TWI290641B - Method of simulating patterns, the computer program for the same, medium storing the program, and device thereof - Google Patents
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Description
1290641 將液晶顯示裝置之液晶顯示面板大小之圖案設計成達到設 計基準後,將此圖案分割成配合光罩片的大小、及此光罩 片的片數。此時,分割此圖案的分割線係沿著不會有受 特性上影響的場所形成。
且,此液晶顯示面板的分割曝光設計資料係保存於cAD 系統伺服器的記憶媒體。又,藉由根據這些的設計資料, 形成對應於液晶顯示面板及分割線的設計圖案之光罩圖 木追加设盍被稱為遮光帶的遮光區域之遮光帶圖案,來 形成光罩。 使用此光罩(光罩)資料與被稱為曝光用資料之座標資 料在基板上曝光複數個液晶顯示圖案。曝光用資料係包 含顯示光罩片上的曝光區域之範圍及成為基準的中心點之 資料、以及所曝光之基板上的座標資料等,將光罩片上所 指定的範圍曝光於基板上所指定的區域(參照例如,日本特 開2002-367890號公報,特別係第2-4頁、及圖丨_1〇)。 【發明内容】 料輸入錯誤的情況時,也有可藉由根據此錯誤的曝光用 料之錯誤處理來發現該錯誤的情況,但也有藉由在基板_ 曝光形成基板圖案後之圖案檢查來發現情況。 又,在當分割光罩片的作業之際,產生錯誤使得基板_ 的鄰接之曝光區域的境界線不—致的情況時,在形成於d 基板上的基板圖案會產生斷線或短路的部分,而使此基名 圖案變得不良。特別係在為了作成县 土 ^ 卜风+易看見基板上的分|
O:\90\90941.DOC 1290641 線,而將此分割線作成鋸齒狀,而在此分割線設置緩衝區 域的情況時,會有不容易發現形成在基板上的基板圖案之 不良的問題。 本發明係有鑑於這些問題點而開發完成的發明,其目的 在於··提供一種容易發現光罩資料及曝光用資料的設計錯 疾之圖案模擬方法、其程式、及其裝置。 本發明係藉由顯示將欲在基板上形成的全體圖案分割成 複數個之每個分割區域的光罩圖案之光罩資料、與顯示在 丽述基板的何種位置照相攝影前述光罩圖案之曝光用資 料,來模擬在前述基板上曝光形成的基板圖案之案模擬方 法,在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成 前述基板圖案之際,0R運算或AND運算相當於此基板上的 每進行照相攝影所曝光的複數個區域之圖案,再根據這些 〇R運算或AND運算,來模擬前述基板上的丨次以上所曝光 的區域之圖案者。 匕、、ό果在基板上藉由光罩資料及曝光用資料來形成基 板圖案之際’識別此基板上未曝光的區域。 又,製作在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板 上形成前述基板圖案之際所預測的預測圖案,運算此預測圖 案、與相當於在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板 上形成前述基板圖案之際的曝光圖案之圖案,來模擬此基板 上所曝光的區域之圖案;或製作顯示此運算之際的差量之差 ϊ圖案,將此差量圖案重疊於前述預測圖案,或運算這些, 來模擬藉由前述光罩資料及曝光用資料來形成於前述基板
O:\90\9094I.DOC 1290641 上之前述基板圖案。 此結果,在藉由光罩圖案及曝光用圖案在基板上形成基 板圖案之際,識別此基板上未曝光的部分、或相當於對於 此基板上之曝光重疊的圖案。 【實施方式】 以下,參照圖1至圖6來說明本發明的第丨實施形態。 在圖1至圖6,光罩圖案1係例如具備4片第丨光罩片3、第2 光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6。又,此光罩圖案1係 用來分割曝光形成在玻璃基板7上的液晶面板8後加以顯像 或蝕刻的光罩。 在此,此玻璃基板7係形成例如400 mmx5〇〇mm的矩形平 板狀此玻璃基板7上的液晶面板8係對角1 〇. 4型解像度 XGA(l〇24x768個像素),例如4片左右形成在此玻璃基板7 上。這些的液晶面板8之區域係藉由導電體層及介電質層的 至少一層來構成。因此,丨片玻璃基板7之曝光次數形成“ 發。 第1光罩片3係如圖2所示,具有曝光液晶面板8的上側左 側部之圖案。又,第2光罩片4係具有曝光液晶面板8的上側 右側部之圖案。又,第3光罩片5係具有曝光液晶面板8的下 側左側部之圖案。且,第4光罩片6係具有曝光液晶面板8的 下側右側部之圖案。 關於這些第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4 光罩片6的電子資料係作成光罩資料n。此光罩資料u係由 將欲在玻璃基板7形成之全體圖案分割成複數個區域之光
O:\90\9094I.DOC 1290641 罩圖案所構成之CAD資料。 且’顯示將這些光罩資料照相攝影於玻璃基板7之何種位 置之曝光用資料12係具備:顯示已分割成格子狀的第1光罩 片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6之曝光區域的 資料;及顯示藉由這些第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩 片5及第4光罩片6在玻璃基板7上的何處曝光的資料。此曝 光用資料12係在每次曝光進行輸入,或若反覆進行相同的 曝光的話則僅輸入座標的移動量。再者,此曝光用資料工2 係作為矩陣輸入資料,在每單發所分解輸入之數值資料。 又’在曝光用資料12,也具備關於相當每個成為光罩圖 案1的分割線之所有層(layer)的分割線9。且,曝光用資料 12係保存於未圖示的伺服器之曝光用資料檔案,藉由未圖 示的曝光機來將玻璃基板7上的特定位置之光罩圖案曝光。 這些曝光用資料12及光罩資料11係構成可讀取於圖案模 擬用電腦。在此電腦,具備··根據曝光用資料12及光罩資 料11 ’來模擬藉由曝光機在玻璃基板7上曝光形成的基板圖 案(全體曝光圖案)14之圖案模擬程式。 其次’說明關於藉由上述電腦來模擬之圖案佈置。 首先’決定:模組外形、作為液晶胞來構成的晶胞尺寸、 液晶胞的畫面尺寸、晝面周邊的折緣狀部分的尺寸、〇LB 安裝尺寸、配置於X方向及γ方向的IC的輸出數與其尺寸等 之製品規格作為必要的規格,或製造線與該製造線固有的 限制條件等。 其-人,假想欲形成於此玻璃基板7上的概略之TJ? τ陣列某 O:\90\90941.DOC -10- 1290641 板的全體圖案,以此概略的TFT陣列基板的全體圖案與曝光 機的性能為根基,考量可以相同的光罩片反覆進行照相攝 影’來決定光罩圖案1的分割線9。 然後’以此已設定的分割線9為基礎,藉由CAD詳細地製 作各自的光罩圖案,並且以遮光帶圖案覆蓋光罩圖案以外 的區域,使得不會將不要的區域曝光。
進一步將已完成的光罩圖案以照相攝影順序排列,根據 實際的圖案,以CAD來構成詳細的TFT陣列基板上的全體圖 案。使用如此所製作的詳細之陣列基板上的全體圖案,認 識關於光罩圖案1之光罩資料U及顯示此光罩圖案1的第1 光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片ό的關係之 曝光用資料12,在判斷是否依照預定構成光罩圖案後,分 別將光罩資料11及曝光用資料丨2保存於伺服器的光罩資料 用檔案及曝光用資料檔案。 其次’說明關於根據此電腦之圖案模擬方法。 鴦 首先’由曝光用資料檔案將曝光用資料12讀入至電腦(步 驟1)。 又,將保存於其他伺服器的記憶區域之光罩資料丨丨讀入 至電腦(步驟2)。 接著’在根據這些曝光用資料丨2及光罩資料丨丨,使圖案 杈擬程式起動’藉由這些曝光用資料12及光罩資料η在玻 璃基板7上形成基板圖案之際,製作相當於此玻璃基板7之 每進行照相攝影所曝光的區域之曝光圖案丨3 (步驟3)。 在此’參照圖4至圖6說明關於此步驟3及下一個步驟4。
O:\90\9094I.DOC -11 - 1290641 首先如圖4所示,在藉由第丨光罩片3來將玻璃基板7上之 上側左側部曝光之際,藉由模擬電腦,來模擬在此玻璃基 板7上相§於照射光之區域的第丨曝光區域15使其顯示於螢 幕上。 進一步如圖5所示,在藉由第2光罩片4來將玻璃基板7之 上側正面視角左側部曝光之際,藉由電腦,來將此第丨曝光 區域15加以顯示,並且相當於光照射在此玻璃基板7上的區 域之弟2曝光區域16顯示於蝥幕上。 此時,這些第1曝光區域15及第2曝光區域16的形狀,係 與將反轉第1光罩片3及第2光罩片4之各自遮光圖案後的圖 案描繪於玻璃基板7上者相似。 在實際微影程序,這些第丨曝光區域15及第2曝光區域16 重疊的部分若為藉由根據第丨光罩片3及第2光罩片4之曝光 來至少1次將光照射於光阻劑的區域的話,則該區域藉由顯 像來消失。 因此,OR運算相當於使這些第丨光罩片3及第2光罩片斗反 轉之際所形成的圖案之曝光圖案13,利用電腦來將相當於 藉由這些第1光罩片3及第2光罩片4中的其中一者丨次以上 的照相攝影來照射光而加以曝光的圖案之全體曝光圖案 14,使其顯示於螢幕(步驟4)。 此OR運异係不需要實際計算,僅藉由以電腦在相當於第 1光罩片3的圖案之曝光圖案13上模擬相當於使第2光罩片4 反轉的圖案之曝光圖案13來重疊顯示於螢幕即可。 同樣地,將相當於這些圖案的第丨曝光區域15及第2曝光
O:\90\90941.DOC -12- 1290641 區域16加以顯示,並且以電腦模擬相當於在藉由第3光罩片 5來將玻璃基板7之上側左側部曝光之際光照射於此玻璃基 板7上的區域之第3曝光區域17,使其顯示於螢幕。 且’將相當於這些圖案的第1曝光區域15、第2曝光區域 1 6及第3曝光區域17加以顯示,並且以電腦模擬相當於藉由 第4光罩片6來將玻璃基板7之上側左側部曝光之際光照射 於此玻璃基板7上的區域之第4曝光區域18,使其顯示於螢 幕。 此日守’使第3光罩片5及第4光罩片6反轉,OR運算相當於 圖案的曝光圖案13,藉由以電腦模擬第3曝光區域17及第4 曝光區域18,來重疊於第1曝光區域15及第2曝光區域16之 上,使其顯示於螢幕。 然後,反覆進行步驟3及步驟4,如圖6所示,藉由以電腦 模擬相當於通過光罩圖案1將玻璃基板7曝光的狀態之全 (所有)液晶面板8來顯示於螢幕。 接著,取得對於此玻璃基板7之全照相攝影的和之後, NOT運算相當於形成在此玻璃基板7之圖案之全體曝光圖 案丨4,使該圖案反轉(步驟5)。 且,將在藉由此NOT運算來反轉的玻璃基板7—次也未被 曝光之區域也就是相當於受到顯像或蝕刻所殘留的區域之 遮光區域顯示於螢幕(步驟6)。 如上所述,若根據上述第1實施形態的話,藉由電腦模 擬’ OR運算相當於根據光罩資料11及曝光用資料12使光罩 圖案1反轉所形成的圖案之曝光圖案13,重疊相當於藉由此 O:\90\90941.DOC -13 - 1290641 光罩圖案1之各自的第i光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5 及第4光罩片6所曝光的區域的圖案之第丨曝光區域^、第2 曝光區域16、第3曝光區域17及第4曝光區域18來作為全體 曝光圖案14,使其顯示於螢幕。且,取得相當於在根據光 罩圖案1之第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光 罩片6的玻璃基板7之全照相攝影的圖案的和之後,藉由 NOT運异使相當於形成在此玻璃基板7之圖案之全體曝光 圖案14反轉,將相當於在玻璃基板7一次也未被曝光區域之 遮光區域圖案顯示於螢幕。 此結果,能夠容易核對在根據光罩資料U及曝光用資料 12於玻璃基板7上形成圖案的情況時所產生之遮光區域圖 案。因此’不須根據這些光罩資料丨丨及曝光用資料12將玻 璃基板7實際曝光後進行檢查,能夠容易地發現這些光罩資 料11及曝光用資料12之設計錯誤。 因此,由於能夠以短時間執行在將形成於玻璃基板7之液 晶面板8分割曝光之際所使用的光罩圖案之檢圖,可容易設 計此光罩圖案1。因而,能夠提昇具備此玻璃基板7之液晶 顯示I置的生產性,並且容易提昇此液晶顯示裝置之良率。 再者,在上述第1實施形態,OR運算相當於在使光罩圖 案1反轉的情況時所形成的圖案之照相攝影曝光圖案13作 為全體曝光圖案14,藉由NOT運算使此全體曝光圖案14反 轉’來將相當於玻璃基板7上之遮光區域之圖案顯示於螢 幕,但因此NOT運算費時,所以能夠僅以OR運算相當於使 光罩圖案1反轉的情況時所形成的圖案之照相攝影曝光圖 O:\90\9094I.DOC -14- 1290641 案13,重疊相當於藉由此光罩圖案1之各自的第1光罩片3、 第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6所曝光的區域之第1 曝光區域15、第2曝光區域16、第3曝光區域17及第4曝光區 域18後將全體曝光圖案14顯示於螢幕,即能將在根據光罩 資料Π及曝光用資料12在玻璃基板7上形成基板圖案之 際,相當於此玻璃基板7上至少一次被曝光的圖案之全體曝 光圖案14顯示於螢幕。 此結果’因相當於此玻璃基板7上的至少一次被曝光的全 體曝光圖案14以外的區域之圖案形成相當於此玻璃基板7 上未被曝光的區域之圖案,所以由於容易確認此玻璃基板7 上未被曝光之區域,故能夠達到與上述第1實施形態相同的 作用效果。又,在每個層將根據玻璃基板7上的光罩圖案工 之分割線9作成相等,但亦可在每層改變這些分割線9。 其次,參照圖7至圖9說明本發明的第2實施形態。 在此圖7至圖9所示的圖案模擬方法,基本上與圖1至圖6 所不的圖案模擬方法相同,但能夠根據光罩資料丨丨及曝光 用資料12 ’ AND運算相當於當使相當於光罩圖案1的各自的 第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片ό之圖 木反轉呀形成於玻璃基板7上相鄰的區域的圖案之曝光圖 案13 ’來模擬相當於未受到這些第1光罩片3、第2光罩片4、 第3光罩片5及第4光罩片6所曝光之玻璃基板7之遮光區域 之圖案。 具體而言,由曝光用資料檔案將曝光用資料12讀入電腦 (步驟11) ’並且將光罩資料丨丨讀入電腦後(步驟12),根據這
O:\90\9094l.DOC -15- 1290641 些光罩資料u及曝光用資料12’纟製作相當於形成在玻璃 基板7上的基板圖案之圖案、與相當於曝光於此玻璃基板7 之區域之曝光圖案13(步驟13)。 在此,參照圖8至圖9說明根據此(步驟13)之處理。 首先如圖8所示,在藉由第丨光罩片3來將玻璃基板7上的 上側左側部曝光之際,藉由電腦模擬,來將光照射於此玻 璃基板7上的第1曝光區域15作為相當於使第丨光罩片3的遮 裝圖案反轉的圖案之曝光圖案13,將其顯示於螢幕。 然後,如圖9所示,在藉由第2光罩片4來將玻璃基板7上 的上側左側部曝光之際,將相當於光照射於此玻璃基板7上 的區域之第2曝光區域16作為相當於使第2光罩片4之遮光 圖案反轉的圖案之曝光圖案13,將其顯示於螢幕。 此時’相當於在第1光罩片3曝光後藉由第2光罩片4來加 以曝光的結果之圖案,係形成與AND運算第1曝光區域15 與第2曝光區域16之結果相同。這是由於即使被光照射一次 的話’玻璃基板7上的光阻劑消失,而在此玻璃基板7 一次 也未被光罩射的遮光區域殘留之故。 此結果,預先準備照相攝影次數的藉由各自第1光罩片 3、弟2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6所製作的照相攝 影曝光圖案13,藉由依次進行AND運算(步驟14),能夠模 擬顯示未受到這些第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5 及第4光罩片6所曝光之遮光區域(步驟15)。 因此,此圖7至圖9所示的圖案模擬方法,係因藉由根據 光罩資料11及曝光用資料12來AND運算相當於分別使第1 O:\90\90941.DOC -16- 1290641 光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6反轉的曝 光圖案13,來模擬顯示相當於未受到這些第丨光罩片3、第2 光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片<5所曝光之玻璃基板7之 遮光區域之圖案,所以能夠達到與圖1至圖ό所示的圖案模 擬方法相同的作用效果。 再者在上述弟2貫施形態,and運算相當於在分別使第 1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片ό反轉的 情況時所形成的玻璃基板7上相鄰區域之曝光圖案13之圖 案’模擬顯示相當於藉由這些第1光罩片3、第2光罩片4、 第3光罩片5及第4光罩片6形成於玻璃基板7之遮光區域之 圖案,但亦可如圖丨0及圖丨丨所示之第3實施形態,優先進行 對於玻璃基板7上不相鄰區域之攝影照相,將關於分別藉由 第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6所形 成的曝光圖案13之資料作為曝光用資料12 ,總括複數個攝 影照相來進行AND運算。 尸在曝光之際不會產生重疊之照相攝影係因不需要進 行AND運异,所以如圖1〇所示,在同時使玻璃基板7上的各 液晶面板8之根據第丨光罩片3的曝光部分曝光後,同時依次 使此破璃基板7上的各液晶面板8之根據第2光罩片4、第3光 罩片5及第4光罩片6的曝光部分曝光,依次同時執行相當於 藉由這些第1光罩片3所形成之圖案的第丨曝光區域15與相 當於藉由第2光罩片4所形成之圖案的第2曝光區域16之 AND運算;此第2曝光區域16與相當於藉由第3光罩片$所形 成之圖案的第3曝光區域17之AND運算;及此第3曝光區域
O:\90\90941.DOC -17- 1290641 7〃相田於藉由第4光罩片6所形成之圖案的第4曝光區域 18之AND運算。 此結果,因總括根據這些第1光罩片3、第2光罩片4、第3 光罩片5及第4光罩片6之照相攝影作為}發,以總和4發之 AND運异則足夠,所以即使為_般進行如此運算的驗證工 具套特別是現在主流之階層型驗證工具等大規模之圖案, 也可減少運算次數,因而能夠縮短運算時間。 且,在分別藉由這些第丨光罩片3、第2光罩片4、第3光罩 片5及第4光罩片6來將玻璃基板7上使水平方向及垂直方向 正父地刀割成十子後曝光之情況時,由於在相當於分別藉 由這些第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片 6所形成的圖案之第丨曝光區域15、第2曝光區域“、第3曝 光區域17及第4曝光區域18,位於對角者彼此在丨點接觸, 故當在此點上的多重曝光部分未存在有曝光圖案13的情況 曰^ 也可同日可地執行根據分別位於對角之第1光罩片3、第2 光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6之照相攝影。 此結果,由於能夠同時照相攝影第丨光罩片3及第4光罩片 6、與第2光罩片4及第3光罩片5,故僅以AND運算第1曝光 區域15及第4曝光區域18、與第2曝光區域16及第3曝光區域 17即可。特別係在作為液晶顯示裝置之陣列基板來使用玻 璃基板7之情況時,因能夠分成4種類以内的照相攝影,所 以不論此玻璃基板7上之分割線9呈何種形狀,亦能以4次以 内的照相攝影數來運算。 且,在上述實施形態,說明過關於分割形成4片液晶面板 O:\90\9094l.DOC -18 - 1290641 8的大型液晶用玻璃基板7,但在手機用等之小型液晶顯示 裝置用的玻璃基板7,在此玻璃基板7上的液晶面板8内不存 在有分割線9之情況時也能夠對應使用。 其-人,參圖12至圖19來說明本發明之第4實施形態。 此圖12至圖19所示的圖案模擬方法,基本上與圖1至圖6 的圖案模擬方法相同,但製作根據光罩資料丨丨及曝光用資 料12在玻璃基板7上形成基板圖案之際所預測之預測圖案 21,運算此預測圖案21、與相當於欲在玻璃基板7上形成 的曝光圖案之曝光圖案13,藉由電腦來模擬相當於此玻璃 基板7上所曝光的區域之全體曝光圖案14,使其顯示於螢 幕。 具體而言,在由曝光用資料檔案將曝光用資料12讀入至 電腦(步驟21),並且將光罩資料丨丨讀入模擬電腦後(步驟 22) ’製作相當於根據這些光罩資料丨丨及曝光用資料a在玻 璃基板7上形成基板圖案之際所預測之預測曝光圖案的如 圖13所示之預測圖案21 (步驟23)。 然後,藉由電腦,在根據這些光罩資料11及曝光用資料 12來於玻璃基板7上幵》成基板圖案之際,製作相當於藉由此 玻璃基板7上如圖14所示的第丨光罩片3及第2光罩片4所曝 光形成的圖案之如圖15所示的曝光圖案13(步驟24)。 接著AND NOT運异相當於在(步驟24)所製作的每個照 射攝影的圖案之曝光圖案13、與在(步驟23所製作之預測圖 案21,如圖16所示,製作顯示這些之差量的差量圖案22(步 驟 25)。
O:\90\90941.DOC -19- 1290641 此日守’圖案23係相當於存在這些差量圖案22之照相攝影 曝光圖案13而不存在於預測圖案21之圖案,圖案%係相當 於相當於存在這些差量圖案22之照相攝影曝光圖案13而不 存在於預測圖案21之圖案。在此,圖案23係相當於不存在 於預測圖案21的圖案,也是相當於一次也未被光照射而未 被曝光的區域之圖案。又,圖案24係存在於預測圖案21之 圖案,也是相當於至少一次以上被光照射而曝光領域之圖 因此,如圖17所示,AND運算差量圖案22之圖案23彼此, 來將一次也未被光照射之區域(步驟26),並且〇尺運算這些 差量圖案22之圖案24彼此,來模擬顯示至少被光照射一次 之區域(步驟27)。 然後,如圖18所示,分別在根據(步驟26)之AND運算的 結果及根據(步驟27)之OR運算的結果重疊顯示預測圖案 21(步驟 28)。 在此狀態下,如圖19所示,將根據(步驟26)之AND運算 之結果加至預測圖案21,並且將根據(步驟27)之〇R運算之 結果由預測圖案21刪除(減法),進行加工將這些and運算 及OR運异之結果重璧顯示於預測圖案21之資料(步驟29)。 此結果,模擬顯示:根據光罩資料U及曝光用資料12, 藉由第1光罩片3及第2光罩片4在玻璃基板7上形成基板圖 案之際的此玻璃基板7上之至少被光照射一次而曝光的全 體曝光圖案14(步驟30)。 因此,此圖12至圖19所示的圖案模擬方法,係因藉由作 O:\90\90941.DOC -20- 1290641 成在根據光罩資料11及曝光用資料12在玻璃基板7上形成 基板圖案之際所預測的預測圖案21,且運算此預測圖案 21、與相當於在第1光罩片3及第2光罩片4所曝光的圖案之 相攝影曝光圖案13 ’來模擬顯示藉由這些第1光罩片3及 第2光罩片4來曝光一次以上的玻璃基板7上之全體曝光圖 案Μ,所以能夠達到與圖丨至圖6所示之圖案模擬方法相同 的作用效果。 且,根據光罩資料11及曝光用資料12所預先製作的預測 圖案21,係實際上全體曝光圖案14越近似曝光於玻璃基板7 上的圖案’在隶終工序之And NOT運算、AND及OR運算的 運异處理量變得越少。因此,因將此預測圖案2丨製作越近 似相當於實際的圖案之全體曝光圖案14,則越能削減處理 的資料量,所以能夠更迅速且確實地發現光罩資料u及曝 光用資料12之設計錯誤,且能以更短時間執行光罩圖案1的 檢圖。此時,一般,大畫面的液晶顯示裝置係由於描繪面 板尺寸或基板尺寸的圖案,然後配合光罩圖案丨的大小,來 藉由光罩圖案1分割曝光的部分,故預測圖案21與相當於實 際的圖案之全體曝光圖案14近似,因而更可獲得理想的效 果。 再者,在上述第4實施形態,以2片第!光罩片3及第2光罩 片4來分割曝光玻璃基板7,但亦可如圖2〇至圖乃所示的第$ 實施形態,即使在藉由4片的第i光罩片3、第2光罩片4、第 3光罩片5及第4光罩片6來將玻璃基板分割成十字而加以曝 光的情況時,也能夠達到與上述第4實施形態相同的作用效
O:\90\9094I.DOC -21 - 1290641 果。 具體而言,如圖20所示,預先形成預測圖案2i,並且分 別由圖21所示的第1光罩片3'第2光軍片4、第3光罩片5及 弟4光罩片6,纟如圖22所示,製作相當於模擬用的基板尺 寸圖案之王體曝光圖案2〇。然後,如圖23所示,AND肋丁 運算此預測圖案與相當於藉由第i光罩片3 12光罩片4、 第3光罩片5及第4光罩片6所形成的圖案之曝光圖㈣,製 作差量圖案22。進-步,她運算這些差量圖案22之圖案 23彼此’並且0R運算這些差量圖案22之圖案μ彼此,製作 如圖24所示的圖案。接著,將這些AND運算之結果及⑽運 算之結果加至預測圖案21,又在此預測圖案21刪除〇r運算 之結果(減法)’如圖25所示,將藉由第丨光罩片3、第2光罩 片4、第3光罩片5及第4光罩片6在玻璃基板7上的至少被曝 光一次之全體曝光圖案14模擬顯示於螢幕。 又,在上述第5實施形態,分別由第丨光罩片3、第2光罩 片4、第3光罩片5及第4光罩片6製作相當於模擬用基板尺寸 的圖案之曝光圖案13,在相當於玻璃基板7上的所有區域之 區域將這些曝光圖案丨3與預測圖案2丨A N D N 〇 τ運算,但亦 可如圖26至圖30所示之第6實施形態,即使在僅將相當於藉 由第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及第4光罩片6所 照射光而加以曝光之玻璃基板7上的有效區域之區域對於 預測圖案21進行AND NOT運算,也能夠達到與上述第5實 施形態相同的作用效果。 具體而言,預先形成如圖26所示之預測圖案2丨,並且如 O:\90\90941.DOC -22- 1290641 圖27所不,分別第1光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片5及 第4光罩片6,製作相當於模擬用基板尺寸圖案之曝光圖案 13。然後,如圖28所示,僅AND NOT運算此預測圖案21、 與相當於分別藉由第i光罩片3、第2光罩片4、第3光罩片$ 及第4光罩片6所照射光之曝光圖案13中的有效區域之圖 案,來製作差量圖案22。然後,如圖29所示,and運算這 些差量圖案22的圖案23彼此,並且〇R運算這些差量圖案22 的圖案24彼此,將這些AND運算之結果及〇R運算之結果顯 不於預測圖案21。又,如圖30所示,在此預測圖案21加上 AND運异的結果,並且在此預測圖案2丨刪除〇R運算的結果 (減法)’來模擬顯示·以根據第1光罩片3、第2光罩片4、第 3光罩片5及第4光罩片6之照相攝影在玻璃基板7上至少被 曝光一次之全體曝光圖案14。 因此,因僅將分別藉由第i光罩片3、第2光罩片4、第3 光罩片5及第4光罩片6所照射光之有效區域的圖案之曝光 圖案13對於預測圖案21進行AND NOT運算來製作差量圖案 22,所以削減了成gANDN〇T運算的對象之區域,而削減 了將處理的資料量,因而能夠更高速地製作差量圖案U。 因此,由於可更迅速且確實地發現光罩資料u及曝光用資 料12的設計錯誤,故能夠以更短的時間執行光罩圖案1的檢 圖。 且,在上述第4至第6實施形態,將AND運算差量圖案22 的圖案23彼此之結果加至預測圖案21,並且將〇尺運算這此 差量圖案22之圖案24彼此由預測圖案21刪除(減法),加工將 O:\90\9094I.DOC -23 - 1290641 這些AND運算及〇R運算的結果重疊於預測圖案21之資 料’來模擬顯示相當於玻璃基板7上至少被曝光一次的圖案 之全體曝光圖案14,但亦可不加工預測圖案2丨,僅以分別 將AND運算差量圖案22之圖案23彼此之結果、與0R運算這 些差里圖案22之圖案24彼此之結果重疊顯示於預測圖案 2 1 ’能確認玻璃基板7之全體曝光圖案14。 具體而言,藉由將AND運算差量圖案22的圖案23彼此之
結果作為追加圖案直接重疊顯示於預測圖案2丨,並且將〇R 運异差里圖案22之圖案24彼此之結果,並非作為刪除(減法) 圖案來實際刪除(減法),而是進行在螢幕上無法看見之處 理,來將這些AND運算及OR運算之結果重疊顯示於預測圖 案21。 此結果,因能夠確認相當於玻璃基板7上至少被曝光一次 的圖案之全體曝光圖案14,所以能夠達到與上述第4至第6 實施形態相同之效果,並且變得不需要進行對於差量圖案 22之追加圖案及刪除(減法)圖案之資料上的加工,因而能夠 更问速地相當於玻璃基板7上的圖案之全體曝光圖案14,故 能夠容易進行這些資料之處理。 且,亦可將顯示相當於分別藉由第丨光罩片3、第2光罩片 4、第3光罩片5及第4光罩片6的照相攝影在玻璃基板7上曝 光的圖案之曝光圖案13的模擬結果與預測圖案21之差量圖 案22重疊顯示於預測圖案21,或將這些差量圖案22對於預 測圖案21加加以顯示。在此情況’雖需要進行玻璃基 板7之基板尺寸的運算,使得處理時間變長,但因能夠高速 O:\90\90941.DOC -24- 1290641 顯示,所以能夠達到與上述第4至第6實施形態相同之作用 效果。 【發明效果】 若根據本發明的話,由於在藉由光罩資料及曝光用資料 在基板上形成基板圖案之際,於OR運算或and運算相當於 在此基板上之每個照相攝影所曝光的複數個區域之圖案 後’根據這些OR運算或AND運算來模擬基板上至少被曝光 -入的區域之圖案,在藉由光罩資料及曝光用資料在基板 上形成基板圖案之際,可識別此基板上未被曝光之區域而 备易理解,故能夠容易發現這些光罩資料及曝光用資料之 設計錯誤。 又,由於製作在藉由光罩資料及曝光用資料在基板上形 成基板圖案之際所預測的預測圖案後,運算此預測圖案與 藉由光罩資料及曝光用資料在基板上形成基板圖案之際的 曝光圖案,模擬基板上被曝光的區域之圖案,或製作顯示 此運异之際的差量之差量圖案,使此差量圖案重疊於預測 圖案,或運算這些,利用模擬藉由光罩資料及曝光用資料 來形成在基板上之基板圖案,來當藉由光罩資料及曝光用 貝料在基板上形成基板圖案之際,識別此基板上未被曝光 =部分、或對於此基板上之曝光的重疊而容易核對,故可 谷易I現這些光罩資料及曝光用資料之設計錯誤。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明的圖案模擬方法之第1實施形態之流程 圖0
O:\90\90941.DOC -25- 1290641 圖2係顯示在同上圖案模擬方法的光罩片之說明圖。 圖3係顯示藉由同上圖案模擬方法來形成的基板圖案之 說明圖。 圖4係藉由同上圖案模擬方法來模擬了使基板的一部分 曝光狀態之說明圖。 圖5係藉由同上圖案模擬方法來模擬了使基板的一部分 進一步曝之狀態之說明圖。 圖6係藉由同上圖案模擬方法來模擬了使基板的一部分 曝光狀態之說明圖。 圖7係顯示本發明的圖案模擬方法之第2實施形態之流程 圖。 圖8係藉由同上圖案模擬方法來模擬了使基板的一部分 曝光狀態之說明圖。 圖9係藉由同上圖案模擬方法來模擬了使基板的一部分 進一步曝光狀態之說明圖。 圖10係藉由本發明的第3實施形態之圖案模擬方法來模 擬了使基板的一部分曝光狀態之說明圖。 圖11係藉由同上圖案模擬方法來模擬了使基板的一部分 進一步曝光狀態之說明圖。 圖12係顯不本發明的圖案模擬方法之第4實施形態之流 程圖。 圖13係顯示藉由同上圖案模擬方法來製作的預測圖案之 說明圖。 圖14係顯示在同上圖案模擬方法的光罩片之說明圖。 O:\90\9094l.DOC -26- 1290641 圖15係顯示以同上圖案模擬方法在每個照相攝影之曝光 圖案之說明圖。 圖1 6係顯示在同上圖案模擬方法之差量圖案之說明圖。 圖17係顯示AND運算及OR運算了同上差量圖案結果之 說明圖。 圖18係顯示將AND運算及〇R運算了同上差量圖案之結 果重疊於預測圖案之狀態之說明圖。 圖1 9係顯示將AND運算的結果加至同上預測圖案,而將 OR運异的結果删除(減法)之狀態之說明圖。 圖20係顯示藉由本發明的第5實施形態來製作的預測圖 案之說明圖。 圖21係顯示在同上圖案模擬方法的光罩片之說明圖。 圖22係顯示在同上圖案模擬方法的每個照相攝影之曝光 圖案之說明圖。 圖23係顯示在同上圖案模擬方法之差量圖案的說明圖。 圖24係顯示AND運算及〇R運算了同上差量圖案之結果 之說明圖。 圖^係顯示將AND運算的結果加至同上預測圖案,而將 OR運异的結果刪除(減法)之狀態之說明圖。 圖%係顯示藉由本發明的第6實施形態之圖案模擬方法 製作的預測圖案之說明圖。 圖27係顯示在同上圖案模擬方法的每個照相攝影之 圖案之說明圖。 圖28係顯示僅在同上圖幸 口杀犋擬方法的有效區域之差量圖
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Claims (1)
1· -種圖案模擬方法,其特徵為:其係模擬藉由顯示將欲 在基板上形成的全體圖案分割成複數個之每個分割區域 的光罩圖案之光罩資料與顯示將前述光罩圖案照射在前 述基板之何種位置之曝光用資料,在前述基板上曝光形 成的基板圖案者;且 在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成 前述基板圖案之際,OR運算相當於此基板上之各照射所 曝光之複數個區域之圖案; 根據此OR運算,來模擬前述基板上丨次以上所曝光區域 之圖案; 在藉由光罩資料及曝光用資料在基板上形成基板圖案 之際,NOT運算相當於在此基板上所曝光之區域之圖案; 根據此NOT運异,來模擬前述基板上未曝光之區域之 圖案。 2· 一種圖案模擬方法,其特徵為··其係模擬藉由顯示將欲 在基板上形成的全體圖案分割成複數個之每個分割區域 的光罩圖案之光罩資料與顯示將前述光罩圖案照射在前 述基板之何種位置之曝光用資料,在前述基板上曝光形 成的基板圖案者;且 在藉由如述光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成 前述基板圖案之際,AND運算相當於此基板上相鄰的區 域之各照射所曝光的複數個區域之圖案; 根據此AND運算,來模擬前述基板上複數次曝光區域 90941-950504.doc 1290641 之圖案。 3. 4. 如申請專利範圍第2項之圖案模擬方法,其中曝光用資料 具錢對於基板±不相㈣域之照射優先,而使根據光 罩資料之基板圖案曝光於前述基板上之資料。 —種圖案模擬方法’其特徵為:其係模擬藉由顯示將欲 在基板上形成的全體圖案分割成複數個之每個分割區域 的光罩圖案之光罩資料與顯示將前述光罩圖案照射在前 述基板之何種位置之曝光用資料,在前述基板上曝光形 成的基板圖案者,·且 製二在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上 形成前述基板圖案之際所預測的預測圖案; 次運算:預測圖案與相當於藉由前述光罩資料及曝光用 資料在前述基板上形成前述基板圖案之際的曝光圖案之 圖案,模擬此基板上所曝光區域之圖案; :運异預測圖案及相當於藉由前述光罩資料及曝光用資 料在别述基板上形成前述基板圖案之際的曝光圖案之圖 案’作成顯示其差量之差量圖案; 欠運算此差量圖案及相當於藉由錢光罩資料及曝光用 為料在知述基板上形成前述基板圖案之際的曝光调案之 圖案,並且運算前述預測圖案與前述差量圖案; 模擬藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上形 成之基板圖案。 5. 一種圖案模擬方法,其特徵為··其係模擬藉由顯示將欲 在基板上形成的全體圖案分割成複數個之每個分割區域 90941-950504.doc 1290641 的光罩圖案之光罩資料與顯示將前述光罩圖案照射在前 述基板之何種位置之曝光用資料’在前述基板上曝光形 成的基板圖案者;且 ,製:在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上 形成前述基板圖案之際所預測之預測圖案,· 運算此預測圖案與相當於藉由前述光罩資料及曝光用 資料在前述基板上形成前述基板圖案之際的曝光圖案之 圖案’製作顯示其差量之差量圖案; 將此差量圖案重疊於前述預測圖案,來模擬藉由前述 光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成之前述基板圖 6. -種圖案模擬方法’其特徵為:其係模擬藉由顯示將欲 在基板上形成的全體圖案分割成複數個之每個分割區域 的光罩圖案之光罩資料與顯示將前述光罩圖案照射在前 述基板之何種位置之以用資料,在前述基板上曝光形 成的基板圖案;且 製作在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上 形成如述基板圖案之際所預測之預測圖案; 製作顯示運算此預測圖案與相當於藉由前述光罩資料 及曝光用資料在前述基板上形成前述基板圖案之際的曝 光圖案之圖案的差異的差量之差量圖案; 運算此差量圖案與前述預測圖案’來模擬藉由前述光 罩ί料及曝光用資料所製作之前述基板圖案。 7· —種記錄有圖案模擬程式之記錄媒體,該程式之特徵 90941-950504.doc 1290641 為··其係模擬藉由顯示將欲在基板上形成的全體圖案分 割成複數個之每個分割區域的光罩圖案之光罩資料與顯 示將前述光罩圖案照射在前述基板之何種位置之曝光用 二貝料,在前述基板上曝光形成的基板圖案之可電腦讀取 之圖案模擬程式;且具備以下步驟: 在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成 前述基板圖案之際,〇R運算相當於此基板上的各照射所 曝光的複數個區域之圖案;及 根據如述OR運算,來模擬前述基板上之至少曝光一次 的區域之圖案。 8·如申請專利範圍第7項之記錄有圖案模擬程式之記錄媒 體’其中該程式還具備以下步驟: 藉由光罩資料及曝光用資料在基板上形成基板圖案之 IV、,NOT運异相當於此基板上所曝光區域之圖案;及 根據前述NOT運算,來模擬前述基板上未曝光區域之 圖案。 9· 一種纪錄有圖案模擬程式之記錄媒體,該程式之特徵 為:其係模擬藉由顯示將欲在基板上形成的全體圖案分 割成複數個之每個分割區域的光罩圖案之光罩資料與顯 示將如述光罩圖案照射在前述基板之何種位置之曝光用 資料在如述基板上曝光形成的基板圖案之可電腦讀取 之圖案模擬程式;且具備以下步驟: 在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成 前述基板圖案之際,AND運算相#於此基板上相鄰區域 90941-950504.doc 1290641 - 之各照射所曝光的複數個區域的圖案;及 根據前述AND運算,來模擬前述基板上複數次曝光區 域之圖案。 10·如申請專利範圍第9項之記錄有圖案模擬程式之記錄媒 體’其中曝光用資料具有使對於基板上不相鄰區域之照 射k先而使根據光罩資料之基板圖案曝光於前述基板 上之資料。 11· 一種記錄有圖案模擬程式之記錄媒體,該程式之特徵 為··其係模擬藉由顯示將欲在基板上形成的全體圖案分 割成複數個之每個分割區域的光罩圖案之光罩資料與顯 示將則述光罩圖案照射在前述基板之何種位置之曝光用 為料在如述基板上曝光形成的基板圖案之可電腦讀取 之圖案模擬程式;且具備以下步驟·· 製作在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上 形成前述基板圖案之際所預測之預測圖案; 運算前述預測圖案與相當於藉由前述光罩資料及曝光 用貝料在前述基板上形成前述基板圖案之際的曝光圖案 的圖案;及 根據別述運异,模擬前述基板上所曝光的區域的圖案。 12·如申請專利範圍第叫之記錄有圖案模擬程式之記錄媒 體’其中該程式還具備以下步驟·· 製作顯不運算預測圖案與藉由光罩資料及曝光用資料 在基板上形成基板圖案之際的曝光圖案之際的差量之差 量圖案; 90941-950504.doc 1290641 運算此差量圖案與相當於藉 ^ ^ ^ , 罩身料及曝光用 、埒在則述基板上形成前述基 圖案; 土攸口系之際的曝光圖案之 運异鈿述預測圖案與差量圖案;及 13· 一種§己錄有圖案模擬程式之記錄媒體,該程式之特徵 為:其係模擬藉由顯示將欲在基板上形成的全體圖案^ 割成複數個之每個分割區域的光罩圖案之光罩資料與顯 :將別述光罩圖案照射在前述基板之何種位置之曝光用 貝料纟刖述基板上曝光形成的基板圖案之可電腦讀取 之圖案模擬程式;且具備以下步驟: 製作在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上 形成前述基板圖案之際所預測的預測圖案; 2、异刖述預測圖案與相當於藉由前述光罩資料及曝光 用貝料在則述基板上形成前述基板圖案之際的曝光圖案 之圖案; ^ 根據别述運算,製作相當於前述預測圖案與藉由前述 光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成前述基板圖案 之際的曝光圖案之差量的差量圖案;及 將則述差量圖案重疊於前述預測圖案,來模擬相當於 精由刚述光罩資料及曝光用資料在前述基板上形成之前 述基板圖案的圖案。 M. -種記錄有圖案模擬程式之記錄媒體,該程式之特徵 90941-950504.doc 1290641 為··其係模擬藉由顯示將欲在基板上形成的全體圖案分 割成複數個之每個分割區域的光罩圖案之光罩資料與顯 示將前述光罩圖案照射在前述基板之何種位置之曝光用 資料’在前述基板上曝光的基板圖案之可電腦讀取之圖 案模擬程式;且具備以下步驟: 製作在藉由前述光罩資料及曝光用資料在前述基板上 形成前述基板圖案之際所預測的預測圖案; 運算此預測圖案與相當於藉由前述光罩資料及曝光用 資料在前述基板上形成前述基板圖案之際的曝光圖案之 圖案; 根據此運异,製作相當於前述預測圖案與藉由前述光 罩資料及曝光用資料在前述基板上形成前述基板圖案之 際的曝光圖案之差量的差量圖案; 運异此差量圖案與前述預測圖案;及 根據此運算,·來模擬藉由前述弁 , 二 . 引礁先罩資料及曝光用資料 而形成在前述基板上之前述基板圖案。 90941-950504.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003032602 | 2003-02-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200422692A TW200422692A (en) | 2004-11-01 |
TWI290641B true TWI290641B (en) | 2007-12-01 |
Family
ID=32820935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093102409A TWI290641B (en) | 2003-02-10 | 2004-02-03 | Method of simulating patterns, the computer program for the same, medium storing the program, and device thereof |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7073163B2 (zh) |
KR (1) | KR100607014B1 (zh) |
CN (1) | CN1316316C (zh) |
TW (1) | TWI290641B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7191113B2 (en) * | 2002-12-17 | 2007-03-13 | International Business Machines Corporation | Method and system for short-circuit current modeling in CMOS integrated circuits |
US7269804B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-09-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for integrated circuit device design and manufacture using optical rule checking to screen resolution enhancement techniques |
KR100817065B1 (ko) | 2006-10-02 | 2008-03-27 | 삼성전자주식회사 | 미세패턴의 설계방법 및 그 장치 |
KR100818999B1 (ko) * | 2006-10-09 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 마스크 제작 방법 |
NL2007477A (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-24 | Asml Netherlands Bv | Method of optimizing a lithographic process, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and simulation apparatus. |
US9547743B2 (en) * | 2015-02-25 | 2017-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for a semiconductor device, pattern generating method and nontransitory computer readable medium storing a pattern generating program |
US10176284B2 (en) * | 2016-09-30 | 2019-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor circuit design and manufacture method |
CN107807497B (zh) * | 2017-11-27 | 2020-11-17 | 北京华大九天软件有限公司 | 一种面板版图设计中的曝光模拟方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5495417A (en) * | 1990-08-14 | 1996-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System for automatically producing different semiconductor products in different quantities through a plurality of processes along a production line |
US6453452B1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description |
US6578188B1 (en) * | 1997-09-17 | 2003-06-10 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system |
JP2000232057A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Hitachi Ltd | レジストパターンのシミュレーション方法およびパターン形成方法 |
JP4057733B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2008-03-05 | 株式会社東芝 | 転写パターンのシミュレーション方法 |
JP2002244273A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 濃度分布マスクとその製造方法 |
JP4748343B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2011-08-17 | 大日本印刷株式会社 | ウエーハ転写検証方法 |
JP2002367890A (ja) | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Toshiba Corp | パターンレイアウト方法、その装置およびパターンレイアウトプログラムを記憶した媒体 |
JP2003022952A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 描画データ作成システム、描画データ作成方法、描画データ作成プログラム、レチクルの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US6966047B1 (en) * | 2002-04-09 | 2005-11-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Capturing designer intent in reticle inspection |
US6775818B2 (en) * | 2002-08-20 | 2004-08-10 | Lsi Logic Corporation | Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction |
-
2004
- 2004-02-02 US US10/768,102 patent/US7073163B2/en active Active
- 2004-02-03 TW TW093102409A patent/TWI290641B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-09 KR KR1020040008234A patent/KR100607014B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-02-10 CN CNB2004100053062A patent/CN1316316C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040073312A (ko) | 2004-08-19 |
KR100607014B1 (ko) | 2006-08-01 |
TW200422692A (en) | 2004-11-01 |
CN1316316C (zh) | 2007-05-16 |
CN1521566A (zh) | 2004-08-18 |
US20040158809A1 (en) | 2004-08-12 |
US7073163B2 (en) | 2006-07-04 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |