KR20040073312A - 패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 그 프로그램을기억한 매체, 및 그 장치 - Google Patents

패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 그 프로그램을기억한 매체, 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040073312A
KR20040073312A KR1020040008234A KR20040008234A KR20040073312A KR 20040073312 A KR20040073312 A KR 20040073312A KR 1020040008234 A KR1020040008234 A KR 1020040008234A KR 20040008234 A KR20040008234 A KR 20040008234A KR 20040073312 A KR20040073312 A KR 20040073312A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
substrate
reticle
data
exposure
Prior art date
Application number
KR1020040008234A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100607014B1 (ko
Inventor
가시모또노보루
이쯔끼요시하루
Original Assignee
도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 filed Critical 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드
Publication of KR20040073312A publication Critical patent/KR20040073312A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100607014B1 publication Critical patent/KR100607014B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F15/00—Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
    • G01F15/10—Preventing damage by freezing or excess pressure or insufficient pressure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • G01D11/24—Housings ; Casings for instruments
    • G01D11/26—Windows; Cover glasses; Sealings therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/05—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
    • G01F1/06—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects using rotating vanes with tangential admission
    • G01F1/07—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects using rotating vanes with tangential admission with mechanical coupling to the indicating device
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

레티클 데이터 및 노광용 데이터의 설계상 실수를 용이하게 발견할 수 있는 패턴 시뮬레이션 방법을 제공한다. 레티클 데이터는 유리 기판 위에 형성하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴이다. 노광용 데이터는 레티클 패턴을 유리 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타낸다. 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 유리 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에, 유리 기판 위의 샷마다의 노광 영역을 OR 연산한다. OR 연산에 기초하여 유리 기판 위의 노광 패턴을 시뮬레이션한다. 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 유리 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때의 유리 기판 위의 노광되지 않는 차광 영역을 용이하게 체크할 수 있다.

Description

패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 그 프로그램을 기억한 매체, 및 그 장치{PATTERN SIMULATION METHOD, PROGRAM, STORAGE DEVICE FOR STORING THE PROGRAM, AND APPARATUS THE SAME}
본 발명은 기판 위에 노광되는 노광 패턴을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 및 그 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 장치는 주사선이나 신호선 등의 배선, 화소 전극 등의 전극, 혹은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT) 등의 스위치 소자를 갖고 있다. 그리고, 이들 배선, 전극 및 스위치 소자의 각각은, 기판 위에 도전체 혹은 유전체 등의 박막을 성막 공정에서 성막하고, 성막한 박막 상에 포토레지스트를 도포 공정에서 도포하고, 도포한 포토레지스트를 소정의 패턴을 갖는 레티클을 통하여 노광 공정에서 노광하고, 노광한 포토레지스트를 현상 공정에서 현상하고, 이 포토레지스트가 제거되어 노출된 박막을 에칭 공정에서 제거하는 등을 반복함으로써 형성된다.
또한, 최근 액정 표시 장치의 대화면화에 따른 유리 기판에 노광되는 TFT 어레이 패턴을 포함하는 액정 표시 패널의 크기가 노광기의 마스크 사이즈보다 크기때문에, 기판을 복수의 영역으로 분할하여 각 영역의 포토레지스트를 순차 대응하는 마스크를 개재하여 노광하는 분할 노광 처리 방법이 이용되고 있다. 그리고, 이 분할 노광 처리 방법에서는 노광되는 영역 사이에 다중 노광 영역이라고 불리는 3∼10㎛의 폭을 갖는 분할선 상의 영역이 있다. 이 분할선 상의 영역은 복수회 노광된다.
그리고, 분할 노광 처리에 사용되는 포토마스크로서의 레티클은, 일반적으로 컴퓨터 설계(Computer Aided Design: CAD) 시스템을 이용하여 설계된다. 그리고, 이 분할 노광 처리 방법에서의 레티클 패턴의 설계 수순으로는, 액정 표시 장치의 액정 표시 패널의 크기의 패턴을 설계 기준을 만족하도록 설계한 후, 이 패턴을 레티클의 크기, 및 이 레티클의 매수에 맞도록 분할한다. 이 때, 이 패턴을 분할하는 분할선은 특성상 영향이 없는 장소를 따라 형성한다.
또한, 이 액정 표시 패널의 분할 노광 설계 데이터는 CAD 시스템 서버의 기억 매체에 보존된다. 그리고, 이들 설계 데이터에 기초하여 액정 표시 패널 및 분할선의 설계 패턴에 대응한 레티클 패턴을 형성하고, 차광대라고 불리는 차광 영역을 피복하는 차광대 패턴을 추가함으로써 포토마스크가 완성된다.
그리고, 이 포토마스크(레티클) 데이터와 노광용 데이터라고 불리는 좌표 데이터를 사용하여, 기판 위에 복수의 액정 표시 패턴이 노광된다. 노광용 데이터는 레티클 상의 노광 영역의 범위 및 기준이 되는 중심점을 나타내는 데이터, 및 노광되는 기판 위의 좌표의 데이터 등을 포함하고 있고, 레티클 상의 지정된 범위를 기판 위의 지정한 영역에 노광한다(예를 들면, 일본 특개 2002-367890호 공보, 특히제2-4페이지 및 도 1-10 참조).
그러나, 상술한 분할 노광 방식에 의한 노광 처리에서는 노광용 데이터의 입력을 잘못한 경우에, 그 잘못된 노광용 데이터에 의한 에러 처리에 의해서, 그 에러를 발견할 수 있는 경우도 있지만, 기판 위에 기판 패턴이 노광되어 형성된 후의 패턴 검사에 의해 발견되는 경우도 있다.
또한, 레티클을 분할하는 작업 시에 잘못하여, 기판 위의 인접하는 노광 영역의 경계선이 일치하지 않는 경우에는, 이 기판 위에 형성된 기판 패턴에 단선이나 쇼트되는 부분이 발생하여, 이 기판 패턴이 불량이 되게 된다. 특히, 기판 위의 분할선이 잘 보이지 않게 하기 위하여, 이 분할선을 지그재그 형상으로 하여, 이 분할선에 완충 영역을 형성하는 경우에는 기판 위에 형성된 기판 패턴의 불량을 발견하는 것이 용이하지 않다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 점에 감안하여 이루어진 것으로, 레티클 데이터 및 노광용 데이터의 설계상 실수를 용이하게 발견할 수 있는 패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 패턴 시뮬레이션 방법의 제1 실시 형태를 도시하는 흐름도.
도 2는 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 레티클을 도시하는 설명도.
도 3은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 형성되는 기판 패턴을 도시하는 설명도.
도 4는 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 기판의 일부를 노광시킨 상태를 시뮬레이션한 설명도.
도 5는 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 기판의 일부를 더 노광시킨 상태를 시뮬레이션한 설명도.
도 6은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 기판을 노광시킨 상태를 시뮬레이션한 설명도.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태의 패턴 시뮬레이션 방법을 도시하는 흐름도.
도 8은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 기판의 일부를 노광시킨 상태를시뮬레이션한 설명도.
도 9는 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 기판의 일부를 더 노광시킨 상태를 시뮬레이션한 설명도.
도 10은 본 발명의 제3 실시 형태의 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 기판의 일부를 노광시킨 상태를 시뮬레이션한 설명도.
도 11은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 기판의 일부를 더 노광시킨 상태를 시뮬레이션한 설명도.
도 12는 본 발명의 제4 실시 형태의 패턴 시뮬레이션 방법을 도시하는 흐름도.
도 13은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 작성된 예상 패턴을 도시하는 설명도.
도 14는 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 레티클을 도시하는 설명도.
도 15는 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 샷마다의 노광 패턴을 도시하는 설명도.
도 16은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 차분 패턴을 도시하는 설명도.
도 17은 상기 차분 패턴을 AND 연산 및 OR 연산한 결과를 도시하는 설명도.
도 18은 상기 차분 패턴을 AND 연산 및 OR 연산한 결과에 예상 패턴을 중첩한 상태를 도시하는 설명도.
도 19는 상기 예상 패턴에 AND 연산한 결과를 더하고, OR 연산한 결과를 삭제(뺄셈)한 상태를 도시하는 설명도.
도 20은 본 발명의 제5 실시 형태의 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 작성된 예상 패턴을 도시하는 설명도.
도 21은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 레티클을 도시하는 설명도.
도 22는 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 샷마다의 노광 패턴을 도시하는 설명도.
도 23은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 차분 패턴을 도시하는 설명도.
도 24는 상기 차분 패턴을 AND 연산 및 OR 연산한 결과를 도시하는 설명도.
도 25는 상기 AND 연산한 결과를 예상 패턴에 더하고, OR 연산한 결과를 예상 패턴으로부터 삭제(뺄셈)한 상태를 도시하는 설명도.
도 26은 본 발명의 제6 실시 형태의 패턴 시뮬레이션 방법에 의해 작성된 예상 패턴을 도시하는 설명도.
도 27은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 샷마다의 노광 패턴을 도시하는 설명도.
도 28은 상기 패턴 시뮬레이션 방법에서의 유효 영역만의 차분 패턴을 도시하는 설명도.
도 29는 상기 차분 패턴을 AND 연산 및 OR 연산한 결과를 도시하는 설명도.
도 30은 상기 AND 연산한 결과를 예상 패턴에 더하고 OR 연산한 결과를 예상 패턴으로부터 삭제(뺄셈)한 상태를 도시하는 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 레티클 패턴
7 : 기판으로서의 유리 기판
11 : 레티클 데이터
12 : 노광용 데이터
21 : 예상 패턴
22 : 차분 패턴
본 발명은 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 방법으로서, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 이 기판 위의 샷마다 노광되는 복수의 영역에 상당하는 패턴을 OR 연산 혹은 AND 연산하고, 이들 OR 연산 혹은 AND 연산에 기초하여 상기 기판 위의 1회 이상 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 것이다.
그 결과, 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에 이 기판 위의 노광되지 않는 영역을 식별한다.
또한, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성하고, 이 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하고, 이 기판 위의 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하거나 이 연산했을 때의 차분을 나타내는 차분 패턴을 작성하고, 이 차분 패턴을 상기 예상 패턴에 중첩하거나 또는 이들을 연산하여, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 형성되는 상기 기판 패턴을 시뮬레이션한다.
그 결과, 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해서 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위의 노광되지 않는 부분이나 이 기판 위에의 노광의 중첩에 상당하는 패턴을 식별한다.
<실시 형태>
이하, 본 발명의 제1 실시 형태를 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
도 1 내지 도 6에서, 레티클 패턴(1)은, 예를 들면 4매의 제1 레티클(3),제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)을 구비하고 있다. 그리고, 이 레티클 패턴(1)은 유리 기판(7) 상에 형성된 액정 패널(8)을 분할 노광하여 현상 혹은 에칭하기 위한 포토마스크이다.
여기서, 유리 기판(7)은, 예를 들면 400㎜×500㎜의 구형 평판 형상으로 형성되어 있고, 이 유리 기판(7) 상의 액정 패널(8)은 대각 10.4형 해상도 XGA(1024×768 화소)이고, 예를 들면 4매정도 이 유리 기판(7) 상에 형성되어 있다. 이들 액정 패널(8)의 영역은 도전체층 및 유전체층 중 적어도 한층으로 구성되어 있다. 이 때문에, 한장의 유리 기판(7)의 노광 횟수는 16샷이 된다.
제1 레티클(3)은, 도 2에 도시한 바와 같이 액정 패널(8)의 상측 좌측부를 노광하는 패턴을 갖고 있다. 또한, 제2 레티클(4)은 액정 패널(8)의 상측 우측부를 노광하는 패턴을 갖고 있다. 또한, 제3 레티클(5)은 액정 패널(8)의 하측 좌측부를 노광하는 패턴을 갖고 있다. 또한, 제4 레티클(6)은 액정 패널(8)의 하측 우측부를 노광하는 패턴을 갖고 있다.
그리고, 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 관한 전자적인 데이터는 레티클 데이터(11)로 되어 있다. 이 레티클 데이터(11)는 유리 기판(7) 상에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 영역의 레티클 패턴으로 이루어지는 CAD 데이터이다.
또한, 이들 레티클 패턴을 유리 기판(7) 상의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터(12)는 격자 형상으로 분할된 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)의 노광 영역을 나타내는 데이터와, 이들 제1레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 의해 유리 기판(7) 상의 어디를 노광할지를 나타내는 데이터를 구비하고 있다. 그리고, 이 노광용 데이터(12)는 노광마다 입력하거나 동일한 노광이 반복되면 좌표의 이동량만큼 입력한다. 또, 이 노광용 데이터(12)는 매트릭스 입력 데이터로서 한번의 샷마다 분해되어 입력되는 수치 데이터이다.
또한, 노광용 데이터(12)에는 레티클 패턴(1)의 분할선이 되는 전체 층마다 동일한 분할 라인(9)에 관한 데이터도 구비하고 있다. 또한, 노광용 데이터(12)는 도시하지 않은 서버의 노광용 데이터 파일에 보존되어 있고, 도시하지 않은 노광기에 의해 유리 기판(7) 상의 소정 위치의 레티클 패턴을 노광시킨다.
이들 노광용 데이터(12) 및 레티클 데이터(11)는 패턴 시뮬레이션용 컴퓨터에 판독할 수 있게 구성되어 있다. 이 컴퓨터에는 노광용 데이터(12) 및 레티클 데이터(11)에 기초하여 유리 기판(7) 상에 노광기에 의해 노광되어 형성되는 기판 패턴(전체 노광 패턴(14))을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 프로그램이 구비되어 있다.
다음으로, 상기 컴퓨터에 의해 시뮬레이션하는 패턴 레이아웃의 작성 방법에 대하여 설명한다.
우선, 필요한 사양으로서, 모듈 외형, 액정 셀로서 구성되는 셀 사이즈, 액정 셀의 화면 사이즈, 화면 주변의 프레임 형상 부분의 사이즈, OLB 실장 사이즈, X 방향 및 Y 방향에 배치되는 IC의 출력수와 그 사이즈 등의 제품 사양이나 제조 라인과 그 라인에 고유한 제약 조건 등을 결정한다.
계속해서, 이 유리 기판(7) 상에 형성하고자 하는 개략적인 TFT 어레이 기판의 전체 패턴을 상정하여, 이 개략적인 TFT 어레이 기판의 전체 패턴과 노광기의 성능을 기초로, 동일한 레티클로 반복하여 샷을 할 수 있게 고려하여 레티클 패턴(1)의 분할 라인(9)을 결정한다.
이 후, 이 설정된 분할 라인(9)을 기초로 레티클 패턴을 각각 CAD에 의해서 상세히 작성함과 함께, 불필요한 영역을 노광하지 않도록 레티클 패턴 이외의 영역을 차광대 패턴으로 피복한다.
또한, 완성된 레티클 패턴을 샷순으로 배열하고, 실제의 패턴에 의해, 상세한 TFT 어레이 기판 위의 전체 패턴을 CAD로 구성한다. 이와 같이 하여 작성한 상세한 어레이 기판 위의 전체 패턴을 이용하여, 레티클 패턴(1)에 관한 레티클 데이터(11) 및 이 레티클 패턴(1)의 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)의 관계를 나타내는 노광용 데이터(12)를 인식하고, 정해진대로 레티클 패턴이 구성되어 있는지를 판단한 후, 레티클 데이터(11)와 노광용 데이터(12)를 서버의 레티클 데이터용 파일 및 노광용 데이터 파일에 각각 보존한다.
다음으로, 이 컴퓨터에 의한 패턴 시뮬레이션 방법에 대하여 설명한다.
우선, 노광용 데이터 파일로부터 노광용 데이터(12)를 컴퓨터에 판독한다(단계 1).
또한, 다른 서버의 기억 영역에 보존된 레티클 데이터(11)를 컴퓨터에 판독한다(단계 2).
계속해서, 이들 노광용 데이터(12) 및 레티클 데이터(11)에 기초하여 패턴시뮬레이션 프로그램을 기동시켜, 이들 노광용 데이터(12) 및 레티클 데이터(11)에 의해 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 유리 기판(7) 상의 샷마다 노광되는 영역에 상당하는 노광 패턴(13)을 작성한다(단계 3).
여기서, 이 단계 3과 그 다음의 단계 4에 의한 처리를 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
시뮬레이션 컴퓨터에 의해서, 우선 도 4에 도시한 바와 같이 제1 레티클(3)에 의해 유리 기판(7) 상의 상측 좌측부를 노광할 때에, 이 유리 기판(7) 상에서 광이 조사되는 영역에 상당하는 제1 노광 영역(15)을 시뮬레이션하여 모니터에 표시시킨다.
컴퓨터에 의해서, 또한 도 5에 도시한 바와 같이, 이 제1 노광 영역(15)을 표시시킨 후에 제2 레티클(4)에 의해 유리 기판(7)의 상측 정면에서 보아 좌측부를 노광할 때에, 이 유리 기판(7) 상에 광이 조사되는 영역에 상당하는 제2 노광 영역(16)을 모니터에 표시시킨다.
이 때, 이들 제1 노광 영역(15) 및 제2 노광 영역(16)의 형상은 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4) 각각의 차광 패턴을 반전시킨 패턴을 유리 기판(7) 상에 묘화한 것과 상이하다.
실제의 포토리소그래피 프로세스에서는, 이들 제1 노광 영역(15)과 제2 노광 영역(16)이 중첩되어 있는 부분은 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4)에 의한 노광에 의해, 적어도 1회 포토레지스트에 광이 조사된 영역이면, 그 영역은 현상됨으로써 소멸한다.
따라서, 이들 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4)를 반전시켰을 때에 형성되는 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 OR 연산하여, 이들 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4) 중 어느 1회 이상의 샷에 의해 광이 조사되어 노광되는 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)을 컴퓨터에 의해서 시뮬레이션하여 모니터에 표시시킨다(단계 4).
이 OR 연산은 실제로 계산을 할 필요는 없고, 제1 레티클(3)을 반전시킨 패턴에 상당하는 노광 패턴(13) 위에, 제2 레티클(4)을 반전시킨 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 컴퓨터로 시뮬레이션함으로써 중첩하여 모니터에 표시시키는 것만으로 된다.
마찬가지로, 이들 패턴에 상당하는 제1 노광 영역(15) 및 제2 노광 영역(16)을 표시시킨 후에, 제3 레티클(5)에 의해 유리 기판(7)의 상측 좌측부를 노광할 때에 이 유리 기판(7) 상에 광이 조사되는 영역에 상당하는 제3 노광 영역(17)을 컴퓨터로 시뮬레이션함으로써 모니터에 표시시킨다.
또한, 이들 패턴에 상당하는 제1 노광 영역(15), 제2 노광 영역(16) 및 제3 노광 영역(17)을 표시시킨 후에, 제4 레티클(6)에 의해 유리 기판(7)의 상측 좌측부를 노광할 때에, 이 유리 기판(7) 상에 광이 조사되는 영역에 상당하는 제4 노광 영역(18)을 컴퓨터로 시뮬레이션함으로써 모니터에 표시시킨다.
이 때, 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)를 반전시켜 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 OR 연산하여, 제1 노광 영역(15) 및 제2 노광 영역(16) 위에, 제3 노광 영역(17) 및 제4 노광 영역(18)을 컴퓨터로 시뮬레이션함으로써 중첩하여 모니터에표시시킨다.
이 후, 단계 3 및 단계 4를 반복하여 도 6에 도시한 바와 같이, 레티클 패턴(1)을 통해서 유리 기판(7)을 노광한 상태에 상당하는 전체 액정 패널(8)을 컴퓨터로 시뮬레이션함으로써 모니터에 표시시킨다.
계속해서, 이 유리 기판(7)에의 전체 샷의 합을 취한 후, 이 유리 기판(7)에 형성되는 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)을 NOT 연산하여, 그 패턴을 반전시킨다(단계 5).
또한, 이 NOT 연산에 의해 반전시킨 유리 기판(7)에서 1회도 노광되지 않는 영역, 즉 현상 혹은 에칭에 의해서 남는 영역에 상당하는 차광 영역 패턴을 모니터에 표시시킨다(단계 6).
상술한 바와 같이, 상기 제1 실시 형태에 따르면 컴퓨터 시뮬레이션에 의해서, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 레티클 패턴(1)을 반전시켜 형성되는 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 OR 연산하여, 이 레티클 패턴(1)의 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 노광되는 영역에 상당하는 패턴 제1 노광 영역(15), 제2 노광 영역(16), 제3 노광 영역(17) 및 제4 노광 영역(18) 각각을 중첩하여 전체 노광 패턴(14)으로서 모니터에 표시시킨다. 또한, 레티클 패턴(1)의 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의한 유리 기판(7)에서의 전체 샷에 상당하는 패턴의 합을 취한 후, 이 유리 기판(7)에 형성되는 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)을 NOT 연산함으로써 반전시켜, 유리 기판(7) 상에서 1회도 노광되지 않는영역에 상당하는 차광 영역 패턴을 모니터에 표시시킨다.
그 결과, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성한 경우에 발생하는 차광 영역 패턴을 용이하게 체크할 수 있다. 따라서, 이들 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 유리 기판(7)을 실제로 노광한 후에 검사하지 않고, 이들 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)의 설계상 실수를 용이하게 발견할 수 있다.
이 때문에, 유리 기판(7)에 형성하는 액정 패널(8)을 분할 노광할 때에 이용하는 레티클 패턴(1)의 드로잉 체크(drawing check)를 용이하게 단시간에 실행할 수 있으므로, 이 레티클 패턴(1)를 용이하게 설계할 수 있다. 따라서, 이 유리 기판(7)을 구비한 액정 표시 장치의 생산성을 향상할 수 있음과 함께, 이 액정 표시 장치의 수율의 향상을 용이하게 할 수 있다.
상기 제1 실시 형태에서는 레티클 패턴(1)을 반전시킨 경우에 형성되는 패턴에 상당하는 샷 노광 패턴(13)을 OR 연산하여 전체 노광 패턴(14)으로 하고, 이 전체 노광 패턴(14)을 NOT 연산함으로써 반전시켜, 유리 기판(7) 상의 차광 영역에 상당하는 패턴을 모니터에 표시시켰지만, 이 NOT 연산에 시간이 걸리기 때문에, 레티클 패턴(1)을 반전시킨 경우에 형성되는 패턴에 상당하는 샷 노광 패턴(13)을 OR 연산하여, 이 레티클 패턴(1)의 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 노광되는 영역에 상당하는 제1 노광 영역(15), 제2 노광 영역(16), 제3 노광 영역(17) 및 제4 노광 영역(18)을 중첩하여 전체 노광 패턴(14)을 모니터에 표시시키는 것만으로, 레티클 데이터(11) 및 노광용데이터(12)에 기초하여 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 유리 기판(7) 상의 적어도 1회 노광되는 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)을 모니터에 표시할 수 있다.
그 결과, 이 유리 기판(7) 상 적어도 1회 노광된 전체 노광 패턴(14) 이외의 영역에 상당하는 패턴이 이 유리 기판(7) 상의 노광되지 않는 영역에 상당하는 패턴이 되기 때문에, 이 유리 기판(7) 상의 노광되지 않는 영역의 확인을 용이하게 할 수 있으므로, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 유리 기판(7) 상의 레티클 패턴(1)에 의한 분할 라인(9)을 전체 층마다 같게 하였지만, 이들 분할 라인(9)을 층마다 바꿀 수 있다.
다음에, 본 발명의 제2 실시 형태를 도 7 내지 도 9를 참조하여 설명한다.
이 도 7 내지 도 9에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법은, 기본적으로는 도 1 내지 도 6에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법과 마찬가지이지만, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여, 레티클 패턴(1)의 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 상당하는 패턴을 반전시킨 경우에 유리 기판(7) 상의 인접하는 영역에 형성되는 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 AND 연산하여, 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 노광되지 않는 유리 기판(7) 상의 차광 영역에 상당하는 패턴을 시뮬레이션할 수 있다.
구체적으로는, 노광용 데이터 파일로부터 노광용 데이터(12)를 컴퓨터에 판독함과 함께(단계 11), 레티클 데이터(11)를 컴퓨터에 판독한 후(단계 12), 이들레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 유리 기판(7) 상에 형성되는 기판 패턴에 상당하는 패턴과, 이 유리 기판(7)에 노광되는 영역에 상당하는 노광 패턴(13)을 작성한다(단계 13).
여기서, 이 단계 13에 의한 처리를 도 8 내지 도 9를 참조하여 설명한다.
컴퓨터 시뮬레이션에 의해서, 우선 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 레티클(3)에 의해 유리 기판(7) 상의 상측 좌측부를 노광할 때에, 이 유리 기판(7) 상에 광이 조사되는 제1 노광 영역(15)을, 제1 레티클(3)의 차광 패턴을 반전시킨 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)으로서 모니터에 표시시킨다.
이 후, 도 9에 도시한 바와 같이, 제2 레티클(4)에 의해 유리 기판(7) 상의 상측 좌측부를 노광할 때에, 이 유리 기판(7) 상에 광이 조사되는 영역에 상당하는 제2 노광 영역(16)을, 제2 레티클(4)의 차광 패턴을 반전시킨 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)으로서 모니터에 표시시킨다.
이 때, 제1 레티클(3)에서 노광한 후에 제2 레티클(4)에 의해서 노광한 결과에 상당하는 패턴은 제1 노광 영역(15)과 제2 노광 영역(16)을 AND 연산한 결과와 동일하게 된다. 이것은 광이 한번이라도 조사되면 유리 기판(7) 상의 포토레지스트가 소멸되기 때문이고, 이 유리 기판(7)에서 광이 한번도 조사되지 않는 차광 영역이 남기 때문이다.
그 결과, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 따라서 작성되는 샷 노광 패턴(13)을 샷 수만큼 준비해두고 순차 AND 연산함으로써(단계 14), 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해서는 노광되지 않는 차광 영역을 시뮬레이션하여 표시시킬 수 있다(단계 15).
따라서, 이 도 7 내지 도 9에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법은 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각을 반전시킨 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 AND 연산함으로써, 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 의해 노광되지 않는 유리 기판(7) 상의 차광 영역에 상당하는 패턴을 시뮬레이션 표시할 수 있으므로, 도 1 내지 도 6에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법과 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
또, 상기 제2 실시 형태에서는 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각을 반전시킨 경우에 형성되는 유리 기판(7) 상의 인접하는 영역의 노광 패턴(13)에 상당하는 패턴을 AND 연산하여, 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 의해서 형성되는 유리 기판(7) 상의 차광 영역에 상당하는 패턴을 시뮬레이션 표시했지만, 도 10 및 도 11에 도시하는 제3 실시 형태와 같이, 유리 기판(7) 상의 인접하지 않는 영역에의 샷을 우선시켜, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 형성되는 노광 패턴(13)에 관한 데이터를 노광용 데이터(12)로서 복수의 샷을 통합하여 AND 연산할 수도 있다.
즉, 노광 시에 중첩이 발생하지 않는 샷은 AND 연산할 필요가 없기 때문에, 도 10에 도시한 바와 같이 유리 기판(7) 상의 각 액정 패널(8)에서의 제1레티클(3)에 의한 노광 부분을 동시에 노광시킨 후, 이 유리 기판(7) 상의 각 액정 패널(8)에서의 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 의한 노광 부분을 동시에 순차 노광시키는 것으로 해서, 이들 제1 레티클(3)에 의해 형성되는 패턴에 상당하는 제1 노광 영역(15)과 제2 레티클(4)에 의해 형성되는 패턴에 상당하는 제2 노광 영역(16)의 AND 연산, 이 제2 노광 영역(16)과 제3 레티클(5)에 의해 형성되는 패턴에 상당하는 제3 노광 영역(17)의 AND 연산, 및 이 제3 노광 영역(17)과 제4 레티클(6)에 의해 형성되는 패턴에 상당하는 제4 노광 영역(18)의 AND 연산을 순차 동시에 실행한다.
그 결과, 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의한 샷을 통합하여 1샷으로 하여 합계 4샷의 AND 연산으로 충분하기 때문에, 일반적으로 이러한 연산을 하는 검증 툴, 특히 현재 주류인 계층형 검증 툴 등의 대규모 패턴이어도, 연산 횟수를 줄일 수 있으므로 연산 시간을 단축할 수 있다.
또한, 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 유리 기판(7) 상을 수평 방향 및 수직 방향에 직교하도록 십자로 분할하여 노광하는 경우에는, 이들 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 형성되는 패턴에 상당하는 제1 노광 영역(15), 제2 노광 영역(16), 제3 노광 영역(17) 및 제4 노광 영역(18) 각각에 대각으로 위치하는 것끼리 1점에서 접하기 때문에, 이 점 상의 다중 노광 부분에 노광 패턴(13)이 존재하지 않는 경우에는, 대각에 위치하는 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의한 샷도 동시에 실행할 수 있다.
그 결과, 제1 레티클(3) 및 제4 레티클(6)과, 제2 레티클(4) 및 제3 레티클(5)을 동일한 샷으로 할 수 있으므로, 제1 노광 영역(15) 및 제4 노광 영역(18)과, 제2 노광 영역(16) 및 제3 노광 영역(17)을 AND 연산하는 것만으로 해결된다. 특히, 액정 표시 장치의 어레이 기판으로서 이용되는 유리 기판(7)의 경우에는 4 종류 이내의 샷으로 나눌 수 있어, 이 유리 기판(7) 상의 분할 라인(9)이 어떠한 형상이라도 4회 이내의 샷 수로 연산할 수 있다.
또한, 상기한 실시 형태에서는 분할하여 4매의 액정 패널(8)을 형성시키는 대형 액정용 유리 기판(7)에 대하여 설명했지만, 휴대 전화용 등의 소형의 액정 표시 장치용 유리 기판(7)으로서, 이 유리 기판(7) 상의 액정 패널(8) 내에 분할 라인(9)이 존재하지 않는 경우에도 대응시켜 이용할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제4 실시 형태를 도 12내지 도 19를 참조하여 설명한다.
이 도 12 내지 도 19에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법은, 기본적으로는 도 1 내지 도 6에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법과 마찬가지이지만, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴(21)을 작성하고, 이 예상 패턴(21)과, 유리 기판(7) 상에 형성하고자 하는 노광 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 연산하여, 이 유리 기판(7) 상의 노광되는 영역에 상당하는 전체 노광 패턴(14)을 컴퓨터에 의해 시뮬레이션하여 모니터에 표시시킨다.
구체적으로는, 노광용 데이터 파일로부터 노광용 데이터(12)를 컴퓨터에 판독함과 함께(단계 21), 레티클 데이터(11)를 시뮬레이션 컴퓨터에 판독한 후(단계 22), 이들 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 노광 패턴에 상당하는 도 13에 도시하는 예상 패턴(21)을 작성한다(단계 23).
이 후, 컴퓨터에 의해서, 이들 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여, 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 유리 기판(7) 상의 도 14에 도시하는 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4)에 의해서 노광되어 형성되는 패턴에 상당하는 도 15에 도시하는 노광 패턴(13)을 작성한다(단계 24).
계속해서, 단계 24에서 작성한 샷마다의 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)과, 단계 23에서 작성한 예상 패턴(21)을 AND NOT 연산하여, 도 16에 도시한 바와 같이, 이들의 차분을 나타내는 차분 패턴(22)을 작성한다(단계 25).
이 때, 패턴(23)은 이들 차분 패턴(22)에서의 샷 노광 패턴(13)에 존재하고 예상 패턴(21)에는 존재하지 않는 패턴에 상당하고, 패턴(24)은 이들 차분 패턴(22)에서의 샷 노광 패턴(13)에 존재하고 예상 패턴(21)에 존재하지 않는 패턴에 상당한다. 여기서, 패턴(23)은 예상 패턴(21)에 존재하지 않은 패턴에 상당하지만, 광이 한번도 조사되지 않고 노광되지 않는 영역에 상당하는 패턴이다. 또한, 패턴(24)은 예상 패턴(21)에 존재하는 패턴이지만, 광이 적어도 한번 이상 조사되어 노광되는 영역에 상당하는 패턴이다.
이 때문에, 도 17에 도시한 바와 같이 차분 패턴(22)에서의 패턴(23)끼리를AND 연산하여, 광이 한번도 조사되지 않는 영역을 시뮬레이션 표시시킴과 함께(단계 26), 이들 차분 패턴(22)에서의 패턴(24)끼리를 OR 연산하여, 광이 적어도 한번은 조사되는 영역을 시뮬레이션 표시시킨다(단계 27).
이 후, 도 18에 도시한 바와 같이 단계 26에 의한 AND 연산의 결과 및 단계 27에 의한 OR 연산의 결과 각각에 예상 패턴(21)을 중첩하여 표시시킨다(단계 28).
이 상태에서, 도 19에 도시한 바와 같이, 단계 26에 의한 AND 연산의 결과를 예상 패턴(21)에 더함과 함께, 단계 27에 의한 OR 연산의 결과를 예상 패턴(21)으로부터 삭제(뺄셈)하고, 이들 AND 연산 및 OR 연산의 결과를 예상 패턴(21)에 중첩하여 표시시킨 데이터를 가공한다(단계 29).
그 결과, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4)에 의해 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성했을 때에서의, 이 유리 기판(7) 상의 적어도 한번은 광이 조사되어 노광되는 전체 노광 패턴(14)이 시뮬레이션 표시된다(단계 30).
따라서, 이 도 12 내지 도 19에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법은, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 유리 기판(7) 상에 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴(21)을 작성하고, 이 예상 패턴(21)과 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4)로써 노광되는 패턴에 상당하는 샷 노광 패턴(13)을 연산함으로써, 이들 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4) 각각에 의해 한번 이상 노광되는 유리 기판(7) 상의 전체 노광 패턴(14)이 시뮬레이션 표시되기 때문에, 도 1 내지 도 6에 도시하는 패턴 시뮬레이션 방법과 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
또한, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)에 기초하여 미리 작성되는 예상 패턴(21)은 실제로 유리 기판(7) 상에 노광되는 패턴에 전체 노광 패턴(14)이 근사할수록, 최종 공정에서의 AND NOT 연산, AND 연산 및 OR 연산의 연산 처리량이 적어진다. 이 때문에, 이 예상 패턴(21)을 실제의 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)에 근사시켜 작성할수록, 처리하는 데이터량을 삭감할 수 있기 때문에, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)의 설계상 실수를 보다 신속하고 또한 확실하게 발견할 수 있어, 레티클 패턴(1)의 드로잉 체크를 보다 단시간에 실행할 수 있다. 이 때, 일반적으로 대화면의 액정 표시 장치는 패널 사이즈나 기판 사이즈의 패턴을 나타내고, 그 후에 레티클 패턴(1)의 크기에 맞추어서, 이 레티클 패턴(1)에 의해 노광할 부분을 분할하기 때문에, 예상 패턴(21)은 실제의 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)과 근사하기 때문에, 보다 효과를 발휘할 수 있다.
상기 제4 실시 형태에서는 유리 기판(7)을 2매의 제1 레티클(3) 및 제2 레티클(4)로써 분할 노광했지만, 도 20 내지 도 25에 도시하는 제5 실시 형태와 마찬가지로, 유리 기판을 4매의 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 의해 십자로 분할하여 노광하는 경우라도, 상기 제4 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
구체적으로는, 도 20에 도시한 바와 같이, 예상 패턴(21)을 미리 형성함과 함께, 도 21에 도시하는 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각으로부터, 도 22에 도시한 바와 같이, 시뮬레이션용 기판 사이즈 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(20)을 작성한다. 이 후에, 도 23에 도시한 바와 같이, 이 예상 패턴과 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 의해서 형성되는 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 AND NOT 연산하여 차분 패턴(22)을 작성한다. 또한, 이들 차분 패턴(22)의 패턴(23)끼리를 AND 연산함과 함께, 이들 차분 패턴(22)의 패턴(24)끼리를 OR 연산하여, 도 24에 도시하는 패턴을 작성한다. 계속해서, 이들 AND 연산의 결과 및 OR 연산의 결과를 예상 패턴(21)에 더하고, 또한 이 예상 패턴(21)에 OR 연산의 결과를 삭제(뺄셈)하여, 도 25에 도시한 바와 같이 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)에 의해서 유리 기판(7) 상의 적어도 한번은 노광되는 전체 노광 패턴(14)을 모니터에 시뮬레이션 표시시킨다.
또한, 상기 제5 실시 형태에서는 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각으로부터 시뮬레이션용 기판 사이즈의 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 작성하고, 이들 노광 패턴(13)과 예상 패턴(21)을 유리 기판(7) 상의 모든 영역에 상당하는 영역에서 AND NOT 연산시켰지만, 도 26 내지 도 30에 도시하는 제6 실시 형태와 같이, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 광이 조사되어 노광되는 유리 기판(7) 상의 유효 영역에 상당하는 영역만을 예상 패턴(21)에 대하여 AND NOT 연산시켜도, 상기 제5 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
구체적으로는, 도 26에 도시하는 예상 패턴(21)을 미리 형성함과 함께, 도 27에 도시한 바와 같이, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각으로부터 시뮬레이션용 기판 사이즈 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을작성한다. 이 후에, 도 28에 도시한 바와 같이, 예상 패턴(21)과 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의해 광이 조사되는 노광 패턴(13) 중 유효 영역에 상당하는 패턴만을 AND NOT 연산하여 차분 패턴(22)을 작성한다. 그리고, 도 29에 도시한 바와 같이, 이들 차분 패턴(22)의 패턴(23)끼리를 AND 연산함과 함께, 이들 차분 패턴(22)의 패턴(24)끼리를 OR 연산하여, 이들 AND 연산의 결과 및 OR 연산의 결과를 예상 패턴(21)에 표시시킨다. 그리고, 도 30에 도시한 바와 같이, 이 예상 패턴(21)에 AND 연산의 결과를 더함과 함께, 이 예상 패턴(21)에 OR 연산의 결과를 삭제(뺄셈)하여, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각에 의한 샷으로써 유리 기판(7) 상의 적어도 한번은 노광되는 전체 노광 패턴(14)이 시뮬레이션 표시된다.
따라서, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6)의 각각에 의해 광이 조사되는 유효 영역의 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)만을 예상 패턴(21)에 대하여 AND NOT 연산하여 차분 패턴(22)을 작성하고 있기 때문에, AND NOT 연산의 대상이 되는 영역이 삭감되어, 처리하는 데이터량이 삭감되기 때문에, 보다 고속으로 차분 패턴(22)을 작성할 수 있다. 이 때문에, 레티클 데이터(11) 및 노광용 데이터(12)의 설계상 실수를 보다 신속하고 또한 확실하게 발견할 수 있으므로, 레티클 패턴(1)의 드로잉 체크를 보다 단시간에 실행할 수 있다.
또한, 상기 제4 내지 제6 실시 형태에서는 차분 패턴(22)의 패턴(23)끼리를 AND 연산한 결과를 예상 패턴(21)에 더함과 함께, 이들 차분 패턴(22)의 패턴(24)끼리를 OR 연산한 결과를 예상 패턴(21)으로부터 삭제(뺄셈)하여, 이들 AND 연산및 OR 연산의 결과를 예상 패턴(21)에 중첩한 데이터를 가공하여, 유리 기판(7) 상의 적어도 한번은 노광되는 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)이 시뮬레이션 표시되었지만, 예상 패턴(21)을 가공하지 않고, 차분 패턴(22)의 패턴(23)끼리를 AND 연산한 결과와, 이들 차분 패턴(22)의 패턴(24)끼리를 OR 연산한 결과 각각을 예상 패턴(21)에 중첩하여 표시시키는 것만으로, 유리 기판(7) 상의 전체 노광 패턴(14)을 확인할 수 있다.
구체적으로는, 차분 패턴(22)의 패턴(23)끼리를 AND 연산한 결과를, 추가 패턴으로서 예상 패턴(21)에 그대로 중첩하여 표시시킴과 함께, 차분 패턴(22)의 패턴(24)끼리를 OR 연산한 결과를, 삭제(뺄셈) 패턴으로서 실제로 삭제(뺄셈)하지 않고, 모니터 상에서 보이지 않게 하는 처리를 함으로써, 이들 AND 연산 및 OR 연산의 결과를 예상 패턴(21)에 중첩하여 표시시킨다.
그 결과, 유리 기판(7) 상의 적어도 한번 이상 노광되는 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)을 확인할 수 있기 때문에, 상기 제4 내지 제6 실시 형태와 마찬가지의 효과를 발휘함과 함께, 차분 패턴(22)에 대한 추가 패턴 및 삭제(뺄셈) 패턴의 데이터 상의 가공이 없어지기 때문에, 유리 기판(7) 상의 패턴에 상당하는 전체 노광 패턴(14)을 보다 고속으로 표시할 수 있으므로, 이들 데이터의 취급을 용이하게 할 수 있다.
또한, 제1 레티클(3), 제2 레티클(4), 제3 레티클(5) 및 제4 레티클(6) 각각의 샷에 의해 유리 기판(7) 상의 노광되는 패턴에 상당하는 노광 패턴(13)을 나타내는 시뮬레이션 결과와 예상 패턴(21)과의 차분 패턴(22)을 예상 패턴(21)에 중첩하여 표시시키거나, 이들 차분 패턴(22)을 예상 패턴(21)에 대하여 가공하여 표시시켜도 된다. 이 경우에는 유리 기판(7)에서의 기판 사이즈에서의 연산이 필요해지기 때문에 처리 시간이 길어지지만, 고속으로 표시할 수 있기 때문에, 상기 제4 내지 제6 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
본 발명에 따르면, 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에 이 기판 위의 샷마다 노광되는 복수의 영역에 상당하는 패턴을 OR 연산 혹은 AND 연산한 후, 이들 OR 연산 혹은 AND 연산에 기초하여 기판 위 적어도 1회 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션함으로써, 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해서 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위의 노광되지 않는 영역을 식별하여 용이하게 이해할 수 있으므로, 이들 레티클 데이터 및 노광용 데이터의 설계상 실수를 용이하게 발견할 수 있다.
또한, 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성한 후, 이 예상 패턴과 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴을 연산하여, 기판 위의 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하거나, 혹은 이 연산했을 때의 차분을 나타내는 차분 패턴을 작성하고, 이 차분 패턴을 예상 패턴에 중첩하고, 또는 이들을 연산하여 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션함으로써, 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해서 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위의 노광되지 않는 부분이나 이 기판 위로의노광의 중첩을 식별하여 용이하게 체크할 수 있으므로, 이들 레티클 데이터 및 노광용 데이터의 설계상 실수를 용이하게 발견할 수 있다.

Claims (18)

  1. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 방법으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위의 샷마다 노광되는 복수의 영역에 상당하는 패턴을 OR 연산하고,
    이 OR 연산에 기초하여 상기 기판 위의 1회 이상 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위에 노광되는 영역에 상당하는 패턴을 NOT 연산하고,
    이 NOT 연산에 기초하여 상기 기판 위의 노광되지 않는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  3. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 방법으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위의 인접하는 영역의 샷마다 노광되는 복수의 영역에 상당하는 패턴을 AND 연산하고,
    이 AND 연산에 기초하여, 상기 기판 위의 복수회 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 노광용 데이터는 기판 위의 인접하지 않는 영역에의 샷을 우선시켜서, 레티클 패턴에 기초한 기판 패턴을 상기 기판 위에 노광시키는 데이터를 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  5. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 방법으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성하고,
    이 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하여, 이 기판 위의 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하여 그 차분을 나타내는 차분 패턴을 작성하고,
    이 차분 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산함과 함께, 상기 예상 패턴과 상기 차분 패턴을 연산하고,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해서 상기 기판 위에 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  7. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 방법으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성하고,
    이 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하여 그 차분을 나타내는 차분 패턴을 작성하고,
    이 차분 패턴을 상기 예상 패턴에 중첩하여, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 형성되는 상기 기판 패턴을 시뮬레이션하는
    것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  8. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 패턴 시뮬레이션 방법으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성하고,
    이 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산한 차이의 차분을 나타내는 차분 패턴을 작성하고,
    이 차분 패턴과 상기 예상 패턴을 연산하여, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 작성되는 상기 기판 패턴을 시뮬레이션하는
    것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 방법.
  9. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 컴퓨터 판독 가능한 패턴 시뮬레이션 프로그램으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성하였을 때에, 이 기판 위의 샷마다 노광되는 복수의 영역에 상당하는 패턴을 OR 연산하는 단계와,
    상기 OR 연산에 기초하여, 상기 기판 위의 적어도 1회 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  10. 제9항에 있어서,
    레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위의 노광되는 영역에 상당하는 패턴을 NOT 연산하는 단계와,
    상기 NOT 연산에 기초하여, 상기 기판 위의 노광되지 않는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  11. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 컴퓨터 판독 가능한 패턴 시뮬레이션 프로그램으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에, 이 기판 위의 인접하는 영역의 샷마다 노광되는 복수의 영역에 상당하는 패턴을 AND 연산하는 단계와,
    상기 AND 연산에 기초하여, 상기 기판 위의 복수회 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 노광용 데이터는 기판 위의 인접하지 않는 영역에의 샷을 우선시켜, 레티클 패턴에 기초한 기판 패턴을 상기 기판 위에 노광시키는 데이터를 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  13. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 컴퓨터 판독 가능한 패턴 시뮬레이션 프로그램으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성하는 단계와,
    상기 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하는 단계와,
    상기 연산에 기초하여 상기 기판 위의 노광되는 영역의 패턴을 시뮬레이션하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  14. 제13항에 있어서,
    예상 패턴과 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 기판 위에 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴을 연산했을 때의 차분을 나타내는 차분 패턴을 작성하는 단계와,
    이 차분 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 상에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하는 단계와,
    상기 예상 패턴과 차분 패턴을 연산하는 단계와,
    상기 연산 각각에 기초하여, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  15. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되어 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 컴퓨터 판독 가능한 패턴 시뮬레이션 프로그램으로서,
    상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성하는 단계와,
    상기 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하는 단계와,
    상기 연산에 기초하여, 상기 예상 패턴과 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴과의 차분에 상당하는 차분 패턴을 작성하는 단계와,
    상기 차분 패턴을 상기 예상 패턴에 중첩하여, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 형성되는 상기 기판 패턴에 상당하는 패턴을 시뮬레이션하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  16. 기판 위에 형성하고자 하는 전체 패턴을 복수로 분할한 분할 영역마다의 레티클 패턴을 나타내는 레티클 데이터와, 상기 레티클 패턴을 상기 기판의 어떤 위치에 샷할지를 나타내는 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 노광되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 컴퓨터 판독 가능한 패턴 시뮬레이션 프로그램으로서,
    상기 레티클 데이터와 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때에 예상되는 예상 패턴을 작성하는 단계와,
    이 예상 패턴과, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴에 상당하는 패턴을 연산하는 단계와,
    이 연산에 기초하여, 상기 예상 패턴과 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 상기 기판 패턴을 형성했을 때의 노광 패턴과의 차분에 상당하는 차분 패턴을 작성하는 단계와,
    이 차분 패턴과 상기 예상 패턴을 연산하는 단계와,
    이 연산에 기초하여, 상기 레티클 데이터 및 노광용 데이터에 의해 상기 기판 위에 형성되는 상기 기판 패턴을 시뮬레이션하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램.
  17. 제9항 내지 제16항 중 어느 한 항의 패턴 시뮬레이션 프로그램이 컴퓨터에 판독할 수 있게 기록된 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 프로그램을 기록한 매체.
  18. 제9항 내지 제16항 중 어느 한 항의 패턴 시뮬레이션 프로그램에 기초하여, 기판 위에 형성되는 기판 패턴을 시뮬레이션하는 것을 특징으로 하는 패턴 시뮬레이션 장치.
KR1020040008234A 2003-02-10 2004-02-09 패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 그 프로그램을기억한 매체, 및 그 장치 KR100607014B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003032602 2003-02-10
JPJP-P-2003-00032602 2003-02-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040073312A true KR20040073312A (ko) 2004-08-19
KR100607014B1 KR100607014B1 (ko) 2006-08-01

Family

ID=32820935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040008234A KR100607014B1 (ko) 2003-02-10 2004-02-09 패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 그 프로그램을기억한 매체, 및 그 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7073163B2 (ko)
KR (1) KR100607014B1 (ko)
CN (1) CN1316316C (ko)
TW (1) TWI290641B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7610574B2 (en) 2006-10-02 2009-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for designing fine pattern

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7191113B2 (en) * 2002-12-17 2007-03-13 International Business Machines Corporation Method and system for short-circuit current modeling in CMOS integrated circuits
US7269804B2 (en) * 2004-04-02 2007-09-11 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for integrated circuit device design and manufacture using optical rule checking to screen resolution enhancement techniques
KR100818999B1 (ko) * 2006-10-09 2008-04-02 삼성전자주식회사 마스크 제작 방법
NL2007477A (en) * 2010-10-22 2012-04-24 Asml Netherlands Bv Method of optimizing a lithographic process, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and simulation apparatus.
US9547743B2 (en) * 2015-02-25 2017-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for a semiconductor device, pattern generating method and nontransitory computer readable medium storing a pattern generating program
US10176284B2 (en) * 2016-09-30 2019-01-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor circuit design and manufacture method
CN107807497B (zh) * 2017-11-27 2020-11-17 北京华大九天软件有限公司 一种面板版图设计中的曝光模拟方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5495417A (en) * 1990-08-14 1996-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba System for automatically producing different semiconductor products in different quantities through a plurality of processes along a production line
US6453452B1 (en) * 1997-12-12 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description
US6578188B1 (en) * 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
JP2000232057A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Hitachi Ltd レジストパターンのシミュレーション方法およびパターン形成方法
JP4057733B2 (ja) * 1999-02-22 2008-03-05 株式会社東芝 転写パターンのシミュレーション方法
JP2002244273A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Ricoh Opt Ind Co Ltd 濃度分布マスクとその製造方法
JP4748343B2 (ja) * 2001-04-26 2011-08-17 大日本印刷株式会社 ウエーハ転写検証方法
JP2002367890A (ja) 2001-06-06 2002-12-20 Toshiba Corp パターンレイアウト方法、その装置およびパターンレイアウトプログラムを記憶した媒体
JP2003022952A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Toshiba Corp 描画データ作成システム、描画データ作成方法、描画データ作成プログラム、レチクルの製造方法及び半導体装置の製造方法
US6966047B1 (en) * 2002-04-09 2005-11-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Capturing designer intent in reticle inspection
US6775818B2 (en) * 2002-08-20 2004-08-10 Lsi Logic Corporation Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7610574B2 (en) 2006-10-02 2009-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for designing fine pattern

Also Published As

Publication number Publication date
US7073163B2 (en) 2006-07-04
US20040158809A1 (en) 2004-08-12
KR100607014B1 (ko) 2006-08-01
CN1521566A (zh) 2004-08-18
TWI290641B (en) 2007-12-01
TW200422692A (en) 2004-11-01
CN1316316C (zh) 2007-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1921490A1 (en) Method of forming identification marks for a display substrate and a display device using the same
CN103092005B (zh) 玻璃基板的曝光对位方法
KR100607014B1 (ko) 패턴 시뮬레이션 방법, 그 프로그램, 그 프로그램을기억한 매체, 및 그 장치
US20060253828A1 (en) Structure and methodology for fabrication and inspection of photomasks
JPH021107A (ja) マスク又はレチクル用パターン自動検証装置
US7974457B2 (en) Method and program for correcting and testing mask pattern for optical proximity effect
JP2004265386A (ja) パターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記憶した媒体、およびその装置
JP2007103711A (ja) パターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記憶した媒体、およびその装置
KR101041263B1 (ko) 레티클 검증 시스템 및 프로그램이 기록된 기록매체
JP4619508B2 (ja) パターン形成方法、薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法および露光マスク
JP5459647B2 (ja) パターンシミュレーション方法、その装置、および、そのプログラム
JP2008216646A (ja) パターンシミュレーション方法、その装置、そのプログラムおよびこれを記録した媒体
CN112949242B (zh) 遮光带版图绘制方法、光罩版图绘制方法及光罩版图
JPH10232377A (ja) 液晶表示装置用パターンレイアウト装置
JP3747577B2 (ja) デバイスのレイアウト設計法
JP4100644B2 (ja) パターンレイアウト装置
JP2005300999A (ja) パターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記録した媒体、およびその装置
JP2008171060A (ja) パターンシミュレーション方法、その装置、そのプログラムおよびこれを記録した媒体
JP2010139545A (ja) パターンシミュレート方法、その装置およびパターンシミュレートプログラム
JPH10209013A (ja) パターン継ぎ合わせ部の精度計測方法
JP2002367890A (ja) パターンレイアウト方法、その装置およびパターンレイアウトプログラムを記憶した媒体
JP2006202838A (ja) 半導体装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置の製造方法
JP2001344301A (ja) パターンレイアウト方法、パターンレイアウト装置およびパターンレイアウトプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体
KR20060060265A (ko) 마스크 결함 검사 방법
JP2006317529A (ja) パターンレイアウト方法、その装置およびそのプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130712

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140711

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150717

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee