漿中移除，將此研磨用研漿用於研磨半導體基板時，半導體 基板之表面上的刮痕數量並未大量地減少。此外，還有因研磨所 減少的厚度較不均勻使得留下之研磨表面亦較不均勻之問題。 同時，由於離心分離係用於減少過濾器之阻塞，如前所述， 曰本專利申請案號2001_97〇6可只施以小量的離心力。因 研磨用研漿中非常大之粒子，而不能移除大部分造成 用*所述，#由小網孔之過㈣猶錢由離心分離可比使 【發明内容】 其可有效 ，發明之—目的在於提供製造研磨用研漿之方法， 也減f研磨表面上之刮痕，以達到想要之研磨品質。 研磨齊;用研漿之方法，包含下列步驟:散佈 該f皮處理之液體使得其在分類步二 有_磨劑之濃方ί化成份永遠不會 有效Sit驟包含離心分類欲被處理之液體時，較重之粒子可 ^ _分敵叙聽細下==== 1292358 群之數量降低至分類之 防，之效果就會 之整合單元。 」㈣數粒子燒結、融合、凝結等而構成 在 ^員之步驟可包含選擇性地移除 粒子而有效該前叙分.射藉由航移除此等 及/或欲魏理魏叙劑之濃度 漿可被維_要之^步職執行調整步驟，該研磨用研 可將Ξίϊΐϋΐΐ欲被5理之紐縣之步驟。在此例中， 除。'瘅、、主二二$、金：過程中導入欲被處理之液體内之碎片移 主要i將====往般想將大研磨齡子移除，而 之刮製造方法，可將化_械研磨時之研磨表面上 成份次卜之::該研磨用研漿可被維持在想要之 式之==1¾其他目的、特性及優點可藉由後文中配合圖 【實施方式】 驟.:”一種用於製造研磨料漿之方法，包含下列步 ί介、ί^ί劑if皮處理之液體中，該液體係由研磨劑及散佈 ”犯口而成，在政佈步驟後將欲被處理之液體分類；及藉由加 8
CD 1292358 =::調特整：被本處發 r驟係在散佈步驟之後執行且=
ί散^=^，且研_1娜可能輯自地散佈在二媒H 因了二劑外之研磨用研騎“化;== 在於其可能因將研磨劑1凝結等而對散佈品質 機械3及散佈方法沒有特__。該散佈步驟可 ϊΐίί ί型式之散佈機、轉子高速攪動型式之散佈機、超音 二#伽撞型式之散佈機、珠磨散佈機、揉捏散佈機、 iiii機縣執行。對於特_散佈方法，欲被混合之研磨劑1 if t2之量及散佈步驟之持_間可藉由將散佈效率列入 &合適之值。例如，當研磨劑丨被散佈在散佈媒介2使 類1及散觸介2之欲魏理讀體具有高度黏性及 又日、，為了散佈效率，在散佈之後之欲被處理之液體4可能 猎由加入散佈媒介2而加以稀釋。 ,、接著，在步驟12，欲被處理之液體4在散佈之後被分類。由 於欲被處理之液體4在散佈步驟後必需在穩定之散佈狀態下被分 類以性地移除造成刮痕之粒子，所以欲被處理之液體4在各 ，化學藥品被加入前被分類。沈澱分類或離心分類被執行以有效 率地移除在散佈之後包含於欲被處理之液體4内之各種會造成刮 痕之非均勻粒子，包含主要較大的粒子 、繞結之粒子、熔結之粒 f、結塊之粒子等。特別是，最好使用例示於圖1中之離心分類 器5 ’原因在於其可藉由設定適當之離心加速度以優先截取大直徑 1292358 g子及大比錄子邱此有效率地移除各種造成魏之非均句粒
該離心加速度可在離心分類時依照欲被移除之粒 比重及研漿之黏性而任意設定。例如，用於 微，以下直徑之粒子，該離心加速度較佳者二 之範圍間，且更佳者為在15〇〇G至2〇〇〇G之範圍門。 〇G 量等於：=====劑内，重 微米之料重量之粒子及粒子群 3二ΐΐί 處理之液體内之較大粒子減少。例如，在1 ^ ίίίΐϊϊ?内只有100個或更少，更佳者為5。個或更 之/、有直徑為9·99微米或以上之研磨劑粒子。 此在使用剷述之製造方法製造之研磨用研漿來研麻 π ’可大量地減少被研磨物上之刮痕。圖^ 液體6内之研磨齡仅_^1圖 刀類步驟移除之研磨劑粒子之顯微照相。 係猎由 ίΞϋϊΙ粒子被優先移除。由於較重及較硬:子及 被視為每成刮痕之原因，故需將其移除。例如 =# =欲=理之液體内之研磨劑中預設範圍内最重之“g移 :任ΐί兄= 步驟严性地移除大於預定之重量之粒子。 ί猎造之研磨用研漿内之研磨劑之正常主要粒^ :設J度專為標準來在估測可造成刮痕之粒子之重量後適當地f 例如，假設研磨劑係以正常主要粒子直徑為3〇奈米且重量為 1292358 接近3·! χ 10七克之發煙二氧化石夕(絕對比重為2•膽成 猎由移除重量為前3%(重量)或以上之最重粒子來達成。、 ，例中，較大之粒子之直徑為9·99微米及重量接近於12 χ 1〇·6 即正_主要粒子之10倍重或更重。然而，此值可依昭 磨劑之^料之絕對比重、主要粒子之直徑等而改變。、、、乍研 13中’在分類之後各種化學藥品8被加入欲被 '曰之液體6中以調整各種特性，例如濃度、酸驗值等。結果， 可f到想要之研磨用研漿7。在此調整步驟中，除了調整研磨粒子 之浪度以外，藉由加入化學反應所需之化學藥品8，例如氧化劑、 有機酸、抗氧化劑等，來做各種調整，使得研磨用研漿7具有用 ffMP方法中所需之特性。此外，對於水型之研漿，加入酸驗值 调正劑來調紐鹼值。或者，各種化㈣品8，例如散佈穩定劑、 界面活性劑、液體潤滑劑、固體潤滑劑、酸、鹼、抗腐蝕劑、抗 凍劑、防腐劑等可被加入以依需要調整各種特性。 一想要的研磨用研漿7在以前述方法調整特性之後完成。在圖i 例示之實施例中，另外再在步驟14中執行過濾步驟以移除在執行 至1^步驟之期間可能被導入之不確定之碎片等物。在此使用之過 濾器9並非用於移除研磨劑1之較大粒子。因此，當用於研磨之 研磨劑較佳的粒子為具有數十至數百奈米之直徑時，標稱 (nominal)網孔尺寸可能接近2〇微米。可依研磨劑之粒子之尺寸 而使用具有較大之網孔尺寸之過濾器，但若將研磨用研漿7之生 產列入考慮，過濾器9之較佳網孔尺寸為接近5至20微米。具有 過濾器9之過濾步驟可在某些情況下被省略。 接者，將更加詳細的描述以說明依照前述本發明之方法可解 決習知方法之問題的原因。 根據過去的觀察，當以大部分較大粒子被以較細之網孔尺寸 過濾或以結合離心分離及過渡器而移除之研磨用研漿來研磨時， 在被研磨物體之表面(例如，半導體基板)上之刮痕數目並未明顯地 減少。在這方面，發明人評論如下。 11 1292358 入女it於研顧研肋之研磨齡f上除了主要較大粒子外包 勻之粒子，其具有大直徑，例如燒結粒子、融合粒子、 ^結，子和主要因製造過程中主要粒子之結合而造成。特別是， ΐίϊΐίί法製造之發煙二氧切製成之研磨劑包含大量所謂 你ίϋί子成，其直控因反應氣體供應平衡、反應溫度分 :，粒子藉由在反應_產生之熱而燒結，依此類 體材由在攝氏1GGG至2_度之溫度下燃燒氣 體材枓而製成，且其直徑依燃燒溫度及氣體之量而定。製造 ii要ΐ子ΐ於燃燒期間之溫度分佈及氣體分佈而在直徑上有所 不同ΐ徑之主要粒子間’特別大的被標示為主要較 ，燒結粒子。由於二氧切_鹼而溶化，主要粒子溶化=被 处理之液體中且互相結合而稱為融合粒子。 、 且右lif 尺寸粒，成刮痕。因此’刮痕被認為可藉由 乂粒（:¾丨、妒之過濾器或藉由執行離心分離以儘可能地移除 λ而，/卩使啸錄顿鎌之研_研漿來實 物體之表面上之刮痕數量並未明顯減少。 匕事胃’本㈣人發财些相對較小餘之粒子亦會造 ί成ii今被認為係造成刮痕主因之較大及凝結之粒子反而很少 Λ入於產生化學反應之化學藥品，例如酸驗值調整劑，被 方上之研磨用研聚中。當這些化學藥品被加」含有 =磨之研磨用研漿中時，研磨劑粒子溫合 'Φ ^ m '1 ；>' 因酿δ地砝結造成之較大之研磨劑粒子可迅 速地因研磨施加之壓力而分解，故其不會 =合地凝結之粒子不會對防止刮痕有所忿^ 2劑k度及研磨用研漿之成份之起伏 利申請案綱.揭露之方法，特性藉由加入各種化學 1292358 -漿=心巧’使得該離心分離移除不會造成刮痕 /皿之，入’但14些粒子較佳者為留在研磨用研漿中。 歸之2 =%不分，子之研磨劑’例如主要較大粒子、 ϋ二·^二之粒子等’其不易分離成單獨之粒子以在散佈 =乞融合之粒子等之粒子巧 仵:ί法回復至主要粒子之狀態，且某些不分散之粒子留 ii、t此f 不分散之粒子被認為含有造成刮痕之粒子，= 融入斗侍夠大’其並不總是可被過濾器過濾掉。 I …粒子嘁合粒子、凝結粒子等理戶 但仍=小:ί得其即使用較細網咖 子從不之方法無法將會在研磨表面造成刮痕之粒 粒子情出並選擇性地將其移 、去右可知單單將較大之粒子從研磨用研裝中移除益 =子==;;子組成之粒子群為例主 要粒子_強大之力結合的話，其可造朗痕。反之 >主要粒子只由低結合力*電凝結，即使 結合:=:粒，量“ 使r線離心分離^^ 嶮研磨劑粒子被從加入各種化學藥品以 凋正成心要之成刀之研磨用研漿中移除，造成研 磨劑浪度降低且造成研顧研漿之成分改變。制是，= 可能防止刮痕時’例如使用具有較細^網孔 之過濾，或如釔合離心分離及使用日本專利 所述之過滤器之過渡，研磨劑之濃度明顯地降低:離心分離及額 13 1292358 移f研磨用研漿中大部分之研磨劑’造成研 讲麻你主里減少，例如，減少重量之1〇%〜8%。结果，當被 會有被用研漿來研磨時’因為研磨劑不足， i 朗勻轉低之問 其濃度之_| 知道研_研漿之濃度，故增加預測 如氳_，夕："要成刀，被加入之化學藥品，例 之離3離當具有較細網孔之過濾、器過濾或以較大 J=除，雖然或多或少可減少刮痕， 成刀劇烈地改變且最後使研磨特性劣化 ’ 孔機器過滤或以較小之離心力離心分;= 磨劑粒子被移除，故無法大量地減少刮痕。 乂里 12 因^可依财分齡財被·之研射 被加入之化學藥品8之量以達到想要之成分。由於 時，大量之鬆散地凝結之粒子亦會賊取，雖 痕。這會造成猶肢綠阻紐齡研翻成刮 使用較小舰之過齡之喊步驟或離心分研ϋ產1°，外’ 趙之較大德™麵輪= 1292358 法令人滿意地抑制被研磨表面上之到痕。 在另一方面，依照本發明製造之^ 類步驟中，本發明可選擇性地有^心心^著丄在分 上到痕之粒子，特別是，某種程=====表面 可?，ί想要的特性之令人滿意之;磨:接= 抑!在研磨触中於被縣面上產生之刮痕。本發明尤 ;、適5於製造包含由以往會造成刮痕之發煙二氧化㈣成丄 A j研磨料»，或制料含化學反紅CMp紐^之用 :水。由於在此實施例中之步驟14巾具有過遽器9之過濾步驟 碎片而非研磨粒子’於其中使用之過濾器9具“以讓 氣、政地綾結之粒子通過之網孔尺寸，故較不易阻塞。 於此。 後文將會制本發明之蚊之實關，細，本發明並不限 [實施例1] 包含由發煙二氧化矽製成之研磨劑1及由水製成之散佈媒介 2之研磨用研漿7係依照本發明之製造方法製造。 ’、 、如圖1所示，首先，發煙二氧化梦(研磨劑1}及水(散佈媒介 2曰)被導入葉片型式之散佈機械3中使得發煙二氧化矽具有15〇/<重 鲁里)之政佈丨辰度。接著，在步驟11中，以lOOOrpm之轉速及邊緣 速度為20 m/sec之葉片執行一小時之散佈動作。同時，在散佈之 後，在欲被處理之液體4内具有等於或大於〇·99//m直徑之粒子 數目及具有等於或大於9.99//m直徑之粒子之數目以粒子尺寸散 佈量測設備(AccuSizer 780[商標名稱]，Particle Sizing Systems Co. 所製造’未圖示)加以計算。計算之結果顯示於表1。 15 ⑥ 1292358 欲被處理之液體每1毫升之撕子私目 — 直徑等於或大於0.99 // m之粒子 之數目 直杈等於或大於9.99/zm之粒子 之數目 < 65707(每毫升之粒子數目） ^——--- 一_兰每毫升之粒子數目） 表1 接著，已被散佈之欲被處理之液體4藉由一隔膜泵(未圖示) 以1.5升/分鐘之速率供給至離心分類器5(Nan〇_cutECA1_[商標 名稱]，由Krettek製造）。接著，在步驟12中，欲被處理之液體4 藉由離心分類器5以3000rpm之轉速及具有17〇〇G離心加速度(離 心場)之離心滾筒而被離心分類。在分類之後之欲被處理之液體6 • 内具有前述兩種範圍之直徑之粒子數目使用前述相同之粒子尺寸 散佈量測設備(AccuSizer 780)被分別計算。 - 欲被處理之液體每1毫升之叙早數目 直徑等於或大於0.99 # m之粒子 之數目 直徑等於或大於9.99//m之粒子 之數目 9986(每毫升之粒子數目） 40 (每毫升之粒子數目） 表2 一接著，在離心分類後之欲被處理之液體6經由一排出管(未圖 # 示)送至貯存槽10以調整其特性。在步驟13中，欲被處理之液體 6在其被攪拌時+被調整使得其粒子濃度為1〇%(重量），且亦藉由加 入，要之化學藥品8，例如有機酸、抗氧化劑、酸鹼值調整劑等， 來調整各種特性使得欲被處理之液體6具有想要之成分。此外， • 在步驟14中，為了在調整特性之後從欲被處理之液體中移除外來 H，例如碎片，以達到想要之成分，欲被處理之液體藉由具有 標綱孔尺寸2〇//m之過濾II 9加以财。研磨用賴7係以此 法製造。使用此研磨用研漿7之CMp方法之結果將會說明於後。 [實施例2] 相似於實施例1，包含由發煙二氧化矽製成之研磨劑1及由水 16 1292358 之政佈媒介2之研磨用研漿7係依照圖4所示之製造方法製 4發煙二氧化矽(研磨劑丨)及水(散佈媒介2)被導入葉片型 中使得發煙二氧化石夕具有15%(重量)之散佈濃 ^筆K 1在乂驟U中，以1_聊之轉速及邊緣速度為20德沈 夕is# /1行一小時之散佈動作。同時，在散佈之後，在欲被處理 式仇内具有等於或大於0.99/zm直徑之粒子數目及具有等於 二/i；2、9·99 Am直徑之粒子之數目以相同於實施例1之粒子尺寸 政佈1測設備加以計算。計算之結果顯示於表3。 〜、 體每數目 直，等於或大於09^^子|直^^^於999"-^^· 之數目 之笔J____ 21506 (每毫升之粒子數目） 表3 接著，已被散佈之欲被處理之液體4被放置於處理貯存槽2〇 =兩，星期以自然沈澱。在欲被處理之液體4放置兩個星期之後， :水管(未圖示)被從上方插入處理貯存槽2〇中以藉由一泵浦(未圖 不)取浮在表層之液體。之後，浮在表層之液體内之粒子數目被 計算。計算之結果顯示於表4中。 欲被處理之液體气1毫升之粒子數目__ 直瓜專於或大於〇·99 // m之粒子直徑等於或大於9·99 //m之粒子 之數目 之數目
21250(每毫升之粒子數目） 該由泵浦抽取之浮在表層之液體被送至貯存槽1〇以調整其特 性。在步驟13中，欲被處理之液體6在其被攪拌時被調其 粒子濃度為10%(重量），且亦藉由加入必要之化學藥品8，例如^ 17 1292358 機酸、抗氧化劑、酸鹼值調整劑等，來調整各種特性使得欲被處 • 理之液體6具有想要之成分。此外，在步驟14中，為了在調整特 性之後從欲被處理之液體中移除外來物質，例如碎片，以達到想 要之成分，欲被處理之液體藉由具有標稱網孔尺寸20//m之過滤 器9加以過濾。研磨用研漿7係以此法製造。使用此研磨用研聚7 之CMP方法之結果將會說明於後。 [比較性實施例1-4] 以相似於實施例1(步驟11)之方法散佈之欲被處理之液體之 特性被以相似於實施例1(步驟13)之方法調整以在沒有執行離心 φ 分類或自然沈澱之下以達到想要之成分。接著，欲被處理之液體， 其特性被調整使得其具有想到之成分，使用各種過濾器過濾以移 除較大之粒子。特別是，欲被處理之液體被具有標稱網孔尺寸5 #m(比較性實施例1)之過濾器；被具有標稱網孔尺寸3“η(比較 性只把例2)之過濾、器；被具有標稱網孔尺寸i#m(比較性實施例 3)之過濾器；及被具有標稱網孔尺寸〇·5 比較性實施例4)之過 濾器；過濾以製造每種研磨用研漿。使用此等研磨用研漿之CMp 方法之結果將說明於後。 [研磨實驗] 執行研磨實驗以實行使用前述之實施例1、2及比較性實施例 • 研磨用研漿之CMP方法。以半導體基板(晶圓)所製成之半 成品做為被研磨物體。特別是，每一被研磨物體包含一矽基板、 一在該矽基板上形成之絕緣薄膜，其利用微影及乾蝕刻技術而圖 案化為將成為一金屬鑲嵌結構之基礎的圖形，以及沈積於其上之 屏障金屬薄膜及銅薄膜。 々一為了評估研磨之後之被研磨物質，藉由缺陷測試裝置來計算 ，一晶圓之整個表面上之刮痕數目。為了比較，實施例丨、2及比 ^性實施例1-4之研磨用研漿中粒子之數目及刮痕之數目顯示於 表、5中。刮痕之數目係以相對值來表示，其中比較性實施例i之 值被設定為100。同時，實施例卜2及比較性實施例1-4之研磨 18 1292358 ，研=之粒子浪度顯示於表6中。該粒子濃度係藉由量測每應 克研磨用鄕在-蒸發銷中以200 %被加熱4個小時以 之前及之後之重量來取得’且以相對值來表示。其中實4 = 值被設定成1〇〇。 過濾器 欲被處理之液體每1毫升之粒子數目 標稱網 孔尺寸 實施例 1 實施例 2 比較性 實施例 1 比較性 實施例 2 比較性 實施例 3 20 /zm 20 βτη μχη β 直徑等於或大於0.99 //m之粒子之數目 9937 (每毫升之粒子數目） 20787 (每毫升之粒子數目） 4969 (每毫升之粒子數目） 1034 (每毫升之粒子數目） 882 (每毫升之粒子數目） 直徑等於或大於9.99 丛逆之粒數目 29 (每毫升之粒子數目」纟 64 (每毫升之粒子數目、 刮痕之 相對值 -2 52 22 (每毫升之粒子數目;) 33 (每毫升之粒子數目） 11 (每毫升之粒子數目;) 100 78 89 比較性 實施例 4 0.5 β 347 (每毫升之粒子數目） 表5 0 (每毫升之粒子數目） 94 1292358 .ini'll] 實施例1 100 實施例2 100 比較性實施例1 99.7 比較性實施例2 99.5 比較性實施例3 86.1 比較性實施例4 73.6 表 6 、立如表5中可明顯看出，實施例1之研磨用研漿得到非常令人 •，意之結果，其刮痕之數目小至1-2。相對地，可看到在比較性實 鉍例1-4中，該被研磨物質承受大量之刮痕，雖然兩者之直徑等於 或大於0·=/zm之粒子之數目及直徑等於或大於9 99#m之粒子 之數目都藉由具有較細網孔尺寸之過濾器濾除減少。在實施例2 中，研磨用研漿，雖然具有最大數目之較大粒子，造成比實施例1 更多之52條刮痕，但仍比比較性實施例1-4少。此外，如表6中 ^明顯看出，研磨用研漿之粒子濃度變得較低，原因在於較小之 網孔尺寸。雖然未顯示，但已確認用於比較性實施例3、4中之研 磨用研漿不只造成大量之刮痕，同時亦造成研磨所減少之厚度變 小，並且使被研磨減少之厚度之均勻性劣化。 以上詳細說明中所提出之具體的實施態樣或實施例僅為了 易於說明本發明之技術内容，本發明並非狹義地限制於該實施 ^在不超出本發明之精神及以下之帽專利範圍之情況，可作 種種變化實施。
(I 1292358 【圖式簡單說明】 圖1係說明健本發明之研賴造程序之示意製程圖； 之顯=1在分_雜包含概被處奴㈣把研磨劑粒子 ΐ 敝仅隨助；及 程圖。 貫施例之研漿製造程序之示意製 【主要元件符號說明】 1 研磨劑 * 2散佈媒介 3 散佈機械 4 欲被處理之液體 5 離心分類器 6 欲被處理之液體 7 研磨用研漿 8 化學藥品 9 過濾器 10 貯存槽 Φ 11 步驟 12 分類步驟 13 步驟 14 步驟 20 貯存槽