TWI290939B - Photo-alignment materials for liquid crystal alignment film - Google Patents

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TWI290939B TW090127708A TW90127708A TWI290939B TW I290939 B TWI290939 B TW I290939B TW 090127708 A TW090127708 A TW 090127708A TW 90127708 A TW90127708 A TW 90127708A TW I290939 B TWI290939 B TW I290939B
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Jong-Lae Kim
Eun-Kyung Lee
Joo-Young Kim
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Samsung Electronics Co Ltd
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    • C08F122/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof
    • C08F122/36—Amides or imides
    • C08F122/40—Imides, e.g. cyclic imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C07D207/30—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
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Description

1290939 五、發明說明（1) 【發明背景】 發明4請 本發明係關於一種液 是’本發明係有關於
日日配向膜之光學配向材料 (PretUt angle)之液意控制其預傾斜角 顯示品質相等或優於摩曰制"膜的光學配向材料， 手傺製程之配向材料。 特別 且其 祖麗從術說明 在——液晶 場而變 器之外 化。此 部光線 一特性來驅動 品質，係由根 明度、反應時 地控制液晶顯 一配向膜 由銦錫氧化物 方向）之一透 經過一 以控制 在 子配向 物層， 並利用 顯示器 種液晶 是會被 液晶顯 據液晶 間、視 示器中 係指形 形成、 明導電 製程， 子之配 道機械 液晶分 現今製備液 或使液晶以一 例如聚 曰曰 旋轉 醯亞胺 滾轴高 中，液晶之 酉己向之變化 随斷或傳送 示器。作為 酉己向狀態改 角、對比及 ^液晶配向 成於液晶間 用以產生均 膜。在聚合 例如摩擦及 向。 顯示器之過 預定方向排 ’配置於一 速摩擦此聚 配向會 ，會決 。因此 一顯示 變之特 類似的 是相當 之一聚 一配向 物層形 類似方 隨著外加電 定入射於液 ，可根據液 器之液晶顯 性而決定’ 特性。所以 重要的。 合物材料層 (亦即，液 成之後’其 式，以及其 壓之電 晶顯示 晶之此 不器的 包括透 ’ 均 一 ，以及 晶分子 通常會 它製程 程中，用以達成此液晶分 列之方法，包含將一聚合 透明導電玻璃基板之上’ 合物表面之梦雜’其中此*
第11頁 1290939
五、發明說明（2) 旋轉滾軸係以/由尼龍或人造纖維構成之摩擦布包覆。 由此摩擦程序，液晶分子會在此配向膜表面以一現有特^ 角度排列。 令荷疋 由於此摩擦程序大體上係為唯一一種可以簡單地、穩 疋地使液晶分子配向的方法，因此大多數液晶顯示器之製 造者通常，利甩此摩擦，程序來進行量產。然而，此種摩擦 程序之問題在於，其機械摩擦過程會在液晶配向膜表面形 成到痕，並產生破壞薄膜電晶體之靜電力。此外，自摩擦 布衍生之微細纖維，可能會形成液晶顯示器内之缺陷。因 此，裝置之製造品質就會下降。為克服上述摩擦過程所產 生之問題並用以提高產率，現今已提出一種新的配向技 術：以光照射，例如紫外光，使液晶配向之技術。 近年來’液晶顯示器已變為大型尺寸，且其應用範圍 已由個人領域，例如筆記型電腦，擴展至家用領域，例如 牆上型電視。根據此一趨勢，液晶顯示器將需求較高品質 之畫面與較寬之視角。同時，為符合液晶顯示器對於品質 的要求，光學配向方法現今已成為矚目焦點。 、 然而，由M· Schadt 等人（Jpn. J· Appl· Phys·， ν〇1·31， 1 992，2155) 、Dae S· Kang 等人（u.S. Pat!
No· 5,464,669)，以及Yuriy Reznikov 等人（jpn j APPI· PhyS.，V〇1.34，1 992，L1 0 0 0 )所提出之光學配位 方法，其概念雖然優越，但是開發用以實現這些方法的新 材料卻有困難，因此這些方法尚未商業化。其困難之一在 於其配向膜的原料，尚未加工至可應用至習用液晶顯示器
第12頁 1290939 五、發明說明（3) 之製造方法中 之液晶顯示器 形成之配向膜 現今液晶 示器已被認為 應用至不同的 發展。此色彩 達此一目的， 點。到目前為 3。〜5。的程度。 高至7。或以上 具有3。〜5。之預 數值時，其配 痕而產生錯誤 要使整個螢幕 此可能會產生 昇預傾斜角時，通常 此，現今將需求一種 。同時 ，其顯 所構成 顯示器 是畫質 領域， 再現性 適當地 止，液 為獲得 。然而 傾斜角 向性質 。特別 表面皆 部分不 二利用光學配向形成之配向膜所構成 示品質會比利用摩擦程序之聚醯亞胺 之液晶顯示器為差。 之顯示品質已大幅地上升，且液聶顯 最佳之顯示器。為了使液晶顯示器可 ，^亦朝向提昇其色彩再現性之方向 可藉由改善配向膜之功能而達成。為 控制液晶之預傾斜角就成為研究的^ 晶之預傾斜角已由〗。〜3◦的程度增加^ 更自然之色彩，最好可將預傾斜角提 ’ 一般摩擦製程所使用之配向材料只 。而當其預傾斜角提昇或降低於前述 f會相對地減弱，或者會因為表面刮 是’即使其預傾斜角已經增加，然而 具有一固定之預傾斜角卻很困難，因 正常之現象。此外，一般而言，在提 會伴隨對其它顯示品質之破壞^因 可滿足上述條件之新材料。 發明相 I SP ί ί明之一目的係為提供一種用以形成液晶配向膜之 =向材料，其中此配向材料之預傾斜角可任意地控制於 内，並可提供相等於或優於摩擦製程之配向材 顯不σα質。 第13頁 1290939 五、發明說明（4) 根據本發明之一實施態樣，此用以形成液晶配向膜之 光學配向材料，包含一具有下列式1所示結構之重複鏈 段，以及至少一個由下列式8所示結構群中選出之重複鏈 段；其中，至少20%之重複鏈段具有至少一個由下列式5所 示結構群中選出之光反應官能基：
(1) 其中，X為一氫原子、氟原子、氯原子或(^14線性或分支型 炫基；Y為一氧原子或C2~14亞烴基；R為一具有下列式3所示 結構之官能基： (3) 其中，&為自下列式4所示官能基群中選出之一官能基；R2 為自下列式5及6所示官能基群中選出之一官能基；R3為自 下列式7所示官能基群中選出之一官能基；k為0至3之一整 數；1為0至5之一整數；且若有複數個心或匕，每一個心或 R2可為相同或互異： (CH, TCH2i (4) 其中，η為0至10之一整數，
第14頁 1290939 五、發明說明（7) 結構之官能基：
(3) 其中，&為自下列式4所示官能基群中選出之一官能基；R2 為自下列式5及6所示官能基群中選出之一官能基；R3為自 下列式7所示官能基群中選出之一官能基；k為0至3之一整 數；1為0至5之一整數；且若有複數個心或心，每一個&或 R2可為相同或互異：
其中，η為0至10之一整數，
第17頁
1290939 五、發明說明（9) 體。特別是，此類環脂族單 未連接一光反應基。這些可 於侧鏈之末端位置或其它位 早體係直接連接至聚合物主 達到適當地及自由地控制液 是故，本發明之配向材 體為基礎之共聚合物，其包 亞胺為基礎之重複键段，以 群中選出一重複鏈段·，或者 醯亞胺為基礎之重複鏈段， 中選出一重複鏈段，以及至 選出之一重複鏈段： 體或氟化單體之特色在於，皆 減少表面能量的單體，可取代 置。然而，根據本發明5上述 鏈，因為此方式將可更有效地 晶預傾斜角之目的。 料係為以順丁烯二醯亞胺型單 含如式1所示之以順丁烯二醯 及至少一個自式8所示之結構 包含如式1所示之以順丁烯二 至少一個自式8所示之結構群 少一個自式2所示之結構群中
(1)
(2) ==為-氫原子、I原子、氯原子或％線性或分支型 二 為氣原子或Cm亞烧基；而R為一具有下列式3所 示結構之官能基：
第19頁 1290939 五、發明說明（ίο) (3) »^fR2)^R3) 其中，&係為選自下列式4所示官能基群之官能基；R2係為 選自下列式5及6所示官能基群之官能基；R3係為選自下列 式7所示官能基群之官能基；k為0至3之整數；1為0至5之 整數；且若有複數個Ri或R2，每一個心或R2可為相同或互 異： (CH： (4) 其中，η為0至10之整數， 侧 CH;CH-W —°°〇ΆΗ=α^ο- U'CH:CHC0- -ο
-CaC CH=CHC〇- =CHC0— CH=CHC0— (5) …SH 一〇° uco— °~Oco- ^C〇〇^Oco- ^C3C^Oco- 一O、\4c〇 —0C0^W 一C0H u、oc〇
-C3C --c〇〇~〇^ -cschC^ (6)
第20頁 1290939 五、發明說明（12) 較佳之情況是’將包含至少一個光反應基之重複鏈段 在此聚合物中之比例，調整為至少20%，最好是至少3〇%。 本發明之配向材料之聚合物係溶解於一溶劑中，並以 一印刷方法塗佈至TFT基板或濾色基板之上形成一配向 膜’以取代習用聚醯亞胺之摩擦製程。因此利用3 kw之水 銀燈管取代習用之摩擦製程，液晶之配向可藉由極化^外 光之曝光製程來完成。在此製程中，曝光能量通常為2〇〇 至2, 〇〇〇毫焦耳/cm2、。一般而言，當曝光能量大於5〇焦耳 /cm2時，此液晶可被配向。此紫外光照射係以一傾斜昭、射 方法進行，亦即，此紫外光係照射至具有一預傾斜角之配 :膜表面’以巧導液晶產生預傾斜角。此步驟類似於習用 :擦製程中，冑由控制摩擦強度與次數以調整傾斜角度之 圭f施例之說明 明作一詳細說明。然 而不是用來限縮本發明
以下’將利用下列實例對本發 而，下列實例僅用以說明本發明， 之範圍。 " (1) 光學配向材料之合成 實例1
1290939 五、發明說明（13)
將順丁烯二酸酐l〇g (〇·1莫耳）與胺基酚10· lg (〇· 09莫耳）加入100ml甲苯中，在室溫下攪拌2個小時， 以獲得醯胺酸類之中間產物。再將獲得之溶液加入1 〇〇m 1
之酵酸酐中，並加入醋酸鈉0.41g(0.005莫耳），在95°C 下去水4小時，以獲得4 -乙镳氧基苯基順丁烯二醯亞胺， 產率為50%。
之後，將上述合成之4-乙醯氧基苯基順丁烯二醯亞胺 l〇g，與工醯氧基苯乙烯4· 2g ( 0. 0 2 5莫耳）及醋酸乙烯酉旨 1· 8g (0: 〇17莫耳），利用〇· 35g之2, 2,-偶氮二異丁腈曰 (AIBN ’2，2’-azobisisobuty ron i t r i 1 e ) 作為起始劑 , 於6 5 °C下在丙酮内進行4小時之自由基聚合反應，以形成 下面所示之三元聚合物。
1290939
五、發明說明（14)
將製得之三元聚合物盥5 σ m · ·/、、〜對〜甲苯磺酸（p-TS〇H， P-t〇lUenesulf〇nic acid)，加入几之甲醇與丙鲷混合溶 液中，於8 0 °C下進行去保護作用（depr〇tected ) 5小時， 以獲得具有下列主鏈結構之聚合物，產率為8 5 %。
將上述合成之聚合物lg (〇·〇〇3莫耳）與二乙胺1.2g (0· 01莫耳）加入20ml之卜甲基一2 —此咯统酮。再將4一甲 氧基桂皮醯氯l,4g (0.007莫耳）加入其中’並於室溫下 攪拌1小時，以獲得如下所示之本實例之配向材料’產率 為 70% 〇 〇ic ^
OH
1 -methyl -2-pyrrolidinone
第24頁
1290939 五、發明說明（15) 實例2 合成下列重複鏈段結構之光學配向材料：
此聚合物之主鏈係依照實例1所述之相同步驟加以合 成。亦即，將以與實例1相同方法製得之4-乙醯氧基苯基 順丁烯二醯亞胺l〇g (〇, 043莫耳），與乙醯氧基苯乙烯4. 2g (0.025 莫耳）、3,3,3-三氟丙烯1.6g (0·017 莫耳）， 以及作為聚合起始劑之AI BN 0 . 3 5 g加入丙酮中，在6 5 °C下 進行4小時之自由基聚合反應。再將所獲得之三元聚合 物，依照與實例1相同之程序進行去保護作用，以獲得具 有下列結構之最終聚合物主鏈，產率為85%。
第25頁
1290939 五、發明說明（16) 之後，將上述合成之聚合物主鏈lg (〇 〇〇3莫耳）溶 解於20ml之卜甲基-2-吡咯烷酮中。再將作為侧鏈之三乙 胺1.2g (0.001莫耳）'4-甲氧基—桂皮醯氯14g (〇 〇〇7 莫荨）加入此溶液中，並於室溫下攪拌1小時，將侧鏈取 代爹主鏈上。之後可獲得最終之配向材料，產率為7〇%。 Φ
Triethylamine 1~methy 1 ^-pyrrolidinone
Product 〇、 實例3 合成具有下列重複鏈段結構之光學配向材料 -ch2 、cf3 此聚合物之主鏈係依照實例1所述之相同步驟加以合 成。將苡與實例1相同方法製得之4 -乙醯氧基苯基順丁烯 二醯亞胺10g (0· 043莫耳），與三氟乙醯基丙烯酸酯3· 2g (〇·〇18莫耳），以及作為聚合起始劑之AIBN 0.35g加入 丙_中，在6 5 °C下進行4小時之聚合反應，以形成如下所 第26頁 1290939 五、發明說明（17) 示4共聚合物。
A旧N > Aceton φ γ • 再將製得之共聚合物，依照與實例1相同之程序進行 去保護作用，以獲得具有下列結構之聚合物主鏈，產率為 70% 〇
、CF3
p-TsOH
MeOH /Acston 、CF3
OH
之後，將上述合成之聚合物主鏈溶解於20ml之1 -曱基 -2 -吡咯烷酮中。再將三乙胺2g (0.02莫耳）與4-曱氧基 桂皮醯氯2. 8g (0· 014莫耳）加入此溶液中，並於室溫下 攪拌1小時，將侧鏈取代至主鏈中。之後可獲得最終配向 材料，產率為60%。
OH
1 -methyl ~2~pyrrolidinone
Product
第27頁 1290939 五、發明說明（18) 實例4 合成具有下列重複鏈段結構之光學配向材料：
此聚合物之主鏈係依照實例1所述之相同步驟加以合 成。將以與實例1相同方法製得之4 -乙醯氧基苯基順丁烯 二醯亞胺10g (0·043莫耳），與4-乙烯基-1-環己烯-1，2-環氧化合物2· 24g (0.018莫耳），以及作為聚合起始劑之 AIBN 0. 35g加入丙酮中，在65 °C下進行4小時之聚合反 應，以形成一聚合物。再將製得之聚合物，依照與實例1 相同之程序進行去保護作用，以獲得如下所示之一聚合物 主鏈，產率為5 0 %。
第28頁 1290939 五、發明說明（19)
其側鏈則依下列方式加以合成。首先，將4-羧基苯甲 醛lg (0·0 0 6莫耳）與氯化亞磺酸基(K79g ( 0.006 莫耳 )於二氯甲燒中反應4 0分鐘，之後再與丙二酸二乙酯 0.79忌（0.0 0 6莫耳）於501111吡啶中，在室溫下反應3小 時。接著將此產杨進行醯基氯化（acyl-chlorination) 之作用，以產生一中間產物：乙基-反-氯化羰基桂皮酸 鹽，產率為50%。再將此中間產物與4-羥基苯甲酸0. 98g (0·06莫耳）於氫氧化納/二甲亞现（DMS0，dimethyl s u 1 f ο X i d e )水溶液中，在室溫下反應2小時，以獲得如下 所示之側鏈結構，產率為60%。
第29頁
1290939 五、發明說明（20) 將上述合成之側鏈4 · 1 g ( 0 · 0 1莫耳）進行醯基氯化之 作用。再將獲得之產物1 g ( 0 · 0 0 5莫耳）、上述合成之聚 合物2.1g (0.02莫耳）與三乙胺2.1g (0·02莫耳）溶解於 20ml之1-曱基-2 -吡咯烷酮中，在室溫下攪拌1小時。依此 方式，可獲得最終之配向材料，產率為60%。
實例5 合成具有下列重複鏈段結構之光學配向材料：
第30頁 1290939
五、發明說明（21) 人占上述聚合物之主鏈係依照實例1所述之相同程序加以 A顺丁 Ϊ即’將以與實例1相同方法製得之4-乙醯氧基苯 ς 、烯二醯亞胺l〇g(0〇43莫耳），與4一乙醯氧基苯乙 (〇n?7U·025莫耳）、5一乙烯基一2—降冰月烯2.04§ 而納士莫耳），以及作為聚合起始劑之ΑΙΒΝ 〇·352加入 聚二&，在65 C下進行4小時之聚合反應，以形成一三元 序二 >。再將製得之三元聚合物，依照與實例1相同之程 率為8^^保護作用，以獲得如下所示之一聚合物主鏈，產
之後，將依照與實例4相同之方法合成之侧鏈丨.7g 1005莫耳）進行醯基氯化之作用。再將所獲 一別迷製傷之聚合物lg (〇· 〇〇2莫耳）及三乙 〆 007 箪互、 ^υ· Hg ( 〇· *斗）溶解於2〇ml之1-甲基-2-吡咯烷酮中，％认^ 下谱垃1 , 亚於室溫 视许1小時。依此方式，可獲得最終之配向材料， 為60%。4 ^ 屋率 實例5 合成具有下列重複鏈段結構之光學配向材料··
1290939 五、發明說明（22)
1 -methy 1 -2~pyrrolidinone
Product 實例6 合成具有下列重複鏈段結構之光學配向材料
cf3 將順丁烯二酸酐1 〇g ( 〇· 1莫耳）與胺基乙基酚13· 7g (0. 1莫耳）加入100ml之曱苯中，並於室温下攪拌1小 時，以獲得醯胺酸類中間產物。將所獲得之溶液以醋酸鈉 4· lg ( 0: 05莫耳），在8 5 t：下進行去水作用，以獲得4-乙 醯氧基襄基順丁烯二醯亞胺，產率為80%。 °^° ch3coon·
Toluan·
Acetic «ntiydrfd·
第32頁 1290939 五、發明說明（23) 將上述合成之4-乙醯氧基苯基順丁烯二醯亞胺l〇g與 4-乙醯氧基苯乙烯、η-丙烯酸丁酯，以及三氟羥甲基丙烯 酸酯，以1 : 0 · 6 : 0 · 2 : 0 · 6之當量比加以混合，並加入丙酮 中，接著再加入作為聚合起始劑之ΑΙΒΝ 0· 35g。在65 °C下 進行聚合反應。所獲得之四元聚合物之乙醯氧基，係以〇. 01當量之對-曱苯磺酸於甲醇與丙酮之混合液中，在80 下進行5小時之去保護作用，以獲得具有下列結構之聚合 物主鏈，產率為70%。
ΟΗ 將上述合成之聚合物主鏈2g (〇·〇〇7莫耳）舆三乙胺 2-5g (〇·〇25莫耳）溶解於2〇ml之1-曱基-2-吡咯燒綱中 再將4-己基肉桂醯氯4· 7g (〇· 〇13莫耳）假入其中，並於 至溫下攪拌1小時。依此方式，可合成最終之配向材料：
1290939 五、發明說明（24) (2)液晶顯示器之製借與液晶顯示器之特性評估 甲基向材料’各自溶解於卜 燈之極化紫外光，對這些膜進行—5:制：用-則水銀曰 ，除了上述用以使液晶定向之光製w ^ a 顯示器之習用製盘6出。夕銘 尤衣程外，皆利用液曰日 頌干哭— 兀 後，對所製備之各個1 5丨丨液晶 顯示器之基本電場光學特性之檢測，例如，對 反應％間、視角及明亮度。&測、结果則示於表4。 興配丄亦利用與上述實例相同之方法所製備之各種光 =配向材料，製備丨，，之單胞（unit ceU )。再量測這些 早胞之電壓保持比例與直流電殘留值（residual DC)。 結果顯示於表1及表2。 、， 所製備之1"單胞包含上述實例之每一種光學配向材 料。具有胞距（cel 1 gap ) 55 //m之逆平行胞 Untiparallel ceu )，係藉由使每一基板之液晶配向 方向相反之方式製成。接著再以一晶體轉動方法 (crystal rotation method)測量每一逆平行胞之預傾 斜角。結果顯示於表3中。 在每一例中，皆使用美國默克（Merck，NJ USA )提 供之用以構成TN .型TFT-LCD之液晶。 Η 第34頁 1290939 五、發明說明（25) 比較例1 你癌怒戚（SE 7 9 9 2，由日 利用廣泛作為配向材料之彼照前述方法製備一丨5”液 fNissan化學品亡=提場光^特性、電壓保持比例、 晶顯示器與一 1 ”早胞。=、 係顯示於 直流電殘留值及預傾斜角之篁測&米 双1王衣 比較例2 利用具有如下所示之分子結構之光學配向材料（註： :係揭露於韓國專利公開公報第2000-8633號），你 學特性及電液晶顯示器與一Γ,單胞。其電場光 1至表4。 “持比例與殘留DC之量測結果，係顯示於表
表1 電壓保持比例
第35頁 1290939 五、發明說明（26) 量測 溫度 室溫（25。〇 60°C 實例1 97.9% 94.7% 實例2 99.1% 97.5% 實例3 99.5% 98.0% 實例4 99.0% 96.9% 實例5 99.1% 95.7% 實例ό 99.3% 97.1% 比較例1 99.1% 95.2% 比較例2 97.5% 92.4% ※此電壓保持比例之量測方式為在1 V下量測6 4 /z s，頻率 為 60Hz 〇 表2 直流電殘留值
最大 實例1 21.5 X l〇-9F 實例2 11.2 X l〇-9F 實例3 9.7 x l〇-9F 實例4 15.7 x l〇-9F 實例5 10.3 x 10'9F ^ 實例6 9.5 x l〇-9F 比較例1 31.2 x 10*9F 比較例2 55.2 x l〇-9F ※此直流電殘留值係利用在相同電壓值時，所比較出之
1290939 五、發明說明（27) 具有最大電容值差異（△ C )之點，相對性地加以估計。 表3 預傾斜角 曝光角度 曝光能量 預傾斜角 、 實例1 30° 500毫焦耳/cm2 0.7° 1000毫焦耳W 1.1° 實例2 30° 500毫焦耳/cm2 1.3° 1000毫焦耳/cm2 2.5° 實例3 30° 500毫焦耳/cm2 4.5° 1000毫焦耳/cm2 6.2° 實例4 30° 500毫焦耳/cm2 3.2° 1000毫焦耳/cm2 4.8° 實例5 30° 500毫焦耳/cm2 3.4° 1000毫焦耳/cm2 5.1° 實例ό 30° 500毫焦耳/cm2 5.1° 1000毫焦耳/cm2 8.5° 比較例1 摩擦深度 預傾斜角 正常（一 1 ) mm 4·60 正常 4.1° 正常（4 -1 ) mm 3.5° 赚例2 曝光角度 曝光能量 預傾斜角 30° 500毫焦耳/cm2 0.3° 1000毫焦耳/cm2 0.6° ※量測方法
1290939 五、發明說明（28) •預傾斜角係利用晶體旋轉方法加以量測 •摩擦深度係以最適化標準值為基礎，藉由增加或減少一 旋轉滾輪之高度加以調整。（+ 1 ) mm代表係以比標準程 序為強之方式進行摩擦之例子。 •曝光角度係定義為照射光束（光線）於基板垂直向量之 入射角。 •曝光能量係定義為在不同之照射時機時，所測得之照射 光線之照射密度，其中此照射光線具有240至350nm之波 長。 表4 1 5n TFT液晶顯示器之電場光學特性 對比 反應時間 (毫秒） 亮度 (cd/m2) 視角 右/左 上/T 實例1 198 31 204 58/58 45/>60 實例2 205 26 196 59/58 45/>60 —實例3 200 29 208 59/58 45/>60 實例4 211 32 201 58/58 45/>60 實例5 210 30 205 59/59 45/>60 實例6 215 29 212 58/59 45/>60 較例1 200 35 200 58/58 45/>60 比較例2 185 32 205 58/59 45/>60 ※此對比與明亮度之檢測，係在顯示板上量測9個不同位 置之值，再加以平均計算而得。
1290939 五、發明說明（29) =表1可看出，本發明實例1至6可改善電壓保拉 二盖：在60 Μ，較之摩擦製程的配向材料有明顯的 同日守，本發明實例在直流電殘留值方面，_之^概 製程之配向材料亦有改善。直流電殘留值為顯示二顯二 品質穩定度的重要特性。特別是，1被 ，、不 A Ab « 八t 4興P且礙蔣動影 像自…、。、員示的影像固定現象（image sticking 、
Phenomenon )相關之一重要因素。電壓保持比例盥兩 殘留值同樣被視為與影像固定現象相關之重要因^】 亦被視為與顯示器可靠度相關之一關鍵因素。’、 a 由表3所示之預傾斜角之量測結果，顯示藉 反應性取代基之種類，與改變曝光程序之條件，、立 地控制液晶之預傾斜角》此預傾斜角與前述電場光學2 ，皆是在大型顯示器之整個螢幕中顯現自$色彩盥均 一旦面品質之重要因素。通常摩擦製程之配向材 3。〜5。=預傾斜角。而#其預傾斜角提昇或降低於前&數值 i生；Ξ向ΐ質就會相對地減弱’或者會因為表面刮痕而 產生錯^。特別是，即使其預傾斜角已經增加， 整個螢幕表面皆具有一固定之預傾斜角卻报困難、，、、 部分不正常之現象…卜，在提昇預傾斜角時： j吊會伴隨對其它顯示品質之破壞。根據實例與比較例之 結果，本發明確可藉由調節光反應基於光學配向材料之分 能量及角度，進而任意地控制預傾斜角於1。〜10◦内。一 構中的比例，以及改變曝光製程之條件，例如，曝^
第39頁 1290939 五、發明說明（30) 此外，如表4所示，本發明之配向 性係相等於或傷认* 门材料之電場光學特 所以，=優摩擦製程之光學配向材料。 向膜之光學配t所述，本發明可提供一種用以形成液晶配 且可提供相s向材料’其預傾斜角可以隨意地加以控制’ 上述同於或優於摩擦製程之配向材料之顯示品質。 +响人二解釋與敛述僅為本發明之較佳實施例而已，此處 表曰」尺，本發明並不限於上述實施例，且在不背離本 毛月之範園内，亦可加以變化、修正或以具有相同功能之 元件取代。 ^
第40頁 1290939
第41頁

Claims (1)

  1. a 口
    案號 90127708 修正 六、申請專利範圍 1 · 一種用以形成液晶配向膜之光學配向材料，包含一具有 下列式1所示結構之重複鏈段，以及·至少一個由下列式8所 示結構群中選出之重複鏈段；其中，至少2 0 %之重複鏈段 具有至少一個由下列式5所示結構群中選出之光反應官能 基： :5f
    (1) 其中，X為一氫原子、氟原子、氯原子或Cp14線性或分支型 烧基；Y為一氧原子或C2~14亞烴基；R為一具有下列式3所示 結構之官能基·· (3) 其中，Λ為自下列式4所示官能基群中選出之一官能基；r2 為自下列式5及6所示官能基群中選出之一官能基；R3為自 下列式7所示官能基群中選出之一官能基；k為0至3之一整 數；1為0至5之一整數；且若有複數個心或!^，每一個Ri或 R2可為相同或互異： [CH (4). 其中，η為0至10之一整數
    第42頁 1290939 _案號90127708_年月 日 修正. 六、申請專利範圍
    第43頁 1290939 _案號90127708 年月日 修正_ 六、申請專利範圍 其中，X為一氫原子、氟原子、氯原子、Cp13烷基或烷氧 基，或一（OCH2)pCH3，其中，ρ為0至12之一整數，而m為 0至18之一整數； CF3 (>)η A (8) ch3 其中，n為1至12之一整數。 2. —種用以形成液晶配向膜之光學配向材料，包含一個 具有下列式1所示結構之重複鏈段、至少一個由下列式2所 示結構群中選出之重複鏈段，以及至少一個由下列式8所 示結構群中選出之重複鏈段；其中，至少2 0 %之重複鏈段 具有至少一個由下列式5所示結構群中選出之光反應官能 基：
    (2)
    1290939 _ 案號 90127708 年月曰 修正 六、申請專利範圍 其中，X為一氫原子、氟原子、氯原子或Cp14線性或分支型 烧基；Y為一氧原子或C2~14亞烴基；R為一具有下列式3所示 結構之官能基：
    其中，&為自下列式4所示官能基群中選出之一官能基；R2 為自下列式5及6所示官能基群中選出之一官能基；R3為自 下列式7所示官能基群中選出之一官能基；k為0至3之一整 數；1為0至5之一整數；且若有複數個&或^，每一個&或 R2可為相同或互異： 其中，η為0至10之一整數，
    第45頁
    1290939
    第46頁 1290939 _案號90127708_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 3 ·如申請專利範圍第2項之用以形成液晶配向膜之光學配 向材料，其中，此配向材料係包含式2所示結構中，以苯 乙烯為基礎之一重複鏈段。 4.如申請專利範圍第1或2項之用以形成液晶配向膜之光 學配向材料，其中，此配向材料包含式5所示結構中之一 桂皮酸鹽基，以作為一光反應基。
    第47頁
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