TWI290081B - Polishing pad for endpoint detection and related methods - Google Patents

Description

1290081 玖、發明說明' 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於用於化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing ; CMP)之研磨墊（Polishing Pad)，以 及監測研磨製程的方法及設備。 【先前技術】

一般來說，在基材上形成積體電路，係依序沉積導電 層、半導體層或絕緣層在矽晶片上。製造步驟包括沉積填 充層在不平的表面上，以及平坦化此填充層直到暴露出非 平面之表面。舉例而言，可沉積導電填充層（Conductive Filler Layer)在圖案化之絕緣層上，藉以填滿絕緣層中的溝 渠或孔洞。然後，填充層經過研磨直到暴露出絕緣層凸起 的圖案。在平坦化之後，殘留在絕緣層凸起圖案間導電層 之部分會形成介層、插塞及線路，在基材上之薄膜電路間 提供導電途徑。此外，為了微影製程，需進行平坦化以平 坦基材表面。 平坦化中被接受的一種方法是化學機械研磨（CMP)。 平坦化的方法一般需要將基材女置在載具（Carrier)或研磨 頭（Polishing Head)上。基材暴露出的表面抵在旋轉的研磨 盤墊（Polishing Disc Pad)或皮帶塾（Belt Pad)上。研磨塾可 為「標準式」研磨塾或固疋式磨餘塾(Fixed-Abrasive Pad)。標準式研磨墊為耐用且粗糙表面，而固定式磨餘墊 則是在包封介質（Containment Media)中保有研磨微粒 3 1290081 (Abrasive Particies)。載具頭（Carrier Head)施加可控 制的重量（Load)在基材上，以便將基材壓在研磨墊上。倘 若使用標準墊，則供應包括至少一種化學反應性藥劑及研 磨微粒的研磨聚至研磨墊之表面。 然而CMP有個問題在於判定研磨製程是否完成，或者 材料預定量已經移除’也就是基材層是否已平坦化至預定 之平坦度或厚度。導電層或薄膜過度研磨（移除過多）會導 致電路電阻增加。另一方面，導電層研磨不足（移除過少） 會導致電性短路。在基材層的起始厚度、研漿組成、研磨 墊的狀況、研磨墊與基材間的相對速度、以及基材上重量 之變動，都會造成材料移除速率的變化。這些變化會造成 抵達研磨終點所需時間的變化。因此，不能單以時間為函 數來確定研磨終點。 有個確定研磨終點的方法，就是同步（in-situ)監測基 材的研磨，例如以光學或電子感應器（Sensor)。一種監測 技術是利用磁場在金屬層引起渦電流（Eddy Current)，然後 在金屬層移除時偵測磁通量（Magnetic Flux)的改變。簡而 言之’由渦電流產生的磁通量與激發通量線（Excitation Flux Lines)的方向相反。磁通量與渦電流成正比，而渦電 流與金屬層的電阻值成正比，而金屬層的電阻值又與金屬 層的厚度成正比。因此，金屬層厚度的改變導致渦電流產 生的流量改變。流量改變又引起主線圈（Primary Coil)流量 的改變’這可藉由阻抗的改變測量出來。故此，線圈阻抗 的改變會反應金屬層厚度的改變。 4 1290081 【發明内容】 於一態樣中，本發明是關於一研磨塾。研磨 磨層，而研磨層有正面與背面，其中正面用來進 在研磨層的正面形成第一複數個溝槽’在研磨層 形成壓痕（Indentation)。在研磨面上與背面壓痕 域可無溝槽或是具有第二複數個溝槽，其中第二 槽比第一複數個溝槽較淺。 實施本發明包含下述一或多個特徵。在研磨 面壓痕相對的區域實質上是平的，例如完全沒有 一種情形，在研磨面上與背面壓痕相對的區域具 數個溝槽。此外，這個區域可以是不透明或透明 層可以是單一結構。凹陷（Recess)形成在研磨層 分中，其中第二部分與第一部份是完全分離的， 分固接於第一部份。第一部份與第二部分實質上 料組成，而且第二部分有上表面（ToP Surface)， 與研磨面實質上是齊平的。在第一部份形^ (Aperture)，且第二部分卡固在孔徑中。第二部分 第一剖面尺寸的上端斷面（Top Section)，以及具 第二剖面尺寸的下端斷面（Bottom Section)。舉例 一剖面尺寸可小於第二剖面尺寸。第二複數個溝 到壓痕的内表面。 研磨蟄在研磨層的背面設有襯裡層（Backing 襯裡層比研磨層較軟。孔徑穿過襯裡層，且孔徑 墊具有研 行研磨。 的背面則 相對的區 複數個溝 面上與背 溝槽。另 有第二複 的。研磨 的第二部 且第二部 是相同材 而上表面 有孔徑 中有具有 有相異之 而言，第 槽可延伸 Layer) 〇 對準研磨 5 1290081 層 溝 的 第 中 第 有 測 其 溝 面 中 統 壓 屬 法 層 之 複 淺 襯 背面的壓痕。襯裡層可為薄且不可壓縮層。第一複數個 槽形成在研磨層的第一部份上，而凹陷則形成在研磨層 第二部份中，其中第二部分與第一部份是完全分離的。 二孔徑形成在研磨層中，且第二部分卡固在第二孔徑 。第一孔徑可有第一剖面尺寸，而第二孔徑可有相異之 二剖面尺寸（如較大或較小）。 於另-態樣中，本發明係關於一研磨系統。研磨系統 載具以抓住基材、研磨墊支撐於平台上、以及渦電流監 系統。研磨墊包括研磨層，其中研磨層有正面與背面， 中正面用來進行研磨，在研磨層的正面形成第一複數個 槽，在研磨層的背面則形成一個壓痕。在研磨面上與背 壓痕相對的區域可無溝槽或是具有第二複數個溝槽，其 第一複數個溝槽比第一複數個溝槽較淺。渦電流監測系 具有至少一個線圈，以及至少部分延伸至研磨層背面之 痕中的磁芯（Core)，藉此監測由載具抓住之基材上的金 層。 又於另一態樣中，本發明係關於一製造研磨墊的方 °此方法至少包括形成第一複數個溝槽在研磨墊之研磨 中’形成壓痕於研磨層之背面，以及形成區域在與背面 壓痕相對的研磨面上，其中此區域可無溝槽或具有第二 數個溝槽，其中第二複數個溝槽係較第一複數個溝槽為 〇 實施本發明包含下述一或多個特徵。研磨層可固接於 裡層。形成壓痕可包含以機器製造（Machining)或鑄模出 1290081 (Molding)壓 分離的第一 j 一部分在孔^ 另一方1 運送基材到； 有第一複數> 磨層之背面 無溝槽或具 較第一複數 然後於基材 實施本 统監測在基 一個線圈， 磁芯。 於另一 層之研磨墊 份具有複數 則具有凹陷 接下來 或多個實施 於說明書、 【實施方式 請參考 痕。形成背面中之壓痕可包括固接研磨墊完全 私分於研磨墊的第二部分中，其中研磨墊的第 生中具有壓痕’且研磨墊的第二部分具有溝槽。 δ ’本發明係針對研磨的方法。在此方法中， 每研磨塾之研磨層接觸之正面，其中研磨層耳 固溝槽形成於研磨層之正面以及壓痕形成於研 ，且其中在正面上與背面之壓痕相對的區域為 第二複數個溝槽，而其中第二複數個溝槽係 個溝槽為淺。供應研磨液體至研磨層之正面， 與正面之間形成相對運動。 發明包含下述一或多個特徵。以渦電流監測系 材上之金屬層，其中渦電流監測系統具有至少 以及至少部分延伸至研磨層之背面的壓痕中之 態樣中，本發明係關於具有正面與背面的研磨 。在正面有第一部分與第二部分，其中第一部 個溝槽，且第二部分實質上為平的，而在背面 ’其中凹陷對準正面的第二部分。 配合以下圖示及說明書來詳細敘述本發明之一 例。本發明其他之特徵、物件及優點將會揭露 圖示及申請專利範圍中。 第1圖，在CMP設備的研磨工作站10中研磨 1290081 一或多個基材12。在美國專利公告號5,738,574中可找到 適合的研磨設備之描述。 研磨工作站10包括旋轉的平台16’而平台16上設有 研磨塾18。研磨墊18是兩層的塾子，包括實質上相同組 成的軟性襯裡層20與堅固耐用的外層22。耐用的外層22 提供研磨面24。研磨面24至少有一部份具有用來輸送研 漿的溝槽28。研磨工作站10亦包括研磨墊整理設備（pa(j Conditioner Apparatus)，藉以維持研磨墊的狀況，使研磨 墊能有效研磨基材。 在研磨步驟中，係藉由研衆配送埠（Slurry Supply Port) 或研漿/潤洗聯合臂32將含有液體及酸鹼調整劑（pIi Adjuster)的研漿30輸送至研磨墊18之表面。研漿30也可 包括研磨微粒。 基材10由載具頭34抓住並抵在研磨墊18上。載具頭 34懸吊在支承結構如轉盤（Carousel)上，並藉由載具主動 轴（Carrier Drive Shaft)36連接到載具頭旋轉馬達，以便使 載具頭34可以繞著轉軸38轉動。 凹陷40係形成於平台16中，且一同步監測模組42 裝入凹陷40中。同步監測模組42可包括渦電流監測系統， 其中渦電流監測系統的磁芯44係位於凹陷40中，藉此與 平台16 —起轉動。驅動及感測線圈（Drive and Sense

Coi 1)46纏繞在磁芯44上，然後連接到控制器50。在操作 時，振盪器（Oscillator)供給驅動線圈46能量以產生穿過 磁芯44主體之振盪磁場48。至少有一部份磁場48穿過研 8 1290081

磨墊18直至基材12。倘若基材12上有金屬層，振盪磁場 4 8就會產生渦電流。渦電流會產生與感應磁場反方向的磁 通量，並且磁通量會在主線圈或感測線圈中誘發與驅動電 流反方向的回電流（Back Current)。電流改變的結果可以利 用測量線圈中阻抗值的改變而得知。當金屬層厚度改變 時，金屬層的電阻值也隨之改變。因此，渦電流與渦電流 誘發磁通量的力量也會改變，導致主線圈之阻抗值的改 變。藉由監測這些變化，例如關於驅動線圈電流的相位可 藉由測量線圈電流的振幅或線圈電流的相位，渦電流感應 監測器可以偵測金屬層厚度的改變。 此處不再詳述作為渦電流監測系統之驅動及感測系 統，在歐洲專利公告號EP1294534及專利合作條約（Patent

Cooperation Treaty; PCT)專利公告號 WO02/087825 中可 找到適合的系統的描述。 滿電流監測系統之各種電子元件可設於控制器 (Controller)50 中的印刷電路板（printed circuit Board)

上。控制器5 0可包括電路系統，例如一般使用之微處理器 或特定使用之積體電路，藉此從渦電流監測系統的信號轉 換成數位數據。 正如前述，同步監測模組42更包括磁芯44位於凹陷 40中。 請參考第2圖及第3圖，研磨墊18之外層22包括在 外層22之底表面形成一或多個凹陷或壓痕 (Indentati〇n)52。這些壓痕52在研磨墊18的外層22中產 9 1290081 生一或多個薄區塊54。磁芯44及/或線圈46可延伸至壓 痕52中，以便能穿入部分的研磨墊18。靠近基材處藉由 設置磁芯44或線圈46，可以改善渦電流監測系統。壓痕 52可穿入外層22厚度至少50%，例如穿入75 %至80%。 舉例而言，外層22為100毫英吋厚之研磨墊18，壓痕52 可擁有約8 0毫英吋之深度D1，而薄區塊5 4就剩下約2 0 毫英吋之厚度。 正如前述，外層22可包括複數個溝槽28形成在外層 22中。溝槽28可為任意圖案，例如同心圓、直線、螺旋 形等。不過，溝槽28並不穿過外層22中的薄區塊54。因 此，研磨墊18的研磨面24包括有及無溝槽28的部分，而 壓痕52設於無溝槽的部分之一。溝槽28可至少10毫英对 深，例如約2 0毫英吋深。溝槽2 8可穿入外層2 2厚度的約 20%至25%。舉例而言，外層22厚度約80毫英吋之研磨 墊18，溝槽28可具有約20毫英吋之深度D2。溝槽28能 足夠深，使溝槽28延伸或穿過由壓痕52之内表面所定義 出的平面。 除此之外，如果可能，襯裡層2 0更包括一或多個孔徑 56設於其中，藉以提供磁芯44及/或線圈46到壓痕52的 通道。因此，磁芯44及/或線圈46亦可以穿過襯裡層20。 如第3圖所示，單一孔徑5 6可橫跨所有的壓痕5 2。然而 如第4圖所示，在另一個實施例中，孔徑5 6則對準每個壓 痕5 2。不過，對一些研磨操作而言，只使用單層研磨墊， 並沒有襯裡層q 10 1290081 請參考第1圖與第4圖，當研磨墊18固接於平台16 時，薄區塊54安裝在平台16中的凹陷4〇上以及部分之磁 芯44及/或線圈46上，其中磁怒44及/或線圈46凸出於 平台16上表面的平面上。磁芯44設置的越靠近基材12’ 磁場4 8散失的就越少，空間的解析度亦得以改善。假設研 磨墊1 8還沒使用光學終點監測系統，那麼整個研磨層包括 凹陷40上的部分將會是透明的。 在一個實施例中（如第3圖所示），外層22可利用例如 鑄模製程（Molding Process)加以製造，使外層22之上表面 與下表面分別具有溝槽及壓痕。因此包括有溝槽的部分與 薄區塊的外層22，可以是單獨之單一主體。外層22可利 用鎊模製程加以製造，例如射出成形（Injection Molding) 或是壓縮成形（Compression Injection)，以便使研磨塾材料 固化或注入具有壓痕的模中，其中壓痕係形成溝槽及凹 陷。另一種方式，外層22可利用更傳統的方式製造，例如 從大塊的研磨墊材料割下薄片。接著，以機器製造或是銑 出外層22的上表面及下表面，可分別形成溝槽及凹陷。一 旦外層2 2製造完成，就可以固接到襯裡層2 〇，例如利用 黏著劑，將外層22中之凹陷40對準襯裡層2〇中的孔徑 56 0 另一種方式，如第5圖所示，研磨塾18可以分兩部分 製造。舉例而言’研磨墊18的主體60可以製造成具有溝 槽28(可藉由鑄模或以機器製造）。至於底表面具有壓痕52 之無溝槽欲入物62可分開製造。主體6〇與搬入物62可由 11 1290081 相同材料形成。孔徑64係由外層22之主體60中裁切出來 的，且嵌入物62係卡固於孔徑64中，利用例如黏著劑將 嵌入物62黏到襯裡層20之上表面。嵌入物62的厚度D4 可以等於外層22的厚度D3，以便嵌入物62之頂表面相對 於研磨面24為齊平，或者嵌入物62的厚度D4可略少於 外層22的厚度D3，以便嵌入物62之頂表面相對於研磨面 24略為凹下。 在另一個實施例，如第6圖所示，襯裡層2 0為不可壓 縮、抗撕裂的材料，例如邁拉（Mylar)(此實施例係作為單 層研磨墊之考量）。邁拉片可以用於外層22的背面，然後 嵌入物62可放入外層22的孔徑64中，並粘著固接於邁拉 片的上表面。隨後，移除部分之邁拉片以暴露出壓痕5 2。 在另一個實施例，如第7A圖所示，嵌入物62固接於 外層22之下側。在這個實施例中，嵌入物62包括窄的上 部分70以及寬的下部分74,其中上部分70係裝入外層22 之孔徑72中，而下部分74則裝入襯裡層20之孔徑76中。 下部分74之上表面78可粘著固接於部分之外層22之下表 面79，其中外層22之下表面79凸出於襯裡層20。上部分 70與外層22具有相同厚度，以便嵌入物62之頂表面78 相對於研磨面24為齊平，而下部分74比襯裡層20更薄， 藉以在平台與嵌入物62之間提供間隔。 請參考第 7B圖，兩部分嵌入物更可固接於單層研磨 墊。在這個實施例中，具有不同剖面尺寸的上端斷面 82 與下端斷面8 4之兩部分孔徑8 0形成於外層2 2中。假設外 12 1290081 層22與嵌入物62具有相同的硬度，下部分74就與兩部分 孔徑80之下端斷面84具有相同厚度。 請參照第8圖，為另一實施例，與壓痕5 2有關之研磨 面24之部分，即薄區塊54，可具有非常淺的溝槽28a，但 剩下的研磨面24則具有深的溝槽28b。深的溝槽28b可至 少有1 〇毫英吋深，例如約20毫英吋深。反之，淺的溝槽 28a的厚度必須少於薄區塊54之厚度（例如少於薄區塊54 厚度的25%)。舉例而言，薄區塊54的厚度有20毫英吋， 淺的溝槽28a可具有約5毫英吋深。 渦電流監測系統可以使用在各種研磨系統中。不論是 研磨墊、載具頭或是兩者都能移動，藉以在研磨面與基材 間提供相對運動。研磨墊可為固接於平台的圓墊（或其他形 狀）、在供應軸與捲取軸之間的帶子、或是連續的皮帶。研 磨墊可固定在平台上、於研磨操作間在平台上遞增向前推 進、或於研磨時在平台上連續驅動。研磨時研磨墊可固接 磨 研 Ο 間 墊 磨 研 及 台 平 於 受填 承有 體沒 液或 有有 時如 磨例 研ί 是的 或準 ， 標 台為 平可 於墊 墊 粗 旨 S 氨 聚 之 料 充 塾 # 磨 式 定 固 或 研 是 的 解 瞭 應 過 不 語 術 的 位 定 直 έ 5 用 使 然 雖 外 此 是 〇或 著 ， 屋 圈 來線 過的 倒離 向分 方測 他感 其及 或動 區 ， 焉 向括 方包 直可 垂統 以系 能測 亦監 材流 基電 與渦 面 磨 線應 一 感 單他 的其 合以 結容 測電 感測發 及感本 動與 驅器 述 敘 係 明 圈 單 在 路 電 例 施 實 些 線 同 到 而 然 盪 未 振。在 ，h是 中±的 j 圈 -統線解 ⑨_ 了 以 可 的彳Ξ 一 13 1290081 脫離本發明所主張之精神或範圍下，仍可做出各種修飾。 因此，其他的實施例在下列申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 第1圖係繪示化學機械研磨工作站之部分剖面側視 圖，其中化學機械研磨工作站包括渦電流監測系統； 第2圖係繪示第1圖之研磨墊之頂視圖； 第3圖係繪示第2圖之研磨墊沿著3-3線所形成之剖面 側視圖， 第4圖係繪示具有複數個壓痕於外層底面之研磨墊的 剖面側視圖； 第5圖係繪示於無溝槽嵌入物固接於有溝槽之研磨頭 的剖面側視圖.； 第 6圖係繪示研磨墊的另一個實施例中襯裡層為薄片 之剖面側視圖； 第7A圖與第7B圖係繪示研磨墊的另一個實施例中嵌 入物固接於外層底面之剖面側視圖；以及 第8圖係繪示之在壓痕上具有淺溝槽之研磨墊的剖面 側視圖。 不同圖示中之相似圖號代表相似元件。 【元件代表符號簡單說明】 10 研磨工作站 12 基材 1 6 平台 1 8 研磨墊 14 1290081 2 0 襯 裡 層 2 4 研 磨 面 2 8a 溝 槽 3 0 研 漿 3 4 載 具 頭 3 8 轉 轴 4 2 同 步 監 測模組 4 6 線 圈 5 0 控 制 器 5 4 薄 區 塊 6 0 主 體 6 4 孔 徑 7 2 孔 徑 7 6 孔 徑 7 9 下 表 面 8 2 上 端 斷 面 D 1 厚 度 d3 厚 度 2 2 外層 2 8 溝槽 2 8 b 溝槽 3 2 研漿/潤洗聯合 3 6 載具主動軸 4 0 凹陷 4 4 磁芯 4 8 磁場 5 2 壓痕 5 6 孔徑 6 2 嵌入物 7 0 上部分 7 4 下部分 7 8 上表面 80 兩部分孔徑 84 下端斷面 D 2 厚度 D 4 厚度

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Claims (1)

1290081 拾、申請專利範圍: 1. 一種研磨墊，其中該研磨墊至少包含： 一研磨層，其具有一研磨面與一背面； 一第一複數個溝槽形成於該研磨層之該研磨面；以及 一壓痕形成於該研磨層之背面，且其中在該研磨面上 與該背面之該壓痕相對的一區域為無溝槽或具有一第二複 數個溝槽，而其中該第二複數個溝槽較該第一複數個溝槽 為淺。 2·如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中在該研 磨面上與該背面之該壓痕相對的該區域為無溝槽。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之研磨墊，其中在該研 磨面上與該背面之該壓痕相對的該區域實質上是平的。 4.如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中在該研 磨面上與該背面之該壓痕相對的該區域具有該第二複數個 溝槽，而其中該第二複數個溝槽較該第一複數個溝槽為淺。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之研磨墊，其中該第二 複數個溝槽延伸到該壓痕之一内表面。 6.如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中在該研 磨面上與該背面之該壓痕相對的該區域為不透明的。 16 1290081 7·如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中在該研 磨面上與該背面之該壓痕相對的該區域為透明的。 8. 如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該研磨 層為一單一結構。 9. 如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該等溝 槽係形成於該研磨層之一第一部份中，而一凹陷係形成在 該研磨層之一第二部分中，其中該第二部分與該第一部份 是完全分離的，且該第二部分係固接於該第一部份。 10. 如申請專利範圍第9項所述之研磨墊，其中該第一 部份是不透明的而該第二部份為透明的。 11·如申請專利範圍第9項所述之研磨墊，其中該第一 部份與該第二部分實質上是相同材料組成。 1 2 ·如申凊專利範圍第11項所述之研磨墊，其中該第 一部为具有一上表面且該上表面與該研磨面實質上是齊平 的。 13·如申請專利範圍第9項所述之研磨墊，其中該第一 -Ρ伤包括有-孔徑形成於其巾，且該第二部分係固定於該 17 1290081 孔徑處。 14.如申請專利範圍第13項所述之研磨墊，其中該第 二部分中有具有一第一剖面尺寸之一上端斷面，以及具有 相異之一第二剖面尺寸之一下端斷面。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之研磨墊，其中該第 一剖面尺寸小於該第二剖面尺寸。 16.如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中更包含 一襯裡層設於該研磨層之背面。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之研磨墊，其中該襯 裡層係較該研磨層為軟。 18.如申請專利範圍第16項所述之研磨墊，其中該襯 裡層具有一第一孔徑穿過該其中，且該第一孔徑係對準該 研磨層背面之該壓痕。 1 9 .如申請專利範圍第1 6項所述之研磨墊，其中該襯 裡層為薄且不可壓縮層。 2 0.如申請專利範圍第16項所述之研磨墊，其中數個 溝槽係形成於該研磨層之一"第一部份中，而一凹陷係形成 18 1290081 在該研磨層之一第二部分中，其中該第二部分與該第一部 份是完全分離的。 21. 如申請專利範圍第20項所述之研磨墊，其中該研 磨層具有一第二孔徑形成於其中，且該第二部分係固接於 該第二孔徑中。 22. 如申請專利範圍第21項所述之研磨墊，其中該第 一孔徑具有一第一剖面尺寸，而第二孔徑具有相異之一第 二剖面尺寸。 2 3 .如申請專利範圍第22項所述之研磨墊，其中該第 一孔徑小於該第二剖面尺寸。 24. 如申請專利範圍第22項所述之研磨墊，其中該第 一孔徑大於該第二剖面尺寸。 25. —種研磨系統，其至少包含： 一載具以抓住一基材； 一研磨墊支撐於一平台上，其中該研磨墊包括一研磨 層且該研磨層具有用來研磨之一正面與一背面，一第一複 數個溝槽係形成於該研磨層之該正面，以及一壓痕形成於 該研磨層之該背面，而其中在該研磨面上與該背面之該壓 痕相對之一區域為無溝槽或具有一第二複數個溝槽，且其 19 1290081 中該第二複數個溝槽係較該第一複數個溝槽為淺；以及 一渦電流監測系統，其具有至少一線圈，以及至少部 分延伸至該研磨層之該背面之該壓痕中之一磁芯（Core)， 藉此監測由該載具抓住之該基材上之一金屬層。 26. 如申請專利範圍第25項所述之研磨系統，其中該 研磨面上與該背面之該壓痕相對之該區域為無溝槽。 27. 如申請專利範圍第25項所述之研磨系統，其中該 研磨面上與該背面之該壓痕相對之該區域具有該第二複數 個溝槽，其中該第二複數個溝槽係較該第一複數個溝槽為 淺0 28. —種研磨墊的製造方法，其至少包含： 形成一第一複數個溝槽在一研磨墊之一研磨層中； 形成一壓痕於該研磨層之一背面；以及 形成一區域在與該背面之該壓痕相對之一研磨面上， 其中該區域為無溝槽或具有一第二複數個溝槽，其中該第 二複數個溝槽係較該第一複數個溝槽為淺。 29. 如申請專利範圍第 28項所述之研磨墊的製造方 法，其中形成該區域之步驟中包括形成無溝槽之該區域。 30. 如申請專利範圍第 28項所述之研磨墊的製造方 20 1290081 法，其中形成該區域之步驟中包括形成具有該第二複數個 溝槽之該區域。 3 1 ·如申請專利範圍第28項所述之研磨墊的製造方 法，更包含固接該研磨層至一襯裡層。 32. 如申請專利範圍第28項所述之研磨墊的製造方 法，其中形成該壓痕之步驟中包括以機器製造該壓痕。 33. 如申請專利範圍第 28項所述之研磨墊的製造方 法，其中形成該壓痕之步驟中包括鑄模出該壓痕。 34. 如申請專利範圍第28項所述之研磨墊的製造方 法，其中形成該壓痕於該研磨層之該背面包含固接該研磨 墊完全分離之一第一部分於該研磨墊之一第二部分中，其 中該研磨墊之該第一部分在一孔徑中具有該壓痕，且該研 磨墊之該第二部分具有該第一複數個溝槽。 35. —種研磨的方法，其至少包含： 將一基材與一研磨塾之一研磨層之一正面作接觸，其 中該研磨層具有一第一複數個溝槽形成於該研磨層之該正 面以及一壓痕形成於該研磨層之一背面，且其中在該正面 上與該背面之該壓痕相對的一區域為無溝槽或具有一第二 複數個溝槽，而其中該第二複數個溝槽係較該第一複數個 21 1290081 溝槽為淺； 供應一研磨液體至該研磨層之該正面；以及 於該基材與該正面之間形成相對運動。 36. 如申請專利範圍第35項所述之研磨的方法，其中 該正面上與該背面之該壓痕相對之該區域為無溝槽。 37. 如申請專利範圍第35項所述之研磨的方法，其中 該正面上與該背面之該壓痕相對之該區域具有該第二複數 個溝槽，其中該第二複數個溝槽係較該第一複數個溝槽為 淺0 3 8 ·如申請專利範圍第3 5項所述之研磨的方法，其中 更包含以一渦電流監測系統監測在該基材上之一金屬層， 該渦電流監測系統具有至少一線圈，以及至少部分延伸至 該研磨層之該背面之該壓痕中之一磁芯。 22