JP2004265386A - パターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記憶した媒体、およびその装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レチクルデータおよび露光用データの設計ミスを容易に発見できるパターンシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】レチクルデータ11は、ガラス基板上に形成する全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンである。露光用データ12は、レチクルパターンをガラス基板のどの位置にショットするかを示す。レチクルデータ11および露光用データ12によりガラス基板上に基板パターンを形成した際に、ガラス基板上の各ショット毎の露光領域をＯＲ演算する。ＯＲ演算に基づいてガラス基板上の露光パターンをシミュレーションする。レチクルデータ11および露光用データ12によりガラス基板上に基板パターンを形成した際におけるガラス基板上の露光されない遮光領域を容易に理解できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板上に露光される露光パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記録した媒体、およびその装置に関する。

一般に、液晶表示装置は、走査線や信号線などの配線、画素電極などの電極、あるいは薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:ＴＦＴ)などのスイッチ素子を有している。そして、これら配線、電極およびスイッチ素子のそれぞれは、基板上に導電体あるいは誘電体などの薄膜を成膜工程において成膜し、この成膜した薄膜上にフォトレジストを塗布工程において塗布し、この塗布したフォトレジストを所定のパターンを有するレチクルを介して露光工程において露光し、この露光したフォトレジストを現像工程において現像し、このフォトレジストが除去されて露出した薄膜をエッチング工程において除去するなどを繰り返すことによって形成される。

また、近年、液晶表示装置の大画面化に伴い、ガラス基板に露光されるＴＦＴアレイパターンを含む液晶表示パネルの大きさが露光機のマスクサイズより大きくなっているため、基板を複数の領域に分割して各領域のフォトレジストを順次対応するマスクを介して露光する分割露光処理方法が用いられている。そして、この分割露光処理方法では、露光される領域間に多重露光領域と呼ばれる３〜１０μｍの幅をもつ分割線上の領域がある。この分割線上の領域は、複数回露光される。

そして、分割露光処理に使用されるフォトマスクとしてのレチクルは、一般にコンピュータ設計(Computer Aided Design:ＣＡＤ)システムを用いて設計される。そして、この分割露光処理方法におけるレチクルパターンの設計手順としては、液晶表示装置の液晶表示パネルの大きさのパターンを、設計基準を満たすように設計した後、このパターンをレチクルの大きさ、およびこのレチクルの枚数に合うように分割する。このとき、このパターンを分割する分割線は、特性上影響のない場所に沿って形成する。

さらに、この液晶表示パネルの分割露光設計データは、ＣＡＤシステムサーバの記憶媒体に保存される。そして、これらの設計データに基づいて、液晶表示パネルおよび分割線の設計パターンに対応したレクチルパターンを形成し、遮光帯と称される遮光領域を覆う遮光帯パターンを追加することによってフォトマスクが完成する。

そして、このフォトマスク(レチクル)データと露光用データと呼ばれる座標データを使って、基板上に複数の液晶表示パターンが露光される。露光用データは、レチクル上の露光領域の範囲および基準となる中心点を示すデータ、および露光される基板上の座標のデータなどを含んでおり、レチクル上の指定した範囲を基板上の指定した領域に露光する(例えば、特許文献１参照。)。
特開２００２−３６７８９０号公報（第２−４頁、図１−１０）

しかしながら、上述した分割露光方式による露光処理では、露光用データの入力を間違えた場合に、この間違えた露光用データによるエラー処理によって、その間違えを発見できる場合もあるが、基板上に基板パターンが露光されて形成された後のパターン検査によって発見される場合もある。

また、レチクルを分割する作業の際に間違えて、基板上の隣接する露光領域の境界線が一致しない場合には、この基板上に形成された基板パターンに断線やショートする部分が生じて、この基板パターンが不良となってしまう。特に、基板上の分割線を見えにくくするために、この分割線をジグザグ状にして、この分割線に緩衝領域を設ける場合には、基板上に形成された基板パターンの不良を発見することが容易ではないという問題を有している。

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、レチクルデータおよび露光用データの設計ミスを容易に発見できるパターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記録した媒体、およびその装置を提供することを目的とする。

本発明は、基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に、この基板上の各ショット毎に露光される複数の領域に相当するパターンをＯＲ演算あるいはＡＮＤ演算し、これらＯＲ演算あるいはＡＮＤ演算に基づいて、前記基板上の一回以上露光される領域のパターンをシミュレーションするものである。

この結果、レチクルデータおよび露光用データによって基板上に基板パターンを形成した際に、この基板上の露光されない領域を識別する。

また、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成し、この予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンを演算して、この基板上の露光される領域のパターンをシミュレーションしたり、この演算した際の差分を示す差分分パターンを作成し、この差分パターンを前記予想パターンに重ね、またはこれらを演算して、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に形成される前記基板パターンをシミュレーションする。

この結果、レチクルデータおよび露光用データによって基板上に基板パターンを形成した際に、この基板上の露光されない部分や、この基板上への露光の重なりに相当するパターンを識別する。

本発明によれば、レチクルデータおよび露光用データにより基板上に基板パターンを形成した際にこの基板上の各ショット毎に露光される複数の領域に相当するパターンをＯＲ演算あるいはＡＮＤ演算した後、これらＯＲ演算あるいはＡＮＤ演算に基づいて基板上の少なくとも一回は露光される領域のパターンをシミュレーションすることにより、レチクルデータおよび露光用データによって基板上に基板パターンを形成した際に、この基板上の露光されない領域を識別して容易に理解できるから、これらレチクルデータおよび露光用データの設計ミスを容易に発見できる。

また、レチクルデータおよび露光用データにより基板上に基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成した後、この予想パターンとレチクルデータおよび露光用データにより基板上に基板パターンを形成した際の露光パターンとを演算して、基板上の露光される領域のパターンをシミュレーションしたり、あるいは、この演算した際の差分を示す差分パターンを作成し、この差分パターンを予想パターンに重ね、またはこれらを演算して、レチクルデータおよび露光用データにより基板上に形成される基板パターンをシミュレーションすることにより、レチクルデータおよび露光用データによって基板上に基板パターンを形成した際に、この基板上の露光されない部分や、この基板上への露光の重なりを識別して容易にチェックできるから、これらレチクルデータおよび露光用データの設計ミスを容易に発見できる。

以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図６を参照して説明する。

図１ないし図６において、レチクルパターン１は、例えば４枚の第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６を備えている。そして、このレチクルパターン１は、ガラス基板７上に形成された液晶パネル８を分割露光して現像あるいはエッチングするためのフォトマスクである。

ここで、ガラス基板７は、例えば４００ｍｍ×５００ｍｍの矩形平板状に形成されており、このガラス基板７上の液晶パネル８は、対角１０．４型解像度ＸＧＡ(１０２４×７６８個画素)であり、例えば４枚ほど、このガラス基板７上に形成されている。これらの液晶パネル８の領域は、導電体層および誘電体層の少なくとも一層により構成されている。このため、一枚のガラス基板７の露光回数は１６ショットとなる。

第１のレチクル３は、図２に示すように、液晶パネル８の上側左側部を露光するパターンを有している。また、第２のレチクル４は、液晶パネル８の上側右側部を露光するパターンを有している。さらに、第３のレチクル５は、液晶パネル８の下側左側部を露光するパターンを有している。さらに、第４のレチクル６は、液晶パネル８の下側右側部を露光するパターンを有している。

そして、これら第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６に関する電子的なデータは、レチクルデータ11とされている。このレチクルデータ11は、ガラス基板７上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した領域のレチクルパターンからなるＣＡＤデータである。

さらに、これらレチクルパターンをガラス基板７上のどの位置にショットするかを示す露光用データ12は、格子状に分割された第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６の露光領域を示すデータと、これら第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６によりガラス基板７上のどこを露光するかを示すデータとを備えている。そして、この露光用データ12は、露光毎に入力するか同じ露光の繰り返しであれば座標の移動量のみ入力する。なお、この露光用データ12は、マトリクス入力データとして単一ショット毎に分解されて入力される数値データである。

また、露光用データ12には、レチクルパターン１の分割線となる全レイヤ毎に等しい分割ライン９に関するデータも備えている。さらに、露光用データ12は、図示しないサーバーの露光用データファイルに保存されており、図示しない露光機によってガラス基板７上の所定位置のレチクルパターンが露光される。

これら露光用データ12およびレチクルデータ11は、パターンシミュレーション用コンピュータに読み取り可能に構成されている。このコンピュータには、露光用データ12およびレチクルデータ11に基づいて、ガラス基板７上に露光機によって露光されて形成される基板パターン(全体露光パターン)14をシミュレーションするパターンシミュレーションプログラムが備えられている。

次に、上記コンピュータによってシミュレーションするパターンレイアウトの作成方法について説明する。

まず、必要な仕様として、モジュール外形、液晶セルとして構成されるセルサイズ、液晶セルの画面サイズ、画面周辺の額縁状部分のサイズ、ＯＬＢ実装サイズ、Ｘ方向およびＹ方向に配置されるＩＣの出力数とそのサイズなどの製品仕様や、製造ラインとそのラインに固有の制約条件などを決定する。

次いで、このガラス基板７上に形成しようとする概略のＴＦＴアレイ基板の全体パターンを想定し、この概略のＴＦＴアレイ基板の全体パターンと露光機の性能とを基に、同じレチクルで繰返しショットができるように考慮してレチクルパターン１の分割ライン９を決定する。

この後、この設定された分割ライン９を基に各レチクルパターンを、それぞれをＣＡＤによって詳細に作成するとともに、不要な領域を露光しないように、レチクルパターン以外の領域を遮光帯パターンで覆う。

さらに、完成した各レチクルパターンをショット順に並べ、実際のパターンによって、詳細なＴＦＴアレイ基板上の全体パターンをＣＡＤで構成する。このようにして作成した詳細なアレイ基板上の全体パターンを用いて、レチクルパターン１に関するレチクルデータ11およこのレチクルパターン１の第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６の関係を示す露光用データ12を認識し、所定通り各レチクルパターンが構成されているかを判断した後、レチクルデータ11と露光用データ12をサーバーのレチクルデータ用ファイルおよび露光用データファイルにそれぞれ保存する。

次に、このコンピュータによるパターンシミュレーション方法について説明する。

まず、露光用データファイルから露光用データ12をコンピュータに読み込む(ステップ１)。

また、他のサーバーの記憶領域に保存されたレチクルデータ11をコンピュータに読み込む(ステップ２)。

次いで、これら露光用データ12およびレチクルデータ11に基づいてパターンシミュレーションプログラムを起動させて、これらの露光用データ12およびレチクルデータ11によりガラス基板７上に基板パターンを形成した際に、このガラス基板７上の各ショット毎に露光される領域に相当する露光パターン13を作成する(ステップ３)。

ここで、このステップ３とその次のステップ４による処理を図４ないし図６を参照して説明する。

シミュレーションコンピュータによって、まず、図４に示すように、第１のレチクル３によりガラス基板７上の上側左側部を露光する際に、このガラス基板７上で光が照射される領域に相当する第１の露光領域15をシミュレーションしモニタに表示させる。

コンピュータによって、さらに、図５に示すように、この第１の露光領域15を表示させた上に、第２のレチクル４によりガラス基板７の上側正面視左側部を露光する際に、このガラス基板７上に光が照射される領域に相当する第２の露光領域16をモニタに表示させる。

このとき、これら第１の露光領域15および第２の露光領域16の形状は、第１のレチクル３および第２のレチクル４のそれぞれの遮光パターンを反転させたパターンをガラス基板７上に描画したもと相似である。

実際のフォトリソグラフィプロセスにおいては、これら第１の露光領域15と第２の露光領域16とが重なっている部分は、第１のレチクル３および第２のレチクル４による露光によって、少なくとも一回はフォトレジストに光が照射された領域であれば、その領域は現像することによって消失する。

したがって、これら第１のレチクル３および第２のレチクル４を反転させた際に形成されるパターンに相当する露光パターン13をＯＲ演算して、これら第１のレチクル３および第２のレチクル４のいずれか一回以上のショットにより光が照射されて露光されるパターンに相当する全体露光パターン14をコンピュータによってシミュレーションしてモニタに表示させる(ステップ４)。

このＯＲ演算は、実際に計算をする必要はなく、第１のレチクル３を反転させたパターンに相当する露光パターン13の上に、第２のレチクル４を反転させたパターンに相当する露光パターン13をコンピュータでシュミレーションすることによって重ねてモニタに表示させるだけでよい。

同様に、これらのパターンに相当する第１の露光領域15および第２の露光領域16を表示させた上に、第３のレチクル５によりガラス基板７の上側左側部を露光する際にこのガラス基板７上に光が照射される領域に相当する第３の露光領域17をコンピュータでシュミレーションすることによってモニタに表示させる。

さらに、これらのパターンに相当する第１の露光領域15、第２の露光領域16および第３の露光領域17を表示させた上に、第４のレチクル６によりガラス基板７の上側左側部を露光する際に、このガラス基板７上に光が照射される領域に相当する第４の露光領域18をコンピュータでシュミレーションすることによってモニタに表示させる。

このとき、第３のレチクル５および第４のレチクル６を反転させパターンに相当する露光パターン13をＯＲ演算して、第１の露光領域15および第２の露光領域16の上に、第３の露光領域17および第４の露光領域18をコンピュータでシュミレーションすることによって重ねてモニタに表示させる。

この後、ステップ３およびステップ４を繰り返して、図６に示すように、レチクルパターン１を通してガラス基板７を露光した状態に相当する全液晶パネル８をコンピュータでシュミレーションすることによってモニタに表示させる。

次いで、このガラス基板７への全ショットの和をとった後、このガラス基板７に形成されるパターンに相当する全体露光パターン14をＮＯＴ演算して、そのパターンを反転させる(ステップ５)。

さらに、このＮＯＴ演算により反転させたガラス基板７で一回も露光されない領域、すなわち現像あるいはエッチングによって残る領域に相当する遮光領域パターンをモニタに表示させる(ステップ６)。

上述したように、上記第１の実施の形態によれば、コンピュータシュミレーションによって、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいてレチクルパターン１を反転させて形成されるパターンに相当する露光パターン13をＯＲ演算して、このレチクルパターン１の第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれにより露光される領域に相当するパターン第１の露光領域15、第２の露光領域16、第３の露光領域17および第４の露光領域18のそれぞれを重ねて全体露光パターン14としてモニタに表示させる。さらに、レチクルパターン１の第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６それぞれによるガラス基板７での全ショットに相当するパターンの和をとった後、このガラス基板７に形成されるパターンに相当する全体露光パターン14をＮＯＴ演算することによって反転させて、ガラス基板７上で一回も露光されない領域に相当する遮光領域パターンをモニタに表示させる。

この結果、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいてガラス基板７上に基板パターンを形成した場合に生じる遮光領域パターンを容易にチェックできる。したがって、これらレチクルデータ11および露光用データ12に基づいてガラス基板７を実際に露光した後に検査することなく、これらレチクルデータ11および露光用データ12の設計ミスを容易に発見できる。

このため、ガラス基板７に形成する液晶パネル８を分割露光する際に用いるレチクルパターン１の検図を容易に短時間で実行できるから、このレチクルパターン１を容易に設計できる。よって、このガラス基板７を備えた液晶表示装置の生産性を向上できるとともに、この液晶表示装置の歩留まりの向上を容易にできる。

なお、上記第１の実施の形態では、レチクルパターン１を反転させた場合に形成されるパターンに相当する各ショット露光パターン13をＯＲ演算して全体露光パターン14とし、この全体露光パターン14をＮＯＴ演算することによって反転させて、ガラス基板７上の遮光領域に相当するパターンをモニタに表示させたが、このＮＯＴ演算に時間が掛かるので、レチクルパターン１を反転させた場合に形成されるパターンに相当する各ショット露光パターン13をＯＲ演算して、このレチクルパターン１の第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれにより露光される領域に相当する第１の露光領域15、第２の露光領域16、第３の露光領域17および第４の露光領域18を重ねて全体露光パターン14をモニタに表示させるだけで、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいてガラス基板７上に基板パターンを形成した際に、このガラス基板７上の少なくとも一回は露光されるパターンに相当する全体露光パターン14をモニタに表示できる。

この結果、このガラス基板７上の少なくとも一回は露光された全体露光パターン14以外の領域に相当するパターンが、このガラス基板７上の露光されない領域に相当するパターンとなるので、このガラス基板７上の露光されない領域の確認が容易にできるから、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。また、ガラス基板７上のレチクルパターン１による分割ライン９を全レイヤ毎に等しくしたが、これら各分割ライン９をレイヤ毎に変えることもできる。

次に、本発明の第２の実施の形態を図７ないし図９を参照して説明する。

この図７ないし図９に示すパターンシミュレーション方法は、基本的には図１ないし図６に示すパターンシミュレーション方法と同様であるが、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいて、レチクルパターン１の第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれに相当するパターンを反転させた場合にガラス基板７上の隣り合う領域に形成されるパターンに相当する露光パターン13をＡＮＤ演算して、これらの第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれにより露光されないガラス基板７上の遮光領域に相当するパターンにシミュレーションできる。

具体的には、露光用データファイルから露光用データ12をコンピュータに読み込むとともに(ステップ11)、レチクルデータ11をコンピュータに読み込んだ後(ステップ12)、これらレチクルデータ11および露光用データ12に基づいて、ガラス基板７上に形成される基板パターンに相当するパターンと、このガラス基板７に露光される領域に相当する露光パターン13を作成する(ステップ13)。

ここで、このステップ13による処理を図８ないし図９を参照して説明する。

コンピュータシミュレーションによって、まず、図８に示すように、第１のレチクル３によりガラス基板７上の上側左側部を露光する際に、このガラス基板７上に光が照射される第１の露光領域15を、第１のレチクル３の遮光パターンを反転させたパターンに相当する露光パターン13としてモニタに表示させる。

この後、図９に示すように、第２のレチクル４によりガラス基板７上の上側左側部を露光する際に、このガラス基板７上に光が照射される領域に相当する第２の露光領域16を、第２のレチクル４の遮光パターンを反転させたパターンに相当する露光パターン13としてモニタに表示させる。

このとき、第１のレチクル３にて露光した後に第２のレチクル４によって露光した結果に相当するパターンは、第１の露光領域15と第２の露光領域16をＡＮＤ演算した結果と同じになる。これは、光が一度でも照射されればガラス基板７上のフォトレジストが消失するためであり、このガラス基板７で光が一度も照射されない遮光領域が残るからである。

この結果、各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれによって作成される各ショット露光パターン13をショット数分用意しておき、順次ＡＮＤ演算することによって(ステップ14)、これら各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６それぞれによっては露光されない遮光領域をシミュレーションして表示できる(ステップ15)。

したがって、この図７ないし図９に示すパターンシミュレーション方法は、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいて、第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれを反転させたパターンに相当する露光パターン13をＡＮＤ演算することにより、これら各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６により露光されないガラス基板７上の遮光領域に相当するパターンをシミュレーション表示できるので、図１ないし図６に示すパターンシミュレーション方法と同様の作用効果を奏することができる。

なお、上記第２の実施の形態では、第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれを反転させた場合に形成されるガラス基板７上の隣り合う領域のパターンに相当する露光パターン13をＡＮＤ演算して、これら各１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６によって形成されるガラス基板７上の遮光領域に相当するパターンをシミュレーション表示したが、図１０および図１１に示す第３の実施の形態のように、ガラス基板７上の隣り合わない領域へのショットを優先させて、第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれによって形成される露光パターン13に関するデータを露光用データ12として、複数のショットをまとめてＡＮＤ演算することもできる。

すなわち、露光の際に重なりが生じないショットは、ＡＮＤ演算する必要がないので、図１０に示すように、ガラス基板７上の各液晶パネル８における第１のレチクル３による露光部分を同時に露光させた後、このガラス基板７上の各液晶パネル８における第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６による露光部分を同時に順次露光させたとして、これら第１のレチクル３によって形成されるパターンに相当する第１の露光領域15と第２のレチクル４によって形成されるパターンに相当する第２の露光領域16のＡＮＤ演算、この第２の露光領域16と第３のレチクル５によって形成されるパターンに相当する第３の露光領域17のＡＮＤ演算、およびこの第３の露光領域17と第４のレチクル６によって形成されるパターンに相当する第４の露光領域18のＡＮＤ演算を順次同時に実行する。

この結果、これら各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれによるショットをまとめて１ショットとして合計４ショットのＡＮＤ演算で足りるので、一般にこのような演算をする検証ツール、特に現在主流である階層型検証ツールなどの大規模なパターンであっても、演算回数を減らすことができるから、演算時間を短縮できる。

さらに、これら各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれによりガラス基板７上を水平方向および垂直方向に直交するように十字に分割して露光する場合には、これら各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれによって形成されるパターンに相当する第１の露光領域15、第２の露光領域16、第３の露光領域17および第４の露光領域18のそれぞれにおいて対角に位置するもの同士が１点で接しているため、この点上の多重露光部分に露光パターン13が存在しない場合には、対角に位置する第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれによるショットも同時に実行できる。

この結果、第１のレチクル３および第４のレチクル６と、第２のレチクル４および第３のレチクル５とを同じショットにできるから、第１の露光領域15および第４の露光領域18と、第２の露光領域16および第３の露光領域1７とをＡＮＤ演算するだけで済む。特に、液晶表示装置のアレイ基板として用いられるガラス基板７の場合には、４種類以内のショットに分けることができるので、このガラス基板７上の分割ライン９がどのような形状であっても４回以内のショット数で演算できる。

さらに、上記各実施の形態では、分割して４枚の液晶パネル８を形成させる大型の液晶用のガラス基板７について説明したが、携帯電話用などの小型の液晶表示装置用のガラス基板７であって、このガラス基板７上の液晶パネル８内に分割ライン９が存在しない場合でも対応させて用いることができる。

次に、本発明の第４の実施の形態を図１２ないし図１９を参照して説明する。

この図１２ないし図１９に示すパターンシミュレーション方法は、基本的には図１ないし図６に示すパターンシミュレーション方法と同様であるが、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいてガラス基板７上に基板パターンを形成した際に予想される予想パターン21を作成し、この予想パターン21と、ガラス基板７上に形成しようとする露光パターンに相当する露光パターン13を演算して、このガラス基板７上の露光される領域に相当する全体露光パターン14をコンピュータによってシミュレーションしてモニタに表示させる。

具体的には、露光用データファイルから露光用データ12をコンピュータに読み込むとともに(ステップ21)、レチクルデータ11をシミュレーションコンピュータに読み込んだ後(ステップ22)、これらレチクルデータ11および露光用データ12に基づいてガラス基板７上に基板パターンを形成した際に予想される予想露光パターンに相当する図１３に示す予想パターン21を作成する(ステップ23)。

この後、コンピュータによって、これらレチクルデータ11および露光用データ12に基づいて、ガラス基板７上に基板パターンを形成した際に、このガラス基板７上の図１４に示す第１のレチクル３および第２のレチクル４によって露光されて形成されパターンに相当する図１５に示す露光パターン13を作成する(ステップ24)。

次いで、ステップ24にて作成した各ショット毎のパターンに相当する露光パターン13と、ステップ23にて作成した予想パターン21とを演算としてのＡＮＤＮＯＴ演算して、図１６に示すように、これらの差分を示す差分パターン22を作成する(ステップ25)。

このとき、パターン23は、これら差分パターン22における各ショット露光パターン13に存在し予想パターン21には存在しないパターンに相当し、パターン24は、これら差分パターン22における各ショット露光パターン13に存在し予想パターン21に存在しないパターンに相当する。ここで、パターン23は、予想パターン21に存在しないパターンに相当するが、光が一度も照射されずに露光されない領域に相当するパターンである。また、パターン24は、予想パターン21に存在するパターンであるが、光が少なくとも一度以上照射されて露光される領域に相当するパターンである。

このため、図１７に示すように、各差分パターン22におけるパターン23同士をＡＮＤ演算して、光が一度も照射されない領域をシミュレーション表示させるとともに(ステップ26)、これら各差分パターン22におけるパターン24同士をＯＲ演算して、光が少なくとも一度は照射される領域をシミュレーション表示させる(ステップ27)。

この後、図１８に示すように、ステップ26によるＡＮＤ演算の結果およびステップ27によるＯＲ演算の結果のそれぞれに予想パターン21を重ねて表示させる(ステップ28)。

この状態で、図１９に示すように、ステップ26によるＡＮＤ演算の結果を予想パターン21に加えるとともに、ステップ27によるＯＲ演算の結果を予想パターン21から削除(引き算)して、これらＡＮＤ演算およびＯＲ演算の結果を予想パターン21に重ねて表示させたデータを加工する(ステップ29)。

この結果、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいて第１のレチクル３および第２のレチクル４によってガラス基板７上に基板パターンを形成した際における、このガラス基板７上の少なくとも一度は光が照射されて露光される全体露光パターン14がシミュレーション表示される(ステップ30)。

したがって、この図１２ないし図１９に示すパターンシミュレーション方法は、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいてガラス基板７上に基板パターンを形成した際に予想される予想パターン21を作成し、この予想パターン21と第１のレチクル３および第２のレチクル４にて露光されるパターンに相当する各ショット露光パターン13を演算することにより、これら第１のレチクル３および第２のレチクル４のそれぞれにより一度以上露光されるガラス基板７上の全体露光パターン14がシミュレーション表示されるので、図１ないし図６に示すパターンシミュレーション方法と同様の作用効果を奏することができる。

さらに、レチクルデータ11および露光用データ12に基づいて予め作成される予想パターン21は、実際にガラス基板７上に露光されるパターンに全体露光パターン14が近似しているほど、最終工程でのＡＮＤＮＯＴ演算、ＡＮＤ演算およびＯＲ演算の演算処理量が少なくなる。このため、この予想パターン21を実際のパターンに相当する全体露光パターン14に近似させて作成するほど、処理するデータ量を削減できるので、レチクルデータ11および露光用データ12の設計ミスをより迅速かつ確実に発見でき、レチクルパターン１の検図をより短時間で実行できる。このとき、一般に大画面の液晶表示装置は、パネルサイズや基板サイズのパターンを描き、その後にレチクルパターン１の大きさに合わせて、このレチクルパターン１によって露光する部分を分割するため、予想パターン21は実際のパターンに相当する全体露光パターン14と近似しているので、より効果を奏することができる。

なお、上記第４の実施の形態では、ガラス基板７を２枚の第１のレチクル３および第２のレチクル４にて分割露光したが、図２０ないし図２５に示す第５の実施の形態のように、ガラス基板７を４枚の第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６により十字に分割して露光する場合であっても、上記第４の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。

具体的には、図２０に示すように、予想パターン21を予め形成するとともに、図２１に示す第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれから、図２２に示すように、シミュレーション用の基板サイズパターンに相当する全体露光パターン14を作成する。この後で、図２３に示すように、この予想パターン21と第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６によって形成されるパターンに相当する露光パターン13をＡＮＤＮＯＴ演算して各差分パターン22を作成する。さらに、これら差分パターン22のパターン23同士をＡＮＤ演算するとともに、これら差分パターン22のパターン24同士をＯＲ演算して、図２４に示すパターンを作成する。次いで、これらＡＮＤ演算の結果およびＯＲ演算の結果に予想パターン21に加えて、また、この予想パターン21にＯＲ演算の結果を削除(引き算)して、図２５に示すように、第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６によってガラス基板７上の少なくとも一度は露光される全体露光パターン14をモニタにシミュレーション表示させる。

また、上記第５の実施の形態では、各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれからシミュレーション用の基板サイズのパターンに相当する露光パターン13を作成し、これらの露光パターン13と予想パターン21とをガラス基板７上の全ての領域に相当する領域においてＡＮＤＮＯＴ演算させたが、図２６ないし図３０に示す第６の実施の形態のように、各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれによって光が照射されて露光されるガラス基板７上の有効領域に相当する領域だけを予想パターン21に対してＡＮＤＮＯＴ演算させても、上記第５の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。

具体的には、図２６に示す予想パターン21を予め形成するとともに、図２７に示すように、第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれからシミュレーション用の基板サイズパターンに相当する露光パターン13を作成する。この後で、図２８に示すように、予想パターン21と各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれにより光が照射される露光パターン13中の有効領域に相当するパターンのみをＡＮＤＮＯＴ演算して各差分パターン22を作成する。そして、図２９に示すように、これら差分パターン22のパターン23同士をＡＮＤ演算するとともに、これら差分パターン22のパターン24同士をＯＲ演算し、これらＡＮＤ演算の結果およびＯＲ演算の結果を予想パターン21に表示させる。そして、図３０に示すように、この予想パターン21にＡＮＤ演算の結果を加えるとともに、この予想パターン21にＯＲ演算の結果を削除(引き算)して、各第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６それぞれによるショットにてガラス基板７上の少なくとも一度は露光される全体露光パターン14がシミュレーション表示される。

したがって、第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれにより光が照射される有効領域のパターンに相当する露光パターン13のみを予想パターン21に対してＡＮＤＮＯＴ演算して差分パターン22を作成しているので、ＡＮＤＮＯＴ演算の対象となる領域が削減されて、処理するデータ量が削減されるので、より高速に差分パターン22を作成できる。このため、レチクルデータ11および露光用データ12の設計ミスをより迅速かつ確実に発見できるから、レチクルパターン１の検図をより短時間で実行できる。

さらに、上記第４ないし第６の実施の形態では、各差分パターン22のパターン23同士をＡＮＤ演算した結果を予想パターン21に加えるとともに、これら各差分パターン22のパターン24同士をＯＲ演算した結果を予想パターン21から削除(引き算)し、これらＡＮＤ演算およびＯＲ演算の結果を予想パターン21に重ねたデータを加工して、ガラス基板７上の少なくとも一度は露光されるパターンに相当する全体露光パターン14がシミュレーション表示されたが、予想パターン21を加工せずに、各差分パターン22のパターン23同士をＡＮＤ演算した結果と、これら各差分パターン22のパターン24同士をＯＲ演算した結果のそれぞれに予想パターン21に重ねて表示させるだけで、ガラス基板７上の全体露光パターン14を確認できる。

具体的には、各差分パターン22のパターン23同士をＡＮＤ演算した結果を、追加パターンとして予想パターン21にそのまま重ねて表示させるとともに、各差分パターン22のパターン24同士をＯＲ演算した結果を、削除(引き算)パターンとして実際に削除(引き算)するのではなく、モニタ上見えなくする処理をすることによって、これらＡＮＤ演算およびＯＲ演算の結果を予想パターン21に重ねて表示させる。

この結果、ガラス基板７上の少なくとも一度以上露光されるパターンに相当する全体露光パターン14を確認できるので、上記第４ないし第６の実施の形態と同様の効果を奏するとともに、差分パターン22に対する追加パターンおよび削除(引き算)パターンのデータ上の加工が無くなるので、ガラス基板７上のパターンに相当する全体露光パターン14をより高速に表示できるから、これらデータの取り扱いを容易にできる。

さらに、第１のレチクル３、第２のレチクル４、第３のレチクル５および第４のレチクル６のそれぞれのショットによりガラス基板７上の露光されるパターンに相当する露光パターン13を示すシミュレーション結果と予想パターン21との差分パターン22を予想パターン21に重ねて表示させたり、これら差分パターン22を予想パターン21に対して加工して表示させてもよい。この場合には、ガラス基板７における基板サイズでの演算が必要となるので処理時間が長くなるが、高速に表示できるので、上記第４ないし第６の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。

本発明のパターンシミュレーション方法の第１の実施の形態を示すフローチャートである。 同上パターンシミュレーション方法でのレチクルを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法により形成される基板パターンを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法により基板の一部を露光させた状態をシミュレーションした説明図である。 同上パターンシミュレーション方法により基板の一部をさらに露光させた状態をシミュレーションした説明図である。 同上パターンシミュレーション方法により基板を露光させた状態をシミュレーションした説明図である。 本発明の第２の実施の形態のパターンシミュレーション方法を示すフローチャートである。 同上パターンシミュレーション方法により基板の一部を露光させた状態をシミュレーションした説明図である。 同上パターンシミュレーション方法により基板の一部をさらに露光させた状態をシミュレーションした説明図である。 本発明の第３の実施の形態のパターンシミュレーション方法により基板の一部を露光させた状態をシミュレーションした説明図である。 同上パターンシミュレーション方法により基板の一部をさらに露光させた状態をシミュレーションした説明図である。 本発明の第４の実施の形態のパターンシミュレーション方法を示すフローチャートである。 同上パターンシミュレーション方法により作成された予想パターンを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法でのレチクルを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法で各ショット毎の露光パターンを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法での差分パターンを示す説明図である。 同上差分パターンをＡＮＤ演算およびＯＲ演算した結果を示す説明図である。 同上差分パターンをＡＮＤ演算およびＯＲ演算した結果に予想パターンを重ねた状態を示す説明図である。 同上予想パターンにＡＮＤ演算した結果を加え、ＯＲ演算した結果を削除(引き算)した状態を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態のパターンシミュレーション方法により作成された予想パターンを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法でのレチクルを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法での各ショット毎の露光パターンを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法での差分パターンを示す説明図である。 同上差分パターンをＡＮＤ演算およびＯＲ演算した結果を示す説明図である。 同上ＡＮＤ演算した結果を予想パターンに加え、ＯＲ演算した結果を予想パターンから削除(引き算)した状態を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態のパターンシミュレーション方法により作成された予想パターンを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法での各ショット毎の露光パターンを示す説明図である。 同上パターンシミュレーション方法での有効領域のみの差分パターンを示す説明図である。 同上差分パターンをＡＮＤ演算およびＯＲ演算した結果を示す説明図である。 同上ＡＮＤ演算した結果を予想パターンに加え、ＯＲ演算した結果を予想パターンから削除(引き算)した状態を示す説明図である。

符号の説明

１ レチクルパターン
７ 基板としてのガラス基板
11 レチクルデータ
12 露光用データ
21 予想パターン
22 差分パターン

Claims (18)

1. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、
   前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に、この基板上の各ショット毎に露光される複数の領域に相当するパターンをＯＲ演算し、
   このＯＲ演算に基づいて、前記基板上の一回以上露光される領域のパターンをシミュレーションする
   ことを特徴としたパターンシミュレーション方法。
2. レチクルデータおよび露光用データにより基板上に基板パターンを形成した際に、この基板上に露光される領域に相当するパターンをＮＯＴ演算し、
   このＮＯＴ演算に基づいて、前記基板上の露光されない領域のパターンをシミュレーションする
   ことを特徴とした請求項１記載のパターンシミュレーション方法。
3. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、
   前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に、この基板上の隣り合う領域のショット毎に露光される複数の領域に相当するパターンをＡＮＤ演算し、
   このＡＮＤ演算に基づいて、前記基板上の複数回露光される領域のパターンをシミュレーションする
   ことを特徴としたパターンシミュレーション方法。
4. 露光用データは、基板上の隣り合わない領域へのショットを優先させて、レチクルパターンに基づいた基板パターンを前記基板上に露光させるデータを有する
   ことを特徴とした請求項３記載のパターンシミュレーション方法。
5. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、
   前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成し、
   この予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算して、この基板上の露光される領域のパターンをシミュレーションする
   ことを特徴としたパターンシミュレーション方法。
6. 予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算してその差分を示す差分パターンを作成し、
   この差分パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算するとともに、前記予想パターンと前記差分パターンとを演算して、
   前記レチクルデータおよび露光用データによって前記基板上に形成される基板パターンをシミュレーションする
   ことを特徴とした請求項５記載のパターンシミュレーション方法。
7. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、
   前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成し、
   この予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算してその差分を示す差分パターンを作成し、
   この差分パターンを前記予想パターンに重ねて、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に形成される前記基板パターンをシミュレーションする
   ことを特徴としたパターンシミュレーション方法。
8. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、
   前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成し、
   この予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算した際の差分を示す差分パターンを作成し、
   この差分パターンと前記予想パターンとを演算して、前記レチクルデータおよび露光用データにより作成される前記基板パターンをシミュレーションする
   ことを特徴としたパターンシミュレーション方法。
9. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするコンピュータ読み取り可能なパターンシミュレーションプログラムであって、
   前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に、この基板上の各ショット毎に露光される複数の領域に相当するパターンをＯＲ演算するステップと、
   前記ＯＲ演算に基づいて、前記基板上の少なくとも一回は露光される領域のパターンをシミュレーションするステップと
   を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
10. レチクルデータおよび露光用データにより基板上に基板パターンを形成した際に、この基板上の露光される領域に相当するパターンをＮＯＴ演算するステップと、
    前記ＮＯＴ演算に基づいて、前記基板上の露光されない領域のパターンをシミュレーションするステップと
    を具備したことを特徴とした請求項９記載のパターンシミュレーションプログラム。
11. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするコンピュータ読み取り可能なパターンシミュレーションプログラムであって、
    前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に、この基板上の隣り合う領域のショット毎に露光される複数の領域に相当するパターンをＡＮＤ演算するステップと、
    前記ＡＮＤ演算に基づいて、前記基板上の複数回露光される領域のパターンをシミュレーションするステップと
    を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
12. 露光用データは、基板上の隣り合わない領域へのショットを優先させて、レチクルパターンに基づいた基板パターンを前記基板上に露光させるデータを有する
    ことを特徴とした請求項１１記載のパターンシミュレーションプログラム。
13. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするコンピュータ読み取り可能なパターンシミュレーションプログラムであって、
    前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成するステップと、
    前記予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算するステップと、
    前記演算に基づいて、前記基板上の露光される領域のパターンをシミュレーションするステップと
    を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
14. 予想パターンとレチクルデータおよび露光用データにより基板上に基板パターンを形成した際の露光パターンとを演算した際の差分を示す差分パターンを作成するステップと、
    この差分パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算するステップと、
    前記予想パターンと差分パターンとを演算するステップと、
    前記演算のそれぞれに基づいて、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に形成される基板パターンをシミュレーションするステップと
    を具備したことを特徴とした請求項１３記載のパターンシミュレーションプログラム。
15. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするコンピュータ読み取り可能なパターンシミュレーションプログラムであって、
    前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成するステップと、
    前記予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算するステップと、
    前記演算に基づいて、前記予想パターンと前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンとの差分に相当する差分パターンを作成するステップと、
    前記差分パターンを前記予想パターンに重ねて、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に形成される前記基板パターンに相当するパターンをシミュレーションするステップと
    を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
16. 基板上に形成しようとする全体パターンを複数に分割した各分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光される基板パターンをシミュレーションするコンピュータ読み取り可能なパターンシミュレーションプログラムであって、
    前記レチクルデータと露光用データとにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成するステップと、
    この予想パターンと、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンに相当するパターンとを演算するステップと、
    この演算に基づいて、前記予想パターンと前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際の露光パターンとの差分に相当する差分パターンを作成するステップと、
    この差分パターンと前記予想パターンとを演算するステップと、
    この演算に基づいて、前記レチクルデータおよび露光用データにより前記基板上に形成される前記基板パターンをシミュレーションするステップと
    を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
17. 請求項９ないし１６いずれか記載のパターンシミュレーションプログラムが、コンピュータに読み取り可能に記録された
    ことを特徴としたパターンシミュレーションプログラムを記録した媒体。
18. 請求項９ないし１６いずれか記載のパターンシミュレーションプログラムに基づいて、基板上に形成される基板パターンをシミュレーションする
    ことを特徴としたパターンシミュレーション装置。

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