JP6779633B2 - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6779633B2 JP6779633B2 JP2016031970A JP2016031970A JP6779633B2 JP 6779633 B2 JP6779633 B2 JP 6779633B2 JP 2016031970 A JP2016031970 A JP 2016031970A JP 2016031970 A JP2016031970 A JP 2016031970A JP 6779633 B2 JP6779633 B2 JP 6779633B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- peripheral wall
- space
- magnetic core
- eddy current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Description
膜有無の検出精度およびプロファイルコントロールの精度に限界があり、特に、研磨後の基板のエッジ部における膜厚のばらつきに対応できなかった。これは、基板上に成膜した銅膜等の導電成膜を研磨する際、基板のエッジ部は境界領域となって、ここに成膜される膜の膜厚が他の場所に成膜される膜の膜厚に比べて変化し易いためである。また、基板の一部に残った、6mm幅以下の残膜の検出が一般に困難で、基板上への膜の成膜状態、あるいは膜の研磨条件の変動などにより、本来研磨すべき膜が基板の一部に残ってしまうことがあった。
、励磁コイルの周囲は周壁部で囲まれているため、磁束の漏れは少ない。
なお、磁心部は分離可能とし、周壁部は分離不可として、センサ本体に対して、分離可
能な磁心部と、分離不可である周壁部の全体とを一体として脱着できるようにしてもよい。この場合、センサ製作時、具体的には、磁心部にコイルを巻きつける時に、コイルが巻かれる磁心部を露出することが可能になるため、磁心部にコイルを巻きつける作業が容易になるという利点がある。
いる。研磨パッド101の、研磨表面101aとは反対側の裏面101bが、研磨テーブル100の取付面104に取り付けられている。トップリング1は、研磨パッド101の研磨表面101aに対向させて半導体ウェハW1を保持できる。
のとき、トップリング1および研磨テーブル100をそれぞれ回転させ、研磨テーブル100の上方に設けられた研磨液供給ノズル102から研磨パッド101上に研磨液を供給する。このように、半導体ウェハW1を研磨パッド101の研磨面101aに摺接させて半導体ウェハW1の表面を研磨する。
を有する。無発泡構造の場合、ポリウレタン等に対してドレッシング処理により研磨表面101aが荒らされて、研磨剤の保持力を高める処理がなされる。
して、空間30内に位置する磁心部の部分、および空間30内に位置する周壁部の部分のみを交換することにより、容易に対応することができる。
例について説明する。図9(a)は、ソレノイドコイルを用いた渦電流センサ50の構成例を示す概略図である。図9(b)は、スパイラルコイルを用いた渦電流センサ150の構成例を示す概略図である。図9(a),図9(b)では、磁心部は磁心基部61bと、磁心延長部8に分離可能である。周壁部は分離不可であり、周壁基部61cと、周壁延長部11は一体化されていて、一部品である。
VR1-1×(VR2-2+jωL3)=VR1-2×(VR2-1+jωL1) (1)
となるように、可変抵抗VR1(=VR1-1+VR1-2)およびVR2(=VR2-1+VR2-2)を調整する。これにより、図16(c)に示すように、調整前のL1,L3の信号(図中点線で示す)を、同位相・同振幅の信号(図中実線で示す)とする。
水晶発振器からなる固定周波数の発振器であり、例えば、2MHz,8MHzの固定周波数の電圧を供給する。信号源52で形成される交流電圧は、バンドパスフィルタ82を介して渦電流センサ50、150に供給される。渦電流センサ50、150の端子で検出された信号は、高周波アンプ83および位相シフト回路84を経て、cos同期検波回路85およびsin同期検波回路86からなる同期検波部により検出信号のcos成分とsin成分とが取り出される。ここで、信号源52で形成される発振信号は、位相シフト回路84により信号源52の同相成分(0゜)と直交成分(90゜)の2つの信号が形成され、それぞれcos同期検波回路85とsin同期検波回路86とに導入され、上述の同期検波が行われる。
…と変化する。この場合でも、上述したように、渦電流センサ50、150は、半導体ウェハW1の中心Cwを通る位置に配置されているので、渦電流センサ50、150が描く軌跡は、毎回半導体ウェハW1の中心Cwを通過する。
上位のホストコンピュータ(複数の半導体製造装置と接続し、管理しているコンピュータ)に送信し、ホストコンピュータで蓄積してもよい。そして、研磨装置側から送信された基板Wの膜厚または膜厚に相当する信号の分布に応じて、ホストコンピュータで、ホストコンピュータのデータベースに格納された押圧条件に対する研磨量に基づいて、膜厚または膜厚に相当する信号の分布が検出された基板Wの押圧条件を決め、当該研磨装置の機器制御コントローラ248に送信してもよい。
、研磨開始から所定の時間が経過したか否かを判断して研磨を終了することも可能である。本実施形態によれば、渦電流センサは、空間分解能が向上しているため、渦電流センサ出力の有効範囲が、エッジ等の狭い領域に広がるので、基板Wの領域ごとの測定点が増え、研磨の制御性の向上を図ることができ、基板の研磨平坦性を改善することができる。
以上説明したように、本発明は以下の形態を有する。
形態1
研磨対象物を研磨するための研磨表面を有する研磨パッドと、前記研磨パッドの、前記研磨表面とは反対側の裏面が取り付けられる研磨テーブルと、前記研磨テーブル内に配置され、前記研磨の終点を検知する終点検知センサとを有する研磨装置において、
前記終点検知センサは、
底面部と、前記底面部の中央に配置される磁心部と、前記底面部の周囲かつ前記磁心部の周囲に配置される周壁部とを有する、磁性体であるポットコアと、
前記磁心部に配置され、前記研磨対象物に渦電流を形成する励磁コイルと、
前記磁心部又は前記周壁部に配置され、前記研磨対象物に形成される前記渦電流を検出する検出コイルとを有し、
前記研磨パッドの前記裏面側には、前記研磨テーブルに対向する部分に、前記磁心部および前記周壁部の一部を収容するための空間が配置され、
前記磁心部および前記周壁部は、前記底面部から前記空間に向かって伸びており、前記空間に向かって伸びた前記磁心部および前記周壁部の少なくとも先端部は、前記空間内に位置することを特徴とする研磨装置。
形態2
前記磁心部のうち、前記空間内に位置する前記磁心部の少なくとも一部分は、前記研磨テーブル内に位置する前記磁心部の少なくとも一部分から分離可能であることを特徴とする形態1に記載の研磨装置。
形態3
前記周壁部のうち、前記空間内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分は、前記研磨テーブル内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分から分離可能であることを特徴とする形態1または2に記載の研磨装置。
形態4
前記空間は、前記研磨パッドの前記裏面から前記研磨表面まで貫通していることを特徴とする形態1から3までのいずれか一項に記載の研磨装置。
形態5
前記周壁部の外周に配置された金属シールドを有し、前記金属シールドは、前記励磁コイルが生成する磁界を遮蔽することを特徴とする形態1から4までのいずれか一項に記載の研磨装置。
形態6
研磨対象物を研磨するための研磨表面を有する研磨パッドと、前記研磨パッドの、前記研磨表面とは反対側の裏面が取り付けられる研磨テーブルと、前記研磨テーブル内に配置され、前記研磨の終点を検知する終点検知センサとを有する研磨装置において、
前記終点検知センサは、
底面部と、前記底面部の周囲に配置される周壁部とを有する、磁性体であるポットコアと、
前記底面部の中央に配置され、前記研磨対象物に渦電流を形成する励磁コイルと、
空心コイルであるか又は前記周壁部に配置されて前記周壁部をコアとするコイルであり、前記研磨対象物に形成される前記渦電流を検出する検出コイルとを有し、
前記周壁部は、前記励磁コイルの周囲に配置され、
前記励磁コイルは、空心部を有する空心コイルであり、
前記研磨パッドの前記裏面には、前記研磨テーブルに対向する部分に、前記周壁部の一部を収容するための空間が配置され、
前記周壁部は、前記底面部から前記空間に向かって伸びており、前記空間に向かって伸
びた前記周壁部の少なくとも先端部は、前記空間内に位置し、
前記ポットコアは、前記空心部を前記空間に向かって延長した位置に、磁性体である磁心部を有し、
前記磁心部は、前記空心部から前記空間に向かって伸びており、前記空間に向かって伸びた前記磁心部の少なくとも先端部は、前記空間内に位置することを特徴とする研磨装置。
形態7
前記周壁部のうち、前記空間内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分は、前記研磨テーブル内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分から分離可能であることを特徴とする形態6に記載の研磨装置。
形態8
前記検出コイルは、前記空間内に位置する前記磁心部又は前記周壁部に配置されることを特徴とする形態1から7までのいずれか一項に記載の研磨装置。
形態9
前記空間内に位置する前記磁心部および前記周壁部は、保持部に保持され、前記保持部は、前記終点検知センサまたは前記研磨テーブルに固定されることを特徴とする形態1から8までのいずれか一項に記載の研磨装置。
8…磁心延長部
10…研磨装置
11…周壁延長部
12…磁性体コア部
16…スパイラルコイル
18…磁性体
22…金属シールド
24…空心部
26…研磨層
28…裏打ち層
30…空間
32…空間
34…保持部
50…渦電流センサ
60…ポットコア
62…励磁コイル
63…検出コイル
64…ダミーコイル
101…研磨パッド
150…渦電流センサ
162…励磁コイル
163…検出コイル
164…ダミーコイル
61a…底面部
61b…磁心基部
61c…周壁基部
101a…研磨面
101b…裏面
Claims (10)
- 研磨対象物を研磨するための研磨表面を有する研磨パッドと、前記研磨パッドの、前記研磨表面とは反対側の裏面が取り付けられる研磨テーブルと、前記研磨テーブル内に配置され、前記研磨の終点を検知する終点検知センサとを有する研磨装置において、
前記終点検知センサは、
底面部と、前記底面部の中央に配置される磁心部と、前記底面部の周囲かつ前記磁心部の周囲に配置される周壁部とを有する、磁性体であるポットコアと、
前記磁心部に配置され、前記研磨対象物に渦電流を形成する励磁コイルと、
前記磁心部又は前記周壁部に配置され、前記研磨対象物に形成される前記渦電流を検出する検出コイルとを有し、
前記研磨パッドの前記裏面側には、前記研磨テーブルに対向する部分に、前記磁心部および前記周壁部の一部を収容するための空間が配置され、
前記磁心部および前記周壁部は、前記底面部から前記空間に向かって伸びており、前記空間に向かって伸びた前記磁心部および前記周壁部の少なくとも先端部は、前記空間内に位置し、
前記周壁部の先端は先細形状であり、前記先細形状は、前記底面部から離れる方向に、かつ前記先端に向かって細くなり、
前記周壁部は、前記磁心部を取り囲んでいることを特徴とする研磨装置。 - 前記磁心部のうち、前記空間内に位置する前記磁心部の少なくとも一部分は、前記研磨テーブル内に位置する前記磁心部の少なくとも一部分から分離可能であることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 前記周壁部のうち、前記空間内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分は、前記研磨テーブル内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分から分離可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨装置。
- 前記空間は、前記研磨パッドの前記裏面から前記研磨表面まで貫通していることを特徴とする請求項1から3までのいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記周壁部の外周に配置された金属シールドを有し、前記金属シールドは、前記励磁コイルが生成する磁界を遮蔽することを特徴とする請求項1から4までのいずれか一項に記載の研磨装置。
- 研磨対象物を研磨するための研磨表面を有する研磨パッドと、前記研磨パッドの、前記研磨表面とは反対側の裏面が取り付けられる研磨テーブルと、前記研磨テーブル内に配置され、前記研磨の終点を検知する終点検知センサとを有する研磨装置において、
前記終点検知センサは、
底面部と、前記底面部の周囲に配置される周壁部とを有する、磁性体であるポットコアと、
前記底面部の中央に配置され、前記研磨対象物に渦電流を形成する励磁コイルと、
空心コイルであるか又は前記周壁部に配置されて前記周壁部をコアとするコイルであり、前記研磨対象物に形成される前記渦電流を検出する検出コイルとを有し、
前記周壁部は、前記励磁コイルの周囲に配置され、
前記励磁コイルは、空心部を有する空心コイルであり、
前記研磨パッドの前記裏面には、前記研磨テーブルに対向する部分に、前記周壁部の一部を収容するための空間が配置され、
前記周壁部は、前記底面部から前記空間に向かって伸びており、前記空間に向かって伸びた前記周壁部の少なくとも先端部は、前記空間内に位置し、
前記ポットコアは、前記空心部を前記空間に向かって延長した位置に、磁性体である磁心部を有し、
前記磁心部は、前記空心部から前記空間に向かって伸びており、前記空間に向かって伸びた前記磁心部の少なくとも先端部は、前記空間内に位置することを特徴とする研磨装置。 - 前記周壁部のうち、前記空間内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分は、前記研磨テーブル内に位置する前記周壁部の少なくとも一部分から分離可能であることを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。
- 前記検出コイルは、前記空間内に位置する前記磁心部又は前記周壁部に配置されることを特徴とする請求項1から7までのいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記空間内に位置する前記磁心部および前記周壁部は、保持部に保持され、前記保持部は、前記終点検知センサまたは前記研磨テーブルに固定されることを特徴とする請求項1から8までのいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記励磁コイル及び前記検出コイルは、前記空間内に位置する前記磁心部に配置されないことを特徴とする請求項1から5までのいずれか一項に記載の研磨装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016031970A JP6779633B2 (ja) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 研磨装置 |
TW106104600A TWI773660B (zh) | 2016-02-23 | 2017-02-13 | 研磨裝置 |
SG10201701239TA SG10201701239TA (en) | 2016-02-23 | 2017-02-16 | Polishing apparatus |
KR1020170022099A KR102624343B1 (ko) | 2016-02-23 | 2017-02-20 | 연마 장치 |
US15/438,505 US10933507B2 (en) | 2016-02-23 | 2017-02-21 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016031970A JP6779633B2 (ja) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017152471A JP2017152471A (ja) | 2017-08-31 |
JP6779633B2 true JP6779633B2 (ja) | 2020-11-04 |
Family
ID=59739271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016031970A Active JP6779633B2 (ja) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 研磨装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10933507B2 (ja) |
JP (1) | JP6779633B2 (ja) |
KR (1) | KR102624343B1 (ja) |
SG (1) | SG10201701239TA (ja) |
TW (1) | TWI773660B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7021671B2 (ja) | 2017-08-07 | 2022-02-17 | 住友電気工業株式会社 | 集光型太陽光発電モジュール、集光型太陽光発電パネル、集光型太陽光発電装置、及び集光型太陽光発電モジュールの製造方法 |
JP7244250B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2023-03-22 | 株式会社荏原製作所 | 磁性素子、及びそれを用いた渦電流式センサ |
KR102538861B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2023-06-01 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 자성 소자 및 그것을 사용한 와전류식 센서 |
JP7083279B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-06-10 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサの軌道を特定する方法、基板の研磨の進行度を算出する方法、基板研磨装置の動作を停止する方法および基板研磨の進行度を均一化する方法、これらの方法を実行するためのプログラムならびに当該プログラムが記録された非一過性の記録媒体 |
JP7291558B2 (ja) * | 2019-07-03 | 2023-06-15 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ |
JP2022083705A (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-06 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ |
CN114619360B (zh) * | 2021-12-16 | 2023-01-03 | 清华大学 | 一种用于金属膜层的化学机械抛光方法 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58135449A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-12 | Nippon Steel Corp | 渦流探傷プロ−ブ |
JPH01151002A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-13 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録用電磁コイル |
US5559428A (en) * | 1995-04-10 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | In-situ monitoring of the change in thickness of films |
US8485862B2 (en) * | 2000-05-19 | 2013-07-16 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad for endpoint detection and related methods |
US6924641B1 (en) * | 2000-05-19 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring a metal layer during chemical mechanical polishing |
US7374477B2 (en) * | 2002-02-06 | 2008-05-20 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads useful for endpoint detection in chemical mechanical polishing |
DE60116757D1 (de) | 2000-05-19 | 2006-04-06 | Applied Materials Inc | Verfahren und vorrichtung zur "in-situ" überwachung der dicke während des chemisch-mechanischen planiervorganges |
US6878038B2 (en) * | 2000-07-10 | 2005-04-12 | Applied Materials Inc. | Combined eddy current sensing and optical monitoring for chemical mechanical polishing |
US6602724B2 (en) * | 2000-07-27 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing of a metal layer with polishing rate monitoring |
US6966816B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
TWI273947B (en) * | 2002-02-06 | 2007-02-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing |
US7309618B2 (en) * | 2002-06-28 | 2007-12-18 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for real time metal film thickness measurement |
US7112960B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | Eddy current system for in-situ profile measurement |
US7074109B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-07-11 | Applied Materials | Chemical mechanical polishing control system and method |
US20050173259A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Applied Materials, Inc. | Endpoint system for electro-chemical mechanical polishing |
KR101152747B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2012-06-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마찰 센서를 이용한 폴리싱 종료점 탐지 시스템 및 방법 |
US7354334B1 (en) * | 2004-05-07 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Reducing polishing pad deformation |
DE102007015502A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | CMP-System mit einem Wirbelstromsensor mit geringerer Höhe |
JP5224752B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2013-07-03 | 株式会社東京精密 | 研磨完了時点の予測方法とその装置 |
US8337278B2 (en) * | 2007-09-24 | 2012-12-25 | Applied Materials, Inc. | Wafer edge characterization by successive radius measurements |
KR100971839B1 (ko) * | 2007-09-24 | 2010-07-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 연속적 반경 측정에 의한 웨이퍼 엣지 특성화 |
JP5495493B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2014-05-21 | 株式会社東京精密 | 膜厚測定装置、及び膜厚測定方法 |
JP2009186433A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Chiba Univ | 渦電流式試料測定方法と、渦電流センサと、渦電流式試料測定システム |
TWI572441B (zh) * | 2008-08-05 | 2017-03-01 | 荏原製作所股份有限公司 | 硏磨方法及裝置 |
JP5615831B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2014-10-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 縁部分解能強化渦電流センサ |
US20110124269A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-05-26 | Mitsuo Tada | Eddy current sensor and polishing method and apparatus |
JP5730747B2 (ja) | 2010-12-10 | 2015-06-10 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ並びに研磨方法および装置 |
AU2010298385B2 (en) * | 2009-09-22 | 2014-03-27 | Adem, Llc | Impedance sensing systems and methods for use in measuring constituents in solid and fluid objects |
US20110189856A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Kun Xu | High Sensitivity Real Time Profile Control Eddy Current Monitoring System |
US8700199B2 (en) * | 2011-03-21 | 2014-04-15 | International Business Machines Corporation | Passive resonator, a system incorporating the passive resonator for real-time intra-process monitoring and control and an associated method |
US9528814B2 (en) * | 2011-05-19 | 2016-12-27 | NeoVision, LLC | Apparatus and method of using impedance resonance sensor for thickness measurement |
JP5894833B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-03-30 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ並びに研磨方法および装置 |
US9205527B2 (en) * | 2012-11-08 | 2015-12-08 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitoring system with monitoring of elongated region |
US9281253B2 (en) * | 2013-10-29 | 2016-03-08 | Applied Materials, Inc. | Determination of gain for eddy current sensor |
JP6101621B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2017-03-22 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
KR102326730B1 (ko) * | 2014-03-12 | 2021-11-17 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 막 두께 측정값의 보정 방법, 막 두께 보정기 및 와전류 센서 |
JP2016087780A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
US10391610B2 (en) * | 2016-10-21 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Core configuration for in-situ electromagnetic induction monitoring system |
-
2016
- 2016-02-23 JP JP2016031970A patent/JP6779633B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-13 TW TW106104600A patent/TWI773660B/zh active
- 2017-02-16 SG SG10201701239TA patent/SG10201701239TA/en unknown
- 2017-02-20 KR KR1020170022099A patent/KR102624343B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-21 US US15/438,505 patent/US10933507B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102624343B1 (ko) | 2024-01-15 |
TWI773660B (zh) | 2022-08-11 |
JP2017152471A (ja) | 2017-08-31 |
TW201729943A (zh) | 2017-09-01 |
US20170259394A1 (en) | 2017-09-14 |
SG10201701239TA (en) | 2017-09-28 |
US10933507B2 (en) | 2021-03-02 |
KR20170099372A (ko) | 2017-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6779633B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP5894833B2 (ja) | 渦電流センサ並びに研磨方法および装置 | |
US20170057051A1 (en) | Eddy current sensor | |
US20130065493A1 (en) | Polishing monitoring method, polishing end point detection method, and polishing apparatus | |
US20100124792A1 (en) | Eddy current sensor with enhanced edge resolution | |
US20110124269A1 (en) | Eddy current sensor and polishing method and apparatus | |
US20220163484A1 (en) | Eddy current sensor | |
US8657644B2 (en) | Eddy current sensor and polishing method and apparatus | |
JP2012135865A (ja) | 渦電流センサ並びに研磨方法および装置 | |
US11638982B2 (en) | Core configuration for in-situ electromagnetic induction monitoring system | |
JP6590612B2 (ja) | 渦電流センサ | |
US11004708B2 (en) | Core configuration with alternating posts for in-situ electromagnetic induction monitoring system | |
JP2017050381A (ja) | 渦電流センサ | |
JP7291558B2 (ja) | 渦電流センサ | |
JP7257945B2 (ja) | 渦電流センサの出力信号処理回路および出力信号処理方法 | |
KR20160000019A (ko) | 화학 기계적 연마 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6779633 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |